JPH08330243A - Plasma cleaning method, and area protector for arrangement - Google Patents

Plasma cleaning method, and area protector for arrangement

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JPH08330243A
JPH08330243A JP15697795A JP15697795A JPH08330243A JP H08330243 A JPH08330243 A JP H08330243A JP 15697795 A JP15697795 A JP 15697795A JP 15697795 A JP15697795 A JP 15697795A JP H08330243 A JPH08330243 A JP H08330243A
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JP
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Patent type
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plasma
stage
surface
gas
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Application number
JP15697795A
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Japanese (ja)
Inventor
Yoshihiro Tamura
好宏 田村
Original Assignee
Anelva Corp
アネルバ株式会社
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Abstract

PURPOSE: To complete the plasma cleaning for removing a film deposited on the surface, etc., of the a substrate stage within a vacuum container, in a short time. CONSTITUTION: A plate-shaped area protector 400 for arrangement consisting of the dielectric which has a surface of dimension and form fitted for the dimension and form of the surface of a substrate 40 or the dimension and form of the area for arrangement of a substrate out of the surface of a substrate holder 4 is arranged in place of the substrate 40, and a gas having etching action is introduced into a vacuum container 1, and also a specified high frequency power is applied to the substrate holder 4 by a high frequency power source 41 for a stage. And, plasma is made in the vicinity of the surface of the substrate stage 4 by the applied high frequency power, and by this plasma, the film deposited on the surface of the substrate stage 4 is removed.

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【産業上の利用分野】本願の発明は、例えば、半導体装置の製造工程に使用されるプラズマ気相成長装置等の真空処理装置において、真空容器の内面や真空容器内の部材の表面に堆積した薄膜を除去するプラズマクリーニング方法の改善に関するものである。 The present application relates invention, for example, the vacuum processing apparatus of a plasma vapor deposition apparatus or the like used in the manufacturing process of the semiconductor device, was deposited on the surface of the member of the vacuum vessel inner surface and the vacuum vessel it relates improvements in plasma cleaning method for removing a thin film.

【0002】 [0002]

【従来の技術】図5は、従来の真空処理装置の一例としてのプラズマ気相成長装置の概略構成を示す図である。 BACKGROUND ART FIG. 5 is a diagram showing a schematic configuration of a plasma vapor deposition apparatus as an example of a conventional vacuum processing apparatus.
図5に示すプラズマ気相成長装置は、排気系11を備えた真空容器1と、真空容器1内に所定のガスを導入するガス導入機構2と、導入されたガスにエネルギーを与えてプラズマを形成するための電力供給機構3と、薄膜作成を行う基板40を配置するための基板ステージ4などから主に構成されている。 Plasma vapor deposition apparatus shown in FIG. 5, a vacuum container 1 having an exhaust system 11, a gas introduction mechanism 2 for introducing a predetermined gas into the vacuum vessel 1, the plasma energizing the introduced gas a power supply mechanism 3 for forming, is mainly composed of such substrate stage 4 for placing a substrate 40 for thin film deposition.

【0003】図5の装置では、不図示のゲートバルブを通して基板40を真空容器1内に搬入して基板ステージ4上に配置する。 [0003] In the apparatus shown in FIG. 5 is arranged on the substrate stage 4 carries the substrate 40 into the vacuum vessel 1 through a gate valve (not shown). 排気系11によって真空容器1内を排気した後、ガス導入機構によって所定のガスを導入する。 After evacuating the vacuum vessel 1 by exhaust system 11, to introduce a predetermined gas by the gas introducing mechanism. 次に、電力供給機構3によって高周波電力等のエネルギーを真空容器1内のガスに印加し、プラズマを形成する。 Next, energy such as a high-frequency power is applied to the gas in the vacuum vessel 1 by the power supply mechanism 3, to form a plasma. そして、プラズマによって生ずる気相反応により基板40の表面に所定の薄膜が作成される。 Then, a predetermined thin film on a surface of the substrate 40 is prepared by a vapor phase reaction caused by the plasma. 例えば、ガス導入機構3によってシランガスと酸素ガスを導入すれば、プラズマによって分解反応等を生じ、酸化硅素の薄膜が基板40の表面に作成される。 For example, if introducing silane gas and oxygen gas by the gas introduction mechanism 3 causes a decomposition reaction or the like by the plasma, a thin film of silicon oxide is created on the surface of the substrate 40.

【0004】前記構成によるプラズマ気相成長装置において、薄膜作成処理を繰り返して行うと、基板ステージ4のプラズマに露出した表面や真空容器1の内面にも酸化硅素膜が堆積するという現象が生じる。 [0004] In the plasma vapor deposition apparatus according to the configuration, if performed repeatedly thin-film forming process, phenomenon on the surface and the inner surface of the vacuum chamber 1 which is exposed to the plasma of the substrate stage 4 is deposited is silicon oxide film occurs. これらの薄膜が堆積すると、やがては薄膜の内部応力により剥がれ、 When these thin films are deposited, eventually peeled off by the internal stress of the thin film,
微粉末の発生原因となる。 Cause the occurrence of fine powder. この微粉末が基板40上の酸化硅素薄膜に付着すると表面欠陥を生じさせ、当該酸化硅素薄膜の商品価値を低下せしめるという問題を生じる。 The fine powder cause surface defects when attached to a silicon oxide thin film on the substrate 40, there arises a problem that allowed to lower the commercial value of the silicon oxide film. このような問題は、プラズマ気相成長装置に限らず、プラズマエッチング装置等の真空処理装置でも生じている。 This problem is not limited to the plasma vapor deposition apparatus, and also occur in a vacuum processing apparatus such as a plasma etching apparatus. 即ち、エッチングされた材料が基板ステージの表面や真空容器の内面に堆積して薄膜となり、それが剥離して生じた微粉末が基板上の回路を損傷させるという問題があった。 That is, the etched material is deposited on the inner surface of the surface and the vacuum chamber of the substrate stage becomes thin, it fine powder caused by peeling was a problem that damage the circuitry on board.

【0005】このような堆積膜の剥がれを抑制するために、剥離する前に堆積膜をエッチングして除去してしまうプラズマクリーニングの手法が一般的に用いられている。 [0005] In order to suppress the peeling of such deposited films, the method of plasma cleaning results in removing by etching the deposited film before peeling is generally used. この方法では、フロン14ガス(CF 4 ):酸素ガス=80:20程度の混合ガスをガス導入機構2によって真空容器1内に導入し、フロン14ガスおよび酸素ガスによるプラズマを生成させ、プラズマの作用により堆積膜をエッチングして除去する。 In this way, Freon 14 gas (CF 4): oxygen gas = 80: 20 about mixed gas was introduced into the vacuum chamber 1 by the gas introduction mechanism 2, to generate plasma with freon 14 gas and oxygen gas, plasma It is removed by etching the deposited film by the action. 即ち、プラズマ中では遊離CFx(x=1,2,3)、CFxイオン(x= That is, in the plasma free CFx (x = 1,2,3), CFx ions (x =
1,2,3)、遊離弗素又は弗素イオンが生成され、これらの弗素系活性種又はイオンが堆積膜と反応して揮発物を生成し、この揮発物が排気系11によって排出されることで堆積膜が除去される。 1, 2, 3) are produced free fluorine or fluorine ions react with these fluorine active species or ions deposited film to produce a volatiles by the volatiles are exhausted by an exhaust system 11 deposited film is removed.

【0006】 [0006]

【発明が解決しようとする課題】上記プラズマクリーニングが行われる真空処理装置において、プラズマは元々基板の処理のために形成するものとして各部材が構成されている。 In [0007] the vacuum processing apparatus in which the plasma cleaning is performed, the plasma respective members are configured as originally formed for processing of the substrate. この点、あまりプラズマに近づけると基板のダメージがあるため、基板ステージは、プラズマが形成される場所から相当程度離れた位置に設置される。 In this respect, because of the damage of the substrate is brought close too the plasma, the substrate stage is installed in considerable distance from where the plasma is formed. この場合、上記プラズマクリーニングを行った際、基板ステージの表面付近のプラズマ密度は低くならざるを得ない。 In this case, when performing the plasma cleaning, plasma density near the surface of the substrate stage inevitably low. この結果、基板ステージの表面に堆積膜を除去するには、長時間をプラズマクリーニングを行わなければならないという問題があった。 Consequently, to remove the deposited film on the surface of the substrate stage, there is a problem that a long period of time must be carried out plasma cleaning.

【0007】特に、プラズマ気相成長装置のような薄膜作成装置では、基板ステージの表面のうち、処理中に基板によって覆われている領域(以下、配置領域)には薄膜は堆積しないが、覆われていない表面領域(以下、非配置領域)には基板と同様に薄膜が堆積する。 [0007] Particularly, in the thin-film forming apparatus such as a plasma chemical vapor deposition apparatus, of the surface of the substrate stage, the area covered by the substrate during processing (hereinafter, arrangement area), but the film is not deposited, covering We are not surface region (hereinafter, non-arranging region) to deposit a thin film like the substrate. 近年、成膜速度を向上させる色々な試みがなされているが、このような試みによって基板上に速い速度で成膜がなされるのみならず、基板ステージの非配置領域に厚い薄膜が堆積することになる。 Recently, various attempts to improve the film-forming speed is made, not only film formation is performed at a faster rate on the substrate by such attempts, it thick thin film blank region of the substrate stage is deposited become. そして、このように厚く堆積した基板ステージの非配置領域に対して、結果的に低い密度のプラズマしか供給されないため、上記プラズマクリーニングの長時間化は装置の稼働率を低下せしめる等の深刻な問題を招いていた。 Then, the blank region of such thick deposited substrate stage, since only results in low density of the plasma is not supplied for a long time of the plasma cleaning serious problems, such as allowed to lower the operation rate of the apparatus I was not invited. また、基板ステージ以外の例えば真空容器の内面などの箇所のプラズマクリーニングにおいても、エッチング速度を充分に高くできず、プラズマクリーニング時間を短縮できない問題があった。 Also in the plasma cleaning places, such as the inner surface of for example, a vacuum chamber other than the substrate stage can not sufficiently high etching rate, there is a problem that can not be shortened plasma cleaning time.

【0008】本願発明は、係る課題を解決するためになされたものであり、真空容器内の基板ステージの表面などに堆積した薄膜を除去するプラズマクリーニングを短時間に完了できるようにして、装置の稼動率の向上等を可能にすることを目的としている。 [0008] The present invention has been made to solve the problems of, so as to complete the plasma cleaning to remove thin film deposited, such as on the surface of the substrate stage in the vacuum chamber in a short period of time, the device It is intended to allow an improvement in operation rate or the like.

【0009】 [0009]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため、本願の請求項1記載の発明は、排気系を備えた真空容器と、真空容器内に所定のガスを導入するガス導入機構と、真空容器内の所定の位置に基板を配置するための基板ステージと、基板ステージに所定の高周波電力を印加するステージ用高周波電源とを備えた真空処理装置において、処理する基板の表面の寸法形状又は基板ステージの表面のうちの基板配置のための領域の寸法形状に適合した寸法形状の表面を有する誘電体からなる板状の配置領域保護体を前記基板ステージの表面のうちの基板配置のための領域に配置してこの領域を覆い、エッチング作用のあるガスを前記ガス導入機構によって真空容器内に導入するとともにステージ用高周波電源によって所定の高周波電力を基板 To achieve the above object, according to an aspect of, the invention of the first aspect, a vacuum vessel provided with an exhaust system, a gas introduction mechanism for introducing a predetermined gas into the vacuum chamber, a substrate stage for placing a substrate in a predetermined position in the vacuum chamber, the vacuum processing apparatus having a stage for high-frequency power source for applying a predetermined high frequency power to the substrate stage, geometry of the surface of the substrate to be processed or for a plate-like arrangement area protection body made of a dielectric material having a surface of the dimensions adapted to the dimensions of the region for a substrate arrangement of the surfaces of the substrate stage of the substrate arrangement of the surfaces of the substrate stage covering the area allocated to the area, the substrate a predetermined high frequency power by the stage high-frequency power supply is introduced into the vacuum vessel of the etching working gas by the gas introducing mechanism テージに印加し、印加された高周波電力によって基板ステージの表面の近傍にプラズマを形成し、このプラズマによって生じる前記ガスのエッチング作用を利用して基板ステージの表面堆積膜又は真空容器の内面堆積膜を除去するという構成を有する。 Is applied to the stage, to form a plasma in the vicinity of the surface of the substrate stage by the applied high frequency power, the inner surface deposited film surface deposited film or vacuum vessel of the use to the substrate stage etching effect of the gas generated by the plasma It has a configuration of removing. 同様に上記目的を達成するため、請求項2記載の発明は、上記請求項1の構成において、導入されたエッチング作用のあるガスの圧力を、0.5Torrから5Torrの範囲とする。 To similarly achieve the above object, an invention according to claim 2, wherein, in the above-described structure according to claim 1, the pressure of the gas with the introduced etching action, the range of 5Torr from 0.5 Torr. 同様に上記目的を達成するため、請求項3 Similarly order to achieve the above object, according to claim 3
記載の発明は、上記請求項1又は2の構成において、真空処理装置は、真空容器内に所定の電力を導入して基板の処理のためのプラズマを形成する電力供給機構を備えており、ステージ用高周波電源とともにこの電力供給機構を動作させて行う。 The invention described is the structure of the claim 1 or 2, the vacuum processing apparatus is provided with a power supply mechanism to form a plasma for processing the substrate by introducing a predetermined amount of electric power to the vacuum vessel, a stage with use high-frequency power source carried by operating the power supply mechanism. 同様に上記目的達成のため、請求項4記載の発明は、上記請求項3の構成において、電力供給機構は、100mTorr以下の圧力にて少なくとも10 10 cm -3以上の密度を有する高密度プラズマを形成することが可能なものである。 Similarly for achieve the above object, an invention according to claim 4, wherein, in the above-described structure according to claim 3, the power supply mechanism, a high density plasma with at least 10 10 cm -3 or more density at pressures below 100mTorr forming those that can be. 同様に上記目的を達成するため、請求項5記載の発明は、上記請求項1,2, To similarly achieve the above object, the invention of claim 5 wherein the preceding claims 1 and 2,
3又は4記載のプラズマクリーニング方法に使用される配置領域保護体であるという構成を有する。 Used in 3 or 4 plasma cleaning method according has a configuration that a placement area protected form. 同様に上記目的を達成するため、請求項6記載の発明は、上記請求項5の構成において、石英ガラスから形成されている配置領域保護体であるという構成を有する。 Similarly order to achieve the above object, the invention of claim 6 wherein has the configuration that the configuration of the fifth aspect, an arrangement area protection body which is formed from quartz glass. 同様に上記目的を達成するため、請求項7記載の発明は、上記請求項5又は6の構成において、処理する基板の重量に対して10倍以下の重量の配置領域保護体であるという構成を有する。 Similarly order to achieve the above object, an invention according to claim 7, wherein, in the above-described structure according to claim 5 or 6, the configuration of a placement area protection having a weight of less than 10 times the weight of the substrate to be processed a. 同様に上記目的を達成するため、請求項8記載の発明は、上記請求項5又は6の構成において、処理する基板の厚さに対して3倍以下の厚さの配置領域保護体であるという構成を有する。 To similarly achieve the above object, as an invention according to claim 8, in the above-described structure according to claim 5 or 6, an arrangement area protection of 3 times the thickness of the thickness of the substrate to be processed having the configuration.

【0010】 [0010]

【実施例】以下、本願発明の実施例を説明する。 EXAMPLES Hereinafter, an embodiment of the present invention. 図1 Figure 1
は、本願発明の実施例のプラズマクリーニング方法が実施される真空処理装置の概略図であり、一例として図4 Is a schematic diagram of a vacuum processing apparatus in which plasma cleaning method embodiment of the present invention is implemented, FIG. 4 as an example
と同様にプラズマ気相成長装置の概略構成が示されている。 It is likewise a schematic configuration of a plasma vapor deposition apparatus designated.

【0011】図1に示すプラズマ気相成長装置は、図4 [0011] The plasma chemical vapor deposition apparatus shown in FIG. 1, as shown in FIG. 4
の装置と同様、排気系11を備えた真空容器1と、真空容器1内に所定のガスを導入するガス導入機構2と、導入されたガスにエネルギーを与えてプラズマを形成するための電力供給機構3と、薄膜作成を行う基板を配置するための基板ステージ4とを有している。 As with the apparatus, the vacuum chamber 1 provided with an exhaust system 11, a gas introduction mechanism 2 for introducing a predetermined gas into the vacuum vessel 1, the power supply for generating plasma by energizing the introduced gas a mechanism 3, and a substrate stage 4 for placing a substrate a thin film is created. さらに、基板ステージ4に所定の高周波電力を印加するステージ用高周波電源41が備えられている。 Further, the stage high-frequency power source 41 for applying a predetermined high frequency power to the substrate stage 4 is provided.

【0012】まず、真空容器1は、成膜室101と、成膜室101の下側に位置した少し大きな空間の真空排気室102を構成している。 [0012] First, the vacuum chamber 1 includes a film forming chamber 101, constitute an evacuated chamber 102 slightly larger spaces located below the film forming chamber 101. そして、成膜室101を構成する部分と真空排気室102を構成する部分とが分離可能に構成されている。 Then, a portion constituting the part and the vacuum exhaust chamber 102 which constitutes the film forming chamber 101 is configured to be separable. これは、真空容器1内の部材のメンテナンス等のためである。 This is because such maintenance member in the vacuum vessel 1. また、成膜室101の部分の真空容器1の器壁には不図示のゲートバルブが設けられ、真空排気室102の部分の器壁には、排気系11がつながる排気管13が設けられている。 Further, the vacuum chamber 1 of the wall portion of the film forming chamber 101 is provided a gate valve (not shown), the vessel wall part of the vacuum exhaust chamber 102, and an exhaust pipe 13 is provided which has an exhaust system 11 connected there. 排気系11は、 Exhaust system 11,
粗引きポンプ111と、粗引きポンプ111の前段に配設された主ポンプ112と、これらのポンプ111,1 A roughing pump 111, a main pump 112 disposed in front of the roughing pump 111, the pumps 111,1
12によって排気する排気経路上に配設された主バルブ113及び可変コンダクタンスバルブ114とから主に構成されている。 It is mainly composed of the main valve 113 and the variable conductance valve 114. disposed on an exhaust path for exhausting by 12.

【0013】上記真空容器1は、上側にベルジャー12 [0013] The vacuum vessel 1, the bell jar 12 in the upper
を有している。 have. 真空容器1の上部器壁には中央に円形の開口が設けられ、ベルジャー12はこの開口に気密に接続されている。 The upper unit wall of the vacuum chamber 1 a circular opening is provided in the center, bell jar 12 is air-tightly connected to the opening. ベルジャー12は、直径200mm程度の半球状の形状を有するものであり、石英ガラス等の誘電体で形成されている。 Bell jar 12, which has a hemispherical shape having a diameter of about 200 mm, and is formed of a dielectric material such as quartz glass. 真空容器1は、上部の壁の中央に円形の開口を有し、この開口に気密に接続することでベルジャー12が配設されている。 Vacuum vessel 1 has a circular opening in the center of the top of the wall, bell jar 12 is disposed by connecting airtightly the opening.

【0014】ガス導入機構2は、図6に示す例では、二つのガス導入系21,22から構成されており、二種の異なるガスを同時に導入できるようになっている。 [0014] Gas introducing mechanism 2, in the example shown in FIG. 6, is composed of two gas introduction system 21, and to be able to introduce two different gases simultaneously. 各々のガス導入系21,22は、不図示のガスボンベに接続された配管211,221と、配管211,221の終端に接続されたガス導入体212,222とから主に構成されている。 Each of the gas introduction system 21 and 22, a pipe 211, 221 connected to a gas cylinder (not shown), and is mainly configured from a connected gas introduction member 212, 222 Metropolitan the end of the pipe 211 and 221.

【0015】図2は、上記ガス導入体212,222の構成を説明する図である。 [0015] Figure 2 is a diagram illustrating the configuration of the gas introducing member 212, 222. 図2に示すように、ガス導入体212,222は、断面円形の円環状のパイプから構成されている。 As shown in FIG. 2, a gas introduction member 212 and 222, and a circular cross section of an annular pipe. このガス導入体212,222は、真空容器1に設けられた支持棒23によって支持され、真空容器1の内面に沿う形で水平に配設されている。 The gas introduction member 212, 222 is supported by a support rod 23 provided in the vacuum chamber 1, are disposed horizontally in line with the inner surface of the vacuum vessel 1. 尚、真空容器1は、円筒形の場合もあるし、角筒形の場合もある。 The vacuum chamber 1 may or may cylindrical, in some cases a square tube shape. また、真空容器1の壁を気密に貫通する状態で輸送管24が設けられており、この輸送管24の一端はガス導入体212,222に接続されている。 Further, a transport tube 24 is provided in a state penetrating the wall of the vacuum chamber 1 in an airtight, one end of the transport tube 24 is connected to the gas introduction member 212, 222. ガス導入体2 Gas introduction body 2
12,222の他端は図1の配管211,221に接続されている。 The other end of the 12,222 is connected to the pipe 211, 221 of FIG. そして、ガス導入体212,222は、図2に示すように、その内側面にガス吹き出し口25を有している。 Then, the gas introducing member 212 and 222, as shown in FIG. 2, has a gas outlet 25 on its inner surface. このガス吹き出し口25は、直径0.5mm The gas outlet 25 has a diameter 0.5mm
程度の開口であり、10mm程度の間隔をおいて周上に設けられている。 A degree of opening, is provided on the circumference at intervals of about 10 mm.

【0016】一方、図1に戻り、電力供給機構3は、ベルジャー12の周囲を取り囲んで配設された高周波コイル31と、この高周波コイル31に整合器32を介して高周波電力を供給する高周波電源33とから主に構成されている。 [0016] On the other hand, returning to FIG. 1, the power supply mechanism 3 includes a high-frequency coil 31 which is disposed to surround the periphery of the bell jar 12, a high frequency power source for supplying high frequency power through a matching unit 32 to the high frequency coil 31 It is mainly composed of 33. 高周波電源33には、例えば13.56MH The high frequency power source 33, for example 13.56MH
zの高周波電力を発生させるものが採用され、高周波コイル31からベルジャー12内にこの高周波電力が供給される。 z which generates high-frequency power is employed, this high-frequency power is supplied from the high-frequency coil 31 in the bell jar 12.

【0017】また、真空容器1内のベルジャー12の下方位置には、基板ステージ4が設けられている。 Further, the lower position of the bell jar 12 in the vacuum vessel 1, the substrate stage 4 is provided. この基板ステージ4は、処理を行う基板40を表面に配置させるものであり、金属よりなるステージ本体401と、このステージ本体401の上面に配設された吸着用誘電体ブロック402とから主に構成されている。 The substrate stage 4 is intended to position the substrate 40 for treatment on the surface, a stage body 401 made of a metal mainly composed of arranged adsorptive dielectric block 402. the upper surface of the stage main body 401 It is. 基板ステージ4は、静電吸着によって基板40を表面に吸着する機構が採用されており、吸着用誘電体ブロック402内には、吸着電極403が埋め込まれている。 The substrate stage 4 is adopted a mechanism for adsorbing the substrate 40 to a surface by electrostatic attraction, the attracting dielectric block 402 is embedded adsorption electrode 403. そして、吸着電極403に所定の電位を与える吸着用電源405が設けられており、これによって誘電体ブロックの表面に静電気を生じさせて基板を吸着するようになっている。 Then, so as to adsorb the adsorption power 405 is provided, thereby to cause static electricity on the surface of the dielectric block substrate giving a predetermined potential to the adsorption electrode 403.

【0018】また、基板ステージ4の側面を覆うようにしてシールド板405が設けられており、シールド板4 [0018] Also, a shield plate 405 is provided to cover the side surface of the substrate stage 4, the shield plate 4
05と基板ステージ4との間には絶縁ブロック406が配置されている。 It is arranged insulating block 406 between the 05 and the substrate stage 4. このシールド板405は、基板ステージ4の側方にプラズマが回り込んで高周波放電が形成されるのを防止するためのものであり、所定の金属から形成されて接地されている。 The shield plate 405 is intended to prevent the high-frequency discharge is formed wraps around plasma on the side of the substrate stage 4, and is grounded is formed from a predetermined metal. 前述の通り、基板ステージ4 As described above, the substrate stage 4
には、所定の高周波電力を印加するステージ用高周波電源41が備えられている。 The stage high-frequency power supply 41 for applying a predetermined high-frequency power is provided. このステージ用高周波電源4 The stage for the high-frequency power supply 4
1は、処理時にはプラズマと高周波との相互作用によって基板40に所定の基板バイアス電圧を印加するように動作し、プラズマクリーニングの際には後述するように基板ステージ4の表面近傍にプラズマを形成するように動作する。 1, during the processing work to apply a predetermined bias voltage to the substrate 40 by the interaction between the plasma and the high frequency, during the plasma cleaning to form a plasma in the vicinity of the surface of the substrate stage 4, as described below It operates as.

【0019】上記構成に係るプラズマ気相成長装置は、 [0019] The plasma vapor deposition apparatus according to the above configuration,
まず、真空容器1に設けられた不図示のゲートバルブを通して基板40を真空容器1内に搬入し、基板ステージ4上に配置する。 First, the substrate 40 is carried into the vacuum chamber 1 through a gate valve (not shown) provided in the vacuum vessel 1 is placed on the substrate stage 4. ゲートバルブを閉じて排気系11を作動させ、真空容器1内を例えば5mTorr程度まで排気する。 Close the gate valve is operated to exhaust system 11, evacuating the vacuum vessel 1, for example up to about 5 mTorr. 次に、ガス導入機構2を動作させ、所定のガスを所定の流量で真空容器1内に導入する。 Then, by operating the gas introduction mechanism 2, it is introduced into the vacuum vessel 1 a predetermined gas at a predetermined flow rate. この際、ガスは、配管211,221から輸送管24を経由してガス導入体212,222に供給され、ガス導入体212, In this case, gas is supplied to the gas introducing member 212, 222 via the transport tube 24 from the piping 211 and 221, the gas introducing member 212,
222のガス吹き出し口25から内側に吹き出すようにして真空容器1内に導入される。 It is introduced into the vacuum chamber 1 from 222 gas outlet 25 so as to blow out the inside. 導入されたガスは真空容器1内を拡散してベルジャー12内に達する。 Introduced gas reaches the bell jar 12 by diffusing vacuum container 1.

【0020】この状態で電力供給機構3を作動させて、 [0020] activates the power supply mechanism 3 in this state,
高周波電源33から整合器32を介して高周波コイル3 High-frequency coil 3 via the matching unit 32 from the high frequency power source 33
1に13.56MHz2000W程度の高周波電力を印加する。 Applying a high frequency power of about 13.56MHz2000W to 1. 同時に、ステージ用高周波電源41も動作し、 At the same time, the high-frequency power supply 41 is also running for the stage,
基板40に所定のバイアス電圧がそれぞれ印加される。 A predetermined bias voltage is applied respectively to the substrate 40.
このバイアス電圧は、ステージ用高周波電源41が与える高周波とプラズマとの相互作用により生ずるバイアス電圧である。 This bias voltage is the bias voltage generated by the interaction between the high frequency and the plasma to provide a stage for high-frequency power supply 41. 電力供給機構3が供給した高周波電力は、 RF power is the power supply mechanism 3 is supplied,
高周波コイル31を介してベルジャー12内に導入され、ベルジャー12内に存在するガスにエネルギーを与えてプラズマを生成する。 It is introduced via the high-frequency coil 31 in the bell jar 12, to generate a plasma by applying energy to the gas present in the bell jar 12. 生成されたプラズマは、ベルジャー12から下方の基板40に向けて拡散する。 Generated plasma diffuses toward the bell jar 12 to the substrate 40 of the lower. プラズマ中では、所定の生成物が生じ、この生成物が基板4 In the plasma, certain product occurs, the product substrate 4
0に到達することにより所定の薄膜が作成される。 0 predetermined thin film is prepared by reaching the. この際、ステージ用高周波電源41によって生じたバイアス電圧により、プラズマ中のイオンが加速されて基板4に衝突し、この衝突のエネルギーによって成膜が効果的に行われる。 In this case, the bias voltage generated by the stage high-frequency power source 41, and ions in the plasma are accelerated to collide with the substrate 4, film formation is performed effectively by the energy of the collision.

【0021】例えば酸化硅素薄膜を作成する場合、第一のガス導入系21によってモノシランガスを導入し、第二のガス導入系22によって酸素ガスを導入する。 [0021] For example, when creating a silicon oxide film, by a first gas introduction system 21 introduces a monosilane gas, oxygen gas is introduced through the second gas introduction system 22. モノシラン/酸素のプラズマによってモノシランが分解し、 Monosilane is decomposed by the plasma of monosilane / oxygen,
酸素と反応することによって酸化硅素薄膜が作成される。 Silicon oxide thin film is prepared by reacting with oxygen. 尚、図1の装置では、成膜室の圧力が100mTo Incidentally, in the apparatus of Figure 1, pressure in the deposition chamber is 100mTo
rr以下の領域にて、10 10 cm -3以上の高密度プラズマが生成できるようになっており、この高密度プラズマによって高い成膜速度で薄膜作成できるようになっている。 rr in the following regions, 10 10 cm -3 or more high-density plasma has become possible generation, which is to be created thin film at a high deposition rate by the high-density plasma.

【0022】さて、上記薄膜作成処理を繰り返していくと、真空容器1の内面や基板ステージ4の非配置領域等に薄膜が堆積してくる。 [0022] Now, when we repeat the above thin-film forming process, the thin film comes deposited blank region or the like of the vacuum chamber 1 of the inner surface and the substrate stage 4. 相当程度の回数繰り返したら、 When the number of repetitions of a considerable extent,
薄膜の除去が必要だと判断して、次のようなプラズマクリーニングを行う。 Removal of the thin film was deemed necessary, performs the following plasma cleaning. 即ち、処理が終了した基板を搬出して不図示のゲートバルブを閉め、排気系を11動作させて一旦真空容器1内を排気した後、ゲートバルブを通して配置領域保護体400を真空容器内に搬入する。 That is, the process closes the gate valve (not shown) and out the substrate which has finished, after once evacuating the vacuum vessel 1 with an exhaust system 11 is operated, transferring the placement area protection member 400 in a vacuum chamber through a gate valve to. この配置領域保護体400を基板40と同様に基板ステージ4に配置する。 The arrangement area protection member 400 in the same manner as the substrate 40 is placed on the substrate stage 4. 即ち、基板40が配置されることによって覆われる配置領域を基板40と同様に覆うようにして、配置領域保護体400を配置する。 That is, the arrangement area covered by the substrate 40 is disposed so as to cover the same manner as the substrate 40, placing the arrangement region protector 400.

【0023】次に排気系11を再び動作させ、0.1T [0023] then allowed to operate again the exhaust system 11, 0.1T
orr程度まで真空容器1内を排気する。 Evacuating the vacuum vessel 1 to about orr. 次に、ガス導入機構2を動作させて、四弗化炭素ガスを400SCC Then, by operating the gas introduction mechanism 2, 400SCC the carbon tetrafluoride gas
M、酸素ガスを100SCCMの流量で真空容器1内に導入する。 M, is introduced into the vacuum chamber 1 an oxygen gas at a flow rate of 100 SCCM. 四弗化炭素ガスを導入する構成としては、薄膜作成に使用するモノシランガスの配管221又はプラズマ形成用ガスとしての酸素ガスの配管211に接続させてフロン14ガスの配管26を設け、各々のバルブの開閉によって切り替えて導入する構成等が採用できる。 As a structure for introducing a carbon tetrafluoride gas, while connected to the oxygen gas pipe 211 as the pipe 221 or the plasma forming gas of monosilane to be used for thin film deposition is provided a pipe 26 of Freon 14 gas, each valve components, etc., that introduced by switching the opening and closing can be employed.

【0024】そして、排気系に設けられた可変コンダクタンスバルブ114を制御して真空容器1内の圧力を2 [0024] Then, the pressure within the vacuum vessel 1 by controlling the variable conductance valve 114 provided in the exhaust system 2
Torr程度に保ち、この状態で電力供給機構3及びステージ用高周波電源41を動作させる。 Maintained at about Torr, to operate the power supply mechanism 3 and the stage high-frequency power source 41 in this state. これによって、 by this,
真空容器1内にプラズマが形成されるが、上記基板40 Although plasma is formed in the vacuum chamber 1, the substrate 40
の処理の際と異なるのが、ステージ用高周波電源41によって基板ステージ4の表面付近にも補助的にプラズマが形成されることである。 Differs from the time of treatment is to auxiliary plasma is also formed in the vicinity of the surface of the substrate stage 4 by the stage high-frequency power supply 41. 即ち、ステージ用高周波電源41が印加した高周波電力は、基板ステージ4の吸着用誘電体ブロック402及び配置領域保護体400を通して基板ステージ4の表面近傍の空間に導入され、当該空間に存在するガスをプラズマ化する。 That is, the high frequency power stage high-frequency power source 41 is applied, is introduced through the suction dielectric block 402 and arrangement region protector 400 of the substrate stage 4 in the space near the surface of the substrate stage 4, the gas present in the space a plasma. 一方、電力供給機構3は、基板4の処理の際と同様に、基板ステージ4から相当程度離れた位置で高密度プラズマを形成する。 On the other hand, the power supply mechanism 3, as in the case of the processing of the substrate 4, to form a high density plasma in considerable distance from the substrate stage 4.

【0025】このような二つの場所でプラズマが形成されるため、真空容器1内の広い空間で効率よくプラズマが形成される。 [0025] Since the plasma is formed by two such locations, efficient plasma in a wide space of the vacuum vessel 1 is formed. この結果、真空容器1の内面や基板ステージ4の非配置領域の堆積膜が効率良くエッチングされ、プラズマクリーニングに要する時間を短縮させることができる。 As a result, the deposited film blank region of the vacuum chamber 1 of the inner surface and the substrate stage 4 is efficiently etched, it is possible to shorten the time required for plasma cleaning. 例えば、ステージ用高周波電源41が与える高周波電力が13.56Hz1000W程度で、この電力を配置領域保護体400の表面の面積で割った電力密度が0.5W/cm 2程度の条件とするとともに、電力供給機構3が与える高周波電力を13.56MHz1 For example, a high frequency power to provide the stage high-frequency power source 41 at approximately 13.56Hz1000W, with power density divided by the area of the surface of the power arrangement area protection body 400 to 0.5 W / cm 2 about conditions, power the high-frequency power supply mechanism 3 gives 13.56MHz1
00W程度にし、上記条件でガスを導入した場合には、 To about 00W, in the case of introducing gas under the above conditions,
従来60分程度要しているプラズマクリーニングが10 Plasma cleaning, which takes conventional about 60 minutes 10
分程度で終了した。 It ended in minute degree.

【0026】次に、本実施例のプラズマクリーニング方法に使用される配置領域保護体400について説明する。 Next, explaining the arrangement region protector 400 to be used for plasma cleaning method of this embodiment. 配置領域保護体400は、上述の通り、プラズマクリーニングの際に基板40に代えて基板ステージ4に配置されるものである。 Arrangement region protector 400, as described above, are intended to be arranged on the substrate stage 4 in place of the substrate 40 during plasma cleaning. 但し、材質が誘電体に限定されることから、「ダミー基板」と呼ぶのは適切でない。 However, since the material is limited to the dielectric, call it "dummy substrate" is not appropriate.

【0027】配置領域保護体400の材質が誘電体に限定されることは、上記説明から明かであるが、ステージ用高周波電源41が与える高周波を基板ステージ4の表面近傍の空間に効率良く伝えるためである。 [0027] It material placement area protection member 400 is limited to the dielectric is is clear from the above description, effectively conveys since the high-frequency to provide a stage for high-frequency power source 41 to the space in the vicinity of the surface of the substrate stage 4 it is. ここで、前述の通り、基板ステージ4のステージ本体401の上面には吸着用誘電体ブロック402が設けられているため、配置領域保護体400を配置しない場合でも、基板ステージ4の表面の部材は誘電体である。 Here, as described above, since the upper surface of the stage main body 401 of the substrate stage 4 is provided with chucking dielectric block 402, even if you do not place the placement area protection member 400, the surface of the member of the substrate stage 4 a dielectric. 従って、基板ステージ4の表面近傍の空間への高周波の導入は可能である。 Thus, the introduction of high frequency into the space in the vicinity of the surface of the substrate stage 4 is possible.

【0028】しかしながら、配置領域保護体400を配置しないで上記プラズマクリーニングを行った場合には、吸着用誘電体ブロック402の表面が激しくエッチングされる。 [0028] However, not place placement area protection member 400 in the case of performing the plasma cleaning, the surface of the adsorbent for the dielectric block 402 is severely etched. というのは、基板ステージ4の表面のうち、配置領域即ち基板40の処理の際に基板40によって覆われる領域の表面には、基板40の処理中に薄膜が堆積しないので、上記プラズマクリーニングの際にはエッチング性のガスに直接晒されることにより、激しくエッチングされることになるからである。 Since, among the surface of the substrate stage 4, the surface of the region covered by the substrate 40 during processing of the placement region or substrate 40, since no thin film is deposited during the processing of the substrate 40, during the plasma cleaning the by being directly exposed to the etching gases, because would be severely etched. このような吸着用誘電体ブロック402の表面がエッチングされると、 When such surface of the adsorbent for the dielectric block 402 is etched,
エッチングが均一に進行しないことによって表面に凹凸ができ、この結果、静電吸着作用が不均一になる問題がある。 Can uneven surface by the etching does not proceed uniformly, as a result, there is a problem of electrostatic adsorption becomes uneven. またひどい場合には、吸着電極403の上側の部分がすべてエッチングされることによって吸着電極40 Also in severe cases, adsorption electrode 40 by the upper portion of the adsorption electrode 403 are all etched
3が露出してしまい、静電吸着が不可能になる場合もある。 3 will be exposed, there is a case where the electrostatic adsorption impossible.

【0029】尚、基板ステージ4の表面のうちの非配置領域では、処理中に薄膜が堆積しており、プラズマクリーニング中がこの薄膜をエッチングするので、下側の基板ステージ4の表面がエッチングされることはない。 [0029] In the blank region of the surface of the substrate stage 4, which is deposited a thin film during processing, the plasma cleaning since etching the thin film, the surface of the lower substrate stage 4 is etched Rukoto is not. また、薄膜を完全に除去した後のクリーニング動作が続くことによってこの部分がエッチングされる場合もありうるが、配置領域ほど多くエッチングされることはないし、またエッチングされたとしても、元々基板40を配置する部分ではないので、基板40の静電吸着が困難になるというような問題は発生しない。 Although this portion by the cleaning operation after the complete removal of the film is followed may sometimes be etched, to will not be enough placement area many etching and even etched, originally the substrate 40 is not a placement part, there is no problem such as that electrostatic attraction of the substrate 40 becomes difficult.

【0030】本実施例では、このうよな点を考慮し、配置領域保護体400を基板40に代えて基板ステージ4 [0030] In this embodiment, considering this Uyo point, the substrate stage 4 the placement area protection member 400 in place of the substrate 40
に配置し、基板ステージ4の配置領域の保護を図っている。 Placed, thereby achieving the protection of the arrangement region of the substrate stage 4. この配置領域保護体400は、処理時に薄膜が堆積しない部分のみを完全に覆い、薄膜が堆積する部分は覆わないような形状であることが望ましい。 This arrangement region protector 400 completely covers only a part thin film is not deposited during processing, it is desirable portion thin film is deposited is shaped so as not to cover. 即ち、薄膜が堆積しない部分の一部に覆わない部分があると、その部分で上記基板ステージ4のエッチングが生じてしまうし、薄膜が堆積した部分について一部覆わない部分があると、その部分の薄膜に対してエッチング性のガスを遮断してしまい、その部分の薄膜が除去されずに残留してしまうからである。 That is, when there is a part-covered portion not part of the thin film is not deposited, to thereby etch the substrate stage 4 occurs at that portion, if there is not partially covered portion for the part on which the thin film is deposited, a portion thereof It will shut off the etching of the gas to the thin film, because a thin film of that portion may remain without being removed.

【0031】本実施例では、このような点を考慮し、配置領域保護体400を誘電体からなる板状の部材で形成し、その表面の寸法形状を、処理する基板40の表面の寸法形状又は基板ステージ4の表面のうちの配置領域の寸法形状に適合したものとしている。 [0031] In the present embodiment, in consideration of such points, placing the region protected compound 400 is formed of a plate-like member made of a dielectric, geometry of the surface of the substrate 40 to the size and shape of the surface is treated or it is assumed that conforms to dimensions of the arrangement region of the surface of the substrate stage 4. 尚、配置領域の寸法形状は基板40の表面の寸法形状と同じである場合が多いが、基板40の受け渡しのための空間が存在する等の場合に両者は異なる場合がある。 Although dimensions of the arrangement region is often the same as the geometry of the surface of the substrate 40, both in the case of such a space for the transfer of a substrate 40 there may be different. また、上記説明から分かる通り、上記配置領域保護体400自体は、プラズマクリーニングの最中にエッチングされてしまう。 Also, as can be seen from the above description, the placement region protector 400 itself, it is etched during the plasma cleaning. 従って、基板40の処理の際に異物とならない材料を放出するような材質であることが好ましく、基板40が硅素系半導体からなる場合には、前述の石英ガラスが好適に使用される。 Therefore, it is preferable that a material such as to release the material that do not foreign matter during processing of the substrate 40, when the substrate 40 is made of a silicon-based semiconductor, the aforementioned quartz glass is preferably used.

【0032】また、配置領域保護体400は、基板40 [0032] The arrangement area protection member 400 includes a substrate 40
を搬送するとの同じ搬送機構によって真空容器1内に搬入搬出されるように構成することが、装置や動作の簡略化の点から好ましい。 It is configured to be carried out into the vacuum chamber 1 by the same transport mechanism to transport the is preferable from the viewpoint of simplification of the apparatus and operation. この場合、基板40の重量より著しく重いものは、搬送機構の許容度を越える場合が多い。 In this case, what considerably heavier than the weight of the substrate 40 is often exceeds the tolerance of the transfer mechanism. この点から、配置領域保護体400の重量は、基板40の重量の10倍以下であることが好ましい。 From this point, the weight of the arrangement area protection member 400 is preferably not more than 10 times the weight of the substrate 40. さらに、配置領域保護体400を導入する際には、基板40 Further, when introducing the arrangement region protector 400 includes a substrate 40
と同様にゲートバルブ等の開口を通過して搬送されることが好ましいが、あまり厚さが厚くなると開口を通過させることができなくなる。 Although it is preferable that the conveyance through the opening such as a gate valve in the same manner as, can not be passed through the aperture and too thick is increased. この場合には、真空容器1内を大気圧に戻した上で真空容器1を分割し、その上で基板ステージ4に配置するといった厄介な動作が必要になってしまう。 In this case, the vacuum chamber 1 a vacuum chamber 1 is divided on returning to atmospheric pressure, becomes necessary cumbersome operations such arranged on the substrate stage 4 thereon. この点から、配置領域保護体400の厚さは、基板40の厚さの3倍以下であることが好ましい。 In this respect, the thickness of the placement area protection member 400 is preferably not more than 3 times the thickness of the substrate 40.
尚、前述した石英ガラスよりなる配置領域保護体400 Incidentally, made of quartz glass described above arrangement region protector 400
の寸法形状の一例を挙げると、厚さが1.5mm程度で、表面の寸法形状が6インチウエハの寸法形状に等しいものが例えば使用される。 As an example of dimensions of, at the 1.5mm thickness of about, geometry of the surface as for example are used equal to the dimensions of the six-inch wafer.

【0033】次に、上記実施例のプラズマクリーニング方法を実施する際の圧力について説明する。 Next, a description will be given pressure at which the plasma cleaning method of the above embodiment. 図3は、本実施例のプラズマクリーニング方法を実施する際の圧力について調べた実験の結果を示す図であり、真空容器1 Figure 3 is a graph showing the results of experiments examined pressure at which the plasma cleaning method of this embodiment, the vacuum vessel 1
内の圧力と真空容器1内面における酸化硅素膜のエッチング速度の関係を示したグラフである。 It is a graph showing the relationship between the etching rate of the silicon oxide film at a pressure and a vacuum vessel 1 inner surface of the inner. 図3の縦軸はエッチング速度、横軸は成膜室13内部の圧力を示している。 Ordinate the etching rate of FIG. 3, the horizontal axis indicates the pressure inside the film forming chamber 13.

【0034】図3の実験の条件としては、フロン14ガス流量を400SCCM、酸素ガス流量を100SCC [0034] As the conditions of the experiment of FIG. 3, Freon 14 gas flow rate 400 SCCM, 100SCC the oxygen gas flow rate
Mとし、プラズマ生成室に供給する高周波電力を200 Is M, the high-frequency power supplied to the plasma generation chamber 200
0W、基板40に印加する高周波電力を0.5W/cm 0 W, RF power 0.5 W / cm is applied to the substrate 40
2とした。 2 and it was. 尚、可変コンダクタンスバルブ114の開度を調整すると共に、主ポンプ112であるターボ分子ポンプの回転数を調整して真空排気することで、真空容器1内の圧力を0.1Torrから5Torrまで変化させた。 Note that while adjusting the opening of the variable conductance valve 114, by evacuating by adjusting the rotational speed of the turbo molecular pump is a main pump 112, to change the pressure in the vacuum vessel 1 from 0.1Torr to 5Torr It was.

【0035】図3に示す通り、真空容器1内の圧力が0.1から0.5Torrの領域では、エッチング速度は50nm/分程度であるが、0.5Torrを越える辺りから増加する傾向があり、約2Torr付近で40 [0035] As shown in FIG. 3, in the region of 0.5Torr pressure in the vacuum chamber 1 is 0.1, although the etching rate is about 50 nm / min, tend to increase from around exceeding 0.5Torr , 40 in the vicinity of about 2Torr
0nm/分の最大値をとり、更に圧力が高い領域ではやや減少する傾向がある。 Takes 0 nm / min maximum, it tends to slightly decrease in yet higher pressure region. また、圧力が5Torrを越える領域では、プラズマ放電が不安定となり、プラズマが生成できなくなる場合もあった。 Further, the pressure in a region exceeding 5 Torr, the plasma discharge becomes unstable, and in some cases the plasma can not be generated. 以上の結果から、エッチング速度が高くてプラズマクリーニングに適した圧力領域は、0.5から5Torrと判断される。 From the above results, the pressure range suitable for plasma cleaning high etching rate is determined to 5Torr 0.5.

【0036】上記プラズマクリーニング方法が実施される装置として、ヘリコン波プラズマを形成する装置を選定することも可能である。 [0036] As an apparatus for the plasma cleaning method is carried out, it is also possible to select a device for forming a helicon wave plasma. 図4は、この種の装置の概略を示したものである。 Figure 4 shows the outline of this type of device. ヘリコン波プラズマは、強い磁場を加えるとプラズマ振動数より低い周波数の電磁波が減衰せずにプラズマ中を伝搬することを利用するものであり、高密度プラズマを低圧で生成できる技術として最近注目されているものである。 Helicon wave plasma, the addition of a strong magnetic field are those electromagnetic waves of a frequency lower than the plasma frequency is utilized to propagate through the plasma without attenuation, it is attracting attention recently as a technique capable of generating high-density plasma at low pressure it is those who are. プラズマ中の電磁波の伝搬方向と磁場の方向とが平行のとき、電磁波はある定まった方向の円偏光となり螺旋状に進行する。 When the direction of the propagation direction and the magnetic field of the electromagnetic wave in the plasma parallel, electromagnetic wave travels in a certain definite direction of the circularly polarized light and becomes helical. このことからヘリコン波プラズマと呼ばれている。 It has been referred to as the helicon wave plasma from this thing.

【0037】ヘリコン波プラズマを形成する図4の装置では、図1又は図4の高周波コイル21に代えて、ループ状のアンテナ24が配設されている。 [0037] In the apparatus shown in FIG. 4 which forms a helicon wave plasma, instead of the high-frequency coil 21 of FIG. 1 or FIG. 4, a loop-shaped antenna 24 is disposed. アンテナ24 Antenna 24
は、一本の丸棒状又は帯板状の部材を曲げて上下二段のループ状の形状にしたものである。 It is obtained by the loop-like shape of the upper and lower stages by bending a single rod-shaped or band-shaped member. また、ベルジャー1 In addition, the bell jar 1
2の周囲に磁場形成機構25を設置している。 It is installed a magnetic field forming mechanism 25 around the 2. 磁場形成機構25は、内側コイル25aと外側コイル25bからなる二重コイルであり、各コイル25a,25bはベルジャー12と同軸上の位置に配設される。 Magnetic field forming mechanism 25 is a double coil made of inner coil 25a and outer coil 25b, the coil 25a, 25b is disposed at a position on the bell jar 12 coaxially. 内側コイル2 The inner coil 2
5aと外側コイル25bは、互いに逆向きの磁場が形成されるように、コイルの巻き方向と通電方向が調整される。 5a and the outer coil 25b, as the magnetic field in the opposite direction are formed together, the winding direction as the flowing direction of the coil is adjusted. 磁場形成機構25を二重コイルの構造とすることで、所望の磁場を作り易いという利点を有する。 A magnetic field forming mechanism 25 by the structure of double coil has the advantage that it is easy to make a desired magnetic field. 磁場形成機構25を単一コイルで構成することもできる。 It is also possible to configure the magnetic field forming mechanism 25 with a single coil. 尚、 still,
磁場形成機構25が発生させる磁場は、ベルジャー12 Magnetic field magnetic field forming mechanism 25 to generate the bell jar 12
内部で生成されたプラズマを効率よく成膜室101内部に輸送するので、成膜室101内におけるプラズマの高密度化を促進することができる。 Since transporting plasma generated internally efficiently inside the deposition chamber 101 can facilitate the densification of the plasma in the film forming chamber 101. その結果、真空容器1 As a result, the vacuum vessel 1
の内面や基板ステージ4の表面に対する上記プラズマクリーニングをさらに効率化させるという効果もある。 There is also an effect that is more efficient the plasma cleaning for the inner surface and the surface of the substrate stage 4.

【0038】本願発明のプラズマクリーニング方法は、 The plasma cleaning process of the present invention,
上記プラズマ気相成長装置だけではなく、プラズマを用いて基板をドライエッチングする装置等のその他の真空処理装置に対しても有効である。 Not only the plasma vapor deposition apparatus, it is also effective for other vacuum processing apparatus of the apparatus such as a dry-etching the substrate using the plasma. また、エッチング作用のあるガス、フロン14ガス(CF 4 )を用いた例について説明を行ってきたが、フロン116ガス(C The gas having an etching effect, has been shown and described for example using a flon 14 gas (CF 4), freon 116 Gas (C
26 )、6弗化硫黄ガス(SF 6 )を用いたり、酸素ガスにアルゴンガスを混合したガス等についても効果が同様であることは明かである。 2 F 6), or with sulfur hexafluoride gas (SF 6), it is clear that the effect on gas like a mixture of argon gas to oxygen gas is the same. 尚、アルゴンガスを使用すると、プラズマ中で生成されるアルゴンイオンはスパッタ率が高いので、高効率のスパッタを行いながらプラズマクリーニングを行うことができる。 Incidentally, the use of argon gas, argon ions generated in the plasma because a high sputtering rate, it is possible to perform plasma cleaning while sputtering of high efficiency. さらに、配置領域保護体400を形成する材料としては、酸化硅素、石英ガラス等以外には、酸化アルミニウム、サファイア等が挙げられる。 Further, as a material for forming the placement area protection member 400, silicon oxide, in addition to quartz glass, etc., aluminum oxide, sapphire, and the like.

【0039】 [0039]

【発明の効果】以上説明したように、本願の請求項1又は5記載の発明によれば、真空容器内の基板ステージの表面などに堆積した薄膜を除去するプラズマクリーニングが短時間に完了でき、装置の稼動率の向上等に寄与できる。 As described in the foregoing, according to the invention of claim 1 or 5, wherein, to complete the plasma cleaning is short for removing the thin film deposited, such as on the surface of the substrate stage in the vacuum chamber, It can contribute to improvement of operation rate of the apparatus. また、請求項2記載の発明によれば、上記請求項1の効果に加え、エッチング速度のより高い圧力領域でクリーニングが行われるので、さらに短時間にプラズマクリーニングを完了できる。 Further, according to the second aspect of the invention, in addition to the effect of the first aspect, since the cleaning is performed at a higher pressure region of the etch rate can be further shorter time to complete plasma cleaning. また、請求項3記載の発明によれば、上記請求項1又は2の効果に加え、基板の処理にプラズマが利用できるので、プラズマ気相成長処理やドライエッチング処理が可能となる。 Further, according to the third aspect of the present invention, addition to the aforementioned advantage of claim 1 or 2, it is possible plasma used to process the substrate, thereby enabling the plasma chemical vapor deposition process or a dry etching process. と同時に、プラズマクリーニングの際に基板処理用の電力供給機構が動作するので、さらに高密度のプラズマが形成され、プラズマクリーニングをさらに短時間に完了させることができる。 At the same time, since the power supply mechanism for a substrate processing during the plasma cleaning is operated, it is possible to further a high density plasma is formed, is completed in a shorter time the plasma cleaning. また、請求項4記載の発明によれば、上記請求項3の効果に加え、電力供給機構は、100mTorr以下の圧力にて少なくとも10 10 cm -3以上の密度を有する高密度プラズマを形成することが可能なので、さらにプラズマクリーニングを短時間化させることができる。 Further, according to the fourth aspect of the invention, in addition to the effects of the third aspect, the power supply mechanism to form a high density plasma with at least 10 10 cm -3 or more density at pressures below 100mTorr since possible, it is possible to further shorten the time required for plasma cleaning.
また、請求項6記載の発明によれば、上記請求項5の効果に加え、基板が硅素系半導体からなる場合に好適な構成となる。 According to the invention of claim 6, wherein, in addition to the effect of the claim 5, the substrate is preferred configuration if made of silicon-based semiconductor. さらに、請求項7又は8の発明によれば、上記請求項5又は6の効果に加え、基板の搬入搬出の機構や動作が既存のもので構成できるので、コスト的に優れているという効果を有する。 Furthermore, according to the invention of claim 7 or 8, in addition to the effect of the claim 5 or 6, since the mechanism and operation of loading and unloading of the substrate can be made up of the existing, an effect that is superior in cost a.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】本願発明の実施例のプラズマクリーニング方法が実施される真空処理装置の概略図である。 1 is a schematic diagram of a vacuum processing apparatus in which plasma cleaning method embodiment of the present invention is implemented.

【図2】図1のガス導入体212,222の構成を説明する図である。 Figure 2 is a diagram illustrating the configuration of the gas introduction member 212, 222 in FIG.

【図3】本実施例のプラズマクリーニング方法を実施する際の圧力について調べた実験の結果を示す図である。 Is a diagram showing the results of experiments examined the pressure at which [3] out the plasma cleaning method of this embodiment.

【図4】本実施例のプラズマクリーニング方法が実施される他の装置の概略構成を示した図である。 [4] The plasma cleaning method of this embodiment is a diagram showing a schematic configuration of another apparatus is performed.

【図5】従来の真空処理装置の一例としてのプラズマ気相成長装置の概略構成を示す図である。 5 is a diagram showing a schematic configuration of a plasma vapor deposition apparatus as an example of a conventional vacuum processing apparatus.

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1 真空容器 101 成膜室 11 排気系 12 ベルジャー 2 ガス導入機構 3 電力供給機構 4 基板ステージ 40 基板 400 配置領域保護体 401 ステージ本体 402 吸着用誘電体ブロック 403 吸着電極 41 ステージ用高周波電源 1 vacuum chamber 101 deposition chamber 11 exhaust system 12 the bell jar 2 gas introduction mechanism 3 power supply mechanism 4 high-frequency power supply for the substrate stage 40 substrate 400 disposed region protector 401 main stage 402 chucking dielectric block 403 adsorbing electrode 41 Stage

───────────────────────────────────────────────────── ────────────────────────────────────────────────── ───

【手続補正書】 [Procedure amendment]

【提出日】平成7年9月20日 [Filing date] 1995 September 20,

【手続補正1】 [Amendment 1]

【補正対象書類名】明細書 [Correction target document name] specification

【補正対象項目名】特許請求の範囲 [Correction target item name] the scope of the appended claims

【補正方法】変更 [Correction method] change

【補正内容】 [Correction contents]

【特許請求の範囲】 [The claims]

【手続補正2】 [Amendment 2]

【補正対象書類名】明細書 [Correction target document name] specification

【補正対象項目名】0003 [Correction target item name] 0003

【補正方法】変更 [Correction method] change

【補正内容】 [Correction contents]

【0003】図5の装置では、不図示のゲートバルブを通して基板40を真空容器1内に搬入して基板ステージ4上に配置する。 [0003] In the apparatus shown in FIG. 5 is arranged on the substrate stage 4 carries the substrate 40 into the vacuum vessel 1 through a gate valve (not shown). 排気系11によって真空容器1内を排気した後、 ガス導入機構2によって所定のガスを導入する。 After evacuating the vacuum vessel 1 by exhaust system 11, to introduce a predetermined gas by the gas introducing mechanism 2. 次に、電力供給機構3によって高周波電力等のエネルギーを真空容器1内のガスに印加し、プラズマを形成する。 Next, energy such as a high-frequency power is applied to the gas in the vacuum vessel 1 by the power supply mechanism 3, to form a plasma. そして、プラズマによって生ずる気相反応により基板40の表面に所定の薄膜が作成される。 Then, a predetermined thin film on a surface of the substrate 40 is prepared by a vapor phase reaction caused by the plasma. 例えば、 For example, moth
ス導入機構2によってシランガスと酸素ガスを導入すれば、プラズマによって分解反応等を生じ、酸化硅素の薄膜が基板40の表面に作成される。 By introducing a silane gas and oxygen gas by scan introducing mechanism 2 causes a decomposition reaction or the like by the plasma, a thin film of silicon oxide is created on the surface of the substrate 40.

【手続補正3】 [Amendment 3]

【補正対象書類名】明細書 [Correction target document name] specification

【補正対象項目名】0005 [Correction target item name] 0005

【補正方法】変更 [Correction method] change

【補正内容】 [Correction contents]

【0005】このような堆積膜の剥がれを抑制するために、剥離する前に堆積膜をエッチングして除去してしまうプラズマクリーニングの手法が一般的に用いられている。 [0005] In order to suppress the peeling of such deposited films, the method of plasma cleaning results in removing by etching the deposited film before peeling is generally used. この方法では、フロン14ガス(CF ):酸素ガス=80:20程度の混合ガスをガス導入機構2によって真空容器1内に導入し、フロン14ガスおよび酸素ガスによるプラズマを生成させ、プラズマの作用により堆積膜をエッチングして除去する。 In this way, Freon 14 gas (CF 4): oxygen gas = 80: 20 about mixed gas was introduced into the vacuum chamber 1 by the gas introduction mechanism 2, to generate plasma with freon 14 gas and oxygen gas, plasma It is removed by etching the deposited film by the action. 即ち、プラズマ中では遊離CFx(x=1,2,3)、CFxイオン(x= That is, in the plasma free CFx (x = 1,2,3), CFx ions (x =
1,2,3)、遊離弗素又は弗素イオンが生成され、これらの弗素系活性種又はイオンが堆積膜と反応して揮発物を生成し、この揮発物が排気系11によって排出されることで堆積膜が除去される。 1, 2, 3) are produced free fluorine or fluorine ions react with these fluorine active species or ions deposited film to produce a volatiles by the volatiles are exhausted by an exhaust system 11 deposited film is removed.

【手続補正4】 [Amendment 4]

【補正対象書類名】明細書 [Correction target document name] specification

【補正対象項目名】0010 [Correction target item name] 0010

【補正方法】変更 [Correction method] change

【補正内容】 [Correction contents]

【0010】 [0010]

【実施例】以下、本願発明の実施例を説明する。 EXAMPLES Hereinafter, an embodiment of the present invention. 図1 Figure 1
は、本願発明の実施例のプラズマクリーニング方法が実施される真空処理装置の概略図であり、一例として図5 Is a schematic diagram of a vacuum processing apparatus in which plasma cleaning method embodiment of the present invention is implemented, FIG. 5 as an example
と同様にプラズマ気相成長装置の概略構成が示されている。 It is likewise a schematic configuration of a plasma vapor deposition apparatus designated.

【手続補正5】 [Amendment 5]

【補正対象書類名】明細書 [Correction target document name] specification

【補正対象項目名】0011 [Correction target item name] 0011

【補正方法】変更 [Correction method] change

【補正内容】 [Correction contents]

【0011】図1に示すプラズマ気相成長装置は、 図5 [0011] The plasma chemical vapor deposition apparatus shown in FIG. 1, as shown in FIG. 5
の装置と同様、排気系11を備えた真空容器1と、真空容器1内に所定のガスを導入するガス導入機構2と、導入されたガスにエネルギーを与えてプラズマを形成するための電力供給機構3と、薄膜作成を行う基板40を配置するための基板ステージ4とを有している。 As with the apparatus, the vacuum chamber 1 provided with an exhaust system 11, a gas introduction mechanism 2 for introducing a predetermined gas into the vacuum vessel 1, the power supply for generating plasma by energizing the introduced gas a mechanism 3, and a substrate stage 4 for placing a substrate 40 for thin film deposition. さらに、 further,
基板ステージ4に所定の高周波電力を印加するステージ用高周波電源41が備えられている。 Stage high-frequency power source 41 for applying a predetermined high frequency power to the substrate stage 4 is provided.

【手続補正6】 [Amendment 6]

【補正対象書類名】明細書 [Correction target document name] specification

【補正対象項目名】0017 [Correction target item name] 0017

【補正方法】変更 [Correction method] change

【補正内容】 [Correction contents]

【0017】また、真空容器1内のベルジャー12の下方位置には、基板ステージ4が設けられている。 Further, the lower position of the bell jar 12 in the vacuum vessel 1, the substrate stage 4 is provided. この基板ステージ4は、処理を行う基板40を表面に配置させるものであり、金属よりなるステージ本体401と、このステージ本体401の上面に配設された吸着用誘電体ブロック402とから主に構成されている。 The substrate stage 4 is intended to position the substrate 40 for treatment on the surface, a stage body 401 made of a metal mainly composed of arranged adsorptive dielectric block 402. the upper surface of the stage main body 401 It is. 基板ステージ4は、静電吸着によって基板40を表面に吸着する機構が採用されており、吸着用誘電体ブロック402内には、吸着電極403が埋め込まれている。 The substrate stage 4 is adopted a mechanism for adsorbing the substrate 40 to a surface by electrostatic attraction, the attracting dielectric block 402 is embedded adsorption electrode 403. そして、吸着電極403に所定の電位を与える吸着用電源404が設けられており、これによって誘電体ブロックの表面に静電気を生じさせて基板を吸着するようになっている。 Then, so as to adsorb the adsorption power 404 is provided, thereby to cause static electricity on the surface of the dielectric block substrate giving a predetermined potential to the adsorption electrode 403.

【手続補正7】 [Amendment 7]

【補正対象書類名】明細書 [Correction target document name] specification

【補正対象項目名】0022 [Correction target item name] 0022

【補正方法】変更 [Correction method] change

【補正内容】 [Correction contents]

【0022】さて、上記薄膜作成処理を繰り返していくと、真空容器1の内面や基板ステージ4の非配置領域等に薄膜が堆積してくる。 [0022] Now, when we repeat the above thin-film forming process, the thin film comes deposited blank region or the like of the vacuum chamber 1 of the inner surface and the substrate stage 4. 相当程度の回数繰り返したら、 When the number of repetitions of a considerable extent,
薄膜の除去が必要だと判断して、次のようなプラズマクリーニングを行う。 Removal of the thin film was deemed necessary, performs the following plasma cleaning. 即ち、処理が終了した基板を搬出して不図示のゲートバルブを閉め、 排気系11を動作させて一旦真空容器1内を排気した後、ゲートバルブを通して配置領域保護体400を真空容器内に搬入する。 That is, the process closes the gate valve (not shown) and out the substrate which has finished, after once evacuating the vacuum vessel 1 by operating the exhaust system 11, carrying an arrangement area protection member 400 through the gate valve into the vacuum chamber to. この配置領域保護体400を基板40と同様に基板ステージ4に配置する。 The arrangement area protection member 400 in the same manner as the substrate 40 is placed on the substrate stage 4. 即ち、基板40が配置されることによって覆われる配置領域を基板40と同様に覆うようにして、配置領域保護体400を配置する。 That is, the arrangement area covered by the substrate 40 is disposed so as to cover the same manner as the substrate 40, placing the arrangement region protector 400.

【手続補正8】 [Amendment 8]

【補正対象書類名】明細書 [Correction target document name] specification

【補正対象項目名】0034 [Correction target item name] 0034

【補正方法】変更 [Correction method] change

【補正内容】 [Correction contents]

【0034】図3の実験の条件としては、フロン14ガス流量を400SCCM、酸素ガス流量を100SCC [0034] As the conditions of the experiment of FIG. 3, Freon 14 gas flow rate 400 SCCM, 100SCC the oxygen gas flow rate
Mとし、 ベルジャー12に供給する高周波電力を200 Is M, the high-frequency power supplied to the bell jar 12 200
0W、基板40に印加する高周波電力を0.5W/cm 0 W, RF power 0.5 W / cm is applied to the substrate 40
2とした。 2 and it was. 尚、可変コンダクタンスバルブ114の開度を調整すると共に、主ポンプ112であるターボ分子ポンプの回転数を調整して真空排気することで、真空容器1内の圧力を0.1Torrから5Torrまで変化させた。 Note that while adjusting the opening of the variable conductance valve 114, by evacuating by adjusting the rotational speed of the turbo molecular pump is a main pump 112, to change the pressure in the vacuum vessel 1 from 0.1Torr to 5Torr It was.

【手続補正9】 [Amendment 9]

【補正対象書類名】明細書 [Correction target document name] specification

【補正対象項目名】0037 [Correction target item name] 0037

【補正方法】変更 [Correction method] change

【補正内容】 [Correction contents]

【0037】ヘリコン波プラズマを形成する図4の装置では、図1又は図4の高周波コイル21に代えて、ループ状のアンテナ34が配設されている。 [0037] In the apparatus shown in FIG. 4 which forms a helicon wave plasma, instead of the high-frequency coil 21 of FIG. 1 or FIG. 4, a loop-shaped antenna 34 is disposed. アンテナ34 Antenna 34
は、一本の丸棒状又は帯板状の部材を曲げて上下二段のループ状の形状にしたものである。 It is obtained by the loop-like shape of the upper and lower stages by bending a single rod-shaped or band-shaped member. また、ベルジャー1 In addition, the bell jar 1
2の周囲に磁場形成機構35を設置している。 It is installed a magnetic field forming mechanism 35 around the 2. 磁場形成機構35は、内側コイル35aと外側コイル35bからなる二重コイルであり、各コイル35a,35bはベルジャー12と同軸上の位置に配設される。 Magnetic field forming mechanism 35 is a double coil made of inner coil 35a and outer coil 35b, the coil 35a, 35b is disposed at a position on the bell jar 12 coaxially. 内側コイル The inner coil 3
5aと外側コイル35bは、互いに逆向きの磁場が形成されるように、コイルの巻き方向と通電方向が調整される。 5a and the outer coil 35b, as the magnetic field in the opposite direction are formed together, the winding direction as the flowing direction of the coil is adjusted. 磁場形成機構35を二重コイルの構造とすることで、所望の磁場を作り易いという利点を有する。 A magnetic field forming mechanism 35 by the structure of double coil has the advantage that it is easy to make a desired magnetic field. 磁場形成機構35を単一コイルで構成することもできる。 It is also possible to configure the magnetic field forming mechanism 35 with a single coil. 尚、 still,
磁場形成機構35が発生させる磁場は、ベルジャー12 Magnetic field magnetic field forming mechanism 35 to generate the bell jar 12
内部で生成されたプラズマを効率よく成膜室101内部に輸送するので、成膜室101内におけるプラズマの高密度化を促進することができる。 Since transporting plasma generated internally efficiently inside the deposition chamber 101 can facilitate the densification of the plasma in the film forming chamber 101. その結果、真空容器1 As a result, the vacuum vessel 1
の内面や基板ステージ4の表面に対する上記プラズマクリーニングをさらに効率化させるという効果もある。 There is also an effect that is more efficient the plasma cleaning for the inner surface and the surface of the substrate stage 4.

【手続補正10】 [Amendment 10]

【補正対象書類名】明細書 [Correction target document name] specification

【補正対象項目名】0038 [Correction target item name] 0038

【補正方法】変更 [Correction method] change

【補正内容】 [Correction contents]

【0038】本願発明のプラズマクリーニング方法は、 The plasma cleaning process of the present invention,
上記プラズマ気相成長装置だけではなく、プラズマを用いて基板をドライエッチングする装置等のその他の真空処理装置に対しても有効である。 Not only the plasma vapor deposition apparatus, it is also effective for other vacuum processing apparatus of the apparatus such as a dry-etching the substrate using the plasma. また、エッチング作用のあるガス、フロン14ガス(CF )を用いた例について説明を行ってきたが、フロン116ガス( The gas having an etching effect, has been shown and described for example using a flon 14 gas (CF 4), freon 116 Gas (C
)、6弗化硫黄ガス(SF )を用いたり、酸素ガスにアルゴンガスを混合したガス等についても効果が同様であることは明かである。 2 F 6), or with sulfur hexafluoride gas (SF 6), it is clear that the effect on gas like a mixture of argon gas to oxygen gas is the same. 尚、アルゴンガスを使用すると、プラズマ中で生成されるアルゴンイオンはスパッタ率が高いので、高効率のスパッタを行いながらプラズマクリーニングを行うことができる。 Incidentally, the use of argon gas, argon ions generated in the plasma because a high sputtering rate, it is possible to perform plasma cleaning while sputtering of high efficiency. さらに、配置領域保護体400を形成する材料としては、酸化硅素、石英ガラス等以外には、酸化アルミニウム、サファイア等が挙げられる。 Further, as a material for forming the placement area protection member 400, silicon oxide, in addition to quartz glass, etc., aluminum oxide, sapphire, and the like.

Claims (8)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】 排気系を備えた真空容器と、真空容器内に所定のガスを導入するガス導入機構と、真空容器内の所定の位置に基板を配置するための基板ステージと、基板ステージに所定の高周波電力を印加するステージ用高周波電源とを備えた真空処理装置において、処理する基板の表面の寸法形状又は基板ステージの表面のうちの基板配置のための領域の寸法形状に適合した寸法形状の表面を有する誘電体からなる板状の配置領域保護体を前記基板ステージの表面のうちの基板配置のための領域に配置してこの領域を覆い、エッチング作用のあるガスを前記ガス導入機構によって真空容器内に導入するとともにステージ用高周波電源によって所定の高周波電力を基板ステージに印加し、印加された高周波電力によって基板ステージの表面の近 A vacuum vessel 1. A with an exhaust system, a gas introduction mechanism for introducing a predetermined gas into the vacuum chamber, a substrate stage for placing a substrate in a predetermined position in the vacuum chamber, the substrate stage in a vacuum processing apparatus provided with a stage for the high-frequency power source for applying a predetermined high frequency power, size and shape adapted to the geometry of the region for a substrate arrangement of the surfaces of the dimensions or the substrate stage of the surface of the substrate to be processed covers this area the plate like arrangement area protection body made of a dielectric material having a surface disposed in the region for a substrate arrangement of the surfaces of the substrate stage, by a certain etching working gas the gas introduction mechanism the predetermined high-frequency power by the stage high-frequency power supply is introduced into the vacuum chamber is applied to the substrate stage, near the surface of the substrate stage by the applied high-frequency power 傍にプラズマを形成し、このプラズマによって生じる前記ガスのエッチング作用を利用して基板ステージの表面堆積膜又は真空容器の内面堆積膜を除去することを特徴とする基板ステージのプラズマクリーニング方法。 Near to form a plasma, plasma cleaning method for a substrate stage which is characterized by removing the inner surface deposited film surface deposited film or vacuum chamber of the substrate stage the utilizing etching effect of the gas generated by the plasma.
  2. 【請求項2】 前記導入されたエッチング作用のあるガスの圧力を、0.5Torrから5Torrの範囲とすることを特徴とする請求項1記載のプラズマクリーニング方法。 Wherein the pressure of the gas with the introduced etching action, plasma cleaning method according to claim 1, characterized in that the range of 5Torr from 0.5 Torr.
  3. 【請求項3】 前記真空処理装置は、真空容器内に所定の電力を導入して基板の処理のためのプラズマを形成する電力供給機構を備えており、前記ステージ用高周波電源とともにこの電力供給機構を動作させて行うことを特徴とする請求項1又は2記載のプラズマクリーニング方法。 Wherein the vacuum processing apparatus, by introducing a predetermined amount of electric power to the vacuum vessel provided with a power supply mechanism to form a plasma for processing the substrate, the power supply mechanism with the stage high-frequency power source plasma cleaning method according to claim 1 or 2, wherein the performing by operating the.
  4. 【請求項4】 前記電力供給機構は、100mTorr Wherein said power supply mechanism, 100 mTorr
    以下の圧力にて少なくとも10 10 cm -3以上の密度を有する高密度プラズマを形成することが可能なものであることを特徴とする請求項3記載のプラズマクリーニング方法。 At least 10 10 cm -3 plasma cleaning method according to claim 3, wherein a is capable of forming a high-density plasma having a density greater than at a pressure of not greater than.
  5. 【請求項5】 請求項1,2,3又は4記載のプラズマクリーニング方法に使用される配置領域保護体。 5. A method according to claim 1, 2, 3 or 4 arrangement region protector used in the plasma cleaning method according.
  6. 【請求項6】 石英ガラスから形成されていることを特徴とする請求項6記載の配置領域保護体。 6. The arrangement area protection member according to claim 6, characterized in that it is formed from quartz glass.
  7. 【請求項7】 処理する基板の重量に対して10倍以下の重量であることを特徴とする請求項5又は6記載の配置領域保護体。 7. A process for claim 5 or 6 arranged area protection body according to characterized in that the weight of 10 times or less the weight of the substrate.
  8. 【請求項8】 処理する基板の厚さに対して3倍以下の厚さであることを特徴とする請求項5又は6記載の配置領域保護体。 8. A process for according to claim 5 or 6 arranged area protection of wherein a is 3 times or less of the thickness of the thickness of the substrate.
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001313289A (en) * 2000-01-28 2001-11-09 Applied Materials Inc Method and apparatus for cleaning semiconductor wafer processing system
JP2002212732A (en) * 2001-01-22 2002-07-31 Anelva Corp Cleaning method for cvd system
US6652713B2 (en) 2001-08-09 2003-11-25 Applied Materials, Inc. Pedestal with integral shield
JP2007216095A (en) * 2006-02-14 2007-08-30 National Institutes Of Natural Sciences Initial activation method for hydrogen storage metal or alloy and hydrogenation method
WO2014142031A1 (en) * 2013-03-13 2014-09-18 株式会社日立国際電気 Substrate processing device, method for controlling substrate processing device, cleaning method, method for manufacturing semiconductor device, and recording medium

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100799815B1 (en) * 2002-12-18 2008-01-31 엘지노텔 주식회사 Method For Processing Version Compatibility Between Systems
KR101586237B1 (en) * 2015-07-24 2016-01-19 주식회사 애니테이프 Lubricants removal apparatus using atomospheric plasma

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001313289A (en) * 2000-01-28 2001-11-09 Applied Materials Inc Method and apparatus for cleaning semiconductor wafer processing system
JP2002212732A (en) * 2001-01-22 2002-07-31 Anelva Corp Cleaning method for cvd system
US8105440B2 (en) 2001-01-22 2012-01-31 Canon Anelva Corporation Method of cleaning a CVD device
US6652713B2 (en) 2001-08-09 2003-11-25 Applied Materials, Inc. Pedestal with integral shield
WO2003015137A3 (en) * 2001-08-09 2004-03-11 Applied Materials Inc Pedestal with integral shield
US6837968B2 (en) 2001-08-09 2005-01-04 Applied Materials, Inc. Lower pedestal shield
JP2007216095A (en) * 2006-02-14 2007-08-30 National Institutes Of Natural Sciences Initial activation method for hydrogen storage metal or alloy and hydrogenation method
WO2014142031A1 (en) * 2013-03-13 2014-09-18 株式会社日立国際電気 Substrate processing device, method for controlling substrate processing device, cleaning method, method for manufacturing semiconductor device, and recording medium

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