JPH08313460A - Method and equipment for inspecting semiconductor - Google Patents

Method and equipment for inspecting semiconductor

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JPH08313460A
JPH08313460A JP14534195A JP14534195A JPH08313460A JP H08313460 A JPH08313460 A JP H08313460A JP 14534195 A JP14534195 A JP 14534195A JP 14534195 A JP14534195 A JP 14534195A JP H08313460 A JPH08313460 A JP H08313460A
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JP
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particle
semiconductor sample
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JP14534195A
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Japanese (ja)
Inventor
Shunichi Hayashi
Yukimoto Tanaka
林  俊一
幸基 田中
Original Assignee
Nippon Steel Corp
新日本製鐵株式会社
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Abstract

PURPOSE: To obtain a method and equipment for analysis which enable specification of a source of generation of a particle (impurity particle) being present under the surface or a thin film of a semiconductor substrate by determining the composition and structure of the particle.
CONSTITUTION: A particle 6 on a semiconductor sample 2 is found out by using an X-Y stage 3 whereon the semiconductor sample 2 is set, a continuous visible light laser beam 1 provided in the direction perpendicular to the semiconductor sample 2 and a detector 4 for detecting a laser scattered light, and the composition and structure of the particle are determined by using a focused ion beam 7, a high-luminance ultraviolet laser beam 9 and an electron beam 5 of which the optical axes are so regulated as to have the same origin as the continuous visible light laser beam 1 on the surface of the semiconductor sample 2 and an analyzer 8 having a time-of-flight mass spectrometer and a fluorescent X-ray analyzer.
COPYRIGHT: (C)1996,JPO

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の故障解析および半導体基板上の不純物粒子(パーティクル)等の評価方法および装置に関するものである。 The present invention relates to relates to the evaluation method and apparatus, such as a failure analysis and the impurity particles of the semiconductor substrate of the semiconductor device (particles).

【0002】 [0002]

【従来の技術】近年の半導体デバイスの高集積化に伴い、デバイス構造は三次元的に微細化、複雑化してきている。 Along with high integration of the Related Art In recent semiconductor devices, device structures three-dimensionally miniaturization has been complicated. そのため、故障箇所の詳細な観察や組成分析が製造プロセスの抜本的な改善のために非常に重要な要素技術としてクローズアップされてきている。 Therefore, detailed observation and composition analysis of the failure point has been highlighted as a very important element technology for the drastic improvement of the manufacturing process. デバイスの動作不良の発生の大きな一つの要因に製造プロセスや輸送の際のパーティクルの発生が挙げられる。 Generation of particles during the manufacturing process and transport the large one of the factors of the device malfunction occurrence thereof.

【0003】これまでのパーティクル評価法は、可視光レーザとX−Yステージとを組み合わせたパーティクル位置決め装置を用いて行うパーティクルの位置決めと、 Heretofore particles evaluation method, the positioning of the particles carried by using a particle positioning device which combines a visible light laser and X-Y stage,
走査型電子顕微および電子線励起蛍光X線分析装置(S Scanning electron microscopy and electron beam excitation fluorescence X-ray analyzer (S
EM−EDX)を用いて行うパーティクル組成の決定と、からなっていた。 The determination of the particle composition performed using EM-EDX), it consisted. この方法によりどのプロセスからパーティクルが発生したかの情報が得られるようになった。 Or information particles generated from any process has come to be obtained by this method.

【0004】パーティクル内部の情報を抽出する方法としては、集束イオンビーム(FIB)を用いた微小パーティクル切断および断面観察について、いくつかの研究例が報告されている(たとえば Tomiyasu et.al.in SIM As a method of extracting the particles inside information, the micro-particles cutting and cross-sectional observation using a focused ion beam (FIB), several studies examples have been reported (e.g. Tomiyasu et.al.in SIM
S IX p565-568(1994) )。 S IX p565-568 (1994)). また、パーティクルを構成するものの一つとしてホトレジスト等の有機物があげられるが、試料表面にレーザを照射して試料を蒸発させ、そこで発生したフラグメントイオンを検出する Laser Ion Furthermore, Laser Ion although organic substances such as photoresist as one of those constituting the particles and the like, which is irradiated with a laser on the sample surface to evaporate the sample, where detecting the generated fragment ions
ization Mass Spectrometry(LIMS) の有効性が指摘されている。 The effectiveness of the ization Mass Spectrometry (LIMS) has been pointed out. (たとえば L.Van Vaeck et. al., Anal. Che (For example, L.Van Vaeck et. Al., Anal. Che
m.57(1985)2944参照。 m.57 (1985) 2944 reference. )このような技術はパーティクルの組成および構造を決定するのに有効な要素技術となる。 ) Such techniques an effective element technology to determine the composition and structure of the particles.

【0005】 [0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来のパーティクル評価法ではパーティクルを位置決めした後装置から取り出し、別のSEM−EDX装置の真空室に入れる際にパーティクルが発生してしまうこと、有機物系のパーティクルに対しては炭素などの元素に関する情報だけでは汚染源は特定できず、構成成分に関する情報を得られる技術が必要であった。 However [0005] In the conventional particle evaluation method was taken out from the apparatus after positioning the particles, of particles when placed in a vacuum chamber of another SEM-EDX apparatus occurs, the organic type can not be identified pollution sources only information about elements such as carbon for particles was necessary technology obtained information about the components.

【0006】パーティクルは、成膜、イオン注入、洗浄などの単一のプロセスを数100段通して作成される半導体デバイスにとってそのどこからでも入り込んでくる非常にやっかいなものである。 [0006] Particles, deposition, ion implantation, is that where one enters in coming very troublesome even from for several 100 Dantsu to semiconductor devices to be created by a single process, such as cleaning. しかも、上記の理由からその組成や構造はまちまちである。 Moreover, the composition and structure of the above reasons is mixed. そこで、本発明は単一真空装置内に半導体基板あるいは実装した基板を導入し、室内にてパーティクル位置を特定し、かつ即座にその組成および構造を解析する半導体検査装置を提供することを目的とする。 Accordingly, the present invention is a purpose of introducing the semiconductor substrate or mounted to a substrate to provide a semiconductor inspection apparatus for analyzing the composition and structure to identify the particle positions indoors, and immediately in a single vacuum device to.

【0007】 [0007]

【課題を解決するための手段および作用】本発明は半導体試料の表面上あるいは内部に存在するパーティクルを、前記半導体試料に可視光レーザを照射しながら前記半導体試料を固定したX−Yステージを駆動させて散乱光を検出することにより位置決定し、パーティクルを速やかに走査二次電子(SEM)像で確認し、元素分析した後、FIBおよび高輝度パルス紫外線レーザを用いて組成および構造を決定可能な分析方法および装置を提供する。 Means and operation for solving the problems] The present invention particles present on or within the surface of the semiconductor sample, driving the X-Y stage to fix the semiconductor sample while irradiated with visible light laser in the semiconductor sample is not located determined by detecting the scattered light was confirmed by rapidly scanning secondary electron (SEM) images of the particles, after elemental analysis, you can determine the composition and structure using the FIB and high-intensity pulsed ultraviolet laser It provides a Do analyzing method and apparatus.

【0008】以下、本発明を詳細に説明する。 [0008] In the following, the present invention will be described in detail. 半導体試料表面にアルゴンレーザあるいはHe−Neレーザのような可視光レーザを照射しながら、半導体試料を取り付けたX−Yステージを走査し、半導体試料の水平方向に設置した検出器に散乱光が到達した場合にパーティクルと判断する。 While irradiated with visible light laser such as argon laser or He-Ne laser to a semiconductor sample surface by scanning the X-Y stage fitted with a semiconductor sample, scattered light reaches the detector installed in the horizontal direction of the semiconductor sample it is determined that the particles when. この時点で電子ビームを用いてパーティクル付近の走査電子像を観察してパーティクルであるかどうかを判断し、パーティクルをSEM−EDXで分析し、組成を決定する。 The using electron beam at observing the scanning electron image of the vicinity of the particle to determine whether the particles are to analyze the particles in SEM-EDX, to determine the composition.

【0009】パーティクルが誘電体やチャージアップしやすい有機物(フォトレジストなど)の場合は、パルス化した高輝度紫外線レーザ(Q−switch Nd:YAG [0009] If particles of the dielectric or charge-up easily organics (such as a photoresist), pulsed high-intensity ultraviolet laser (Q-switch Nd: YAG
レーザの4倍波:266nm )をパーティクルに照射し、パーティクルの一部又は全部を蒸発させ、パーティクルの構造に由来するフラグメントイオンを飛行時間型質量分析計により検出する。 Laser fourth harmonic: 266 nm) was irradiated on the particles, a part of the particles or evaporation of all the, detected by time-of-flight mass spectrometer fragment ions derived from the structure of the particles. 検出されたフラグメントイオンからパーティクルを構成する有機物を特定できる。 Identifiable organic material constituting the particles from the detected fragment ions. この方法をパーティクルに適用することにより、誘電体や有機物系のパーティクルの組成を推測することが可能となる。 By applying this method to the particle, it is possible to infer the composition of the particles of the dielectric or organic type.

【0010】パーティクルの表層のみの情報を得たい場合、連続イオンビームを用いると試料の消費が激しく半導体試料表面のみの情報が得にくい。 [0010] When it is desired to obtain information of only the surface layer of the particles, it is difficult to obtain information only using the consumption vigorously semiconductor sample surface of the sample a continuous ion beam. 電子ビームと半導体試料表面上で同一の原点を持つように光軸を調整したFIBをパルス化してパーティクルに照射し、パルス化した二次イオン信号を飛行時間型質量分析計により検出することで半導体試料表面のスパッタリングを最小限に抑え、パーティクル表面の情報のみを検出することができる。 Semiconductor be detected by the electron beam and the semiconductor on the surface of the sample by pulsing the FIB adjusting the optical axis to have the same origin and irradiating the particles, time-of-flight mass spectrometer secondary ion signal pulsed minimizes sputtering of the sample surface, it is possible to detect only the information of the particle surface. ここで、原点とは連続可視光レーザが半導体試料表面上に投影された中心点を呼ぶ。 Here, the origin called the center point of a continuous visible light laser is projected onto the semiconductor sample surface.

【0011】また、パーティクルが皮膜に覆われている場合、連続ビームでパーティクルを切断し断面部を同様に分析することでパーティクル発生の要因を明らかにすることができる。 Further, the particles may be covered in film can reveal the cause of the particle generation by similarly analyzing the cross section by cutting the particles in a continuous beam.

【0012】実装された半導体基板上のパーティクルを検出するのは、シリコンウエハ表面上を分析する場合と比較して、はるかに困難さを伴う。 [0012] for detecting the mounted semiconductor particles on the substrate, compared to the case of analyzing the upper surface of the silicon wafer involves much difficulty. デバイスパターンは微細に加工されているため、既にμm程度の凹凸を含んでいるため可視光レーザによる散乱光はパターンエッジにおいても発生する。 Because the device pattern is machined finely already scattered light by the visible light laser because it contains an uneven about μm are also generated in the pattern edge. このため、半導体試料表面に入射したレーザ光が散乱される現像のみでは、それが試料形状起因か又はパーティクル起因であるかは判断しにくい。 Therefore, by developing only the laser light incident on the semiconductor sample surface is scattered, it Is difficult to determine a sample shape due or caused by particles. そこで、半導体試料を設置したX−Yステージの水平方向に真空窓を通して2個以上の検出器を設置し、不規則な形状をもつパーティクルにレーザ光が照射されて発生する散乱光が三次元的に放出される特徴を利用して、これ等の検出器でレーザ散乱光が同時に検出された場合にパーティクルとして認識する。 Therefore, two or more detectors installed through a vacuum window in the horizontal direction of the X-Y stage was installed semiconductor sample, scattered light laser beam to generate particles is irradiated with irregularly shaped three-dimensional by utilizing the feature that is released is recognized when this scattered laser light detectors or the like is detected simultaneously as a particle. これは、デバイスのパターンの場合、平面方向に対してμm程度ではフラットであることから、パターンからの散乱光が試料の水平方向に設置された複数個の検出器に同時に入射する確率は非常に低い。 This is the pattern of the device, since the μm order with respect to the planar direction is flat, the probability that the scattered light from the pattern are incident simultaneously to a plurality of detectors installed in the horizontal direction of the sample is very Low. 従って、不定形であるパーティクルにレーザ光が衝突した際は入射光が全方向に散乱される特徴を利用して、パーティクルを見分けることが出来る。 Therefore, when the laser beam to the particles is irregular collide utilizes the feature that incident light is scattered in all directions, it is possible to distinguish between particles.
その後、SEMによりパーティクルかどうかを確認すれば更によい。 After that, better it is confirmed whether or not the particle by SEM.

【0013】図1を参照して、本発明の装置の構成を説明する。 [0013] Referring to FIG. 1, the configuration of the apparatus of the present invention. 半導体試料2が設置されるX−Yステージ3 X-Y stage 3 semiconductor sample 2 is placed
と、半導体試料2の水平方向に設置されたレーザ散乱光11を検出するための2個以上の検出器4と、半導体試料2の鉛直方向に設置された連続可視光レーザビーム1 When, two or more detectors 4 for detecting the laser scattered light 11 installed in the horizontal direction of the semiconductor sample 2, vertically disposed a continuous visible laser beam 1 of the semiconductor sample 2
と、半導体試料2表面上で連続可視光レーザビーム1と同一の原点をもつように光軸が調整された集束イオンビーム7、高輝度可視光レーザビーム9及び偏向磁場10 When a focused ion beam 7, high-intensity visible light laser beam 9 and the deflection magnetic field 10 which the optical axis so as to have a continuous visible laser beam 1 the same origin and on the semiconductor surface of the sample 2 is adjusted
により光軸が調整された電子ビーム5と、飛行時間型質量分析計及び蛍光X線分析器を有する分析器8と、を装備している。 Equipped with an electron beam 5 in which the optical axis is adjusted, the analyzer 8 having a time-of-flight mass spectrometer and fluorescent X-ray analyzer, the by. 同一の原点とは、連続可視光レーザビーム1が半導体試料2の表面上に投影された中心点のことを言う。 The same origin, refers to continuous visible laser beam 1 is projected center point on the surface of the semiconductor sample 2.

【0014】実装されたデバイスは微細加工が施されているのみならず、薄い多層膜を積層した構造となっている。 [0014] mounted devices has become microfabrication not only are subjected to stacked thin multi-layer film structure. 薄膜の剥がれなどが原因で発生したパーティクルが薄膜下に取り残され故障原因となることもある。 Particles such as peeling of the thin film is caused is left under the thin film is sometimes the cause of failure. 薄膜下のパーティクルにより盛り上がった部位を可視光レーザの散乱により検出し、SEM像の観察から埋もれたパーティクルの存在の有無を確認し、FIBにより表層薄膜を切断し、パーティクルを表層に露出することができる。 The site raised by a thin film of a particle is detected by scattering of visible light lasers, can confirm the existence of particles buried from the observation of the SEM image, a surface layer thin film is cut by FIB, exposing the particles to the surface layer it can. 露出したパーティクルを分析するのは上記と同様である。 To analyze the exposed particles are as defined above.

【0015】 [0015]

【実施例】図1の装置を用いて、6インチサイズの実装されたシリコンウエハ基板上のパーティクルを分析した例を示す。 Using the apparatus of EXAMPLE 1, an example of analysis of the implemented silicon wafer particles on a substrate 6 inch size. 散乱光が検出された位置において、約1μm In the scattered light is detected positions, approximately 1μm
径のパーティクルをSEM観察した後、EDX分析を行った。 After the diameter of the particles was observed by SEM, it was EDX analysis. 測定は加速電圧15kVで2nAの条件で行った。 The measurement was carried out under the conditions of 2nA at an accelerating voltage of 15kV. 得られたEDX分析の結果を図2に示す。 The results of the EDX analysis shown in FIG. スペクトルの解析から、パーティクルがTiを含んでいることがわかった。 Analysis of the spectrum, particles were found to contain Ti. Siのピークは基板からのものであるか試料内の情報かは判断できない。 Peak of Si can not determine the whether the information in the sample or is from a substrate. このパーティクルの表層をFIBを用いたTOF−SIMS分析した結果を図3 Figure 3 the surface of the particles results of TOF-SIMS analysis using FIB
に、その後10秒間パーティクル近傍20μm平方をイオンビームを連続にしてスパッタエッチングした後、T To, after the sputter etching then the particles near 20μm square 10 seconds in the continuous ion beam, T
OF−SIMS分析した結果を図4に示す。 The result of the OF-SIMS analysis shown in Figure 4. TOF−S TOF-S
IMS測定条件は、一次イオンに30kVのGa +イオンビームを用い、一次イオン電流はは5nAとした。 IMS measurement conditions, using a 30kV of Ga + ion beam to the primary ion, a primary ion current was 5 nA. イオンビームパルス幅は5nsecで、10kHzの繰り返しで600000パルス積算した。 Ion beam pulse width is 5 nsec, and 600000 pulses accumulated by repetition of 10 kHz. また、図3から表層はほぼTiO 2になっていることがわかった。 Further, it was found that the 3 surface is almost TiO 2. また、 Also,
表層をスパッタエッチングしたパーティクルはマススペクトルの結果からほぼTiNで構成されていることがわかった。 Particles were sputter etching the surface layer was found to be composed almost TiN from the results of mass spectrum. 以上のことより、このパーティクルがバリアメタル等でもちいられるTiN膜に由来していることと後段のプロセスのなかでパーティクル表面が酸化されたことなどの情報が抽出できた。 From the above, information such that the particle surface among the possible and subsequent processes this particle is derived from a TiN film formed using a barrier metal or the like is oxidized can be extracted.

【0016】 [0016]

【発明の効果】本発明により、これまで困難であった半導体基板の表面あるいは基板内のパーティクルの位置検出とその組成および構造の解析を単一装置で実効可能とした。 Effect of the Invention] The present invention has enabled effective at a single device detecting the position and analysis of their composition and structure of the particle surface or in the substrate of the semiconductor substrate has been difficult so far. これにより、パーティクル発生のプロセスの特定を迅速に決定可能となり、半導体デバイスの歩留まり安定に寄与することが期待できる。 Thus, rapidly determinable and becomes a specific process of particle generation can yield stable expected to contribute a semiconductor device.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】本発明を構成する半導体検査装置の概要図である。 1 is a schematic diagram of a semiconductor inspection device constituting the present invention.

【図2】検出されたパーティクルのSEM−EDXスペクトルである。 2 is a SEM-EDX spectrum of the detected particles.

【図3】パーティクルの表層のTOF−SIMSスペクトルである。 FIG. 3 is a TOF-SIMS spectrum of the surface layer of the particles.

【図4】スパッタエッチング後のパーティクルのTOF [Figure 4] of particles after sputter etching TOF
−SIMSスペクトルである。 -SIMS is a spectrum.

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1 パーティクル検出用可視光レーザ 2 試料 3 X−Yステージ 4 検出器 5 電子線 6 パーティクル 7 集束イオンビーム 8 分析器 9 構造解析用高輝度レーザ 10 偏向磁場 11 レーザ散乱光 12 試料室 1 Particle detection visible laser 2 Sample 3 X-Y stage 4 detector 5 the electron beam 6 particles 7 FIB 8 analyzer 9 structural analysis high-intensity laser 10 deflection magnetic field 11 laser scattered light 12 sample chamber

Claims (6)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】 X−Yステージ上に設置した半導体試料に、前記半導体試料の鉛直方向から連続可視光ビームを照射し、前記X−Yステージを駆動させながらレーザ散乱光を検出することによりパーティクル位置を判断し、 To 1. A semiconductor sample is placed on a X-Y stage, the irradiation with continuous visible light beam from the vertical direction of the semiconductor sample, the particle by detecting the laser scattered light while driving the X-Y stage position to determine,
    前記パーティクルの組成を電子ビームを前記パーティクルに照射して励起される蛍光X線を検出することにより分析することを特徴とする半導体検査方法。 Semiconductor inspection method characterized by analyzing by detecting fluorescence X-rays excite the composition of the particles by irradiating an electron beam to the particles.
  2. 【請求項2】 X−Yステージ上に設置した半導体試料に、前記半導体試料の鉛直方向から連続可視光ビームを照射し、前記X−Yステージを駆動させながらレーザ散乱光を検出することによりパーティクル位置を判断し、 To 2. A semiconductor sample is placed on a X-Y stage, the irradiation with continuous visible light beam from the vertical direction of the semiconductor sample, the particle by detecting the laser scattered light while driving the X-Y stage position to determine,
    高輝度紫外線パルスレーザで前記半導体試料表面上の前記パーティクルを蒸発させ、発生した試料由来のイオンを飛行時間型質量分析計により検出することで分子情報を得ることを特徴とする半導体検査方法。 Evaporating the particles on the semiconductor sample surface with high-intensity pulsed ultraviolet laser, semiconductor inspection method characterized by obtaining molecular information by detecting the generated ions to time-of-flight mass spectrometer from the sample.
  3. 【請求項3】 X−Yステージ上に設置した半導体試料に、前記半導体試料の鉛直方向から連続可視光ビームを照射し、前記X−Yステージを駆動させながらレーザ散乱光を検出することによりパーティクル位置を判断し、 To 3. A semiconductor sample is placed on a X-Y stage, the irradiation with continuous visible light beam from the vertical direction of the semiconductor sample, the particle by detecting the laser scattered light while driving the X-Y stage position to determine,
    集束イオンビームをパルス化して前記パーティクルに照射し、前記パーティクル表面からパルス状に発生した二次イオンを飛行時間型質量分析計により検出することで前記半導体試料表面上に存在する前記パーティクルの表層のみの元素組成および構造情報を得ることを特徴とする半導体検査方法。 The focused ion beam is pulsed irradiating the particles, only the surface layer of the particles present on the semiconductor sample surface by detecting the pulsed time-of-flight mass spectrometer secondary ions generated from the particle surface semiconductor inspection method characterized by obtaining the elemental composition and structural information.
  4. 【請求項4】 集束イオンビームを前記パーティクルに照射して切断し、切断面を分析することを特徴とする請求項1、2または3記載の半導体検査方法。 Wherein the focused ion beam to cut by irradiating the particles, according to claim 1, 2 or 3 semiconductor inspection method wherein analyzing the cut surface.
  5. 【請求項5】 前記パーティクル上に堆積された薄膜を集束イオンビームを用いて除去し、前記パーティクルを露出させて前記パーティクルを分析することを特徴とする請求項1、2、3または4記載の半導体検査方法。 5. removed using a focused ion beam a thin film deposited on said particles, said to expose the particles of claims 1, 2, 3 or 4, wherein the analyzing the particles semiconductor inspection method.
  6. 【請求項6】 半導体試料が設置されるX−Yステージと、前記半導体試料の水平方向に設置された2個以上の検出器と、前記半導体試料の鉛直方向に設置された連続可視光レーザビームと、前記半導体試料表面上で連続可視光レーザビームと同一の原点をもつように光軸が調整された集束イオンビーム、高輝度可視光レーザビーム及び電子ビームと、飛行時間型質量分析計と、蛍光X線分析器と、を装備したことを特徴とする半導体検査装置。 And X-Y stage 6. The semiconductor sample is placed, said the two or more detectors installed in the horizontal direction of the semiconductor sample, the semiconductor installed continuous visible laser beam in the vertical direction of the sample When the focused ion beam optical axis is adjusted so as to on the semiconductor sample surface with continuous visible light laser beam same origin and a high-intensity visible laser beam and electron beam, and the time-of-flight mass spectrometer, semiconductor inspection device characterized by being equipped with a fluorescent X-ray analyzer, the.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002090955A1 (en) * 2001-05-04 2002-11-14 Niton Corporation X-ray fluorescence combined with laser induced photon spectroscopy
US7763820B1 (en) 2003-01-27 2010-07-27 Spectramet, Llc Sorting pieces of material based on photonic emissions resulting from multiple sources of stimuli
CN102636505A (en) * 2012-03-20 2012-08-15 中国科学院合肥物质科学研究院 Method for synchronously detecting single-ion-beam and double-channel signals

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002090955A1 (en) * 2001-05-04 2002-11-14 Niton Corporation X-ray fluorescence combined with laser induced photon spectroscopy
US6801595B2 (en) 2001-05-04 2004-10-05 Niton Corporation X-ray fluorescence combined with laser induced photon spectroscopy
US7763820B1 (en) 2003-01-27 2010-07-27 Spectramet, Llc Sorting pieces of material based on photonic emissions resulting from multiple sources of stimuli
US8476545B2 (en) 2003-01-27 2013-07-02 Spectramet, Llc Sorting pieces of material based on photonic emissions resulting from multiple sources of stimuli
CN102636505A (en) * 2012-03-20 2012-08-15 中国科学院合肥物质科学研究院 Method for synchronously detecting single-ion-beam and double-channel signals

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