JPH08307014A - 光半導体装置 - Google Patents
光半導体装置Info
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- JPH08307014A JPH08307014A JP7109731A JP10973195A JPH08307014A JP H08307014 A JPH08307014 A JP H08307014A JP 7109731 A JP7109731 A JP 7109731A JP 10973195 A JP10973195 A JP 10973195A JP H08307014 A JPH08307014 A JP H08307014A
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- gain
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- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
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- G02B6/126—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind using polarisation effects
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
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-
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 偏波無依存であり、さらに高利得である光半
導体装置を得ることを目的とする。 【構成】 活性層４には引張り歪量子井戸１１と圧縮歪
量子井戸１２が備わっており、ここにキャリアが注入さ
れ、利得を生ずる。この場合、１５の方向に伝搬する光
に対しては引張り歪量子井戸１１でＴＥおよびＴＭ偏光
両方に対して利得が発生するが、ある程度以上強い引張
り歪にすると主としてＴＭ偏光に対する利得が大きくな
り、圧縮歪量子井戸１２では主としてＴＥ偏光に対して
利得が大きくなる。そこで、引張り歪量子井戸１１およ
び圧縮歪量子井戸１２それぞれの引張り歪量および圧縮
歪量、層厚、組成、層数等を調整することにより、量子
井戸全層において伝搬光のＴＥ偏光／ＴＭ偏光成分に対
して与えられる利得の比をほぼ１にすることができる。
すなわち、偏波無依存とすることが可能である。
導体装置を得ることを目的とする。 【構成】 活性層４には引張り歪量子井戸１１と圧縮歪
量子井戸１２が備わっており、ここにキャリアが注入さ
れ、利得を生ずる。この場合、１５の方向に伝搬する光
に対しては引張り歪量子井戸１１でＴＥおよびＴＭ偏光
両方に対して利得が発生するが、ある程度以上強い引張
り歪にすると主としてＴＭ偏光に対する利得が大きくな
り、圧縮歪量子井戸１２では主としてＴＥ偏光に対して
利得が大きくなる。そこで、引張り歪量子井戸１１およ
び圧縮歪量子井戸１２それぞれの引張り歪量および圧縮
歪量、層厚、組成、層数等を調整することにより、量子
井戸全層において伝搬光のＴＥ偏光／ＴＭ偏光成分に対
して与えられる利得の比をほぼ１にすることができる。
すなわち、偏波無依存とすることが可能である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、光通信等に用いられ
る光半導体装置に関するものである。
る光半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光半導体装置の一つである半導体光増幅
器においては、従来、通信学会研究会報告（ＯＱＥ９１
−９３、P.３１〜３５）に示されるように、利得特性を
偏波無依存にするために、量子井戸層にわずかな引っ張
り歪（−０.２％）を加えることで、無歪の場合よりも
ＴＥ偏光とＴＭ偏光に対する利得がほぼ等しくなるよう
にしていた。しかし、この方法では、ＴＭ偏光に対する
利得についてはより強い引っ張り歪（−０.４％）の構
造の方が高く、ＴＥ偏光に対する利得については無歪
（０％）の構造の方が高くなる。
器においては、従来、通信学会研究会報告（ＯＱＥ９１
−９３、P.３１〜３５）に示されるように、利得特性を
偏波無依存にするために、量子井戸層にわずかな引っ張
り歪（−０.２％）を加えることで、無歪の場合よりも
ＴＥ偏光とＴＭ偏光に対する利得がほぼ等しくなるよう
にしていた。しかし、この方法では、ＴＭ偏光に対する
利得についてはより強い引っ張り歪（−０.４％）の構
造の方が高く、ＴＥ偏光に対する利得については無歪
（０％）の構造の方が高くなる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、従来の
方法では、光半導体装置の一つである光増幅器におい
て、偏波無依存の特性を得るために、利得が十分高くで
きないという問題があった。
方法では、光半導体装置の一つである光増幅器におい
て、偏波無依存の特性を得るために、利得が十分高くで
きないという問題があった。
【０００４】この発明は、上記のような問題点を解決す
るためになされたもので、偏波無依存であり、さらに高
利得である光半導体装置を得ることを目的とする。
るためになされたもので、偏波無依存であり、さらに高
利得である光半導体装置を得ることを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明に係わる光半導
体装置は、活性層内に歪量の異なる少なくとも２層以上
の量子井戸層を備え、これらの量子井戸層がほぼ同一の
発光波長を有するように構成するものである。また、量
子井戸層の発光波長は、どの２層をとっても１００ｎｍ
程度以上離れていないものである。さらに、歪量の異な
る少なくとも２層以上の量子井戸層を、積層方向に形成
するものである。また、歪量の異なる少なくとも２層以
上の量子井戸層を、光の伝搬方向に形成するものであ
る。さらに、量子井戸層の少なくとも１層は引っ張り歪
みを内包し、少なくとも他の１層は歪みが零であるかも
しくは圧縮歪みを内包しているものである。また、量子
井戸層を、偏波依存性が無いように構成するものであ
る。
体装置は、活性層内に歪量の異なる少なくとも２層以上
の量子井戸層を備え、これらの量子井戸層がほぼ同一の
発光波長を有するように構成するものである。また、量
子井戸層の発光波長は、どの２層をとっても１００ｎｍ
程度以上離れていないものである。さらに、歪量の異な
る少なくとも２層以上の量子井戸層を、積層方向に形成
するものである。また、歪量の異なる少なくとも２層以
上の量子井戸層を、光の伝搬方向に形成するものであ
る。さらに、量子井戸層の少なくとも１層は引っ張り歪
みを内包し、少なくとも他の１層は歪みが零であるかも
しくは圧縮歪みを内包しているものである。また、量子
井戸層を、偏波依存性が無いように構成するものであ
る。
【０００６】
【作用】この発明における光半導体装置は、活性層内に
歪量の異なる少なくとも２層以上の量子井戸層を備えて
いるので、それらの量子井戸層の歪量、層厚、組成、層
数等を調整することにより、量子井戸全層においてＴＥ
偏光／ＴＭ偏光成分に対して与えられる利得の比をほぼ
１にすることができ、偏波無依存とすることができ、さ
らに、これらの量子井戸層がほぼ同一の発光波長を有す
るので、不用な発光を生じたり、利得が小さくなること
がなく、動作させることができる。
歪量の異なる少なくとも２層以上の量子井戸層を備えて
いるので、それらの量子井戸層の歪量、層厚、組成、層
数等を調整することにより、量子井戸全層においてＴＥ
偏光／ＴＭ偏光成分に対して与えられる利得の比をほぼ
１にすることができ、偏波無依存とすることができ、さ
らに、これらの量子井戸層がほぼ同一の発光波長を有す
るので、不用な発光を生じたり、利得が小さくなること
がなく、動作させることができる。
【０００７】さらに、量子井戸層の少なくとも１層は引
っ張り歪みを内包し、少なくとも他の１層は歪みが零で
あるかもしくは圧縮歪みを内包しているので、引っ張り
歪量子井戸では主としてＴＭ偏光に対する利得が大きく
なり、歪みが零である量子井戸層または圧縮歪量子井戸
層では主としてＴＥ偏光に対する利得が大きくなり、こ
れらの利得の比をほぼ１にすることにより偏波無依存で
高利得の光半導体装置が得られる。
っ張り歪みを内包し、少なくとも他の１層は歪みが零で
あるかもしくは圧縮歪みを内包しているので、引っ張り
歪量子井戸では主としてＴＭ偏光に対する利得が大きく
なり、歪みが零である量子井戸層または圧縮歪量子井戸
層では主としてＴＥ偏光に対する利得が大きくなり、こ
れらの利得の比をほぼ１にすることにより偏波無依存で
高利得の光半導体装置が得られる。
【０００８】
実施例１．以下、この発明の一実施例を図１〜４につい
て説明する。図において、１はｐ側電極、２はｐ−Ｉｎ
Ｐ基板、３はｐ−ＩｎＰクラッド層、４は活性層、５は
ｎ−ＩｎＰクラッド層、６はｎ−ＩｎＰコンタクト層、
７はｎ側電極、８は鉄ドープＩｎＰブロック層、９はｎ
−ＩｎＰホールトラップ層、１０はＩｎＧａＡｓＰ光閉
じ込め層、１１は引張り歪量子井戸、１２は圧縮歪量子
井戸、１３はＩｎＧａＡｓＰ光閉じ込め層、１４は光強
度分布、１５は光の伝搬方向、１６は導波路接続部、１
７はｎ側電極分離溝をそれぞれ示す。
て説明する。図において、１はｐ側電極、２はｐ−Ｉｎ
Ｐ基板、３はｐ−ＩｎＰクラッド層、４は活性層、５は
ｎ−ＩｎＰクラッド層、６はｎ−ＩｎＰコンタクト層、
７はｎ側電極、８は鉄ドープＩｎＰブロック層、９はｎ
−ＩｎＰホールトラップ層、１０はＩｎＧａＡｓＰ光閉
じ込め層、１１は引張り歪量子井戸、１２は圧縮歪量子
井戸、１３はＩｎＧａＡｓＰ光閉じ込め層、１４は光強
度分布、１５は光の伝搬方向、１６は導波路接続部、１
７はｎ側電極分離溝をそれぞれ示す。
【０００９】次に動作について説明する。図１は、本発
明における半導体光増幅器の構造を示す斜視図である。
図において、ｐ側電極１からｎ側電極７へ向けて電流を
流すと、活性層４にキャリアが注入され、利得を生ず
る。この時、鉄ドープＩｎＰブロック層８とｎ−ＩｎＰ
ホールトラップ層９は電流狭窄の役割を果たす。活性層
４の近傍を詳細に説明するために、図１におけるＡＢＣ
Ｄ断面を図２に示す。図２に示すように、活性層４には
引張り歪量子井戸１１と圧縮歪量子井戸１２が備わって
おり、ここにキャリアが注入され、利得を生ずる。この
場合、１５の方向に伝搬する光に対しては引張り歪量子
井戸１１でＴＥおよびＴＭ偏光両方に対して利得が発生
するが、ある程度以上強い引張り歪にすると主としてＴ
Ｍ偏光に対する利得が大きくなり、圧縮歪量子井戸１２
では主としてＴＥ偏光に対して利得が大きくなる。そこ
で、引張り歪量子井戸１１および圧縮歪量子井戸１２そ
れぞれの引張り歪量および圧縮歪量、層厚、組成、層数
等を調整することにより、量子井戸全層において伝搬光
のＴＥ偏光／ＴＭ偏光成分に対して与えられる利得の比
をほぼ１にすることができる。すなわち、偏波無依存と
することが可能である。
明における半導体光増幅器の構造を示す斜視図である。
図において、ｐ側電極１からｎ側電極７へ向けて電流を
流すと、活性層４にキャリアが注入され、利得を生ず
る。この時、鉄ドープＩｎＰブロック層８とｎ−ＩｎＰ
ホールトラップ層９は電流狭窄の役割を果たす。活性層
４の近傍を詳細に説明するために、図１におけるＡＢＣ
Ｄ断面を図２に示す。図２に示すように、活性層４には
引張り歪量子井戸１１と圧縮歪量子井戸１２が備わって
おり、ここにキャリアが注入され、利得を生ずる。この
場合、１５の方向に伝搬する光に対しては引張り歪量子
井戸１１でＴＥおよびＴＭ偏光両方に対して利得が発生
するが、ある程度以上強い引張り歪にすると主としてＴ
Ｍ偏光に対する利得が大きくなり、圧縮歪量子井戸１２
では主としてＴＥ偏光に対して利得が大きくなる。そこ
で、引張り歪量子井戸１１および圧縮歪量子井戸１２そ
れぞれの引張り歪量および圧縮歪量、層厚、組成、層数
等を調整することにより、量子井戸全層において伝搬光
のＴＥ偏光／ＴＭ偏光成分に対して与えられる利得の比
をほぼ１にすることができる。すなわち、偏波無依存と
することが可能である。
【００１０】引張り歪量子井戸１１の歪量、層厚、組成
（フォトルミネッセンス波長で表す）をそれぞれａ1、
ｔ1、ｂ1、圧縮歪量子井戸１２の歪量、層厚、組成をそ
れぞれａ2、ｔ2、ｂ2とすると、−３％≦ａ1＜０％、０
≦ａ2＜３％、ｔ1≦２００オンク゛ストローム、ｔ2≦２００オンク゛
ストローム、｜ｂ1−ｂ2｜≦１００ｎｍの範囲に設定する。
なお、組成は、フォトルミネセンス波長で表したもので
ある。また、ＩｎＧａＡｓＰ光閉じ込め層１０、１３の
層厚、組成をｔ3、ｂ3とすると、ｔ3≦１０００オンク゛ストロ
ーム、ｂ3＜ｂ1、ｂ2に設定すると良い。特に、引張り歪
量を−０.３％以下、圧縮歪量を＋０.３％以上の強い歪
み量にし、且つ、量子井戸全体として偏波無依存となる
ように構成すれば、ＴＥ、ＴＭ量偏光に対して高利得が
得られ、且つ偏波無依存の半導体光増幅器が得られる。
（フォトルミネッセンス波長で表す）をそれぞれａ1、
ｔ1、ｂ1、圧縮歪量子井戸１２の歪量、層厚、組成をそ
れぞれａ2、ｔ2、ｂ2とすると、−３％≦ａ1＜０％、０
≦ａ2＜３％、ｔ1≦２００オンク゛ストローム、ｔ2≦２００オンク゛
ストローム、｜ｂ1−ｂ2｜≦１００ｎｍの範囲に設定する。
なお、組成は、フォトルミネセンス波長で表したもので
ある。また、ＩｎＧａＡｓＰ光閉じ込め層１０、１３の
層厚、組成をｔ3、ｂ3とすると、ｔ3≦１０００オンク゛ストロ
ーム、ｂ3＜ｂ1、ｂ2に設定すると良い。特に、引張り歪
量を−０.３％以下、圧縮歪量を＋０.３％以上の強い歪
み量にし、且つ、量子井戸全体として偏波無依存となる
ように構成すれば、ＴＥ、ＴＭ量偏光に対して高利得が
得られ、且つ偏波無依存の半導体光増幅器が得られる。
【００１１】図２では、引張り歪量子井戸１１と圧縮歪
量子井戸１２が交互に形成された場合を示したが、図３
に示すように引張り歪量子井戸１１と圧縮歪量子井戸１
２が積層方向に各別に配置され、交互に形成されていな
い構成でも同様の効果が得られる。また、図４に示すよ
うに、引張り歪量子井戸活性層４ａと圧縮歪量子井戸活
性層４ｂが光の伝搬方向に並べて形成された場合でも良
い。この場合、ｎ側電極７をｎ側電極分離溝１７によっ
て、ｎ側第１電極７ａとｎ側第２電極７ｂに分割してお
くことにより、両電極に注入する電流の比を変化させる
ことでＴＥ、ＴＭ偏光に対する利得の比も任意に変化さ
せることができる。ただし、ＴＥ、ＴＭ偏光に対する利
得の比を１に保つだけであれば、必ずしもｎ側電極を分
割する必要はない。
量子井戸１２が交互に形成された場合を示したが、図３
に示すように引張り歪量子井戸１１と圧縮歪量子井戸１
２が積層方向に各別に配置され、交互に形成されていな
い構成でも同様の効果が得られる。また、図４に示すよ
うに、引張り歪量子井戸活性層４ａと圧縮歪量子井戸活
性層４ｂが光の伝搬方向に並べて形成された場合でも良
い。この場合、ｎ側電極７をｎ側電極分離溝１７によっ
て、ｎ側第１電極７ａとｎ側第２電極７ｂに分割してお
くことにより、両電極に注入する電流の比を変化させる
ことでＴＥ、ＴＭ偏光に対する利得の比も任意に変化さ
せることができる。ただし、ＴＥ、ＴＭ偏光に対する利
得の比を１に保つだけであれば、必ずしもｎ側電極を分
割する必要はない。
【００１２】さらに、目的に応じて、光の入射および放
射面である光増幅器側面の反射率を所定の値に制御する
ために、ＳｉＯ2、ＡｌＯ3、ＳｉＮx等をエレクトロン
ビーム蒸着等により蒸着する場合がある。このような場
合、反射率がＴＥ偏光とＴＭ偏光で異なる場合があるの
で、それを考慮した上で偏波無依存となるように、量子
井戸を構成することが必要である。また、図２〜４にお
ける光の伝搬方向は、一方向のみを示したが、往復する
場合においても本発明は有効である。以上のように、本
実施例によれば、偏波無依存の高利得半導体光増幅器を
容易に得られる効果がある。
射面である光増幅器側面の反射率を所定の値に制御する
ために、ＳｉＯ2、ＡｌＯ3、ＳｉＮx等をエレクトロン
ビーム蒸着等により蒸着する場合がある。このような場
合、反射率がＴＥ偏光とＴＭ偏光で異なる場合があるの
で、それを考慮した上で偏波無依存となるように、量子
井戸を構成することが必要である。また、図２〜４にお
ける光の伝搬方向は、一方向のみを示したが、往復する
場合においても本発明は有効である。以上のように、本
実施例によれば、偏波無依存の高利得半導体光増幅器を
容易に得られる効果がある。
【００１３】実施例２．実施例１に示した構造を、半導
体波長フィルタに適用すれば、ＴＥ、ＴＭ両偏波成分に
対して等しく高利得の半導体波長フィルタが実現でき
る。
体波長フィルタに適用すれば、ＴＥ、ＴＭ両偏波成分に
対して等しく高利得の半導体波長フィルタが実現でき
る。
【００１４】実施例３．実施例１に示した構造を、半導
体受光素子に適用すれば、ＴＥ、ＴＭ両偏波成分に対し
て等しい感度の得られる半導体受光素子が実現できる。
体受光素子に適用すれば、ＴＥ、ＴＭ両偏波成分に対し
て等しい感度の得られる半導体受光素子が実現できる。
【００１５】実施例４．実施例１に示した構造を、半導
体光変調器に適用すれば、ＴＥ、ＴＭ両偏波成分に対し
て等しい消光比の得られる半導体光変調器が実現でき
る。
体光変調器に適用すれば、ＴＥ、ＴＭ両偏波成分に対し
て等しい消光比の得られる半導体光変調器が実現でき
る。
【００１６】実施例５．実施例１に示した構造を、半導
体光導波路に適用すれば、ＴＥ、ＴＭ両偏波成分に対し
て等しい等価屈折率の得られる半導体光導波路が実現で
きる。
体光導波路に適用すれば、ＴＥ、ＴＭ両偏波成分に対し
て等しい等価屈折率の得られる半導体光導波路が実現で
きる。
【００１７】実施例６．実施例１に示した構造を、半導
体発光素子に適用すれば、ＴＥ、ＴＭ両偏波成分の光が
等しく、且つ強い強度で得られる半導体発光素子が実現
できる。
体発光素子に適用すれば、ＴＥ、ＴＭ両偏波成分の光が
等しく、且つ強い強度で得られる半導体発光素子が実現
できる。
【００１８】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、活性
層内に歪量の異なる少なくとも２層以上の量子井戸層を
備え、これらの量子井戸層がほぼ同一の発光波長を有す
るように構成したので、偏波無依存で且つ高利得である
光半導体装置を得ることができる。
層内に歪量の異なる少なくとも２層以上の量子井戸層を
備え、これらの量子井戸層がほぼ同一の発光波長を有す
るように構成したので、偏波無依存で且つ高利得である
光半導体装置を得ることができる。
【図１】 この発明の一実施例である半導体光増幅器を
示す斜視図である。
示す斜視図である。
【図２】 この発明の一実施例である半導体光増幅器を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図３】 この発明の一実施例である半導体光増幅器の
変形例を示す断面図である。
変形例を示す断面図である。
【図４】 この発明の一実施例である半導体光増幅器の
変形例を示す断面図である。
変形例を示す断面図である。
１ ｐ側電極、２ ｐ−ＩｎＰ基板、３ ｐ−ＩｎＰク
ラッド層、４ 活性層、５ ｎ−ＩｎＰクラッド層、６
ｎ−ＩｎＰコンタクト層、７ ｎ側電極、８ 鉄ドー
プＩｎＰブロック層、９ ｎ−ＩｎＰホールトラップ
層、１０ ＩｎＧａＡｓＰ光閉じ込め層、１１ 引張り
歪量子井戸、１２ 圧縮歪量子井戸、１３ ＩｎＧａＡ
ｓＰ光閉じ込め層、１４ 光強度分布、１５ 光の伝搬
方向、１６ 導波路接続部、１７ ｎ側電極分離溝。
ラッド層、４ 活性層、５ ｎ−ＩｎＰクラッド層、６
ｎ−ＩｎＰコンタクト層、７ ｎ側電極、８ 鉄ドー
プＩｎＰブロック層、９ ｎ−ＩｎＰホールトラップ
層、１０ ＩｎＧａＡｓＰ光閉じ込め層、１１ 引張り
歪量子井戸、１２ 圧縮歪量子井戸、１３ ＩｎＧａＡ
ｓＰ光閉じ込め層、１４ 光強度分布、１５ 光の伝搬
方向、１６ 導波路接続部、１７ ｎ側電極分離溝。
Claims (6)
- 【請求項１】 活性層内に歪量の異なる少なくとも２層
以上の量子井戸層を備え、これらの量子井戸層はほぼ同
一の発光波長を有することを特徴とする光半導体装置。 - 【請求項２】 量子井戸層の発光波長は、どの２層をと
っても１００ｎｍ程度以上離れていないことを特徴とす
る請求項１記載の光半導体装置。 - 【請求項３】 歪量の異なる少なくとも２層以上の量子
井戸層は、積層方向に形成されていることを特徴とする
請求項１記載の光半導体装置。 - 【請求項４】 歪量の異なる少なくとも２層以上の量子
井戸層は、光の伝搬方向に形成されていることを特徴と
する請求項１記載の光半導体装置。 - 【請求項５】 量子井戸層の少なくとも１層は引っ張り
歪みを内包し、少なくとも他の１層は歪みが零であるか
もしくは圧縮歪みを内包していることを特徴とする請求
項１〜請求項４いずれか一項記載の光半導体装置。 - 【請求項６】 量子井戸層は、偏波依存性が無いように
構成されていることを特徴とする請求項１〜請求項５い
ずれか一項記載の光半導体装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7109731A JPH08307014A (ja) | 1995-05-08 | 1995-05-08 | 光半導体装置 |
| KR1019950047766A KR960043394A (ko) | 1995-05-08 | 1995-12-08 | 상이하게 변형되는 양자 우물 층을 가진 광 반도체 장치 |
| FR9514878A FR2734064B1 (fr) | 1995-05-08 | 1995-12-14 | Dispositif semi-conducteur optique avec des couches de puits quantiques a differentes contraintes |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7109731A JPH08307014A (ja) | 1995-05-08 | 1995-05-08 | 光半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08307014A true JPH08307014A (ja) | 1996-11-22 |
Family
ID=14517819
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7109731A Pending JPH08307014A (ja) | 1995-05-08 | 1995-05-08 | 光半導体装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08307014A (ja) |
| KR (1) | KR960043394A (ja) |
| FR (1) | FR2734064B1 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003510664A (ja) * | 1999-09-28 | 2003-03-18 | ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア | 集積された波長同調可能な１段階及び２段階の純光学式波長変換器 |
| JP2006269581A (ja) * | 2005-03-23 | 2006-10-05 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置 |
| JP2013105958A (ja) * | 2011-11-15 | 2013-05-30 | Fujitsu Ltd | 光半導体装置及びその製造方法 |
| CN118198865A (zh) * | 2024-05-20 | 2024-06-14 | 山东华光光电子股份有限公司 | 一种混合应变量子阱半导体光放大器及其制备方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE69104573T2 (de) * | 1990-08-03 | 1995-04-20 | Philips Nv | Optischer Verstärker. |
-
1995
- 1995-05-08 JP JP7109731A patent/JPH08307014A/ja active Pending
- 1995-12-08 KR KR1019950047766A patent/KR960043394A/ko not_active Application Discontinuation
- 1995-12-14 FR FR9514878A patent/FR2734064B1/fr not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003510664A (ja) * | 1999-09-28 | 2003-03-18 | ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア | 集積された波長同調可能な１段階及び２段階の純光学式波長変換器 |
| JP2006269581A (ja) * | 2005-03-23 | 2006-10-05 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置 |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2734064B1 (fr) | 1998-04-30 |
| KR960043394A (ko) | 1996-12-23 |
| FR2734064A1 (fr) | 1996-11-15 |
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