JPH0826899A - 単結晶基板の製造方法 - Google Patents
単結晶基板の製造方法Info
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- JPH0826899A JPH0826899A JP16154294A JP16154294A JPH0826899A JP H0826899 A JPH0826899 A JP H0826899A JP 16154294 A JP16154294 A JP 16154294A JP 16154294 A JP16154294 A JP 16154294A JP H0826899 A JPH0826899 A JP H0826899A
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- Japan
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- substrates
- chamber
- single crystal
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 回転乾燥法における基板回転数の最適条件を
規定し、以って乾燥ムラ等のない良好な表面状態の基板
を得ることのできる単結晶基板の製造方法を提供する。 【構成】 複数の略円盤状の基板２，２，…を略円筒状
のチャンバー１内にその円筒の延在方向に並べ、チャン
バー１内にて基板２，２，…を、その略中心を通る回転
軸線Ａ−Ａの回りに回転させることにより、基板表面に
付着した水滴等を飛ばして基板２，２，…を乾燥させる
ようにした回転乾燥法において、基板の直径をｄmm、チ
ャンバーの内径をＤmm、基板の回転数をＲrpmで表す時
に、Ｒ×√（ｄ／Ｄ）で表される値が５８０以下、好ま
しくは５５０以下、より好ましくは５３０以下となるよ
うな回転数でもって、基板を回転させる。 【効果】 水滴等の再付着を防止しつつ基板を乾燥させ
ることができるので、乾燥ムラ等のない良好な表面状態
の基板が得られる。
規定し、以って乾燥ムラ等のない良好な表面状態の基板
を得ることのできる単結晶基板の製造方法を提供する。 【構成】 複数の略円盤状の基板２，２，…を略円筒状
のチャンバー１内にその円筒の延在方向に並べ、チャン
バー１内にて基板２，２，…を、その略中心を通る回転
軸線Ａ−Ａの回りに回転させることにより、基板表面に
付着した水滴等を飛ばして基板２，２，…を乾燥させる
ようにした回転乾燥法において、基板の直径をｄmm、チ
ャンバーの内径をＤmm、基板の回転数をＲrpmで表す時
に、Ｒ×√（ｄ／Ｄ）で表される値が５８０以下、好ま
しくは５５０以下、より好ましくは５３０以下となるよ
うな回転数でもって、基板を回転させる。 【効果】 水滴等の再付着を防止しつつ基板を乾燥させ
ることができるので、乾燥ムラ等のない良好な表面状態
の基板が得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、単結晶基板の製造方法
さらには基板をチャンバー内で回転させて乾燥させる基
板の乾燥方法に関し、特に化合物半導体基板の鏡面研磨
・洗浄後の乾燥工程に適用して有用な技術に関する。
さらには基板をチャンバー内で回転させて乾燥させる基
板の乾燥方法に関し、特に化合物半導体基板の鏡面研磨
・洗浄後の乾燥工程に適用して有用な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＧａＡｓ（ヒ化ガリウム）等の化合物半
導体基板を鏡面研磨加工して洗浄した後に行なう乾燥方
法として、図１に示すように、略円筒状のチャンバー１
内において、その円筒の延在方向、即ち径方向に垂直な
方向に複数枚の略円盤状の基板２，２，…をウェハカセ
ット３に装填して並べ、それら基板２，２，…の略中心
を通る回転軸線Ａ−Ａ（図１に一点鎖線で示す。）の回
りにカセット３ごと高速で回転させることによって、基
板表面に付着した水滴等を回転により生じる遠心力でも
って飛ばして乾燥させるようにした回転乾燥法が知られ
ている。従来、この回転乾燥方法では、より大きな遠心
力を発生させ、水滴等を効率良く基板表面から離して乾
燥時間を短縮させるために、ウェハカセット３を乾燥装
置の定格出力の上限に近い回転数で回転させていた。
導体基板を鏡面研磨加工して洗浄した後に行なう乾燥方
法として、図１に示すように、略円筒状のチャンバー１
内において、その円筒の延在方向、即ち径方向に垂直な
方向に複数枚の略円盤状の基板２，２，…をウェハカセ
ット３に装填して並べ、それら基板２，２，…の略中心
を通る回転軸線Ａ−Ａ（図１に一点鎖線で示す。）の回
りにカセット３ごと高速で回転させることによって、基
板表面に付着した水滴等を回転により生じる遠心力でも
って飛ばして乾燥させるようにした回転乾燥法が知られ
ている。従来、この回転乾燥方法では、より大きな遠心
力を発生させ、水滴等を効率良く基板表面から離して乾
燥時間を短縮させるために、ウェハカセット３を乾燥装
置の定格出力の上限に近い回転数で回転させていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、許され
る範囲内で略最大の回転数でウェハカセット３を回転さ
せる従来の乾燥条件では、乾燥後の基板表面に基板品質
の低下を招く乾燥ムラ等が生じてしまい、良好な表面状
態の基板が得られないことがあった。
る範囲内で略最大の回転数でウェハカセット３を回転さ
せる従来の乾燥条件では、乾燥後の基板表面に基板品質
の低下を招く乾燥ムラ等が生じてしまい、良好な表面状
態の基板が得られないことがあった。
【０００４】本発明は、上記事情に鑑みてなされたもの
で、回転乾燥法における基板回転数の最適条件を規定
し、以って乾燥ムラ等のない良好な表面状態の基板を得
ることのできる単結晶基板の製造方法を提供することを
目的とする。
で、回転乾燥法における基板回転数の最適条件を規定
し、以って乾燥ムラ等のない良好な表面状態の基板を得
ることのできる単結晶基板の製造方法を提供することを
目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明者らは、チャンバー内で回転する基板の表面
に現れる水膜による同心円状の干渉模様を観察したとこ
ろ、ある回転数を境としてそれよりも低い回転数の時に
は干渉模様が基板中心から外側に向かって広がり、速や
かに消失するが、それよりも高い回転数の時には干渉模
様は外側から基板中心に向かって繰り返し集まってきて
なかなか消失しないことを見い出した。本発明者らは、
以上の現象について、低回転時には基板表面の水膜が回
転による遠心力で外側に飛ばされるが、高回転時には基
板の回転によりチャンバー内に竜巻状の乱流が発生し、
一旦基板表面から離れた水滴等がその乱流により再び表
面に付着すると考えた。
に、本発明者らは、チャンバー内で回転する基板の表面
に現れる水膜による同心円状の干渉模様を観察したとこ
ろ、ある回転数を境としてそれよりも低い回転数の時に
は干渉模様が基板中心から外側に向かって広がり、速や
かに消失するが、それよりも高い回転数の時には干渉模
様は外側から基板中心に向かって繰り返し集まってきて
なかなか消失しないことを見い出した。本発明者らは、
以上の現象について、低回転時には基板表面の水膜が回
転による遠心力で外側に飛ばされるが、高回転時には基
板の回転によりチャンバー内に竜巻状の乱流が発生し、
一旦基板表面から離れた水滴等がその乱流により再び表
面に付着すると考えた。
【０００６】そこで、本発明者らは、最適な基板回転数
を知るために、内径が２７０mmのチャンバーを用い、基
板の大きさを種々変え、その大きさにあったウェハカセ
ットを用いて、低い回転数から徐々に回転数を高くする
実験を試みた。その結果、上述したように干渉模様の移
動方向が反転する時の回転数（以下、臨界回転数とす
る。）は、直径２インチ（５０mm）の基板では１３００
〜１３５０rpm 、直径３インチ（７５mm）の基板では１
０５０〜１１００rpm 、直径４インチ（１００mm）の基
板では９００〜９５０rpm であった。得られた結果に基
づき、基板の大きさを考慮して臨界回転数について検討
したところ、基板の直径をｄmm、チャンバーの内径をＤ
mm、臨界回転数をＲ0 rpmとすると、Ｒ0 ×√（ｄ／
Ｄ）の値が、基板直径が２インチの時には５５９〜５８
１、３インチの時には５５３〜５８０、４インチの時に
は５４８〜５７８であることがわかった。
を知るために、内径が２７０mmのチャンバーを用い、基
板の大きさを種々変え、その大きさにあったウェハカセ
ットを用いて、低い回転数から徐々に回転数を高くする
実験を試みた。その結果、上述したように干渉模様の移
動方向が反転する時の回転数（以下、臨界回転数とす
る。）は、直径２インチ（５０mm）の基板では１３００
〜１３５０rpm 、直径３インチ（７５mm）の基板では１
０５０〜１１００rpm 、直径４インチ（１００mm）の基
板では９００〜９５０rpm であった。得られた結果に基
づき、基板の大きさを考慮して臨界回転数について検討
したところ、基板の直径をｄmm、チャンバーの内径をＤ
mm、臨界回転数をＲ0 rpmとすると、Ｒ0 ×√（ｄ／
Ｄ）の値が、基板直径が２インチの時には５５９〜５８
１、３インチの時には５５３〜５８０、４インチの時に
は５４８〜５７８であることがわかった。
【０００７】本発明は、上記知見に基づきなされたもの
で、請求項１記載の発明は、複数の略円盤状の基板を略
円筒状のチャンバー内にその円筒の延在方向に並べ、前
記チャンバー内にて前記複数の基板を、同複数の基板の
略中心を通る回転軸線の回りに回転させることにより、
基板表面に付着した水滴等を飛ばして前記基板を乾燥さ
せるようにした回転乾燥法において、基板の直径をｄm
m、チャンバーの内径をＤmm、基板の回転数をＲrpmで表
す時に、次式： Ｒ×√（ｄ／Ｄ） で表される値が５８０以下となるような回転数でもっ
て、基板を回転させることを特徴とする。
で、請求項１記載の発明は、複数の略円盤状の基板を略
円筒状のチャンバー内にその円筒の延在方向に並べ、前
記チャンバー内にて前記複数の基板を、同複数の基板の
略中心を通る回転軸線の回りに回転させることにより、
基板表面に付着した水滴等を飛ばして前記基板を乾燥さ
せるようにした回転乾燥法において、基板の直径をｄm
m、チャンバーの内径をＤmm、基板の回転数をＲrpmで表
す時に、次式： Ｒ×√（ｄ／Ｄ） で表される値が５８０以下となるような回転数でもっ
て、基板を回転させることを特徴とする。
【０００８】この発明において、請求項２記載の発明の
ように、Ｒ×√（ｄ／Ｄ）で表される値が、好ましくは
５５０以下であることを特徴とする。また、この発明に
おいて、請求項３記載の発明のように、Ｒ×√（ｄ／
Ｄ）で表される値が、より好ましくは５３０以下である
ことも特徴とする。
ように、Ｒ×√（ｄ／Ｄ）で表される値が、好ましくは
５５０以下であることを特徴とする。また、この発明に
おいて、請求項３記載の発明のように、Ｒ×√（ｄ／
Ｄ）で表される値が、より好ましくは５３０以下である
ことも特徴とする。
【０００９】ここで、Ｒ×√（ｄ／Ｄ）で表される値
が、５８０以下、好ましくは５５０以下、より好ましく
は５３０以下であるのは、上述した本発明者らの行なっ
た実験結果に基づいている。即ち、前記式の値の上限値
が５８０であれば、直径２インチ及び３インチの基板に
おいては臨界回転数の上限値に相当する値以下であるた
め、基板表面の干渉模様が基板中心から外側に向かって
移動する確率が高くなって従来よりも表面性状の良好な
基板が得られ易くなるからであり、前記式の値の上限値
が５５０であれば、直径２インチ及び３インチの基板に
おいては臨界回転数の下限値に相当する値よりも小さい
ため、基板表面の干渉模様が基板中心から外側に向かっ
て移動するようになって従来よりも表面性状の良好な基
板が得られるからであり、前記式の値の上限値が５３０
であれば、直径２インチ、３インチ及び４インチの何れ
の大きさの基板においても臨界回転数の下限値に相当す
る値よりも小さいため、前記３つの大きさの基板とも基
板表面の干渉模様が基板中心から外側に向かって移動す
るようになって従来よりも表面性状の良好な基板が得ら
れるからである。
が、５８０以下、好ましくは５５０以下、より好ましく
は５３０以下であるのは、上述した本発明者らの行なっ
た実験結果に基づいている。即ち、前記式の値の上限値
が５８０であれば、直径２インチ及び３インチの基板に
おいては臨界回転数の上限値に相当する値以下であるた
め、基板表面の干渉模様が基板中心から外側に向かって
移動する確率が高くなって従来よりも表面性状の良好な
基板が得られ易くなるからであり、前記式の値の上限値
が５５０であれば、直径２インチ及び３インチの基板に
おいては臨界回転数の下限値に相当する値よりも小さい
ため、基板表面の干渉模様が基板中心から外側に向かっ
て移動するようになって従来よりも表面性状の良好な基
板が得られるからであり、前記式の値の上限値が５３０
であれば、直径２インチ、３インチ及び４インチの何れ
の大きさの基板においても臨界回転数の下限値に相当す
る値よりも小さいため、前記３つの大きさの基板とも基
板表面の干渉模様が基板中心から外側に向かって移動す
るようになって従来よりも表面性状の良好な基板が得ら
れるからである。
【００１０】
【作用】上記した手段によれば、Ｒ×√（ｄ／Ｄ）で表
される値が５８０以下、好ましくは５５０以下、より好
ましくは５３０以下となるように基板を回転させるた
め、基板の回転数が略臨界回転数以下となり、水滴等の
再付着を防止しつつ基板を乾燥させることができるの
で、乾燥ムラ等のない良好な表面状態の基板が得られ
る。
される値が５８０以下、好ましくは５５０以下、より好
ましくは５３０以下となるように基板を回転させるた
め、基板の回転数が略臨界回転数以下となり、水滴等の
再付着を防止しつつ基板を乾燥させることができるの
で、乾燥ムラ等のない良好な表面状態の基板が得られ
る。
【００１１】なお、本発明が、基板の回転数が高すぎる
際に起こる問題点を解決するためのものであることに鑑
みれば、回転数の下限値を決めてその下限値に相当する
Ｒ×√（ｄ／Ｄ）で表される値を規定する必要性は特に
なく、前記式の値の下限値は生産性やコスト等の観点、
及び一度に乾燥させる基板枚数等から自ずと決まるもの
であるが、それらを考慮して前記式の値の下限側の許容
範囲を示せば、以下のようになる。即ち、基板に水滴等
が付着したまま乾燥してしまわないように基板表面から
水滴を離すには、前記式の値は４００以上、また乾燥に
要する時間が長くなりすぎないように配慮すると、前記
式の値は好ましくは４５０以上、さらにチャンバー内に
て外側に配置された基板よりも乾燥の遅い内側に配置さ
れた基板を速やかに乾燥させて生産性を上げるためによ
り好ましくは４８０以上であるとよい。
際に起こる問題点を解決するためのものであることに鑑
みれば、回転数の下限値を決めてその下限値に相当する
Ｒ×√（ｄ／Ｄ）で表される値を規定する必要性は特に
なく、前記式の値の下限値は生産性やコスト等の観点、
及び一度に乾燥させる基板枚数等から自ずと決まるもの
であるが、それらを考慮して前記式の値の下限側の許容
範囲を示せば、以下のようになる。即ち、基板に水滴等
が付着したまま乾燥してしまわないように基板表面から
水滴を離すには、前記式の値は４００以上、また乾燥に
要する時間が長くなりすぎないように配慮すると、前記
式の値は好ましくは４５０以上、さらにチャンバー内に
て外側に配置された基板よりも乾燥の遅い内側に配置さ
れた基板を速やかに乾燥させて生産性を上げるためによ
り好ましくは４８０以上であるとよい。
【００１２】
【実施例】以下に、実施例及び比較例を挙げて本発明の
特徴とするところを明らかとする。なお、各実施例及び
各比較例においては、図１に示したような回転乾燥法に
より、上記従来と同様にして、順に鏡面研磨加工、有機
洗浄及び超純水によるリンス洗浄を終えた２５枚のＧａ
Ａｓ基板２，２，…をウェハカセット３に装填し、チャ
ンバー１（内径Ｄ：２７０mm）内で回転軸線Ａ−Ａの回
りに回転させて乾燥させた。
特徴とするところを明らかとする。なお、各実施例及び
各比較例においては、図１に示したような回転乾燥法に
より、上記従来と同様にして、順に鏡面研磨加工、有機
洗浄及び超純水によるリンス洗浄を終えた２５枚のＧａ
Ａｓ基板２，２，…をウェハカセット３に装填し、チャ
ンバー１（内径Ｄ：２７０mm）内で回転軸線Ａ−Ａの回
りに回転させて乾燥させた。
【００１３】（実施例１及び比較例１，２）実施例１及
び比較例１，２では、直径ｄが１００mm（４インチ）の
基板を用い、それを以下の各回転数でもって３分間回転
させた。回転数Ｒは、実施例１では８００rpm、比較例
１では２０００rpm、比較例２では５００rpmであり、そ
の時のＲ×√（ｄ／Ｄ）の値を計算して求めると、実施
例１では４８７、比較例１では１２１７、比較例２では
３０４であった。乾燥終了後、暗室内で各基板にスポッ
トライト光を照射して表面を観察したところ、基板の乾
燥が均一に行なわれないことに起因して生成する酸化物
等（Ａｓ2 Ｏ3 など）よりなる粒子状析出物が、実施例
１では２５枚のすべての基板において認められなかった
が、比較例１，２ではほとんどの基板で認められた。ま
た、レーザーを照射して基板表面のパーティクルを検出
する表面検査装置を用い、各基板について粒径０．３μ
ｍ以上のパーティクル数を測定したところ、その数が、
実施例１では何れの基板も３０個よりも少なかったが、
比較例１，２では何れの基板も１０００個を超えてい
た。従って、実施例１では乾燥ムラ等のない良好な表面
状態の基板が得られたが、比較例１，２では良好な基板
はほとんど得られなかった。
び比較例１，２では、直径ｄが１００mm（４インチ）の
基板を用い、それを以下の各回転数でもって３分間回転
させた。回転数Ｒは、実施例１では８００rpm、比較例
１では２０００rpm、比較例２では５００rpmであり、そ
の時のＲ×√（ｄ／Ｄ）の値を計算して求めると、実施
例１では４８７、比較例１では１２１７、比較例２では
３０４であった。乾燥終了後、暗室内で各基板にスポッ
トライト光を照射して表面を観察したところ、基板の乾
燥が均一に行なわれないことに起因して生成する酸化物
等（Ａｓ2 Ｏ3 など）よりなる粒子状析出物が、実施例
１では２５枚のすべての基板において認められなかった
が、比較例１，２ではほとんどの基板で認められた。ま
た、レーザーを照射して基板表面のパーティクルを検出
する表面検査装置を用い、各基板について粒径０．３μ
ｍ以上のパーティクル数を測定したところ、その数が、
実施例１では何れの基板も３０個よりも少なかったが、
比較例１，２では何れの基板も１０００個を超えてい
た。従って、実施例１では乾燥ムラ等のない良好な表面
状態の基板が得られたが、比較例１，２では良好な基板
はほとんど得られなかった。
【００１４】（実施例２及び比較例３）実施例２及び比
較例３では、直径ｄが７５mm（３インチ）の基板を用い
た。回転数Ｒは、実施例２では１０００rpm、比較例３
では２０００rpmであり、その時のＲ×√（ｄ／Ｄ）の
値は、実施例２では５２７、比較例３では１０５４であ
った。各基板について表面観察を行なったところ、実施
例２では乾燥ムラ等のない良好な表面状態の基板が得ら
れたが、比較例３では良好な基板はほとんど得られない
ことがわかった。
較例３では、直径ｄが７５mm（３インチ）の基板を用い
た。回転数Ｒは、実施例２では１０００rpm、比較例３
では２０００rpmであり、その時のＲ×√（ｄ／Ｄ）の
値は、実施例２では５２７、比較例３では１０５４であ
った。各基板について表面観察を行なったところ、実施
例２では乾燥ムラ等のない良好な表面状態の基板が得ら
れたが、比較例３では良好な基板はほとんど得られない
ことがわかった。
【００１５】（実施例３及び比較例４，５）実施例３及
び比較例４，５では、直径ｄが５０mm（２インチ）の基
板を用いた。回転数Ｒは、実施例３では１２００rpm、
比較例４では２０００rpm、比較例５では５００rpmであ
り、その時のＲ×√（ｄ／Ｄ）の値は、実施例３では５
１６、比較例４では８６１、比較例５では２１５であっ
た。表面観察の結果、実施例３では乾燥ムラ等のない良
好な表面状態の基板が得られたが、比較例４，５では良
好な基板はほとんど得られないことがわかった。
び比較例４，５では、直径ｄが５０mm（２インチ）の基
板を用いた。回転数Ｒは、実施例３では１２００rpm、
比較例４では２０００rpm、比較例５では５００rpmであ
り、その時のＲ×√（ｄ／Ｄ）の値は、実施例３では５
１６、比較例４では８６１、比較例５では２１５であっ
た。表面観察の結果、実施例３では乾燥ムラ等のない良
好な表面状態の基板が得られたが、比較例４，５では良
好な基板はほとんど得られないことがわかった。
【００１６】このように、本発明は、水滴等の再付着を
防止しつつ基板を乾燥させることができ、乾燥ムラ等の
ない良好な表面状態の基板が得られるという効果を奏す
ることが確認された。
防止しつつ基板を乾燥させることができ、乾燥ムラ等の
ない良好な表面状態の基板が得られるという効果を奏す
ることが確認された。
【００１７】なお、本発明は上記各実施例により何等制
限されないのはいうまでもない。例えば、基板の回転数
は、Ｒ×√（ｄ／Ｄ）の値が本発明で規定される範囲内
に納まる値になっていれば、任意である。また、基板の
大きさも上記各実施例の大きさに限らないし、チャンバ
ーの大きさも上記各実施例で用いたものと同じ大きさに
限らない。さらに、本発明は、基板枚数が２５枚に限ら
ず、２４枚以下、或は２６枚以上の基板を同時に乾燥さ
せる場合に有効である。さらにまた、本発明は、ＧａＡ
ｓ基板以外の単結晶基板、さらには単結晶に限らず略円
盤状の基板の乾燥に有効である。
限されないのはいうまでもない。例えば、基板の回転数
は、Ｒ×√（ｄ／Ｄ）の値が本発明で規定される範囲内
に納まる値になっていれば、任意である。また、基板の
大きさも上記各実施例の大きさに限らないし、チャンバ
ーの大きさも上記各実施例で用いたものと同じ大きさに
限らない。さらに、本発明は、基板枚数が２５枚に限ら
ず、２４枚以下、或は２６枚以上の基板を同時に乾燥さ
せる場合に有効である。さらにまた、本発明は、ＧａＡ
ｓ基板以外の単結晶基板、さらには単結晶に限らず略円
盤状の基板の乾燥に有効である。
【００１８】
【発明の効果】本発明に係る単結晶基板の製造方法によ
れば、Ｒ×√（ｄ／Ｄ）で表される値が５８０以下、好
ましくは５５０以下、より好ましくは５３０以下となる
ように基板を回転させるため、基板の回転数が略臨界回
転数以下となり、水滴等の再付着を防止しつつ基板を乾
燥させることができるので、乾燥ムラ等のない良好な表
面状態の基板が得られる。
れば、Ｒ×√（ｄ／Ｄ）で表される値が５８０以下、好
ましくは５５０以下、より好ましくは５３０以下となる
ように基板を回転させるため、基板の回転数が略臨界回
転数以下となり、水滴等の再付着を防止しつつ基板を乾
燥させることができるので、乾燥ムラ等のない良好な表
面状態の基板が得られる。
【図１】一般的な回転乾燥法を説明する概略図である。
Ａ 回転軸線 Ｄ チャンバーの内径（mm） ｄ 基板の直径（mm） Ｒ 基板の回転数（rpm） １ チャンバー ２ 基板
Claims (3)
- 【請求項１】 複数の略円盤状の基板を略円筒状のチャ
ンバー内にその円筒の延在方向に並べ、前記チャンバー
内にて前記複数の基板を、同複数の基板の略中心を通る
回転軸線の回りに回転させることにより、基板表面に付
着した水滴等を飛ばして前記基板を乾燥させるようにし
た回転乾燥法において、基板の直径をｄmm、チャンバー
の内径をＤmm、基板の回転数をＲrpmで表す時に、次
式： Ｒ×√（ｄ／Ｄ） で表される値が５８０以下となるような回転数でもっ
て、基板を回転させることを特徴とする単結晶基板の製
造方法。 - 【請求項２】 Ｒ×√（ｄ／Ｄ）で表される値が、好ま
しくは５５０以下であることを特徴とする請求項１記載
の単結晶基板の製造方法。 - 【請求項３】 Ｒ×√（ｄ／Ｄ）で表される値が、より
好ましくは５３０以下であることを特徴とする請求項１
記載の単結晶基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16154294A JPH0826899A (ja) | 1994-07-13 | 1994-07-13 | 単結晶基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16154294A JPH0826899A (ja) | 1994-07-13 | 1994-07-13 | 単結晶基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0826899A true JPH0826899A (ja) | 1996-01-30 |
Family
ID=15737087
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16154294A Pending JPH0826899A (ja) | 1994-07-13 | 1994-07-13 | 単結晶基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0826899A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20210028239A (ko) * | 2018-07-05 | 2021-03-11 | 게케엔 드리펠린 인터나쇼날 게엠베하 | 등속 조인트 |
-
1994
- 1994-07-13 JP JP16154294A patent/JPH0826899A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20210028239A (ko) * | 2018-07-05 | 2021-03-11 | 게케엔 드리펠린 인터나쇼날 게엠베하 | 등속 조인트 |
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