JPH08250966A - 表面波デバイス - Google Patents
表面波デバイスInfo
- Publication number
- JPH08250966A JPH08250966A JP5144095A JP5144095A JPH08250966A JP H08250966 A JPH08250966 A JP H08250966A JP 5144095 A JP5144095 A JP 5144095A JP 5144095 A JP5144095 A JP 5144095A JP H08250966 A JPH08250966 A JP H08250966A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- idt
- wave device
- film thickness
- thickness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】安価で、広帯域な、スプリアスを抑圧した表面
波デバイスを提供する。 【構成】ＹカットＸ伝搬のＬｉＮｂＯ3 基板１上に、Ａ
ｌ薄膜２１とＴａ薄膜２２からなるＩＤＴ２が形成され
て構成されている。この構成により、ラブ波を励振する
ことができる。そして、Ｔａの膜厚やＩＤＴ２の電極指
幅を選択的に設定することでスプリアスを抑圧すること
ができる。
波デバイスを提供する。 【構成】ＹカットＸ伝搬のＬｉＮｂＯ3 基板１上に、Ａ
ｌ薄膜２１とＴａ薄膜２２からなるＩＤＴ２が形成され
て構成されている。この構成により、ラブ波を励振する
ことができる。そして、Ｔａの膜厚やＩＤＴ２の電極指
幅を選択的に設定することでスプリアスを抑圧すること
ができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ラブ波を利用した表面
波デバイスに関し、特に、ＬｉＮｂＯ3 基板上にＴａ／
Ａｌの２層からなるＩＤＴを形成した表面波デバイスに
関する。
波デバイスに関し、特に、ＬｉＮｂＯ3 基板上にＴａ／
Ａｌの２層からなるＩＤＴを形成した表面波デバイスに
関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば、ＶＨＦ／ＵＨＦ帯の携帯用無線
器のチャンネル選択用として用いられるシンセサイザ局
部発信器では、小形化とともに、多チャンネル対応のた
めに広帯域化が要求され、この局部発信器の重要な部品
である電圧制御発信器（ＶＣＯ）に使用される表面波デ
バイスにおいても小形化、広帯域化が強く求められてい
る。
器のチャンネル選択用として用いられるシンセサイザ局
部発信器では、小形化とともに、多チャンネル対応のた
めに広帯域化が要求され、この局部発信器の重要な部品
である電圧制御発信器（ＶＣＯ）に使用される表面波デ
バイスにおいても小形化、広帯域化が強く求められてい
る。
【０００３】弾性表面波を利用した表面波デバイスとし
ては、従来よりレーリー波を利用したものが広く用いら
れている。しかしながら、レーリー波を利用した表面波
デバイスでは、基板の種類にかかわらず、電気機械結合
係数が小さく、広帯域化を図ることが困難である。そこ
で、電気機械結合係数が大きく、広帯域化を実現できる
デバイスとして、ラブ波を利用した表面波デバイスが注
目されている。このラブ波は、基板上に、基板よりも音
速が遅く、密度の大きい金属膜からなるＩＤＴ（インタ
ーデジタルトランスデューサ）を形成することにより、
励振することができる。
ては、従来よりレーリー波を利用したものが広く用いら
れている。しかしながら、レーリー波を利用した表面波
デバイスでは、基板の種類にかかわらず、電気機械結合
係数が小さく、広帯域化を図ることが困難である。そこ
で、電気機械結合係数が大きく、広帯域化を実現できる
デバイスとして、ラブ波を利用した表面波デバイスが注
目されている。このラブ波は、基板上に、基板よりも音
速が遅く、密度の大きい金属膜からなるＩＤＴ（インタ
ーデジタルトランスデューサ）を形成することにより、
励振することができる。
【０００４】ラブ波を利用した従来の表面波デバイスと
して、ＹカットＸ伝搬のＬｉＮｂＯ3 基板上に、Ａｕ薄
膜電極からなるＩＤＴを形成した構造のものが広く知ら
れている。
して、ＹカットＸ伝搬のＬｉＮｂＯ3 基板上に、Ａｕ薄
膜電極からなるＩＤＴを形成した構造のものが広く知ら
れている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ラブ波を利用した表面波デバイスは、ＩＤＴ電極として
Ａｕを用いているため、高価になるという問題があっ
た。
ラブ波を利用した表面波デバイスは、ＩＤＴ電極として
Ａｕを用いているため、高価になるという問題があっ
た。
【０００６】そこで、本出願人は、ＹカットＸ伝搬のＬ
ｉＮｂＯ3 基板上に、Ａｕよりも安価な金属であるＴａ
電極を用いてＩＤＴを形成して、Ｔａ／ＬｉＮｂＯ3 基
板の２層構造でラブ波を励振できる表面波デバイスを提
案した（特願平０６−２５３８０９）。
ｉＮｂＯ3 基板上に、Ａｕよりも安価な金属であるＴａ
電極を用いてＩＤＴを形成して、Ｔａ／ＬｉＮｂＯ3 基
板の２層構造でラブ波を励振できる表面波デバイスを提
案した（特願平０６−２５３８０９）。
【０００７】ところが、上記Ｔａ／ＬｉＮｂＯ3 基板の
２層構造では、Ｔａの比抵抗がＡｕやＡｌ等に比べて大
きいため、共振周波数でのインピーダンスが大きくな
り、所望の特性が得られないという問題があった。ま
た、電極の抵抗を小さくするために、ＩＤＴの電極指の
幅を広くする、または電極膜厚を厚く形成することとな
り、ストップバンド幅が狭くなる、あるいは電気機械結
合係数が小さくなり帯域が狭くなるという問題があっ
た。
２層構造では、Ｔａの比抵抗がＡｕやＡｌ等に比べて大
きいため、共振周波数でのインピーダンスが大きくな
り、所望の特性が得られないという問題があった。ま
た、電極の抵抗を小さくするために、ＩＤＴの電極指の
幅を広くする、または電極膜厚を厚く形成することとな
り、ストップバンド幅が狭くなる、あるいは電気機械結
合係数が小さくなり帯域が狭くなるという問題があっ
た。
【０００８】そこで、本発明の目的は、ＹカットＸ伝搬
のＬｉＮｂＯ3 基板上にＴａ／Ａｌの２層の金属薄膜か
らなるＩＤＴを形成することにより、安価で、広帯域
な、スプリアスを抑圧した、ラブ波を利用した表面波デ
バイスを提供することにある。
のＬｉＮｂＯ3 基板上にＴａ／Ａｌの２層の金属薄膜か
らなるＩＤＴを形成することにより、安価で、広帯域
な、スプリアスを抑圧した、ラブ波を利用した表面波デ
バイスを提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１に係る発明は、ＹカットＸ伝搬のＬｉＮｂ
Ｏ3 基板上にＩＤＴを形成し、ラブ波を利用してなる表
面波デバイスにおいて、前記ＩＤＴがＴａ／Ａｌの２層
の薄膜からなることを特徴とするものである。
に、請求項１に係る発明は、ＹカットＸ伝搬のＬｉＮｂ
Ｏ3 基板上にＩＤＴを形成し、ラブ波を利用してなる表
面波デバイスにおいて、前記ＩＤＴがＴａ／Ａｌの２層
の薄膜からなることを特徴とするものである。
【００１０】請求項２に係る発明は、前記ＩＤＴに菱形
重み付けを施すとともに、前記Ｔａの膜厚をＨTa、電極
指間ピッチをＰ、電極指幅をＷ、ラブ波の波長をλとし
たとき、規格化膜厚ＨTa／λ及びメタライゼーション比
Ｗ／Ｐが、 ０．０２１≦ＨTa／λ≦０．０２６ ０．６６≦Ｗ／Ｐ≦０．８０ に設定されていることを特徴とするものである。
重み付けを施すとともに、前記Ｔａの膜厚をＨTa、電極
指間ピッチをＰ、電極指幅をＷ、ラブ波の波長をλとし
たとき、規格化膜厚ＨTa／λ及びメタライゼーション比
Ｗ／Ｐが、 ０．０２１≦ＨTa／λ≦０．０２６ ０．６６≦Ｗ／Ｐ≦０．８０ に設定されていることを特徴とするものである。
【００１１】
【作用】請求項１の構成によれば、ＩＤＴをＡｕに比べ
て安価な材料であるＴａ，Ａｌを用いて形成するので、
コストを低減できる。また、ＴａとＬｉＮｂＯ3 基板の
間にＴａよりも比抵抗の小さなＡｌ層が形成されている
ので、共振インピーダンスを小さくすることができる。
また、電極の抵抗が小さくなるので、電気機械結合係数
が大きくなるようにメタライゼーション比を小さくする
ことができ、より広帯域化を図ることができる。
て安価な材料であるＴａ，Ａｌを用いて形成するので、
コストを低減できる。また、ＴａとＬｉＮｂＯ3 基板の
間にＴａよりも比抵抗の小さなＡｌ層が形成されている
ので、共振インピーダンスを小さくすることができる。
また、電極の抵抗が小さくなるので、電気機械結合係数
が大きくなるようにメタライゼーション比を小さくする
ことができ、より広帯域化を図ることができる。
【００１２】請求項２の構成によれば、ＩＤＴに菱形重
み付けを行うとともに、規格化膜厚ＨTa／λ及びメタラ
イゼーション比Ｗ／Ｐをある範囲に限定することで、後
述するように、スプリアスを抑圧したインピーダンス特
性を得ることができる。
み付けを行うとともに、規格化膜厚ＨTa／λ及びメタラ
イゼーション比Ｗ／Ｐをある範囲に限定することで、後
述するように、スプリアスを抑圧したインピーダンス特
性を得ることができる。
【００１３】
【実施例】以下、本発明をその実施例を示す図面に基づ
いて説明する。本発明の一実施例に係る表面波デバイス
の構成を図１及び図２に示す。図１は平面図であり、図
２はＩＤＴ形成領域での部分拡大断面図である。
いて説明する。本発明の一実施例に係る表面波デバイス
の構成を図１及び図２に示す。図１は平面図であり、図
２はＩＤＴ形成領域での部分拡大断面図である。
【００１４】図１に示すように、本実施例の表面波デバ
イスは、ＹカットＸ伝搬のＬｉＮｂＯ3 基板１の一方主
面に、一対のくし歯電極からなるＩＤＴ２が形成され、
ＩＤＴ２の両側にはリフレクタ（反射器）３、３が形成
されている。ＩＤＴ２にはスプリアスを低減するために
菱形重み付けが施されている。
イスは、ＹカットＸ伝搬のＬｉＮｂＯ3 基板１の一方主
面に、一対のくし歯電極からなるＩＤＴ２が形成され、
ＩＤＴ２の両側にはリフレクタ（反射器）３、３が形成
されている。ＩＤＴ２にはスプリアスを低減するために
菱形重み付けが施されている。
【００１５】そして、ＩＤＴ２及びリフレクタ３、３
は、図２に示すように、Ａｌ薄膜２１上にＴａ薄膜２２
を形成して構成されている。具体的には、ＹカットＸ伝
搬のＬｉＮｂＯ3 基板１上に、蒸着、スパッタリング等
により、まずＡｌ薄膜２１を成膜し、次いで、Ａｌ薄膜
２１上にＴａ薄膜２２を成膜し、フォトリソグラフィ技
術等によりパターニングして形成されている。つまり、
この表面波デバイスは、ＬｉＮｂＯ3 基板１とＴａ薄膜
２２との間にＡｌ薄膜２１を形成したＴａ／Ａｌ／Ｌｉ
ＮｂＯ3 基板の３層構造となっている。Ｔａの膜厚は
０．３〜０．４μｍ程度に設定され、Ａｌの膜厚は０．
０２〜０．１μｍ程度とＴａの膜厚よりも極端に薄く設
定されている。
は、図２に示すように、Ａｌ薄膜２１上にＴａ薄膜２２
を形成して構成されている。具体的には、ＹカットＸ伝
搬のＬｉＮｂＯ3 基板１上に、蒸着、スパッタリング等
により、まずＡｌ薄膜２１を成膜し、次いで、Ａｌ薄膜
２１上にＴａ薄膜２２を成膜し、フォトリソグラフィ技
術等によりパターニングして形成されている。つまり、
この表面波デバイスは、ＬｉＮｂＯ3 基板１とＴａ薄膜
２２との間にＡｌ薄膜２１を形成したＴａ／Ａｌ／Ｌｉ
ＮｂＯ3 基板の３層構造となっている。Ｔａの膜厚は
０．３〜０．４μｍ程度に設定され、Ａｌの膜厚は０．
０２〜０．１μｍ程度とＴａの膜厚よりも極端に薄く設
定されている。
【００１６】この構成において、ラブ波の波長λに対す
るＴａの膜厚ＨTaの比である規格化膜厚ＨTa／λが０．
０１８〜０．１５の範囲でラブ波が励振され、図３に示
すように、共振周波数ｆｒでのインピーダンス（共振イ
ンピーダンス）の小さな、共振周波数ｆｒと反共振周波
数ｆａでのインピーダンスの差の大きな良好な特性のイ
ンピーダンス特性を得ることができた。なお、図３の実
線で示すインピーダンス特性は、電極指対数を５０、Ａ
ｌの膜厚を０．０５μｍ、電極指間ピッチＰ（Ｐ＝λ／
２）を６μｍ（λ＝１２μｍ）、Ｔａの膜厚を０．３μ
ｍ、電極指幅Ｗを４．０８μｍで形成した場合のインピ
ーダンス特性である。
るＴａの膜厚ＨTaの比である規格化膜厚ＨTa／λが０．
０１８〜０．１５の範囲でラブ波が励振され、図３に示
すように、共振周波数ｆｒでのインピーダンス（共振イ
ンピーダンス）の小さな、共振周波数ｆｒと反共振周波
数ｆａでのインピーダンスの差の大きな良好な特性のイ
ンピーダンス特性を得ることができた。なお、図３の実
線で示すインピーダンス特性は、電極指対数を５０、Ａ
ｌの膜厚を０．０５μｍ、電極指間ピッチＰ（Ｐ＝λ／
２）を６μｍ（λ＝１２μｍ）、Ｔａの膜厚を０．３μ
ｍ、電極指幅Ｗを４．０８μｍで形成した場合のインピ
ーダンス特性である。
【００１７】つまり、この構成では、ＩＤＴに密度の大
きなＴａが用いられており、比較的薄い膜厚で、ラブ波
を励振することができ、ＬｉＮｂＯ3 基板と比抵抗の大
きなＴａ薄膜の間に比抵抗の小さなＡｌ薄膜が設けらて
いるので、Ｔａ薄膜のみでＩＤＴを構成した場合に比べ
共振インピーダンスを小さくすることができる。
きなＴａが用いられており、比較的薄い膜厚で、ラブ波
を励振することができ、ＬｉＮｂＯ3 基板と比抵抗の大
きなＴａ薄膜の間に比抵抗の小さなＡｌ薄膜が設けらて
いるので、Ｔａ薄膜のみでＩＤＴを構成した場合に比べ
共振インピーダンスを小さくすることができる。
【００１８】次ぎに、本発明に係る表面波デバイスのス
プリアスを抑圧する設計条件について、その設定理由を
説明する。ラブ波を利用した表面波デバイスにおいて、
ＩＤＴに菱形重み付けを行うことにより、縦、横モード
のスプリアスを抑圧できることが知られており、上記実
施例においても、ＩＤＴに菱形重み付けを施している
が、実際には、ＩＤＴの膜厚、メタライゼーション比の
相違により、例えば、図３の破線で示すようスプリアス
が発生する。このスプリアスはＶＣＯ等の異常発信の原
因となる。
プリアスを抑圧する設計条件について、その設定理由を
説明する。ラブ波を利用した表面波デバイスにおいて、
ＩＤＴに菱形重み付けを行うことにより、縦、横モード
のスプリアスを抑圧できることが知られており、上記実
施例においても、ＩＤＴに菱形重み付けを施している
が、実際には、ＩＤＴの膜厚、メタライゼーション比の
相違により、例えば、図３の破線で示すようスプリアス
が発生する。このスプリアスはＶＣＯ等の異常発信の原
因となる。
【００１９】図４は、図１に示す構成において、電極指
対数を５０、Ａｌの膜厚を０．０５μｍで形成し、電極
指間ピッチＰを６．０、６．５、７．０、７．５、８．
０μｍの５種類で形成し、Ｔａの膜厚を０．３０〜０．
４０μｍの範囲で、メタライゼーション比Ｗ／Ｐを０．
６６〜０．８０の範囲で多数の表面波デバイスを作成
し、スプリアス発生の有無を確認した実験結果である。
図４は、規格化膜厚ＨTa／λを横軸に、ＩＤＴの電極指
間ピッチＰに対する電極指幅Ｗの比であるメタライゼー
ション比Ｗ／Ｐを縦軸にとり、インピーダンス特性にス
プリアスのないものを○印で、スプリアスのあるものを
×印で示した図である。
対数を５０、Ａｌの膜厚を０．０５μｍで形成し、電極
指間ピッチＰを６．０、６．５、７．０、７．５、８．
０μｍの５種類で形成し、Ｔａの膜厚を０．３０〜０．
４０μｍの範囲で、メタライゼーション比Ｗ／Ｐを０．
６６〜０．８０の範囲で多数の表面波デバイスを作成
し、スプリアス発生の有無を確認した実験結果である。
図４は、規格化膜厚ＨTa／λを横軸に、ＩＤＴの電極指
間ピッチＰに対する電極指幅Ｗの比であるメタライゼー
ション比Ｗ／Ｐを縦軸にとり、インピーダンス特性にス
プリアスのないものを○印で、スプリアスのあるものを
×印で示した図である。
【００２０】この結果、図４に示すように、規格化膜厚
ＨTa／λが０．０２１〜０．０２６の範囲で、かつ、メ
タライゼーション比Ｗ／Ｐが０．６８〜０．８０の範囲
（図４において四角囲いで示す領域）でスプリアスが抑
圧されていることが確認された。
ＨTa／λが０．０２１〜０．０２６の範囲で、かつ、メ
タライゼーション比Ｗ／Ｐが０．６８〜０．８０の範囲
（図４において四角囲いで示す領域）でスプリアスが抑
圧されていることが確認された。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る表面
波デバイスによれば、ＩＤＴを安価な材料であるＴａ及
びＡｌを用いて形成するので、コストを低減することが
できる。
波デバイスによれば、ＩＤＴを安価な材料であるＴａ及
びＡｌを用いて形成するので、コストを低減することが
できる。
【００２２】また、ＴａとＬｉＮｂＯ3 基板の間にＴａ
よりも比抵抗の小さなＡｌ層が形成されているので、共
振インピーダンスが小さくなり良好なインピ−ダンス特
性を得ることができる。
よりも比抵抗の小さなＡｌ層が形成されているので、共
振インピーダンスが小さくなり良好なインピ−ダンス特
性を得ることができる。
【００２３】また、電極の抵抗が小さくなるので、電気
機械結合係数が大きくなるようにメタライゼーション比
を小さくすることができ、より広帯域化を図ることがで
きる。
機械結合係数が大きくなるようにメタライゼーション比
を小さくすることができ、より広帯域化を図ることがで
きる。
【００２４】また、ＩＤＴに菱形重み付けを行うととも
に、規格化膜厚ＨTa／λ及びメタライゼーション比Ｗ／
Ｐをある範囲に限定することで、スプリアスを抑圧した
インピーダンス特性を得ることができる。
に、規格化膜厚ＨTa／λ及びメタライゼーション比Ｗ／
Ｐをある範囲に限定することで、スプリアスを抑圧した
インピーダンス特性を得ることができる。
【図１】本発明の一実施例に係る表面波デバイスの平面
図である。
図である。
【図２】本発明の一実施例に係る表面波デバイスの要部
拡大断面図である。
拡大断面図である。
【図３】本発明の一実施例の表面波デバイスのインピー
ダンス特性図である。
ダンス特性図である。
【図４】本発明における規格化膜厚ＨTa／λとメタライ
ゼーション比Ｗ／Ｐに対するスプリアスの有無を示す図
である。
ゼーション比Ｗ／Ｐに対するスプリアスの有無を示す図
である。
１ ＬｉＮｂＯ3 基板 ２ ＩＤＴ ２１ Ａｌ薄膜 ２２ Ｔａ薄膜
Claims (2)
- 【請求項１】 ＹカットＸ伝搬のＬｉＮｂＯ3 基板上に
ＩＤＴを形成し、ラブ波を利用してなる表面波デバイス
において、 前記ＩＤＴがＴａ／Ａｌの２層の薄膜からなることを特
徴とする表面波デバイス。 - 【請求項２】前記ＩＤＴに菱形重み付けを施すととも
に、前記Ｔａの膜厚をＨTa、電極指間ピッチをＰ、電極
指幅をＷ、ラブ波の波長をλとしたとき、規格化膜厚Ｈ
Ta／λ及びメタライゼーション比Ｗ／Ｐが、 ０．０２１≦ＨTa／λ≦０．０２６ ０．６６≦Ｗ／Ｐ≦０．８０ に設定されていることを特徴とする請求項１に記載の表
面波デバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05144095A JP3731611B2 (ja) | 1995-03-10 | 1995-03-10 | 表面波デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05144095A JP3731611B2 (ja) | 1995-03-10 | 1995-03-10 | 表面波デバイス |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08250966A true JPH08250966A (ja) | 1996-09-27 |
| JP3731611B2 JP3731611B2 (ja) | 2006-01-05 |
Family
ID=12886995
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05144095A Expired - Lifetime JP3731611B2 (ja) | 1995-03-10 | 1995-03-10 | 表面波デバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3731611B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998056109A1 (fr) * | 1997-06-02 | 1998-12-10 | Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha | Dispositif a ondes de surface elastiques |
| WO1999005788A1 (fr) * | 1997-07-28 | 1999-02-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Dispositif de traitement d'ondes acoustiques de surface et son procede de fabrication |
| US6271617B1 (en) | 1997-08-28 | 2001-08-07 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave device with a tungsten-aluminum layered interdigital transducer |
| US6545388B2 (en) | 2000-07-31 | 2003-04-08 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave device and method of producing the same |
| KR100465975B1 (ko) * | 2001-09-28 | 2005-01-13 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 표면파 장치 및 통신기 |
| JP2013225853A (ja) * | 2012-04-19 | 2013-10-31 | Triquint Semiconductor Inc | 高結合で低損失な圧電境界波デバイスおよび関連する方法 |
| JP2014192676A (ja) * | 2013-03-27 | 2014-10-06 | Panasonic Corp | 弾性波素子 |
-
1995
- 1995-03-10 JP JP05144095A patent/JP3731611B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998056109A1 (fr) * | 1997-06-02 | 1998-12-10 | Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha | Dispositif a ondes de surface elastiques |
| US6259186B1 (en) | 1997-06-02 | 2001-07-10 | Asahi Kasei Kabushiki Kaisha | Surface acoustic wave functional wave |
| WO1999005788A1 (fr) * | 1997-07-28 | 1999-02-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Dispositif de traitement d'ondes acoustiques de surface et son procede de fabrication |
| US6377138B1 (en) | 1997-07-28 | 2002-04-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Surface acoustic wave device with a layered conductive film and method of producing the same |
| US6271617B1 (en) | 1997-08-28 | 2001-08-07 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave device with a tungsten-aluminum layered interdigital transducer |
| DE19839247B4 (de) * | 1997-08-28 | 2008-01-31 | Murata Mfg. Co., Ltd., Nagaokakyo | Oberflächenwellenbauelement |
| US6545388B2 (en) | 2000-07-31 | 2003-04-08 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave device and method of producing the same |
| US6898831B2 (en) | 2000-07-31 | 2005-05-31 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method of producing a surface acoustic wave device |
| KR100465975B1 (ko) * | 2001-09-28 | 2005-01-13 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 표면파 장치 및 통신기 |
| JP2013225853A (ja) * | 2012-04-19 | 2013-10-31 | Triquint Semiconductor Inc | 高結合で低損失な圧電境界波デバイスおよび関連する方法 |
| JP2014192676A (ja) * | 2013-03-27 | 2014-10-06 | Panasonic Corp | 弾性波素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3731611B2 (ja) | 2006-01-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4337816B2 (ja) | 弾性境界波装置 | |
| US6271617B1 (en) | Surface acoustic wave device with a tungsten-aluminum layered interdigital transducer | |
| US5432392A (en) | Surface wave device | |
| US6046656A (en) | Elastic boundary wave device and method of its manufacture | |
| JP4894911B2 (ja) | 弾性境界波フィルタ | |
| US6088462A (en) | Surface acoustic wave device | |
| JP3196678B2 (ja) | 表面波装置 | |
| JP3173300B2 (ja) | ラブ波デバイス | |
| JP7517701B2 (ja) | 高次モードの弾性表面波を利用するデバイス | |
| WO2009139108A1 (ja) | 弾性境界波装置 | |
| JPH09223943A (ja) | 弾性表面波デバイス | |
| JP3414373B2 (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JPS60169210A (ja) | 表面波装置 | |
| JP3979279B2 (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JPH08250966A (ja) | 表面波デバイス | |
| JP3298251B2 (ja) | 弾性表面波装置 | |
| US7772942B2 (en) | Elastic wave filter utilizing a sub-propagation mode response to increase out of band attenuation | |
| JPWO2005036744A1 (ja) | 弾性境界波装置 | |
| JPWO2005036743A1 (ja) | 弾性境界波装置 | |
| JP3196474B2 (ja) | 表面波装置 | |
| US6972508B2 (en) | Surface acoustic wave device | |
| JP2003198323A (ja) | 弾性表面波装置 | |
| US20040150292A1 (en) | Surface acoustic wave filter | |
| JP2002261572A (ja) | 表面弾性波素子 | |
| JP2004228985A (ja) | 表面波装置及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20051004 |
|
| R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091021 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101021 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101021 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111021 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121021 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131021 Year of fee payment: 8 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |