JPH08250454A - Manufacture of semiconductor device and dicing jig used for the device - Google Patents

Manufacture of semiconductor device and dicing jig used for the device

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JPH08250454A
JPH08250454A JP5145895A JP5145895A JPH08250454A JP H08250454 A JPH08250454 A JP H08250454A JP 5145895 A JP5145895 A JP 5145895A JP 5145895 A JP5145895 A JP 5145895A JP H08250454 A JPH08250454 A JP H08250454A
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dicing
semiconductor wafer
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wafer
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Fumio Obara
Masahiro Yamamoto
Shinji Yoshihara
晋二 吉原
文雄 小原
正博 山本
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Nippondenso Co Ltd
日本電装株式会社
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Abstract

PURPOSE: To divide a semiconductor wafer into chips at a high yield by dicing the semiconductor wafer with a dicing jig having through holes for vacuum chucking in recessed sections or recessed section forming areas or on the outside of the forming areas in an area facing the mobile section or protecting section of semiconductor devices. CONSTITUTION: A discoid semiconductor wafer 1 on which a plurality of semiconductor devices respectively having movable sections or projecting sections are formed in each chip is diced into the semiconductor devices with a dicing jig 2 having a movable section, project protective recessed sections 2a, through holes 2b which become wafer fixing vacuum chucking holes, an O-ring 2c for supporting the wafer 1, an air introducing port 2d, and an air blowing port 2e in accordance with a prescribed process flow. A dicing jig made of a high- rigidity material (metal, ceramic, etc.) is used as the jig 2, but it is suitable to use a ceramic material 'Macol' which can be worked easily is suitable. It is also possible to use a silicon wafer for the jig 2.

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造方法に関し、特にトランジスタ型加速度センサや圧力センサなどの可動部をチップ内に有する半導体装置やエアーブリッジ配線構造などのように機械的な強度に問題がある突起物を持つ半導体装置を効率的にダイシングカットするようにした半導体装置の製造方法及びそれに用いるダイシング治具の構造に関する。 BACKGROUND OF THE INVENTION This invention relates to a method of manufacturing a semiconductor device, in particular a movable portion such as the transistor type acceleration sensor and a pressure sensor in the mechanical strength, such as semiconductor devices and air-bridge wiring structure having in a chip methods and structure of the dicing jig used therefor manufacturing a semiconductor device which is adapted to efficiently dicing a semiconductor device having a problem projections.

【0002】 [0002]

【従来の技術】従来、シリコンウェハ上に形成された半導体集積回路素子をチップ分割する方法として、通常は粘着シート上に置かれたシリコンウェハをダイシングカット装置を用いてダイシングカットを行うことによってなされていた。 Conventionally, a semiconductor integrated circuit device formed on a silicon wafer as a method for chip division, normally done by performing dicing using a dicing cutting device a silicon wafer placed on the adhesive sheet which was.

【0003】この際、シリコンの切りくずを除去したり、切断時の熱を放熱するため、また、カットが容易にできるように大量の切削水を流しながらウェハをカットしてチップ状に分割していた。 [0003] At this time, or to remove the chips of silicon, for radiating heat during cutting, also divided into chips by cutting the wafer while supplying a large amount of cutting water to allow easy cut which was.

【0004】しかしながら、チップ内に例えば、トランジスタ型加速度センサのように可動部を有する素子やエアーブリッジ配線構造のように機械的強度が弱い突起物を有する機能素子が存在する場合、この大量の切削水の圧力や表面張力により機能素子が破壊されたり、正常な動作をしなくなる。 However, for example, in a chip, if the functional element mechanical strength with weak projections as elements and air-bridge wiring structure having a movable portion as transistor type acceleration sensor is present, this large amount of cutting the pressure and the surface tension of water or destroyed functional element, not a normal operation.

【0005】この問題に対し、従来技術として、エアーブリッジ構造に関しては、特開平2−106947号公報ではウェハ上にレジストを塗布して硬化した状態でダイシングカットし、その後、オゾン雰囲気中の紫外線照射してレジストを除去する方法が提案されている。 [0005] To solve this problem, the prior art, for air bridge structures, the Japanese Patent 2-106947 discloses dicing cut cured state by applying a resist on the wafer, then UV irradiation in an ozone atmosphere method of removing resist and has been proposed.

【0006】しかるに、この方法では紫外線の当たらない領域にはレジストが残ったり、また、可動部を有する素子においてはレジスト塗布時にレジストの粘性やスピンナーの回転(角速度)により可動部が破損されたり、 [0006] However, may remain resist in a region not exposed to ultraviolet light in this way, also, or in a device having a movable part movable portion by rotation of the resist viscosity and spinner during resist coating (angular velocity) is broken,
正常動作ができなくなると共に、そのレジストを除去する好ましい方法が存在しないなどの問題がある。 Together can not operate normally, there are problems such as there is no preferred method of removing the resist.

【0007】このようにして、従来の技術では可動部や突起物を有する半導体装置を高歩留りでチップ分割をすることができないのが実状であった。 [0007] In this way, can not be a chip division was actual situation at a high yield a semiconductor device having a movable portion and projections in the prior art.

【0008】 [0008]

【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明は以上のような点に鑑みてなされたもので、半導体装置内の機能素子が有するトランジスタ型加速度センサの可動ゲートや圧力センサのダイアフラムのような可動部またはエアーブリッジ配線構造のような突起物を、ダイシングカット時にレジストなどの液体を使用することなく保護してダイシングカットすることにより、高歩留りでチップ分割をすることができるようにした半導体装置の製造方法及びそれに用いるダイシング治具を提供することを目的としている。 [SUMMARY OF THE INVENTION Therefore, the present invention has been made in view of the points mentioned above, such as transistors acceleration movable gates and of the pressure sensor diaphragm of the sensor with the functional element in the semiconductor device the projections such as the movable portion or the air-bridge wiring structure, by dicing protected without the use of a liquid such as resist at the time of dicing, the semiconductor device which can be a chip division in high yield and its object is to provide a method of manufacturing and a dicing jig used to it.

【0009】 [0009]

【課題を解決するための手段】本発明によると、上記課題を解決するために、半導体基板の表面に可動部または突起部を有する機能素子を備える半導体装置の製造方法において、前記可動部または突起部と対向する領域に凹部及び該凹部の形成領域内または領域外に真空チャック用の貫通孔が形成されたダイシング治具を用いて半導体ウェハをダイシングカットすることを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。 According to the present invention, in order to solve the problems] In order to solve the above problems, in the method of manufacturing a semiconductor device comprising a functional element having a movable portion or the projecting portion on the surface of the semiconductor substrate, the movable portion or projection the method of manufacturing a semiconductor device characterized by dicing the semiconductor wafer using part facing the dicing jig holes for vacuum chucking are formed outside the formation region or regions of the recess and the recess in the region There is provided.

【0010】また、本発明によると、前記ダイシング治具として剛性の高い金属、セラミックスなどの材料からなる治具あるいは面方位(110)のシリコンウェハや、(100)と(110)とを絶縁体などを介して接合したシリコンウェハを用いる半導体装置の製造方法が提供される。 [0010] According to the present invention, a metal having high rigidity as the dicing jig, silicon wafer and jig or the surface orientation of a material such as ceramics (110), and (100) (110) and an insulator the method of manufacturing a semiconductor device using a silicon wafer bonded via a are provided.

【0011】また、本発明によると、半導体基板の表面に可動部または突起部を有する機能素子が形成された半導体ウェハを前記ダイシング治具に搭載する工程と、ダイシングカット装置のステージからの真空引きにより前記ダイシング治具内に形成された貫通孔を介して前記半導体ウェハを吸引し、前記半導体ウェハと前記ダイシング治具とを固定する工程と、前記ダイシングカット装置により、前記半導体ウェハ裏面から表面方向に前記半導体ウェハの厚み半分以上切り込む工程と、前記半導体ウェハ裏面に粘着シートを貼り付ける工程と、前記粘着シートを貼り付ける工程の後、前記半導体ウェハの切り込みが広がる方向に前記粘着シートに引張力を与えるか、 [0011] According to the present invention, the step of mounting the semiconductor wafer function elements are formed with a movable portion or the projecting portion on the surface of the semiconductor substrate in the dicing jig, evacuation from the stage of the dicing cutting device through said dicing jig in the through-hole formed by suction the semiconductor wafer, a step of fixing the said dicing jig and the semiconductor wafer, by the dicing device, a surface direction from said semiconductor wafer back surface by tensile force the a step of cutting more than half the thickness of the semiconductor wafer, a step of attaching an adhesive sheet to the back surface of the semiconductor wafer, after the step of attaching the adhesive sheet, the adhesive sheet in the direction in which the cut spreads of the semiconductor wafer you give,
または、熱あるいは振動による衝撃を与えてチップ状に分割する工程とを含む半導体装置の製造方法が提供される。 Or, a method of manufacturing a semiconductor device including shocking due to heat or vibration and a step of dividing into chips is provided.

【0012】また、本発明によると、前記凹部の直下に前記貫通孔を形成した前記ダイシング治具の表面に第1 [0012] According to the present invention, first the surface of the dicing jig formed with the through-hole immediately below the recess
の粘着シートを貼り付ける工程と、ダイシングカット装置のステージからの真空引きにより前記ダイシング治具内に形成された貫通孔を介して前記第1の粘着シートを前記凹部に沿って吸引する工程と、前記第1の粘着シート上に、表面に可動部または突起部を有する半導体ウェハを貼り付ける工程と、前記貼り付ける工程の後、前記半導体ウェハを裏面より表面方向へフルカットでチップ毎にダイシングカットする工程と、前記ダイシング工程の後、前記半導体ウェハ裏面に第2の粘着シートを貼り付ける工程と、前記第2の粘着シートの貼り付け後、前記第1の粘着シートの粘着力を低下させてから、前記第1の粘着シートから前記半導体ウェハを剥し、前記半導体ウェハが貼り付けられた前記第2の粘着シートに引張力を与えて前記チ A step of pasting the adhesive sheet, a step of sucking along the through holes formed in the dicing jig by vacuum pumping from the stage of dicing apparatus first adhesive sheet into the recess, wherein the first adhesive sheet, a step of attaching a semiconductor wafer having a movable portion or projections on the surface, after the paste process, the dicing cut for each chip in a full-cut semiconductor wafer from the back surface toward the surface a step of, after the dicing step, the a step of sticking the second adhesive sheet to the semiconductor wafer back surface, after pasting the second adhesive sheet, thereby lowering the adhesive strength of the first adhesive sheet from, the first from the adhesive sheet peeled off the semiconductor wafer, the given tensile force to said semiconductor wafer is pasted second adhesive sheet Ji プ毎の間隔を広げる工程とを含む半導体装置の製造方法が提供される。 The method of manufacturing a semiconductor device including the step of widening the intervals of flops are provided.

【0013】また、本発明によると、半導体基板の表面に可動部または突起部を有する機能素子を備える半導体装置の製造方法において、前記半導体装置可動部または突起部の周辺を取り囲むように接着剤などの印刷できる材料で半導体ウェハ表面に壁を形成する工程と、前記半導体ウェハ表面に形成された壁上に粘着シートを貼る工程と、前記粘着シートを貼る工程の後、前記半導体ウェハの裏面より表面方向に前記半導体ウェハの厚みの半分以上切り込む工程と、前記粘着シートを前記半導体ウェハの切り込みが広がる方向に引張力または、熱や振動による衝撃を与えてチップ状に分割する工程とを含む半導体装置の製造方法が提供される。 [0013] According to the present invention, in a method of manufacturing a semiconductor device comprising a functional element having a movable portion or the projecting portion on the surface of the semiconductor substrate, an adhesive so as to surround the periphery of the semiconductor device movable portion or the projecting portion forming a wall surface of a semiconductor wafer in printable material, said a step of affixing the pressure-sensitive adhesive sheet on a wall formed on a semiconductor wafer surface, after the step of sticking the adhesive sheet, the surface from the rear surface of the semiconductor wafer the semiconductor device including the step of dividing the steps of cutting more than half of the thickness of the semiconductor wafer in the direction, the pulling force in a direction spreading the cut of the adhesive sheet wherein the semiconductor wafer or shocking due to heat or vibration into chips the method of manufacturing is provided.

【0014】また、本発明によると、半導体ウェハの表面に形成される機能素子の可動部または突起部と対向する部分に形成されるもので、前記可動部または前記突起部を保護する凹部と、該凹部の形成領域内または領域外に形成されるもので、ダイシング装置の真空チャックステージからのバキューム吸引により前記半導体ウェハを固定する貫通孔とを有することを特徴とするダイシング治具が提供される。 [0014] According to the present invention, intended to be formed in a portion facing the movable portion or the protruding portion of the functional element formed on the surface of the semiconductor wafer, and a recess to protect the movable portion or the projecting portion, those formed outside forming region or regions of the recess, the dicing jig is provided and having a through hole for fixing the semiconductor wafer by vacuum suction from the vacuum chuck stage of the dicing device .

【0015】さらに、本発明によると、前記治具の周縁部にパッキングを挿入する溝と、前記溝の底面から上方にガスを吹き出す構造を有することを特徴とするダイシング治具が提供される。 Furthermore, according to the present invention, a groove for inserting the packing periphery of the jig, the dicing jig and having a structure for blowing gas upwardly from the bottom surface of the groove is provided.

【0016】 [0016]

【作用】本発明の半導体装置の製造方法の一態様によれば、ダイシングカット時、ウェハはダイシング治具内のウェハ固定用真空チャック貫通孔を介して、ダイシングカット装置の真空チャックステージからのバキューム吸引により固定される。 According to one aspect of the method for manufacturing the semiconductor device of the present invention, when diced, the wafer through the wafer fixing the vacuum chuck holes in the dicing jig vacuum from the vacuum chuck stage of dicing device It is fixed by suction.

【0017】その際、半導体装置の可動部や突起物はダイシング治具の凹部により保護される。 [0017] At that time, the movable portion and the projections of the semiconductor device is protected by the recess of the dicing jig.

【0018】上記の構成により、レジストなどの液体を可動部などの固定に用いる必要がないために、レジストなどの液体の塗布や除去工程をなくすことができ、可動部や突起物のある半導体装置のダイシングカットを効率的に行うことが可能となる。 [0018] With the above configuration, a liquid such as resist is not necessary to use a fixed, such as the movable portion, the resist can be eliminated liquid coating or removal process, such as, a semiconductor device with a movable portion or projection it is possible to perform the dicing efficiently.

【0019】従って、本発明によれば、可動部または突起部を有する半導体装置が形成されたウェハを高歩留りでチップ分割することができる。 [0019] Therefore, according to the present invention, it is possible to chip dividing a wafer on which a semiconductor device having a movable portion or the protruding portion is formed in high yield.

【0020】 [0020]

【実施例】以下図面を参照して本発明の実施例につき説明する。 EXAMPLES Referring to the drawings will be described embodiments of the present invention.

【0021】(第1の実施例)この第1の実施例では、 [0021] (First Embodiment) The first embodiment,
図1に示すように、各チップ内に可動部や突起物を有する半導体装置が複数個形成されている円盤状のウェハ1 As shown in FIG. 1, a disk-shaped wafer 1 on which the semiconductor device is a plurality formed having a movable portion and a protrusion in each chip
に対応する可動部または突起物保護用凹部2a、ウェハ固定用真空チャック穴となる貫通孔2b、ウェハ支持用のOリング2c及びエアー導入口2dとエアー吹出し口2eとを有するダイシング治具2を用いて、図2に示すような工程フローによりダイシングカットを実行する。 Corresponding movable section or posts protective recess 2a, the through-hole 2b of the wafer fixing the vacuum chuck holes, a dicing jig 2 having an O-ring 2c and the air inlet 2d and the air blowing port 2e of the wafer support using executes dicing the process flow as shown in FIG.

【0022】なお、本発明で使用するダイシング治具2 [0022] In addition, the dicing jig 2 to be used in the present invention
の材料としては剛性の高い材料(金属、セラミックス等)を用いるものとするが、加工が容易なセラミックス材料マコールが適している。 The material is assumed to use a material having high rigidity (metal, ceramic, etc.), processing is suitable for easy ceramic material Macor.

【0023】また、治具2の他の材料としてはシリコンウェハを用いてもよい。 [0023] As another material of the jig 2 may be a silicon wafer.

【0024】なお、ダイシング治具2としてシリコンウェハを用いる場合、方位面(110)や、(100)と(110)とを酸化膜や多結晶シリコンなどを介して接合したウェハなどでもよい。 [0024] In the case of using a silicon wafer as a dicing jig 10, the orientation plane (110) or, (100) and (110) and the like may be wafer bonded via a oxide film or a polycrystalline silicon.

【0025】そして、治具2に形成する絶縁膜穴や凹部の加工方法としてはKOHなどのアルカリ性異方性エッチングやレーザー加工などがある。 [0025] Then, as a processing method of the insulating film holes or recesses formed in the jig 2 and the like alkaline anisotropic etching or laser processing, such as KOH.

【0026】また、エアー吹出し口2eとしての溝内に挿入されるOリング2cによりダイシング治具2の周縁部が中央部より高くなって、ウェハ1の反りが発生したときに備えて、ウェハ1の反りを抑える方向に治具2の中央部に必要とする高さの突起部(図示せず)を設けるようにしてもよい。 Further, the periphery of the dicing jig 2 becomes higher than the central portion by an O-ring 2c which is inserted into the groove of the air blowing port 2e, in the event that a warp of the wafer 1 has occurred, the wafer 1 projections of warping requires the center portion of the jig 2 in a direction to reduce the height may be provided (not shown).

【0027】なお、以下の説明ではウェハ1の各チップに形成される機能素子が有する可動部や突起物を総称してセンサ1aとして説明するものとする。 [0027] In the following description shall be described as a sensor 1a are collectively moving or protrusions included in the functional element formed in each chip of the wafer 1.

【0028】次に、第1の実施例によるダイシングカットの工程フローについて図2を参照して説明する。 Next, with reference to FIG. 2 described process flow of by dicing the first embodiment.

【0029】(1)先ず、図2(a)に示すようにダイシング治具2をダイシングカット装置の真空チャックステージ(図示せず)上に載せる。 [0029] (1) First, placed on a vacuum chuck stage of the dicing jig 2 dicing device (not shown) as shown in FIG. 2 (a).

【0030】(2)続いて、図2(b)に示すように可動部または突起物(センサ1a)を有する半導体装置が形成されたウェハ1をアライメント後、ダイシング治具2上に載せる。 [0030] (2) Subsequently, after the alignment of the wafer 1 on which a semiconductor device is formed to have a movable portion or protrusion (sensor 1a) as shown in FIG. 2 (b), placed on the dicing jig 2.

【0031】この際、ダイシング治具2の凹部2aはセンサ1aを十分に保護することができる形状となっているものとする。 [0031] At this time, the recess 2a of the dicing jig 2 is assumed to be a shape that can sufficiently protect the sensor 1a.

【0032】また、素子パターンと治具凹部との位置合わせの方法としては、光学プローブにより両方のパターンを同時に観察し、画像認識装置で位置合わせを行うようにしたり、予め、素子が形成されたウェハに対し、ダイシングラインでカット成形しておき、治具側にも段差を設けてそこに合わせる等の方法をとることができる。 Further, as a method for alignment of the device pattern and the jig recess, to observe both patterns simultaneously by optical probes, or to perform alignment by the image recognition device, in advance, elements are formed wafer to, leave cut molded by dicing lines, it is possible to employ a method such as fit therein also provided with a step on the jig side.

【0033】ただし、ダイシングラインでカットしておく方法は、センサ1aがその製造プロセスの過程で固定されている必要がある。 [0033] However, the method to be cut with the dicing lines, it is necessary to sensor 1a is fixed in the course of the manufacturing process.

【0034】(3)次に、図2(c)に示すようにダイシングカット装置の真空チャックステージ(図示せず) [0034] (3) Next, (not shown) the vacuum chuck stage of dicing apparatus as shown in FIG. 2 (c)
のバキューム吸引によりダイシング治具2およびウェハ1を固定する。 By the vacuum suction for fixing the dicing jig 2 and the wafer 1.

【0035】なお、ダイシング治具2のウェハ固定用真空チャック穴としての貫通孔2bの位置および個数は、 [0035] The position and number of the through-hole 2b of the vacuum chuck holes for wafer fixing dicing jig 2,
ウェハ1がダイシングカット時にずれることなく固定されればよく、その条件を満たせばどこに形成してもよい。 It is sufficient wafer 1 is fixed without deviation during dicing cut, it may be formed anywhere satisfy the condition.

【0036】また、ダイシング治具2の外周縁部に設けたOリング2cおよびエアー吹出し口2eはダイシングカット時に用いられる研削水の侵入を防止するためのものであるが、研削水が侵入しなければ、Oリング2cまたはエアー吹き出し(吹き出しは他のガスでもよい)のいずれかであってもよいが、望ましくは両方備えるのが好ましい。 Further, although O-ring 2c and the air blowing port 2e provided on the outer peripheral edge of the dicing jig 10 is used to prevent the grinding water used during dicing intrusion, grinding water it is not invaded if, balloon O-ring 2c or air (balloon can also be other gas) may be any of, but preferably preferably comprises both.

【0037】そして、ウェハ1およびダイシング治具2 [0037] Then, the wafer 1 and the dicing jig 2
の固定後にダイシングカット1bを行うが、このダイシングカット1bの切り込み深さは極力深くして(ウェハ1の半分以上の切り込み深さが望ましい)、後のチップ分割を容易にする。 Of performs the fixed after dicing 1b, to facilitate the cutting depth of the dicing 1b is as much as possible deeper (more than half the cutting depth of the wafer 1 is desired), after the chip division.

【0038】(4)次に、図2(d)に示すようにダイシングカット装置のバキューム吸収を停止し、切り込みを入れて強度的に弱くなっているウェハ1をダイシングカット装置から外すためにダイシングカット用粘着シート3で貼り付ける。 [0038] (4) Next, dicing to disengage stop the vacuum absorption of the dicing apparatus, as shown in FIG. 2 (d), the wafer 1 that is the strength to weak incisions from dicing device paste cut pressure-sensitive adhesive sheet for 3.

【0039】(5)図2(e)に示すようにダイシング治具2からウェハ1を外した後、図2(f)に示すようにチップ分割する。 [0039] (5) After the dicing jig 2 Remove the wafer 1 as shown in FIG. 2 (e), it separates the die as shown in FIG. 2 (f).

【0040】このチップ分割の方法としては例えば、エキスパンディングによる方法やヒートショックを与えたり、もしくは、図2(d)に示したような状態でローラー等をウェハ1上に転がしたりして振動によって分割するか、レーザ光の照射によりカットするなどの方法がある。 [0040] As a method for the chip dividing for example, or give way or heat shock expander loading, or by vibration or rolling a roller or the like on the wafer 1 in a state as shown in FIG. 2 (d) or split, there is a method such as cutting by laser light irradiation.

【0041】(第2の実施例)図2に示した第1の実施例では、ダイシングカット時フルカットしないために、 [0041] (Second Embodiment) In the first embodiment shown in FIG. 2, in order not to full-cut dicing cut,
ダイシングカット後にチップ分割を行う工程が必要となる。 The step of performing chip division after dicing becomes is required.

【0042】次に、フルカットによりこのチップ分割工程を削除する例について述べる。 Next, we described an example of deleting the chip dividing step by full cut.

【0043】この場合に使用するダイシング治具2Aは図3、4に示すように、図1からOリング2c、エアー導入孔2d及びエアー吹出し口2eを削除し、貫通孔2 [0043] As the dicing jig 2A to be used in this case are shown in FIGS. 3 and 4, to remove the O-ring 2c, air introducing hole 2d and the air blowing port 2e from Figure 1, the through-hole 2
dを凹部2aの直下に形成してある。 The d is formed directly under the recess 2a.

【0044】ダイシング治具2Aの材料は微細機械加工が容易にできるセラミックス製マコールでも、KOHなどのアルカリ性異方性エッチングにより加工できる面方位(110)や(100)と(110)とを絶縁物などで接合したシリコンウェハでもよい。 [0044] Also in ceramic Macor material of the dicing jig 2A is capable to easily micromachining, surface orientation (110) which can be processed by alkaline anisotropic etching such as KOH or (100) and (110) and an insulator it may be a silicon wafer joined with like.

【0045】次に、第2の実施例によるダイシングカットの工程フローについて図5を参照して説明する。 Next, with reference to FIG. 5 described process flow of dicing according to the second embodiment.

【0046】(1)先ず、図5(a)に示すように、この実施例では凹部2aの一部に貫通孔2bを設けているダイシング治具2Aが用いられる。 [0046] (1) First, as shown in FIG. 5 (a), the dicing jig 2A is used that is provided with the through hole 2b in the portion of the recess 2a in this embodiment.

【0047】なお、凹部は治具の構造上貫通孔の径が小さい場合必要となるが、貫通孔のみでもよい。 [0047] Incidentally, the concave portion is necessary when the diameter of the structural holes jig is small, it may be only a through-hole.

【0048】(2)次に、図5(b)に示すようにダイシング治具2Aの表面に熱硬化性粘着シート4を粘着面を上側にしてセットした状態で図示しない真空チャック上に治具2Aを置き、ダイシング治具2Aの貫通孔2b [0048] (2) Next, the jig a thermosetting adhesive sheet 4 on a vacuum chuck (not shown) in a state of being set in the adhesive surface on the upper side surface of the dicing jig 2A as shown in FIG. 5 (b) Place 2A, the dicing jig 2A through hole 2b
を通して熱硬化性粘着シート4をバキュームにより凹部2aに沿って吸い付ける。 It attracts a thermosetting adhesive sheet 4 along the recess 2a by vacuum through.

【0049】(3)次に、図5(c),(d)に示すように、ウェハ1を熱硬化性粘着シート4の粘着面に密着させる。 [0049] (3) Next, FIG. 5 (c), the (d), the adhering the wafer 1 to the adhesive surface of the thermosetting adhesive sheet 4.

【0050】この場合、例えばウェハパターンと治具パターンを画像認識により合わせてからウェハ1とダイシング治具2Aとを粘着シートを介して密着させる。 [0050] In this case, for example, to adhere the wafer 1 and the dicing jig 2A from combined by image recognition a wafer pattern and the jig pattern through the adhesive sheet.

【0051】(4)次に、図5(e)に示すように、ウェハ1の裏面側より、図示しないダイシングカット装置の刃が熱硬化性粘着シート4に達するまでウェハ1に対してチップ毎にフルカット1cを行う。 [0051] (4) Next, as shown in FIG. 5 (e), from the back side of the wafer 1, for each chip on the wafer 1 to the edge of the dicing device (not shown) reaches a thermosetting adhesive sheet 4 do a full cut 1c to.

【0052】その後、加熱により熱硬化性粘着シート4 [0052] Thereafter, the thermosetting adhesive sheet 4 by heating
の粘着力を低下させ、再度ウェハ裏面に紫外線硬化性粘着シート(図示せず)を貼って、通常のエキスパンディングにより図5(f)に示すようにチップ毎の間隔を広げる。 Of the adhesive strength is lowered, put a UV-curable adhesive sheet to the wafer back surface again (not shown), increase the distance of each chip as shown in FIG. 5 (f) by conventional expander loading.

【0053】この場合、ウェハ裏面に紫外線硬化性粘着シートを貼り付けてから、加熱により熱硬化性粘着シート4の粘着力を低下させるようにしてもよい。 [0053] In this case, the paste the ultraviolet-curable adhesive sheet to the wafer backside, it may be to lower the adhesive force of the thermosetting adhesive sheet 4 by heating.

【0054】(第3の実施例)これまでの実施例ではダイシング治具を使用してのダイシングカットを行う方法であったが、図6に示す第3の実施例では治具を使用せずにダイシングカットする方法である。 [0054] Although a method of performing dicing cut using a dicing jig in (third embodiment) the previous embodiment, without using the jig in the third embodiment shown in FIG. 6 it is a method for dicing cut.

【0055】次に、この第3の実施例によるダイシングカットの工程フローについて図6を参照して説明する。 Next, it will be described with reference to FIG. 6 process flow of the third embodiment according to dicing.

【0056】(1)先ず、図6(a)に示すように、可動部を有する半導体センサなどの半導体装置が形成されたウェハ1のセンサ1aの周辺にそれを取り巻く壁1d [0056] (1) First, as shown in FIG. 6 (a), the wall 1d surrounding it around the sensor 1a of the wafer 1 on which a semiconductor device such as a semiconductor sensor is formed with a movable portion
を形成するために接着剤などを例えばスクリーン印刷法により印刷する。 Printing by an adhesive or the like for example screen printing method to form a.

【0057】この際、後の工程で貼り付ける粘着シート5がダイシングカット時にセンサ1aに触れないようにフィラーなど入れるなどしてできるだけ接着剤の高さを高くし、また、センサ1aと接着剤との距離をできるだけ近づける。 [0057] At this time, the adhesive sheet 5 to paste in a subsequent step to increase the height of the possible adhesives them by putting like filler so as not to touch the sensor 1a at the time of dicing cut, also the sensor 1a adhesive close the distance as much as possible.

【0058】その後、オーブンなどを用いて加熱することにより接着剤を硬化させて壁1dを形成する。 [0058] Thereafter, by curing the adhesive to form a wall 1d by heating by using a oven.

【0059】(2)次に、図6(b)に示すようにウェハ1をウェハマウンタ真空チャック6に乗せて固定する。 [0059] (2) Next, the wafer 1 as shown in FIG. 6 (b) securing placed on a wafer mounter vacuum chuck 6.

【0060】(3)次に図6(c)に示すようにウェハ1の表面側において接着剤の印刷により形成された壁1 [0060] (3) next to FIG 6 (c) as shown in formed by printing the adhesive on the surface side of the wafer 1 wall 1
d上に粘着シート5を貼り付ける。 Paste a pressure-sensitive adhesive sheet 5 on the d.

【0061】(4)続いて、図6(d)に示すようにダイシングカット装置ステージの真空チャック7上に、粘着シート5を貼り付けたウェハ1を接着剤が印刷されて壁1dが形成された面を真空チャック7側に乗せて固定する。 [0061] (4) Subsequently, on the dicing device vacuum chuck 7 of the stage as shown in FIG. 6 (d), is the wall 1d is formed adhesive printed wafer 1 stuck adhesive sheet 5 the surface fixes placed on a vacuum chuck 7 side.

【0062】(5)次に、図6(e)に示すようにウェハ1の裏面よりダイシングカット1bを行う。 [0062] (5) Next, the dicing cut 1b from the back surface of the wafer 1 as shown in FIG. 6 (e).

【0063】このときのウェハの切り込み深さはできるだけ深くする(切り込み深さはウェハの厚みの半分以上とする)。 [0063] cutting depth is as deep as possible of the wafer at this time (cutting depth shall not be less than half of the thickness of the wafer).

【0064】(6)次に、図6(f)に示すように、ウェハ1を真空チャック7から外し、その後のチップ分割は第1の実施例で述べた方法と同様に行う。 [0064] (6) Next, as shown in FIG. 6 (f), removing the wafer 1 from the vacuum chuck 7, subsequent division into chips is carried out similarly to the method described in the first embodiment.

【0065】なお、第1の実施例において、ウェハ載置兼封止用のパッキングとなるOリング1cの代わりに変形しやすいシリコンゴムを用いるようにしてもよい。 [0065] In the first embodiment, it may be used deformable silicone rubber instead of the O-ring 1c serving as a packing for the wafer mounting 置兼 sealing.

【0066】また、第2の実施例において、ウェハ裏面に貼り付ける紫外線硬化性粘着シートの代わりに、熱硬化性粘着シート4よりも耐熱性の高い熱硬化性粘着シートを用いるようにしてもよい。 [0066] In the second embodiment, in place of the ultraviolet-curable adhesive sheet affixed to the wafer backside, it may be used a high heat-curable adhesive sheet thermal resistance than the heat-curable adhesive sheet 4 .

【0067】また、第2の実施例において、熱硬化性粘着シート4とダイシング治具2Aとの接合はダイシング治具2Aの貫通孔2bからのバキューム吸引によるが、 [0067] In the second embodiment, bonding between the thermosetting adhesive sheet 4 and the dicing jig 2A is dependent on the vacuum suction from the through-hole 2b of the dicing jig 2A,
この際、バキュームの吸引力に応じ、貫通孔2bの径の大きさ、位置、数を決めるものとすると共に、熱硬化性粘着シート4が凹部2aに沿って撓むようになれば、貫通孔2bは必ずしも凹部2a内に設けなくてもよい。 At this time, depending on the suction force of the vacuum, the diameter of the through hole 2b, position, as well as those that determine the number, the thermosetting adhesive sheet 4 is if the flex along the recess 2a, the through-hole 2b is It not necessarily provided in the recess 2a.

【0068】 [0068]

【発明の効果】従って、以上詳述したように本発明によれば、半導体装置内の機能素子が有するトランジスタ型加速度センサの可動ゲートや圧力センサのダイアフラムのような可動部またはエアーブリッジ配線構造のような突起物を、ダイシングカット時にレジストなどの液体を使用することなく保護してダイシングカットすることにより、高歩留りでチップ分割をすることができるようにした半導体装置の製造方法及びそれに用いるダイシング治具を提供することが可能となる。 Effect of the Invention] Thus, according to the present invention as described in detail above, the movable gate and a pressure sensor of the transistor type acceleration sensor having the functional element in the semiconductor device of the movable portion or the air-bridge wiring structure such as a diaphragm the projections such as by dicing protected without the use of a liquid such as resist at the time of dicing, a dicing jig used manufacturing method and that of the semiconductor apparatus which can be a chip division in high yield it is possible to provide a tool.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】第1の実施例に用いるダイシング治具と半導体ウェハとの対応関係をそれぞれ半分に切欠いて示す図。 FIG. 1 is a diagram showing notched half respectively the correspondence between the dicing jig and the semiconductor wafer used in the first embodiment.

【図2】第1の実施例によるダイシングの工程フローを示す図。 Figure 2 illustrates a dicing process flow according to the first embodiment.

【図3】第2の実施例に用いるダイシング治具と半導体ウェハとの対応関係をそれぞれ半分に切欠いて示す図。 FIG. 3 is a diagram showing notched half respectively the correspondence between the dicing jig and the semiconductor wafer used in the second embodiment.

【図4】第2の実施例に用いるダイシング治具の断面図。 4 is a cross-sectional view of the dicing jig used in the second embodiment.

【図5】第2の実施例によるダイシングの工程フローを示す図。 5 is a diagram showing a dicing process flow according to the second embodiment.

【図6】第3の実施例によるダイシングの工程フローを示す図。 6 shows a dicing process flow according to a third embodiment.

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1…可動部または突起部付き半導体ウェハ、1a…センサ(可動部または突起部)、2…ダイシング治具、2a 1 ... movable portion or the projecting portion with the semiconductor wafer, 1a ... sensor (movable portion or the protrusions), 2 ... dicing jig, 2a
…可動部または突起部保護用凹部、2b…ウェハ固定用真空チャック貫通孔、2c…Oリング、2d…エアー導入孔、2e…エアー吹出し口(Oリング挿入用溝)、3 ... movable portion or the protruding portion protective recess, 2b ... wafer fixing the vacuum chuck holes, 2c ... O-ring, 2d ... air introduction hole, 2e ... air blowing opening (O-ring insertion groove), 3
…粘着シート。 ... pressure-sensitive adhesive sheet.

Claims (7)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】 半導体基板の表面に可動部または突起部を有する機能素子を備える半導体装置の製造方法において、 前記可動部または突起部と対向する領域に凹部及び該凹部の形成領域内または領域外に真空チャック用の貫通孔が形成されたダイシング治具を用いて半導体ウェハをダイシングカットすることを特徴とする半導体装置の製造方法。 1. A method of manufacturing a semiconductor device on the surface of the semiconductor substrate comprises a functional element having a movable portion or the projecting portion, the movable portion or the protruding portion opposed to the formation region of the recess and the recess in the region or outside the region the method of manufacturing a semiconductor device characterized by dicing the semiconductor wafer using a dicing jig holes for vacuum chucking are formed on.
  2. 【請求項2】 前記ダイシング治具として剛性の高い金属、セラミックスなどの材料からなる治具あるいは面方位(110)のシリコンウェハや、(100)と(11 2. A metal having high rigidity as the dicing jig, silicon wafer and jig or the surface orientation of a material such as ceramics (110), and (100) (11
    0)とを絶縁体などを介して接合したシリコンウェハを用いる請求項1記載の半導体装置の製造方法。 0) and a method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein a silicon wafer is bonded via a insulator.
  3. 【請求項3】 半導体基板の表面に可動部または突起部を有する機能素子が形成された半導体ウェハを前記ダイシング治具に搭載する工程と、 ダイシングカット装置のステージからの真空引きにより前記ダイシング治具内に形成された貫通孔を介して前記半導体ウェハを吸引し、前記半導体ウェハと前記ダイシング治具とを固定する工程と、 前記ダイシングカット装置により、前記半導体ウェハ裏面から表面方向に前記半導体ウェハの厚み半分以上切り込む工程と、 前記半導体ウェハ裏面に粘着シートを貼り付ける工程と、 前記粘着シートを貼り付ける工程の後、前記半導体ウェハの切り込みが広がる方向に前記粘着シートに引張力を与えるか、または、熱あるいは振動による衝撃を与えてチップ状に分割する工程とを含む請求項1記載の 3. A mounting a semiconductor wafer on which a functional element is formed with a movable portion or the projecting portion on the surface of the semiconductor substrate in the dicing jig, the dicing jig by vacuum pumping from the stage of the dicing cutting device the semiconductor wafer is sucked through a through-hole formed within a step of fixing the said dicing jig and the semiconductor wafer, by the dicing device, the semiconductor wafer surface direction from said semiconductor wafer back surface a step of cutting more than half the thickness, the step of attaching an adhesive sheet to the back surface of the semiconductor wafer, after the step of attaching the adhesive sheet, or providing a tensile force to the adhesive sheet in a direction spreading the cut of the semiconductor wafer, or , according to claim 1, wherein heat or by applying an impact by vibration and a step of dividing into chips 導体装置の製造方法。 Method of manufacturing a conductor arrangement.
  4. 【請求項4】 前記凹部の直下に前記貫通孔を形成した前記ダイシング治具の表面に第1の粘着シートを貼り付ける工程と、 ダイシングカット装置のステージからの真空引きにより前記ダイシング治具内に形成された貫通孔を介して前記第1の粘着シートを前記凹部に沿って吸引する工程と、 前記第1の粘着シート上に、表面に可動部または突起部を有する半導体ウェハを貼り付ける工程と、 前記貼り付ける工程の後、前記半導体ウェハを裏面より表面方向へフルカットでチップ毎にダイシングカットする工程と、 前記ダイシング工程の後、前記半導体ウェハ裏面に第2 4. A paste first adhesive sheet to the surface of the dicing jig formed with the through-hole immediately below the recess step, the evacuation from the stage of dicing apparatus in the dicing jig a step of through the through-hole formed for sucking along said first adhesive sheet in the recess, the first adhesive sheet, a step of attaching a semiconductor wafer having a movable portion or the protruding portion on the surface after the pasting step, the a step of dicing into chips in a full-cut semiconductor wafer from the back surface toward the surface, after the dicing step, the second to the semiconductor wafer back surface
    の粘着シートを貼り付ける工程と、 前記第2の粘着シートの貼り付け後、前記第1の粘着シートの粘着力を低下させてから、前記第1の粘着シートから前記半導体ウェハを剥し、前記半導体ウェハが貼り付けられた前記第2の粘着シートに引張力を与えて前記チップ毎の間隔を広げる工程とを含む請求項1記載の半導体装置の製造方法。 A step of joining the adhesive sheet, after pasting the second adhesive sheet, and thus reduce the adhesive strength of the first adhesive sheet, peeled off the semiconductor wafer from said first adhesive sheet, the semiconductor the method according to claim 1, further comprising a step of giving a tensile force to the second pressure-sensitive adhesive sheet wafer is attached widening the intervals of the chip.
  5. 【請求項5】 半導体基板の表面に可動部または突起部を有する機能素子を備える半導体装置の製造方法において、 前記半導体装置可動部または突起部の周辺を取り囲むように接着剤などの印刷できる材料で半導体ウェハ表面に壁を形成する工程と、 前記半導体ウェハ表面に形成された壁上に粘着シートを貼る工程と、 前記粘着シートを貼る工程の後、前記半導体ウェハの裏面より表面方向に前記半導体ウェハの厚みの半分以上切り込む工程と、 前記粘着シートを前記半導体ウェハの切り込みが広がる方向に引張力または、熱や振動による衝撃を与えてチップ状に分割する工程とを含む半導体装置の製造方法。 5. A method of manufacturing a semiconductor device comprising a functional element having a movable portion or the projecting portion on the surface of the semiconductor substrate, the printing can be a material such as an adhesive so as to surround the periphery of the semiconductor device movable portion or the projecting portion forming a wall surface of a semiconductor wafer, wherein the step of affixing the pressure-sensitive adhesive sheet to the semiconductor wafer surface which is formed in the wall, after the step of sticking the adhesive sheet, the semiconductor wafer back surface than the surface direction of the semiconductor wafer a step of half cuts over the thickness, the tensile force in the spreading direction is cut in the adhesive sheet wherein the semiconductor wafer or the semiconductor device manufacturing method including impacting due to heat or vibration and a step of dividing into chips.
  6. 【請求項6】 半導体ウェハの表面に形成される機能素子の可動部または突起部と対向する部分に形成されるもので、前記可動部または前記突起部を保護する凹部と、 Wherein one formed in a portion facing the movable portion or the protruding portion of the functional element formed on the surface of the semiconductor wafer, and a recess to protect the movable portion or the projecting portion,
    該凹部の形成領域内または領域外に形成されるもので、 Those formed outside forming region or regions of the recess,
    ダイシング装置の真空チャックステージからのバキューム吸引により前記半導体ウェハを固定する貫通孔とを有することを特徴とするダイシング治具。 Dicing jig and having a through hole for fixing the semiconductor wafer by vacuum suction from the vacuum chuck stage of the dicing apparatus.
  7. 【請求項7】 前記治具の周縁部にパッキングを挿入する溝と、 前記溝の底面から上方にガスを吹き出す構造を有することを特徴とする請求項6記載のダイシング治具。 7. A groove for inserting the packing periphery of the jig, the dicing jig according to claim 6, characterized in that it has a structure for blowing gas upwardly from the bottom surface of the groove.
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