JPH08222128A - Electrode formation for display panel - Google Patents

Electrode formation for display panel

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JPH08222128A
JPH08222128A JP2518195A JP2518195A JPH08222128A JP H08222128 A JPH08222128 A JP H08222128A JP 2518195 A JP2518195 A JP 2518195A JP 2518195 A JP2518195 A JP 2518195A JP H08222128 A JPH08222128 A JP H08222128A
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film
surface
glass substrate
nickel
transparent conductive
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JP2518195A
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Japanese (ja)
Inventor
Yorio Kamata
Masayuki Shiraishi
政行 白石
順夫 鎌田
Original Assignee
Fujitsu Ltd
富士通株式会社
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Abstract

PURPOSE: To improve the productivity for electrode formation by forming a transparent conducting film on a glass substrate, depositing nickel by electroless plating, depositing copper thicker than it by electrolytic plating, and forming metal film electrodes.
CONSTITUTION: The surface of a glass substrate 11 is coated with a silica film 11a, and it is roughened by a strong alkaline solution. An ITO film is formed on it, then it is patterned into stripes by photolithography to form a transparent conducting film 41. Nickel is deposited to cover the whole substrate 11 by electroless plating to form a backing layer 421, it is dipped in the solution mainly made of copper sulfate, and copper is deposited thicker than the backing layer 421 by electrolytic plating to form a main conducting layer 422. Adhesiveness is increased by heat treatment, the backing layer 421 and main conducting layer 422 are integrally patterned by photolithography, the surface is cleaned, a nickel film layer 423 is deposited by electroless plating, and metal films 42 of electrode X, Y are formed.
COPYRIGHT: (C)1996,JPO

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【産業上の利用分野】本発明は、プラズマディスプレイパネル(PDP)のように透明導電膜と金属膜とからなる電極を有した表示パネルの製造のための電極形成方法に関する。 The present invention relates to relates to an electrode forming process for the production of a display panel having an electrode made of a transparent conductive film and a metal film as a plasma display panel (PDP).

【0002】PDPは、視認性に優れた表示パネル(薄型表示デバイス)として注目されており、ハイビジョン分野などへの用途の拡大に向けて高精細化および大画面化が進められている。 [0002] The PDP has been attracting attention as a display panel with excellent visibility (flat-panel display device), high-definition and large screen towards the expansion of the application to such as high-definition field has been promoted. このため、大型のPDPに適し生産性に優れた製造技術が望まれている。 Therefore, manufacturing techniques has been desired which is excellent in productivity suitable for large of the PDP.

【0003】 [0003]

【従来の技術】PDPは、一対の基板(通常はガラス板)を微小間隙を設けて対向配置し、周囲を封止することによって内部に放電空間を形成した自己発光型の表示パネルである。 BACKGROUND ART PDP is (usually a glass plate) a pair of substrates opposed to place the provided small gap, which is a display panel of self-luminous type forming the inside discharge space by sealing the periphery.

【0004】一般に、PDPにおいて、表示面側の基板に配置される電極は、ITO膜又はネサ膜などの透明導電膜と金属膜とからなる。 In general, in the PDP, the electrodes disposed on the substrate on the display surface side is composed of a transparent conductive film and a metal film such as an ITO film or nesa film. 金属膜は、透明導電膜が比較的に高抵抗であることから、電極全体の抵抗を低減するために設けられている。 Metal film, since the transparent conductive film is high resistivity relatively, is provided in order to reduce the overall electrode resistance.

【0005】従来、このような金属膜の成膜には、スパッタ及び真空蒸着に代表されるいわゆるドライプロセス法が広く用いられていた。 Conventionally, the deposition of the metal film, the so-called dry process has been used widely typified by sputtering and vacuum deposition. ドライプロセス法によれば、 According to the dry process,
透明導電膜及び基板との密着性に優れ、且つ導電性の点で十分な厚さの多層金属膜を得ることができる。 Excellent adhesion to the transparent conductive film and the substrate, and a conductive point be able to obtain a multi-layer metal film of sufficient thickness.

【0006】 [0006]

【発明が解決しようとする課題】しかし、ドライプロセスによる成膜は真空中で行わなければならない。 The object of the invention is to be Solved However, the film formation by the dry process must be carried out in a vacuum. そのため、画面が大型になるにつれて、真空チャンバのスループットが下がることから、生産性の面で不利であるという問題があった。 Therefore, the screen as large in size, since the throughput of the vacuum chamber is lowered, there is a problem that it is disadvantageous in terms of productivity.

【0007】なお、無電解めっき法(化学めっき法)によって、下地金属としてのニッケル(Ni)と主導電材料としての銅(Cu)とを、順に透明導電膜の上のみに析出させる試みがなされている(特開平2−83533 [0007] Incidentally, by an electroless plating method (chemical plating method), and copper (Cu) as a main conductive material and nickel (Ni) as a base metal, an attempt to deposit only the order on the transparent conductive film made and that (JP-A-2-83533
号)。 issue). ただし、この場合には、銅の剥離を防ぐために、 However, in this case, in order to prevent the peeling of copper,
ニッケルと銅との間にAu、Snなどの耐食性金属を設けなければならない。 It must be provided Au, a corrosion resistant metal such as Sn between the nickel and copper.

【0008】本発明は、上述の問題に鑑みてなされたもので、下層との密着性が良好で且つ所定の導電性を有した金属膜を効率的に成膜し、電極形成の生産性を高めることを目的としている。 [0008] The present invention has been made in view of the above problems, a metal film adhesion to the lower layer had a good and a predetermined conductive and efficiently deposited, the productivity of the electrode forming It is intended to be enhanced.

【0009】 [0009]

【課題を解決するための手段】請求項1の発明の電極形成方法は、図1及び図2に示すように、ガラス基板上に透明導電膜とそれに重なる金属膜とからなる電極を有した表示パネルの製造に際して、前記ガラス基板の上に前記透明導電膜を形成し、当該透明導電膜の表面を含めて前記ガラス基板の表面の全体を被覆するように、無電解めっき法によってニッケルを析出させた後、酸性の銅めっき溶液を用いる電解めっき法によって、銅を前記ニッケルよりも厚く析出させて前記金属膜を形成する方法である。 Electrode forming method of the object solutions for invention of claim 1, as shown in FIGS. 1 and 2, a display having an electrode made of a metal film overlaps it with a transparent conductive film on a glass substrate in the production of panels, the forming the transparent conductive film on a glass substrate so as to cover the whole of the transparent conductive film surface, including the surface of the glass substrate, to precipitate nickel by electroless plating It was followed by electrolytic plating using the copper plating solution of the acid, a method of the copper thick precipitate than the nickel to form the metal film.

【0010】請求項2の発明の電極形成方法は、前記銅からなるめっき膜の表面をニッケルによって被覆するものである。 [0010] electrode forming method of the second aspect of the present invention, the surface of the plating film made of the copper is to covered by nickel. 請求項3の発明の電極形成方法は、前記透明導電膜を形成する以前に、前記ガラス基板の表面を二酸化珪素によって被覆し、その被覆膜の表面を化学的に粗面化するものである。 Electrode forming method of the invention of claim 3, prior to forming the transparent conductive film, the surface of the glass substrate coated with silicon dioxide, is to chemically roughening the surface of the coating film .

【0011】請求項4の発明の電極形成方法は、前記透明導電膜をITO膜とするものである。 [0011] electrode forming method of the invention of claim 4, the transparent conductive film in which the ITO film. 請求項5の発明の電極形成方法は、前記透明導電膜をネサ膜とするものである。 Electrode forming method of the invention of claim 5, the transparent conductive film in which a NESA film.

【0012】 [0012]

【作用】ニッケルの析出によって、ガラス基板の表面の全体を被覆する導電性の下地層が形成される。 The [action] deposition of nickel, a conductive underlying layer that covers the entire surface of the glass substrate.

【0013】下地膜をめっき電極とする電解めっきによって、導電性を確保する上で十分な厚さの銅からなる主導電層が形成される。 [0013] by electrolytic plating using as a base film for plating electrodes, a main conductive layer made of sufficient thickness of the copper in ensuring conductivity is formed. このとき、銅めっき溶液が酸性であれば、下地層の剥離が生じない。 At this time, the copper plating solution, if acidic, no peeling of the underlying layer.

【0014】 [0014]

【実施例】図1は本発明に係るPDP1の分解斜視図であり、1つの画素EGに対応する部分の基本的な構造を示している。 DETAILED DESCRIPTION FIG. 1 is an exploded perspective view of PDP1 according to the invention, showing the basic structure of a portion corresponding to one pixel EG.

【0015】PDP1は、マトリクス表示の単位発光領域EUに一対の表示電極X,Yとアドレス電極Aとが対応する3電極構造の面放電型PDPであり、蛍光体の配置形態による分類の上で反射型と呼称されている。 [0015] PDP1 is matrix display pair of display electrodes X in the unit light emission areas the EU, and the Y and the address electrode A is a surface-discharge type PDP of the corresponding three-electrode structure, on the classification by arrangement of phosphors It has been referred to as a reflection type.

【0016】面放電のための表示電極X,Yは、表示面H側のガラス基板11上に設けられ、AC駆動のための誘電体層17によって放電空間30に対して被覆されている。 The surface discharge display electrodes X, Y for is provided on the glass substrate 11 of the display surface H side, is coated to the discharge space 30 by a dielectric layer 17 for AC driving. 誘電体層17の表面には、保護膜として数千Å程度の厚さのMgO膜18が設けられている。 On the surface of the dielectric layer 17 thousands Å approximately the thickness of the MgO film 18 is provided as a protective film.

【0017】また、表示電極X,Yは、放電空間30に対して表示面H側に配置されることから、面放電を広範囲とし且つ表示光の遮光を最小限とするため、幅の広い透明導電膜41とその導電性を補うための幅の狭い金属膜(バス電極)42とから構成されている。 [0017] The display electrodes X, Y, since it is arranged on the display surface H side with respect to the discharge space 30, in order to minimize the shading of the surface discharge extensively and to and display light, wide transparent and a conductive film 41 narrow metal film (bus electrode) width to compensate for the conductivity 42.

【0018】一方、単位発光領域EUを選択的に発光させるためのアドレス電極Aは、背面側のガラス基板21 Meanwhile, the address electrode A for selectively emitting unit emitting region EU, the back side of the glass substrate 21
上に、表示電極X,Yと直交するように一定ピッチで配列されている。 Above, the display electrodes X, are arranged at a predetermined pitch so as to be perpendicular to the Y.

【0019】各アドレス電極Aの間には、200μm程度の高さを有したストライプ状の隔壁29が設けられ、 [0019] Between the respective address electrodes A, striped barrier ribs 29 having a height of about 200μm is provided,
これによって放電空間30がライン方向(表示電極X, This discharge space 30 is the line direction (the display electrodes X,
Yの延長方向)に単位発光領域EU毎に区画され、且つ放電空間30の間隙寸法が規定されている。 Y extension direction) is partitioned into the unit light emitting area for each EU to the and gap size of the discharge space 30 is defined. また、ガラス基板21には、アドレス電極Aの上面及び隔壁29の側面を含めて背面側の内面を被覆するように、R Further, the glass substrate 21 so as to cover the inner surface of the back side including the upper and side surfaces of the partition walls 29 of the address electrodes A, R
(赤),G(緑),B(青)の3原色の蛍光体28が設けられている。 (Red), G (green), three primary colors of the phosphor 28 and B (blue) are provided. 各色の蛍光体28は、面放電時に放電空間30内の放電ガスが放つ紫外線によって励起されて発光する。 Phosphor 28 of each color, it emits light when excited by ultraviolet rays emitted by the discharge gas in the discharge space 30 during the surface discharge. PDP1では、R,G,Bの組み合わせによるフルカラー表示が可能である。 In PDP 1, it is possible to full-color display by a combination of R, G, B.

【0020】以上の構成のPDP1は、ガラス基板11 [0020] PDP1 of the above configuration, the glass substrate 11
とガラス基板21とに別個に所定の構成要素を設けた後、ガラス基板11,21を対向配置して間隙の周囲を封止し、内部の排気と放電ガスの封入を行う一連の工程を経て完成される。 And after providing the separate predetermined components and the glass substrate 21, the glass substrates 11 and 21 disposed face to face seal around the gap, through a series of steps for performing the encapsulation of the discharge gas inside the exhaust It is completed.

【0021】次の表示電極X,Yの形成方法について説明する。 The next display electrodes X, the method of forming the Y will be described. 図2は電極形成の手順を示す図である。 Figure 2 is a diagram illustrating a procedure for forming electrodes. 図2においては、同一の材質の構成要素には形状の差異に係わらず同一の符号を付してある。 In Figure 2, components of the same material are denoted by the same reference numerals regardless of differences in shape.

【0022】PDP1の表示面H側の製造に際しては、 [0022] In the production of PDP1 of the display surface H side,
ガラス基板11の表面を0.1μm程度の厚さのシリカ(SiO 2 )膜11aで被覆する。 The surface of the glass substrate 11 coated with silica (SiO 2) film 11a having a thickness of about 0.1 [mu] m. シリカの表層はガラスと比べて粗いので、シリカ膜11aを設けることによって、ガラス基板11に対する表示電極X,Yの密着性を高めることができる。 Since the surface of the silica is coarse in comparison with the glass, by providing a silica film 11a, it is possible to improve the adhesion of the display electrodes X, Y with respect to the glass substrate 11. そして、本実施例では、さらに密着性を高めるため、化学的にシリカ膜11aの表面を粗面化する。 Then, in this embodiment, in order to raise the adhesion, chemically roughening the surface of the silica film 11a. この処理には、フッ酸系溶液、フッ化アンモン系溶液、これらの混合液などの酸系溶液、又は水酸化カリウム溶液に代表させる強アルカリ溶液を用いる。 This process, hydrofluoric acid solution, ammonium fluoride-based solution, a strong alkaline solution to typical acid based solution, or potassium hydroxide solution, such as those mixtures used.

【0023】粗面化処理の後、例えば厚さ0.1〜0. [0023] After the surface roughening treatment, for example, a thickness of 0.1 to 0.
2μmのITO膜をスパッタなどによって成膜し、フォトリソグラフィによってストライプ状にパターニングしてガラス基板11の上に透明導電膜41を形成する〔図2(A)〕。 The ITO film of 2μm was formed by sputtering to form a transparent conductive film 41 on the glass substrate 11 is patterned into stripes by photolithography [Fig. 2 (A)]. 透明導電膜41の幅は100〜150μm The width of the transparent conductive film 41 is 100~150μm
程度とする。 The degree.

【0024】次に、以下の手順で透明導電膜41の上に金属膜42を形成する。 Next, a metal film 42 on the transparent conductive film 41 by the following procedure. 金属膜42は、下地層421、 Metal film 42, the underlying layer 421,
主導電層422、及び被覆層423から構成される。 Main conductive layer 422, and a cover layer 423. まず、透明導電膜41の表面を含めてガラス基板11の表面の全体を被覆するように、無電解めっき法によってニッケルを析出させて0.2μm程度の厚さの下地層42 First, transparent, including the surface of the conductive film 41 so as to cover the entire surface of the glass substrate 11, a thickness of about 0.2μm to precipitate nickel by electroless plating base layer 42
1を設ける。 1 is provided. このとき、ガラス基板11の表面の全体にニッケルを析出させるために、増感処理(活性化処理) At this time, in order to precipitate the nickel on the entire surface of the glass substrate 11, a sensitization process (activation process)
として、pH4〜6の塩化パラジウム水溶液(濃度15 As a palladium chloride aqueous solution pH 4-6 (concentration 15
0ppm以上)にガラス基板11を浸漬し、その後にニッケルめっき液に浸漬する。 The glass substrate 11 was immersed more than 0 ppm), then immersed in a nickel plating solution. なお、水洗いを適宜行う。 It should be noted, do the wash as appropriate.

【0025】続いて、硫酸銅を主成分とする酸性(pH [0025] Subsequently, acidic (pH whose main component is copper sulfate
2以下)の溶液にガラス基板11を浸漬し、電解めっき法によって銅を析出させて2μm程度の厚さの主導電層422を設ける。 2 below) was a glass substrate 11 was immersed in the copper to precipitate by electrolytic plating method providing a main conductive layer 422 of about 2μm thick. そして、特に透明導電膜41と下地層421との密着性を高めるために、熱処理(230℃、 Then, in order to particularly enhance the adhesion between the transparent conductive film 41 and the base layer 421, a heat treatment (230 ° C.,
10分以上)を行う。 Performed for more than 10 minutes).

【0026】その後、下地層421と主導電層422とをフォトリソグラフィによって一括してパターニングする。 [0026] After that, the patterned collectively and the main conductive layer 422 as a base layer 421 by photolithography. パターニング後の下地層421及び主導電層422 Foundation after the patterning layer 421 and the main conductive layer 422
の幅は50〜80μm程度とする。 It is the width of the order of 50~80μm. パターニングに引き続いて、表面浄化のために脱脂処理とソフトエッチングと行い、再び無電解めっき法によってニッケルを0.2 Following patterning, it performs the degreasing and soft etching for surface cleaning, nickel again by electroless plating 0.2
μm程度の厚さになるまで析出させて主導電層422を被覆する。 Of about μm is deposited to a thickness covering the main conductive layer 422. ただし、このときは、金属面のみにニッケルを析出させるために、増感処理にpH2以下の塩化アラジウム水溶液(濃度150ppm以上)を用いる。 However, this time, in order to precipitate the nickel only on the metal surface, the sensitization process using pH2 following chloride Arajiumu solution (concentrations above 150 ppm). ニッケルからなる被覆層423は、銅による放電空間30の汚染を防止する役割を担う。 Coating layer 423 made of nickel is responsible for preventing the contamination of the discharge space 30 with copper. なお、表示電極X,Yを低融点ガラスで被覆することによって、表示電極X,Yからの発泡を防止することができる。 Note that by coating the display electrodes X, a Y in the low-melting glass, it is possible to prevent the display electrodes X, the foam from Y.

【0027】以上の工程により得られた表示電極X,Y [0027] or more display electrodes X obtained in the step, Y
において、金属膜42のシート抵抗は0.05[Ω/ In the sheet resistance of the metal film 42 is 0.05 [Omega /
□]以下であった。 □] it was less than. また、JIS−D0202に準拠した剥離試験の結果は良好であり、銅からなる主導電層4 As a result of peeling test according to JIS-D0202 is good, the main conductive layer made of copper 4
22の厚さを3μmとした場合にも剥離は生じなかった。 The thickness of 22 did not occur peeling when the 3 [mu] m.

【0028】上述の実施例においては、主導電層422 [0028] In the above embodiment, the main conductive layer 422
のパターニング後に、無電解めっき法によってニッケルを析出させる例を示したが、主導電層422のニッケルめっきの後に主導電層422をパターニングしてもよい。 After the patterning, an example of depositing the nickel by an electroless plating method, may be patterned main conductive layer 422 after the nickel plating of the main conductive layer 422. その場合には、パターニングによって主導電層42 In that case, the main conductive layer by patterning 42
2の側面が露出するが、実用上は影響はほとんどない。 2 sides are exposed, but practically there is little influence.

【0029】上述の実施例において、金属膜41の各層の厚さは例示の値に限定されない。 [0029] In the above embodiment, the thickness of each layer of the metal film 41 is not limited to the illustrated values. 例えば、下地層42 For example, the base layer 42
1の厚さは1μm以下であればよく、0.05〜0.5 The thickness of 1 may if 1μm or less, 0.05 to 0.5
μmの範囲内の値が好ましい。 Value in the range of μm are preferred.

【0030】上述の実施例において、透明導電膜41の材質として、ITOに代えてネサを用い、マイグレーションを低減することができる。 [0030] In the above embodiment, as a material of the transparent conductive film 41, using a NESA instead of ITO, it is possible to reduce the migration. また、被覆層423の形成に電解めっき法を用いてもよい。 It is also possible to use an electrolytic plating method for the formation of the coating layer 423. シリカ膜11aの粗面化を省略してもよい。 The roughening of the silica film 11a may be omitted. その他、工程の順序、処理条件などは種々変更可能である。 Other, order of steps, etc. treatment conditions and various modifications are possible. なお、本発明はPDP以外の表示パネルにも適用することができる。 The present invention is also applicable to a display panel other than the PDP.

【0031】 [0031]

【発明の効果】請求項1乃至請求項5の発明によれば、 Effects of the Invention According to the invention of claims 1 to 5,
下層との密着性が良好で且つ所定の導電性を有した金属膜を効率的に成膜し、電極形成工程の生産性を高めることができる。 A metal film adhesion to the lower layer had a good and a predetermined conductive and efficiently deposition, it is possible to increase the productivity of the electrode forming step.

【0032】請求項3の発明によれば、電極の密着性をより高めることができる。 According to the invention of claim 3, it is possible to improve the adhesion of the electrodes.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】本発明に係るPDPの分解斜視図である。 1 is an exploded perspective view of a PDP according to the present invention.

【図2】電極形成の手順を示す図である。 2 is a diagram showing a procedure for forming electrodes.

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1 PDP(表示パネル) 11 ガラス基板 41 透明導電膜 42 金属膜 X,Y 表示電極(電極) 421 下地層(ニッケル) 422 主導電層(銅からなるめっき膜) 11a シリカ膜(二酸化珪素) 1 PDP (display panel) 11 glass substrate 41 transparent conductive film 42 a metal film X, Y display electrodes (electrode) 421 underlying layer (nickel) 422 main conductive layer 11a silica film (plated film made of copper) (silicon dioxide)

Claims (5)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】ガラス基板上に透明導電膜とそれに重なる金属膜とからなる電極を有した表示パネルの製造に際して、 前記ガラス基板の上に前記透明導電膜を形成し、当該透明導電膜の表面を含めて前記ガラス基板の表面の全体を被覆するように、無電解めっき法によってニッケルを析出させた後、 酸性の銅めっき溶液を用いる電解めっき法によって、銅を前記ニッケルよりも厚く析出させて前記金属膜を形成することを特徴とする表示パネルの電極形成方法。 Upon 1. A manufacturing the display panel having an electrode made of a metal film overlaps it with a transparent conductive film on a glass substrate, the transparent conductive film is formed on the glass substrate, the surface of the transparent conductive film so as to cover the entire surface of the glass substrate including, after nickel to precipitate by electroless plating, by electrolytic plating using the copper plating solution of the acid, thicker precipitate than copper the nickel electrode forming method of a display panel, which comprises forming the metal film.
  2. 【請求項2】前記銅からなるめっき膜の表面をニッケルによって被覆する請求項1記載の表示パネルの電極形成方法。 2. A electrode forming method of a display panel according to claim 1 coated with a nickel surface of the plating film made of the copper.
  3. 【請求項3】前記透明導電膜を形成する以前に、前記ガラス基板の表面を二酸化珪素によって被覆し、その被覆膜の表面を化学的に粗面化する請求項1又は請求項2記載の表示パネルの電極形成方法。 To 3. Before forming the transparent conductive film, wherein the surface of the glass substrate coated with silicon dioxide, according to claim 1 or claim 2, wherein chemically roughening the surface of the coating film electrode forming method of a display panel.
  4. 【請求項4】前記透明導電膜をITO膜とする請求項1 4. The method of claim 1, the transparent conductive film is an ITO film
    乃至請求項3のいずれかに記載の表示パネルの電極形成方法。 To the electrode forming method of a display panel according to claim 3.
  5. 【請求項5】前記透明導電膜をネサ膜とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の表示パネルの電極形成方法。 5. The electrode forming method of a display panel according to any one of claims 1 to 3 and the transparent conductive film NESA film.
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