JPH08208666A - 直接法からの高沸点残留物の転化方法 - Google Patents
直接法からの高沸点残留物の転化方法Info
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 61
- 238000009835 boiling Methods 0.000 claims abstract description 62
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical class [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 32
- VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K aluminium trichloride Chemical compound Cl[Al](Cl)Cl VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims abstract description 32
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 22
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 19
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims abstract description 14
- 229910052752 metalloid Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- -1 silicon metalloid Chemical class 0.000 claims abstract description 13
- NEHMKBQYUWJMIP-UHFFFAOYSA-N chloromethane Chemical compound ClC NEHMKBQYUWJMIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 claims abstract description 8
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 6
- 229940050176 methyl chloride Drugs 0.000 claims abstract description 5
- 125000000026 trimethylsilyl group Chemical group [H]C([H])([H])[Si]([*])(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 claims abstract description 5
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims abstract description 4
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims abstract description 4
- LIKFHECYJZWXFJ-UHFFFAOYSA-N dimethyldichlorosilane Chemical compound C[Si](C)(Cl)Cl LIKFHECYJZWXFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 125000000725 trifluoropropyl group Chemical group [H]C([H])(*)C([H])([H])C(F)(F)F 0.000 claims abstract description 4
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims abstract 2
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 claims description 13
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 claims description 7
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 6
- 238000004821 distillation Methods 0.000 claims description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 2
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims description 2
- KTQYJQFGNYHXMB-UHFFFAOYSA-N dichloro(methyl)silicon Chemical compound C[Si](Cl)Cl KTQYJQFGNYHXMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000005048 methyldichlorosilane Substances 0.000 claims description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 6
- 239000002994 raw material Substances 0.000 abstract description 2
- 150000008282 halocarbons Chemical class 0.000 abstract 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 18
- 239000005055 methyl trichlorosilane Substances 0.000 description 12
- JLUFWMXJHAVVNN-UHFFFAOYSA-N methyltrichlorosilane Chemical compound C[Si](Cl)(Cl)Cl JLUFWMXJHAVVNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 10
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 7
- 238000005984 hydrogenation reaction Methods 0.000 description 7
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 7
- PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N disilane Chemical compound [SiH3][SiH3] PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 4
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 238000004817 gas chromatography Methods 0.000 description 3
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 150000001282 organosilanes Chemical class 0.000 description 3
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 2
- YGZSVWMBUCGDCV-UHFFFAOYSA-N chloro(methyl)silane Chemical compound C[SiH2]Cl YGZSVWMBUCGDCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJOOHPMOJXWVHK-UHFFFAOYSA-N chlorotrimethylsilane Chemical compound C[Si](C)(C)Cl IJOOHPMOJXWVHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001879 copper Chemical class 0.000 description 2
- 238000000921 elemental analysis Methods 0.000 description 2
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005749 Copper compound Substances 0.000 description 1
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910008045 Si-Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006411 Si—Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010923 batch production Methods 0.000 description 1
- GONOPSZTUGRENK-UHFFFAOYSA-N benzyl(trichloro)silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)CC1=CC=CC=C1 GONOPSZTUGRENK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- KQHIGRPLCKIXNJ-UHFFFAOYSA-N chloro-methyl-silylsilane Chemical class C[SiH]([SiH3])Cl KQHIGRPLCKIXNJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N chlorosilane Chemical class Cl[SiH3] KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003426 co-catalyst Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 1
- 150000001880 copper compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 238000001165 gas chromatography-thermal conductivity detection Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000013110 organic ligand Substances 0.000 description 1
- 239000013618 particulate matter Substances 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000011856 silicon-based particle Substances 0.000 description 1
- 238000010561 standard procedure Methods 0.000 description 1
- 125000003944 tolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- KBSUPJLTDMARAI-UHFFFAOYSA-N tribromo(methyl)silane Chemical compound C[Si](Br)(Br)Br KBSUPJLTDMARAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOYFEXPFPVDYIS-UHFFFAOYSA-N trichloro(ethyl)silane Chemical compound CC[Si](Cl)(Cl)Cl ZOYFEXPFPVDYIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BHOCBLDBJFCBQS-UHFFFAOYSA-N trifluoro(methyl)silane Chemical compound C[Si](F)(F)F BHOCBLDBJFCBQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ARIHFGQDMNMGQJ-UHFFFAOYSA-N triiodo(methyl)silane Chemical compound C[Si](I)(I)I ARIHFGQDMNMGQJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005051 trimethylchlorosilane Substances 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/02—Silicon compounds
- C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
- C07F7/0896—Compounds with a Si-H linkage
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/02—Silicon compounds
- C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
- C07F7/12—Organo silicon halides
- C07F7/121—Preparation or treatment not provided for in C07F7/14, C07F7/16 or C07F7/20
- C07F7/128—Preparation or treatment not provided for in C07F7/14, C07F7/16 or C07F7/20 by reactions covered by more than one of the groups C07F7/122 - C07F7/127 and of which the starting material is unknown or insufficiently determined
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Abstract
ロゲン化物とケイ素メタロイドとの反応の結果生じた高
沸点残留物からモノシラン類を製造する方法を提供す
る。 【解決手段】 当該高沸点残留物と、式RSiX3 で表
されるオルガノトリハロシラン(式中のR及びXは明細
書に記載のとおり)とを含む混合物を作り、この混合物
を、150〜500℃の範囲内の温度で、触媒量の三塩
化アルミニウムの存在下において0.345〜69.0
MPa(50〜10,000psi)のゲージ圧で水素
ガスと接触させる。
Description
機ハロゲン化物とケイ素メタロイドとの反応の結果生じ
た高沸点残留物からモノシラン類を製造するための方法
である。本発明の方法は、オルガノトリハロシランと上
記の高沸点残留物とを含む混合物を、水素及び触媒量の
三塩化アルミニウムの両者の存在下で作ることを含む。
この方法では、上記の高沸点残留物を水素化する方法に
おいて典型的に起こるオルガノトリハロシランの増加よ
りも、むしろそれを消費することになる。上記の触媒量
の三塩化アルミニウムの少なくとも一部分は、直接法を
実施しそして当該高沸点残留物を分離する間にその場で
生成させることができる。
製においては、複雑な混合物が生じ、これは典型的に、
当該混合物中に存在する他の成分からモノシラン類を分
離するため蒸留される。例えば、「直接法」において
は、クロロモノシランの場合はジメチルジクロロシラ
ン、メチルトリクロロシラン及びトリメチルクロロシラ
ンを含めたモノシラン類に加えて、これらのオルガノハ
ロシランより高い温度で、すなわち70℃より高い温度
で沸騰する残留物が得られる。この残留物を、以下では
「高沸点残留物」と称する。
許第2380995号明細書及び同第2488487号
明細書に、十分記載されている。モノシランの蒸留後に
残る残留物は、分子中に例えばSiSi、SiOSi及
びSiCSi結合を持つ、より高沸点のケイ素含有化合
物を含む複雑な混合物である。この残留物は、ケイ素の
粒状物や金属あるいはその化合物を含有していることも
ある。直接法からの生成物の蒸留から得られる典型的な
高沸点残留物は、例えば米国特許第2598435号及
び同第2681355号各明細書に記載されている。
においては、高沸点残留物は得られた生成物のうちの5
重量%ほどを構成することがある。従って、廃棄物の処
理を減らすのと原料の利用率を向上させるのとの両方の
ために、高沸点残留物を商業的に望ましい生成物に変え
ることが望ましい。
ハロゲンを含有し且つSi−Si結合を有する化合物を
水素の存在下において少なくとも300℃の温度に加熱
する水素化法が教示されている。結果として得られる生
成物はモノシラン類である。
ジシランを水素ガスと加圧下で接触させ、次いでこの混
合物を例えば炭に担持されたパラジウムといったような
遷移金属触媒の存在下において加熱することによって、
ヒドロシラン類を製造する方法が記載されている。この
米国特許明細書には、ジシランは直接法からの混合物の
一部分でよいと述べられている。これには更に、ジシラ
ンがメチルクロロシランであった場合には結果として得
られた生成物は4〜28重量%のメチルトリクロロシラ
ンを含有していたことが報告されている。一般に、メチ
ルトリクロロシランのようなオルガノトリハロシラン類
は商業的な実用性が限られており、このため特許請求の
範囲(クレーム)に記載された方法の有効性は限られて
いる。
銅触媒の存在下に25〜350℃の温度で加圧下にメチ
ルクロロポリシランを水素ガスと反応させることで高収
量のヒドロシラン類を調製するための方法が開示されて
いる。これらのメチルクロロポリシランは、直接法の副
生物として典型的に作りだされるものである。有用な銅
触媒には、金属銅、銅の塩類、及び銅の塩類と有機配位
子との錯体が含まれる。場合によっては、最高で29重
量%のメチルトリクロロシランが生成されたと報告され
ている。
請求の範囲(クレーム)には、アルキルハロシラン類の
製造から得られた残留物中のアルキルに富むジシラン類
をハロゲンに富むポリシラン類に変えるための方法が記
載されている。この方法は、触媒と触媒量のヒドロシラ
ン反応促進剤との存在下に高温で、アルキルに富むジシ
ランを含有する残留物をアルキルトリハロシラン又は四
ハロゲン化ケイ素で処理することを含む。三塩化アルミ
ニウムは、ヒドロシラン促進剤とともに用いられる場
合、この方法において有効な触媒になる。得られたハロ
ゲンに富むポリシラン類は、所望ならば、分離工程にお
いて開裂させてモノシラン類を生成することができる。
直接法の高沸点残留物からオルガノシラン類を製造する
ための方法であって、最終的にオルガノトリクロロシラ
ンを消費することになる方法が示されている。この方法
では、高沸点の残留物を、水素化触媒と再分配触媒の両
方の存在下でオルガノトリクロロシラン及び水素ガスと
接触させる。
ガノハロシラン類を製造するための直接法からの高沸点
残留物を、オルガノトリハロシランを最終的に消費しな
がら、商業的に有用なモノシラン類に変える簡単な方法
を提供することである。
の目的は、高沸点残留物を150〜500℃の範囲内の
温度においてオルガノトリハロシラン、水素ガス及び触
媒量の三塩化アルミニウムと接触させることにより達成
されるということを、思いも寄らぬことに見いだした。
更に、触媒量の三塩化アルミニウムのうちの少なくとも
一部分は、直接法を実施するのとその結果得られたモノ
シランを単離する間にその場で生成させることができ
る。
ロイドとの反応の結果生じた高沸点残留物をモノシラン
類に転化するための方法を提供する。この方法は、
(A)有機ハロゲン化物とケイ素メタロイドとの反応の
結果生じた高沸点残留物と、式 RSiX3 (1) で表されるオルガノトリハロシラン(式中のRは、1〜
6の炭素原子を含むアルキル基、アリール基、1〜6の
炭素原子を含むアルコキシ基、トリメチルシリル基及び
トリフルオロプロピル基からなる群から選ばれ、Xはハ
ロゲンである)とを含む混合物を作る工程、そして
(B)この混合物を、150〜500℃の範囲内の温度
で触媒量の三塩化アルミニウムの存在下において、0.
345〜69.0MPa(50〜10,000psi)
のゲージ圧で水素ガスと接触させる工程、を含む。
であり、y=0〜3、z=0〜3、且つy+z=0〜3
である)を回収する工程、を含むことができる。
適した任意の標準的な昇圧可能反応器で実施することが
できる。また、この方法は、バッチプロセスとしてある
いは連続プロセスとして実施される。この方法は、例え
ば、攪拌床反応器、連続の攪拌タンク反応器、バブルカ
ラム反応器、細流床(trickle−bed)反応
器、又はプラグフロー反応器で実施することができる。
素メタロイドとの反応の結果生じた高沸点残留物を有用
なモノシラン類に変える。有機ハロゲン化物をケイ素メ
タロイドと反応させるための典型的な方法では、この方
法は、適当な触媒の存在下に300〜350℃の温度で
実施され、そして気体生成物、供給原料及び微細粒状物
がプロセスから抜き出される。抜き出された物質は、そ
の後、オルガノハロシラン類を回収するために蒸留され
て、「高沸点残留物」が残される。
しい高沸点残留物は、塩化メチルとケイ素メタロイドと
の反応生成物からオルガノハロシラン類を蒸留して得ら
れた沸点が70℃より高いものである。このような高沸
点残留物についての典型的な組成は、式Si2 Q6 のジ
シラン類(この式の各Qはメチル基又は塩素原子から独
立に選ばれ、且つこのジシランは分子当たりに2〜4の
メチル基を有する)を50〜60重量%、式Q3 SiC
H2 SiQ3 により表されるシルメチレン類(この式の
Qは上記のとおりであり、またこのシルメチレンは分子
当たりに2〜4のメチル基を有する)を15〜25重量
%、式Q3 Si(SiQ2 )a (CH2)b (Si
Q2 )c SiQ3 で表されるシルアルキレン類(この式
のQもやはり上記のとおりであり、このシルアルキレン
は分子当たりに2〜4のメチル基を有し、a=0〜4、
b=1〜3、c=0〜4、且つa+c≧1である)、こ
のほかの高沸点のケイ素含有化合物を5〜15重量%、
直接法からの例えば銅又は銅の化合物の如き触媒キャリ
オーバー、ケイ素を含有する粒状物、及び少量の金属
類、例えばアルミニウム、カルシウム及び鉄のようなも
のとそれらの化合物、を含む。
素化触媒及び水素ガスで処理することができることが知
られてはいるが、この方法の望ましくない結果は、商業
的な実用性が限られており、従って望ましくない生成物
であるオルガノトリハロシラン類が生成することであ
る。米国特許第5175329号明細書には、オルガノ
トリハロシラン類を最終的に消費することになる、ジシ
ラン類をモノシラン類に変えるための水素化法が教示さ
れている。とは言え、この結果を達成するのに水素化触
媒と再分配触媒の両方が必要とされる。思いも寄らぬこ
とに、発明者らは、オルガノトリハロシランを消費する
結果となり、且つ触媒としては三塩化アルミニウムのみ
を必要とする、高沸点残留物をモノシラン類に転化する
ための方法を見いだした。しかしながら、発明者らは、
高沸点残留物中に、この明細書の特許請求の範囲に記載
された方法において触媒、共触媒、促進剤または他の同
様のものとして有効であることもできる他の物質が存在
する可能性を排除するつもりはない。
式(1)で表されるオルガノトリハロシランとの混合物
が作られる。この混合物は、反応器の外部で作って反応
器に加えられ、あるいはそれは個々の成分を反応器に加
えて作ってもよい。このオルガノトリハロシランは置換
基Rを一つ有し、このRは、1〜6の炭素原子を含むア
ルキル基、アリール基、1〜6の炭素原子を含むアルコ
キシ基、トリメチルシリル基及びトリフルオロプロピル
基からなる群より選択される。Rは、例えば、メチル
基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、tert
−ブチル基、メトキシ基、エトキシ基、フェニル基、ト
リル基、ナフチル基、トリメチルシリル基及びトリフル
オロプオピル基である。好ましいのはRがメチル基であ
る場合である。
ン置換基Xを三つ有し、このXはいずれのハロゲンでも
よい。好ましいのはXが塩素の場合である。オルガノト
リハロシランは、例えば、メチルトリクロロシラン、エ
チルトリクロロシラン、ベンジルトリクロロシラン、メ
チルトリブロモシラン、メチルトリヨードシラン及びメ
チルトリフルオロシランである。好ましいのはオルガノ
トリハロシランがメチルトリクロロシランである場合で
ある。
ノトリハロシランの重量割合は、本発明の方法にとって
重要ではない。一般には、オルガノトリハロシランが全
混合物の0.1〜95重量%である混合物が有用と考え
られる。好ましいのはオルガノトリハロシランが混合物
の30〜50重量%である場合である。
0MPa(50〜10,000psi)のゲージ圧力で
水素ガスと接触させる。好ましいのは、2.1〜10.
3MPa(300〜1500psi)の水素ガスゲージ
圧力である。より好ましいのは、4.1〜7.6MPa
(600〜1100psi)の圧力である。
で、触媒量の三塩化アルミニウムと接触させる。「触媒
量」というのは、高沸点残留物中のケイ素含有化合物の
モノシラン類への転化を促進するのに十分な三塩化アル
ミニウムの量を意味する。三塩化アルミニウムの好まし
い触媒量は、高沸点残留物中のポリシラン類、例えばメ
チルクロロジシラン類、シルメチレン類及びシルアルキ
レン類のようなものの、モノシラン類への転化を促進す
るのに十分なものである。一般には、三塩化アルミニウ
ムと高沸点残留物とを一緒にした重量を基にして0.0
1〜10重量%の三塩化アルミニウムが、本発明の方法
において有効であると考えられる。好ましいのは、同じ
基準で0.1〜2.0重量%の三塩化アルミニウムであ
る。
セスに加えてもよく、あるいは三塩化アルミニウムを生
成する物質を加えてその場で生成させてもよい。触媒量
の三塩化アルミニウムの全部、あるいは一部を、直接法
を実施しそしてモノシラン分を分離して高沸点分を生じ
させる間にその場で生成させることができる。三塩化ア
ルミニウムを生成するのに必要なアルミニウムと塩素の
源は、直接法で使用される原料、特にケイ素メタロイド
及び有機ハロゲン化物供給原料である。触媒量の三塩化
アルミニウムは、加えられた三塩化アルミニウムと、直
接法から分離された高沸点残留物中に残っているその場
で生成された三塩化アルミニウムとを一緒にしたもので
ある。
内の温度で実施される。好ましいのは275〜425℃
の温度である。最も好ましいのは300〜350℃であ
る。
本発明の方法から回収される。これらのモノシラン類
は、液体混合物を分離するための標準的方法、例えば蒸
留、によって分離される。これらのモノシラン類は0〜
3の置換基Rを有することができ、Rは上記のとおりで
ある。モノシランは、各ケイ素原子につき0〜3の水素
原子を有することができる。それらはまた、各ケイ素原
子につき1〜4のハロゲンを有することもできる。好ま
しいモノシランは、ジメチルジクロロシラン又はメチル
ジクロロシランから選ばれる。
触媒する能力を攪拌式バッチ反応器で評価した。この反
応器は、450mlの、空気で攪拌されるParr B
omb反応器であった。塩化メチルとケイ素メタロイド
との反応によりメチルクロロシラン類を調製するための
直接法からの0.15モルの量の高沸点残留物を反応器
に入れた。この高沸点残留物は、70℃でモノシラン分
を蒸留して除いた後に蒸留器の底に残っている画分(f
raction)であった。この高沸点残留物をろ過し
て粒状物を取り除き、そして等容量の活性炭で二回吸着
操作を行った。吸着された高沸点残留物の元素金属の分
析から、0.0082重量%のアルミニウムの存在する
ことが示された。表1に、ろ過した高沸点残留物中に見
いだされた主要なケイ素含有化合物について、典型的な
組成を範囲とともに示す。
tはエチル基、iPrはイソプロピル基であり、そして
溶離不能物はGCカラムから溶離しない物質である。
アルミニウムを添加しない基礎実験であった。二回目の
実験では、高沸点残留物の重量を基準にして0.55重
量%の塩化アルミニウムを反応器に加えた。各実験につ
いて反応器に加えた水素ガスとメチルトリクロロシラン
(Mono)の量を表2に提示する。各実験ごとに、反
応器を325℃に加熱して2.8時間攪拌した。各実験
の終わりに、反応器からの試料をガスクロマトグラフィ
ー(GC)により熱伝導率型検出器(TCD)を使って
分析した。この分析の結果も表2で報告される。表2に
おいて、「総シラン収率」は、生成物中のシラン重量か
らプロセスに加えたメチルトリクロロシランの重量を差
引き、この差をプロセスに加えた高沸点残留物の重量で
割って、この比率に100を乗じて計算される。「高沸
点残留物転化率」は、生成物に転化された高沸点残留物
の重量割合として報告される。これら以外に表2で報告
されるものは、他の生成物へのシルメチレン転化率、ジ
シラン転化率、及び高沸点種の転化率の重量百分率であ
る。メチルトリクロロシランの他の生成物への転化率の
重量割合は、表2では「Mono転化率」と表示した列
に報告されている。メチルトリクロロシラン転化率につ
いての正の数字は、プロセスにおけるメチルトリクロロ
シランの消費を指示している。
の「最終のモノシラン生成物分布」と表示した欄で報告
する。この最終のモノシラン生成物分布は、生成物中に
存在するメチルトリクロロシランの量を差し引き後に生
成物中に存在する全モノシラン類のうちの各種モノシラ
ンの重量割合として計算される。
ニウムが攪拌式バッチ反応器における高沸点残留物の水
素化に及ぼす効果を評価した。この反応器は例1で説明
したのと同じであった。塩化メチルとケイ素メタロイド
との反応の結果生じ且つ70℃より高い温度で沸騰する
高沸点残留物の0.13モルの量を反応器に入れた。こ
の高沸点残留物をろ過して粒状物を減らし、そしてこの
高沸点残留物の組成は表1に記載したのと同様であっ
た。比較のために、高沸点残留物の試料を等容量の活性
炭で二回吸着した。この物質の試験は表3で実験3とし
て報告される。吸着後に、高沸点残留物の元素分析から
0.0003重量%のアルミニウムの存在していること
が示された。試験試料の元素分析(実験4)からは、
0.76重量%のアルミニウムの存在が示された。試験
と比較実験を行った条件を表3に記載する。これらの二
つの実験からの生成物をGC−TCDで分析した。これ
らの結果も表3で報告される。表3についての各項目は
表2について説明したとおりである。
Claims (7)
- 【請求項1】 有機ハロゲン化物とケイ素メタロイドと
の反応の結果生じた高沸点残留物をモノシラン類に転化
するための方法であって、(A)当該高沸点残留物と、
式RSiX3 で表されるオルガノトリハロシラン(式中
のRは、1〜6の炭素原子を含むアルキル基、アリール
基、1〜6の炭素原子を含むアルコキシ基、トリメチル
シリル基及びトリフルオロプロピル基からなる群から選
ばれ、Xはハロゲンである)とを含む混合物を作る工
程、そして(B)この混合物を、150〜500℃の範
囲内の温度で、三塩化アルミニウムから本質的になる触
媒の存在下において0.345〜69.0MPa(50
〜10,000psi)のゲージ圧で水素ガスと接触さ
せる工程、を含む高沸点残留物の転化方法。 - 【請求項2】 (C)式Ry Hz SiX4-y-z のモノシ
ラン(この式のR及びXは先に記載したとおりであり、
y=0〜3、z=0〜3、且つy+z=0〜3である)
を回収する工程を更に含む、請求項1記載の方法。 - 【請求項3】 前記高沸点残留物は沸点が70℃より高
く、塩化メチルとケイ素メタロイドとの反応生成物の蒸
留の結果得られた蒸留画分(distillation
fraction)である、請求項2記載の方法。 - 【請求項4】 前記モノシランがジメチルジクロロシラ
ン又はメチルジクロロシランから選ばれる、請求項3記
載の方法。 - 【請求項5】 前記オルガノトリハロシランが、前記高
沸点残留物とオルガノトリハロシランとを含む混合物の
0.1〜95重量%である、請求項1記載の方法。 - 【請求項6】 当該方法において、前記三塩化アルミニ
ウムと前記高沸点残留物とを一緒にした重量を基にして
0.01〜10重量%の三塩化アルミニウムが存在して
いる、請求項1記載の方法。 - 【請求項7】 触媒量の三塩化アルミニウムのうちの一
部が前記高沸点残留物の生成中にその場で生成される、
請求項1記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US329758 | 1994-10-27 | ||
US08/329,758 US5430168A (en) | 1994-10-27 | 1994-10-27 | Alumimum trichloride catalyzed hydrogenation of high-boiling residue from direct process |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08208666A true JPH08208666A (ja) | 1996-08-13 |
JP3650185B2 JP3650185B2 (ja) | 2005-05-18 |
Family
ID=23286882
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP28086095A Expired - Fee Related JP3650185B2 (ja) | 1994-10-27 | 1995-10-27 | 直接法からの高沸点残留物の転化方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5430168A (ja) |
EP (1) | EP0709389B1 (ja) |
JP (1) | JP3650185B2 (ja) |
DE (1) | DE69514983T2 (ja) |
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DE69514983T2 (de) | 2000-07-20 |
DE69514983D1 (de) | 2000-03-16 |
EP0709389A1 (en) | 1996-05-01 |
JP3650185B2 (ja) | 2005-05-18 |
EP0709389B1 (en) | 2000-02-09 |
US5430168A (en) | 1995-07-04 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20041222 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050118 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050217 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080225 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090225 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100225 Year of fee payment: 5 |
|
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120225 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120225 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130225 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130225 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |