JPH0817832A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH0817832A JPH0817832A JP6147514A JP14751494A JPH0817832A JP H0817832 A JPH0817832 A JP H0817832A JP 6147514 A JP6147514 A JP 6147514A JP 14751494 A JP14751494 A JP 14751494A JP H0817832 A JPH0817832 A JP H0817832A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask material
- plating
- photoresist
- opening
- plating mask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3457—Solder materials or compositions; Methods of application thereof
- H05K3/3473—Plating of solder
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 バンプの形成において信頼性の高い半導体装
置の製造方法を得ること 【構成】 半導体チップの電極部上の第１のフォトレジ
スト１０５の開口部１０６と第２のフォトレジスト１０
７の開口部１０８からなるバンプ形成部の容積が半導体
チップの電極部１０２に必要なハンダ量と同体積になる
ように制御・形成され、ハンダメッキによりハンダを析
出し、第２のフォトレジスト１０７から突出されたハン
ダは研磨により削り落とし、第１のフォトレジスト１０
５と第２のフォトレジスト１０７を除去し、熱処理によ
ってウエットバックする方法。
置の製造方法を得ること 【構成】 半導体チップの電極部上の第１のフォトレジ
スト１０５の開口部１０６と第２のフォトレジスト１０
７の開口部１０８からなるバンプ形成部の容積が半導体
チップの電極部１０２に必要なハンダ量と同体積になる
ように制御・形成され、ハンダメッキによりハンダを析
出し、第２のフォトレジスト１０７から突出されたハン
ダは研磨により削り落とし、第１のフォトレジスト１０
５と第２のフォトレジスト１０７を除去し、熱処理によ
ってウエットバックする方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体チップのバンプ
形成方法に関するものである。
形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図２は従来技術の一般的な半導体チップ
の電極上へのバンプの形成方法の一例の工程を示すもの
であり、図２中の（ａ）から（ｆ）まで各段階において
の断面図を示す。
の電極上へのバンプの形成方法の一例の工程を示すもの
であり、図２中の（ａ）から（ｆ）まで各段階において
の断面図を示す。
【０００３】ここで従来方法による半導体装置の製造方
法を図２（ａ）から図２（ｆ）を用いて説明する。まず
図２（ａ）において、半導体チップ２０１上にあらかじ
め電極部２０２が設置されていて、電極部２０２以外の
半導体チップ２０１は保護膜２０３で被われている。
法を図２（ａ）から図２（ｆ）を用いて説明する。まず
図２（ａ）において、半導体チップ２０１上にあらかじ
め電極部２０２が設置されていて、電極部２０２以外の
半導体チップ２０１は保護膜２０３で被われている。
【０００４】次に図２（ｂ）において、半導体チップ２
０１の表面全体にスパッタリング法等を用いてAl,Cr/Cu
などのカレントフィルム２０４を形成する。なおこのカ
レントフィルム２０４は、半導体チップ２０１に点在す
る電極部にバリアメタル層２０７とPb-Sn（ハンダ）メ
ッキ２０８を電解メッキする場合、半導体チップ２０１
の各電極部２０２を電気的に接続し、電流を通すために
使用される。
０１の表面全体にスパッタリング法等を用いてAl,Cr/Cu
などのカレントフィルム２０４を形成する。なおこのカ
レントフィルム２０４は、半導体チップ２０１に点在す
る電極部にバリアメタル層２０７とPb-Sn（ハンダ）メ
ッキ２０８を電解メッキする場合、半導体チップ２０１
の各電極部２０２を電気的に接続し、電流を通すために
使用される。
【０００５】次に図２（ｃ）において、更にカレントフ
ィルム２０４の上からメッキマスク材となるフォトレジ
スト２０５を塗布する。そしてフォトリソグラフィ工程
により半導体チップの電極部２０２上に該当する位置に
あるカレントフィルム２０４の一部分を露出するように
フォトレジスト２０５を開口してメッキ用パターンを形
成する。
ィルム２０４の上からメッキマスク材となるフォトレジ
スト２０５を塗布する。そしてフォトリソグラフィ工程
により半導体チップの電極部２０２上に該当する位置に
あるカレントフィルム２０４の一部分を露出するように
フォトレジスト２０５を開口してメッキ用パターンを形
成する。
【０００６】次に図２（ｄ）において、図２（Ｃ）で形
成したメッキ用パターンを用いて、電極部がAlの場合電
解メッキによりAlがハンダメッキ２０８に拡散するのを
防止するNi,Cu,Auなどのメッキによるバリアメタル層２
０７を開口部２０６に生成する。そしてさらにバリアメ
タル層２０７の上にハンダメッキ２０８を生成する。こ
の際、ハンダの析出量をかせぐためにハンダメッキ２０
８がマッシュルーム形状になるまでハンダメッキを行
う。
成したメッキ用パターンを用いて、電極部がAlの場合電
解メッキによりAlがハンダメッキ２０８に拡散するのを
防止するNi,Cu,Auなどのメッキによるバリアメタル層２
０７を開口部２０６に生成する。そしてさらにバリアメ
タル層２０７の上にハンダメッキ２０８を生成する。こ
の際、ハンダの析出量をかせぐためにハンダメッキ２０
８がマッシュルーム形状になるまでハンダメッキを行
う。
【０００７】次に図２（ｅ）において、フォトレジスト
２０５を溶剤により除去し、さらに電極部２０２とバリ
アメタル層２０７の間にはさまれたカレントフィルム２
０４の一部分以外のカレントフィルム２０４をエッチン
グにより除去する。次に図２（ｆ）において、形成した
バンプ（ハンダメッキ２０８）をリフローによる加熱で
ウエットバック処理を行い、球状の良好なハンダバンプ
を得る。
２０５を溶剤により除去し、さらに電極部２０２とバリ
アメタル層２０７の間にはさまれたカレントフィルム２
０４の一部分以外のカレントフィルム２０４をエッチン
グにより除去する。次に図２（ｆ）において、形成した
バンプ（ハンダメッキ２０８）をリフローによる加熱で
ウエットバック処理を行い、球状の良好なハンダバンプ
を得る。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記バ
ンプ形成方法ではハンダメッキの際、ハンダ析出量を正
確にコントロールすることは困難であるため、同一半導
体チップ内で電極部の径が異なることによりバンプに必
要なハンダ量が異なる場合、あるいは、ハンダ量が異な
るバンプが混在する場合には、バンプの形成は不可能で
あった。
ンプ形成方法ではハンダメッキの際、ハンダ析出量を正
確にコントロールすることは困難であるため、同一半導
体チップ内で電極部の径が異なることによりバンプに必
要なハンダ量が異なる場合、あるいは、ハンダ量が異な
るバンプが混在する場合には、バンプの形成は不可能で
あった。
【０００９】また同一半導体チップ内で同一径の電極で
あってもバンプとバンプの間のピッチが狭いとマッシュ
ルーム形状のメッキで隣接バンプがショートしてしまう
という問題があった。
あってもバンプとバンプの間のピッチが狭いとマッシュ
ルーム形状のメッキで隣接バンプがショートしてしまう
という問題があった。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は上記のような問
題点を解決した半導体製造方法を提供するものである。
その方法は、まず半導体チップの表面にカレントフィル
ムを被着し、第１のメッキマスク材をカレントフィルム
の上に所定の厚さで被着する。そして半導体チップ上の
電極部に該当する位置にあるカレントフィルムの一部分
を露出するように第１のメッキマスク材を開口する。さ
らに第２のメッキマスク材を第１のメッキマスク材の上
に所定の厚さで被覆する。そして第１のメッキマスク材
の開口した部分に該当する位置にある第２のメッキマス
ク材を第１のメッキマスク材の開口した部分より広く開
口する。
題点を解決した半導体製造方法を提供するものである。
その方法は、まず半導体チップの表面にカレントフィル
ムを被着し、第１のメッキマスク材をカレントフィルム
の上に所定の厚さで被着する。そして半導体チップ上の
電極部に該当する位置にあるカレントフィルムの一部分
を露出するように第１のメッキマスク材を開口する。さ
らに第２のメッキマスク材を第１のメッキマスク材の上
に所定の厚さで被覆する。そして第１のメッキマスク材
の開口した部分に該当する位置にある第２のメッキマス
ク材を第１のメッキマスク材の開口した部分より広く開
口する。
【００１１】この時、第１のメッキマスク材の開口した
部分と第２のメッキマスク材の開口した部分からなるバ
ンプ形成部は生成され、このバンプ形成部の容積がバン
プに必要なバンプ金属の体積と同じになるよう、第２の
メッキマスク材の開口部の広さを制御する。またバンプ
形成部の容積がバンプに必要なバンプ金属の体積と同じ
になるよう、前記第１のメッキマスク材の厚さと前記第
２のメッキマスク材の厚さについても、あらかじめ制御
されている。そしてこのバンプ形成部に電解メッキによ
りバンプ金属を析出させ、メッキマスク材の表面より突
出したバンプ金属を研磨により削り落とす。そしてバン
プ金属を熱処理してウエットバックすることによって、
球状バンプとすることを特徴とする。
部分と第２のメッキマスク材の開口した部分からなるバ
ンプ形成部は生成され、このバンプ形成部の容積がバン
プに必要なバンプ金属の体積と同じになるよう、第２の
メッキマスク材の開口部の広さを制御する。またバンプ
形成部の容積がバンプに必要なバンプ金属の体積と同じ
になるよう、前記第１のメッキマスク材の厚さと前記第
２のメッキマスク材の厚さについても、あらかじめ制御
されている。そしてこのバンプ形成部に電解メッキによ
りバンプ金属を析出させ、メッキマスク材の表面より突
出したバンプ金属を研磨により削り落とす。そしてバン
プ金属を熱処理してウエットバックすることによって、
球状バンプとすることを特徴とする。
【００１２】
【作用】上記のようにメッキマスク材の厚さを制御して
半導体基板に被着し、開口部の広さを制御してバンプ形
成部を形成し、このバンプ形成部に必要量以上にバンプ
金属を析出する。そしてメッキマスク材表面より突出し
たバンプ金属を研磨して削り落とすことにより、必要な
バンプ金属量を正確に制御できる。このため同一半導体
チップ内で径の異なる電極が混在する場合や大きさの異
なるバンプが混在する場合でもバンプの形成が可能であ
る。また同一径の電極で狭ピッチの場合でも、メッキマ
スク材から突出したバンプ金属を研磨して削り落とすこ
とにより、隣接バンプとのショートを防ぐことができ
る。
半導体基板に被着し、開口部の広さを制御してバンプ形
成部を形成し、このバンプ形成部に必要量以上にバンプ
金属を析出する。そしてメッキマスク材表面より突出し
たバンプ金属を研磨して削り落とすことにより、必要な
バンプ金属量を正確に制御できる。このため同一半導体
チップ内で径の異なる電極が混在する場合や大きさの異
なるバンプが混在する場合でもバンプの形成が可能であ
る。また同一径の電極で狭ピッチの場合でも、メッキマ
スク材から突出したバンプ金属を研磨して削り落とすこ
とにより、隣接バンプとのショートを防ぐことができ
る。
【００１３】
【実施例】以下実施例に基づき本発明を詳細に説明す
る。図１は本発明による半導体装置の製造方法の実施例
の説明図であり、図１中の（ａ）から（ｈ）まで、各段
階においての断面図を示している。
る。図１は本発明による半導体装置の製造方法の実施例
の説明図であり、図１中の（ａ）から（ｈ）まで、各段
階においての断面図を示している。
【００１４】ここで本発明による半導体装置の製造方法
を図１（ａ）から図１（ｈ）を用いて説明する。まず図
１（ａ）においては、半導体チップ１０１上にあらかじ
め電極部１０２が設置されていて、電極部３０２以外の
半導体チップ１０１は、保護膜１０３で覆われている。
を図１（ａ）から図１（ｈ）を用いて説明する。まず図
１（ａ）においては、半導体チップ１０１上にあらかじ
め電極部１０２が設置されていて、電極部３０２以外の
半導体チップ１０１は、保護膜１０３で覆われている。
【００１５】次に図１（ｂ）においては、半導体チップ
１０１の表面全面にスパッタリング法や蒸着などによ
り、Al,Cr,Cuなどのカレントフィルム１０４を形成す
る。
１０１の表面全面にスパッタリング法や蒸着などによ
り、Al,Cr,Cuなどのカレントフィルム１０４を形成す
る。
【００１６】次に図１（ｃ）においては、カレントフィ
ルム１０４の上から第１のメッキマスク材となる第１の
フォトレジスト１０５を所定の厚さで塗布し、フォトリ
ソグラフィ工程により、半導体チップ１０１の電極部１
０２上に該当する位置にあるカレントフィルム２０４の
一部分を露出するように第１のフォトレジスト１０５の
開口部１０６を形成する。
ルム１０４の上から第１のメッキマスク材となる第１の
フォトレジスト１０５を所定の厚さで塗布し、フォトリ
ソグラフィ工程により、半導体チップ１０１の電極部１
０２上に該当する位置にあるカレントフィルム２０４の
一部分を露出するように第１のフォトレジスト１０５の
開口部１０６を形成する。
【００１７】次に図１（ｄ）において、第１のフォトレ
ジスト１０５の上から、第２のメッキマスク材となる第
2のフォトレジスト１０７を所定の厚さで塗布する。そ
してフォトリソグラフィ工程により、第１のフォトレジ
スト１０５の開口部１０６の部分に該当する位置にある
第２のフォトレジストの一部分を開口し、開口部１０６
より広い開口部１０８を形成する。ここで第１のホトレ
ジスト１０５の開口部１０６と第２のホトレジスト１０
７の開口部１０８からなるバンプ形成部は、半導体チッ
プの電極部１０２に必要なハンダ量と同体積になるよう
に、第２のフォトレジスト１０７の開口部１０８の広さ
は制御、形成される。またバンプ形成部が、半導体チッ
プの電極部１０２に必要なハンダ量と同体積になるよう
に、第１のフォトレジスト１０５の厚さと第2のフォト
レジスト１０７の厚さはあらかじめ制御されている。
ジスト１０５の上から、第２のメッキマスク材となる第
2のフォトレジスト１０７を所定の厚さで塗布する。そ
してフォトリソグラフィ工程により、第１のフォトレジ
スト１０５の開口部１０６の部分に該当する位置にある
第２のフォトレジストの一部分を開口し、開口部１０６
より広い開口部１０８を形成する。ここで第１のホトレ
ジスト１０５の開口部１０６と第２のホトレジスト１０
７の開口部１０８からなるバンプ形成部は、半導体チッ
プの電極部１０２に必要なハンダ量と同体積になるよう
に、第２のフォトレジスト１０７の開口部１０８の広さ
は制御、形成される。またバンプ形成部が、半導体チッ
プの電極部１０２に必要なハンダ量と同体積になるよう
に、第１のフォトレジスト１０５の厚さと第2のフォト
レジスト１０７の厚さはあらかじめ制御されている。
【００１８】一般にメッキの析出量は半導体チップ内で
バラツキがあり、フォトレジスト１０５及びフォトレジ
スト１０７で生成されたメッキ用パターンつまりバンプ
形成部の大きさによっても析出量が変化する。そこで図
1（ｅ）では、図１（ｃ）と図１（ｄ）で形成したフォ
トレジスト１０５及びフォトレジスト１０７から成るメ
ッキ用パターンを用いて、電解メッキによりNi,Cu,Auな
どのメッキによるバリアメタル層１０９を生成する。さ
らにバリアメタル層１０９の上にハンダメッキ１１０を
生成する。半導体チップ上の全ての電極部１０２でのハ
ンダメッキの析出が、第２のフォトレジスト１０７を越
えるまで行う。この時第２のフォトレジスト１０７から
突出したハンダメッキ１１０は、他の開口部から析出し
て第２のフォトレジスト１０７から突出したハンダメッ
キとショートしても構わない。
バラツキがあり、フォトレジスト１０５及びフォトレジ
スト１０７で生成されたメッキ用パターンつまりバンプ
形成部の大きさによっても析出量が変化する。そこで図
1（ｅ）では、図１（ｃ）と図１（ｄ）で形成したフォ
トレジスト１０５及びフォトレジスト１０７から成るメ
ッキ用パターンを用いて、電解メッキによりNi,Cu,Auな
どのメッキによるバリアメタル層１０９を生成する。さ
らにバリアメタル層１０９の上にハンダメッキ１１０を
生成する。半導体チップ上の全ての電極部１０２でのハ
ンダメッキの析出が、第２のフォトレジスト１０７を越
えるまで行う。この時第２のフォトレジスト１０７から
突出したハンダメッキ１１０は、他の開口部から析出し
て第２のフォトレジスト１０７から突出したハンダメッ
キとショートしても構わない。
【００１９】次に図１（ｆ）において、ハンダメッキ工
程で生じた第２のフォトレジスト１０７の開口部１０８
より突出して析出したハンダメッキを研磨定盤等による
研磨により削り落とす。この時、研磨定盤は突出したハ
ンダメッキを削り落とし、第２のフォトレジストに接触
すると摩擦による抵抗が変化するため、第２のフォトレ
ジスト１０７の表面で研磨を終了することができる。従
ってハンダメッキ量はバンプ形成部の体積と同等にな
る。
程で生じた第２のフォトレジスト１０７の開口部１０８
より突出して析出したハンダメッキを研磨定盤等による
研磨により削り落とす。この時、研磨定盤は突出したハ
ンダメッキを削り落とし、第２のフォトレジストに接触
すると摩擦による抵抗が変化するため、第２のフォトレ
ジスト１０７の表面で研磨を終了することができる。従
ってハンダメッキ量はバンプ形成部の体積と同等にな
る。
【００２０】次に図１（ｇ）において、フォトレジスト
１０５とフォトレジスト１０７を溶剤等により除去し、
さらに電極部１０２とバリアメタル層１０９にはさまれ
た部分以外のカレントフィルム１０４をエッチングによ
り除去する。
１０５とフォトレジスト１０７を溶剤等により除去し、
さらに電極部１０２とバリアメタル層１０９にはさまれ
た部分以外のカレントフィルム１０４をエッチングによ
り除去する。
【００２１】次に図１（ｈ）では、以上のように形成さ
れたバンプをリフローによる加熱でウエットバックを行
い、球状バンプとする。
れたバンプをリフローによる加熱でウエットバックを行
い、球状バンプとする。
【００２２】以上の実施例では、フォトレジストを用い
てメッキ用パターンを形成しているが、フォトレジスト
の代わりにポリイミド等の樹脂を用いてレーザー加工又
は樹脂にフォトレジストを用いてフォトリソグラフィ工
程によりメッキ用パターンを形成することができる。そ
して以上の実施例と同じ方法でバンプを形成することが
できる。なお、ポリイミド等の樹脂を除去するには、ド
ライエッチング等により行われる。
てメッキ用パターンを形成しているが、フォトレジスト
の代わりにポリイミド等の樹脂を用いてレーザー加工又
は樹脂にフォトレジストを用いてフォトリソグラフィ工
程によりメッキ用パターンを形成することができる。そ
して以上の実施例と同じ方法でバンプを形成することが
できる。なお、ポリイミド等の樹脂を除去するには、ド
ライエッチング等により行われる。
【００２３】これまで半導体チップ上のバンプ形成方法
について説明したが、本発明の用途はこれに限られるも
のではなく、アルミナ基板等にバンプを形成し、マザー
ボードと接続させるＢＧＡなどにも本発明を適用するこ
とも可能である。
について説明したが、本発明の用途はこれに限られるも
のではなく、アルミナ基板等にバンプを形成し、マザー
ボードと接続させるＢＧＡなどにも本発明を適用するこ
とも可能である。
【００２４】
【発明の効果】以上のように本発明の実施例によれば、
バンプ形成部の容積が半導体チップの電極部に必要なハ
ンダ量になるように、フォトレジストの厚さ及び開口部
の径を制御・形成し、フォトレジストの表面からはみ出
すまでハンダメッキの析出を行い、フォトレジストを被
覆したままフォトレジスト表面から突出したハンダを研
磨し、フォトレジストを除去する方法を用いた。従っ
て、電極部に必要なハンダ量を正確にコントロールでき
るため、同一半導体チップ内で径の異なる電極部にそれ
ぞれ必要なハンダ量を供給でき、又ハンダ量の異なるバ
ンプでもそれぞれ必要なハンダ量を供給でき、又隣接し
たバンプとバンプがショートすることのないバンプの形
成が可能である。
バンプ形成部の容積が半導体チップの電極部に必要なハ
ンダ量になるように、フォトレジストの厚さ及び開口部
の径を制御・形成し、フォトレジストの表面からはみ出
すまでハンダメッキの析出を行い、フォトレジストを被
覆したままフォトレジスト表面から突出したハンダを研
磨し、フォトレジストを除去する方法を用いた。従っ
て、電極部に必要なハンダ量を正確にコントロールでき
るため、同一半導体チップ内で径の異なる電極部にそれ
ぞれ必要なハンダ量を供給でき、又ハンダ量の異なるバ
ンプでもそれぞれ必要なハンダ量を供給でき、又隣接し
たバンプとバンプがショートすることのないバンプの形
成が可能である。
【００２５】又、フォトレジストの代わりに樹脂を用い
た場合では、樹脂はフォトレジストより堅いため、余分
なハンダを研磨により除去する際、研磨によるダレを防
止でき、よりバラツキの少ない、信頼性の高いバンプの
形成が可能である。
た場合では、樹脂はフォトレジストより堅いため、余分
なハンダを研磨により除去する際、研磨によるダレを防
止でき、よりバラツキの少ない、信頼性の高いバンプの
形成が可能である。
【図１】本発明による半導体装置の製造方法
【図２】従来方法による半導体装置の製造方法
１０１、２０１ 半導体チップ １０２、２０２ 電極部 １０３、２０３ 保護膜 １０４、２０４ カレントフィルム １０５ 第１のフォトレジスト ２０５ フォトレジスト １０６ 第１の開口部 ２０６ 開口部 １０７ 第２のフォトレジスト １０８ 第２の開口部 １０９、２０７ バリアメタル層 １１０、２０８ ハンダメッキ
Claims (2)
- 【請求項１】 第１のメッキマスク材を電極部を含む半
導体チップ上に所定の厚さで被着させる工程と、 前記第１のメッキマスク材を開口することにより前記電
極部の位置する部分を露出する第１の開口部を形成する
工程と、 第２のメッキマスク材を前記第１のメッキマスク材の上
に所定の厚さで被着させる工程と、 前記第２のメッキマスク材を前記第１の開口部上に前記
第１の開口部より広く開口して第２の開口部を形成する
工程と、 前記第１の開口部及び前記第２の開口部からなるバンプ
形成部に、メッキにより前記第２のメッキマスク材の表
面より突出するまでバンプ金属を析出させる工程と、 前記第２のメッキマスク材の表面より突出したバンプ金
属を研磨により削り落とす工程と、前記第１のメッキマ
スク材及び前記第２のメッキマスク材を除去する工程
と、前記バンプ金属を熱処理してウエットバックする工
程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 前記バンプ形成部の容積がバンプ金属の
必要量と同一になるように、前記第１のメッキマスク材
の厚さと前記第２のメッキマスク材の厚さと前記第２の
開口部の広さを制御することを特徴とする請求項１記載
の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6147514A JPH0817832A (ja) | 1994-06-29 | 1994-06-29 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6147514A JPH0817832A (ja) | 1994-06-29 | 1994-06-29 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0817832A true JPH0817832A (ja) | 1996-01-19 |
Family
ID=15432067
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6147514A Pending JPH0817832A (ja) | 1994-06-29 | 1994-06-29 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0817832A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007214571A (ja) * | 2006-02-08 | 2007-08-23 | Ccp Contact Probes Co Ltd | 均一な共平面性を有する多層フリップチップバンプの高さを制御する方法及び関連装置 |
| KR100871031B1 (ko) * | 2007-06-01 | 2008-11-27 | 삼성전기주식회사 | 인쇄회로기판의 범프 형성방법 |
-
1994
- 1994-06-29 JP JP6147514A patent/JPH0817832A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007214571A (ja) * | 2006-02-08 | 2007-08-23 | Ccp Contact Probes Co Ltd | 均一な共平面性を有する多層フリップチップバンプの高さを制御する方法及び関連装置 |
| KR100871031B1 (ko) * | 2007-06-01 | 2008-11-27 | 삼성전기주식회사 | 인쇄회로기판의 범프 형성방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5705857A (en) | Capped copper electrical interconnects | |
| US6232212B1 (en) | Flip chip bump bonding | |
| US5549808A (en) | Method for forming capped copper electrical interconnects | |
| JP3618997B2 (ja) | 電子回路上に金属スタンドオフを作成する方法 | |
| US6132588A (en) | Method for plating independent conductor circuit | |
| US4139434A (en) | Method of making circuitry with bump contacts | |
| JP2002043364A (ja) | フリップチップ実装体および実装方法 | |
| JPH0817832A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH02251145A (ja) | 突起電極形成方法 | |
| US6892452B2 (en) | Method of forming a projection electrode | |
| JP3224010B2 (ja) | キャップ付き電気相互接続構造およびその作成方法 | |
| KR100325925B1 (ko) | 반도체 웨이퍼상에 일정 구조의 금속을 형성하는 방법 | |
| JP2003218151A (ja) | 無電解メッキバンプの形成方法、半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH07201922A (ja) | 基板上へのハンダバンプの形成方法 | |
| US5874199A (en) | Method of forming oversized solder bumps | |
| WO2003002786A1 (fr) | Procede d'electrodeposition et procede de fabrication de carte imprimee | |
| KR100543277B1 (ko) | 웨이퍼 상의 3 차원 구조물 형성 방법 | |
| JP2005129665A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH1117315A (ja) | 可撓性回路基板の製造法 | |
| KR100237671B1 (ko) | 반도체 장치 제조방법 | |
| JPH02125621A (ja) | 半導体装置のバンプ電極形成方法 | |
| JP2002093835A (ja) | 接続部材及びその形成方法 | |
| JPH0354873B2 (ja) | ||
| JPH03191542A (ja) | フィルムキャリアテープの製造方法 | |
| JPH0497532A (ja) | 半導体装置の製造方法 |