JPH0811356B2 - Polishing methods and polishing apparatus - Google Patents

Polishing methods and polishing apparatus

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JPH0811356B2
JPH0811356B2 JP8917589A JP8917589A JPH0811356B2 JP H0811356 B2 JPH0811356 B2 JP H0811356B2 JP 8917589 A JP8917589 A JP 8917589A JP 8917589 A JP8917589 A JP 8917589A JP H0811356 B2 JPH0811356 B2 JP H0811356B2
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武久 品川
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ロデール・ニッタ株式会社
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Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) この発明は、シリコン等のウエハ、光学レンズ等の被研磨物表面のポリッシング方法に関する。 BACKGROUND OF THE INVENTION (FIELD OF THE INVENTION) The present invention, a wafer of silicon or the like, relates to a polishing method of polishing target surfaces such as optical lenses.

(従来の技術) 主としてシリコンを材料とする半導体のIC基盤を製造する場合には、通常、単結晶シリコンのインゴットをダイアモンドブレードを用いてスライスしてウエハを形成し、該ウエハを研磨してその表面を平面精度の高い鏡面に仕上げている。 As in the case of producing an IC base semiconductor to (prior art) mainly silicon materials typically a single crystal silicon ingot is sliced ​​using a diamond blade to form the wafer, by polishing the wafer It has done a high flatness mirror surface. このようにして形成されたウエハは、 Such wafers are formed is,
その表面をポリッシングして鏡面に仕上げられる。 It is mirror-finished by polishing the surface. 該ウエハのポリッシングには、大別して次の3つの工程に分けることが出来る。 The polishing of the wafer can be broadly divided into divided into three steps.

第1に、ダイアモンドブレードによりスライスされたウエハの反りやブレード条痕等を除去してウエハを基本的に均一な厚さの平盤とするラッピング工程。 First, lapping the wafer to remove the sliced ​​wafer warpage or blade streaks or the like basically uniform thickness of the flat plate by a diamond blade process.

第2に、ラッピング工程に於いてウエハ表面に或る深さまで生じた加工変質層を除去するためにこの変質層を酸またはアルカリで侵食するエッチング工程。 Second, etching step erodes the altered layer with acid or alkali to remove the work-affected layer generated to a certain depth in the wafer surface at the lapping process.

第3に、エッチングによる加工変質層(ラッピング後のストック層と称せられる)を除去して、純シリコン層がミクロな傷や曇りがなく完全な鏡面でしかもIC回路の焼付に必要かつ充分の平面性に仕上げるポリッシング工程。 The 3, by removing the work-affected layer by etching the (is called a stock layer after the lapping), baking the necessary and sufficient of the plane of pure silicon layer microscopic scratches and a complete mirror surface without clouding Moreover IC circuit polishing step to finish in sex.

上記のポリッシング工程では、一般に回転平盤式のポリッシング装置が使用されている。 In the above polishing step, rotary platen type of polishing apparatus is used commonly. 該ポリッシング装置は、例えば第4図(a)および(b)に示すように、大型の回転平盤61にポリッシングパット63を貼付けるとともに、該回転平盤61と対向配設された複数のキャリヤー円盤62の下面にそれぞれ複数のウエハ64を装着しておき、各キャリヤー円盤62を重錘65その他の手段によりポリッシングパッド63に圧接する。 The polishing apparatus, for example, as shown in FIG. 4 (a) and (b), together with the affix the polishing pad 63 on the large rotating platen 61, the rotating platen 61 and the counter disposed a plurality of carrier each the lower surface of the disc 62 in advance by mounting a plurality of wafers 64, is pressed against the polishing pad 63 each carrier disc 62 by weight 65 or other means. そして、ポリッシングパッド63とウエハ64との間に砥液を通流させながら、回転平盤61を公転させるつつキャリヤー円盤62を自転させることにより、各キャリヤー円盤62に保持されたウエハ Then, while flow through the polishing liquid between the polishing pad 63 and the wafer 64, by rotating the carrier disc 62 while revolving the rotary platen 61, held in the carrier disc 62 wafers
64はポリッシングされる。 64 is polished.

(発明が解決しようとする課題) このような、従来のポリッシング装置では、数多くの欠点が存在する。 (INVENTION It is an object to solve) such, in the conventional polishing apparatus, there are a number of drawbacks.

第1に、回転平盤61に貼付けたポリッシングパッド63 First, polishing pad 63 adhered to the rotating platen 61
は被研磨物である各ウエハ64の研磨面全体に対向しているために、各ウエハ64を高精度にポリッシングするためには、回転平盤61とキャリヤー円盤62下面とが高精度に平面化されていなければならない。 In order to face the entire polished surface of the wafer 64 to be polished, in order to polish the wafer 64 with high accuracy, planarization and rotary platen 61 and the carrier disc 62 the lower surface is high precision It must have been. また、ポリッシング時には、ウエハの温度が上昇するために、ウエハに歪みが生じるおそれがある。 Further, during polishing, for the temperature of the wafer is increased, there is a possibility that distortion wafer occurs. このような歪を補正するために、回転平盤61およびキャリヤー円盤62を冷却するための冷却水通路をそれぞれの内部に設ける等の複雑な構造が必要となり、しかも、ポリッシング時には温度コントロールしなければならない。 To correct such distortion, complex structure, such as a cooling water passage for cooling the rotating platen 61 and a carrier disc 62 into the interior of each required, moreover, to be temperature controlled during polishing not not. ポリッシングパッド63は、 Polishing pad 63,
回転平盤61に貼付けても直ちに使用できず、通常ダイアモンド工具などにより厚みを均等化したり、あるいはかなりの長時間にわたって予めポリッシングパッド61を研磨するいわゆる共摺りを施す必要がある。 Affix the rotary flat plate 61 can not be used immediately even like or equalize the thickness by a conventional diamond tool, or it is necessary to apply a so-called co-sliding of pre-polishing the polishing pad 61 over a considerable period of time. キャリヤー円盤62へのウエハ64の取り付けに、細心の注意が必要になるという問題もある。 The mounting of the wafer 64 to the carrier disc 62, there is also a problem that will require close attention.

第2に、第4図に示すように回転平盤61の公転時には、その外周部と円周部とでは周速度は本質的に異なるため、各ウエハ64が取り付けられたキャリヤー円盤62を自転させないと、ポリッシングパッドに対する各ウエハ Second, at the time of revolution of the rotary flat plate 61 as shown in FIG. 4, the outer peripheral portion and the peripheral speed at the circumferential portion is different for essentially does not rotate the carrier disc 62 which each wafer 64 is attached and, each wafer against the polishing pad
64の摺動運動量が等しくならない。 Sliding movement of 64 is not equal. このために回転平盤 Rotation flat panel for this purpose
61の公転に対してキャリヤー円盤62を自転させることにより、各ウエハ64の回転方向および回転速度を調整して、各ウエハ64のポリッシングパッド63に対する摺動運動量の均一化を図っている。 By rotating the carrier disc 62 against 61 the revolution of, adjust the rotation direction and the rotation speed of each wafer 64, thereby achieving a uniform sliding momentum for polishing pad 63 of each wafer 64. しかし、キャリヤー円盤62 However, the carrier disk 62
に取付けられた各ウエハ64がキャリヤー円盤62の外周部に位置する場合と内周部に位置する場合とでも、ポリッシングパッド63に対する各ウエハ64の摺動運動量が不均一になり、各ウエハ64のポリッシング精度を均一化することは不可能である。 Each wafer 64 attached to the even and when located on the inner peripheral portion and when located on the outer periphery of the carrier disc 62, sliding movement of each wafer 64 against the polishing pad 63 becomes uneven, of each wafer 64 it is impossible to equalize the polishing accuracy. このように、各ウエハ64のポリッシング精度が不均一であれば、ポリッシングパッド63には、研削屑による目詰まりや摩耗が、その径方向に不均一に生じてしまう。 Thus, polishing accuracy of the wafer 64 if uneven, the polishing pad 63, clogging and wear due to grinding debris, occurs non-uniformly in the radial direction. ポリッシングパッド63の径方向の目詰まりや摩耗の不均一は、各ウエハ64のポリッシング精度に差が生じる原因となり、そのポリッシング精度の差は、ポリッシングを繰返すにつれて大きくなるために、 Nonuniform radial clogging or wear of the polishing pad 63, causing a difference occurs in the polishing accuracy of the wafer 64, the difference in the polishing accuracy to become larger as the repeated polishing,
各ウエハ64は高精度にポリッシングできなくなる。 Each wafer 64 can not be polished with high precision.

第3に、従来のポリッシング装置は4〜6個のキャリヤー円盤62を備え、各キャリヤー円盤62に3〜7枚のウエハ64が装着されるために、1回のポリッシング作業が終了すると、少なくとも4〜6個のキャリヤー円盤62を交換しなければならない。 Third, the conventional polishing apparatus comprises four to six carriers disc 62, to the wafer 64 3-7 sheets to each carrier disc 62 is mounted, the polishing work of the one ends of at least 4 It must be replaced to six of the carrier disc 62. このように、従来のポリッシング装置では、ポリッシング作業が断続的に行われるバッチ作業となって、連続的にポリッシング作業を行えず、作業効率が悪いという問題がある。 Thus, the conventional polishing apparatus, a batch task polishing work is intermittently performed, not performed continuously polishing work, the working efficiency is poor. また、前述したように、ポリッシングパッド63はその径方向位置によるポリッシング能力が不均一になることは、該ポリッシングパッド63とウエハ64との相対摺動運動量の不均一に起因する目詰まり状態が不均一に発生することが主たる原因である。 Further, as described above, polishing pad 63 to polishing capability of the radial position is not uniform, the clogging condition resulting unevenly relative sliding movement amount between the polishing pad 63 and wafer 64 not it is the primary cause of uniformly generated. このため、ポリッシングされたウエハ64に平面不良が生じる以前にポリッシング作業を中断し、回転平盤61に貼着したポリッシングパッド63を洗いながらスクイーズして研磨屑(主として削り取られたポリッシング後のストック)を除去するドレッシング作業を行わねばならない。 Therefore, to interrupt the polishing work before the plane defect occurs wafer 64 which is polished, (stock after primarily scraped polishing) polishing debris by squeezing while washing the polishing pad 63 affixed to the rotating platen 61 It must be made a dressing work to remove.

第4に、従来のポリッシング装置では回転平盤61に貼着されたポリッシングパッド63に、多数のウエハ64が同時に摺動するために、ポリッシングパッド63とそれぞれのウエハ64とを間に砥液を均一に供給することが容易ではなく、しかも砥液の供給に特別の配慮をすることが困難である。 Fourth, the polishing pad 63 adhered to the rotating platen 61 in the conventional polishing apparatus, since a large number of wafers 64 slides simultaneously, the polishing liquid between the the polishing pad 63 and each of the wafer 64 it is not easy to uniformly supply, yet it is difficult to give special consideration to the supply of abrasive liquid. 通常は、回転平盤61の中心付近に砥液を流下させて、遠心力とキャリヤー円盤62の回転により、砥液をウエハ64とポリッシングパッド63との間へ自然に流しており、また、両者の間隙からの排出も遠心力により行われている。 It is usually caused to flow down the polishing liquid in the vicinity of the center of the rotary flat plate 61, by rotation of the centrifugal force and the carrier disc 62, and naturally flows into between the wafer 64 and the polishing pad 63 and abrasive liquid, also, both also of emissions from the gap is carried out by centrifugal force. このように、遠心力によりウエハ64とポリッシングパッド63との間に砥液を介在させるためには、 Thus, in order to interpose the polishing liquid between the wafer 64 and the polishing pad 63 by the centrifugal force,
砥液の流量を大きくする必要があるが、このように流量が大きくなれば、大部分はポリッシング作用を行なうことなく無為に回転平盤61上を通流することになる。 It is necessary to increase the flow rate of the polishing liquid, if such large flow rate, the majority will be flowing through the idly rotating platen 61 above without performing the polishing action. この場合でも、砥液はウエハ64の全面に亘って均一に通流しない。 In this case, the abrasive liquid is not uniformly Tsuryu over the entire surface of the wafer 64. ウエハ64の中心付近において、砥液の供給および排出を良好に行わせるために、ポリッシングパッド63に溝等を設けて該溝内に砥液を通流させる試みも為されているが、ポリッシング作用が阻害される等の不都合があり、必ずしも良好な結果は得られていない。 In the vicinity of the center of the wafer 64, in order to satisfactorily perform the supply and discharge of abrasive liquid, but provided with a groove or the like to the polishing pad 63 is also made attempts to flow through the polishing liquid in the groove, polishing action There has disadvantages such that is inhibited, not necessarily good results are obtained.

第5に、ポリッシング速度が遅いという問題がある。 Fifth, there is a problem that the polishing speed is slow.
従来の回転平盤式のポリッシング装置では、ウエハの寸法が大きくなるに連れて回転平盤61も大きくなる。 In conventional rotating flat disc type polishing apparatus, rotary platen 61, and increases the size of the wafer increases. 例えば、通常、回転平盤61の外径は48〜52インチ程度であり、5〜6個のキャリヤー円盤62が設けられている。 For example, typically, the outer diameter of the rotating platen 61 is about 48 to 52 inches, is provided with 5-6 carrier disc 62. そして、各キャリヤー円盤62に6インチウエハを5〜7枚装着するようになっている。 Then, so that the 6-inch wafer in the carrier disc 62 is mounted 5-7 sheets. このような大型のポリッシング装置では、回転速度を大きくすることは難しく、回転平盤61は、通常、キャリヤー円盤62中心位置において、60〜100m/分程度の低周速となるようにされており、ポリッシング作業としてはかなり低い速度である。 In such a large polishing apparatus, it is difficult to increase the rotational speed, the rotational platen 61 is normally in the carrier disc 62 central position are such that a low linear velocity of about 60~100M / min , is a much lower rate as the polishing work.
従って、ポリッシュ作業はきわめて低能率であり、ストックリムーバル(エッチングされた加工変質層を磨き去る)と称する粗ポリッシング工程においても、0.5〜1.0 Therefore, polish the work is very low efficiency, even in rough polishing step called stock removal (leave honing work-affected layer that is etched), 0.5-1.0
μm/分の速度であるため、通常、20〜30分を要する。 Because it is μm / min, usually it takes 20 to 30 minutes.

第6に、作業装置の大型化が困難である。 Sixth, it is difficult to increase in size of the working device. 前述のように6インチウエハ用のポリッシング装置でも、作業やメンテナンス性の限界に近づいているが、さらに近い将来、8インチウエハが使用される環境となれば、ポリッシング装置の大型化は深刻な問題となる。 Even polishing apparatus a 6-inch wafer as described above, but is approaching the work and maintenance of the limits, future even closer, if the environment 8-inch wafer is used, large serious problem of the polishing apparatus to become. そこで、1枚のウエハ毎にポリッシングする単葉型或は少枚数型のポリッシング装置の開発が行われているが、いずれの装置もウエハを回転させるために、前述した第2の問題点であるウエハが径方向で均一にポリッシングされないという基本的な欠点がある。 Therefore, although the development of single-leaf type or a small number type polishing apparatus for polishing each one wafer is being performed, in order to rotate the even wafer any device, which is the second problem mentioned above wafer there have basic disadvantage of not being uniformly polished in the radial direction.

例えば、特開昭62−162467号公報には、ウエハをチャックに取り付けて回転させて、布又は帯等よりなるポリッシングロールを回転接触させ、加工面にポリッシング液を供給しつつポリッシングを行なうことが開示されている。 For example, JP-A-62-162467, the wafer is rotated is attached to the chuck, the polishing roll made of fabric or band like by rolling contact, be made polishing while supplying polishing liquid to the working surface It has been disclosed. 該装置は、ポリッシングの最終工程である、いわゆる仕上げポリッシュにのみ適用され、また、ポリッシングローラー自体を布、帯等よりなるものとしたいわゆるバフロール的作用を示すものである。 The device is a polishing of the final step, apply only to a so-called finishing polish, also shows the polishing roller itself fabrics, so-called Bafuroru action which was made from the belt or the like. しかも、ウエハがポリッシングローラーに接して回転する構成であるため、前述したように、ウエハの内周部と外周部とによりポリッシング精度に差が生じるという問題がある。 Moreover, since the wafer is configured to rotate in contact with the polishing roller, as described above, there is a problem that a difference in polishing accuracy caused by the inner peripheral portion of the wafer and the outer peripheral portion.

特公昭61−16586号公報、特開昭62−162466号公報には、帯状のベルトを用いた研磨方法が開示されている。 JP 61-16586 and JP Sho 62-162466, a polishing method using the band-shaped belt is disclosed.
しかし、いずれの方法も、被研磨物を回転させつつ研磨しているため、やはり、同様の問題が生じる。 However, both methods, since the polished while rotating the workpiece, again, the same problem arises.

本発明はこれら上記従来の問題を解決するものであり、その目的は、ウエハを全体にわたって高精度にポリッシングし得るために、ポリッシング精度が著しく向上し、しかも、ポリッシング作業効率を著しく向上させるポリッシング方法およびポリッシング装置を提供することにある。 The present invention has been made to solve these conventional problems described above, and its object is to be polished with high accuracy over the entire wafer, polishing accuracy is significantly improved, moreover, a polishing process to remarkably improve the polishing efficiency and to provide a polishing apparatus.

(課題を解決するための手段) 本発明のポリッシング方法は、被研磨物の研磨すべき面が平面状になっており、該研磨すべき平面にポリッシングベルトを対向させて、該研磨物とポリッシングベルトとの間に該ポリッシングベルト上流側から供給される砥液を流通させつつ両者を相対的に直線移動させる際に、該ポリッシングベルトにその背面から圧力液体により圧力を付与するとともに、該ポリッシングベルトと圧力盤との間に圧力液体による液体膜を介在させて該被研磨物の該研磨すべき平面に均一な圧力を与え該被研磨物をポリッシングすることを特徴とするものであり、そのことにより上記目的が達成される。 (Means for Solving the Problems) polishing method of the present invention is adapted to face flat to be polished of the object to be polished, so as to face the polishing belt in the plane to be the polishing, the polished and polishing when both while circulating the abrasive liquid supplied from the polishing belt upstream to relatively linear movement between the belt, together with applying a pressure by the pressure fluid from the rear to the polishing belt, the polishing belt and is characterized in that polishing the by interposing a liquid film due to the pressure liquid 該被 polished the polishing to be 該被 polished give a uniform pressure to the plane of between the pressure plate, that the the above-mentioned object can be achieved by.

また、本発明のポリッシング装置は、被研磨物の研磨すべき平面状の面に適当な間隔をあけて対向配設された平板状の圧力盤と、該圧力盤と被研磨物の研磨すべき面との間に介装されて被研磨物とは相対的に直線方向へ移動し得るように複数のプーリに巻掛けられているポリッシングベルトと、該ポリッシングベルトと被研磨物との間に該ポリッシングベルト上流側から砥液を供給する手段と、研磨すべき平面に対して該ポリッシングベルトと圧力盤との間に圧力液体による液体膜を介在させる液体膜介在手段とを具備するものであり、そのことにより上記目的が達成される。 Further, the polishing apparatus of the present invention, to be polished of a flat pressure plate which are oppositely provided at appropriate intervals in a plane of the surface to be polished of the object to be polished, pressure plate and the object to be polished the between a polishing belt and the object to be polished is interposed between the surface and wound around a plurality of pulleys so as to move relatively in the linear direction, and the polishing belt and the object to be polished It means for supplying the polishing liquid from the polishing belt upstream, which includes a liquid film interposed means for interposing the liquid film due to the pressure fluid between the polishing belt and the pressure plate with respect to the plane to be polished, the objects can be achieved.

さらに、好ましくは、本発明のポリッシング装置における液体膜介在手段は、圧力盤のポリッシングベルトに対向した平面に平面状に複数開設されて該ポリッシングベルトに向けて水を吐出させる複数の液体吐出孔を有する。 Further, preferably, the liquid film intervening means in a polishing apparatus of the present invention, a plurality of liquid discharge holes for discharging water toward the polishing belt is more open in a planar shape on opposing plane polishing belt pressure plate a.

さらに、好ましくは、本発明のポリッシング装置において、内部に洗浄液が収容され該洗浄液に前記ポリッシングベルトが浸漬するように設けられた洗浄液槽内に、 Further, preferably, in a polishing apparatus of the present invention, the polishing belt in the cleaning liquid tank which is provided to be immersed within the cleaning liquid is accommodated in the washing liquid,
該洗浄液に入る該ポリッシングベルトに転接して、該ポリッシングベルト表面を清掃するブラシ性のスクラバロールと、該洗浄液から退出する該ポリッシングベルト表面に転接し該ポリッシングベルト表面を研磨して再生する再生ロールとが配設されている。 And rolling contact with said polishing belt entering said cleaning solution, a brush of the scrubber roll to clean the polishing belt surface and reproduces the polished rolling contact the polishing belt surface to the polishing belt surface exiting from the cleaning liquid reproducing roll door is disposed.

さらに、本発明のポリッシング装置は、被研磨物の研磨すべき平面状の面に適当な間隔をあけて対向配設された平板状の圧力盤と、該圧力盤と被研磨物の研磨すべき面との間に介装されて被研磨物とは相対的に直線方向へ移動し得るように複数のプーリに巻掛けられているポリッシングベルトと、該ポリッシングベルトと被研磨物との間に該ポリッシングベルト上流側から砥液を供給する手段と、研磨すべき平面に対して該ポリッシングベルトと圧力盤との間に圧力液体による液体膜を介在させる液体膜介在手段と、該ポリッシングベルトの移動方向に直交する方向の往復運動により該圧力盤と被研磨物との間隔を変化させる往復運動手段とを具備するものであり、 Furthermore, the polishing apparatus of the present invention, to be polished of a flat pressure plate which are oppositely provided at appropriate intervals in a plane of the surface to be polished of the object to be polished, pressure plate and the object to be polished the between a polishing belt and the object to be polished is interposed between the surface and wound around a plurality of pulleys so as to move relatively in the linear direction, and the polishing belt and the object to be polished means for supplying the polishing liquid from the polishing belt upstream, and the liquid film interposed means for interposing the liquid film due to the pressure fluid between the polishing belt and the pressure plate with respect to the plane to be polished, the moving direction of the polishing belt is intended to and a reciprocating means for changing the distance between the pressure plate and the object to be polished by the direction of the reciprocating motion perpendicular to,
そのことにより上記目的が達成される。 The objects can be achieved.

(実施例) 以下に本発明を実施例について説明する。 (Example) On the invention the following examples will be described.

本発明のポリッシング装置は、第1図に示すように、 Polishing apparatus of the present invention, as shown in FIG. 1,
被研磨物であるウエハ14を下面に保持する平板状のキャリヤー13を有する。 Having a flat carrier 13 for holding the wafer 14 to be polished on the lower surface. 該キャリヤー13は水平状に配設されており、該キャリヤー13の下方には平板状の圧力盤12 The carrier 13 is arranged in a horizontal state, the lower of the carrier 13 plate-shaped pressure plate 12
が、適当な間隔をあけて水平状に配設されている。 There are disposed in horizontally at appropriate intervals. 該圧力盤12の各側方には、それぞれプーリ17および18が、該圧力盤12を挟むように、水平状に配設されている。 Each side of the pressure plate 12, respectively pulleys 17 and 18, so as to sandwich the pressure plate 12, are arranged in a horizontal state. 一方のプーリ18の下方には、プーリ19が水平状に配設されている。 Below the one pulley 18, a pulley 19 is disposed horizontally. 該プーリ19は、洗浄液が収容された洗浄液槽20内に位置しており、該洗浄液槽20内の洗浄液に該プーリ19 The pulley 19 is located within the cleaning liquid tank 20 the cleaning liquid is accommodated, the pulley 19 to the cleaning liquid in the cleaning liquid tank 20
の下部が浸漬されている。 Lower is immersed in. 上下方向に配設されたプーリ Pulleys arranged vertically
18と19との間であって、圧力盤12の下方側には、アイドルプーリ16が配設されており、これらの四つのプーリ1 18 and be between 19, the lower side of the pressure plate 12 is idle and pulley 16 are disposed, these four pulleys 1
7,18,19,16には、無端状のポリッシングベルト11が巻掛けられている。 The 7,18,19,16, endless polishing belt 11 is wound. 該ポリッシングベルト11は、後述の砥液を保持し得る材質により構成されている。 The polishing belt 11 is composed of a material capable of retaining the abrasive liquid below. 該ポリッシングベルト11は、洗浄液槽20内のプーリ19から、アイドルプーリ16により屈曲されて、プーリ17により周回移動方向を反転された後に、ウエハ14が保持されたキャリヤー The polishing belt 11, the pulley 19 in the cleaning liquid tank 20, is bent by an idle pulley 16, after being inverted orbiting movement direction by the pulley 17, the wafer 14 is held carrier
13と圧力盤12との間を通過して、洗浄液槽20内の洗浄液に浸漬される。 13 and passes between the pressure plate 12 is immersed in the cleaning liquid in the cleaning liquid tank 20.

洗浄液槽20内には、キャリヤー13と圧力盤12との間を通過し、洗浄液に入るポリッシングベルト11に転接して該ポリッシングベルト11表面を洗浄するブラシ性のスクラバロール21が配設されている。 The washing liquid tank 20, passes between the carrier 13 and the pressure plate 12, the brush of the scrubber roll 21 for cleaning the polishing belt 11 surface rolling contact with the polishing belt 11 enters the cleaning liquid is arranged . また、該洗浄液槽20内には、該洗浄液槽20の洗浄液から退出するポリッシングベルト11に転接して該ポリッシングベルト11を研削することにより再生する例えばゴム性の再生ロール22が配設されている。 Also within the cleaning liquid tank 20, reproduction roll 22 of for example rubber reproduced by grinding the polishing belt 11 rolling against the polishing belt 11 exiting from the cleaning liquid of the cleaning liquid tank 20 is disposed .

キャリヤー13と圧力盤12との間を通過するポリッシングベルト11は、その表面(上面)がキャリヤー13の下面に保持されたウエハ14とは略接触状態になり、その背面(下面)は、圧力盤12とは略接触状態になっている。 Polishing belt 11 passing between the carrier 13 and the pressure plate 12 becomes substantially contact the wafer 14 having a surface (upper surface) is held on the lower surface of the carrier 13, the back (lower surface) of the pressure plate 12 are substantially contacting state with.

キャリヤー13と圧力盤12との間に侵入するポリッシングベルト11には、ノズル部15が対向して配設されている。 The polishing belt 11 to penetrate between the carrier 13 and the pressure plate 12, the nozzle portion 15 is arranged opposite. 該ノズル部15には、砥液が通流されて、該砥液が、 The said nozzle section 15, the polishing liquid is flowed through, the abrasive fluid,
キャリヤー13と圧力盤12との間に侵入するポリッシングベルト11に向けて吐出される。 It is discharged toward the polishing belt 11 to penetrate between the carrier 13 and the pressure plate 12. 該砥液は、ポリッシングベルト11とともにキャリヤー13と圧力盤12との間から流出する。 The abrasive fluid flows out from between the carrier 13 and the pressure plate 12 together with the polishing belt 11.

圧力盤12のポリッシングベルト11の移動域側である表面には、第2図に示すように、多数の吐出孔12aが適当な間隔をあけて開設されている。 The surface is a transfer zone side of the polishing belt 11 of the pressure plate 12, as shown in Figure 2, a large number of discharge holes 12a are opened at appropriate intervals. 各吐出孔12aには、水などの圧力液体が吐出され、該圧力液体により、該圧力盤12の上方を移動されるポリッシングベルト11と該圧力盤11との間に液体膜が形成される。 Each discharge hole 12a, discharged pressure liquids such as water, the pressure liquid, the liquid film is formed between the polishing belt 11 and the pressure plate 11 is moved above the pressure plate 12. そして、該液体膜によりポリッシングベルト11が上方へ押し上げられる。 The polishing belt 11 is pushed upward by the liquid film. 液体膜を形成する圧力液体は、該圧力盤12の端部に形成された溝部(図示せず)、あるいは、該圧力盤12の端部とポリッシングベルト11との間隙等から流出される。 Pressure liquid to form a liquid film, the groove is formed in an end portion of the pressure plate 12 (not shown), or is discharged from the gap or the like between the end and the polishing belt 11 of the pressure plate 12.

このような構成のポリッシング装置によるシリコンウエハ14の研磨は次のように行われる。 Polishing of the silicon wafer 14 by polishing apparatus having such a configuration is performed as follows. 被研磨物であるウエハ14は、キャリヤー13の下面に、研磨すべき面を下方に向けて保持されて、各プーリ16,17,18,および19に巻掛けられたポリッシングベルト11が周回移動される。 Wafer 14 to be polished is, the lower surface of the carrier 13, the surface to be polished is held downward, polishing belt 11 is circularly moved hung respective pulleys 16, 17, 18, and 19 wound that. このとき、ノズル部15からは、ポリッシングベルト11とキャリヤー13に保持されたウエハ14との間に砥液が吐出されるとともに、圧力盤12の各吐出孔12aから、例えば、 At this time, from the nozzle portion 15, with the abrasive liquid is discharged between the polishing belt 11 and the wafer 14 held by the carrier 13, from the discharge holes 12a of the pressure plate 12, for example,
水等の圧力液体が吐出される。 Pressure liquid such as water is discharged.

このような状態で、ポリッシングベルト11がキャリヤー13と圧力盤12との間に周回移動してくると、該ポリッシングベルト11と圧力盤12との間には、圧力盤12の各吐出孔12aから吐出される圧力液体の液体膜が形成され、 In this state, the polishing belt 11 comes orbiting movement between the carrier 13 and the pressure plate 12, between the said polishing belt 11 and the pressure plate 12, from the discharge holes 12a of the pressure plate 12 liquid membrane pressure liquid ejected is formed,
該液体膜により、ポリッシングベルト11がウエハ14方向へ押し上げられる。 The liquid film, polishing belt 11 is pushed up to the wafer 14 direction. これにより、該ポリッシングベルト As a result, the polishing belt
11は、ノズル部15から吐出される砥液を介してキャリヤー13に保持されたウエハ14に強く当接される。 11 is strongly abutted against the wafer 14 held by the carrier 13 via the polishing liquid discharged from the nozzle portion 15. このように、ポリッシングベルト11は、砥液をウエハ14の研磨すべき面全面に強く押し付けられた状態を保持しつつ、移動し、この移動の間に該ウエハ14が砥液により研磨される。 Thus, polishing belt 11, while maintaining a strong pressing was state whole surface to be polished of the polishing liquid wafer 14 moves, the wafer 14 is polished by the abrasive liquid during this movement. このとき、キャリヤー13は、ポリッシングベルト11 At this time, the carrier 13, a polishing belt 11
の周回移動方向と直交する方向に往復運動させることにより、より一層効果的にウエハ14をポリッシングすることができる。 By reciprocating in a direction orthogonal to the circular movement direction, it is possible to polish the more effectively the wafer 14.

本発明のポリッシング装置に使用される砥液は、アルカリ性のコロイダルシリカ水溶液、微細砥粒を懸濁させたアルカリ性あるいは酸性の水溶液、これらにアミンを加えたもの、等が使用される。 Abrasive liquid used in the polishing apparatus of the present invention, the alkaline colloidal silica aqueous solution, an aqueous solution of an alkaline or acidic suspension of fine abrasive grains, these plus the amine, and the like are used. 該砥液は、含有する遊離微細砥粒が機械的に作用することにより、かつその酸性あるいはアルカリ性の液やアミンが化学的に作用することにより、ストックリムーバル工程から仕上げポリッシング工程に至るポリッシング作業を行う。 The abrasive fluid, by free fine abrasive grains containing acts mechanically, and by its acidic or alkaline solution or an amine acts chemically, the polishing work, from the stock removal process finish polishing step do. 該砥液および該砥液を用いたポリッシング方法は、例えば、特開昭61 The abrasive liquid and polishing method using the abrasive fluid, for example, JP 61
−38954号公報に開示されている。 It disclosed in -38954 JP.

ポリッシングベルト11は、フェルトタイプポリッシングパッド材、ナップタイプポリッシングパッド材等のように、砥液を保持し得る材質のものが使用される。 Polishing belt 11, the felt type polishing pad material, as in such nap-type polishing pad material, made of a material capable of retaining the abrasive liquid is used. また、これらのパッド材の内部に、あるいは背面に、コード状もしくは織布等のシート状の屈曲性抗張体により補強してもよい。 Further, in the interior of these pad material, or on the back, it may be reinforced by cord-shaped or sheet-like flexible tensile member such as a woven fabric. さらに、ポリッシングベルトとしては、 Further, as the polishing belt,
ポリッシング面に織布を用い、該織布の背面に適当な暑さのエラストマー層を積層したポリッシングパッド材、 With woven fabric polishing surface, the polishing pad material layered elastomeric layer of suitable heat on the back of the woven,
プラスチックやエラストマーの単体層あるいはそれらの複合層であって、そのポリッシング面に砥液を保持するための溝部や凹部が形成されたポリッシングパッド材を用いてもよい。 A single layer or a composite layer thereof plastics and elastomers, it may be used polishing pad material groove or recess for holding the abrasive liquid to the polishing surface is formed.

ポリッシングベルト11と圧力盤12との間に形成される液体膜によるポリッシングベルト11の押圧力は、ポリッシングに際してウエハ14に加わる必要圧力により設定され、例えば、シリコンウエハのポリッシングにおけるストックリムーバルポリッシング工程では、300〜500g/cm The pressing force of the polishing belt 11 and the polishing belt 11 by the liquid film formed between the pressure plate 12 is set by the required pressure applied to the wafer 14 during polishing, for example, in the stock removal polishing step in the polishing of a silicon wafer, 300~500g / cm
2 、仕上げポリッシング工程では、50〜100g/cm 2とされる。 2, the finishing polishing step is a 50 to 100 g / cm 2. 300〜500g/cm 2の圧力は、水等の液体を用いることにより容易に得られる。 Pressure of 300 to 500 g / cm 2 are readily obtained by using a liquid such as water. また、50〜100g/cm 2の圧力は空気等の気体を用いることにより容易に得られる。 The pressure of 50 to 100 g / cm 2 is easily obtained by using a gas such as air.

ポリッシングベルト11は無端状である必要はなく、例えば、第3図に示すように、ポリッシングベルト11が有端状であって、その各端部が巻取りリール31及び36に巻回されている構成であってもよい。 Polishing belt 11 need not be endless, for example, as shown in FIG. 3, a polishing belt 11 with ends shaped, each of its ends are wound up reel 31 and 36 wound a configuration may be. 一方の巻取りリール One of the take-up reel
31から繰り出されるポリッシングベルト11は、上下一対のアイドルプーリ32および33を介してプーリ18に巻掛けられ、該プーリ18からキャリヤー13と圧力盤12との間を通過して、プーリ17に巻掛けられ、上下一対のアイドルプーリ34および35を介して巻取りリール36に巻取られている。 Polishing belt 11 fed from 31 is subjected pulley 18 wound through a pair of upper and lower idle pulley 32 and 33, passes through between the carrier 13 and the pressure plate 12 from the pulley 18, the pulley 17 wound seat It is, are taken up reel 36 wound through a pair of upper and lower idle pulley 34 and 35. このような構成の場合には、ポリッシングベルト交互に高速にて容易に往復運動させることができる。 In such a case the arrangement can be readily reciprocated polishing belt alternately at a high speed.

この場合にも、例えば、それぞれ対を成す各アイドルプーリ32および33、34および35における下側のプーリ3 In this case, for example, lower pulley 3 at each idle pulley 32 and 33, 34 and 35 respectively form a pair
3、34をそれぞれ洗浄液槽20および20内に位置させ、各プーリ33および34の下部の周回域を通過するポリッシングベルト11を洗浄液に浸漬するようにしてもよい。 3,34 respectively are positioned in the cleaning liquid tank 20 and 20, and the polishing belt 11 which passes through the circumferential area of ​​the bottom of the pulleys 33 and 34 may be immersed in the cleaning liquid. 各洗浄液槽20には、スクラバロール21および再生ロール22が配設されている。 Each washing solution tank 20, the scrubber roll 21 and the reproduction roll 22 is disposed.

次に、本発明装置によりシリコンウエハのポリッシング実験を行ったので、以下に詳述する。 Then, since it was polishing experiment of the silicon wafer by the present invention apparatus, described in detail below.

(実験例1) 第1図に示す装置により、シリコンウエハ14をポリッシングした。 The apparatus shown in Experimental Example 1 Figure 1 were polished silicon wafers 14. 該装置は、各プーリ16〜19がステンレス製であり、直径が100mm、軸方向長さが180mmである。 The apparatus respective pulleys 16 to 19 is made of stainless steel, which is 100mm in diameter and axial length 180 mm. これらのプーリに巻掛けられるポリッシングベルト11は、周長1800mmの無端シームレス状に接合した幅175mm、厚さ3 Polishing belt 11 to be wound around the pulleys, the width was joined in an endless seamless shaped circumferential length 1800 mm 175mm, thickness 3
00μmの二軸延伸ポリエステルシートに、厚さ0.8mmのフェルトタイプのポリッシングパッド材(ロデール・ニッタ株式会社製、商品名「SUBA−600」)を耐屈曲性の接着剤にて無端状に接着したものを用いた。 Biaxially oriented polyester sheet of 00μm, polishing pad material of the felt type with a thickness of 0.8mm was adhered to the endless the (Rodel Nitta Co., Ltd., trade name "SUBA-600") in the bending resistance of the adhesive using things. 圧力盤12 Pressure plate 12
は、セラミック製であり、その表面(上面)は高精度に平面仕上げされている。 Is made of ceramic, the surface (upper surface) is flat finished with high accuracy. 該圧力盤12の表面は、180mm×1 The surface of the pressure plate 12 is, 180mm × 1
80mmの大きさであって、ポリッシングベルト11の背面から、正確に10μmだけ下方に位置されている。 A size of 80 mm, from the rear of the polishing belt 11, which is positioned downward by exactly 10 [mu] m. 該圧力盤 Pressure board
12の表面における中央部150mm×150mmの領域内に、直径 The central portion 150 mm × 150 mm in the region in 12 the surface of a diameter
1mmの吐出孔12aが、10mmピッチに256個開設されている。 Discharge hole 12a of 1mm has been established 256 to 10mm pitch. 各吐出孔12aは圧力盤12内にてそれぞれが連通されている。 Each discharge hole 12a is respectively at a pressure plate 12 are communicated. 各吐出孔12aからは、0.5kg/cm 2の圧力で純水を吐出させた。 From the discharge hole 12a, ejected pure water at a pressure of 0.5 kg / cm 2. 該圧力盤12と対向するキャリヤー13は、セラミック製であり、該キャリヤー13に6インチのシリコンウエハ14を保持させた。 Carrier 13 which faces the pressure plate 12 is made of ceramic, it was holding the silicon wafer 14 6-inch to the carrier 13. 圧力盤12のポリッシングベルト11走行方向下流側のプーリ17には、厚さ8mmの多孔質焼結体金属のスリーブを外嵌して、ポリッシングベルト The polishing belt 11 the running direction downstream side of the pulley 17 of the pressure plate 12 is fitted around the porous sintered body metal sleeve thickness 8 mm, polishing belt
11とともに搬送される水が該プーリ17とポリッシングベルト11との間に膜を作らないようにした。 Water to be transported along with 11 to avoid creating a film between the pulley 17 and the polishing belt 11.

このような装置において、ポリッシングベルト11を走行させるとともに、ノズル部15からポリッシングスラリー(Nalco社製、コロイダルシリカ#2350の20倍希釈液)を30cc/分の流量で供給した。 In such a device, together with moving the polishing belt 11, the polishing slurry from the nozzle portion 15 (Nalco Corporation, 20-fold dilution of the colloidal silica # 2350) was fed at 30 cc / min flow rate. このとき、キャリヤー13をポリッシングベルト11の走行方向と直交する方向にストロークが2mmとなるように往復移動させて、シリコンウエハ14をポリッシングした。 At this time, by reciprocating to stroke in a direction perpendicular to the carrier 13 and the travel direction of the polishing belt 11 is 2 mm, was polished silicon wafer 14. そして、このようなポリッシング時において、0.75μm/分の割合で切込み送り(圧力)を与えた。 At the time of such polishing, it gave a cut feed (pressure) at a rate of 0.75 .mu.m / min.

ウエハの削り代は15μmであり、面粗度Rmaxは20〜30 Cutting margin of the wafer is 15μm, the surface roughness Rmax is 20 to 30
Å、平面度はTTV(Total Thickness Variation)で0. Å, flatness in the TTV (Total Thickness Variation) 0.
8μmであった。 It was 8μm.

ポリッシングベルト11は、洗浄液槽20内の洗浄液とスクラバロール21により洗浄されるとともに、再生ロール Polishing belt 11 while being cleaned by the cleaning liquid and the scrubber roll 21 in the cleaning liquid tank 20, play roles
22により研削されて再生されており、該ポリッシングベルト11は、200枚のウエハをポリッシングすることができた。 Are reproduced is ground by 22, the polishing belt 11 were able to polish 200 wafers.

(実験例2) 第3図に示す本発明装置によりシリコンウエハ14をポリッシングした。 It was polished silicon wafers 14 by the present invention device shown in Experimental Example 2 Figure 3. 該装置の各プーリは直径が100mm、軸伸方向長さが180mmのステンレス製である。 Each pulley of the device is stainless steel 100mm in diameter and JikuShin direction length 180 mm. 巻取りリール31および36の芯径は150mm、フランジ径は480mmである。 Core diameter of the take-up reel 31 and 36 150 mm, a flange diameter of 480 mm. ポリッシングベルト11は、厚さ180μmの二軸延伸ポリエステルシートに200μmの厚さの軟質ポリウレタンナップ層を直接積層して、幅175mm、長さ420mに形成したものを用いた。 Polishing belt 11, by laminating a soft polyurethane nap layer of the biaxially oriented polyester sheet of 200μm thickness of thickness 180μm directly used was a width 175mm, length 420 m. 各巻取リリール31および36をそれぞれ交互に反対方向へ70m/分の速度で回転させて、ポリッシングベルト11を往復走行させた。 Rotate in the opposite direction to 70m / min each winding Ririru 31 and 36 are alternately respectively, was reciprocated traveling polishing belt 11.

キャリヤー13には、実験例1で得られた粗ポリッシング後のシリコンウエハ14を保持した。 The carrier 13, holding the silicon wafer 14 after the rough polishing obtained in Experimental Example 1. そして、実験例1 Then, Experimental Example 1
にて用いたポリッシングスラリーと同様のポリッシングスラリーを、80cc/分の流量で供給した。 Similar polishing slurry and the polishing slurry used in, was supplied at a flow rate of 80 cc / min. 他方、圧力盤1 On the other hand, pressure platen 1
2の各吐出孔12aからは、0.15kg/cm 2の圧力の空気を吐出させて、仕上げポリッシングを6分間にわたって行った。 From 2 of each discharge hole 12a, by discharging air at a pressure of 0.15 kg / cm 2, it was finished polishing for 6 minutes. 得られたウエハは、取り代平均が0.5μmであり、 The resulting wafer, allowance average is 0.5μm,
面粗度Rmaxは、5Å以下となり粗ポリッシング工程後に残っていたマイクロスクラッチ、ヘイズ等は完全に除去され、鏡面状の平面が得られた。 Surface roughness Rmax is, 5 Å or less and be micro scratches that remained after the rough polishing step, the haze and the like are completely removed, mirror-like plane was obtained.

(発明の効果) 本発明のポリッシング方法は、このように、被研磨物とは相対的に直線方向に移動するポリッシングベルトの背面から研磨物の研磨面全面積にわたって間に介在する圧力液体膜により均一な圧力を付与して、該ポリッシングベルトを被研磨物に砥液を介在させて押圧するようにしているため、被研磨物の研磨すべき面全体を高精度でポリッシングし得て厳格な平面研磨を可能とし、研磨材質部分の材質ムラの影響をもキャンセルできる。 (Effect of the Invention) polishing method of the present invention is thus, by the pressure fluid film interposed between over polishing surface total area of ​​the polishing material from the back of the polishing belt and the polishing object to be moved relatively linear direction by applying a uniform pressure, since the said polishing belt to press with intervening abrasive liquid to the object to be polished, strict plane obtained by polishing the entire surface to be polished of the object to be polished with high precision possible and polishing, and it can be canceled also the influence of the material unevenness of polishing material portion. 圧力液体は緩衝材として機能するため、被研磨面全体に均一に圧力を付与することができ、ポリッシング精度は一層向上する。 Since the pressure fluid which acts as a buffer, it is possible to impart uniform pressure to the entire surface to be polished, polishing accuracy is further improved. ポリッシングベルトは、圧力液体膜により被研磨物に圧力を均一に加えているため、該ポリッシングベルトに緩衝作用を付与する必要がなく、従って、ポリッシング後の被研磨物のエッジにダレが生じるおそれがなく、ポリッシング精度は著しく向上する。 Polishing belt, since the added uniformly pressure to be polished by pressure liquid film, it is not necessary to provide a buffering action in the polishing belt, therefore, is a possibility that sagging occurs in the edge of the object to be polished after polishing without polishing accuracy is significantly improved. 被研磨物がIC An object to be polished is IC
用シリコンウエハの場合には、要求されるTTV1μm以下を容易に達成し得る。 In the case of use silicon wafers can readily achieve the following required TTV1myuemu.

本発明のポリッシング装置は、ポリッシングベルトと被研磨物とが相対的に直線方向へ移動されるために、被研磨物が均一にかつ高精度にポリッシングされる。 Polishing apparatus of the present invention, since the polishing belt and the workpiece is moved relative linear direction, the object to be polished is polished uniformly and precisely. ポリッシングベルトと被研磨物が直線方向に相対移動されるため、被研磨物の大きさが変化した場合にも対応が容易である。 Since the polishing belt and the object to be polished is moved relative to the linear direction, it is easy to cope with the case where the size of the object to be polished is changed. ポリッシングベルトと被研磨物との間隔が、ポリッシングベルトと圧力盤との間に介装される圧力液体膜などの圧力流体膜により変更し得るために、その制御が容易であり、粗ポリッシング工程、仕上げポリッシング工程等への対応が容易である。 Polishing belt and distance between the object to be polished is, in order to be able to change the pressure fluid film such as a pressure liquid film that is interposed between the polishing belt and the pressure plate, it is easy to its control, the rough polishing step, response to finishing polishing step, etc. is easy.

しかも、従来頻繁に必要だった研磨布の洗浄、再生等のメンテナンスをポリッシングベルトが作動している間に行い得るため、連続的にポリッシング作業を行うことができ、ポリッシングベルトの寿命までポリッシング作業を中断する必要がない。 Moreover, the cleaning of conventional frequent polishing cloth was necessary, since that can perform during polishing belt maintenance such as reproduction is operating, it is possible to continuously perform polishing work, the polishing work until the life of the polishing belt there is no need to interrupt.

さらに、ポリッシングベルト上流側から供給された砥液を流通させつつ研磨物とポリッシングベルトを相対的に直線移動させるため、ウエハの大寸法化に伴う砥液の流接不良や流接ムラを解消することができる。 Furthermore, since the polished and polishing belt is relatively linearly moved while flowing the polishing liquid supplied from the polishing belt upstream, eliminating Nagarese' failure and Nagarese' unevenness of polishing liquid due to the large size of the wafer be able to.

さらに、圧力流体として水などの液体を用いれば、気体よりも液体の方が圧力を確実に均一に伝達でき、より均一な平面に研磨することができる。 Further, if a liquid such as water as pressure fluid, than the gas can be reliably transmitted uniformly towards the liquid pressure can be polished to a more uniform plane.

さらに、洗浄液槽を設けてポリッシングベルトを常に洗浄しているので、ポリッシング効果およびポリッシング精度を向上させることができる。 Further, since the constantly cleaned polishing belt provided with a cleaning liquid tank, it is possible to improve the polishing effect and polishing accuracy.

しかも、ポリッシング後のベルト表面に付着した研削粉をブラシで清掃して洗浄液で洗浄し、さらに、清掃されたポリッシングベルト表面を研削して再生することができ、ポリッシングベルトの表面の清掃および研削再生を同一の洗浄層内ですることができてスペースを取らずにポリッシング効果および精度をより向上させることができる。 Moreover, the grinding powder attached to the belt surface after polishing and cleaning a brush is washed with the washing solution, further, can be reproduced by grinding the cleaned the polished belt surface, cleaning and grinding regeneration of the surface of the polishing belt it is possible to further improve the polishing effect and accuracy without taking a space that can be in the same cleaning layer.

さらに、ポリッシングベルトの移動方向に直交する方向の往復運動により圧力盤と被研磨物との間隔を往復運動手段で変化させることにより、より一層効果的にウエハをポリッシングすることができる。 Furthermore, by varying the reciprocation means the distance between the pressure plate and the object to be polished by the reciprocating motion in the direction perpendicular to the moving direction of the polishing belt, it is possible to polish more effectively wafer.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

第1図は本発明のポリッシング装置の一例を示す概略構成図、第2図はその要部の断面図、第3図は本発明ポリッシング装置の他の実施例の概略構成図、第4図(a) Schematic structural view showing an example of the polishing apparatus of the first figure present invention, FIG. 2 is a cross-sectional view of the main portion, FIG. 3 is a schematic block diagram of another embodiment of the present invention polishing apparatus, FIG. 4 ( a)
は、従来のポリッシング装置の側面図、第4図(b)はそのB−B線における断面図である。 Is a side view of a conventional polishing apparatus, FIG. 4 (b) is a sectional view along the line B-B. 11……ポリッシングベルト、12……圧力盤、12a……吐出孔、13……キャリヤー、14……ウエハ、15……ノズル部、16,17,18,19……プーリ、20……洗浄液槽、21…… 11 ...... polishing belt, 12 ...... pressure plate, 12a ...... discharge hole, 13 ...... carrier, 14 ...... wafer, 15 ...... nozzle portion, 16, 17, 18, 19 ...... pulley, 20 ...... washing liquid tank ,twenty one……
スクラバロール、22……再生ロール、31,36……巻取りリール。 Scrubber roll, 22 ...... playback roll, 31 and 36 ...... take-up reel.

Claims (5)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】被研磨物の研磨すべき面が平面状になっており、該研磨すべき平面にポリッシングベルトを対向させて、該被研磨物とポリッシングベルトとの間に該ポリッシングベルト上流側から供給される砥液を流通させつつ両者を相対的に直線移動させる際に、該ポリッシングベルトにその背面から圧力液体により圧力を付与するとともに、該ポリッシングベルトと圧力盤との間に圧力液体による液体膜を介在させて該被研磨物の該研磨すべき平面に均一な圧力を与え該被研磨物をポリッシングすることを特徴とするポリッシング方法。 [Claim 1] A polishing to be a surface of the object to be polished becomes flat, so as to face the polishing belt in the plane to be the polishing, the polishing belt upstream between 該被 polished and polishing belt when for relatively linearly moving both while circulating the abrasive liquid supplied from, with applying a pressure by the pressure fluid from the rear to the polishing belt, due to the pressure fluid between the polishing belt and the pressure plate polishing method characterized by the liquid film interposed therebetween to polish 該被 polished 該被 polished give a uniform pressure to the plane to be polished said the.
  2. 【請求項2】被研磨物の研磨すべき平面状の面に適当な間隔をあけて対向配設された平板状の圧力盤と、 該圧力盤と被研磨物の研磨すべき面との間に介装されて被研磨物とは相対的に直線方向へ移動し得るように複数のプーリに巻掛けられているポリッシングベルトと、 該ポリッシングベルトと被研磨物との間に該ポリッシングベルト上流側から砥液を供給する手段と、 研磨すべき平面に対して該ポリッシングベルトと圧力盤との間に圧力液体による液体膜を介在させる液体膜介在手段とを具備するポリッシング装置。 2. A workpiece pressure plate tabular which are oppositely provided at appropriate intervals in a plane of the surface to be polished of, between the polishing to be a surface of the pressure plate and the object to be polished a polishing belt that is wound around a plurality of pulleys as the interposed has been workpiece may move relatively in the linear direction, the polishing belt upstream between the polishing belt and the object to be polished polishing apparatus having a liquid film interposed means for interposing the liquid film due to the pressure fluid between the polishing belt and the pressure plate relative to the unit and, to be polished plane supplying polishing liquid from.
  3. 【請求項3】前記液体膜介在手段は、圧力盤のポリッシングベルトに対向した平面に平面状に複数開設されて該ポリッシングベルトに向けて水を吐出させる複数の液体吐出孔を有する請求項2に記載のポリッシング装置。 Wherein the liquid film interposed means to claim 2 having a plurality of liquid discharge holes for discharging water toward the polishing belt is more open in a planar shape on opposing plane polishing belt pressure plate polishing apparatus described.
  4. 【請求項4】内部に洗浄液が収容され該洗浄液に前記ポリッシングベルトが浸漬するように設けられた洗浄液槽内に、 該洗浄液に入る該ポリッシングベルトに転接して、該ポリッシングベルト表面を清掃するブラシ性のスクラバロールと、 該洗浄液から退出する該ポリッシングベルト表面に転接し該ポリッシングベルト表面を研削して再生する再生ロールとが配設されている請求項2に記載のポリッシング装置。 4. A in the cleaning liquid tank which is provided to the polishing belt to the cleaning liquid cleaning liquid contained inside is immersed in rolling contact with the polishing belt entering said cleaning liquid, to clean the polishing belt surface brush and sex of the scrubber roll polishing apparatus according to the rolling contact the polishing belt surface to claim 2 where the playback rolls are disposed to reproduce by grinding to the polishing belt surface exiting from the washing liquid.
  5. 【請求項5】被研磨物の研磨すべき平面状の面に適当な間隔をあけて対向配設された平板状の圧力盤と、 該圧力盤と被研磨物の研磨すべき面との間に介装されて被研磨物とは相対的に直線方向へ移動し得るように複数のプーリに巻掛けられているポリッシングベルトと、 該ポリッシングベルトと被研磨物との間に該ポリッシングベルト上流側から砥液を供給する手段と、 研磨すべき平面に対して該ポリッシングベルトと圧力盤との間に圧力液体による液体膜を介在させる液体膜介在手段と、 該ポリッシングベルトの移動方向に直交する方向の往復運動により該圧力盤と被研磨物との間隔を変化させる往復運動手段とを具備するポリッシング装置。 5. A workpiece pressure plate tabular which are oppositely provided at appropriate intervals in a plane of the surface to be polished of, between the polishing to be a surface of the pressure plate and the object to be polished a polishing belt that is wound around a plurality of pulleys as the interposed has been workpiece may move relatively in the linear direction, the polishing belt upstream between the polishing belt and the object to be polished a liquid film interposed means for interposing the liquid film due to the pressure fluid between the means for supplying the abrasive liquid, the plane to be polished with the polishing belt and the pressure plate from a direction perpendicular to the moving direction of the polishing belt polishing apparatus comprising a reciprocating means for changing the distance between the pressure plate and the object to be polished by the reciprocating motion of the.
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