JPH0794012A - 微細結晶質Pt粉末、その製造方法及び厚膜導体用Ptペースト - Google Patents
微細結晶質Pt粉末、その製造方法及び厚膜導体用PtペーストInfo
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Abstract
造欠陥を生じない厚膜導体用Ptペーストを提供する。 【構成】有機ビヒクルに結晶子が35〜60nmの微細
結晶質Pt粉末を全重量の60〜90重量%分散させて
なることを特徴とする厚膜導体用Ptペースト。 【効果】配合されているPt粉末の結晶性が高いため、
粒子の異常成長が起こらず、本発明のペーストは印刷性
も問題なく導体を形成し、1000℃以上の高温焼成におい
ても発泡、剥離、異常収縮等の構造欠陥を抑制する。
Description
粉末に関し、特にはアルミナ、ジルコニア等のセラミッ
ク基板上に厚膜導体として、電極、ヒーター、回路を形
成することに有効な貴金属粉末及び貴金属粉末ペースト
及びこれらの製造方法に関する。
法や気相反応やガス還元等で得られる0.1〜5μmのP
t粉末が用いられる。これらのPt粉末を有機ビヒクル
に分散させて、必要に応じ種々の添加剤を加え、得られ
るペーストは、ドクターブレード法等でシート化された
アルミナ及びジルコニアのグリーンシート上にスクリー
ン印刷によって導体を形成し、同時に焼成することによ
って電極、ヒーター及び回路となる。
t粉末は、一般にアモルファス状である。
t粉末を用いたペーストの焼成温度が高温の場合、例え
ば1000℃以上になると、電極膜中のポアが多くなり、発
泡や剥離、異常収縮等の構造欠陥が生じるという欠点が
あった。
離、異常収縮等の構造欠陥が生じない厚膜導体用Ptペ
ーストを提供すること、及び、特に、そのために有用な
Pt粉末を提供することを目的とする。
従い鋭意研究の結果、上記構造欠陥が、Ptの粒子成長
が激しく起こるために生じることを突き止め、Pt粉末
に所定の微細結晶性を付与することによりこれらが解消
され、上記目的が達成されることを見出し、本発明を完
成させた。
である微細結晶質の粒子からなるPt粉末を提供するも
のであり、前記本発明の結晶性Pt粉末は、不活性かつ
Pt粉末同士が焼結をおこさない条件でアモルファス状
のPt粉末を350〜650℃で所定の結晶子に達する
まで加熱して結晶化させることにより製造される。本発
明は、また、有機ビヒクルに本発明の結晶性Pt粉末を
所定量(好ましくは全重量の60〜90重量%)分散さ
せてなる厚膜導体用Ptペーストを提供するものであ
る。
子同士の結合による急激な粒成長を生じない条件でPt
粉末粒子内での微細結晶子の生成を図る。これにより、
結晶の状態が安定化し、メタライズ時の高温加熱に際し
てもPtの粒子としての成長を抑制することができる。
これは、微細結晶子を予め生成させれば粒成長が一層増
大すると、一見考えられることに対する大きな驚きであ
り、アンチテーゼを成す。即ち、所定の微細結晶子の生
成は、Pt粉末をかえって温度に対して安定化させる効
果を有することが判明したのである。
中に含まれる微細結晶子のことをいう。また、結晶子の
大きさは、粉末X線回折から求められる値を指し、X線
回折チャートの強度ピークの半値幅を求め下記のシェラ
ーの式により算出される値とする。
末」とは、周知の方法、即ち、還元析出法、気相反応法
及びガス還元法等により製造された結晶性の低いアモル
ファス状のPt粉末をいうこととし、「微細結晶質性P
t粉末」とは、前記アモルファスPt粉末を本発明の方
法により熱処理して得られる、結晶子が35〜60nm
の微細結晶質を有するPt粉末をいうこととし、呼び方
を変えることで、両者を区別させることとする。
れた電極、ヒーター及び回路等は、焼成時の高温による
Pt粒子の異常成長が抑制され、セラミックシートの収
縮とペーストの収縮が合う為に発泡やシートからの剥
離、収縮等の構造欠陥が防止できる。また、本発明の微
細結晶質性Pt粉末は、その結晶性を上げて微細結晶質
としている為、高温時における粒子の異常成長が抑制さ
れる。従って、有機ビヒクル中に配合させると、前記種
々の構造欠陥を防止できる厚膜導体用Ptペーストを得
ることができる。 更には、本発明の微細結晶質性Pt
粉末の製造方法により、粒子の異常成長が抑制されたP
t粉末を製造することができる。
することによって、種々の構造欠陥を防止することが期
待される。
造方法は、周知の還元析出法、気相反応法及びガス還元
法等で製造されるアモルファスPt粉末を材料とする。
本発明に適用するPt粉末の好ましい粒子径は0.2〜2
μmである。
なるPt粉末は焼結の際の異常粒成長が抑制されたもの
となる。結晶子が35nm未満では粒成長を抑制するこ
とができず、発泡等を防ぎきれない。結晶子が60nm
を超える粒子は製造するために700℃程度の高熱で処
理されなければならず、そうすると粒子同士のネッキン
グが進行するなどの弊害が生じ、製造が困難であるため
不適である。
に関し、Pt粉末と不活性な環境でかつPt粉末同士が
焼結しないようにすることが肝要である。例えば、不活
性ガス中で、前記不活性ガスを流通循環させてPt粉末
を分散させて熱処理を行う。空気中で熱処理を行うと、
微細結晶性は獲得されるものの、Ptが酸化を受けるた
め該粉末を使用して作製したヒーター、電極等の焼結時
に構造欠陥をきたす。故に不活性ガスにはN2、H2及び
Arなどの希ガスが挙げられる。また高沸点の不活性溶
媒(例えば3M社製のフロリナートFC−77)中にP
t粉末を分散させて熱処理を行ってもよい。
方法は、ここに掲げたものに限定されない。
ァクターになっていると考えられる。熱処理温度は35
0℃以上650℃以下とし、好ましくは、500℃〜6
00℃である。350℃以下では結晶子が35nm未満
のPt粒子が多数存在し、結晶質形成が十分ではなく、
発泡等を防ぎきれない。一方、650℃より高温では、
粒子の結晶質化は60nmを超え十分に大きくなるが、
かえって粒子同士のネッキングが進行しペースト化には
適さなくなる。
れるが、好ましくは1〜5時間程度である。例えば、具
体的なスケジュールを一つ挙げると、20〜30℃/m
inで昇温していき、500〜600℃になったら15
〜60分保持した後、3〜5℃/minで降温してい
く。
従来のPtペーストの製造方法と同様にして有機ビヒク
ル中に分散させれば、本発明の導体用Ptペーストが得
られる。本発明の導体用Ptペーストは、従来のものと
異なり、発泡やセラミックシートからの剥離、収縮等の
構造欠陥が生じない。
粉末は、通常配合されている量でよく、好ましくは60
〜90重量%であり、更に好ましくは65〜80重量%
である。60重量%未満では、貴金属粉末が少なすぎる
ため導電性が悪く、逆に90重量%を超えると、ペース
トの流動性が失われ、印刷性、塗布性が悪化する。
ストに使用されているものを選択すれば良く、例えば、
バインダーにはエチルセルロースなど、溶剤にはB.
C.系などが挙げられる。また、本発明のペースト中に
は必要に応じてセラミック粉末等の添加剤を15重量%
程度まで含有させることができる。
末を所定のセラミック容器に入れ、雰囲気置換できる電
気炉に入れ、真空脱気を行なった。真空度は10-1〜1
0-3Torrが望ましい。その後、N2等の不活性ガス
を100〜500cc/minの流速で導入し雰囲気置
換を行なった。
00cc/min)で所定の温度でPt粉末の熱処理を
行ない、それぞれ10、30、35、40、45、50
nmの結晶子を有する結晶質性Pt粉末を製造した。各
結晶子ごとに表1に記載の組成に従ってペースト材料を
調合し、セラミック三本ロールミルを用い混練を行ない
ペースト化した。
し、ジルコニア等のセラミックグリーンシートにスクリ
ーン印刷し、プレスを行ない、電極及び回路を作製し
た。また、前記導体用Ptペーストを前記セラミックグ
リーンシートにスクリーン印刷し、これを積層してプレ
スを行ない、ヒーターを作製した。焼成は共に、155
0℃〜1590℃で2時間保持し、できあがった製品の
構造欠陥等を調べた。結果を表2に示す。
による不良が認められず、電極の剥離も生じなかった。
しかし、結晶子が35nm未満(10、30nm)のも
のを用いた電極及びヒーターは発泡が認められ、剥離等
の不良が生じた。図1にPt粒子の結晶子と発泡率の関
係を示すが、30nmにおいて50%の発泡率を示した
が、35nm以上では0%を示した。
トを用いて作製したヒーターの表面及び断面を走査型電
子顕微鏡により観察を行なった(図2及び図3)。表面
を比較すると、結晶子が10nmのPt粒子を配合した
ペーストを用いた場合には粒子の成長が大きく粒界も鮮
明であったが、結晶子が35nmのものの場合には粒子
の成長は小さく粒界が不鮮明であった。断面を比較する
と、前者の場合はポアが大きく多数存在するが、後者の
場合はポアは小さく、数も少なくなることがわかった。
℃で結晶子を35〜60nmになるまで加熱して得られ
る微細結晶質性Pt粉末は、粒子の異常成長が抑制され
た粉末で、ペースト化における印刷性も問題なく導体を
形成し、1000℃以上での高温焼成においても発泡、剥
離、収縮等の構造欠陥を抑制することができる。従っ
て、従来のアモルファスPt粉末では防止できなかった
不良を解決した画期的なものである。
示すグラフである。
粉末を配合した本発明の導体用Ptペーストを用いて作
製したヒーターの表面の電子顕微鏡写真であり、焼成後
のセラミック材料(導体用Ptペースト)の組織を表わ
したものである(倍率×1000)。(b)前記ヒーターの
断面の電子顕微鏡写真であり、焼成後のセラミック材料
(導体用Ptペースト)の組織を表わしたものである
(倍率×1000)。
粉末を配合した比較品の導体用Ptペーストを用いて作
製したヒーターの表面の電子顕微鏡写真であり、焼成後
のセラミック材料(導体用Ptペースト)の組織を表わ
したものである(倍率×1000)。(b)前記ヒーターの
断面の電子顕微鏡写真であり、焼成後のセラミック材料
(導体用Ptペースト)の組織を表わしたものである
(倍率×1000)。
Claims (4)
- 【請求項1】結晶子が35〜60nmの微細結晶質の粒
子から成ることを特徴とする微細結晶質Pt粉末。 - 【請求項2】不活性かつPt粉末同士が焼結をおこさな
い条件でアモルファス状のPt粉末を350〜650℃
で、結晶子が35〜60nm以上になるまで加熱して結
晶化させて微細結晶質にすることを特徴とする微細結晶
質Pt粉末を製造する方法。 - 【請求項3】有機ビヒクルに結晶子が35〜60nmの
微細結晶質Pt粉末を所定量分散させてなることを特徴
とする厚膜導体用Ptペースト。 - 【請求項4】前記微細結晶質Pt粉末が全重量の60〜
90重量%含有する請求項3記載の厚膜導体用Ptペー
スト。
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Publications (2)
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- 1993-09-22 JP JP5257551A patent/JP2767538B2/ja not_active Expired - Lifetime
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