JPH0786549A - 光電変換装置及び該装置を搭載した情報処理装置 - Google Patents
光電変換装置及び該装置を搭載した情報処理装置Info
- Publication number
- JPH0786549A JPH0786549A JP5182212A JP18221293A JPH0786549A JP H0786549 A JPH0786549 A JP H0786549A JP 5182212 A JP5182212 A JP 5182212A JP 18221293 A JP18221293 A JP 18221293A JP H0786549 A JPH0786549 A JP H0786549A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- electrode region
- photoelectric conversion
- conversion device
- main electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 リセット動作終了後にキャリアが残らないよ
うにし、また電流増幅率ｈFEを大きくしてランダム雑
音、固定パターン雑音を小さくする。 【構成】 光エネルギーにより生成されるキャリアを制
御電極領域４に蓄積可能なトランジスタを具備し、第１
の主電極領域５より該キャリアに基づいて信号を読出す
光電変換装置において、第１の主電極領域５と第２の主
電極領域２とを電気的に導通させる手段と、第第２の主
電極領域２に隣接したリセット電極領域１と、信号を読
出した後のリセット動作の際に、前記導通手段により第
１の主電極領域５と第２の主電極領域２とを電気的に導
通させるとともに、リセット電極領域１に所定の電位を
与えて、制御電極領域４を空乏化し蓄積された前記キャ
リアを制御電極領域４からリセット電極領域１に引き出
す手段と、を備える。
うにし、また電流増幅率ｈFEを大きくしてランダム雑
音、固定パターン雑音を小さくする。 【構成】 光エネルギーにより生成されるキャリアを制
御電極領域４に蓄積可能なトランジスタを具備し、第１
の主電極領域５より該キャリアに基づいて信号を読出す
光電変換装置において、第１の主電極領域５と第２の主
電極領域２とを電気的に導通させる手段と、第第２の主
電極領域２に隣接したリセット電極領域１と、信号を読
出した後のリセット動作の際に、前記導通手段により第
１の主電極領域５と第２の主電極領域２とを電気的に導
通させるとともに、リセット電極領域１に所定の電位を
与えて、制御電極領域４を空乏化し蓄積された前記キャ
リアを制御電極領域４からリセット電極領域１に引き出
す手段と、を備える。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光電変換装置及び該装置
を搭載した情報処理装置に係り、特に第１導電型の半導
体からなる制御電極領域と、前記第１導電型とは異なる
第２導電型の半導体からなる少なくとも第１及び第２の
主電極領域と、を有し、光エネルギーを受けることによ
り生成されるキャリアを前記制御電極領域に蓄積可能な
トランジスタを具備する光電変換装置及び該装置を搭載
した情報処理装置に関する。本発明の光電変換装置は、
カメラのオートフォーカス用測距装置、複写機、ファク
シミリ、イメージリーダ等の情報処理装置に好適に用い
られるものである。
を搭載した情報処理装置に係り、特に第１導電型の半導
体からなる制御電極領域と、前記第１導電型とは異なる
第２導電型の半導体からなる少なくとも第１及び第２の
主電極領域と、を有し、光エネルギーを受けることによ
り生成されるキャリアを前記制御電極領域に蓄積可能な
トランジスタを具備する光電変換装置及び該装置を搭載
した情報処理装置に関する。本発明の光電変換装置は、
カメラのオートフォーカス用測距装置、複写機、ファク
シミリ、イメージリーダ等の情報処理装置に好適に用い
られるものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、光電変換装置、特に固体撮像装置
に関して種々の方式が提案されており、その中の一つに
電荷蓄積型の光電変換装置がある。例えば特公平４−４
８０２５号公報には、光エネルギーを受けることにより
生成されるキャリアを制御電極領域（例えばバイポーラ
トランジスタのベース領域、静電誘導トランジスタのゲ
ート領域、ＭＯＳトランジスタのゲート領域）に蓄積
し、主電極領域の一つ（例えばバイポーラトランジスタ
のエミッタ領域、静電誘導トランジスタのソース領域、
ＭＯＳトランジスタのソース領域）から蓄積されたキャ
リアに基づく信号を、該主電極領域に接続された容量負
荷を含む出力回路に読出す方式の光電変換装置が開示さ
れている。
に関して種々の方式が提案されており、その中の一つに
電荷蓄積型の光電変換装置がある。例えば特公平４−４
８０２５号公報には、光エネルギーを受けることにより
生成されるキャリアを制御電極領域（例えばバイポーラ
トランジスタのベース領域、静電誘導トランジスタのゲ
ート領域、ＭＯＳトランジスタのゲート領域）に蓄積
し、主電極領域の一つ（例えばバイポーラトランジスタ
のエミッタ領域、静電誘導トランジスタのソース領域、
ＭＯＳトランジスタのソース領域）から蓄積されたキャ
リアに基づく信号を、該主電極領域に接続された容量負
荷を含む出力回路に読出す方式の光電変換装置が開示さ
れている。
【０００３】
【発明が解決しようとしている課題】上記電荷蓄積型の
光電変換装置は、高感度、低ノイズを達成できる特徴を
有しているが、最近望まれる光電変換装置においては、
高解像度化、高感度化、低ノイズ化がより一層求められ
ている。
光電変換装置は、高感度、低ノイズを達成できる特徴を
有しているが、最近望まれる光電変換装置においては、
高解像度化、高感度化、低ノイズ化がより一層求められ
ている。
【０００４】とりわけ問題視されているのは雑音であ
る。光電変換装置における雑音には主として固定パター
ン雑音（ＦＰＮ）とランダム雑音（ＲＮ）がある。ここ
で、固定パターン雑音は外部に補正回路を設けることに
より、補正することができるので、根本的な問題はラン
ダム雑音の問題を解決しなければならないことである。
即ち、ランダム雑音を低減することが、センサーの高性
能化につながる。
る。光電変換装置における雑音には主として固定パター
ン雑音（ＦＰＮ）とランダム雑音（ＲＮ）がある。ここ
で、固定パターン雑音は外部に補正回路を設けることに
より、補正することができるので、根本的な問題はラン
ダム雑音の問題を解決しなければならないことである。
即ち、ランダム雑音を低減することが、センサーの高性
能化につながる。
【０００５】本発明者らが数多くの実験を行い鋭意検討
した結果、電荷蓄積型の光電変換装置においてランダム
雑音が残る１つの原因はリセット動作において、光によ
り生成された信号キャリアを完全に転送できていないと
いうことである。もう１つは出力の読み出し時に、トラ
ンジスタの動作における雑音が発生しているということ
である。
した結果、電荷蓄積型の光電変換装置においてランダム
雑音が残る１つの原因はリセット動作において、光によ
り生成された信号キャリアを完全に転送できていないと
いうことである。もう１つは出力の読み出し時に、トラ
ンジスタの動作における雑音が発生しているということ
である。
【０００６】なお、上記特公平４−４８０２５号公報の
光電変換装置では、トランジスタがバイポーラトランジ
スタの場合、エミッタがフローティングでベースを正の
電位とした後、さらにエミッタの電位を一定の電位にし
て、エミッタ・ベース間を順方向にバイアスして、ベー
ス電位をリセット（以下、このリセットを過渡リセット
という）しており、この過渡リセットにより、ランダム
雑音はある程度小さくおさえられていたが、更に低ノイ
ズ化が求められる場合には、次のような課題が残ってい
る。
光電変換装置では、トランジスタがバイポーラトランジ
スタの場合、エミッタがフローティングでベースを正の
電位とした後、さらにエミッタの電位を一定の電位にし
て、エミッタ・ベース間を順方向にバイアスして、ベー
ス電位をリセット（以下、このリセットを過渡リセット
という）しており、この過渡リセットにより、ランダム
雑音はある程度小さくおさえられていたが、更に低ノイ
ズ化が求められる場合には、次のような課題が残ってい
る。
【０００７】第１に、ベースにあるキャリアを一定にす
ることによるリセットを行なっても、必ずしもそれが一
定にならないことである。すなわち、本質的にキャリア
が存在するためにそのキャリアのバラツキが発生するの
である。
ることによるリセットを行なっても、必ずしもそれが一
定にならないことである。すなわち、本質的にキャリア
が存在するためにそのキャリアのバラツキが発生するの
である。
【０００８】第２に、過渡リセットではそのベース電位
がある程度一定になるまでの時間がセンサセルであるバ
イポーラトランジスタのｈFEに依存しているために、ｈ
FEをあまり大きくすることができないことである。ｈFE
が大きくなるとランダム雑音や固定パターン雑音は設計
上小さくできるのであるが、過渡リセットの時間が長く
なってしまうのである。
がある程度一定になるまでの時間がセンサセルであるバ
イポーラトランジスタのｈFEに依存しているために、ｈ
FEをあまり大きくすることができないことである。ｈFE
が大きくなるとランダム雑音や固定パターン雑音は設計
上小さくできるのであるが、過渡リセットの時間が長く
なってしまうのである。
【０００９】なお、過渡リセットの時間を決める時定数
τF は次式（数式１）で与えられる。
τF は次式（数式１）で与えられる。
【００１０】
【数１】 Ｉ0 ：エミッタ・ベースの飽和電流、Ｃbc：ベース・コ
レクタ容量、Ｃbe：ベース・エミッタ容量、ｈFE：エミ
ッタ接地電流増幅率、通常、Ｉ0 ＝１×１０-16 Ａ，ｈ
FE≒１０００，Ｃbc＝数１０ｆＦ，Ｃbe＝数１０ｆＦで
あり、τF は数〜数１０μｓｅｃとなる。しかしｈFEが
３０００以上になってくると、τF は数１００μｓｅｃ
からｍｓｅｃオーダになり現実的な装置では大きな問題
となる。
レクタ容量、Ｃbe：ベース・エミッタ容量、ｈFE：エミ
ッタ接地電流増幅率、通常、Ｉ0 ＝１×１０-16 Ａ，ｈ
FE≒１０００，Ｃbc＝数１０ｆＦ，Ｃbe＝数１０ｆＦで
あり、τF は数〜数１０μｓｅｃとなる。しかしｈFEが
３０００以上になってくると、τF は数１００μｓｅｃ
からｍｓｅｃオーダになり現実的な装置では大きな問題
となる。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の光電変換装置
は、第１導電型の半導体からなる制御電極領域と、前記
第１導電型とは異なる第２導電型の半導体からなる少な
くとも第１及び第２の主電極領域と、を有し、光エネル
ギーを受けることにより生成されるキャリアを前記制御
電極領域に蓄積可能なトランジスタを具備し、前記第１
又は第２の主電極領域より蓄積されたキャリアに基づい
て信号を読出す光電変換装置において、前記第１の主電
極領域と前記第２の主電極領域とを電気的に導通させる
手段と、前記第１又は前記第２の主電極領域に隣接した
第１導電型の半導体からなるリセット電極領域と、信号
を読出した後のリセット動作の際に、前記導通手段によ
り前記第１の主電極領域と前記第２の主電極領域とを電
気的に導通させるとともに、前記リセット電極領域に所
定の電位を与えて、前記制御電極領域を空乏化し蓄積さ
れた前記キャリアを前記制御電極領域から前記リセット
電極領域に引き出す手段と、を備えたことを特徴とす
る。
は、第１導電型の半導体からなる制御電極領域と、前記
第１導電型とは異なる第２導電型の半導体からなる少な
くとも第１及び第２の主電極領域と、を有し、光エネル
ギーを受けることにより生成されるキャリアを前記制御
電極領域に蓄積可能なトランジスタを具備し、前記第１
又は第２の主電極領域より蓄積されたキャリアに基づい
て信号を読出す光電変換装置において、前記第１の主電
極領域と前記第２の主電極領域とを電気的に導通させる
手段と、前記第１又は前記第２の主電極領域に隣接した
第１導電型の半導体からなるリセット電極領域と、信号
を読出した後のリセット動作の際に、前記導通手段によ
り前記第１の主電極領域と前記第２の主電極領域とを電
気的に導通させるとともに、前記リセット電極領域に所
定の電位を与えて、前記制御電極領域を空乏化し蓄積さ
れた前記キャリアを前記制御電極領域から前記リセット
電極領域に引き出す手段と、を備えたことを特徴とす
る。
【００１２】本発明の情報処理装置は、上記本発明の光
電変換装置を搭載したものである。
電変換装置を搭載したものである。
【００１３】
【作用】本発明は、第１の主電極領域と前記第２の主電
極領域とを電気的に導通させる手段と、前記第１又は前
記第２の主電極領域に隣接した第１導電型の半導体から
なるリセット電極領域と、第１又は第２の主電極領域よ
り蓄積されたキャリアに基づいて信号を読出した後のリ
セット動作の際に、前記導通手段により前記第１の主電
極領域と前記第２の主電極領域とを電気的に導通させる
とともに、前記リセット電極領域に所定の電位を与え
て、前記制御電極領域を空乏化し蓄積された前記キャリ
アを前記制御電極領域から前記リセット電極領域に引き
出す手段と、を設けることで、リセット動作時に、光照
射により生成されたキャリアを完全になくす様に制御電
極領域中を空乏化して、リセット電極領域側にキャリア
をすてる動作を行なうものであり、リセット動作終了後
にキャリアが残るという課題を解決し、また電流増幅率
ｈFEを大きくしてランダム雑音、固定パターン雑音を小
さくできる設計を可能にするものである。
極領域とを電気的に導通させる手段と、前記第１又は前
記第２の主電極領域に隣接した第１導電型の半導体から
なるリセット電極領域と、第１又は第２の主電極領域よ
り蓄積されたキャリアに基づいて信号を読出した後のリ
セット動作の際に、前記導通手段により前記第１の主電
極領域と前記第２の主電極領域とを電気的に導通させる
とともに、前記リセット電極領域に所定の電位を与え
て、前記制御電極領域を空乏化し蓄積された前記キャリ
アを前記制御電極領域から前記リセット電極領域に引き
出す手段と、を設けることで、リセット動作時に、光照
射により生成されたキャリアを完全になくす様に制御電
極領域中を空乏化して、リセット電極領域側にキャリア
をすてる動作を行なうものであり、リセット動作終了後
にキャリアが残るという課題を解決し、また電流増幅率
ｈFEを大きくしてランダム雑音、固定パターン雑音を小
さくできる設計を可能にするものである。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を用いて
詳細に説明する。
詳細に説明する。
【００１５】図１は本発明の光電変換装置の第１実施例
の基本構造を説明する為の模式図である。ここでは多数
配列されたセルの一部の光センサセル部を取り上げて説
明する。まず、このセンサセルの構造について説明す
る。
の基本構造を説明する為の模式図である。ここでは多数
配列されたセルの一部の光センサセル部を取り上げて説
明する。まず、このセンサセルの構造について説明す
る。
【００１６】図１（ａ）は光センサセルの平面図、図１
（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ′線による断面図である。
図１（ａ），（ｂ）に示すように、本実施例のセンサセ
ルは、ボロン（Ｂ）等をドープしてｐ型とされたシリコ
ン基板１、シリコン基板１上にエピタキシャル技術又は
イオン注入技術等を用いて、リン（Ｐ）、ヒ素（Ａｓ）
等の不純物をドープしたバイポーラ・トランジスタのコ
レクタの一部となるｎ型領域２、バイポーラ・トランジ
スタのコレクタの取り出し領域およびセンサセルの素子
分離の役目もなすｎ+ 領域３、ボロン等の不純物をドー
プした制御電極領域としてのバイポーラ・トランジスタ
のベースとなるｐ領域４、主電極領域としてのバイポー
ラ・トランジスタのエミッタを形成するｎ+ 領域５、光
照射部を空乏化させるためのコレクタと接続しているｎ
+ 領域６、ベース領域（ｐ領域４）あるいはベース領域
の表面の電位を制御するための電極７、エミッタとなる
ｎ+ 領域５から出力を取り出すための電極１００からな
っている。
（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ′線による断面図である。
図１（ａ），（ｂ）に示すように、本実施例のセンサセ
ルは、ボロン（Ｂ）等をドープしてｐ型とされたシリコ
ン基板１、シリコン基板１上にエピタキシャル技術又は
イオン注入技術等を用いて、リン（Ｐ）、ヒ素（Ａｓ）
等の不純物をドープしたバイポーラ・トランジスタのコ
レクタの一部となるｎ型領域２、バイポーラ・トランジ
スタのコレクタの取り出し領域およびセンサセルの素子
分離の役目もなすｎ+ 領域３、ボロン等の不純物をドー
プした制御電極領域としてのバイポーラ・トランジスタ
のベースとなるｐ領域４、主電極領域としてのバイポー
ラ・トランジスタのエミッタを形成するｎ+ 領域５、光
照射部を空乏化させるためのコレクタと接続しているｎ
+ 領域６、ベース領域（ｐ領域４）あるいはベース領域
の表面の電位を制御するための電極７、エミッタとなる
ｎ+ 領域５から出力を取り出すための電極１００からな
っている。
【００１７】図２は本発明の光電変換装置の画素および
読み出し回路を示している。破線で囲んだ領域が光セン
サセル（画素）の部分であり、図１で示したｎ+ 領域
５、ｐ領域４、ｎ領域２、ｎ+ 領域３からなるＮＰＮ型
バイポーラ・トランジスタ３００と、ｎ+ 領域５，６、
ｐ領域４、電極７からなるＮ型ＭＯＳトランジスタ３０
１と、ｐ型基板１とｎ領域２とでなるダイオード部３０
２と、から構成されている。ｎ+ 領域３に印加される電
位ＶCCによりコレクタに電位を与え、ｐ型基板１に印加
される電圧Ｖsub によりベースのリセットを行なう。
読み出し回路を示している。破線で囲んだ領域が光セン
サセル（画素）の部分であり、図１で示したｎ+ 領域
５、ｐ領域４、ｎ領域２、ｎ+ 領域３からなるＮＰＮ型
バイポーラ・トランジスタ３００と、ｎ+ 領域５，６、
ｐ領域４、電極７からなるＮ型ＭＯＳトランジスタ３０
１と、ｐ型基板１とｎ領域２とでなるダイオード部３０
２と、から構成されている。ｎ+ 領域３に印加される電
位ＶCCによりコレクタに電位を与え、ｐ型基板１に印加
される電圧Ｖsub によりベースのリセットを行なう。
【００１８】出力回路はエミッタからの出力電圧を一時
的に蓄積しておくための容量負荷ＣT ５００、垂直出力
線と容量負荷ＣT とを接続するための転送ＭＯＳトラン
ジスタ４１０、容量負荷ＣT をリセットするためのリセ
ット用ＭＯＳトランジスタ４００、容量負荷ＣT から出
力側に信号を読み出すためのＭＯＳトランジスタ４２０
からなっている。
的に蓄積しておくための容量負荷ＣT ５００、垂直出力
線と容量負荷ＣT とを接続するための転送ＭＯＳトラン
ジスタ４１０、容量負荷ＣT をリセットするためのリセ
ット用ＭＯＳトランジスタ４００、容量負荷ＣT から出
力側に信号を読み出すためのＭＯＳトランジスタ４２０
からなっている。
【００１９】この光センサセルの基本動作は、（１）リ
セット動作、（２）光入射による電荷蓄積動作、（３）
読み出し動作、により構成されている。
セット動作、（２）光入射による電荷蓄積動作、（３）
読み出し動作、により構成されている。
【００２０】図３はそれぞれの動作時における各部の電
位変化を示している。Ｖsub ，φR，φT ，φRTは図２
の各部に表示してある各端子より印加されるパルス信号
の電位変化を示している。図４は図１（ｂ）のＢ−Ｂ′
線の電位分布を示している。図４中の−′，−
′，−′はリセット、蓄積、読み出し時の電位分
布を示している。
位変化を示している。Ｖsub ，φR，φT ，φRTは図２
の各部に表示してある各端子より印加されるパルス信号
の電位変化を示している。図４は図１（ｂ）のＢ−Ｂ′
線の電位分布を示している。図４中の−′，−
′，−′はリセット、蓄積、読み出し時の電位分
布を示している。
【００２１】図２，図３，図４を用いて光電変換装置の
動作を説明する。 （１）リセット動作 リセット動作は、図３の時刻ｔ1 において始まる。パル
スφR がHighレベルになりＮ型ＭＯＳトランジスタがオ
ンしバイポーラトランジスタ３００のエミッタ、コクレ
タがＶCCの同電位になると、図１（ｂ）で示す電極７の
下もｎ+ 反転層が生じることになる。この状態になった
ところで、Ｖsub に強い逆バイアス電圧がかかり、図４
の−′に示す電位分布となり蓄積されていたキャリ
ア６００はＶsub 側に完全にはき出される。ベース領域
に蓄積されていたキャリアは全部このときになくなる。
パルスφT はLow レベルで転送ＭＯＳトランジスタ４１
０のオフ状態を維持し、パルスφRTは途中でHighレベル
になってリセット用ＭＯＳトランジスタ４００はオン状
態になり容量負荷ＣT をリセットする。なお、容量負荷
ＣT のリセットの前にはシフトレジスタ（Ｓ．Ｒ）から
のパルスで、容量負荷ＣT に蓄積された信号がＭＯＳト
ランジスタ４２０を介してＶout に読み出されている。 （２）蓄積動作 蓄積動作は、図３の時刻ｔ2 から始まるが、Ｖsub の電
位はもとにもどり、パルスφR はHighレベル、φT はLo
w レベル、φRTはHighレベルの条件を維持する。エミッ
タ、コレクタはＶCC、容量負荷ＣT は接地（ＧＮＤ）、
ベースは初期空乏化して図４の−′（図中、破線図
示）となるがその後除々にベースにキャリアを蓄積し
て、図４のに示す如く、ベース電位が変化してゆく。 （３）読み出し動作 読み出し動作は、まず、図３の時刻ｔ3 でパルスφR を
Low レベルにしてエミッタをフローティングにする。且
つ、パルスφRTをLow レベルとしてリセット用ＭＯＳト
ランジスタ４００をオフ状態にする。このときパルスφ
R とパルスφRTは多少時刻のずれがあってもよい。その
後、時刻ｔ4 でパルスφT をHighレベルとして転送ＭＯ
Ｓトランジスタ４１０をオン状態にして、バイポーラト
ランジスタ３００のエミッタを容量負荷ＣT の電位の方
にふる（図４のの如く）。そうするとバイポーラ・ト
ランジスタのエミッタとベースとは順バイアスになりエ
ミッタ・コレクタ間に電流が流れ容量負荷ＣT を充電し
てベースの電位が容量負荷ＣT に読み出される（エミッ
タの電位は容量負荷ＣT の電位上昇とともに上昇す
る）。
動作を説明する。 （１）リセット動作 リセット動作は、図３の時刻ｔ1 において始まる。パル
スφR がHighレベルになりＮ型ＭＯＳトランジスタがオ
ンしバイポーラトランジスタ３００のエミッタ、コクレ
タがＶCCの同電位になると、図１（ｂ）で示す電極７の
下もｎ+ 反転層が生じることになる。この状態になった
ところで、Ｖsub に強い逆バイアス電圧がかかり、図４
の−′に示す電位分布となり蓄積されていたキャリ
ア６００はＶsub 側に完全にはき出される。ベース領域
に蓄積されていたキャリアは全部このときになくなる。
パルスφT はLow レベルで転送ＭＯＳトランジスタ４１
０のオフ状態を維持し、パルスφRTは途中でHighレベル
になってリセット用ＭＯＳトランジスタ４００はオン状
態になり容量負荷ＣT をリセットする。なお、容量負荷
ＣT のリセットの前にはシフトレジスタ（Ｓ．Ｒ）から
のパルスで、容量負荷ＣT に蓄積された信号がＭＯＳト
ランジスタ４２０を介してＶout に読み出されている。 （２）蓄積動作 蓄積動作は、図３の時刻ｔ2 から始まるが、Ｖsub の電
位はもとにもどり、パルスφR はHighレベル、φT はLo
w レベル、φRTはHighレベルの条件を維持する。エミッ
タ、コレクタはＶCC、容量負荷ＣT は接地（ＧＮＤ）、
ベースは初期空乏化して図４の−′（図中、破線図
示）となるがその後除々にベースにキャリアを蓄積し
て、図４のに示す如く、ベース電位が変化してゆく。 （３）読み出し動作 読み出し動作は、まず、図３の時刻ｔ3 でパルスφR を
Low レベルにしてエミッタをフローティングにする。且
つ、パルスφRTをLow レベルとしてリセット用ＭＯＳト
ランジスタ４００をオフ状態にする。このときパルスφ
R とパルスφRTは多少時刻のずれがあってもよい。その
後、時刻ｔ4 でパルスφT をHighレベルとして転送ＭＯ
Ｓトランジスタ４１０をオン状態にして、バイポーラト
ランジスタ３００のエミッタを容量負荷ＣT の電位の方
にふる（図４のの如く）。そうするとバイポーラ・ト
ランジスタのエミッタとベースとは順バイアスになりエ
ミッタ・コレクタ間に電流が流れ容量負荷ＣT を充電し
てベースの電位が容量負荷ＣT に読み出される（エミッ
タの電位は容量負荷ＣT の電位上昇とともに上昇す
る）。
【００２２】その後はパルスφT をLow レベルとして転
送ＭＯＳトランジスタ４１０をオフ状態にした後、パル
スφRTがHighレベルになるまでの間に容量負荷ＣT から
信号を出力回路側に読み出すことができる。
送ＭＯＳトランジスタ４１０をオフ状態にした後、パル
スφRTがHighレベルになるまでの間に容量負荷ＣT から
信号を出力回路側に読み出すことができる。
【００２３】なお、以上説明した動作以外の他のタイミ
ングでも図２の光電変換装置を動作させることができ
る。図５にその一例を示す。図３と異なる点は、蓄積中
にパルスφR がLow レベルとなり、パルスφT がHighレ
ベル、φRTがLow レベルとなり、蓄積中にバイポーラ・
トランジスタ３００が常に順バイアス状態であり容量負
荷ＣT へ常に電流の読み出しを行なっていることであ
る。時刻ｔ3 でパルスφTをLow レベルにした後、時刻
ｔ3 と時刻ｔ1 の間に容量負荷ＣT から出力側に電圧読
み出しを行なう。リセット動作は図３に示した動作とほ
ぼ同じである。
ングでも図２の光電変換装置を動作させることができ
る。図５にその一例を示す。図３と異なる点は、蓄積中
にパルスφR がLow レベルとなり、パルスφT がHighレ
ベル、φRTがLow レベルとなり、蓄積中にバイポーラ・
トランジスタ３００が常に順バイアス状態であり容量負
荷ＣT へ常に電流の読み出しを行なっていることであ
る。時刻ｔ3 でパルスφTをLow レベルにした後、時刻
ｔ3 と時刻ｔ1 の間に容量負荷ＣT から出力側に電圧読
み出しを行なう。リセット動作は図３に示した動作とほ
ぼ同じである。
【００２４】光センサの高感度化には、信号出力（Ｓ）
を大きくすること、雑音（Ｎ）を低下させることで、Ｓ
／Ｎ比を大きくする必要がある。
を大きくすること、雑音（Ｎ）を低下させることで、Ｓ
／Ｎ比を大きくする必要がある。
【００２５】本発明の信号電圧ＶS は、発生電荷をＱと
すると、ＶS ＝Ｑ／ＣBCで決まる。Ｑはセンサの開口面
積で決まる。ＣBCはセンサセルのバイポーラトランジス
タのベース・コレクタ間容量である。ＣBCはデバイス設
計により、幾何学的な寸法で決まる。ＣBCは、図４で示
した如く、リセット後に、ｐ領域４，ｎ領域２の両方と
も空乏化した場合はベースに蓄積されたキャリアと中性
のコレクタ領域（主にｎ+ 領域３，６）の間の空乏層に
よって決まる。これは光受光部（ｎ+ 領域６）と周辺長
（ｎ+ 領域３）によって決められてしまう。
すると、ＶS ＝Ｑ／ＣBCで決まる。Ｑはセンサの開口面
積で決まる。ＣBCはセンサセルのバイポーラトランジス
タのベース・コレクタ間容量である。ＣBCはデバイス設
計により、幾何学的な寸法で決まる。ＣBCは、図４で示
した如く、リセット後に、ｐ領域４，ｎ領域２の両方と
も空乏化した場合はベースに蓄積されたキャリアと中性
のコレクタ領域（主にｎ+ 領域３，６）の間の空乏層に
よって決まる。これは光受光部（ｎ+ 領域６）と周辺長
（ｎ+ 領域３）によって決められてしまう。
【００２６】リセット後、蓄積状態でコレクタとなるｎ
領域２の中に中性領域を残している場合は、ベースとな
るｐ領域４とコレクタとなるｎ領域２との間の空乏層も
キャパシタの一部を形成する。信号電圧ＶS を大きくす
るには、蓄積時にもｎ領域２を空乏化しておく方がよ
い。又、ＣBCを小さくする他の構造は、図６に示す如
く、ベース面積を小さくして、ＣBCを小さくするもので
あり、開口面積部は同じにして、発生キャリアＱを一定
にすることによりＶS を大きくできる。
領域２の中に中性領域を残している場合は、ベースとな
るｐ領域４とコレクタとなるｎ領域２との間の空乏層も
キャパシタの一部を形成する。信号電圧ＶS を大きくす
るには、蓄積時にもｎ領域２を空乏化しておく方がよ
い。又、ＣBCを小さくする他の構造は、図６に示す如
く、ベース面積を小さくして、ＣBCを小さくするもので
あり、開口面積部は同じにして、発生キャリアＱを一定
にすることによりＶS を大きくできる。
【００２７】なお、既に述べたように、センサにおける
雑音は固定パターン雑音（ＦＰＮ）とランダム雑音（Ｒ
Ｎ）に分けることができるが、本実施例によって固定パ
ターン雑音，ランダム雑音のいっそうの低減を図ること
ができる。
雑音は固定パターン雑音（ＦＰＮ）とランダム雑音（Ｒ
Ｎ）に分けることができるが、本実施例によって固定パ
ターン雑音，ランダム雑音のいっそうの低減を図ること
ができる。
【００２８】まずランダム雑音について述べる。本実施
例の型のセンサのランダム雑音の発生は大きく分ける
と、リセット終了時に残る雑音と読み出し時に生じる雑
音とがある。
例の型のセンサのランダム雑音の発生は大きく分ける
と、リセット終了時に残る雑音と読み出し時に生じる雑
音とがある。
【００２９】リセット終了時に残る雑音は、その蓄積ス
タート時に存在するリセット残りの多数キャリアの数に
よって生じる。すなわち、リセット毎に何個のキャリア
がセンサセルに残っているかにより、ゆらぎが生じ、こ
れがリセット時のランダム雑音になる。故に、蓄積スタ
ート時に、キャリアを零にすることによりキャリアの数
によるバラツキが原因となるランダム雑音を零とするこ
とができる。
タート時に存在するリセット残りの多数キャリアの数に
よって生じる。すなわち、リセット毎に何個のキャリア
がセンサセルに残っているかにより、ゆらぎが生じ、こ
れがリセット時のランダム雑音になる。故に、蓄積スタ
ート時に、キャリアを零にすることによりキャリアの数
によるバラツキが原因となるランダム雑音を零とするこ
とができる。
【００３０】本実施例の光電変換装置は、図４に示すよ
うに、リセット時にベースに存在していた自由キャリア
を基板側の電位障壁がなくなる如く電圧印加し全部基板
側に掃き出す。そうすることによって、ベース中のキャ
リアは零にリセットされることとなる。従って、リセッ
ト終了時におけるキャリア残数のバラツキによって発生
するランダム雑音をなくすことができる。
うに、リセット時にベースに存在していた自由キャリア
を基板側の電位障壁がなくなる如く電圧印加し全部基板
側に掃き出す。そうすることによって、ベース中のキャ
リアは零にリセットされることとなる。従って、リセッ
ト終了時におけるキャリア残数のバラツキによって発生
するランダム雑音をなくすことができる。
【００３１】次に読み出し時に生じる雑音は、バイポー
ラ・トランジスタにおけるショット雑音である。ショッ
ト雑音はベース・ショット雑音とエミッタショット雑音
とに分けることができ、近似的に次式（数式２）で表わ
すことができる。
ラ・トランジスタにおけるショット雑音である。ショッ
ト雑音はベース・ショット雑音とエミッタショット雑音
とに分けることができ、近似的に次式（数式２）で表わ
すことができる。
【００３２】
【数２】 但し、Ｄ＝ＣT ／ｈFEＣbcであり、Ｄは破壊率と呼ばれ
ていて、ベースに蓄積された光電荷がベースより失われ
る率をあらわしている。ＶBOはベース電圧であり、先の
信号電圧ＶS とほぼ等しい。また１／（１＋Ｄ）は容量
負荷ＣT への読み出し電圧ゲインを与えていて、ＶBO／
（１＋Ｄ）はエミッタ電位（ＣT の電位）ＶE と等し
い。
ていて、ベースに蓄積された光電荷がベースより失われ
る率をあらわしている。ＶBOはベース電圧であり、先の
信号電圧ＶS とほぼ等しい。また１／（１＋Ｄ）は容量
負荷ＣT への読み出し電圧ゲインを与えていて、ＶBO／
（１＋Ｄ）はエミッタ電位（ＣT の電位）ＶE と等し
い。
【００３３】上記数式２で、Ｃbcは光信号を大きくする
ために小さくする必要があるので、Ｄ→０に近づけて数
式２の右辺第１項を小さくすることとなる。設計上ＣT
≫ＣbcであるのでＤ≪１にするにはｈFE≫ＣT ／Ｃbcと
する必要がある。数式２の右辺第２項はＣT を大きくし
て小さくする様にする。
ために小さくする必要があるので、Ｄ→０に近づけて数
式２の右辺第１項を小さくすることとなる。設計上ＣT
≫ＣbcであるのでＤ≪１にするにはｈFE≫ＣT ／Ｃbcと
する必要がある。数式２の右辺第２項はＣT を大きくし
て小さくする様にする。
【００３４】次に固定パターン雑音（ＦＰＮ）について
述べる。
述べる。
【００３５】エミッタ信号出力ＶESの不均一性δＶESは
次式（数式３）のようになる。
次式（数式３）のようになる。
【００３６】
【数３】 ＩP は光電流であり、開口面積のバラツキが直接影響を
与える。δｈFEはエミッタ接地電流増幅率ｈFEの不均一
性、δＣbcはベース・コレクタ容量Ｃbcの不均一性を示
す。
与える。δｈFEはエミッタ接地電流増幅率ｈFEの不均一
性、δＣbcはベース・コレクタ容量Ｃbcの不均一性を示
す。
【００３７】ランダム雑音と同様にＤ→０に近づけるこ
とがδＶESを小さくする第１の方法である。δＣbc／Ｃ
bc，δＩP ／ＩP はプロセス上の加工精度を上げること
で対応するしかない。従来の型のセンサセルはｈFEが１
０００程度であり、大きくても３０００以内である（過
渡リセット時間の制限によるものである）。本実施例で
はこの限界がなく、ｈFEは３０００以上の非常に大きな
値にすることができる。ｈFEを大きくすることにより、
ランダム雑音，固定パターン雑音が小さくでき、非常に
雑音を低減することができる。本実施例はｈFEを３００
０以上より好ましくは５０００以上にすることにより、
顕著な雑音低減効果を生じさせることができる。
とがδＶESを小さくする第１の方法である。δＣbc／Ｃ
bc，δＩP ／ＩP はプロセス上の加工精度を上げること
で対応するしかない。従来の型のセンサセルはｈFEが１
０００程度であり、大きくても３０００以内である（過
渡リセット時間の制限によるものである）。本実施例で
はこの限界がなく、ｈFEは３０００以上の非常に大きな
値にすることができる。ｈFEを大きくすることにより、
ランダム雑音，固定パターン雑音が小さくでき、非常に
雑音を低減することができる。本実施例はｈFEを３００
０以上より好ましくは５０００以上にすることにより、
顕著な雑音低減効果を生じさせることができる。
【００３８】図７は本発明の光電変換装置の他の実施例
である。なお、図１（ａ），（ｂ）に示した構成部材と
同一構成部材については、同一符号を付する。図７にお
いて、領域１０は電子，正孔両キャリアを通過させるこ
とができるトンネル薄膜であり、ＳｉＯ2 ，Ｓｉ
3 Ｎ4 ，ＳｉＣ，Ａｌ2 Ｏ3 など各種材料を使用可能で
きる。
である。なお、図１（ａ），（ｂ）に示した構成部材と
同一構成部材については、同一符号を付する。図７にお
いて、領域１０は電子，正孔両キャリアを通過させるこ
とができるトンネル薄膜であり、ＳｉＯ2 ，Ｓｉ
3 Ｎ4 ，ＳｉＣ，Ａｌ2 Ｏ3 など各種材料を使用可能で
きる。
【００３９】電極１１０はＳｉ1-x Ｃx ，ＧａＡｓ等の
エミッタとなるｎ+ 領域５の材料よりバンドギャップの
広い材料を用いる。結晶形態は単結晶，多結晶，アモル
ファス，マイクロクリスタル等のいずれでもよい。ベー
スとなるｐ領域４からのキャリアの注入をこの電極１１
０で阻止することにより、センサセルの電流増幅率ｈFE
を従来より１０倍以上大きくすることができる。
エミッタとなるｎ+ 領域５の材料よりバンドギャップの
広い材料を用いる。結晶形態は単結晶，多結晶，アモル
ファス，マイクロクリスタル等のいずれでもよい。ベー
スとなるｐ領域４からのキャリアの注入をこの電極１１
０で阻止することにより、センサセルの電流増幅率ｈFE
を従来より１０倍以上大きくすることができる。
【００４０】他の材料として多結晶Ｓｉを使い、不純物
密度，粒径の制御をすることにより、ｐ領域４からのキ
ャリア注入の電位障壁を作成してキャリアの注入を阻止
することも可能であり、ワイドギャップ材料と同様の効
果がある。ｈFEを上げる他の方法、例えば、ヘテロ・バ
イポーラトランジスタをセンサセルに使うことももちろ
ん可能である。このエミッタによりｈFEは非常に大きく
とれ、ｈFEの３０００以上は容易に達成できる。
密度，粒径の制御をすることにより、ｐ領域４からのキ
ャリア注入の電位障壁を作成してキャリアの注入を阻止
することも可能であり、ワイドギャップ材料と同様の効
果がある。ｈFEを上げる他の方法、例えば、ヘテロ・バ
イポーラトランジスタをセンサセルに使うことももちろ
ん可能である。このエミッタによりｈFEは非常に大きく
とれ、ｈFEの３０００以上は容易に達成できる。
【００４１】以上説明した各実施例の光電変換装置を有
する情報処理装置について例を挙げて説明する。
する情報処理装置について例を挙げて説明する。
【００４２】図８は情報処理装置への応用の一例を示す
ブロック図である。５２０１は原稿、５２０２はロッド
レンズ、５２０３は集束レンズ、５２０４はイメージ・
リーダである。ここで読みとられたデータはＡ／Ｄコン
バータ５２０６を介して画像処理ユニット５２０７にデ
ータ転送される。この画像処理ユニット５２０７はパソ
コン５２０８により制御されている。
ブロック図である。５２０１は原稿、５２０２はロッド
レンズ、５２０３は集束レンズ、５２０４はイメージ・
リーダである。ここで読みとられたデータはＡ／Ｄコン
バータ５２０６を介して画像処理ユニット５２０７にデ
ータ転送される。この画像処理ユニット５２０７はパソ
コン５２０８により制御されている。
【００４３】なお、光電変換装置はセラミック基板上に
直線状にあるいは千鳥状に複数配置され、これがＬＥＤ
等の光源や短焦点結像素子アレイ等の光学系と一緒に支
持体に配設されて情報処理装置ユニットを構成する。そ
してこれがファクシミリ装置等の本体に対して交換可能
に取り付けられている。そして読み取られた画像情報は
記録手段としてのインクジェット記録ヘッドにより記録
媒体上に記録され画像情報が再生される。ここで記録ヘ
ッドとしては熱エネルギーを利用してインクを吐出させ
る構成のものが好適に用いられる。
直線状にあるいは千鳥状に複数配置され、これがＬＥＤ
等の光源や短焦点結像素子アレイ等の光学系と一緒に支
持体に配設されて情報処理装置ユニットを構成する。そ
してこれがファクシミリ装置等の本体に対して交換可能
に取り付けられている。そして読み取られた画像情報は
記録手段としてのインクジェット記録ヘッドにより記録
媒体上に記録され画像情報が再生される。ここで記録ヘ
ッドとしては熱エネルギーを利用してインクを吐出させ
る構成のものが好適に用いられる。
【００４４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
リセット動作終了後にキャリアが残るという課題を解決
し、また電流増幅率ｈFEを大きくしてランダム雑音、固
定パターン雑音を小さくできる設計をすることができ、
更に蓄積時に表面が空乏化していない構造なので、表面
からの発生電流もほとんどなく、暗電流を少なくするこ
とができ、高Ｓ／Ｎ比のセンサを提供できる。
リセット動作終了後にキャリアが残るという課題を解決
し、また電流増幅率ｈFEを大きくしてランダム雑音、固
定パターン雑音を小さくできる設計をすることができ、
更に蓄積時に表面が空乏化していない構造なので、表面
からの発生電流もほとんどなく、暗電流を少なくするこ
とができ、高Ｓ／Ｎ比のセンサを提供できる。
【００４５】本発明の光電変換装置は、構造が簡単であ
り、新しい動作をするにもかかわらず、製造工程などの
増加はない。
り、新しい動作をするにもかかわらず、製造工程などの
増加はない。
【図１】本発明の光電変換装置の第１実施例の基本構造
を説明する為の模式図である。
を説明する為の模式図である。
【図２】本発明の光電変換装置の画素および読み出し回
路を示す構成図である。
路を示す構成図である。
【図３】本発明の光電変換装置のリセット、蓄積、読み
出し時における各部の電位変化を示すタイミングチャー
トである。
出し時における各部の電位変化を示すタイミングチャー
トである。
【図４】図１（ｂ）のＢ−Ｂ′線の電位分布を示す図で
ある。
ある。
【図５】本発明の光電変換装置の他の実施例によるリセ
ット、蓄積、読み出し時における各部の電位変化を示す
タイミングチャートである。
ット、蓄積、読み出し時における各部の電位変化を示す
タイミングチャートである。
【図６】本発明の光電変換装置の第２実施例の基本構造
を説明する為の模式図である。
を説明する為の模式図である。
【図７】本発明の光電変換装置の第３実施例の基本構造
を説明する為の模式図である。
を説明する為の模式図である。
【図８】情報処理装置への応用の一例を示すブロック図
である。
である。
１ シリコン基板 ２ ｎ型領域 ３ ｎ+ 領域 ４ ｐ領域 ５ ｎ+ 領域 ６ ｎ+ 領域 ７ 電極 １００ 電極 １１０ 電極
Claims (7)
- 【請求項１】 第１導電型の半導体からなる制御電極領
域と、前記第１導電型とは異なる第２導電型の半導体か
らなる少なくとも第１及び第２の主電極領域と、を有
し、光エネルギーを受けることにより生成されるキャリ
アを前記制御電極領域に蓄積可能なトランジスタを具備
し、前記第１又は第２の主電極領域より蓄積されたキャ
リアに基づいて信号を読出す光電変換装置において、 前記第１の主電極領域と前記第２の主電極領域とを電気
的に導通させる手段と、前記第１又は前記第２の主電極
領域に隣接した第１導電型の半導体からなるリセット電
極領域と、信号を読出した後のリセット動作の際に、前
記導通手段により前記第１の主電極領域と前記第２の主
電極領域とを電気的に導通させるとともに、前記リセッ
ト電極領域に所定の電位を与えて、前記制御電極領域を
空乏化し蓄積された前記キャリアを前記制御電極領域か
ら前記リセット電極領域に引き出す手段と、を備えたこ
とを特徴とする光電変換装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の光電変換装置において、
前記制御電極領域の表面側に、前記第１及び第２の主電
極領域のうちの一方の主電極領域と、他方の主電極領域
に電気的に接続された第２導電型の半導体領域と、を設
けるとともに、絶縁膜を介してゲート電極を形成して前
記半導体領域と前記一方の主電極領域とをソース・ドレ
イン領域とする絶縁ゲート型トランジスタを構成したこ
とを特徴とする光電変換装置。 - 【請求項３】 請求項２記載の光電変換装置において、
リセット動作時に、少なくとも前記絶縁ゲート型トラン
ジスタのゲート電極下の制御電極領域の表面が反転状態
になるように、ゲート電極に所定の電圧を印加したこと
を特徴とする光電変換装置。 - 【請求項４】 請求項１、２、３のいずれか記載の光電
変換装置において、第１又は第２の主電極領域の上に電
子、正孔共に通過するトンネル膜を設け、かつ該トンネ
ル膜の上に制御電極領域からのキャリア流入を阻止する
障壁を有した材料からなる電極を設けたことを特徴とす
る光電変換装置。 - 【請求項５】 請求項１記載の光電変換装置と光源と光
学系とが支持体に配設されたことを特徴とする情報処理
装置。 - 【請求項６】 請求項１記載の光電変換装置と光源と光
学系とを有する画像読取手段と、 該画像読取手段により読み取られた画像情報を記録する
記録手段と、 を有することを特徴とする情報処理装置。 - 【請求項７】 請求項１記載の光電変換装置と光源と光
学系とを有する画像読取手段と、 該画像読取手段により読み取られた画像情報を記録する
記録手段と、を有し前記記録手段が熱エネルギーを利用
してインクを吐出させるインクジェット記録ヘッドであ
ることを特徴とする情報処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5182212A JPH0786549A (ja) | 1993-06-29 | 1993-06-29 | 光電変換装置及び該装置を搭載した情報処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5182212A JPH0786549A (ja) | 1993-06-29 | 1993-06-29 | 光電変換装置及び該装置を搭載した情報処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0786549A true JPH0786549A (ja) | 1995-03-31 |
Family
ID=16114318
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5182212A Pending JPH0786549A (ja) | 1993-06-29 | 1993-06-29 | 光電変換装置及び該装置を搭載した情報処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0786549A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100377598B1 (ko) * | 2000-01-07 | 2003-03-29 | 이노텍 가부시기가이샤 | 고체 촬상 장치 및 그 구동 방법 |
-
1993
- 1993-06-29 JP JP5182212A patent/JPH0786549A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100377598B1 (ko) * | 2000-01-07 | 2003-03-29 | 이노텍 가부시기가이샤 | 고체 촬상 장치 및 그 구동 방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0530427A (ja) | 光電変換装置及び該装置を搭載した情報処理装置 | |
| US4972243A (en) | Photoelectric conversion apparatus with shielded cell | |
| EP0222624B1 (en) | Device and method of photo-electrically converting light into electrical signal | |
| US5245203A (en) | Photoelectric converter with plural regions | |
| US5406332A (en) | Photoelectric converting device | |
| US5352920A (en) | Photoelectric converter with light shielding sections | |
| JPH0654957B2 (ja) | 光電変換装置 | |
| JP2810526B2 (ja) | 光電変換装置及び該装置を搭載した装置 | |
| EP0576022B1 (en) | Photoelectric conversion device and method of driving the same | |
| US4712138A (en) | Low-noise apparatus for image pickup and combination of light and electric signals | |
| KR0139314B1 (ko) | 고체촬상장치 및 그 구동방법 | |
| JP2515768B2 (ja) | 光電変換装置 | |
| US5162885A (en) | Acoustic charge transport imager | |
| US5126814A (en) | Photoelectric converter with doped capacitor region | |
| JP3248225B2 (ja) | 固体撮像素子の製造方法 | |
| JPH0786549A (ja) | 光電変換装置及び該装置を搭載した情報処理装置 | |
| JP3326798B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP3071161B2 (ja) | 光電変換器、画像処理装置、及び光電変換装置 | |
| JP2584010B2 (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
| JP2501207B2 (ja) | 光電変換装置 | |
| JPS63128665A (ja) | 光電変換装置 | |
| JPS6376477A (ja) | 光電変換装置 | |
| JPH05275671A (ja) | フォトトランジスタおよびそれを用いたイメージセンサ | |
| JPH0746839B2 (ja) | 光電変換装置 | |
| JP2906961B2 (ja) | 固体撮像装置 |