JPH0786267A - ＴｉＮ−ＣＶＤにおけるガス導入法および装置 - Google Patents
ＴｉＮ−ＣＶＤにおけるガス導入法および装置Info
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- JPH0786267A JPH0786267A JP22563293A JP22563293A JPH0786267A JP H0786267 A JPH0786267 A JP H0786267A JP 22563293 A JP22563293 A JP 22563293A JP 22563293 A JP22563293 A JP 22563293A JP H0786267 A JPH0786267 A JP H0786267A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＣＶＤ法によるＴｉＮ膜中の残留塩素を少な
くできるＴｉＮ−ＣＶＤにおけるガス導入法および装置
を提供することを目的とする。 【構成】 基板に端面３ａを対向させた二重管３の端面
３ａに塞板４が設けてあり、塞板４にガス噴出の為のノ
ズル孔５、６が穿設してある。二重管３の端部には反応
ガスを加熱する為の加熱手段７が設けてある。チタン化
合物と窒素化合物は、基板と対向する部分まで分離して
移送し、基板と対向する部分から基板へ向けて噴出させ
る。
くできるＴｉＮ−ＣＶＤにおけるガス導入法および装置
を提供することを目的とする。 【構成】 基板に端面３ａを対向させた二重管３の端面
３ａに塞板４が設けてあり、塞板４にガス噴出の為のノ
ズル孔５、６が穿設してある。二重管３の端部には反応
ガスを加熱する為の加熱手段７が設けてある。チタン化
合物と窒素化合物は、基板と対向する部分まで分離して
移送し、基板と対向する部分から基板へ向けて噴出させ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、ＴｉＮ（チタンナイ
トライド）薄膜を基板表面にＣＶＤ法で成膜する際の、
反応ガスであるチタン化合物および窒素化合物を反応容
器へ導入する方法および装置に関する。
トライド）薄膜を基板表面にＣＶＤ法で成膜する際の、
反応ガスであるチタン化合物および窒素化合物を反応容
器へ導入する方法および装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】高集積化されたＩＣでは、コンタクト電
極部の信頼性を高める上で、拡散バリアーとしてのＴｉ
Ｎ層の形成が必須条件となってきている。このＴｉＮ層
の形成は、配線の微細化に伴い、ＣＶＤ法による成膜が
有力な方法と考えられてきている。
極部の信頼性を高める上で、拡散バリアーとしてのＴｉ
Ｎ層の形成が必須条件となってきている。このＴｉＮ層
の形成は、配線の微細化に伴い、ＣＶＤ法による成膜が
有力な方法と考えられてきている。
【０００３】従来知られているＣＶＤ法には、以下のよ
うな技術がある。即ち、 1) ＴｉＮの成膜を目的として、図３に示したような装
置でＣＶＤ法により成膜する技術がある。ＮＨ3 ガス１
１とＴｉＣｌ4 ガス１２が、夫々導管１３、１４を通し
て反応容器１５に導入される。ＮＨ3 ガスについては、
拡散を目的とした容器１６を経由させ、容器１６に形成
したスリット１８から基板１９の方向へ向かわせる。一
方ＴｉＣｌ4 ガス１２はＮＨ3 ガスの下流において、基
板１９の方向へ臨ませたパイプ１７から噴出させる。Ｎ
Ｈ3 ガス１１とＴｉＣｌ4 ガス１２は基板１９上で混合
し、基板１９の表面にＴｉＮが堆積する（例えば、１９
８９年３月発行、Journal of the Electrochemical Soc
iety、第３６巻、第３号、第８８２頁〜第８８３頁）。
うな技術がある。即ち、 1) ＴｉＮの成膜を目的として、図３に示したような装
置でＣＶＤ法により成膜する技術がある。ＮＨ3 ガス１
１とＴｉＣｌ4 ガス１２が、夫々導管１３、１４を通し
て反応容器１５に導入される。ＮＨ3 ガスについては、
拡散を目的とした容器１６を経由させ、容器１６に形成
したスリット１８から基板１９の方向へ向かわせる。一
方ＴｉＣｌ4 ガス１２はＮＨ3 ガスの下流において、基
板１９の方向へ臨ませたパイプ１７から噴出させる。Ｎ
Ｈ3 ガス１１とＴｉＣｌ4 ガス１２は基板１９上で混合
し、基板１９の表面にＴｉＮが堆積する（例えば、１９
８９年３月発行、Journal of the Electrochemical Soc
iety、第３６巻、第３号、第８８２頁〜第８８３頁）。
【０００４】2) ＴｉＮの成膜を目的として、図４に示
したような装置でＣＶＤ法により成膜する技術がある。
ＮＨ3 ガス２１とＴｉＣｌ4 ガス２２を、夫々導管２
３、２４を通して、反応容器２５内に設置したドラム状
の容器２６に導入する。容器２６には基板２８と対向す
る面２７に複数の小孔が形成してあり、容器２６内で混
合した両反応ガスは小孔を通して噴出し、基板２８の表
面にＴｉＮが堆積する（例えば特開平３−６４４７３号
公報）。
したような装置でＣＶＤ法により成膜する技術がある。
ＮＨ3 ガス２１とＴｉＣｌ4 ガス２２を、夫々導管２
３、２４を通して、反応容器２５内に設置したドラム状
の容器２６に導入する。容器２６には基板２８と対向す
る面２７に複数の小孔が形成してあり、容器２６内で混
合した両反応ガスは小孔を通して噴出し、基板２８の表
面にＴｉＮが堆積する（例えば特開平３−６４４７３号
公報）。
【０００５】3) ＳｉＯ2 の成膜を目的として、図５に
示した装置でＣＶＤ法により成膜する技術がある。導入
するガスは、主にＯ3 ＋Ｏ2 ガス３１とＴＥＯＳガス３
２である。両反応ガスは、夫々別個に、反応容器３５内
のディスパージョンヘッド３６に導入される。３８は排
気管である。両反応ガスは、ディスパージョンヘッド３
６の溝３７から層状に噴出し、混合しながら基板３９に
向かい、基板３９の表面にＳｉＯ2 を析出させる（例え
ば、１９８９年発行、電気化学、第５６巻、第７号、第
５２７頁〜第５３２頁）。
示した装置でＣＶＤ法により成膜する技術がある。導入
するガスは、主にＯ3 ＋Ｏ2 ガス３１とＴＥＯＳガス３
２である。両反応ガスは、夫々別個に、反応容器３５内
のディスパージョンヘッド３６に導入される。３８は排
気管である。両反応ガスは、ディスパージョンヘッド３
６の溝３７から層状に噴出し、混合しながら基板３９に
向かい、基板３９の表面にＳｉＯ2 を析出させる（例え
ば、１９８９年発行、電気化学、第５６巻、第７号、第
５２７頁〜第５３２頁）。
【０００６】４） ＳｉＯ2 の成膜を目的として、図６
に示した装置でＣＶＤ法により成膜する技術がある。導
入するガスは、熱プラズマで生成された励起状酸素ガス
４１とＴＥＯＳガス４２である。ＴＥＯＳガス４２は拡
散を目的とした分散板４４を複数設置したガス吹き出し
器４３に導入される。ガス吹き出し器４３には、基板４
７と対向するように配置した複数のパイプ４５が設けて
あり、励起状酸素ガス４１はパイプ４５を通して噴出す
るようにする。両反応ガスはガス吹き出し器４３の先端
部で合流・化合しながら基板４７に向かい、基板４７の
表面にＳｉＯ2 を堆積させる（例えば特開平３−１２２
２８１号公報）。
に示した装置でＣＶＤ法により成膜する技術がある。導
入するガスは、熱プラズマで生成された励起状酸素ガス
４１とＴＥＯＳガス４２である。ＴＥＯＳガス４２は拡
散を目的とした分散板４４を複数設置したガス吹き出し
器４３に導入される。ガス吹き出し器４３には、基板４
７と対向するように配置した複数のパイプ４５が設けて
あり、励起状酸素ガス４１はパイプ４５を通して噴出す
るようにする。両反応ガスはガス吹き出し器４３の先端
部で合流・化合しながら基板４７に向かい、基板４７の
表面にＳｉＯ2 を堆積させる（例えば特開平３−１２２
２８１号公報）。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】前記のような低圧ＣＶ
Ｄ法でＴｉＮ膜を形成する場合の留意点の一つとして、
膜中の残留塩素をいかに少なくするかという点がある。
コンタクト電極部の拡散バリアーとしてＴｉＮ層を形成
する場合、拡散バリアーの上に形成する配線層としての
アルミニウム薄膜層が残留塩素により腐食を受ける為で
ある。
Ｄ法でＴｉＮ膜を形成する場合の留意点の一つとして、
膜中の残留塩素をいかに少なくするかという点がある。
コンタクト電極部の拡散バリアーとしてＴｉＮ層を形成
する場合、拡散バリアーの上に形成する配線層としての
アルミニウム薄膜層が残留塩素により腐食を受ける為で
ある。
【０００８】ＴｉＮ薄膜中に塩素が残留するのは、反応
ガスのＣＶＤ反応が完結していない為と考えられる。ま
た、ＴｉＣｌ4 ガスとＮＨ3 ガスが混合し反応する際、
基板表面に達してから反応が始まるものと、気相反応で
はないが基板表面に達する以前に反応過程に入るものと
では、後者の方が反応を完結する割合が大きくなり、膜
中の残留塩素を少なくすることができると考えられる。
然し乍ら、前記従来のガス導入法では、膜中の残留塩素
を少なくすることが困難であった。
ガスのＣＶＤ反応が完結していない為と考えられる。ま
た、ＴｉＣｌ4 ガスとＮＨ3 ガスが混合し反応する際、
基板表面に達してから反応が始まるものと、気相反応で
はないが基板表面に達する以前に反応過程に入るものと
では、後者の方が反応を完結する割合が大きくなり、膜
中の残留塩素を少なくすることができると考えられる。
然し乍ら、前記従来のガス導入法では、膜中の残留塩素
を少なくすることが困難であった。
【０００９】
【課題を解決する為の手段】この発明は前記の如くの問
題点に鑑みてなされたもので、ＣＶＤ法によるＴｉＮ膜
中の残留塩素を少なくできるＴｉＮ−ＣＶＤにおけるガ
ス導入法および装置を提供することを目的としている。
題点に鑑みてなされたもので、ＣＶＤ法によるＴｉＮ膜
中の残留塩素を少なくできるＴｉＮ−ＣＶＤにおけるガ
ス導入法および装置を提供することを目的としている。
【００１０】斯る目的を達成するこの発明のＴｉＮ−Ｃ
ＶＤにおけるガス導入法は、ＴｉＮ−ＣＶＤ薄膜を基板
表面に成膜するべく、反応ガスであるチタン化合物と窒
素化合物を反応容器へ導入する方法において、前記チタ
ン化合物と窒素化合物を反応容器内の基板と対向する部
分まで分離して移送し、基板と対向する部分から基板へ
向けて噴出させることを特徴としている。
ＶＤにおけるガス導入法は、ＴｉＮ−ＣＶＤ薄膜を基板
表面に成膜するべく、反応ガスであるチタン化合物と窒
素化合物を反応容器へ導入する方法において、前記チタ
ン化合物と窒素化合物を反応容器内の基板と対向する部
分まで分離して移送し、基板と対向する部分から基板へ
向けて噴出させることを特徴としている。
【００１１】前記チタン化合物と窒素化合物は、更に、
夫々加熱した状態で噴出させても良い。
夫々加熱した状態で噴出させても良い。
【００１２】また、前記目的を達成するこの発明のＴｉ
Ｎ−ＣＶＤにおけるガス導入装置は、ＴｉＮ−ＣＶＤ薄
膜を基板表面に成膜するべく、反応ガスであるチタン化
合物と窒素化合物を反応容器へ導入する装置において、
基板に端面を対向させた二重管の、前記端面に塞板が設
けてあり、該塞板にガス噴出の為のノズル孔が穿設して
あることを特徴としている。
Ｎ−ＣＶＤにおけるガス導入装置は、ＴｉＮ−ＣＶＤ薄
膜を基板表面に成膜するべく、反応ガスであるチタン化
合物と窒素化合物を反応容器へ導入する装置において、
基板に端面を対向させた二重管の、前記端面に塞板が設
けてあり、該塞板にガス噴出の為のノズル孔が穿設して
あることを特徴としている。
【００１３】二重管の端部には、更に、反応ガスを加熱
する為の加熱手段を設けても良い。
する為の加熱手段を設けても良い。
【００１４】
【作用】この発明によれば、反応ガスのチタン化合物と
窒素化合物を反応容器内で噴出させるので反応ガスの撹
拌を促進する。
窒素化合物を反応容器内で噴出させるので反応ガスの撹
拌を促進する。
【００１５】また、反応ガスを加熱手段で加熱すること
により、反応ガスに運動エネルギーを与えて、より一層
撹拌を促進することができる。
により、反応ガスに運動エネルギーを与えて、より一層
撹拌を促進することができる。
【００１６】
【実施例】以下、この発明の実施例を図を参照して説明
する。図１に示したように、小径の円筒１と大径の円筒
２で、同心に構成した二重管３の、成膜すべき基板（図
示していない）と対向する端面３ａに、漏斗状とした塞
板４が固着してあり、塞板４内に、前記円筒１の内側と
連通するノズル孔５、５と、円筒１と円筒２の間に連通
するノズル孔６、６を穿設してガス導入装置が構成して
ある。円筒１、２および塞板４は、反応ガスとして導入
されるチタン化合物や窒素化合物に耐える金属材料（例
えばステンレス）が用いられる。
する。図１に示したように、小径の円筒１と大径の円筒
２で、同心に構成した二重管３の、成膜すべき基板（図
示していない）と対向する端面３ａに、漏斗状とした塞
板４が固着してあり、塞板４内に、前記円筒１の内側と
連通するノズル孔５、５と、円筒１と円筒２の間に連通
するノズル孔６、６を穿設してガス導入装置が構成して
ある。円筒１、２および塞板４は、反応ガスとして導入
されるチタン化合物や窒素化合物に耐える金属材料（例
えばステンレス）が用いられる。
【００１７】前記塞板４内には、ヒータ線７が埋設して
あり、ノズル孔５を通過するガスおよびノズル孔６を通
過するガスを夫々加熱できるようになっている。
あり、ノズル孔５を通過するガスおよびノズル孔６を通
過するガスを夫々加熱できるようになっている。
【００１８】上記実施例のガス導入装置を用いてＴｉＮ
−ＣＶＤ薄膜を成膜する場合、この装置を反応容器内へ
設置し、前記塞板４と基板を所定の間隔を保って対向さ
せる。ＴｉＮ薄膜を成膜するには、ＴｉＣｌ4 ガスとＮ
Ｈ3 ガスを用いる。ＴｉＣｌ4 ガスを反応容器の外部か
ら前記円筒１へ導き、ＮＨ3 ガスを反応容器の外部から
円筒１と円筒２の間の空間へ導く。即ち反応ガスは分離
したまま、基板と対向する部分まで移送する。
−ＣＶＤ薄膜を成膜する場合、この装置を反応容器内へ
設置し、前記塞板４と基板を所定の間隔を保って対向さ
せる。ＴｉＮ薄膜を成膜するには、ＴｉＣｌ4 ガスとＮ
Ｈ3 ガスを用いる。ＴｉＣｌ4 ガスを反応容器の外部か
ら前記円筒１へ導き、ＮＨ3 ガスを反応容器の外部から
円筒１と円筒２の間の空間へ導く。即ち反応ガスは分離
したまま、基板と対向する部分まで移送する。
【００１９】円筒１内へ導かれたＴｉＣｌ4 ガスは、ノ
ズル孔５から噴出して矢示８のように基板側へ流れるの
に対し、円筒１と円筒２の間へ導かれたＮＨ3 ガスはノ
ズル孔６から噴出して矢示９のように基板側へ流れる結
果、両反応ガスは、塞板４と基板の対向空間で撹拌され
ながら基板へ達し、基板表面における反応完結に寄与す
る。この結果、基板表面のＴｉＮ薄膜中の、反応不完結
による残留塩素を少なくすることができる。
ズル孔５から噴出して矢示８のように基板側へ流れるの
に対し、円筒１と円筒２の間へ導かれたＮＨ3 ガスはノ
ズル孔６から噴出して矢示９のように基板側へ流れる結
果、両反応ガスは、塞板４と基板の対向空間で撹拌され
ながら基板へ達し、基板表面における反応完結に寄与す
る。この結果、基板表面のＴｉＮ薄膜中の、反応不完結
による残留塩素を少なくすることができる。
【００２０】前記ヒーター線７へ通電して、ノズル孔
５、６を通過する反応ガスを加熱するようにすれば、各
反応ガスの運動エネルギを増加させるので、撹拌効果が
促進されて、基板表面における反応の完結を助長する。
従って残留塩素を一層少なくすることができる。
５、６を通過する反応ガスを加熱するようにすれば、各
反応ガスの運動エネルギを増加させるので、撹拌効果が
促進されて、基板表面における反応の完結を助長する。
従って残留塩素を一層少なくすることができる。
【００２１】実施例のガス導入装置を用いたＣＶＤ法に
よるＴｉＮ膜と、従来法によるＴｉＮ−ＣＶＤ膜につい
て残留塩素の含有量および比抵抗を測定した。
よるＴｉＮ膜と、従来法によるＴｉＮ−ＣＶＤ膜につい
て残留塩素の含有量および比抵抗を測定した。
【００２２】基板温度は６００℃、反応容器内の圧力は
３００〜５００ mTorr、ＴｉＣｌ4ガスの導入速度は２
〜６sccm、ＮＨ3 ガスの導入速度は４００sccmの同一条
件とした。実施例のガス導入装置は、円筒１の径を１０
mm、円筒２の径を３０mmとし、ノズル孔５は径２mmを４
個、ノズル孔６は径２mmを８個設けた。
３００〜５００ mTorr、ＴｉＣｌ4ガスの導入速度は２
〜６sccm、ＮＨ3 ガスの導入速度は４００sccmの同一条
件とした。実施例のガス導入装置は、円筒１の径を１０
mm、円筒２の径を３０mmとし、ノズル孔５は径２mmを４
個、ノズル孔６は径２mmを８個設けた。
【００２３】二次イオン質量分析法で測定した残留塩素
は、従来法の場合３×１０21 atms/ccであるのに対し、
実施例の場合１〜４×１０20 atms/ccに低減することが
できた。
は、従来法の場合３×１０21 atms/ccであるのに対し、
実施例の場合１〜４×１０20 atms/ccに低減することが
できた。
【００２４】比抵抗の測定では、従来法では３００μΩ
cmであるのに対し、実施例の場合、１５０μΩcmと小さ
くすることができた。
cmであるのに対し、実施例の場合、１５０μΩcmと小さ
くすることができた。
【００２５】図２は、前記ヒータ線７による加熱手段の
例で、（ａ）は円筒１および円筒２の端部外側にヒータ
線７ａを巻き付けたものであり、（ｂ）は円筒１の端部
内側および円筒１と円筒２の間の空間の端部内側に夫々
ヒータブロック７ｂを設けたものである。
例で、（ａ）は円筒１および円筒２の端部外側にヒータ
線７ａを巻き付けたものであり、（ｂ）は円筒１の端部
内側および円筒１と円筒２の間の空間の端部内側に夫々
ヒータブロック７ｂを設けたものである。
【００２６】これらの加熱手段によっても、ノズル孔
５、６を通して噴出する反応ガスを加熱し、撹拌を促進
して、反応の完結を助長することができる。
５、６を通して噴出する反応ガスを加熱し、撹拌を促進
して、反応の完結を助長することができる。
【００２７】
【発明の効果】以上に説明したように、この発明によれ
ば、反応ガスを十分に撹拌して基板に到達させることが
できるので基板表面におけるＣＶＤ反応を促進して反応
を完結させ、ＴｉＮ膜中の残留塩素を少なくできる効果
がある。
ば、反応ガスを十分に撹拌して基板に到達させることが
できるので基板表面におけるＣＶＤ反応を促進して反応
を完結させ、ＴｉＮ膜中の残留塩素を少なくできる効果
がある。
【図１】この発明の実施例の図で、（ａ）は一部縦断面
図、（ｂ）は底面図である。
図、（ｂ）は底面図である。
【図２】（ａ）はこの発明の他の実施例の、（ｂ）はこ
の発明の別の実施例の一部縦断面図である。
の発明の別の実施例の一部縦断面図である。
【図３】従来のガス導入装置の説明図である。
【図４】同じく従来の他のガス導入装置の説明図であ
る。
る。
【図５】同じく従来の別のガス導入装置の説明図であ
る。
る。
【図６】同じく従来の更に別のガス導入装置の説明図で
ある。
ある。
【符号の説明】 １、２ 円筒 ３ 二重管 ３ａ 端面 ４ 塞板 ５、６ ノズル孔 ７、７ａ ヒータ線 ７ｂ ヒータブロック
Claims (6)
- 【請求項１】 ＴｉＮ−ＣＶＤ薄膜を基板表面に成膜す
るべく、反応ガスであるチタン化合物と窒素化合物を反
応容器へ導入する方法において、前記チタン化合物と窒
素化合物を反応容器内の基板と対向する部分まで分離し
て移送し、基板と対向する部分から基板へ向けて噴出さ
せることを特徴とするＴｉＮ−ＣＶＤにおけるガス導入
法。 - 【請求項２】 チタン化合物と窒素化合物は、夫々加熱
した状態で噴出させる請求項２記載のＴｉＮ−ＣＶＤに
おけるガス導入法。 - 【請求項３】 窒素化合物は、チタン化合物を中心とし
て、チタン化合物の噴出部の周囲から噴出する請求項１
又は２記載のＴｉＮ−ＣＶＤにおけるガス導入法。 - 【請求項４】 ＴｉＮ−ＣＶＤ薄膜を基板表面に成膜す
るべく、反応ガスであるチタン化合物と窒素化合物を反
応容器へ導入する装置において、基板に端面を対向させ
た二重管の、前記端面に塞板が設けてあり、該塞板にガ
ス噴出の為のノズル孔が穿設してあることを特徴とする
ＴｉＮ−ＣＶＤにおけるガス導入装置。 - 【請求項５】 二重管の端部に、反応ガスを加熱する為
の加熱手段が設けてある請求項４記載のＴｉＮ−ＣＶＤ
におけるガス導入装置。 - 【請求項６】 二重管の端面は、反応ガスの上流側に凹
入する漏斗状とした請求項４又は５記載のＴｉＮ−ＣＶ
Ｄにおけるガス導入装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22563293A JPH0786267A (ja) | 1993-09-10 | 1993-09-10 | ＴｉＮ−ＣＶＤにおけるガス導入法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22563293A JPH0786267A (ja) | 1993-09-10 | 1993-09-10 | ＴｉＮ−ＣＶＤにおけるガス導入法および装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0786267A true JPH0786267A (ja) | 1995-03-31 |
Family
ID=16832353
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22563293A Pending JPH0786267A (ja) | 1993-09-10 | 1993-09-10 | ＴｉＮ−ＣＶＤにおけるガス導入法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0786267A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009041111A (ja) * | 2001-08-01 | 2009-02-26 | Tokyo Electron Ltd | ガス処理装置 |
| JP2013534970A (ja) * | 2010-06-11 | 2013-09-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 化学気相成長を制御するための装置及び方法 |
| WO2021053904A1 (ja) * | 2019-09-20 | 2021-03-25 | 株式会社明電舎 | 酸化膜形成装置 |
-
1993
- 1993-09-10 JP JP22563293A patent/JPH0786267A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009041111A (ja) * | 2001-08-01 | 2009-02-26 | Tokyo Electron Ltd | ガス処理装置 |
| JP2013534970A (ja) * | 2010-06-11 | 2013-09-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 化学気相成長を制御するための装置及び方法 |
| WO2021053904A1 (ja) * | 2019-09-20 | 2021-03-25 | 株式会社明電舎 | 酸化膜形成装置 |
| JP2021050364A (ja) * | 2019-09-20 | 2021-04-01 | 株式会社明電舎 | 酸化膜形成装置 |
| TWI749620B (zh) * | 2019-09-20 | 2021-12-11 | 日商明電舍股份有限公司 | 氧化膜形成裝置 |
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