JPH0778352A

JPH0778352A - 光ピックアップ装置の構成方法

Info

Publication number: JPH0778352A
Application number: JP5248477A
Authority: JP
Inventors: Masahiko Nakayama; 昌彦中山
Original assignee: Ricoh Co Ltd
Current assignee: Ricoh Co Ltd
Priority date: 1993-09-10
Filing date: 1993-09-10
Publication date: 1995-03-20

Abstract

(57)【要約】【目的】光磁気記録方式の光ピックアップ装置を小形
化する。【構成】一定の放射角で出射される半導体レーザの出
射光を、光束径の小さい位置で凸レンズにより平行光に
してビームスプリッタに通し、そのビームスプリッタか
ら一方向に出た光を凹レンズで拡散光にし、その拡散光
を所定の光束径に広がった位置で対物レンズで集光して
光ディスクに照射する構成にした。【効果】ビームスプリッタとその周囲の各種光学部品
を小さくして、装置全体を小形化することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光磁気記録方式の光デ
ィスクに好適な光ピックアップ装置の構成方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】図７は、光磁気記録方式の光ピックアッ
プ装置の従来例を示している。

【０００３】この光ピックアップ装置が動作する場合、
半導体レーザ１０１からＰ偏光のレーザ光を出射する。
その出射光は、凸レンズ１０２を通り平行光になって、
偏光ビームスプリッタ１０３に入射する。

【０００４】偏光ビームスプリッタ１０３に入射したレ
ーザ光は、その内部の偏光膜で反射する光と透過する光
とに分岐する。反射した光は、凸レンズ１０４により集
光されて受光素子１０５に入射する。また、透過した光
は、対物レンズである凸レンズ１０６により集光されて
光ディスク１０７上にレーザスポットとして照射され
る。

【０００５】光ディスク１０７の反射光は、凸レンズ１
０６を介して偏光ビームスプリッタ１０３に戻る。その
戻り光は、偏光ビームスプリッタ１０３内部の偏光膜で
一部反射する。その反射した光は、凸レンズ１０８によ
り集光され、さらに１／２波長板１０９を通って偏光方
向が４５度回転した後、偏光ビームスプリッタ１１０に
入射する。

【０００６】偏光ビームスプリッタ１１０に入射したレ
ーザ光の内のＳ偏光成分は、内部の偏光膜で反射し、Ｐ
偏光成分はその偏光膜を透過する。反射したＳ偏光成分
の光は、受光素子１１１に入射し、透過したＰ偏光成分
の光は、受光素子１１２に入射する。

【０００７】この構成の場合、受光素子１０５の検知信
号により、レーザ光の出射強度を検知して、半導体レー
ザ１０１の出射パワーを調節する。また、受光素子１１
１と１１２の検知信号により、光ディスク１０７の記録
情報を再生したり、各種検知信号を取り出したりする。

【０００８】ところで、光ディスク１０７に照射するレ
ーザスポットのスポット径は、光ディスク１０７のトラ
ックピッチに応じた所定の大きさに設定しなければなら
ない。また、凸レンズ１０６と光ディスク１０７との間
の距離は、機構上の制約などから所定の範囲に設定しな
ければならいな。また、レーザ光の波長は、光ディスク
１０７の情報記録媒体に適した一定波長に設定しなけれ
ばならない。これらの条件に適合する凸レンズ１０６
は、ある程度口径の大きなものになってしまう。

【０００９】一方、偏光ビームスプリッタ１０３への入
射光は、内部の偏光膜面に対して４５度で入射するよう
に設定している。この場合、入射光の全光束が、ほぼ同
一入射角で入射するようにしなければならない。すなわ
ち、図８に示すように、上記偏光膜を４５度の正しい入
射角で通過する光と、４５度からずれた角度で通過する
光とがあると、両者の間に位相差が生じて、光ディスク
１０７の記録情報を再生する際にＳ／Ｎ比が悪化する。

【００１０】そこで、入射光の全光束が、上記偏光膜面
に対して４５度の正しい入射角で入射するように、半導
体レーザ１０１の出射光を凸レンズ１０２により平行光
にしてから偏光ビームスプリッタ１０３に入射させてい
る。

【００１１】このため、偏光ビームスプリッタ１０３
や、その周囲の光学部品、すなわち凸レンズ１０２，１
０４，１０８および１／２波長板１０９などは、凸レン
ズ１０６の口径に応じた大きいものを使用しなければな
らなかった。

【００１２】一方、受光素子１０５は、受光量の変化に
対して高速に応答する応答速度の速いものを使用しなけ
ればならない。一般に、受光素子の応答速度は、受光部
の面積に反比例するため、受光素子１０５には、受光部
の面積の小さいものを使用している。

【００１３】凸レンズ１０４は、偏光ビームスプリッタ
１０３から出る大きい光束径の光を、受光素子１０５の
小さい受光部に合せて集光するために配設している。従
来は、他の光学部品が大きいため、このような凸レンズ
１０４が必要になっていた。

【００１４】なお、例えば、穴明け記録方式など、他の
記録方式の光ピックアップ装置の場合には、ビームスプ
リッタを通過したレーザ光に位相差が生じてもあまり支
障がない。従って、半導体レーザの出射光を平行光にし
ないで直接ビームスプリッタに入射させる構成にして、
光学部品を小形化することが可能であった。

【００１５】

【発明が解決しようとする課題】以上のように、従来の
光磁気記録方式の光ピックアップ装置の場合、各種光学
部品は、対物レンズの口径に応じた大きいものを使用し
なければならなかったので、装置が大形化するという問
題があった。

【００１６】本発明は、上記の問題を解決し、装置を小
形化することができる光ピックアップ装置の構成方法を
提供することを目的とする。

【００１７】

【課題を解決するための手段】このために、本願の１つ
の発明では、半導体レーザの出射光を、光束径が小さい
位置で凸レンズにより平行光にしてビームスプリッタに
通し、そのビームスプリッタから一方向に出たレーザ光
を凹レンズにより拡散光にして、その拡散光が対物レン
ズの口径に相当する一定の光束径まで大きくなった位置
で、その拡散光を対物レンズにより集光して光ディスク
に照射するように構成している。

【００１８】また、別の発明では、半導体レーザの出射
光を、光束径が小さい位置で凸レンズによりビーム放射
角の小さい拡散光にしてビームスプリッタに通し、その
ビームスプリッタから一方向に出た拡散光を、その光束
が上記一定の光束径になった位置で対物レンズにより集
光して光ディスクに照射するように構成している。

【００１９】

【作用】上記各発明によれば、半導体レーザの出射光を
光束径が小さい位置でビームスプリッタに通すので、ビ
ームスプリッタや、その周辺の各種光学部品は、小さい
ものでよくなる。これにより、光ピックアップ装置を小
形化することができる。

【００２０】

【実施例】以下、添付図面を参照しながら、本発明の実
施例を詳細に説明する。

【００２１】図１は、本発明の第１の実施例に係る光磁
気記録方式の光ピックアップ装置の構成図を示したもの
である。同図において、半導体レーザ２０１は、レーザ
光を上方に出射するように配設されている。その出射方
向には、凸レンズ２０２、偏光ビームスプリッタ２０
３、凹レンズ２０４、対物レンズとなる凸レンズ２０５
および光ディスク２０６が順に配設されている。なお、
半導体レーザ２０１から凸レンズ２０２までの距離は、
図７における半導体レーザ１０１から凸レンズ１０２ま
での距離よりも短くなっている。

【００２２】偏光ビームスプリッタ２０３内には、偏光
膜２０３ａが形成されている。この偏光膜２０３ａは、
Ｐ偏光に対して、透過率７０％、反射率３０％という特
性を有し、Ｓ偏光に対して、透過率０％、反射率１００
％という特性を有している。光ディスク２０６は、光磁
気記録方式のものである。

【００２３】偏光ビームスプリッタ２０３の一側方に
は、受光素子２０７が配設されている。また、その反対
側には、集光レンズと呼ばれる凸レンズ２０８、１／２
波長板２０９、偏光ビームスプリッタ２１０、６分割受
光素子２１１が順に配設されている。また、偏光ビーム
スプリッタ２１０の下方には、もう１つの６分割受光素
子２１２が配設されている。

【００２４】偏光ビームスプリッタ２１０内には、Ｐ偏
光を１００％透過してＳ偏光を１００％反射する偏光膜
２１０ａが形成されいる。

【００２５】以上の構成で、半導体レーザ２０１は、一
定のビーム放射角でＰ偏光のレーザ光を出射する。その
出射光は、凸レンズ２０２に入射する。いま、半導体レ
ーザ２０１と図７の半導体レーザ１０１のビーム放射角
が同一であるとすると、半導体レーザ２０１から凸レン
ズ２０２までの距離は、半導体レーザ１０１から凸レン
ズ１０２までの距離よりも短いので、凸レンズ２０２に
は、凸レンズ１０２の場合よりも光束径の小さいレーザ
光が入射することになる。

【００２６】その入射光は、凸レンズ２０２を通ること
により平行光になって偏光ビームスプリッタ２０３に入
射する。偏光ビームスプリッタ２０３に入射したＰ偏光
のレーザ光の内の７０％は、偏光膜２０３ａを透過し、
３０％は、偏光ビームスプリッタ２０３で反射する。反
射したレーザ光は、受光素子２０７に入射する。

【００２７】一方、偏光膜２０３ａを透過したレーザ光
は、偏光ビームスプリッタ２０３を出て凹レンズ２０４
を通ることにより一定放射角の拡散光となる。その拡散
光は、凸レンズ２０５の口径に対応する光束径に広がっ
た位置で、凸レンズ２０５に入射する。凸レンズ２０５
に入射したレーザ光は集光されて光ディスク２０６上に
スポット光として照射される。

【００２８】光ディスク２０６で反射した光は、上記と
反対の経路で偏光ビームスプリッタ２０３に戻る。偏光
ビームスプリッタ２０３に入射したレーザ光の内のＳ偏
光成分の全体とＰ偏光成分の３０％は、偏光膜２０３ａ
で反射する。その反射光は、凸レンズ２０８を通って集
光され、さらに１／２波長板２０９を通ることにより偏
光方向が４５度回転する。そして、偏光ビームスプリッ
タ２１０に入射する。

【００２９】偏光ビームスプリッタ２１０に入射した光
のＰ偏光成分は、偏光膜２１０ａを透過して６分割受光
素子２１１に入射し、Ｓ偏光成分は偏光膜２１０ａで反
射して６分割受光素子２１２に入射する。

【００３０】受光素子２０７の検知信号は、半導体レー
ザ２０１のレーザ光の出射光量に応じて変動する。この
検知信号は、図示せぬ制御回路により読み取られて、半
導体レーザ２０１の出射パワーが調節される。

【００３１】６分割受光素子２１１，２１２は、それぞ
れ６つの受光部を有している。それら各受光部の検知信
号は、光ディスク２０６の記録情報やトラッキングエラ
ーおよびフォーカシングエラーにより一定の変化を示
す。トラッキングエラーは、光ディスク２０６の情報ト
ラックに対するレーザスポットの照射位置の位置ずれで
ある。フォーカシングエラーは、そのレーザスポットの
焦点ずれである。

【００３２】ここで、図１に示すように、６分割受光素
子２１１の６つの受光部の検知信号をａ〜ｆ、６分割受
光素子２１２の６つの受光部の検知信号をｇ〜ｌとする
と、光磁気信号ＭＯ、プリフォーマット信号ＰＦ、トラ
ッキングエラー信号ＴＥおよびフォーカスエラー信号Ｆ
Ｅを、図示せぬ信号回路により、次式に示す信号演算に
よって取り出す。ＭＯ＝（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ）−（ｇ＋ｈ＋ｉ＋ｊ
＋ｋ＋ｌ）ＰＦ＝ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＋ｇ＋ｈ＋ｉ＋ｊ＋ｋ＋
ｌＴＥ＝（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｇ＋ｈ＋ｉ）−（ｄ＋ｅ＋ｆ＋ｊ
＋ｋ＋ｌ）ＦＥ＝（ａ＋ｃ＋ｄ＋ｆ＋ｈ＋ｋ）−（ｂ＋ｅ＋ｇ＋ｉ
＋ｊ＋ｌ）

【００３３】上記光磁気信号ＭＯは、光ディスク２０６
にユーザが記録した記録情報の再生信号であり、プリフ
ォーマット信号ＰＦは、予め記録されているアドレス情
報などの再生信号である。また、トラッキングエラー信
号ＴＥおよびフォーカスエラー信号ＦＥは、それぞれの
ずれ量の大きさと方向を示す検知信号である。なお、こ
れらの信号の検知方法は、例えば、特開昭６１−２０９
４４号公報に開示されている既知のものである。

【００３４】以上のように、本実施例では、半導体レー
ザ２０１の出射光を、光束径が小さい位置で凸レンズ２
０２により平行光にして偏光ビームスプリッタ２０３に
通す構成にしている。

【００３５】従って、図７の従来構成と比較すると、偏
光ビームスプリッタ２０３とその周囲の各光学部品は、
小さい光束径のレーザ光を通すことができればよいの
で、外形寸法を小形に形成することができる。また、図
７の従来構成では、受光素子１０５への入射光束を集光
させる凸レンズ１０４が必要であったが、本実施例で
は、受光素子２０７には、偏光ビームスプリッタ２０３
から出る光束を直接入射させればよくなるので、凸レン
ズ１０４に相当する１つの部品が不要になる。これによ
り、光ピックアップ装置全体を小形化することができ
る。

【００３６】ところで、一般に、光がレンズなどの硝材
を通過すると色収差が発生する。この色収差は、凸レン
ズと凹レンズとでは、反対方向に生じる。

【００３７】本実施例では、半導体レーザ２０１の出射
光は、凸レンズ２０２と２０５のほかに凹レンズ２０４
も通過して、光ディスク２０６に照射される。従って、
凸レンズにより生じる色収差は、凹レンズである程度補
正され、光ディスク２０６に対する照射光の色収差が低
減するようになる。

【００３８】図２は、図１とほぼ同一の構成の光ピック
アップ装置を用いた光ディスク装置の実施例を示してい
る。

【００３９】同図において、光ディスク２０６の下方に
は、光ピックアップ装置ＰＵが配設され、その光ピック
アップ装置ＰＵは、シークモータＳＫにより、光ディス
ク２０６の半径方向に駆動されるようになっている。光
ピックアップ装置ＰＵは、ミラー２１３が追加されてい
る点を除いて、図１と同一構成のものである。但し、同
図では、図１の中で偏光ビームスプリッタ２０３の左右
に位置する各種光学部品は図示していない。

【００４０】この構成で、光ピックアップ装置ＰＵは、
シークモータＳＫに駆動されて、光ディスク２０６のア
クセスするトラック位置に位置決めされる。そして、半
導体レーザ２０１の出射光は、図１の場合と同様に、凸
レンズ２０２、偏光ビームスプリッタ２０３および凹レ
ンズ２０４を順に通過する。そして、本実施例では、凹
レンズ２０４を出た光は、ミラー２１３で反射し、その
上方の凸レンズ２０５に入射する。その入射光は、集光
されて光ディスク２０６に照射される。

【００４１】光ディスク２０６の反射光は、上記と反対
の経路で、偏光ビームスプリッタ２０３に戻る。そし
て、その他の各部も、図１の場合と同様に作用して、光
ピックアップ装置ＰＵの所定の動作を実行する。

【００４２】図１の構成の光ピックアップ装置をそのま
ま光ディスク装置に配設しようとすると、半導体レーザ
２０１から光ディスク２０６までの距離が長くなるた
め、光ディスク装置の筐体の高さが高くなってしまう
が、本実施例のように、ミラー２１３を配設することに
より、光ディスク装置の筐体の高さを低く形成すること
ができる。

【００４３】図３は、光ピックアップ装置の装置構成の
第２の実施例を示したものである。

【００４４】同図において、図１と異なる点は、凹レン
ズ２０４と凸レンズ２０５の間に凸レンズ２１４を配設
している点である。

【００４５】本実施例では、凹レンズ２０４側から放射
される拡散光を凸レンズ２１４に通して平行光にした
後、凸レンズ２０５に入射させる。また、光ディスク２
０６の反射光も、凸レンズ２０５と凸レンズ２１４を介
して凹レンズ２０４に入射させる。

【００４６】このように構成することにより、光ディス
ク２０６と凸レンズ２０５の配設位置に対して、凸レン
ズ２１４から下に位置する各部品を任意の距離だけ離す
ことができる。

【００４７】図４は、図３とほぼ同一構成の光ピックア
ップ装置を用いた光ディスク装置の実施例を示してい
る。

【００４８】同図において、光ディスク２０６の下方に
は、シークモータＳＫにより駆動される移動光学系Ｍが
配設され、その側方には、固定光学系Ｐが配設されてい
る。本実施例では、移動光学系Ｍと固定光学系Ｐとによ
り光ピックアップ装置ＰＵを構成している。

【００４９】移動光学系Ｍ側には、凸レンズ２０５とミ
ラー２１５とが配設されている。固定光学系Ｐ側には、
一部図示を省略しているが、図３における凸レンズ２１
４から下に位置する全部品が配設されている。ミラー２
１５は、新たに配設されたもので、凸レンズ２１４と２
０５の間の光路を形成するものである。

【００５０】この構成で、本実施例では、移動光学系Ｍ
が、シークモータＳＫに駆動されて、光ディスク２０６
のアクセスするトラック位置に位置決めされる。そし
て、各部が図３の場合と同様に作用して、光ピックアッ
プ装置ＰＵの所定の動作を実行する。

【００５１】図３の構成は、本実施例のように、光ピッ
クアップ装置ＰＵを移動光学系Ｍと固定光学系Ｐとに分
離して構成する場合に好適である。また、ミラー２１５
を配設することにより、図２の場合と同様に、光ディス
ク装置の筐体の高さを低く形成することができる。

【００５２】図５は、光ピックアップ装置の装置構成の
第３の実施例を示している。

【００５３】同図において、図１と異なる点は、凸レン
ズ２０２の代りに凸レンズ２１６を配設して、凹レンズ
２０４を除去した点である。また、偏光ビームスプリッ
タ２０３とその周辺の全部品を、凸レンズ２０５から、
より離れた位置に配置している。

【００５４】この構成で、本実施例では、半導体レーザ
２０１の出射光は、凸レンズ２１６で完全な平行光にせ
ず、放射角の非常に小さい拡散光にする。この拡散光を
偏光ビームスプリッタ２０３に通す。偏光ビームスプリ
ッタ２０３を通過したレーザ光は、凸レンズ２１６から
離れる距離に比例して光束径が大きくなる。そのレーザ
光の光束径が所定の径まで大きくなった位置で、凸レン
ズ２０５に入射させて集光し、光ディスク２０６に照射
する。他の各部は、図１の場合と同様に作用し、同様の
動作を実行する。

【００５５】ところで、図８で説明したように、偏光膜
２０３ａを通過する光束内に、入射角度が４５度からず
れた光があると、位相差のために、記録情報を読み取る
際にＳ／Ｎ比が悪化する。すなわち、本実施例では、光
磁気信号ＭＯなどのＳ／Ｎ比が悪化することになる。

【００５６】しかしながら、実際の光ピックアップ装置
では、上記入射角度のずれが、例えば±２度程度あって
も、Ｓ／Ｎ比の悪化は許容される。

【００５７】従って、本実施例の装置構成でも、凸レン
ズ２１６から出る拡散光の放射角をある程度小さくする
ことにより、実用的な光ピックアップ装置を提供するこ
とができる。これにより、凹レンズ２０４という１つの
部品を削減して、装置コストを低減することができる。

【００５８】図６は、光ピックアップ装置の装置構成の
第４の実施例を示したものである。すなわち、本実施例
では、偏光ビームスプリッタ２０３と受光素子１０５の
間に凸レンズ２１７を配設して、凸レンズ２０５と受光
素子２０７との間を通過するレーザ光を平行光にしてい
る。

【００５９】このように構成すれば、図４の実施例のよ
うに、移動光学系Ｍと固定光学系Ｐとに分離した光ピッ
クアップ装置ＰＵを構成することができる。

【００６０】なお、以上の各実施例では、光磁気記録方
式の光ピックアップ装置を例にとって説明したが、穴明
け記録方式などの他の方式の光ピックアップ装置におい
ても、ビームスプリッタとその周囲の各種光学部品を半
導体レーザに近づける構成を取ることにより、装置を小
形化することができる。

【００６１】また、図中の各種レンズは、いずれも１枚
構成として図示しているが、それぞれ凹凸レンズの組合
せであってもよいことはいうまでもない。

【００６２】

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、半導体
レーザの出射光を、光束径が小さい状態でビームスプリ
ッタに通すようにしたので、ビームスプリッタとその周
辺の各種光学部品を小さくすることができるため、光ピ
ックアップ装置を小形化することができるようになる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例に係る光磁気記録方式の
光ピックアップ装置の構成図である。

【図２】光ディスク装置の一実施例を示す装置構成図で
ある。

【図３】光ピックアップ装置の第２の実施例を示す装置
構成図である。

【図４】光ディスク装置の他の実施例を示す装置構成図
である。

【図５】光ピックアップ装置の第３の実施例を示す装置
構成図である。

【図６】光ピックアップ装置の第４の実施例を示す装置
構成図である。

【図７】光ピックアップ装置の従来例を示す装置構成図
である。

【図８】偏光膜に対する光の入射角のずれと通過光の位
相差との関係を示すグラフ図である。

【符号の説明】

１０１，２０１半導体レーザ１０３，１１０，２０３，２１０偏光ビームスプリッ
タ１０２，１０４，１０６，１０８，２０２，２０５，２
０８，２１４，２１６，２１７凸レンズ１０５，１１１，１１２，２０７受光素子１０７，２０６光ディスク１０９，２０９１／２波長板２０３ａ，２１０ａ偏光膜２０４凹レンズ２１１，２１２６分割受光素子２１３，２１５ミラー

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【手続補正書】

【提出日】平成５年１２月１７日

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００５８

【補正方法】変更

【補正内容】

【００５８】図６は、光ピックアップ装置の装置構成の
第４の実施例を示したものである。すなわち、本実施例
では、偏光ビームスプリッタ２０３と凸レンズ２０５の
間に凸レンズ２１７を配設して、凸レンズ２０５と凸レ
ンズ２１７との間を通過するレーザ光を平行光にしてい
る。

【手続補正２】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図４

【補正方法】変更

【補正内容】

【図４】

【手続補正３】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図６

【補正方法】変更

【補正内容】

【図６】

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】一定のビーム放射角でレーザ光を出射す
る半導体レーザと、入射するレーザ光の一部を透過し他
を反射することによりレーザ光を２方向に分岐するビー
ムスプリッタと、一定の光束径でレーザ光を入射しスポ
ット光に集光して光ディスクに照射する対物レンズとを
有している光ピックアップ装置の構成方法において、上
記半導体レーザから出射されたレーザ光をその光束径が
上記一定の光束径よりも小さい位置で上記対物レンズと
は別の凸レンズにより平行光にし、その平行光を上記ビ
ームスプリッタに通してそのビームスプリッタから一方
向に出るレーザ光を凹レンズにより拡散し、拡散したレ
ーザ光をその光束が上記一定の光束径になった位置で上
記対物レンズにより集光して上記光ディスクに照射する
構成であることを特徴とする光ピックアップ装置の構成
方法。
【請求項２】一定のビーム放射角でレーザ光を出射す
る半導体レーザと、入射するレーザ光の一部を透過し他
を反射することによりレーザ光を２方向に分岐するビー
ムスプリッタと、一定の光束径でレーザ光を入射しスポ
ット光に集光して光ディスクに照射する対物レンズとを
有している光ピックアップ装置の構成方法において、上
記半導体レーザから出射されたレーザ光をその光束径が
上記一定の光束径よりも小さい位置で上記対物レンズと
は別の凸レンズにより平行光にし、その平行光を上記ビ
ームスプリッタに通してそのビームスプリッタから一方
向に出るレーザ光を凹レンズにより拡散し、拡散したレ
ーザ光をその光束が上記一定の光束径になった位置でさ
らに別の凸レンズにより平行光にし、その平行光を上記
対物レンズにより集光して上記光ディスクに照射する構
成であることを特徴とする光ピックアップ装置の構成方
法。
【請求項３】一定のビーム放射角でレーザ光を出射す
る半導体レーザと、入射するレーザ光の一部を透過し他
を反射することによりレーザ光を２方向に分岐するビー
ムスプリッタと、一定の光束径でレーザ光を入射しスポ
ット光に集光して光ディスクに照射する対物レンズとを
有している光ピックアップ装置の構成方法において、上
記半導体レーザから出射されたレーザ光をその光束径が
上記一定の光束径よりも小さい位置で上記対物レンズと
は別の凸レンズによりビーム放射角の小さい拡散光に
し、その拡散光を上記ビームスプリッタに通してそのビ
ームスプリッタから一方向に出るレーザ光をその光束が
上記一定の光束径になった位置で上記対物レンズにより
集光して上記光ディスクに照射する構成であることを特
徴とする光ピックアップ装置の構成方法。
【請求項４】一定のビーム放射角でレーザ光を出射す
る半導体レーザと、入射するレーザ光の一部を透過し他
を反射することによりレーザ光を２方向に分岐するビー
ムスプリッタと、一定の光束径でレーザ光を入射しスポ
ット光に集光して光ディスクに照射する対物レンズとを
有している光ピックアップ装置の構成方法において、上
記半導体レーザから出射されたレーザ光をその光束径が
上記一定の光束径よりも小さい位置で上記対物レンズと
は別の凸レンズによりビーム放射角の小さい拡散光に
し、その拡散光を上記ビームスプリッタに通してそのビ
ームスプリッタから一方向に出るレーザ光をその光束が
上記一定の光束径になった位置でさらに別の凸レンズに
より平行光にし、その平行光を上記対物レンズにより集
光して上記光ディスクに照射する構成であることを特徴
とする光ピックアップ装置の構成方法。