JPH0752706B2 - Electronic beam device - Google Patents

Electronic beam device

Info

Publication number
JPH0752706B2
JPH0752706B2 JP62103024A JP10302487A JPH0752706B2 JP H0752706 B2 JPH0752706 B2 JP H0752706B2 JP 62103024 A JP62103024 A JP 62103024A JP 10302487 A JP10302487 A JP 10302487A JP H0752706 B2 JPH0752706 B2 JP H0752706B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electron beam
electron
substrate
sources
wafer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP62103024A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPS63269522A (en
Inventor
昌彦 奥貫
光明 関
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP62103024A priority Critical patent/JPH0752706B2/en
Priority to EP88303781A priority patent/EP0289278B1/en
Priority to DE3851083T priority patent/DE3851083T2/en
Publication of JPS63269522A publication Critical patent/JPS63269522A/en
Priority to US07/469,730 priority patent/US4974736A/en
Publication of JPH0752706B2 publication Critical patent/JPH0752706B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は電子ビーム装置に関し、特に複数の電子ビーム
発生源を基板に一体化・小型化して設け、これらを選択
的に複数用途に使い分けできるようにした高精度な電子
ビーム装置に関する。
Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to an electron beam apparatus, and in particular, a plurality of electron beam generation sources are integrated and miniaturized on a substrate, and these can be selectively used for a plurality of purposes. And a high-precision electron beam device.

[従来の技術] 従来、半導体露光装置等に使用される電子ビーム装置と
しては、例えば特開昭54−111272号公報(USP 425967
8)、特開昭56−15529号公報(USP 4303930)等で開示
されているように、PN接合の両側に逆方向電圧を印加し
てアバランシエ増倍作用により半導体体内に電子を発生
させそれらを陰極により飛び出させる形式のものが知ら
れている。
[Prior Art] Conventionally, as an electron beam apparatus used for a semiconductor exposure apparatus or the like, for example, JP-A-54-111272 (USP 425967) is disclosed.
8), as disclosed in JP-A-56-15529 (USP 4303930) and the like, a reverse voltage is applied to both sides of a PN junction to generate electrons in the semiconductor body by the avalanche multiplication effect, and these electrons are generated. A type is known in which the cathode is projected.

[発明が解決しようとする問題点] しかしながら、このような従来例においては、例えば半
導体露光用として用いる場合には、アライメントのため
の光源を特別に準備する必要があり、装置の大型化や複
雑化は免れ得ず、また、個々の部品が離れていることに
起因して精度向上は望めなかった。
[Problems to be Solved by the Invention] However, in such a conventional example, when it is used for semiconductor exposure, for example, a light source for alignment needs to be specially prepared, which makes the apparatus large and complicated. Inevitably, the improvement in accuracy could not be expected due to the distance between individual parts.

さらにまた、ウエハ上のチップサイズを変更した場合に
はアライメントマーク検出器を移動させる必要があり、
この移動時に微小なごみが発生するという問題があっ
た。
Furthermore, if the chip size on the wafer is changed, it is necessary to move the alignment mark detector.
There was a problem that minute dust was generated during this movement.

本発明の目的は、このような問題点に鑑み、簡単な構成
ながら単一の装置により複数の用途、例えば多種チップ
サイズの半導体の露光、において高精度処理可能な電子
ビーム装置の提供にある。
In view of such problems, an object of the present invention is to provide an electron beam apparatus capable of performing highly accurate processing in a plurality of applications, for example, exposure of semiconductors of various chip sizes, with a single apparatus while having a simple structure.

[問題点を解決するための手段および作用] この目的を達成するため本発明の電子ビーム装置は、単
一の基板上に複数の電子ビーム発生源が設けられた電子
ビーム照射手段と、該複数の電子ビーム発生源を複数用
途のために選択して駆動する選択的駆動手段とを具備
し、前記基板上には、電子レンズ、偏向電極およびブラ
ンキング電極のうち1つ以上が形成されていることを特
徴とする。
[Means and Actions for Solving Problems] In order to achieve this object, an electron beam apparatus of the present invention is an electron beam irradiating means provided with a plurality of electron beam generating sources on a single substrate, A selective driving means for selecting and driving the electron beam generating source for one of a plurality of uses, and one or more of an electron lens, a deflection electrode and a blanking electrode are formed on the substrate. It is characterized by

これによれば、複数の電子ビーム発生源が設けられたの
と同一基板上に、電子レンズ、偏向電極およびブランキ
ング電極のうち1つ以上を形成するようにしたため、複
数の電子ビーム発生源および電子レンズ等が一基板上に
一体的に形成され、高精度な電子ビーム装置が小型に構
成される。また、電子ビーム発生源を複数用途のために
選択して駆動する選択的駆動手段を設けるようにしたた
め、用途ごとの基板移動や基板交換が不要となり、装置
構成や装置動作が効率的なものとなる。
According to this, at least one of the electron lens, the deflection electrode, and the blanking electrode is formed on the same substrate on which the plurality of electron beam generation sources are provided. An electron lens and the like are integrally formed on one substrate, and a highly accurate electron beam device is constructed in a small size. Further, since the selective drive means for selecting and driving the electron beam generation source for a plurality of uses is provided, it is not necessary to move the substrates or replace the substrates for each use, and the device configuration and the device operation are efficient. Become.

[実施例] 以下、図面を用いて本発明の実施例を説明する。Embodiments Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

第1図は本発明の実施例に係る電子ビーム装置を半導体
ウエハの露光に適用した場合を示す概略図である。
FIG. 1 is a schematic diagram showing a case where an electron beam apparatus according to an embodiment of the present invention is applied to exposure of a semiconductor wafer.

同図において、WFは半導体を含むウエハである。MBは複
数の電子ビームEB1〜EB7のそれぞれの発生源BG1〜BG7が
備えられた単一の基板で、例えば特開昭54−111272号公
報や特開昭56−15529号公報に記載のガラス、半導体等
の基板を用いることができる。電子ビーム発生源BG1〜B
G7としても、また、これらの公報に記載の、電子なだれ
降伏現象を生ぜして電子を放出するものを用いることが
できる。BSは電子ビーム発生源BG1〜BG7の選択駆動回
路、CCは全体の制御部、ADはウエハWF上のアライメント
マークWM1〜WM7を検出する電子ビームの吸収電流検出回
路である。また、必要に応じて電子レンズ、偏向電極あ
るいはブランキング電極(図示せず)を備える。
In the figure, WF is a wafer containing a semiconductor. MB is a single substrate provided with the respective sources BG1 to BG7 of a plurality of electron beams EB1 to EB7, for example, the glass described in JP-A-54-111272 or JP-A-56-15529, A substrate such as a semiconductor can be used. Electron beam source BG1-B
As G7, it is also possible to use those described in these publications, which emit electrons by causing an avalanche breakdown phenomenon. BS is a selective drive circuit for the electron beam generators BG1 to BG7, CC is the entire control unit, and AD is an electron beam absorption current detection circuit that detects the alignment marks WM1 to WM7 on the wafer WF. Further, an electron lens, a deflecting electrode or a blanking electrode (not shown) is provided if necessary.

この構成において、今、ウエハWF上のアライメントマー
クが実線WM2,WM6の位置のとき、実回路素子パターンは
その内部となる。したがってこの場合、まず、実回路素
子パターン描画用として電子ビームEB3,EB4,EB5が、ア
ライメントマーク検出用として電子ビームEB2,EB6が選
択回路BSにより選択される。次に電子ビームEB2,EB6を
異なるタイミングで出射してウエハWFで吸収させそれぞ
れの電流の大きさを周知の手法で検出することにより、
マークWM2,WM6の位置検出を行なう。そして、これに基
づきウエハWFをアライメントし、次いで電子ビームEB3,
EB4,EB5により回路パターンの露光を行う。
In this configuration, when the alignment mark on the wafer WF is at the positions of the solid lines WM2 and WM6, the actual circuit element pattern is inside thereof. Therefore, in this case, first, the electron beams EB3, EB4, EB5 for writing the actual circuit element pattern and the electron beams EB2, EB6 for detecting the alignment mark are selected by the selection circuit BS. Next, the electron beams EB2 and EB6 are emitted at different timings, absorbed by the wafer WF, and the magnitude of each current is detected by a known method.
The positions of the marks WM2 and WM6 are detected. Then, the wafer WF is aligned based on this, and then the electron beam EB3,
The circuit pattern is exposed by EB4 and EB5.

一方、アライメントマークが破線WM3,WM5のときは、ア
ライメント用として電子ビームEB3,EB5が用いられ、電
子ビームEB4及び/又はEB1,EB2,EB6,EB7が露光用に使わ
れる。また、破線WM1,WM7がアライメントマークのとき
は、電子ビームEB1,EB7がアライメント用、電子ビームE
B2〜EB6が露光用となる。
On the other hand, when the alignment marks are broken lines WM3, WM5, the electron beams EB3, EB5 are used for alignment, and the electron beams EB4 and / or EB1, EB2, EB6, EB7 are used for exposure. When the broken lines WM1 and WM7 are alignment marks, the electron beams EB1 and EB7 are for alignment and the electron beams E
B2 to EB6 are for exposure.

[実施例の変形例] 第2図は第1図の装置の変形例を示す部分図である。こ
の装置はでは、ウエハマークの検出をウエハ側ではなく
ヘッド基板MBの側で行なうようにしている。
[Modification of Embodiment] FIG. 2 is a partial view showing a modification of the apparatus shown in FIG. In this apparatus, the wafer mark is detected not on the wafer side but on the head substrate MB side.

同図において、電子ビーム発生源からウエハマークWMに
向け電子ビームBEを照射すると、ウエハWFから二次電子
や反射電子2Eが発生する。そして、これを基板MB側に一
体的に形成したセンサ例えばP/NジャンクションPNで受
信することにより、ウエハマークWMを検出する。ただし
ここでは、効率良く電子を検出するため、円環状の電極
D1及びD2を基板MB側に取り付けてある。また、電極D1と
EB発生源BG間には電圧Vex、電極D2には電圧Vd、EB発生
源BGとウエハWF間には電圧Vcが図示の如く接続されてい
る。
In the figure, when the electron beam BE is irradiated from the electron beam generation source toward the wafer mark WM, secondary electrons and reflected electrons 2E are generated from the wafer WF. Then, the wafer mark WM is detected by receiving this with a sensor integrally formed on the substrate MB side, for example, a P / N junction PN. However, here, in order to detect electrons efficiently, an annular electrode
D1 and D2 are attached to the board MB side. Also, with electrode D1
A voltage Vex is connected between the EB generation source BG, a voltage Vd is connected to the electrode D2, and a voltage Vc is connected between the EB generation source BG and the wafer WF as illustrated.

したがって、例えばVex=10〜100V、Vc=1〜10KV及びV
d=100Vをそれぞれ印加すれば、二次電子や反射電子2E
はP/Nジャンクション部PNに効率良く集合させて検出す
ることができる。
Therefore, for example, Vex = 10 to 100V, Vc = 1 to 10KV and V
By applying d = 100V respectively, secondary electrons and backscattered electrons 2E
Can be efficiently aggregated in the P / N junction section PN and detected.

[発明の適用範囲] なお、本発明は、以上の実施例で説明した電子線による
半導体回路パターンの露光(描画)のみならず、電子ビ
ーム感応媒体を用いた記録媒体に対してのデータ書込み
や、荷電粒子センサとの組合せによりそのようなデータ
の読取りにも適用することが可能である。
[Applicable Range of the Invention] The present invention is applicable not only to the exposure (drawing) of the semiconductor circuit pattern by the electron beam described in the above embodiments, but also to the writing of data to a recording medium using an electron beam sensitive medium. It is also possible to apply to the reading of such data by combining with a charged particle sensor.

具体的には例えば、光ディスクや光カード等の光磁気記
録媒体あるいはマイクロフィルムの記録とトラッキング
等において、書込み用と読出し用の用途に使い分けて用
いることができる。
Specifically, for example, in the recording and tracking of a magneto-optical recording medium such as an optical disk or an optical card, or microfilm, it can be selectively used for writing and reading.

また半導体機能検査用としての電子ビームプローブテス
タとしてもチップサイズや測定点に応じて電子ビーム発
生源を選択するようにして用いることができる。このと
きは、測定用の電子ビーム発生源の他は出力を禁止して
おけばよい。
Further, the electron beam probe tester for semiconductor function inspection can also be used by selecting the electron beam generation source according to the chip size and the measurement point. At this time, output may be prohibited except for the electron beam generator for measurement.

また、複数の用途に用いる場合、各用途で、さらには各
電子ビーム源で、各々出力エネルギーを異るようにする
ことも容易であり、先の実施例に採用して好適である。
Further, when used for a plurality of purposes, it is easy to make the output energy different for each application and also for each electron beam source, which is suitable for use in the previous embodiment.

[発明の効果] 以上説明したように本発明によれば、複数の電子ビーム
発生源ならびに電子レンズ、偏向電極およびブランキン
グ電極のうち1つ以上が1つの基板に設けられているた
め装置を極めて単純で小型かつ高精度に構成できる。
[Effects of the Invention] As described above, according to the present invention, one or more of a plurality of electron beam generation sources and an electron lens, a deflection electrode, and a blanking electrode are provided on one substrate. It is simple, compact, and highly accurate.

また、複数の電子ビーム発生源を用途に応じて使い分け
ることにより、アライメント用の光源なども必要なくさ
らに効率的な構成および動作を実現しており、用途ごと
の基板移動、交換等も不要かあるいは少ないためごみ発
生の問題もない。
In addition, by using multiple electron beam generators according to the application, a more efficient configuration and operation is realized without the need for a light source for alignment, and it is not necessary to move or replace the substrate for each application. Since it is small, there is no problem of garbage generation.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は、本発明の一実施例に係る電子ビーム装置を半
導体ウエハの露光に適用した場合を示す概略図、そして 第2図は、本発明の他の実施例に係る電子ビーム装置を
示す概略図である。 WF:ウエハ、MB:基板、 EB,EB1〜EB7:電子ビーム、 BG1〜BG7:電子ビーム発生源、 BS:選択駆動回路、CC:制御部、 AD:吸収電流検出回路、 WM,WM1〜WM7:アライメントマーク、 2E:反射電子、 PN:P/Nジャンクション、 D1,D2:円環状の電極。
FIG. 1 is a schematic view showing a case where an electron beam apparatus according to an embodiment of the present invention is applied to exposure of a semiconductor wafer, and FIG. 2 shows an electron beam apparatus according to another embodiment of the present invention. It is a schematic diagram. WF: Wafer, MB: Substrate, EB, EB1 to EB7: Electron beam, BG1 to BG7: Electron beam source, BS: Selective drive circuit, CC: Controller, AD: Absorption current detection circuit, WM, WM1 to WM7: Alignment mark, 2E: backscattered electron, PN: P / N junction, D1, D2: annular electrodes.

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】単一の基板上に複数の電子ビーム発生源が
設けられた電子ビーム照射手段と、該複数の電子ビーム
発生源を複数用途のために選択して駆動する選択的駆動
手段とを具備し、前記基板上には、電子レンズ、偏向電
極およびブランキング電極のうち1つ以上が形成されて
いることを特徴とする電子ビーム装置。
1. An electron beam irradiation means having a plurality of electron beam sources provided on a single substrate, and a selective driving means for selectively driving the plurality of electron beam sources for a plurality of purposes. An electron beam apparatus, comprising: one or more of an electron lens, a deflection electrode, and a blanking electrode formed on the substrate.
【請求項2】さらに、前記電子ビーム発生源による電子
ビーム照射により被照射物体に吸収される電流を検出す
る吸収電流検出回路を備える特許請求の範囲第1項記載
の電子ビーム装置。
2. The electron beam apparatus according to claim 1, further comprising an absorption current detection circuit for detecting a current absorbed by an object to be irradiated by electron beam irradiation by the electron beam generation source.
【請求項3】前記電子ビーム発生源からの電子ビームを
検出する手段を有し、該電子ビーム検出手段は前記複数
の電子ビーム発生源とともに前記基板に一体的に設けら
れたものである特許請求の範囲第1項記載の電子ビーム
装置。
3. A means for detecting an electron beam from said electron beam generating source, said electron beam detecting means being integrally provided on said substrate together with said plurality of electron beam generating sources. The electron beam device according to claim 1.
【請求項4】前記用途が物体上に電子ビームを照射して
情報を記録またはパターンを描画するものである特許請
求の範囲第2または3項記載の電子ビーム装置。
4. The electron beam apparatus according to claim 2 or 3, wherein the application is to irradiate an electron beam on an object to record information or draw a pattern.
【請求項5】前記用途が前記物体上の複数のマークに時
系列的に電子ビームを照射してマーク位置を検出するも
のである特許請求の範囲第4項記載の電子ビーム装置。
5. The electron beam apparatus according to claim 4, wherein the use is to irradiate a plurality of marks on the object with an electron beam in time series to detect the mark positions.
【請求項6】前記電子ビーム検出手段がP/Nジャンクシ
ョンを有する特許請求の範囲第3項記載の電子ビーム装
置。
6. An electron beam apparatus according to claim 3, wherein said electron beam detecting means has a P / N junction.
JP62103024A 1987-04-28 1987-04-28 Electronic beam device Expired - Fee Related JPH0752706B2 (en)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62103024A JPH0752706B2 (en) 1987-04-28 1987-04-28 Electronic beam device
EP88303781A EP0289278B1 (en) 1987-04-28 1988-04-27 A multi-electron-beam pattern drawing apparatus
DE3851083T DE3851083T2 (en) 1987-04-28 1988-04-27 Multi-electron beam pattern recorder.
US07/469,730 US4974736A (en) 1987-04-28 1990-01-24 Multi-electron-beam pattern drawing apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62103024A JPH0752706B2 (en) 1987-04-28 1987-04-28 Electronic beam device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS63269522A JPS63269522A (en) 1988-11-07
JPH0752706B2 true JPH0752706B2 (en) 1995-06-05

Family

ID=14343076

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP62103024A Expired - Fee Related JPH0752706B2 (en) 1987-04-28 1987-04-28 Electronic beam device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0752706B2 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9131120B2 (en) 1996-05-22 2015-09-08 Magna Electronics Inc. Multi-camera vision system for a vehicle

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5843610B2 (en) * 2011-12-28 2016-01-13 キヤノン株式会社 Drawing apparatus and article manufacturing method

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5563823A (en) * 1978-11-06 1980-05-14 Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai Formation of position detecting mark used in exposure to electron beam
JPS5776837A (en) * 1980-10-30 1982-05-14 Rikagaku Kenkyusho Apparatus for multipile electron beam exposure

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9131120B2 (en) 1996-05-22 2015-09-08 Magna Electronics Inc. Multi-camera vision system for a vehicle

Also Published As

Publication number Publication date
JPS63269522A (en) 1988-11-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0225969B1 (en) Apparatus and method for controlling irradiation of electron beam at fixed position in electron beam tester system
JPS63269445A (en) Electron beam head
US3922546A (en) Electron beam pattern generator
EP0216077B1 (en) Full chip integrated circuit tester
JP2000314710A5 (en)
JPS63114455A (en) Electrostatic image sensor
JPS62183118A (en) Alignment device and method
JPH0366657B2 (en)
US4845425A (en) Full chip integrated circuit tester
JPH0135304B2 (en)
US4385238A (en) Reregistration system for a charged particle beam exposure system
JP3272820B2 (en) Electron beam exposure apparatus and method
JPH0248139B2 (en)
JPH0752706B2 (en) Electronic beam device
JPS61225831A (en) Non-contact total line dynamic tester
US4152599A (en) Method for positioning a workpiece relative to a scanning field or a mask in a charged-particle beam apparatus
JP3162698B2 (en) Electron beam test equipment
JP3153262B2 (en) Scanning electron microscope
JP2779409B2 (en) Electron beam irradiation position detecting device and information recording / reproducing device using the same
JP2552838B2 (en) Multi electron beam imaging device
JPH0752709B2 (en) Charge beam device
JPS54130891A (en) Tomograph using analogue picture memory
JPH0574181B2 (en)
JPS58168906A (en) Device for measuring surface height of object
JPH024442Y2 (en)

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees