JPH0745906A - 光半導体素子及びその製造方法 - Google Patents
光半導体素子及びその製造方法Info
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- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高い光出力の半導体レーザを１回の結晶成長
で製造することを可能とする構造及びその製造方法を提
供する。 【構成】 表面が（１００）面の半導体の基板１０上
に、［０１１］方向に対し５度以上の角度をなす方向
に、互いに平行な２本のストライプ状のマスク１１を、
間隔を空けて形成する。この間隔部に、ＭＯＶＰＥの結
晶成長により、活性層１３を含む半導体のメサストライ
プ１４を形成し、引き続き一連の結晶成長により、メサ
ストライプを覆って、平坦な上面部を有するクラッド層
１５及びキャップ層１６を形成する。これにより活性層
を含むメサストライプが、左右から絶縁膜１７に挟ま
れ、かつ、メサストライプ及びメサストライプ脇の絶縁
膜が、上下から半導体層及び基板１０で挟まれ、活性層
が半導体層で埋め込めれる構造が得られる。
で製造することを可能とする構造及びその製造方法を提
供する。 【構成】 表面が（１００）面の半導体の基板１０上
に、［０１１］方向に対し５度以上の角度をなす方向
に、互いに平行な２本のストライプ状のマスク１１を、
間隔を空けて形成する。この間隔部に、ＭＯＶＰＥの結
晶成長により、活性層１３を含む半導体のメサストライ
プ１４を形成し、引き続き一連の結晶成長により、メサ
ストライプを覆って、平坦な上面部を有するクラッド層
１５及びキャップ層１６を形成する。これにより活性層
を含むメサストライプが、左右から絶縁膜１７に挟ま
れ、かつ、メサストライプ及びメサストライプ脇の絶縁
膜が、上下から半導体層及び基板１０で挟まれ、活性層
が半導体層で埋め込めれる構造が得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、結晶成長法を用いた光
半導体素子の製造方法に関し、特に、基板表面の一部で
結晶成長を行わせる選択成長法を用いて製造した光半導
体素子及びその製造方法に関する。
半導体素子の製造方法に関し、特に、基板表面の一部で
結晶成長を行わせる選択成長法を用いて製造した光半導
体素子及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】選択成長法は、基板上にマスクパターン
を形成し、マスクで被覆されていない基板表面上にのみ
半導体層を結晶成長する方法である。この方法により、
例えば、２μｍ程度の間隔部をおいて、２本のストライ
プ状のマスクを形成し、その間隔部に、光半導体素子の
活性層、受動導波路層、あるいは光吸収層を含む半導体
のメサストライプを形成することができる。このメサス
トライプを形成するにあたって、選択成長法は、半導体
のエッチングプロセスを利用するのと比べて、再現性に
大変優れている。また、選択成長法によれば、ストライ
プ状のマスクの幅を変えることにより、形成されるメサ
ストライプに含まれる半導体層の組成を変えることがで
きる。この特徴を利用して、バンドギャップエネルギー
の異なる半導体層を含むメサストライプを一括して形成
することができる（バンドギャップエネルギー制御技
術）。このような選択成長法を用いて作成した光半導体
素子の例としては、下記文献に以下のような報告があ
る。 （１）佐々木、他 １９９１年電子通信学会春季全国大
会講演論文集４−１６４ （２）特開平５−３７０９２号公報「光半導体素子の製
造方法」 北村 （３）加藤、他 １９９１年電子情報通信学会秋季全国
大会講演論文集４−Ｃ１３３ 文献（１）で佐々木らは、３電極構造の波長可変ＤＢＲ
−ＬＤを報告している。バンドギャップエネルギー制御
技術により、活性層と受動導波路層を一括で結晶成長
し、さらにその全体をクラッド層で覆う構造となってい
る。佐々木らは、このＤＢＲ−ＬＤにおいて、λ＝１．
５５μｍ付近の単一波長発振、波長可変幅２．２ｎｍ、
光出力１５ｍＷのレーザの特性を得ている。
を形成し、マスクで被覆されていない基板表面上にのみ
半導体層を結晶成長する方法である。この方法により、
例えば、２μｍ程度の間隔部をおいて、２本のストライ
プ状のマスクを形成し、その間隔部に、光半導体素子の
活性層、受動導波路層、あるいは光吸収層を含む半導体
のメサストライプを形成することができる。このメサス
トライプを形成するにあたって、選択成長法は、半導体
のエッチングプロセスを利用するのと比べて、再現性に
大変優れている。また、選択成長法によれば、ストライ
プ状のマスクの幅を変えることにより、形成されるメサ
ストライプに含まれる半導体層の組成を変えることがで
きる。この特徴を利用して、バンドギャップエネルギー
の異なる半導体層を含むメサストライプを一括して形成
することができる（バンドギャップエネルギー制御技
術）。このような選択成長法を用いて作成した光半導体
素子の例としては、下記文献に以下のような報告があ
る。 （１）佐々木、他 １９９１年電子通信学会春季全国大
会講演論文集４−１６４ （２）特開平５−３７０９２号公報「光半導体素子の製
造方法」 北村 （３）加藤、他 １９９１年電子情報通信学会秋季全国
大会講演論文集４−Ｃ１３３ 文献（１）で佐々木らは、３電極構造の波長可変ＤＢＲ
−ＬＤを報告している。バンドギャップエネルギー制御
技術により、活性層と受動導波路層を一括で結晶成長
し、さらにその全体をクラッド層で覆う構造となってい
る。佐々木らは、このＤＢＲ−ＬＤにおいて、λ＝１．
５５μｍ付近の単一波長発振、波長可変幅２．２ｎｍ、
光出力１５ｍＷのレーザの特性を得ている。
【０００３】文献（２）で北村は、半導体光増幅器（Ｌ
Ｄアンプ）を報告している。選択成長法により、従来の
半導体のエッチングプロセスでは形成することが困難で
あった、狭い（４０００オングストローム）幅の活性層
を再現よく形成し、利得（入射信号光の増幅度）２０ｄ
Ｂ、偏光依存度（利得の入射光の偏光による差異）１．
５ｄＢの特性を得ている。
Ｄアンプ）を報告している。選択成長法により、従来の
半導体のエッチングプロセスでは形成することが困難で
あった、狭い（４０００オングストローム）幅の活性層
を再現よく形成し、利得（入射信号光の増幅度）２０ｄ
Ｂ、偏光依存度（利得の入射光の偏光による差異）１．
５ｄＢの特性を得ている。
【０００４】文献（３）で加藤らは、光変調器集積型Ｄ
ＦＢ−ＬＤを報告している。この素子においても、バン
ドギャップエネルギー制御技術により、活性層及び光吸
収層を一括で結晶成長し、さらに、それ全体をクラッド
層で覆う構造となっている。この光変調器集積型ＤＦＢ
−ＬＤにおいては、λ＝１．５５μｍの単一波長で発振
し、光出力１．８ｍＷで、消光比２２ｄＢ（２Ｖ印加
時）の変調特性を得ている。文献（１），（２）及び
（３）の例とも、活性層、受動導波路層、あるいは光吸
収層を、上下、左右とも半導体で埋め込まれた、埋め込
み型である。
ＦＢ−ＬＤを報告している。この素子においても、バン
ドギャップエネルギー制御技術により、活性層及び光吸
収層を一括で結晶成長し、さらに、それ全体をクラッド
層で覆う構造となっている。この光変調器集積型ＤＦＢ
−ＬＤにおいては、λ＝１．５５μｍの単一波長で発振
し、光出力１．８ｍＷで、消光比２２ｄＢ（２Ｖ印加
時）の変調特性を得ている。文献（１），（２）及び
（３）の例とも、活性層、受動導波路層、あるいは光吸
収層を、上下、左右とも半導体で埋め込まれた、埋め込
み型である。
【０００５】文献（１），（２）及び（３）の報告で用
いられた選択成長法により、半導体レーザ、ＬＤアンプ
あるいは光変調器を製造する一例の概要を図７（ａ）−
（ｄ）を用いて示す。図７（ａ）−（ｄ）は、素子長手
方向（［０１１］方向）を横断する断面図である。以下
の手順で半導体レーザを製造する。 （１００）表面の露出したｎ型のＩｎＰ基板７０上
で、［０１１］方向に、間隔２μｍをおいて、厚さ１０
００オングストローム、幅１０μｍのＳｉＯ2 膜からな
る２本のストライプ状のマスク７１を形成する。 選択成長法により、上記２μｍの間隔に、バッファ層
７９、活性層７２（λ＝１．５５μｍ組成のＩｎＧａＡ
ｓＰ結晶、厚さ２０００オングストローム）、クラッド
層７８を含む半導体のメサストライプ７３を形成する
（図７（ａ））。 メサストライプ７３脇のマスク７１を部分的に除去す
る（図７（ｂ））。 選択成長法により、メサストライプ７３を覆って、ク
ラッド層７４（ｐ型ＩｎＰ結晶、厚さ１．５μｍ）及び
キャップ層７５（ｐ+ ＩｎＧａＡｓ結晶、厚さ２０００
オングストローム）を形成する（図７（ｃ））。 全体を厚さ１０００オングストロームのＳｉＯ2 から
なる絶縁膜７６で覆い、キャップ層７５上のみ、絶縁膜
７６を除去し、電極７７（Ａｕ（厚さ４０００オングス
トローム）／Ｔｉ（厚さ５００オングストローム））で
覆う（図７（ｄ））。
いられた選択成長法により、半導体レーザ、ＬＤアンプ
あるいは光変調器を製造する一例の概要を図７（ａ）−
（ｄ）を用いて示す。図７（ａ）−（ｄ）は、素子長手
方向（［０１１］方向）を横断する断面図である。以下
の手順で半導体レーザを製造する。 （１００）表面の露出したｎ型のＩｎＰ基板７０上
で、［０１１］方向に、間隔２μｍをおいて、厚さ１０
００オングストローム、幅１０μｍのＳｉＯ2 膜からな
る２本のストライプ状のマスク７１を形成する。 選択成長法により、上記２μｍの間隔に、バッファ層
７９、活性層７２（λ＝１．５５μｍ組成のＩｎＧａＡ
ｓＰ結晶、厚さ２０００オングストローム）、クラッド
層７８を含む半導体のメサストライプ７３を形成する
（図７（ａ））。 メサストライプ７３脇のマスク７１を部分的に除去す
る（図７（ｂ））。 選択成長法により、メサストライプ７３を覆って、ク
ラッド層７４（ｐ型ＩｎＰ結晶、厚さ１．５μｍ）及び
キャップ層７５（ｐ+ ＩｎＧａＡｓ結晶、厚さ２０００
オングストローム）を形成する（図７（ｃ））。 全体を厚さ１０００オングストロームのＳｉＯ2 から
なる絶縁膜７６で覆い、キャップ層７５上のみ、絶縁膜
７６を除去し、電極７７（Ａｕ（厚さ４０００オングス
トローム）／Ｔｉ（厚さ５００オングストローム））で
覆う（図７（ｄ））。
【０００６】図７（ｄ）に示される半導体レーザにおい
て、電流の経路は、キャップ層７５→クラッド層７４→
クラッド層７８→活性層７２→バッファ層７９→基板７
０となる。基板７０として、ｐ型の基板を用いた場合
は、クラッド層７４，７８及びキャップ層７５のドーピ
ングの型がｎ型、バッファ層７９のドーピングがｐ型と
なり、電流は逆に基板７０からキャップ層７５に流れ
る。いずれの場合も、必ず、図７（ｄ）中の太線で示す
ところの、クラッド層７４と基板７０の間の界面８０
が、ｐｎホモ接合部となる。
て、電流の経路は、キャップ層７５→クラッド層７４→
クラッド層７８→活性層７２→バッファ層７９→基板７
０となる。基板７０として、ｐ型の基板を用いた場合
は、クラッド層７４，７８及びキャップ層７５のドーピ
ングの型がｎ型、バッファ層７９のドーピングがｐ型と
なり、電流は逆に基板７０からキャップ層７５に流れ
る。いずれの場合も、必ず、図７（ｄ）中の太線で示す
ところの、クラッド層７４と基板７０の間の界面８０
が、ｐｎホモ接合部となる。
【０００７】この構造で、光変調器を製造する場合は、
活性層７２を光吸収層で置き換えればよい。これによ
り、Ｆｒａｎｚ−Ｋｅｌｄｙｓｈ効果を利用した光電界
吸収型の光変調器（以下ＥＡ−変調器と略す）となる。
活性層７２を光吸収層で置き換えればよい。これによ
り、Ｆｒａｎｚ−Ｋｅｌｄｙｓｈ効果を利用した光電界
吸収型の光変調器（以下ＥＡ−変調器と略す）となる。
【０００８】文献（１）に示した素子では、バンドギャ
ップエネルギー制御技術を利用して、図７（ｄ）の活性
層７２に直列に、受動導波路層が形成されている。ま
た、文献（３）に示した素子では、バンドギャップエネ
ルギー制御技術を利用して、図７（ｄ）の活性層７２に
直列に、光吸収層が形成されている。なお、文献
（１），（２）及び（３）とも、ストライプ状のマスク
は、［０１１］方向に形成されている。
ップエネルギー制御技術を利用して、図７（ｄ）の活性
層７２に直列に、受動導波路層が形成されている。ま
た、文献（３）に示した素子では、バンドギャップエネ
ルギー制御技術を利用して、図７（ｄ）の活性層７２に
直列に、光吸収層が形成されている。なお、文献
（１），（２）及び（３）とも、ストライプ状のマスク
は、［０１１］方向に形成されている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】従来、選択成長を用い
て光半導体素子を製造する場合、図７を用いて、説明し
たように、２回の結晶成長を行う必要がある。また、こ
れにともない、図７（ｂ）に示すマスクパターニングが
必要になる。このように、従来の製造方法は、結晶成長
を２回行わなければならず、またマスクパターニングを
必要とするので、作業時間が長くなるという欠点があ
る。
て光半導体素子を製造する場合、図７を用いて、説明し
たように、２回の結晶成長を行う必要がある。また、こ
れにともない、図７（ｂ）に示すマスクパターニングが
必要になる。このように、従来の製造方法は、結晶成長
を２回行わなければならず、またマスクパターニングを
必要とするので、作業時間が長くなるという欠点があ
る。
【００１０】さらに、従来の選択成長法を用いて、光半
導体素子を製造した場合、以下のような問題を生じてい
た。
導体素子を製造した場合、以下のような問題を生じてい
た。
【００１１】従来の選択成長法を用いて、半導体レーザ
あるいは半導体光増幅器（ＬＤアンプ）を製造すると、
図７（ｄ）の埋め込み型の構造となる。図７（ｄ）の構
造の問題は、注入電流の一部が活性層７２を通らず、ｐ
ｎホモ接合部となる界面８０をのり越えて流れてしま
う。このため、従来、選択成長法を用いて製造した半導
体レーザは、５０ｍＷ以上の光出力を得ることができな
かった。
あるいは半導体光増幅器（ＬＤアンプ）を製造すると、
図７（ｄ）の埋め込み型の構造となる。図７（ｄ）の構
造の問題は、注入電流の一部が活性層７２を通らず、ｐ
ｎホモ接合部となる界面８０をのり越えて流れてしま
う。このため、従来、選択成長法を用いて製造した半導
体レーザは、５０ｍＷ以上の光出力を得ることができな
かった。
【００１２】また、選択成長法を用いて製造したＬＤア
ンプでは、２５ｄＢ以上の光出力を得ることが困難であ
った。
ンプでは、２５ｄＢ以上の光出力を得ることが困難であ
った。
【００１３】また、図７（ｄ）の構造の変調器（ＥＡ−
変調器）の場合、逆電圧をかけ、光吸収層７２に電界を
かけることにより、入射光を消光し、変調を起こす。こ
のとき、ｐｎホモ接合部となるところのクラッド層７４
と基板７０が、通常の不純物ドーピング濃度（５×１０
17ｃｍ-3程度）である場合、電極の持つ電気容量なども
含めた全電気容量が３ｐＦ以上となった。広い（２．４
ＧＨｚ程度以上）変調帯域を得るには、全電気容量を２
ｐＦ以下とする必要がある。
変調器）の場合、逆電圧をかけ、光吸収層７２に電界を
かけることにより、入射光を消光し、変調を起こす。こ
のとき、ｐｎホモ接合部となるところのクラッド層７４
と基板７０が、通常の不純物ドーピング濃度（５×１０
17ｃｍ-3程度）である場合、電極の持つ電気容量なども
含めた全電気容量が３ｐＦ以上となった。広い（２．４
ＧＨｚ程度以上）変調帯域を得るには、全電気容量を２
ｐＦ以下とする必要がある。
【００１４】本発明の目的は、１回の成長で、活性層及
びそれを覆う埋め込み層を形成することにより、結晶成
長に係わる作業を従来と比べて半分とし、かつ、マスク
パターニングを不要とする光半導体素子の製造方法を提
供することにある。
びそれを覆う埋め込み層を形成することにより、結晶成
長に係わる作業を従来と比べて半分とし、かつ、マスク
パターニングを不要とする光半導体素子の製造方法を提
供することにある。
【００１５】本発明の他の目的は、注入した電流すべて
を活性層に通すことにより、高光出力あるいは高利得を
得ることのできる光半導体素子を提供することにある。
を活性層に通すことにより、高光出力あるいは高利得を
得ることのできる光半導体素子を提供することにある。
【００１６】本発明のさらに他の目的は、全電気容量を
２ｐＦ以下とし、変調帯域２．４ＧＨｚ以上を得ること
のできる光半導体素子を提供することにある。
２ｐＦ以下とし、変調帯域２．４ＧＨｚ以上を得ること
のできる光半導体素子を提供することにある。
【００１７】本発明のさらに他の目的は、上記の光半導
体素子の構造を、再現性に優れる選択成長法を用いて製
造する方法を提供することにある。
体素子の構造を、再現性に優れる選択成長法を用いて製
造する方法を提供することにある。
【００１８】
【課題を解決するための手段】表面が（１００）面の半
導体基板上に、［０１１］方向に対し５度以上の角度を
なす方向に、互いに平行な、２本のストライプ状のマス
クを形成したのち、半導体基板の表面が露出するところ
の、２本のマスクに挟まれた間隔部において、結晶成長
により、活性層を含む第１半導体層のメサストライプを
形成する工程と、引続き一連の結晶成長により、メサス
トライプを第２半導体層で埋め込む工程とを、少なくと
も含む光半導体素子の製造方法によって、半導体基板上
の活性層を含む第１半導体層のメサストライプが、両側
から絶縁膜に挟まれ、かつ、メサストライプ及びメサス
トライプ脇の絶縁膜の上部に、メサストライプを埋め込
む第２半導体層が形成される構造を、少なくとも有する
光半導体素子を作成する。
導体基板上に、［０１１］方向に対し５度以上の角度を
なす方向に、互いに平行な、２本のストライプ状のマス
クを形成したのち、半導体基板の表面が露出するところ
の、２本のマスクに挟まれた間隔部において、結晶成長
により、活性層を含む第１半導体層のメサストライプを
形成する工程と、引続き一連の結晶成長により、メサス
トライプを第２半導体層で埋め込む工程とを、少なくと
も含む光半導体素子の製造方法によって、半導体基板上
の活性層を含む第１半導体層のメサストライプが、両側
から絶縁膜に挟まれ、かつ、メサストライプ及びメサス
トライプ脇の絶縁膜の上部に、メサストライプを埋め込
む第２半導体層が形成される構造を、少なくとも有する
光半導体素子を作成する。
【００１９】
【作用】半導体レーザあるいは光増幅素子（ＬＤアン
プ）において、注入した電流がすべて活性層を通るよう
にするには、図８（ａ）のように、活性層８１を絶縁膜
からなるマスク８２で挟む構造にすればよい。なお図８
（ａ）において、８６は基板、８７はバッファ層、８４
はクラッド層、８５はキャップ層を示している。
プ）において、注入した電流がすべて活性層を通るよう
にするには、図８（ａ）のように、活性層８１を絶縁膜
からなるマスク８２で挟む構造にすればよい。なお図８
（ａ）において、８６は基板、８７はバッファ層、８４
はクラッド層、８５はキャップ層を示している。
【００２０】また、光変調器（ＥＡ−変調器）におい
て、逆電圧をかけたとき、クラッド層と基板の間に電荷
が溜らないようにするには、その間に、誘電率の低い絶
縁膜よりなるマスク８２が挿入された図８（ａ）のよう
な構造であればよい。例えば、比誘電率２．２程度のＳ
ｉＯ2 が厚さ２０００オングストローム以上挿入された
ならば、全電気容量が２ｐＦ以下にでき、変調帯域２．
４ＧＨｚ以上を得ることができる。
て、逆電圧をかけたとき、クラッド層と基板の間に電荷
が溜らないようにするには、その間に、誘電率の低い絶
縁膜よりなるマスク８２が挿入された図８（ａ）のよう
な構造であればよい。例えば、比誘電率２．２程度のＳ
ｉＯ2 が厚さ２０００オングストローム以上挿入された
ならば、全電気容量が２ｐＦ以下にでき、変調帯域２．
４ＧＨｚ以上を得ることができる。
【００２１】選択成長を用いた製造方法で、図８（ａ）
の構造を形成するには、結晶成長により、活性層を含む
メサストライプ８３を形成した後、引続き一連の結晶成
長によりクラッド層８４及びキャップ層８５を形成する
ことが考えられる。しかしながら、従来、実際にこの工
程で、クラッド層８４及びキャップ層８５を形成する
と、図８（ｂ）に示すように、中央部で突起した形状と
なった。これは、ストライプ状のマスク８２を［０１
１］方向に形成していたためである。［０１１］方向に
形成した場合、図９（ａ）−（ｄ）に示すように、マス
ク９１の間に結晶成長により形成される半導体層９２
は、（１１１）Ｂ面の側面を有する台形（図９（ａ））
から三角形（図９（ｂ））に成長し、その後、三角形が
相似的に大きくなるように（図９（ｃ），（ｄ））成長
する。キャップ層８５（図８（ｂ））の上に電極構造を
形成するには、プロセス技術上、キャップ層８５の水平
面がなければ困難である。
の構造を形成するには、結晶成長により、活性層を含む
メサストライプ８３を形成した後、引続き一連の結晶成
長によりクラッド層８４及びキャップ層８５を形成する
ことが考えられる。しかしながら、従来、実際にこの工
程で、クラッド層８４及びキャップ層８５を形成する
と、図８（ｂ）に示すように、中央部で突起した形状と
なった。これは、ストライプ状のマスク８２を［０１
１］方向に形成していたためである。［０１１］方向に
形成した場合、図９（ａ）−（ｄ）に示すように、マス
ク９１の間に結晶成長により形成される半導体層９２
は、（１１１）Ｂ面の側面を有する台形（図９（ａ））
から三角形（図９（ｂ））に成長し、その後、三角形が
相似的に大きくなるように（図９（ｃ），（ｄ））成長
する。キャップ層８５（図８（ｂ））の上に電極構造を
形成するには、プロセス技術上、キャップ層８５の水平
面がなければ困難である。
【００２２】本発明では、ストライプ状のマスクの方向
を、［０１１］方向に対し５度以上の角度に形成した。
この場合、マスク９１の間においては、図１０（ａ）−
（ｃ）に示すように、台形状の半導体層９２（図１０
（ａ））が形成された後、台形のいずれの側面の法線方
向にも、半導体層が成長し、台形が相似的に大きくなる
ように（図１０（ｂ），（ｃ））、半導体層９２が形成
されていく。従って、この場合、一連の結晶成長で、ク
ラッド層８４およびキャップ層８５を形成すると、図８
（ａ）に示すように、水平面を有するキャップ層８５が
形成される。この方法により、キャップ層８５の上に電
極を形成することが可能となり、光半導体素子を製造す
ることができる。
を、［０１１］方向に対し５度以上の角度に形成した。
この場合、マスク９１の間においては、図１０（ａ）−
（ｃ）に示すように、台形状の半導体層９２（図１０
（ａ））が形成された後、台形のいずれの側面の法線方
向にも、半導体層が成長し、台形が相似的に大きくなる
ように（図１０（ｂ），（ｃ））、半導体層９２が形成
されていく。従って、この場合、一連の結晶成長で、ク
ラッド層８４およびキャップ層８５を形成すると、図８
（ａ）に示すように、水平面を有するキャップ層８５が
形成される。この方法により、キャップ層８５の上に電
極を形成することが可能となり、光半導体素子を製造す
ることができる。
【００２３】
【実施例】第１の実施例 本発明を利用した第１の実施例である半導体レーザの斜
視図を図１に示す。図１に示す半導体レーザを、本発明
を利用して、以下の順序で製造した。説明に用いる図４
（ａ）は基板の上からみた図であり、図４（ｂ）−
（ｄ）は、図４（ａ）にＡ−Ａ線に示すように、素子長
手方向（［０１１］方向）を横断する断面図である。 表面（１００）面のｎ型ＩｎＰ基板１０上に、［０１
１］方向に対して５度の角度をなす方向に、厚さ１００
０オングストローム、幅１０μｍのＳｉＯ2 膜からなる
互いに平行な２本のストライプ状のマスク１１を、２μ
ｍの間隔を空けて形成した（図４（ａ））。 上記の間隔部に、ＭＯＶＰＥの結晶成長により、バッ
ファ層１２（ｎ型ＩｎＰ結晶）、活性層１３（発振波長
λ＝１．４８μｍとなるＭＱＷ層、厚さ４０オングスト
ロームのＩｎＧａＡｓ層を６層及び厚さ１３０オングス
トロームのＩｎＧａＡｓＰ層を５層含む）を含むメサス
トライプ１４を形成した（図４（ｂ））。 引続き一連の結晶成長により、メサストライプ１４を
覆って、クラッド層１５（ｐ型ＩｎＰ結晶、高さ２．５
μｍ）及びキャップ層１６（ｐ+ 型ＩｎＧａＡｓ結晶、
厚さ０．３μｍ）を形成した（図４（ｃ））。 全面をＳｉＯ2 の絶縁膜１７（厚さ２０００オングス
トローム）で覆い、キャップ層１６の水平面上のみ、絶
縁膜１７を除去し、電極１８（Ａｕ（厚さ４０００オン
グストローム）／Ｔｉ（厚さ５００オングストロー
ム））を基板上全面に付着した（図４（ｄ））。 アロイ処理、裏面研磨、及び裏面電極の付着後、へき
開により素子長１ｍｍに切り出し、片端面を反射率９５
％被覆、反対側片端面を無反射被覆して、図１に示す半
導体レーザを製造した。
視図を図１に示す。図１に示す半導体レーザを、本発明
を利用して、以下の順序で製造した。説明に用いる図４
（ａ）は基板の上からみた図であり、図４（ｂ）−
（ｄ）は、図４（ａ）にＡ−Ａ線に示すように、素子長
手方向（［０１１］方向）を横断する断面図である。 表面（１００）面のｎ型ＩｎＰ基板１０上に、［０１
１］方向に対して５度の角度をなす方向に、厚さ１００
０オングストローム、幅１０μｍのＳｉＯ2 膜からなる
互いに平行な２本のストライプ状のマスク１１を、２μ
ｍの間隔を空けて形成した（図４（ａ））。 上記の間隔部に、ＭＯＶＰＥの結晶成長により、バッ
ファ層１２（ｎ型ＩｎＰ結晶）、活性層１３（発振波長
λ＝１．４８μｍとなるＭＱＷ層、厚さ４０オングスト
ロームのＩｎＧａＡｓ層を６層及び厚さ１３０オングス
トロームのＩｎＧａＡｓＰ層を５層含む）を含むメサス
トライプ１４を形成した（図４（ｂ））。 引続き一連の結晶成長により、メサストライプ１４を
覆って、クラッド層１５（ｐ型ＩｎＰ結晶、高さ２．５
μｍ）及びキャップ層１６（ｐ+ 型ＩｎＧａＡｓ結晶、
厚さ０．３μｍ）を形成した（図４（ｃ））。 全面をＳｉＯ2 の絶縁膜１７（厚さ２０００オングス
トローム）で覆い、キャップ層１６の水平面上のみ、絶
縁膜１７を除去し、電極１８（Ａｕ（厚さ４０００オン
グストローム）／Ｔｉ（厚さ５００オングストロー
ム））を基板上全面に付着した（図４（ｄ））。 アロイ処理、裏面研磨、及び裏面電極の付着後、へき
開により素子長１ｍｍに切り出し、片端面を反射率９５
％被覆、反対側片端面を無反射被覆して、図１に示す半
導体レーザを製造した。
【００２４】以上の手順で製造した図１に示す半導体レ
ーザに、５００ｍＡの電流を注入したところ、無反射被
覆側から、従来素子よりも高い光出力を得ることができ
た。
ーザに、５００ｍＡの電流を注入したところ、無反射被
覆側から、従来素子よりも高い光出力を得ることができ
た。
【００２５】選択成長法は、半導体レーザを製造するに
あたって、再現性に優れる技術であったが、従来、選択
成長法を用いて、光出力５０ｍＷ以上の半導体レーザを
製造するのは困難であった。
あたって、再現性に優れる技術であったが、従来、選択
成長法を用いて、光出力５０ｍＷ以上の半導体レーザを
製造するのは困難であった。
【００２６】本発明によれば、上記に示した通り、選択
成長法を用いて、これより高い光出力の半導体レーザを
製造することができた。
成長法を用いて、これより高い光出力の半導体レーザを
製造することができた。
【００２７】また、本発明により、従来２回であった成
長回数が１回となり、結晶成長に係わる作業時間が半分
となった。
長回数が１回となり、結晶成長に係わる作業時間が半分
となった。
【００２８】第２の実施例 本発明を利用した第２の実施例の半導体光増幅器（ＬＤ
アンプ）の斜視図を図２に示す。図２に示すＬＤアンプ
を、本発明を利用して、以下の手順で製造した。説明に
用いる図５（ｄ）は基板の上から見た図であり、図５
（ｂ）は、図５（ａ）にＡ−Ａ線で示すように、素子長
手方向（［０１１］方向）を横断する断面図である。 表面が（１００）面のｎ型ＩｎＰ基板２０上に、［０
１１］方向に対して１０度の角度をなす方向に、厚さ７
００オングストローム、幅１０μｍのＳｉＯ2 膜からな
る、互いに平行な２本のストライプ状のマスク２１を、
０．７μｍの間隔を空けて形成した（図５（ａ））。 上記の間隔部に、ＭＯＶＰＥにより、バッファ層２２
（ｎ型ＩｎＰ結晶）、活性層２３（厚さ３０００オング
ストローム、λ＝１．３１μｍ組成のＩｎＧａＡｓＰ
層）からなるメサストライプ２４を形成した。活性層２
３の幅は、厚みの中央部で、５０００オングストローム
となった（図５（ｂ））。 第１の実施例と同様に、引続き一連のＭＯＶＰＥによ
り、メサストライプ２４を覆って、クラッド層２５（ｐ
型ＩｎＰ結晶）及びキャップ層２６（ｐ+ 型ＩｎＧａＡ
ｓ結晶）を形成した。クラッド層２５の高さは１．５μ
ｍ、キャップ層２６の厚さは０．３μｍとした（図
２）。 第１の実施例と同様に、全面をＳｉＯ2 の絶縁膜２７
（厚さ２０００オングストローム）で覆い、キャップ層
２６の水平面上のみ絶縁膜２７を除去し、電極２８（Ａ
ｕ（厚さ４０００オングストローム）／Ｔｉ（厚さ５０
０オングストローム））を基板上全面に付着した（図
２）。 アロイ処理、裏面研磨、及び裏面電極の付着後、へき
開により素子長５００μｍに切り出し、両端面を無反射
被覆して、図２に示すＬＤアンプを製造した。
アンプ）の斜視図を図２に示す。図２に示すＬＤアンプ
を、本発明を利用して、以下の手順で製造した。説明に
用いる図５（ｄ）は基板の上から見た図であり、図５
（ｂ）は、図５（ａ）にＡ−Ａ線で示すように、素子長
手方向（［０１１］方向）を横断する断面図である。 表面が（１００）面のｎ型ＩｎＰ基板２０上に、［０
１１］方向に対して１０度の角度をなす方向に、厚さ７
００オングストローム、幅１０μｍのＳｉＯ2 膜からな
る、互いに平行な２本のストライプ状のマスク２１を、
０．７μｍの間隔を空けて形成した（図５（ａ））。 上記の間隔部に、ＭＯＶＰＥにより、バッファ層２２
（ｎ型ＩｎＰ結晶）、活性層２３（厚さ３０００オング
ストローム、λ＝１．３１μｍ組成のＩｎＧａＡｓＰ
層）からなるメサストライプ２４を形成した。活性層２
３の幅は、厚みの中央部で、５０００オングストローム
となった（図５（ｂ））。 第１の実施例と同様に、引続き一連のＭＯＶＰＥによ
り、メサストライプ２４を覆って、クラッド層２５（ｐ
型ＩｎＰ結晶）及びキャップ層２６（ｐ+ 型ＩｎＧａＡ
ｓ結晶）を形成した。クラッド層２５の高さは１．５μ
ｍ、キャップ層２６の厚さは０．３μｍとした（図
２）。 第１の実施例と同様に、全面をＳｉＯ2 の絶縁膜２７
（厚さ２０００オングストローム）で覆い、キャップ層
２６の水平面上のみ絶縁膜２７を除去し、電極２８（Ａ
ｕ（厚さ４０００オングストローム）／Ｔｉ（厚さ５０
０オングストローム））を基板上全面に付着した（図
２）。 アロイ処理、裏面研磨、及び裏面電極の付着後、へき
開により素子長５００μｍに切り出し、両端面を無反射
被覆して、図２に示すＬＤアンプを製造した。
【００２９】以上の手順で製造した図２に示すＬＤアン
プに、２００ｍＡの電流を注入したところ、λ＝１．３
１μｍの入射光に対して、従来より高利得を得ることが
できた。
プに、２００ｍＡの電流を注入したところ、λ＝１．３
１μｍの入射光に対して、従来より高利得を得ることが
できた。
【００３０】また、入射光の偏向状態による利得の差異
はほとんどなかった。選択成長法は、ＬＤアンプを製造
するにあたって、再現性に優れる技術であったが、従
来、選択成長法を用いて、利得２５ｄＢ以上の高い利得
を有するＬＤアンプを製造するのは困難であった。
はほとんどなかった。選択成長法は、ＬＤアンプを製造
するにあたって、再現性に優れる技術であったが、従
来、選択成長法を用いて、利得２５ｄＢ以上の高い利得
を有するＬＤアンプを製造するのは困難であった。
【００３１】本発明によれば、選択成長法を用いて、高
い利得のＬＤアンプを製造することができた。
い利得のＬＤアンプを製造することができた。
【００３２】また、本発明により、従来、２回であった
成長回数が１回となり、結晶成長に係わる作業時間が半
分となった。
成長回数が１回となり、結晶成長に係わる作業時間が半
分となった。
【００３３】第３の実施例 本発明の第３の実施例である光変調器（ＥＡ−変調器）
の斜視図を図３に示す。図３に示すＥＡ−変調器を、本
発明を利用して、以下の手順で製造した。説明に用いる
図６（ａ）−（ｃ）は、素子長手方向を横断する断面図
である。 表面が（１００）面のｎ型ＩｎＰ基板３０上に、２μ
ｍ程度の間隔を有する、厚さ３０００オングストロー
ム、幅１５μｍのＳｉＯ2 からなる、２本のストライプ
状のマスク３１を、［０１１］方向に対して１０度の角
度をなす方向に形成した。 上記の間隔部を、ＭＯＶＰＥにより、バッファ層３２
（ｎ型ＩｎＰ結晶）で埋め込み、その上に、光吸収層３
３（λ＝１．４５μｍ組成のＩｎＧａＡｓＰ、厚さ２５
００オングストローム）を形成し、さらに第１，第２の
実施例と同様に、引続き一連のＭＯＶＰＥにより、光吸
収層３３を覆って、クラッド層３４（ｐ型ＩｎＰ結晶）
及びキャップ層３５（ｐ+ 型ＩｎＧａＡｓ結晶）を形成
した。クラッド層３４の高さは１．５μｍ、キャップ層
３５の厚さは０．３μｍとした（図６（ａ））。 ストライプ状のマスクの外側の半導体層３９の表面層
を、すくなくとも１μｍ以上、エッチングにより除去し
た（図６（ｂ））。 全面をＳｉＯ2 のパッシベーション膜３６（厚さ２０
００オングストローム）で覆い、全面をポリイミド３７
で埋めた（図６（ｃ））。 キャップ層３５の水平面上のみ、ポリイミド３７及び
パッシベーション膜３６を除去し、電極３８（Ａｕ（厚
さ４０００オングストローム）／Ｔｉ（厚さ５００オン
グストローム））をつけた。その後、ポリイミド３７及
び電極３８を、図３に示す様にパターニングした。 アロイ処理、裏面研磨、及び裏面電極の付着後、これ
を、素子長３００μｍにへき開により切り出し、端面を
無反射被覆し、図３に示すＥＡ−変調器を製造した。
の斜視図を図３に示す。図３に示すＥＡ−変調器を、本
発明を利用して、以下の手順で製造した。説明に用いる
図６（ａ）−（ｃ）は、素子長手方向を横断する断面図
である。 表面が（１００）面のｎ型ＩｎＰ基板３０上に、２μ
ｍ程度の間隔を有する、厚さ３０００オングストロー
ム、幅１５μｍのＳｉＯ2 からなる、２本のストライプ
状のマスク３１を、［０１１］方向に対して１０度の角
度をなす方向に形成した。 上記の間隔部を、ＭＯＶＰＥにより、バッファ層３２
（ｎ型ＩｎＰ結晶）で埋め込み、その上に、光吸収層３
３（λ＝１．４５μｍ組成のＩｎＧａＡｓＰ、厚さ２５
００オングストローム）を形成し、さらに第１，第２の
実施例と同様に、引続き一連のＭＯＶＰＥにより、光吸
収層３３を覆って、クラッド層３４（ｐ型ＩｎＰ結晶）
及びキャップ層３５（ｐ+ 型ＩｎＧａＡｓ結晶）を形成
した。クラッド層３４の高さは１．５μｍ、キャップ層
３５の厚さは０．３μｍとした（図６（ａ））。 ストライプ状のマスクの外側の半導体層３９の表面層
を、すくなくとも１μｍ以上、エッチングにより除去し
た（図６（ｂ））。 全面をＳｉＯ2 のパッシベーション膜３６（厚さ２０
００オングストローム）で覆い、全面をポリイミド３７
で埋めた（図６（ｃ））。 キャップ層３５の水平面上のみ、ポリイミド３７及び
パッシベーション膜３６を除去し、電極３８（Ａｕ（厚
さ４０００オングストローム）／Ｔｉ（厚さ５００オン
グストローム））をつけた。その後、ポリイミド３７及
び電極３８を、図３に示す様にパターニングした。 アロイ処理、裏面研磨、及び裏面電極の付着後、これ
を、素子長３００μｍにへき開により切り出し、端面を
無反射被覆し、図３に示すＥＡ−変調器を製造した。
【００３４】以上の手順により、図３に示すＥＡ−変調
器を製造したところ、消光比２０ｄＢ、素子内部の光損
失３ｄＢ、素子内部の光損失３ｄＢ、変調帯域５ＧＨｚ
の特性を得ることができた。
器を製造したところ、消光比２０ｄＢ、素子内部の光損
失３ｄＢ、素子内部の光損失３ｄＢ、変調帯域５ＧＨｚ
の特性を得ることができた。
【００３５】選択成長は、ＥＡ−変調器を製造するにあ
たって、再現性に優れる技術であったが、従来、選択成
長法を用いて、変調帯域２．４ＧＨｚ以上のＥＡ−変調
器を製造するのは困難であった。本発明によれば、上記
に示した通り、選択成長を用いて、変調帯域２．４ＧＨ
ｚ以上のＥＡ−変調器を製造することができた。
たって、再現性に優れる技術であったが、従来、選択成
長法を用いて、変調帯域２．４ＧＨｚ以上のＥＡ−変調
器を製造するのは困難であった。本発明によれば、上記
に示した通り、選択成長を用いて、変調帯域２．４ＧＨ
ｚ以上のＥＡ−変調器を製造することができた。
【００３６】また、本発明により、従来２回であった成
長回数が１回となり、結晶成長に係わる作業時間が半分
となった。なお、本変調器は、埋め込み型であるので、
光ファイバとの結合損失に関しては、２．５ｄＢと良好
な値を得ることができた。
長回数が１回となり、結晶成長に係わる作業時間が半分
となった。なお、本変調器は、埋め込み型であるので、
光ファイバとの結合損失に関しては、２．５ｄＢと良好
な値を得ることができた。
【００３７】本発明を利用した第１，第２及び第３の実
施例に示した、半導体レーザ、ＬＤアンプ及びＥＡ−変
調器の製造において、ｐ型基板を用い、各実施例に記載
の各層のドーピングの型を反転させた素子を製造すれ
ば、各実施例と同様の結果を得ることができる。ストラ
イプ状のマスク１１，２１，３１、絶縁膜１７，２７及
びパッシベーション膜３６としては、ＰＳＧ、ＳＩＯＮ
等の、他の絶縁膜を用いても良い。また、キャップ層１
６，２６及び３５、電極１８，２８及び３８に関して
は、各実施例に示したものならず、他の組成、他の材料
を用いても、なんら差し支えない。
施例に示した、半導体レーザ、ＬＤアンプ及びＥＡ−変
調器の製造において、ｐ型基板を用い、各実施例に記載
の各層のドーピングの型を反転させた素子を製造すれ
ば、各実施例と同様の結果を得ることができる。ストラ
イプ状のマスク１１，２１，３１、絶縁膜１７，２７及
びパッシベーション膜３６としては、ＰＳＧ、ＳＩＯＮ
等の、他の絶縁膜を用いても良い。また、キャップ層１
６，２６及び３５、電極１８，２８及び３８に関して
は、各実施例に示したものならず、他の組成、他の材料
を用いても、なんら差し支えない。
【００３８】第１の実施例に示した半導体レーザにおい
ては、活性層１３として、バルク（λ＝１．４８μｍと
なる均一組成の）活性層を用いてもよい。また、発振波
長がλ＝１．３μｍあるいは１．５５μｍとなる組成の
層を用いてもよい。
ては、活性層１３として、バルク（λ＝１．４８μｍと
なる均一組成の）活性層を用いてもよい。また、発振波
長がλ＝１．３μｍあるいは１．５５μｍとなる組成の
層を用いてもよい。
【００３９】第２の実施例に示したＬＤアンプにおい
て、活性層２３として、λ＝１．５５μｍ組成のＩｎＧ
ａＡｓＰバルク層を用いれば、λ＝１．５５μｍの入射
光に対して、第１の実施例と同様の利得を得ることがで
きる。
て、活性層２３として、λ＝１．５５μｍ組成のＩｎＧ
ａＡｓＰバルク層を用いれば、λ＝１．５５μｍの入射
光に対して、第１の実施例と同様の利得を得ることがで
きる。
【００４０】第３の実施例に示したＥＡ−変調器の製造
において、光吸収層３３として、発振波長λ＝１．４５
μｍとなるＭＱＷ層（例えば、厚さ３０オングストロー
ムのＩｎＧａＡｓ層６層、及びλ＝１．３μｍ組成の厚
さ１３０オングストロームのＩｎＧａＡｓＰ層５層を交
互に含む層）を用いれば、第１及び第２の実施例と同様
の結果を得ることができる。
において、光吸収層３３として、発振波長λ＝１．４５
μｍとなるＭＱＷ層（例えば、厚さ３０オングストロー
ムのＩｎＧａＡｓ層６層、及びλ＝１．３μｍ組成の厚
さ１３０オングストロームのＩｎＧａＡｓＰ層５層を交
互に含む層）を用いれば、第１及び第２の実施例と同様
の結果を得ることができる。
【００４１】
【発明の効果】選択成長法は、半導体レーザあるいはＬ
Ｄアンプ等の素子を製造するにあたって、再現性に優れ
る技術であったが、選択成長法を用いて製造された素子
の構造では、注入電流（素子に注入する電流）の一部が
活性層を通らずに流れてしまった。このため、光出力５
０ｍＷ以上の半導体レーザ、あるいは利得２５ｄＢ以上
の利得を有するＬＤアンプを製造するのは困難であっ
た。
Ｄアンプ等の素子を製造するにあたって、再現性に優れ
る技術であったが、選択成長法を用いて製造された素子
の構造では、注入電流（素子に注入する電流）の一部が
活性層を通らずに流れてしまった。このため、光出力５
０ｍＷ以上の半導体レーザ、あるいは利得２５ｄＢ以上
の利得を有するＬＤアンプを製造するのは困難であっ
た。
【００４２】本発明の構造では、活性層を絶縁膜で挟
み、これより、注入電流が活性層に集中して流れるよう
にした。また、本発明により、その様な構造を、選択成
長法を用いて、かつ、１回の結晶成長で形成することを
可能とした。これにより、従来より高い光出力の半導体
レーザ、及び従来より高い利得のＬＤアンプを製造する
のことができた。
み、これより、注入電流が活性層に集中して流れるよう
にした。また、本発明により、その様な構造を、選択成
長法を用いて、かつ、１回の結晶成長で形成することを
可能とした。これにより、従来より高い光出力の半導体
レーザ、及び従来より高い利得のＬＤアンプを製造する
のことができた。
【００４３】また、選択成長法は、ＥＡ−変調器を製造
するにあたっても、再現性に優れる技術であるが、図７
（ｄ）に示す埋め込み型で、電気容量が２ｐＦ以下のＥ
Ａ−変調器を製造するのが困難であった。
するにあたっても、再現性に優れる技術であるが、図７
（ｄ）に示す埋め込み型で、電気容量が２ｐＦ以下のＥ
Ａ−変調器を製造するのが困難であった。
【００４４】本発明の構造で、電気容量を小さく（１ｐ
Ｆ以下）抑えることができた。
Ｆ以下）抑えることができた。
【００４５】また、本発明により、その様な構造を、選
択成長法を用いて、かつ、１回の結晶成長で形成するこ
とができた。これにより、変調帯域５ＧＨｚ以上を得る
ことができた。
択成長法を用いて、かつ、１回の結晶成長で形成するこ
とができた。これにより、変調帯域５ＧＨｚ以上を得る
ことができた。
【図１】本発明を利用して製造した半導体レーザの斜視
図である。
図である。
【図２】本発明を利用して製造した半導体光増幅器（Ｌ
Ｄアンプ）の斜視図である。
Ｄアンプ）の斜視図である。
【図３】本発明を利用して製造した光変調器（ＥＡ−変
調器）の斜視図である。
調器）の斜視図である。
【図４】図１に示した半導体レーザの製造手順を説明す
る図である。
る図である。
【図５】図２に示したＬＤアンプの製造手順を説明する
図である。
図である。
【図６】図３に示したＥＡ−変調器の製造手順を説明す
る図である。
る図である。
【図７】選択成長法を用いて半導体レーザ等の光半導体
素子を製造するときの、従来の手順を示す図である。
素子を製造するときの、従来の手順を示す図である。
【図８】一連のＭＯＶＰＥの選択成長法により形成され
た、活性層を含むメサストライプ、クラッド層及びキャ
ップ層からなる構造を示す図である。
た、活性層を含むメサストライプ、クラッド層及びキャ
ップ層からなる構造を示す図である。
【図９】従来の製造方法の半導体層の成長過程を示す図
である。
である。
【図１０】本発明の製造方法の半導体層の成長過程を示
す図である。
す図である。
１０，２０，３０，７０，８６，９０，１００ 基板 １１，２１，３１，７１，８２，９１，１０１ マスク １２，２２，３２，７９，８７ バッファ層 １３，２３，３３，７２，８１ 活性層 １４，２４，７３，８３ メサストライプ １５，２５，３４，７４，７８，８４ クラッド層 １６，２６，３５，７５，８５ キャップ層 １７，２７，７６ 絶縁膜 １８，２８，３８，７７ 電極 ３６ パッシベーション膜 ３７ ポリイミド ３９ 外側の半導体層 ８０ 界面 ９２，１０２ 半導体層
Claims (2)
- 【請求項１】半導体基板上の活性層を含む第１半導体層
のメサストライプが、両側から絶縁体に挟まれ、かつ、
前記メサストライプ及び前記メサストライプ脇の前記絶
縁膜の上部に、前記メサストライプを埋め込む第２の半
導体層が形成された構造を、少なくとも有することを特
徴とする光半導体素子。 - 【請求項２】表面が（１００）面の半導体基板上に、
［０１１］方向に対して５度以上の角度をなす方向に、
互いに平行な、２本のストライプ状のマスクを形成する
工程と、 前記半導体基板の前記表面が露出するところの、２本の
前記マスクに挟まれた間隔部において、結晶成長によ
り、活性層を含む第１半導体層のメサストライプを形成
する工程と、 引き続き一連の結晶成長により、前記メサストライプを
第２半導体層で埋め込む工程とを、 少なくとも含むことを特徴とする光半導体素子の製造方
法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5187803A JP2746065B2 (ja) | 1993-07-29 | 1993-07-29 | 光半導体素子の製造方法 |
| DE69407507T DE69407507T2 (de) | 1993-07-29 | 1994-07-27 | Halbleitende optische Vorrichtung mit Mesa-Struktur, die seitlich von einer isolierenden Maske umgeben ist |
| EP94111723A EP0637111B1 (en) | 1993-07-29 | 1994-07-27 | Semiconductor optical device with mesa structure which is surrounded laterally by insulating mask |
| US08/280,680 US5659565A (en) | 1993-07-29 | 1994-07-27 | Semiconductor optical device with mesa structure which is surrounded laterally by insulating mask for preventing current from leaking directly from cladding layer to substrate and process of fabrication thereof |
| CA002129074A CA2129074A1 (en) | 1993-07-29 | 1994-07-28 | Semiconductor optical device with mesa structure which is surrounded laterally by insulating mask for preventing current from leaking directly from cladding layer to substrate andprocess of fabrication thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5187803A JP2746065B2 (ja) | 1993-07-29 | 1993-07-29 | 光半導体素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0745906A true JPH0745906A (ja) | 1995-02-14 |
| JP2746065B2 JP2746065B2 (ja) | 1998-04-28 |
Family
ID=16212516
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5187803A Expired - Fee Related JP2746065B2 (ja) | 1993-07-29 | 1993-07-29 | 光半導体素子の製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5659565A (ja) |
| EP (1) | EP0637111B1 (ja) |
| JP (1) | JP2746065B2 (ja) |
| CA (1) | CA2129074A1 (ja) |
| DE (1) | DE69407507T2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007019492A (ja) * | 2005-06-16 | 2007-01-25 | Avago Technologies Fiber Ip (Singapore) Pte Ltd | 単一のステップｍｏｃｖｄによって製造される導波格子を組み込んだ埋め込みヘテロ構造デバイス |
| JP2007533120A (ja) * | 2004-02-25 | 2007-11-15 | アバゴ・テクノロジーズ・ジェネラル・アイピー（シンガポール）プライベート・リミテッド | 単一のステップｍｏｃｖｄによって製造される埋め込みヘテロ構造デバイス |
| JP2009076860A (ja) * | 2007-06-26 | 2009-04-09 | Avago Technologies Fiber Ip (Singapore) Pte Ltd | エッチングされるのではなく成長するリッジ構造を有する集積光半導体デバイスおよびそのデバイスの作製方法 |
| US7899100B2 (en) * | 2002-03-01 | 2011-03-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | GaN laser element |
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| GB9523731D0 (en) | 1995-11-20 | 1996-01-24 | British Telecomm | Optical transmitter |
| CA2243279C (en) * | 1996-03-27 | 2001-08-07 | British Telecommunications Public Limited Company | Optical modulator |
| JP3682336B2 (ja) * | 1996-04-10 | 2005-08-10 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
| SE9902916L (sv) * | 1999-08-16 | 2001-02-17 | Ericsson Telefon Ab L M | Modulator och integrerad krets |
| JP2001313439A (ja) * | 2000-04-28 | 2001-11-09 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザの製造方法 |
| US6563852B1 (en) * | 2000-05-08 | 2003-05-13 | Lucent Technologies Inc. | Self-mode-locking quantum cascade laser |
| SE521023C2 (sv) | 2000-07-07 | 2003-09-23 | Ericsson Telefon Ab L M | Optisk anordning samt framställning därav |
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| FR3007589B1 (fr) * | 2013-06-24 | 2015-07-24 | St Microelectronics Crolles 2 | Circuit integre photonique et procede de fabrication |
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- 1993-07-29 JP JP5187803A patent/JP2746065B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-07-27 EP EP94111723A patent/EP0637111B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-07-27 US US08/280,680 patent/US5659565A/en not_active Expired - Fee Related
- 1994-07-27 DE DE69407507T patent/DE69407507T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1994-07-28 CA CA002129074A patent/CA2129074A1/en not_active Abandoned
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| CA2129074A1 (en) | 1995-01-30 |
| US5659565A (en) | 1997-08-19 |
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| DE69407507T2 (de) | 1998-07-23 |
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