JPH0745674A - Measuring method for voltage waveform of electron beam tester - Google Patents

Measuring method for voltage waveform of electron beam tester

Info

Publication number
JPH0745674A
JPH0745674A JP5186261A JP18626193A JPH0745674A JP H0745674 A JPH0745674 A JP H0745674A JP 5186261 A JP5186261 A JP 5186261A JP 18626193 A JP18626193 A JP 18626193A JP H0745674 A JPH0745674 A JP H0745674A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
voltage waveform
electron beam
beam tester
voltage
change curve
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP5186261A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP3348739B2 (en
Inventor
Takayuki Abe
貴之 安部
Kazuo Okubo
和生 大窪
Akio Ito
昭夫 伊藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP18626193A priority Critical patent/JP3348739B2/en
Publication of JPH0745674A publication Critical patent/JPH0745674A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3348739B2 publication Critical patent/JP3348739B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Measurement Of Current Or Voltage (AREA)
  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

PURPOSE:To provide a method by which the slice level of an electronic beam tester can be appropriately set and corrected and the convergence factors of S-curves can be pertinently set and evaluated. CONSTITUTION:In a method for measuring the voltage waveform of an electron beam tester, the correcting amount dSL of the slice level SL of the tester is found during the measurement of the voltage waveform based on the convergence factors of S-curves (inverse numbers C1 and C2 of the inclinations of the S-curves) at the intersections of the S-curves with the slice level SL and the slice level SL is corrected based on the correcting amount dSL. In addition, the transition areas (transition points) where the S-curves shift to saturation areas are detected and the initializing value of the slice level is set so that the value cannot exceed the transition areas (transition points). Moreover, weighted convergence factors are found based on the convergence factors at a specific low- and high-phase levels. Furthermore, the convergence factors are evaluated based on the S/N of the convergence factors.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は半導体集積回路の診断等
に使用される電子ビームテスタによる電圧波形測定方法
に関し、特に、電圧波形測定方法におけるスライスレベ
ルの補正方法及び設定方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a voltage waveform measuring method by an electron beam tester used for diagnosing a semiconductor integrated circuit, and more particularly to a slice level correcting method and a setting method in the voltage waveform measuring method.

【0002】[0002]

【従来の技術】電子ビームテスタにおいては、試料の測
定点に電子ビームを照射し、照射点から放出される二次
電子を検出し、二次電子信号量を電圧値に変換すること
によって、試料の測定点の電圧波形を測定している。
2. Description of the Related Art In an electron beam tester, a measurement point of a sample is irradiated with an electron beam, secondary electrons emitted from the irradiation point are detected, and a secondary electron signal amount is converted into a voltage value to measure the sample. The voltage waveform at the measurement point of is measured.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】電子ビームに試料を照
射すると、照射点にコンタミネーションが付着したり、
帯電するという問題が生じる。これらが原因となり、電
圧波形測定中に二次電子のエネルギ分析器に印加する電
圧を変化させることによって得られる測定点の電圧波形
の各位相点での検出二次電子信号量の変化曲線(以下、
Sカーブという)の形状変化が発生する。
When a sample is irradiated with an electron beam, contamination adheres to the irradiation point,
The problem of being charged arises. Due to these factors, the change curve of the detected secondary electron signal quantity at each phase point of the voltage waveform at the measurement point obtained by changing the voltage applied to the secondary electron energy analyzer during voltage waveform measurement (hereinafter ,
A change in the shape of the S curve) occurs.

【0004】電子ビームテスタによる電圧波形測定は、
Sカーブと予め求めていたスライスレベルとの交点を与
える分析電圧を求めることによって行われるので、この
ように測定途中でSカーブの形状変化が生じた場合、測
定波形の精度が低下したり測定が不安定になったりす
る。
Voltage waveform measurement by an electron beam tester
Since it is performed by obtaining the analysis voltage that gives the intersection between the S curve and the slice level that has been obtained in advance, if the shape of the S curve changes during measurement in this way, the accuracy of the measurement waveform decreases and the measurement is performed. It becomes unstable.

【0005】そのため、Sカーブの形状変化が生じた場
合、その変化に応じてスライスレベルを補正し、測定精
度や安定性を維持する必要がある。しかし、Sカーブの
形状変化は振幅低下,ドリフト,シフトといったものが
複合して生じることがあり、スライスレベルの補正を適
切に行うことは困難であった。
Therefore, when the shape of the S curve changes, it is necessary to correct the slice level according to the change to maintain the measurement accuracy and stability. However, a change in the shape of the S curve may occur due to a combination of a decrease in amplitude, drift, and shift, and it has been difficult to appropriately correct the slice level.

【0006】次に、図12及び図13を参照しながら、
上記問題点を更に説明する。一般に、試料に電子ビーム
を照射すると、照射点にコンタミネーションの付着や帯
電といった問題が生じることが知られている。これが原
因で測定中にSカーブ形状の変化が生じ、測定に影響を
及ぼすことが少なくない。
Next, referring to FIGS. 12 and 13,
The above problems will be further described. It is generally known that irradiation of a sample with an electron beam causes problems such as adhesion of contamination and charging at the irradiation point. Due to this, the S-curve shape changes during the measurement, which often affects the measurement.

【0007】図12は電圧波形測定中における上記問題
点によるSカーブの変化を示しており、図12(A),
(B),(C)はそれぞれSカーブの振幅低下,シフ
ト,ドリフトを示したものである。そして、図13は従
来法による補正スライスレベルの位置を示したものであ
り、図13(B),(C)の場合、補正SL の設定に誤
りが生じている。
FIG. 12 shows the change of the S curve due to the above problems during the voltage waveform measurement.
(B) and (C) show amplitude reduction, shift, and drift of the S curve, respectively. FIG. 13 shows the position of the corrected slice level according to the conventional method. In the cases of FIGS. 13B and 13C, the setting of the correction S L has an error.

【0008】ここで、Sカーブの振幅が低下した場合
や、Sカーブのドリフトが生じた場合、固定スライスレ
ベルではSカーブの飽和レベルを越えてしまったり、過
大なフィードバックが生じるなど、電圧波形測定に大き
な影響を及ぼす。そのため、振幅低下の際にスライスレ
ベルSL の補正が必要となる。
Here, when the amplitude of the S-curve decreases, or when the S-curve drifts, the fixed-slice level exceeds the saturation level of the S-curve, excessive feedback occurs, and the voltage waveform is measured. Have a great effect on. Therefore, the slice level S L needs to be corrected when the amplitude decreases.

【0009】一方、Sカーブシフトが生じた場合には、
スライスレベルSL の補正を行う必要はない。しかし、
振幅低下とシフトが同時に発生することが多く、それぞ
れを分離して検出する方法がないため、この場合にもス
ライスレベルの補正が必要となる。
On the other hand, when the S curve shift occurs,
It is not necessary to correct the slice level S L. But,
In many cases, the amplitude reduction and the shift occur at the same time, and there is no method for detecting them separately. Therefore, the slice level correction is necessary in this case as well.

【0010】次に、図14に従来法によるスライスレベ
ルの設定法を示す。理想的なSカーブは図14(A)の
ような形である。図14(A)のSカーブでの部分を
Sカーブのベースレベル,の部分を立ち上がり領域,
の部分をSカーブの飽和状態と定義すれば,の部分
は飽和状態へ移行する遷移領域(遷移点)である。一
般に、のSカーブの立ち上がり領域は、測定電圧が変
化すれば平行移動するため、この移動量を求めることで
電圧測定を行う。しかし、の遷移領域は、立ち上がり
領域よりも平行移動量が大きい場合や小さい場合があ
り、正確な測定をこの領域では行うことは困難である。
Next, FIG. 14 shows a slice level setting method according to the conventional method. An ideal S curve has a shape as shown in FIG. The part of the S curve in FIG. 14A is the base level of the S curve, the part of the S curve is the rising region,
If the portion of is defined as the saturated state of the S-curve, the portion of is a transition region (transition point) that transitions to the saturated state. In general, the rising region of the S curve moves in parallel if the measurement voltage changes, and thus the voltage is measured by obtaining this amount of movement. However, in the transition region, the translation amount may be larger or smaller than that in the rising region, and it is difficult to perform accurate measurement in this region.

【0011】また、局所電界効果がある場合には、図1
4(B)の様にSカーブの飽和レベルがLOWレベル
位相とHIGHレベル位相では分離してしまう。しか
も、測定配線の周辺の配線も動作しているため、周辺の
配線の作る電界によってSカーブ形状変化が生じ、特
に、飽和レベルが一定とならず図14(C)に示すよう
な形状となることが少なくない。このため、電圧波形測
定では、どのレベルにスライスレベルを設定するかが、
測定精度に大きく影響を及ぼす。
Further, when there is a local electric field effect, FIG.
As shown in 4 (B), the saturation level of the S curve is separated between the LOW level phase and the HIGH level phase. Moreover, since the wiring around the measurement wiring is also operating, the electric field created by the peripheral wiring causes a change in the shape of the S curve, and in particular, the saturation level is not constant and the shape becomes as shown in FIG. 14C. Not a few things. Therefore, in the voltage waveform measurement, which level to set the slice level is
It greatly affects the measurement accuracy.

【0012】ここで、従来法によるスライスレベルの設
定方法は、理想的なSカーブ形状を対象としてSカーブ
のベースレベルSmin と最大値Smax を検出し、そのS
minとSmax との間にスライスレベルを設定するもので
ある。
Here, in the slice level setting method according to the conventional method, the base level S min and the maximum value S max of the S curve are detected for an ideal S curve shape, and the S
The slice level is set between min and S max .

【0013】例えば、Sカーブ振幅の50%にスライス
レベルを設定するとすれば、理想的なSカーブに対して
は図14(A)に示すようにスライスレベルSL が設定
される。また、局所電解効果がある場合、図14(B)
のように飽和レベルが分離した場合でも、Sカーブの
最大値のうち小さいほうをSmax とすれば、図14
(B)に示すようにスライスレベルSL が設定される。
For example, if the slice level is set to 50% of the S curve amplitude, the slice level S L is set as shown in FIG. 14A for an ideal S curve. In addition, when there is a local electrolysis effect, FIG.
Even when the saturation level is separated as shown in FIG. 14, if the smaller one of the maximum values of the S curve is S max ,
The slice level S L is set as shown in FIG.

【0014】しかし、図14(C)のように形状になる
と、Smax をSカーブの最大値のうち小さいほうにとっ
ても図14(C)のようにスライスレベルが設定されて
しまい、電圧波形を正しく測定することが出来なくなっ
てしまう。つまり、Sカーブの飽和レベルへの遷移点
(飽和点)を越えてスライスレベルが設定されてしま
う。後述する図7(B)は、図14(C)のSカーブの
ような場合に、遷移領域にスライスレベルが設定された
場合の測定波形である。この図7(B)のように、HI
GH位相側の波形形状が変化してしまう。
However, when the shape is as shown in FIG. 14C, the slice level is set as shown in FIG. 14C even if S max is the smaller of the maximum values of the S curve, and the voltage waveform is changed. It becomes impossible to measure correctly. That is, the slice level is set beyond the transition point (saturation point) of the S curve to the saturation level. FIG. 7B described later is a measurement waveform when the slice level is set in the transition region in the case of the S curve of FIG. 14C. As shown in FIG. 7B, HI
The waveform shape on the GH phase side changes.

【0015】また、本発明の目的は、電子ビームテスタ
においてスライスレベルを適切に設定することができる
設定方法を提供することにある。そこで、本発明の他の
目的は、電子ビームテスタにおいてスライスレベルを適
切に補正することができる補正方法を提供することにあ
る。
Another object of the present invention is to provide a setting method capable of appropriately setting a slice level in an electron beam tester. Therefore, another object of the present invention is to provide a correction method capable of appropriately correcting the slice level in an electron beam tester.

【0016】また、本発明のさらに他の目的は、電子ビ
ームテスタにおいて収束係数を適切に設定することがで
きる設定方法及びその収束係数の評価方法を提供するこ
とにある。
Still another object of the present invention is to provide a setting method capable of appropriately setting the convergence coefficient in an electron beam tester and an evaluation method of the convergence coefficient.

【0017】[0017]

【課題を解決するための手段】第1の発明の電子ビーム
テスタの電圧波形測定方法は、試料の測定点に電子ビー
ムを照射し、照射点から放出される二次電子を検出し、
二次電子信号量を電圧値に変換することによって、試料
の測定点の電圧波形を測定する電子ビームテスタにおい
て、二次電子のエネルギ分析器に印加する電圧を変化さ
せることによって得られる測定点の電圧波形の各位相点
での検出二次電子信号量の変化曲線とスライスレベルS
L との交点を与える分析器印加電圧を求めることによっ
て、二次電子信号量を電圧値に変換して、測定点の電圧
波形とする電圧波形測定方法において、前記変化曲線が
飽和領域へ移行する遷移領域(遷移点)を検出し、その
遷移領域(遷移点)を越えないようにスライスレベルの
初期設定レベルを設定することを特徴とする。
A voltage waveform measuring method for an electron beam tester according to a first aspect of the present invention irradiates a measurement point of a sample with an electron beam and detects secondary electrons emitted from the irradiation point,
In the electron beam tester that measures the voltage waveform at the measurement point of the sample by converting the secondary electron signal amount into a voltage value, the measurement point of the measurement point obtained by changing the voltage applied to the secondary electron energy analyzer is measured. Change curve of detected secondary electron signal quantity at each phase point of voltage waveform and slice level S
In the voltage waveform measuring method in which the secondary electron signal amount is converted into a voltage value by obtaining the analyzer applied voltage that gives the intersection with L , the change curve shifts to the saturation region It is characterized in that a transition area (transition point) is detected and an initial setting level of the slice level is set so as not to exceed the transition area (transition point).

【0018】また、第2の発明の電子ビームテスタの電
圧波形測定方法は、試料の測定点に電子ビームを照射
し、照射点から放出される二次電子を検出し、二次電子
信号量を電圧値に変換することによって、試料の測定点
の電圧波形を測定する電子ビームテスタにおいて、二次
電子のエネルギ分析器に印加する電圧を変化させること
によって得られる測定点の電圧波形の各位相点での検出
二次電子信号量の変化曲線(Sカーブ)とスライスレベ
ルSL との交点を与える分析器印加電圧を求めることに
よって、二次電子信号量を電圧値に変換して、測定点の
電圧波形とする電子ビームテスタの電圧波形測定方法に
おいて、電圧波形測定中にSカーブの交点における収束
係数(変化曲線の傾きの逆数、C1 ,C2 )に基づいて
スライスレベルの補正量dSLを求め、前記補正量dS
Lに基づいてスライスレベルSL の補正を行うことを特
徴とする。
Further, the voltage waveform measuring method of the electron beam tester of the second invention irradiates the measuring point of the sample with the electron beam, detects the secondary electrons emitted from the irradiating point, and detects the secondary electron signal amount. In an electron beam tester that measures the voltage waveform at the measurement point of the sample by converting it to a voltage value, each phase point of the voltage waveform at the measurement point obtained by changing the voltage applied to the energy analyzer for secondary electrons The secondary electron signal amount is converted into a voltage value by obtaining the analyzer applied voltage that gives the intersection of the change curve (S curve) of the detected secondary electron signal amount in S and the slice level S L, and in the voltage waveform measuring method of an electron beam tester that the voltage waveform, (inverse of the slope of the variation curve, C 1, C 2) convergence factor at the point of intersection S curve in the voltage waveform measuring auxiliary slice level on the basis of Determine the amount DSL, the correction amount dS
It is characterized in that the slice level S L is corrected based on L.

【0019】また、第3の発明の電子ビームテスタの電
圧波形測定方法は、試料の測定点に電子ビームを照射
し、照射点から放出される二次電子を検出し、二次電子
信号量を電圧値に変換することによって、試料の測定点
の電圧波形を測定する電子ビームテスタにおいて二次電
子のエネルギ分析器に印加する電圧を変化させることに
よって得られる測定点の電圧波形の各位相点での検出二
次電子信号量の変化曲線(Sカーブ)とスライスレベル
との交点を与える分析器印加電圧を求めることによっ
て、二次電子信号量を電圧値に変換して、測定点での電
圧波形とする電子ビームテスタの電圧波形測定方法にお
ける収束係数の設定方法において、特定位相であるLO
W位相レベルでの収束係数をCC(LOW )とし、特定位
相であるHIGH位相レベルでの収束係数をCC(HIG
H)とし、係数Pr=(HIGH位相レベル点数/全位
相点数)とした場合、求める収束係数CC(重み付)
を、 CC=CC(LOW )+(CC(HIGH)−CC(LOW ))
×Pr として求めることを特徴とする。
The voltage waveform measuring method of the electron beam tester according to the third aspect of the invention irradiates the measurement point of the sample with the electron beam, detects secondary electrons emitted from the irradiation point, and detects the secondary electron signal amount. At each phase point of the voltage waveform of the measurement point obtained by changing the voltage applied to the energy analyzer of the secondary electron in the electron beam tester that measures the voltage waveform of the measurement point of the sample by converting to the voltage value The secondary electron signal amount is converted into a voltage value by obtaining the analyzer applied voltage that gives the intersection of the change curve (S curve) of the detected secondary electron signal amount and the slice level, and the voltage waveform at the measurement point In the method of setting the convergence coefficient in the voltage waveform measuring method of the electron beam tester,
Let CC (LOW) be the convergence coefficient at the W phase level, and CC (HIG) be the convergence coefficient at the HIGH phase level, which is the specific phase.
H) and the coefficient Pr = (HIGH phase level score / total phase score), the desired convergence coefficient CC (with weight)
CC = CC (LOW) + (CC (HIGH) -CC (LOW))
It is characterized by being obtained as × Pr.

【0020】また、第4の発明の電子ビームテスタの電
圧波形測定方法は、前記特定位相における分析電圧差を
ΔVr とし、当該分析電圧差ΔVrを有する2つのサン
プリング点における複数回のサンプリングによる二次電
子信号量の差ΔSの分散をσ dsとした場合に、収束係数
のS/Nを、 S/N〓ΔSMEAN/3σds とし、このS/Nに基づいて収束係数を評価することを
特徴とする。
Further, the electron beam tester of the fourth invention has an electric power source.
The pressure waveform measuring method calculates the analysis voltage difference in the specific phase.
ΔVrAnd two suns having the analysis voltage difference ΔVr.
Secondary power with multiple samplings at pulling points
Let σ be the variance of the difference ΔS in the child signal amount dsAnd the convergence coefficient
S / N of S / N〓ΔSMEAN/ 3σds And evaluate the convergence coefficient based on this S / N.
Characterize.

【0021】[0021]

【作用】第1の発明の電子ビームテスタの電圧波形測定
方法では、振幅低下が発生することによって、変化曲線
の傾き(収束係数C1 ,C2 )が変化することに着目
し、測定中の収束係数(C1 ,C2 )の変化からスライ
スレベルの補正量dSLを算定する(図1)。
In the voltage waveform measuring method for the electron beam tester according to the first aspect of the present invention, attention is paid to the fact that the slope of the change curve (convergence coefficient C 1 , C 2 ) changes due to the occurrence of the amplitude decrease, and The slice-level correction amount dSL is calculated from the change in the convergence coefficient (C 1 , C 2 ) (FIG. 1).

【0022】また、第2の発明の電子ビームテスタの電
圧波形測定方法について説明すると、スライスレベルは
ベースレベルと飽和レベルとの間に設定されることが必
要条件である。しかし、従来法では飽和レベルがどこに
なるか検出することができず、電圧波形測定に影響を及
ぼしていた。そこで、本発明では変化曲線の飽和レベル
への遷移点を検出し、前記遷移点を越えないようにスラ
イスレベルの初期設定レベルを設定する。ここで、飽和
点の検出方法は、変化曲線の微分カーブ(微分変化曲
線)をLOW,HIGH位相の2本求め、微分カーブと
0レベルの交点をそれぞれの遷移点とするもの(図4
(A),(B))あるいは微分カーブの極大値に基づい
てスライスレベルを設定するもの(図5(A),
(B))、LOW,HIGHレベルでのSカーブのシ
フト量を求め、シフト量が大きく変化する点を遷移点と
するもの(図6(A),(B))である。
Further, the voltage waveform measuring method of the electron beam tester of the second invention will be explained. It is a necessary condition that the slice level is set between the base level and the saturation level. However, the conventional method cannot detect where the saturation level is, which affects the voltage waveform measurement. Therefore, in the present invention, the transition point of the change curve to the saturation level is detected, and the initial setting level of the slice level is set so as not to exceed the transition point. Here, the saturation point detection method is to obtain two differential curves of the change curve (differential change curve) of LOW and HIGH phases, and use the intersections of the differential curve and the 0 level as respective transition points (FIG. 4).
(A), (B)) or setting the slice level based on the maximum value of the differential curve (FIG. 5 (A),
(B)), the shift amount of the S curve at the LOW and HIGH levels is obtained, and the point at which the shift amount greatly changes is the transition point (FIGS. 6A and 6B).

【0023】第3の発明の電子ビームテスタの電圧波形
測定方法では、特定位相であるLOW位相レベルでの収
束係数をCC(LOW )とし、特定位相であるHIGH位
相レベルでの収束係数をCC(HIGH)とし、係数Pr=
(HIGH位相レベル点数/全位相点数)とした場合、
求める収束係数CC(重み付)を、 CC=CC(LOW )+(CC(HIGH)−CC(LOW ))
×Pr として求めるので、位相レベルの比に応じた重みを付け
た収束係数を求めることができ、正しいフィードバック
制御が行われる。
In the voltage waveform measuring method of the electron beam tester of the third invention, the convergence coefficient at the LOW phase level which is the specific phase is CC (LOW), and the convergence coefficient at the HIGH phase level which is the specific phase is CC (LOW). HIGH) and the coefficient Pr =
When (HIGH phase level score / total phase score),
The convergence coefficient CC (weighted) to be calculated is CC = CC (LOW) + (CC (HIGH) -CC (LOW))
Since it is obtained as × Pr, the convergence coefficient weighted according to the phase level ratio can be obtained, and correct feedback control is performed.

【0024】また、第4の発明の電子ビームテスタの電
圧波形測定方法では、収束係数のS/Nを、 S/N〓ΔSMEAN/3σds として求めることができ、収束係数のS/Nを評価する
ことができるので所望の精度で収束係数を求めることが
できる。
Further, in the voltage waveform measuring method for the electron beam tester of the fourth invention, the convergence coefficient S / N can be obtained as S / N = ΔS MEAN / 3σ ds , and the convergence coefficient S / N can be obtained. Since it can be evaluated, the convergence coefficient can be obtained with desired accuracy.

【0025】[0025]

【実施例】以下、図面に基づいて本発明の好適な実施例
を説明する。電子ビームテスタの構成 まず、図2に電子ビームテスタの構成のブロック図を示
す。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENT A preferred embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. Configuration of Electron Beam Tester First, FIG. 2 shows a block diagram of the configuration of the electron beam tester.

【0026】図2において、電子ビーム円筒10内で
は、試料12がステージ14上に載置されており、電子
銃16からの電子ビームEBは、磁界レンズ18,パル
ス化用偏光板20,パルス化用アパチャー22,磁界レ
ンズ24,偏向器26,分析グリッド28,バッファグ
リッド30,引出しグリッド32,対物レンズ34を介
してステージ14上の試料12に照射され、前記試料1
2からの2次電子SEは検出器36により検出される。
この検出器36では、2次電子信号量が電圧値に変換さ
れ、前記電圧値はアンプ38で増幅され、A/D変換器
40でディジタル信号に変換された後、コンピュータ4
2に供給される。なお、コンピュータ42にはキーボー
ド44及び表示装置46が接続されている。
In FIG. 2, a sample 12 is placed on a stage 14 in an electron beam cylinder 10, and an electron beam EB from an electron gun 16 is a magnetic field lens 18, a pulsing polarization plate 20, and a pulsing. The sample 12 on the stage 14 is irradiated through the aperture 22, the magnetic lens 24, the deflector 26, the analysis grid 28, the buffer grid 30, the extraction grid 32, and the objective lens 34, and the sample 1
The secondary electrons SE from 2 are detected by the detector 36.
In this detector 36, the secondary electron signal amount is converted into a voltage value, the voltage value is amplified by an amplifier 38, converted into a digital signal by an A / D converter 40, and then the computer 4
2 is supplied. A keyboard 44 and a display device 46 are connected to the computer 42.

【0027】前記コンピュータ42はドライバ48を制
御して電子ビーム円筒10を制御する。また、コンピュ
ータ42はクロック発生器50を制御してクロックφ1
及びφ2 を出力させる。クロックφ1 はカウンタ52に
供給され、そのカウント値がディレイユニット54に供
給されるとともに、コンピュータ42に供給される。ま
た、クロックφ2 はテスト信号発生回路56に供給さ
れ、前記テスト信号発生回路56はクロックφ2 に基づ
くタイミングで試料12へのテスト信号を制御する。ク
ロックφ2 は更にディレイユニット54に供給され、前
記ディレイユニット54はクロックφ2 に基づくタイミ
ング及びカウンタ52からのカウント値に従って、A/
D変換器40を制御するとともに電子ビーム円筒10を
制御する。 スライスレベルの補正方法 図1には本発明の実施例によるスライスレベルの補正方
法を説明するためのグラフが示されている。
The computer 42 controls a driver 48.
Control the electron beam cylinder 10. In addition,
The data 42 controls the clock generator 50 to control the clock φ.1
And φ2Is output. Clock φ1To the counter 52
The count value is supplied to the delay unit 54.
It is also supplied to the computer 42. Well
Clock φ2Is supplied to the test signal generation circuit 56.
The test signal generating circuit 56 outputs the clock φ.2Based on
The test signal to the sample 12 is controlled at a precise timing. Ku
Lock φ2Is further supplied to the delay unit 54,
The delay unit 54 is a clock φ.2Based on Taimi
A / A according to the count value from the counter 52
The electron beam cylinder 10 is controlled while controlling the D converter 40.
Control. Slice level correction method FIG. 1 shows a method of correcting a slice level according to an embodiment of the present invention.
A graph is shown to illustrate the method.

【0028】図1ではSカーブに振幅低下+シフト+ド
リフトがある場合を考えており、この場合、2次電子信
号量に関してのスライスレベルSL ,ベースレベル
b1,S b2は次の(1)式のようになる。
In FIG. 1, the amplitude reduction + shift + drive is added to the S curve.
We are considering the case where there is a lift, and in this case the secondary e-mail
Slice level S in terms of volumeL, Base level
Sb1, S b2Is expressed by the following equation (1).

【0029】[0029]

【数3】 ここで、C1 ,C2 は収束係数であり、V3 ,V4 はS
L とSカーブの交点を与える分析電圧であり、V2 −V
1 はSカーブのシフト量を示す。なお、b,cは図1に
示されるように、Sカーブの傾斜部の延長線と縦軸との
交点を示す。
[Equation 3] Here, C 1 and C 2 are convergence coefficients, and V 3 and V 4 are S
The analysis voltage that gives the intersection of the L and S curves, V 2 −V
1 indicates the shift amount of the S curve. In addition, b and c show the intersection of the extension line of the slope part of the S curve and the vertical axis as shown in FIG.

【0030】上記(1)式を変形すると、 C2 ×(SL −Sb2)−C1 ×(SL −Sb1) =(V4 −V3 )−(V2 −V1 ) …(1) ´となる。[0030] Transforming the equation (1), C 2 × (S L -S b2) -C 1 × (S L -S b1) = (V 4 -V 3) - (V 2 -V 1) ... (1) '

【0031】ここで、V2 −V1 はシフト量を表すから
(1)´式は次のように変形される。
[0031] Here, V 2 -V 1 is from represents the shift amount (1) 'equation can be modified as follows.

【0032】[0032]

【数4】 そして、上記(2)式によって、スライスレベルの補正
量dSLを求めることができる。
[Equation 4] Then, the slice level correction amount dSL can be obtained from the above equation (2).

【0033】ところで、実際にはSカーブのドリフト
は、電圧波形測定が行われる短時間にはあまり発生する
ことはなく、発生してもほとんど無視できる量である。
そのため、ベースレベルを測定前に予め求めておくこと
によって、Sb1=Sb2=Sb とすることができ、上記
(2)式は次のように変形される。
By the way, in reality, the S-curve drift rarely occurs in a short time when the voltage waveform is measured, and even if it occurs, it is almost negligible.
Therefore, by obtaining the base level in advance before the measurement, S b1 = S b2 = S b can be obtained, and the above equation (2) is transformed as follows.

【0034】[0034]

【数5】 従って、上記(3)式に基づいて、スライスレベルの補
正量dSLを収束係数変化(C2 −C1 )のみから求め
ることができる。
[Equation 5] Therefore, the slice level correction amount dSL can be obtained only from the convergence coefficient change (C 2 −C 1 ) based on the equation (3).

【0035】ここで、前述したように、SL はスライス
レベル、C1 ,C2 はフィードバック1回目と2回目に
おける収束係数V1 ,V2 はSカーブのベースレベルS
b とSカーブの交点を与える分析電圧、V3 ,V4 はス
ライスレベルSL とSカーブとの交点を与える分析電
圧、dSLはスライスレベルの補正量である。
Here, as described above, S L is the slice level, C 1 and C 2 are the convergence coefficients V 1 and V 2 at the first and second feedbacks, and the base level S of the S curve.
b and analysis voltage applied to the intersection of the S-curve, V 3, V 4 analysis voltage applied an intersection point between the slice levels S L and S curve, DSL is a correction amount of the slice level.

【0036】図3はSカーブがシフトした場合の測定波
形を示す。図3(A)の従来法の場合には、波形の立ち
下がり(立ち上がり)部分が鈍ってしまい、正しい波形
を測定することができない。一方、図3(B)の本発明
の実施例の場合には、正しい電圧波形を測定することが
できている。スライスレベルの設定方法 スライスレベルを設定する際には、Sカーブの飽和レベ
ルへの遷移点を検出し、前記遷移点を越えないようにス
ライスレベルの初期設定レベルを設定する。ここで、飽
和点の検出方法としては、微分Sカーブ法、Sカー
ブシフト法があり、以下、両方法について説明す
る。微分Sカーブ法 本方法では、図4及び図5に示されるように、まず2本
のSカーブ(LOW位相レベル及びHIGH位相レベ
ル)を取得する。この場合において、取得SカーブのS
/Nを向上させるため、Sカーブを複数回加算すること
ができる。ここで、取得Sカーブは従来の取得点数の4
倍のデータ間隔(1/4のデータ点数)で取得し、この
離散Sカーブに対して微分Sカーブを平滑化微分法で求
める。これは、Sカーブの取得時間の短縮とデータに含
まれるノイズを除去する効果があり、滑らかな微分Sカ
ーブを取得することが可能である。
FIG. 3 shows the measured waveform when the S curve is shifted. In the case of the conventional method of FIG. 3A, the falling (rising) portion of the waveform becomes dull, and the correct waveform cannot be measured. On the other hand, in the case of the embodiment of the present invention shown in FIG. 3B, a correct voltage waveform can be measured. Setting method of slice level When setting the slice level, the transition point to the saturation level of the S curve is detected, and the initial setting level of the slice level is set so as not to exceed the transition point. Here, there are a differential S-curve method and an S-curve shift method as methods for detecting the saturation point, and both methods will be described below. Differential S-Curve Method In this method, as shown in FIGS. 4 and 5, first, two S-curves (LOW phase level and HIGH phase level) are acquired. In this case, the S of the acquisition S curve
In order to improve / N, the S curve can be added multiple times. Here, the acquisition S-curve is 4 which is the conventional acquisition score.
The data is acquired at a double data interval (the number of data points is ¼), and the differential S curve is obtained by the smoothing differential method with respect to this discrete S curve. This has the effect of reducing the acquisition time of the S-curve and removing the noise contained in the data, and it is possible to acquire a smooth differential S-curve.

【0037】図4(A),(B)において、遷移点は、
求めた微分Sカーブと0レベルとの交点VLOW ,VHigh
となる。求めたLOW/HIGH位相レベルでの2つの
遷移点VLOW ,VHighに対応するSmax LとSmax Hを
比較し、小さいほうをSmaxとして、Smin とSmax
の間にスライスレベルを設定する。
In FIGS. 4A and 4B, the transition points are
Intersection points V LOW and V High between the obtained differential S curve and 0 level
Becomes Obtained LOW / HIGH 2 one transition point V LOW at phase level, compares the S max L and S max H corresponding to V High, smaller as S max, the slice level between S min and S max To set.

【0038】あるいは、図5(A),(B)に示される
ように、微分Sカーブの極大値DL,DHを検出し、そ
の極大値DL,DHに対応するSカーブのレベルにS
max L,Smax Hのうち小さいほうにスライスレベルを
設定する方法もある。この理由としては、微分Sカーブ
の極大値DL,DHはSカーブの傾きが最も大きくなる
場所であるため、収束係数がSカーブの傾きの逆数と定
義すると、フィードバックが早くなるという効果がある
からである。この時の微分Sカーブの極大値DL,DH
の検出法としては、まず、微分Sカーブの最大値を求
め、最大値の1/2をスライスレベルslとして、sl
を越える範囲でピーク検出を行う。この検出方法によれ
ば、ベースレベル付近のノイズ成分による微小なピーク
を誤って極大値として検出することを防ぐことが可能と
なる。Sカーブシフト法 図6(A),(B)はSカーブの遷移点を、LOW/H
IGH位相レベルのSカーブのシフト量からも求める方
法を示したものであり、本方法では、遷移点を境にシフ
ト量が急激に変化することを利用する。このシフト量の
変化点を遷移点Smin とSmax との間にスライスレベル
を設定する。
Alternatively, as shown in FIGS. 5A and 5B, the maximum values DL and DH of the differential S curve are detected, and the S curve level corresponding to the maximum values DL and DH is changed to S.
There is also a method of setting the slice level to the smaller one of max L and S max H. The reason for this is that the maximum values DL and DH of the differential S-curve are places where the slope of the S-curve becomes the largest, so if the convergence coefficient is defined as the reciprocal of the slope of the S-curve, there is an effect that the feedback becomes faster. Is. The maximum value DL, DH of the differential S curve at this time
As a detection method of S, first, the maximum value of the differential S curve is obtained, and 1/2 of the maximum value is set as the slice level sl, and sl is set.
Peak detection is performed in the range exceeding. According to this detection method, it is possible to prevent a minute peak due to a noise component near the base level from being erroneously detected as the maximum value. S-curve shift method FIGS. 6A and 6B show the transition point of the S-curve as LOW / H.
This shows a method of obtaining the shift amount of the S curve of the IGH phase level, and this method uses that the shift amount changes abruptly at the transition point. A slice level is set between the transition point of the shift amount and the transition points S min and S max .

【0039】次に、図7(A),(B)には、電圧波形
の測定例が示されている。図7(B)のスライスレベル
が遷移点を越えて設定された場合(従来例)と比較し
て、図7(A)のスライスレベルが遷移点より下に設定
された場合(本発明の実施例)では正しい電圧波形を測
定することができている。収束係数の評価方法 次に、半導体集積回路の判断等に使用されている電子ビ
ームテスタによる電圧波形測定に用いられる収束係数の
評価方法について説明する。
Next, FIGS. 7A and 7B show measurement examples of voltage waveforms. Compared with the case where the slice level in FIG. 7B is set beyond the transition point (conventional example), the case in which the slice level in FIG. 7A is set below the transition point (implementation of the present invention In the example), the correct voltage waveform can be measured. Convergence Coefficient Evaluation Method Next, a convergence coefficient evaluation method used for voltage waveform measurement by an electron beam tester used for determination of a semiconductor integrated circuit will be described.

【0040】測定点に電子ビームを照射し、かつ、分析
グリットに与える分析電圧Vr を最低値から最大値まで
掃引すると、分析グリッドを通過して分析器に補足され
る二次電子の量は、上記の掃引動作に伴って、ほぼS字
上に変化する。すなわち、所定の最小値で安定的に推移
する段階から、関数カーブを描きつつ急激に増大する段
階を得た後、所定の最大値に至って安定化するようなS
字状のカーブを描く。
When the measurement point is irradiated with an electron beam and the analysis voltage V r applied to the analysis grid is swept from the minimum value to the maximum value, the amount of secondary electrons passing through the analysis grid and captured by the analyzer is , With the above-mentioned sweep operation, it changes to almost S-shape. That is, after obtaining a step of rapidly increasing while drawing a function curve from a step of stable transition at a predetermined minimum value, an S value that stabilizes at a predetermined maximum value is obtained.
Draw a curved curve.

【0041】図8(A)は、理想的なSカーブを示す図
であり、横軸は分析電圧Vr の大きさ、縦軸は二次電子
信号量を表している。SL はスライスレベル(以下、目
標電圧)であり、この目標電圧と分析器の出力が一致す
るように分析電圧をフィードバックする。
FIG. 8A is a diagram showing an ideal S curve, where the horizontal axis represents the magnitude of the analysis voltage V r and the vertical axis represents the secondary electron signal amount. S L is a slice level (hereinafter, target voltage), and the analysis voltage is fed back so that the target voltage and the output of the analyzer match.

【0042】例えば、分析電圧がVroの時S0なる二次
電子信号量が得られた場合には、Sカーブに沿って「α
(S0−SL )」だけ右側にずらされた新たな分析電圧
R1になり、さらに、このVR1に対して得られたS1を
用いて「α(S1−SL )」だけ右側にずらされた新た
な分析電圧VR2になる。すなわち、この例では、Sカー
ブの傾きが小さい領域では、分析電圧を増大側(但し、
S0<SL のとき、S0>SL の時は減少側)に大きく
変化させる一方、Sカーブの傾きが大きい領域では分析
電圧を増大側(但し、S1<SL のとき、S1>SL
時は減少側)に小さく変化させるようにして徐々に目標
電圧SL に収束させている。
For example, when a secondary electron signal quantity S0 is obtained when the analysis voltage is V ro , the value of α
(S0−S L ) ”is shifted to the right by a new analysis voltage V R1 . Further, S1 obtained for this V R1 is used to shift to the right by“ α (S1−S L ) ”. The new analysis voltage V R2 is obtained. That is, in this example, in the region where the slope of the S curve is small, the analysis voltage is increased (however,
S0 <When S L, S0> whereas when the S L is varied greatly decreasing side), in the region the inclination of the S-curve is greater analytical boosting side (however, S1 <When S L, S1> S L In this case, the target voltage S L is gradually converged by gradually changing to the decreasing side).

【0043】ここで、上記のαはフィードバックゲイン
(いわゆる収束係数)であり、図8(B)に示すよう
に、SカーブとスライスレベルSL の交点に接する直線
の傾きβの逆数(但し、符号反転)で得られる。すなわ
ち、α=δV/δSである。
Here, the above α is a feedback gain (so-called convergence coefficient), and as shown in FIG. 8B, it is the reciprocal of the slope β of the straight line tangent to the intersection of the S curve and the slice level S L (however, Sign inversion). That is, α = δV / δS.

【0044】従来の電圧波形測定方法においては、用い
られる収束係数は固定であり、測定の前処理として求め
られていた。しかも、固定加算回数の条件のもとで、特
定位相において求めた収束係数は、その評価精度が常に
変動するといった問題点が生じていた。
In the conventional voltage waveform measuring method, the convergence coefficient used is fixed and required as a pretreatment for the measurement. Moreover, there is a problem that the evaluation accuracy of the convergence coefficient obtained in the specific phase constantly fluctuates under the condition of the fixed number of additions.

【0045】また、測定中の電子ビーム照射によるコン
タミネーションの付着により、二次電子信号量の低下が
起こり、固定収束係数では測定誤差や電圧分解の評価誤
差を引き起こすおそれがあった。
Further, the contamination due to the irradiation of the electron beam during the measurement causes a decrease in the secondary electron signal amount, which may cause a measurement error or a voltage decomposition evaluation error with the fixed convergence coefficient.

【0046】従来の電圧測定方法における収束係数評価
方法では、S/Nを上げるための加算平均回数は固定で
あったため、測定点の二次電子信号量のS/Nが良い場
合には、過度な加算を行い、逆にS/Nが悪い場合に
は、十分な加算平均を行わないため、精度の過不足が生
じている。
In the conventional convergence coefficient evaluation method in the voltage measurement method, the number of averaging for increasing the S / N is fixed. Therefore, when the S / N of the secondary electron signal amount at the measurement point is good, it is excessive. However, when the S / N is bad, sufficient addition and averaging is not performed, resulting in excess and deficiency of accuracy.

【0047】そのため、測定時間に対する前処理時間の
占める割合や増加や、精度不足によるフィードバックの
不具合や、測定時間の長大化、電圧分解の評価精度の低
下を招くことになる。
As a result, the proportion or increase of the preprocessing time with respect to the measurement time, the problem of feedback due to lack of accuracy, the lengthening of the measurement time, and the deterioration of the accuracy of voltage decomposition evaluation will be brought about.

【0048】また、測定中にコンタミネーションの付着
などによりSカーブの振幅低下が生じた場合、固定収束
係数は実際に用いる必要のある収束係数に誤差を生じ、
電圧測定誤差の増加や不安定になる場合がある。
Further, when the amplitude of the S curve is reduced due to the adhesion of contamination during the measurement, the fixed convergence coefficient causes an error in the convergence coefficient that actually needs to be used,
The voltage measurement error may increase or become unstable.

【0049】また、局所電解効果により、各位相におけ
るSカーブの振幅(傾き)が変化する。そのため、特定
位相で求めた固定収束係数を全位相の測定に用いると不
都合が生じる。
Further, the amplitude (slope) of the S curve in each phase changes due to the local electrolytic effect. Therefore, if the fixed convergence coefficient obtained at the specific phase is used for the measurement of all phases, there arises a problem.

【0050】なお、図9(B)は、精度不足の収束係数
で測定を行った場合の電圧波形の例を示す。この図9
(B)の例では、図9(A)の電圧波形(正しい収束係
数で測定を行った場合)と比較して、測定波形に発散が
生じていることが分かる。
Incidentally, FIG. 9B shows an example of the voltage waveform when the measurement is performed with the convergence coefficient of which accuracy is insufficient. This Figure 9
In the example of (B), it can be seen that the measured waveform has divergence as compared with the voltage waveform of FIG. 9A (when the measurement is performed with the correct convergence coefficient).

【0051】上述したように、従来、収束係数は測定前
に求め、測定中は、その収束係数のみを用いる固定収束
係数であった。しかも、収束係数評価は固定加算回数で
行っていたため、求めた収束係数の精度が良くない場合
もあった。また、特定位相(LOW位相レベル)におい
て求めた収束係数で測定を行っていた。特定位相の収束
係数で全位相を測定した場合、各位相の実際の傾きと異
なる場合がある。特に、収束係数を求めたい位相レベル
が全位相に占める割合が小さい場合、不利な条件でフィ
ードバックを行うことになり、測定の安定性や信頼性を
損なうおそれがある。また、全位相については予め収束
係数を求め、各位相ごとの収束係数を用いてフィードバ
ックすれば良いが、実際には収束係数を前もって求めて
おく処理時間が長くなる。また、測定中に収束係数を評
価し、補正を行う動的収束係数補正方法を用いることに
よって、常に、最適な収束係数で測定を行うと、測定精
度の向上が見込まれる。しかし、この動的収束係数補正
方法で評価される収束係数は全位相の収束係数の平均
値、すなわち、重み付収束係数であるため、測定開始時
に求める収束係数として、特定位相での収束係数を用い
ると、最初のフィードバック時に誤差を大きく含むこと
となり、不都合が生じる。
As described above, conventionally, the convergence coefficient is obtained before the measurement, and during the measurement, the convergence coefficient is a fixed convergence coefficient using only the convergence coefficient. Moreover, since the convergence coefficient evaluation is performed with a fixed number of additions, the accuracy of the obtained convergence coefficient may not be good. In addition, the measurement is performed with the convergence coefficient obtained at the specific phase (LOW phase level). When all phases are measured with the convergence coefficient of a specific phase, the actual slope of each phase may differ. In particular, when the ratio of the phase level for which the convergence coefficient is desired to be occupied is small, feedback is performed under disadvantageous conditions, which may impair the stability and reliability of measurement. Further, the convergence coefficient may be obtained in advance for all the phases and feedback may be performed using the convergence coefficient for each phase, but in reality, the processing time for obtaining the convergence coefficient in advance becomes long. Further, if a dynamic convergence coefficient correction method that evaluates and corrects the convergence coefficient during measurement is used and measurement is always performed with an optimum convergence coefficient, improvement in measurement accuracy is expected. However, the convergence coefficient evaluated by this dynamic convergence coefficient correction method is the average value of the convergence coefficients of all phases, that is, the weighted convergence coefficient, so the convergence coefficient at a specific phase is the convergence coefficient obtained at the start of measurement. If it is used, a large error will be included in the first feedback, which causes inconvenience.

【0052】そこで、位相レベルの比に応じた重みを付
けた収束係数で最初からフィードバックを行うことが必
要で、従来方法では、S/Nの良い状態で重み付収束係
数を求めることは困難である。
Therefore, it is necessary to perform feedback from the beginning with the convergence coefficient weighted according to the phase level ratio, and it is difficult to obtain the weighted convergence coefficient with a good S / N in the conventional method. is there.

【0053】そこで、次の方法によって、初期値とし
て、特定位相LOW・HIGH位相レベルの2位相で、
それぞれ収束係数を求める。ここで、LOW・HIGH
位相レベル比は既知であるとすると、重み付収束係数C
Cは、次のようになる。
Therefore, by the following method, as an initial value, two phases of a specific phase LOW and HIGH phase level are obtained.
Obtain the convergence coefficient for each. Where LOW / HIGH
Assuming that the phase level ratio is known, the weighted convergence coefficient C
C becomes as follows.

【0054】[0054]

【数6】 また、それぞれのレベルでの収束係数を精度よく求める
ため、次の方法によって、収束係数を求める。
[Equation 6] Further, in order to obtain the convergence coefficient at each level with high accuracy, the convergence coefficient is obtained by the following method.

【0055】まず、特定位相の収束係数を所望のS/N
で求めるためには次のようになる。二次電子信号と収束
係数の関数は次のようになる。分析電圧差ΔVr をもつ
2条件でサンプリングした二次電子信号差をΔS、その
平均値をΔSMEAN、そのノイズ成分をεとすると、収束
係数Cは次式で定義される。
First, the convergence coefficient of a specific phase is set to a desired S / N.
In order to obtain with, it becomes as follows. The function of the secondary electron signal and the convergence coefficient is as follows. Letting ΔS be the secondary electron signal difference sampled under two conditions with the analysis voltage difference ΔV r , its average value be ΔS MEAN , and its noise component be ε, the convergence coefficient C is defined by the following equation.

【0056】[0056]

【数7】 ここで、SE信号ノイズεが十分小さい場合(ε/ΔS
MEAN《1)には、次のようになる。
[Equation 7] Here, when the SE signal noise ε is sufficiently small (ε / ΔS
MEAN << 1 } is as follows.

【0057】[0057]

【数8】 ただし、CMEANは収束係数の平均値である。ここで、二
次電子信号差ΔSの分離をσdsとすると、収束係数のノ
イズ3σ及びそのS/Nは、次のようになる。
[Equation 8] However, C MEAN is the average value of the convergence coefficient. Here, assuming that the separation of the secondary electron signal difference ΔS is σ ds , the noise 3σ of the convergence coefficient and its S / N are as follows.

【0058】[0058]

【数9】 この結果から、2点間でサンプリングした二次電子信号
差ΔSとその分散σdsに基づいて、収束係数のS/Nを
評価することが可能となり、故に所望の精度で収束係数
を求めることが可能となる。
[Equation 9] From this result, it is possible to evaluate the S / N of the convergence coefficient based on the secondary electron signal difference ΔS sampled between the two points and its variance σ ds , and therefore the convergence coefficient can be obtained with desired accuracy. It will be possible.

【0059】上記方法によって、LOW・HIGH位相
において求めた収束係数を用いることによって、測定電
圧波形のLOW・HIGHレベル比を知ることにより、
重み付収束係数を得ることが可能となる。
By using the convergence coefficient obtained in the LOW / HIGH phase by the above method, by knowing the LOW / HIGH level ratio of the measured voltage waveform,
It is possible to obtain the weighted convergence coefficient.

【0060】図10は、上記収束係数評価方法のフロー
チャートを示し、ステップ100〜ステップ114の処
理に基づいて重み付収束係数CCが求められる。重み付
収束係数を求めるための別の例として、次のようにして
もLOW・HIGHレベルの収束係数を求めることが可
能である。
FIG. 10 shows a flowchart of the above-described convergence coefficient evaluation method, and the weighted convergence coefficient CC is obtained based on the processing of steps 100 to 114. As another example for obtaining the weighted convergence coefficient, the LOW / HIGH level convergence coefficient can be obtained as follows.

【0061】収束係数はSカーブの傾きの逆数で定義さ
れるから、LOW・HIGH位相レベルでのSカーブの
微分カーブ(微分Sカーブ)を取得し、微分Sカーブ法
を利用したスライスレベル設定方法によるスライスレベ
ルに対応した収束係数を求めることが可能である。
Since the convergence coefficient is defined by the reciprocal of the slope of the S curve, a differential curve (differential S curve) of the S curve at the LOW / HIGH phase level is obtained, and a slice level setting method using the differential S curve method. It is possible to obtain the convergence coefficient corresponding to the slice level.

【0062】つまり、スライスレベルが設定されれば、
そのスライスレベルとSカーブの交点におけるSカーブ
の傾きは、微分Sカーブから求めることができる。この
ようにして求めた収束係数を用いて、上記と同様に重み
付収束係数を求めることが可能となる。
That is, if the slice level is set,
The slope of the S curve at the intersection of the slice level and the S curve can be obtained from the differential S curve. By using the thus obtained convergence coefficient, it is possible to calculate the weighted convergence coefficient in the same manner as described above.

【0063】なお、図11には、動的スライスレベル補
正結果の変動と電圧波形の測定結果が示されている。図
11(A)は、最適な収束係数で測定した場合(本方法
の場合)を示している。図11(B)は誤差の大きい収
束係数で測定した場合(従来法の場合)を示しており、
本方法によれば動的スライスレベルの変動が少なく(図
11(A)の左側のグラフ)、適切な電圧波形が得られ
る(図11(A)の右側のグラフ)ことが分かる。
FIG. 11 shows the fluctuation of the dynamic slice level correction result and the measurement result of the voltage waveform. FIG. 11A shows a case where the measurement is performed with the optimum convergence coefficient (in the case of this method). FIG. 11B shows the case of measurement with a convergence coefficient with a large error (case of the conventional method),
It can be seen that according to this method, the fluctuation of the dynamic slice level is small (the graph on the left side of FIG. 11A) and an appropriate voltage waveform is obtained (the graph on the right side of FIG. 11A).

【0064】以上説明したように、本方法によれば、所
望のS/Nで収束係数を評価することが可能となる。ま
た、測定の安定化を図ることが可能となる。次に、本方
法の実施の態様を以下に示す。
As described above, according to this method, the convergence coefficient can be evaluated with a desired S / N. Further, it becomes possible to stabilize the measurement. Next, an embodiment of the present method will be described below.

【0065】電子ビームを試料上の測定点に照射し、
照射点から放出された二次電子が電圧Vr が印加されて
いる分析器を通り、印加電圧Vr に応じて検出二次電子
信号量が変化することを利用して、検出二次電子信号量
スライスレベルの差が0となるように、分析電圧へフィ
ードバックを行い、測定点の電圧波形を測定する電子ビ
ームテスタにおいて、分析電圧のフィードバック電圧を
求めるために用いられる収束係数を、測定電圧波形のL
OW・HIGH位相レベルで求め、求めた2つの収束係
数を用いてLOW・HIGH位相レベル点数比に応じた
重み付収束係数CCに変換し、電圧波形測定の収束係数
初期値とすることを特徴とする収束係数評価方法。
Irradiating the measurement point on the sample with the electron beam,
The secondary electrons emitted from the irradiation point pass through the analyzer to which the voltage Vr is applied, and the detected secondary electron signal amount is changed according to the applied voltage Vr. In an electron beam tester that feeds back to the analysis voltage and measures the voltage waveform at the measurement point so that the difference between the quantity slice levels becomes 0, the convergence coefficient used to obtain the feedback voltage of the analysis voltage is measured voltage waveform. L
It is characterized in that it is obtained by the OW / HIGH phase level and is converted into a weighted convergence coefficient CC according to the LOW / HIGH phase level score ratio using the obtained two convergence coefficients, and is used as the initial value of the convergence coefficient for voltage waveform measurement. Convergence coefficient evaluation method.

【0066】上記の収束係数評価方法において、収
束係数評価と収束係数のS/N評価を同時に行い、測定
点の二次電子信号量のS/Nによらずに、所望の精度で
収束係数初期値を求めることを特徴とする収束係数評価
方法。
In the above-mentioned convergence coefficient evaluation method, the convergence coefficient evaluation and the S / N evaluation of the convergence coefficient are performed simultaneously, and the convergence coefficient initial value is obtained with a desired accuracy regardless of the S / N of the secondary electron signal amount at the measurement point. A convergence coefficient evaluation method characterized by obtaining a value.

【0067】上記の収束係数評価方法において、S
カーブとスライスレベルの交点を与える分析電圧Vr
近傍、Vr ±dVr の2点間でサンプリングした二次電
子信号量差ΔSを複数回求め、その平均値ΔSMEANとΔ
Sの分散σdsから、収束係数のS/Nを、 S/N=ΔSMEAN/3σds で求め、収束係数評価と収束係数精度の評価を同時に行
い、測定点の二次電子信号量のS/Nによらずに、所望
の精度で収束係数を求めることを特徴とする収束係数評
価方法。
In the above convergence coefficient evaluation method, S
The secondary electron signal amount difference ΔS sampled between two points of V r ± dV r near the analysis voltage V r that gives the intersection of the curve and the slice level is obtained a plurality of times, and the average values ΔS MEAN and ΔS
From the variance σ ds of S, the S / N of the convergence coefficient is obtained by S / N = ΔS MEAN / 3σ ds , the convergence coefficient evaluation and the convergence coefficient accuracy are evaluated simultaneously, and the S of the secondary electron signal amount at the measurement point is calculated. A convergence coefficient evaluation method, characterized in that the convergence coefficient is obtained with a desired accuracy regardless of / N.

【0068】上記の収束係数評価方法において、L
OW・HIGH位相レベルの収束係数をLOW・HIG
H位相レベルのSカーブを微分した微分Sカーブから求
め、求めた2つの収束係数を用いてLOW・HIGH位
相レベル点数比に応じた重み付収束係数CCに変換し、
電圧波形測定の収束係数初期値とすることを特徴とする
収束係数評価方法。等がある。
In the above convergence coefficient evaluation method, L
Set the convergence coefficient of the OW / HIGH phase level to LOW / HIG.
Obtained from the differential S curve obtained by differentiating the S curve of the H phase level, and using the obtained two convergence coefficients, it is converted into a weighted convergence coefficient CC according to the LOW / HIGH phase level score ratio,
A convergence coefficient evaluation method, characterized in that an initial value of the convergence coefficient of voltage waveform measurement is used. Etc.

【0069】[0069]

【発明の効果】以上、説明したように、第1の発明によ
れば、電子ビームテスタにおいて、スライスレベルを適
切に設定することが可能となり、電圧波形測定を安全か
つ正確に行うことができるという効果を奏する。
As described above, according to the first invention, the slice level can be appropriately set in the electron beam tester, and the voltage waveform measurement can be performed safely and accurately. Produce an effect.

【0070】また、第2の発明によれば、電子ビームテ
スタにおいて、スライスレベルを適切に補正することが
可能となり、電圧波形測定を安全かつ正確に行うことが
できるという効果を奏する。
According to the second invention, the slice level can be properly corrected in the electron beam tester, and the voltage waveform can be measured safely and accurately.

【0071】また、第3の発明のによれば、位相レベル
の比に応じた重みを付けた収束係数を求めることがで
き、正しいフィードバック制御が行われるので、動的な
スライスレベルの変動がなく適切な電圧波形測定を行う
ことができる。
According to the third aspect of the invention, the convergence coefficient weighted according to the phase level ratio can be obtained, and correct feedback control is performed, so that there is no dynamic slice level fluctuation. Appropriate voltage waveform measurement can be performed.

【0072】また、第4の発明によれば、収束係数のS
/Nを評価することができるので所望の精度で収束係数
を求めることができ、さらに測定の安定化を図ることが
できる。
According to the fourth invention, the convergence coefficient S
Since / N can be evaluated, the convergence coefficient can be obtained with desired accuracy, and the measurement can be stabilized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の実施例によるスライスレベルの補正方
法を説明するためのグラフ図である。
FIG. 1 is a graph illustrating a method of correcting a slice level according to an exemplary embodiment of the present invention.

【図2】電子ビームテスタの構成を示すブロック図であ
る。
FIG. 2 is a block diagram showing a configuration of an electron beam tester.

【図3】Sカーブがシフトした場合の判定波形を示すグ
ラフ図であり、(A)は従来法の場合を示し、(B)は
本発明の実施例の場合を示す。
3A and 3B are graphs showing determination waveforms when the S curve is shifted, where FIG. 3A shows the case of the conventional method and FIG. 3B shows the case of the embodiment of the present invention.

【図4】(A),(B)は、本発明の実施例によるスラ
イスレベルの補正方法を説明するためのグラフ図(微分
Sカーブ法を示し、求めた微分Sカーブと0レベルの交
点から遷移点を求める)である。
4A and 4B are graphs for explaining a slice level correction method according to an embodiment of the present invention (differential S-curve method is shown, and the obtained differential S-curve and the zero-level crossing point are shown). Find the transition point).

【図5】(A),(B)は、本発明の実施例によるスラ
イスレベルの補正方法を説明するためのグラフ図(微分
Sカーブ法を示し、求めた微分Sカーブの極大値に基づ
いてスライスレベルを設定する)である。
5 (A) and 5 (B) are graphs for explaining a slice level correction method according to an embodiment of the present invention (differential S curve method is shown, and based on the obtained maximum value of the differential S curve. Set the slice level).

【図6】(A),(B)は、本発明の実施例によるスラ
イスレベルの補正方法を説明するためのグラフ図(カー
ブシフト法を示す)である。
6A and 6B are graphs (showing a curve shift method) for explaining a slice level correction method according to an embodiment of the present invention.

【図7】電圧波形の判定波形を示すグラフ図であり、
(A)はスライスレベルが遷移点より下に設定された場
合(本発明の実施例)を示し、(B)はスライスレベル
が遷移点を越えて設定された場合(従来例)を示す。
FIG. 7 is a graph showing a determination waveform of a voltage waveform,
(A) shows the case where the slice level is set below the transition point (embodiment of the present invention), and (B) shows the case where the slice level is set beyond the transition point (conventional example).

【図8】Sカーブを説明するためのグラフ図であり、
(A)は理想的なSカーブを示し、(B)は収束係数α
の概念を示す。
FIG. 8 is a graph diagram for explaining an S curve,
(A) shows an ideal S curve, and (B) shows a convergence coefficient α.
Shows the concept of.

【図9】電圧波形の判定波形を示すグラフ図であり、
(A)は正しい収束係数で判定を行った場合を示し、
(B)は正しくない収束係数で測定を行った場合を示
す。
FIG. 9 is a graph showing a determination waveform of a voltage waveform,
(A) shows the case where the determination is made with the correct convergence coefficient,
(B) shows a case where measurement is performed with an incorrect convergence coefficient.

【図10】収束係数評価方法のフローチャート図であ
る。
FIG. 10 is a flowchart of a convergence coefficient evaluation method.

【図11】動的スライスレベルの判定結果の変動と電圧
波形の測定結果を示すグラフ図であり、(A)は最適な
収束係数で判定した場合を示し、(B)は誤差の大きい
収束係数で測定した場合を示す。
11A and 11B are graphs showing the fluctuation of the determination result of the dynamic slice level and the measurement result of the voltage waveform, in which FIG. 11A shows the case where the determination is made by the optimum convergence coefficient, and FIG. The measurement results are shown in.

【図12】Sカーブの形状変化を示すグラフ図であり、
(A)(B),(C)はそれぞれ、Sカーブの振幅低
下、シフト、ドリフトを示す。
FIG. 12 is a graph showing a change in shape of the S curve,
(A), (B), and (C) show the amplitude decrease, shift, and drift of the S curve, respectively.

【図13】従来法による補正スライスレベルを示すグラ
フ図であり、(A),(B),(C)は、それぞれ、S
カーブの振幅低下の場合、Sカーブの振幅低下+シフト
の場合、Sカーブの振幅低下+シフト+ドリフトの場合
を示す。
FIG. 13 is a graph showing a corrected slice level according to a conventional method, in which (A), (B), and (C) are S respectively.
In the case of the amplitude decrease of the curve, the case of the amplitude decrease of the S curve + shift, and the case of the amplitude decrease of the S curve + shift + drift are shown.

【図14】従来法によるスライスレベルの設定方法を示
すグラフ図であり、(A),(B),(C)は、それぞ
れ、理想Sカーブの場合、局所電界効果がある場合、従
来法によるスライスレベルの誤設定例を示す。
FIG. 14 is a graph showing a slice level setting method according to a conventional method, and (A), (B), and (C) show the conventional method when an ideal S-curve is used and when there is a local electric field effect. An example of erroneous slice level setting is shown.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

L …スライスレベル dSL…スライスレベルの補正量 C1 ,C2 …収束係数(C1 :変化前,C2 :変化後) Sb1,Sb2…ベースレベル(Sb1:変化前,Sb2:変化
後)
S L ... Slice level dSL ... Slice level correction amount C 1 , C 2 ... Convergence coefficient (C 1 : before change, C 2 : After change) S b1 , S b2 ... Base level (S b1 : before change, S b2 : After change)

Claims (14)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 試料の測定点に電子ビームを照射し、照
射点から放出される二次電子を検出し、二次電子信号量
を電圧値に変換することによって、試料の測定点の電圧
波形を測定する電子ビームテスタにおいて、二次電子の
エネルギ分析器に印加する電圧を変化させることによっ
て得られる測定点の電圧波形の各位相点での検出二次電
子信号量の変化曲線(Sカーブ)とスライスレベル(S
L )との交点を与える分析器印加電圧を求めることによ
って、二次電子信号量を電圧値に変換して、測定点の電
圧波形とする電子ビームテスタの電圧波形測定方法にお
いて、 前記変化曲線が飽和領域へ移行する遷移領域(遷移点)
を検出し、その遷移領域(遷移点)を越えないようにス
ライスレベルの初期設定レベルを設定することを特徴と
する電子ビームテスタの電圧波形測定方法。
1. A voltage waveform at a measurement point of a sample by irradiating the measurement point of the sample with an electron beam, detecting secondary electrons emitted from the irradiation point, and converting the secondary electron signal amount into a voltage value. Change curve (S curve) of the detected secondary electron signal quantity at each phase point of the voltage waveform at the measurement point obtained by changing the voltage applied to the secondary electron energy analyzer in the electron beam tester for measuring And slice level (S
In the voltage waveform measuring method of the electron beam tester, the secondary electron signal amount is converted into a voltage value by obtaining the analyzer applied voltage that gives the intersection with L ), and the change curve is Transition region (transition point) that transitions to the saturation region
Is detected, and the initial setting level of the slice level is set so as not to exceed the transition region (transition point).
【請求項2】 請求項1記載の電子ビームテスタの電圧
波形測定方法において、 前記変化曲線遷移領域(遷移点)を被測定波形のLOW
/HIGH位相で求めた変化曲線を微分した微分変化曲
線の波形から求めることを特徴とする電子ビームテスタ
の電圧波形測定方法。
2. The voltage waveform measuring method for an electron beam tester according to claim 1, wherein the transition region (transition point) of the change curve is LOW of the waveform to be measured.
/ A voltage waveform measuring method for an electron beam tester, characterized in that it is obtained from the waveform of a differential change curve obtained by differentiating the change curve obtained in the HIGH phase.
【請求項3】 請求項2記載の電子ビームテスタの電圧
波形測定方法において、 前記LOW/HIGH位相に対応する微分変化曲線から
遷移領域(遷移点)に対応する二次電子信号量S
max L,Smax Hを求め、Smax L,Smax Hのうち小
さいほうをSmax とし前記変化曲線のベースレベルをS
min としたとき、所望のスライスレベルX[%]を(S
max +Smin )X/100のレベルに設定することを特
徴とする電子ビームテスタの電圧波形測定方法。
3. The voltage waveform measuring method for an electron beam tester according to claim 2, wherein the secondary electron signal amount S corresponding to a transition region (transition point) from the differential change curve corresponding to the LOW / HIGH phase.
max L and S max H are obtained, and the smaller one of S max L and S max H is taken as S max, and the base level of the change curve is S
When min , the desired slice level X [%] is (S
max + S min ) A voltage waveform measuring method for an electron beam tester, characterized in that the level is set to X / 100.
【請求項4】 請求項1記載の電子ビームテスタの電圧
波形測定方法において、 遷移領域(遷移点)を検出することなく、LOW/HI
GH位相で求めた微分した前記変化曲線の極大値に対応
する二次電子信号レベルのうち小さいほうにスライスレ
ベルを設定することを特徴とする電子ビームテスタの電
圧波形測定方法。
4. The electron beam tester voltage waveform measuring method according to claim 1, wherein LOW / HI is obtained without detecting a transition region (transition point).
A method for measuring a voltage waveform of an electron beam tester, characterized in that the slice level is set to the smaller one of the secondary electron signal levels corresponding to the maximum value of the differentiated change curve obtained by the GH phase.
【請求項5】 請求項1乃至請求項4のうちいずれか1
項に記載の電子ビームテスタの電圧波形測定方法におい
て、 離散変化曲線を取得し、離散微分変化曲線として求める
ことで、取得時間の短縮,S/Nの向上を図ることを特
徴とする電子ビームテスタの電圧波形測定方法。
5. Any one of claims 1 to 4
In the voltage waveform measuring method for an electron beam tester described in the paragraph 3, the electron beam tester is characterized in that a discrete change curve is acquired and obtained as a discrete differential change curve to shorten the acquisition time and improve the S / N. Voltage waveform measurement method.
【請求項6】 請求項1記載の電子ビームテスタの電圧
波形測定方法において、前記変化曲線の遷移領域(遷移
点)を被測定波形のLOW/HIGH位相で求めた前記
変化曲線のシフト量から求めることを特徴とする電子ビ
ームテスタの電圧波形測定方法。
6. The voltage waveform measuring method for an electron beam tester according to claim 1, wherein the transition region (transition point) of the change curve is obtained from the shift amount of the change curve obtained by the LOW / HIGH phase of the waveform to be measured. A method for measuring a voltage waveform of an electron beam tester, comprising:
【請求項7】 試料の測定点に電子ビームを照射し、照
射点から放出される二次電子を検出し、二次電子信号量
を電圧値に変換することによって、試料の測定点の電圧
波形を測定する電子ビームテスタにおいて、二次電子の
エネルギ分析器に印加する電圧を変化させることによっ
て得られる測定点の電圧波形の各位相点での検出二次電
子信号量の変化曲線(Sカーブ)とスライスレベル(S
L )との交点を与える分析器印加電圧を求めることによ
って、二次電子信号量を電圧値に変換して、測定点の電
圧波形とする電子ビームテスタの電圧波形測定方法にお
いて、 電圧波形測定中に前記変化曲線の交点における収束係数
変化(変化曲線の傾きの逆数、C1 ,C2 )に基づいて
スライスレベルの補正量(dSL)を求め、前記補正量
(dSL)に基づいてスライスレベル(SL )の補正を
行うことを特徴とする電子ビームテスタの電圧波形測定
方法。
7. A voltage waveform at the measurement point of the sample by irradiating the measurement point of the sample with an electron beam, detecting secondary electrons emitted from the irradiation point, and converting the secondary electron signal amount into a voltage value. Change curve (S curve) of the detected secondary electron signal quantity at each phase point of the voltage waveform at the measurement point obtained by changing the voltage applied to the secondary electron energy analyzer in the electron beam tester for measuring And slice level (S
The voltage applied to the analyzer is converted to a voltage value by finding the voltage applied to the analyzer that gives the intersection with L ), and the voltage waveform is measured at the electron beam tester. Then, the slice level correction amount (dSL) is obtained based on the convergence coefficient change (the reciprocal of the slope of the change curve, C 1 , C 2 ) at the intersection of the change curve, and the slice level (dSL) based on the correction amount (dSL). A method for measuring a voltage waveform of an electron beam tester, characterized in that S L ) is corrected.
【請求項8】 請求項7記載の電子ビームテスタの電圧
波形測定方法において、 前記補正量(dSL)を求めるのは、前記変化曲線の振
幅変化を検出した場合であり、かつ、前記変化曲線の左
右へのシフトに対しては補正量を発生しないことを特徴
とする電子ビームテスタの電圧波形測定方法。
8. The voltage waveform measuring method for an electron beam tester according to claim 7, wherein the correction amount (dSL) is obtained when an amplitude change of the change curve is detected, and the change curve A voltage waveform measuring method for an electron beam tester, which is characterized in that a correction amount is not generated for left and right shifts.
【請求項9】 請求項7記載の電子ビームテスタの電圧
波形測定方法において、 前記補正量(dSL)を求めるのは、前記変化曲線の振
幅変化と前記変化曲線の上下へのドリフトが生じた場合
であり、その時のスライスレベルと前記変化曲線の交点
における収束係数変化(Sカーブの傾きの逆数、C1
2 )を計測して、スライスレベルの補正量(dSL)
を求めることを特徴とする電子ビームテスタの電圧波形
測定方法方法。
9. The method for measuring a voltage waveform of an electron beam tester according to claim 7, wherein the correction amount (dSL) is obtained when an amplitude change of the change curve and a vertical drift of the change curve occur. And the change in the convergence coefficient at the intersection of the slice level and the change curve at that time (the reciprocal of the slope of the S curve, C 1 ,
C 2) by measuring the amount of correction slice level (DSL)
A method for measuring a voltage waveform of an electron beam tester, which is characterized by:
【請求項10】 請求項9記載の電子ビームテスタの電
圧波形測定方法において、 前記収束係数(C1 ,C2 )からスライスレベルの補正
量(dSL)を求める際には、スライスレベルをSL
し、スライスレベルSL と前記変化曲線の交点における
収束係数をC1 とし、前記変化曲線のベースレベルをS
b1とし、前記変化曲線の変化後のスライスレベルSL
の収束係数をC2 とし、その時の前記変化曲線のベース
レベルをSb2とした場合、スライスレベルの補正量dS
Lを 【数1】 として求めることを特徴とする電子ビームテスタの電圧
波形測定方法。
10. A voltage waveform measuring method of an electron-beam tester of claim 9, wherein the convergence coefficient (C 1, C 2) when calculating a correction amount of the slice level (DSL) is a slice level S L And the convergence coefficient at the intersection of the slice level S L and the change curve is C 1, and the base level of the change curve is S 1.
If b1 and the convergence coefficient at the slice level S L after the change of the change curve are C 2 and the base level of the change curve at that time is S b2 , the slice level correction amount dS
Let L be A method for measuring a voltage waveform of an electron beam tester, characterized by:
【請求項11】 請求項9記載の電子ビームテスタの電
圧波形測定方法において、 前記変化曲線のベースレベル(Sb1,Sb2)の変動を無
視してSb2=Sb1とし、スライスレベルの補正量dSL
を以下の式で求め、 【数2】 さらに、ベースレベルをSb1の測定開始前に前記変化曲
線ベースレベルを測定しておくことによって、測定中に
おけるスライスレベルの補正量(dSL)を収束係数変
化C2 −C1 を調べることによって求めることを特徴と
する電子ビームテスタの電圧波形測定方法。
11. The electron beam tester voltage waveform measuring method according to claim 9, wherein the variation of the base levels (S b1 , S b2 ) of the change curve is ignored and S b2 = S b1 is set to correct the slice level. Amount dSL
Is calculated by the following formula, Further, the correction level (dSL) of the slice level during the measurement is obtained by measuring the convergence coefficient change C 2 -C 1 by measuring the change curve base level before the measurement of the base level S b1. A method for measuring a voltage waveform of an electron beam tester, comprising:
【請求項12】 試料の測定点に電子ビームを照射し、
照射点から放出される二次電子を検出し、二次電子信号
量を電圧値に変換することによって、試料の測定点の電
圧波形を測定する電子ビームテスタにおいて二次電子の
エネルギ分析器に印加する電圧を変化させることによっ
て得られる測定点の電圧波形の各位相点での検出二次電
子信号量の変化曲線とスライスレベルとの交点を与える
分析器印加電圧を求めることによって、二次電子信号量
を電圧値に変換して、測定点での電圧波形とする電子ビ
ームテスタの電圧波形測定方法において、 特定位相であるLOW位相レベルでの収束係数をCC
(LOW )とし、特定位相であるHIGH位相レベルでの
収束係数をCC(HIGH)とし、係数Pr=(HIGH位
相レベル点数/全位相点数)とした場合、求める収束係
数CC(重み付)を、 CC=CC(LOW )+(CC(HIGH)−CC(LOW ))
×Pr として求めることを特徴とする電子ビームテスタの電圧
波形測定方法。
12. A measurement point of a sample is irradiated with an electron beam,
It is applied to the secondary electron energy analyzer in the electron beam tester that measures the voltage waveform at the measurement point of the sample by detecting the secondary electrons emitted from the irradiation point and converting the secondary electron signal amount into a voltage value. The secondary electron signal is obtained by determining the analyzer applied voltage that gives the intersection of the change curve of the detected secondary electron signal amount at each phase point of the voltage waveform at the measurement point obtained by changing the voltage In the voltage waveform measurement method of the electron beam tester, which converts the amount into a voltage value and uses it as the voltage waveform at the measurement point, the convergence coefficient at the LOW phase level, which is the specific phase, is CC
When (LOW) and the convergence coefficient at the HIGH phase level that is the specific phase is CC (HIGH) and the coefficient Pr = (HIGH phase level score / total phase score), the desired convergence coefficient CC (with weight) is CC = CC (LOW) + (CC (HIGH) -CC (LOW))
A method for measuring a voltage waveform of an electron beam tester, characterized in that x Pr is obtained.
【請求項13】 請求項12記載の電子ビームテスタの
電圧波形測定方法において、 前記特定位相における分析電圧差をΔVr とし、当該分
析電圧差ΔVrを有する2つのサンプリング点における
複数回のサンプリングによる二次電子信号量の差ΔSの
平均値をΔSMEANとし、そのノイズ成分をεとし、か
つ、 ε/ΔSMEAN<<1 である場合に、求める前記特定位相における収束係数C
を、 C=(ΔVr /ΔSMEAN)+(ΔVr /SMEAN)×(ε
/ΔSMEAN)=CMEAN+CMEAN×(ε/ΔSMEAN) (但し、CMEANは複数回のサンプリングによる収束係数
の平均値)として求めることを特徴とする電子ビームテ
スタの電圧波形測定方法。
13. The method for measuring a voltage waveform of an electron beam tester according to claim 12, wherein the analysis voltage difference in the specific phase is ΔV r, and two sampling points having the analysis voltage difference ΔVr are sampled a plurality of times. When the average value of the difference ΔS of the secondary electron signal amount is ΔS MEAN , its noise component is ε, and ε / ΔS MEAN << 1, the convergence coefficient C at the specific phase to be obtained is obtained.
C = (ΔV r / ΔS MEAN ) + (ΔV r / S MEAN ) × (ε
/ ΔS MEAN ) = C MEAN + C MEAN × (ε / ΔS MEAN ) (where C MEAN is the average value of the convergence coefficient obtained by sampling a plurality of times).
【請求項14】 請求項13記載の電子ビームテスタの
電圧波形測定方法であって、 複数回のサンプリングによる二次電子信号量の差ΔSの
分散をσdsとした場合に、収束係数のS/Nを、 S/N〓ΔSMEAN/3σds とし、このS/Nに基づいて収束係数を評価することを
特徴とする電子ビームテスタの電圧波形測定方法。
14. The method of measuring a voltage waveform of an electron beam tester according to claim 13, wherein when the dispersion of the difference ΔS in the secondary electron signal amount due to a plurality of samplings is σ ds , the convergence coefficient S / A voltage waveform measuring method for an electron beam tester, wherein N is S / N〓ΔS MEAN / 3σ ds and the convergence coefficient is evaluated based on this S / N.
JP18626193A 1993-07-28 1993-07-28 Voltage measurement method for electron beam tester Expired - Fee Related JP3348739B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP18626193A JP3348739B2 (en) 1993-07-28 1993-07-28 Voltage measurement method for electron beam tester

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP18626193A JP3348739B2 (en) 1993-07-28 1993-07-28 Voltage measurement method for electron beam tester

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0745674A true JPH0745674A (en) 1995-02-14
JP3348739B2 JP3348739B2 (en) 2002-11-20

Family

ID=16185189

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP18626193A Expired - Fee Related JP3348739B2 (en) 1993-07-28 1993-07-28 Voltage measurement method for electron beam tester

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3348739B2 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109633243A (en) * 2019-01-22 2019-04-16 中国科学院上海应用物理研究所 A kind of accurate extracting method of beam current signal peak amplitude based on leggy sampling
CN112289698A (en) * 2020-10-28 2021-01-29 天合光能股份有限公司 Calibration method of sliced battery standard slice

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109633243A (en) * 2019-01-22 2019-04-16 中国科学院上海应用物理研究所 A kind of accurate extracting method of beam current signal peak amplitude based on leggy sampling
CN109633243B (en) * 2019-01-22 2021-06-18 中国科学院上海应用物理研究所 Beam signal peak amplitude accurate extraction method based on multiphase sampling
CN112289698A (en) * 2020-10-28 2021-01-29 天合光能股份有限公司 Calibration method of sliced battery standard slice

Also Published As

Publication number Publication date
JP3348739B2 (en) 2002-11-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6384408B1 (en) Calibration of a scanning electron microscope
TWI405979B (en) Probability density function separating apparatus, probability density function separating method, noise separating apparatus, noise separating method, testing apparatus, testing method, calculating apparatus, calculating method, program, and recording m
JP3348739B2 (en) Voltage measurement method for electron beam tester
EP0740234A2 (en) Delta-T measurement circuit
EP0505280B1 (en) A method of measuring a voltage with an electron beam apparatus
US5093616A (en) Voltage measurement method using electron beam
Solomon et al. Comparison of some algorithms to estimate the low and high state level of pulses
Grant et al. Corrections of auger electron signal strengths for modulation amplitude distortion in a 4-grid retarding potential energy analyzer
JP2986974B2 (en) Electron beam tester
US6925415B2 (en) Method and system for measuring characteristics of liquid crystal display driver chips
US5486769A (en) Method and apparatus for measuring quantitative voltage contrast
JP3145497B2 (en) Voltage waveform measurement method using electron beam tester
Dubé et al. Analysis of the first Feshbach resonances in electron collisions in rare gases
SU1274028A1 (en) Device for measuring surface potential in scanning electron microscope
US4642566A (en) Method for the registration and representation of signals in the interior of integrated circuits by considering edge steepness and apparatus for implementing the method
JPH05251529A (en) Inspecting equipment for semiconductor integrated circuit device and controlling method therefor
US6445197B1 (en) Electron beam tester, recording medium therefor and signal data detecting method
JP2000156390A (en) Electron beam tester and setting method therefor
Gmuca et al. Low energy accelerator calibration using EBS resonances
JPH063406A (en) Method and system for measurement of operational signal
JPS6267831A (en) Electron beam device
SU1058006A1 (en) Device for measuring surface potential in scanning electron microscope
JPS61290313A (en) Solid shape measuring apparatus
JPH1050244A (en) Beam detection signal processing circuit
JPH05226433A (en) Voltage measuring device

Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20011016

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20020827

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080913

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080913

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090913

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090913

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100913

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100913

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110913

Year of fee payment: 9

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees