JPH0734445B2 - Ic搭載用可撓性回路基板の製造法 - Google Patents

Ic搭載用可撓性回路基板の製造法

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JPH0734445B2
JPH0734445B2 JP2261133A JP26113390A JPH0734445B2 JP H0734445 B2 JPH0734445 B2 JP H0734445B2 JP 2261133 A JP2261133 A JP 2261133A JP 26113390 A JP26113390 A JP 26113390A JP H0734445 B2 JPH0734445 B2 JP H0734445B2
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    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/03Use of materials for the substrate
    • H05K1/0393Flexible materials
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/40Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K3/4007Surface contacts, e.g. bumps

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  • Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
  • Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 「産業上の利用分野」 本発明は、プリント配線基板に於けるIC搭載用可撓性回
路基板の製造法に関する。
「従来技術とその問題点」 第3図に示すように、絶縁基材1の一面に形成した所定
の回路配線パターン2の所要部位に上記絶縁基材1を貫
通して電気的に接合された導電性部材3を設け、この導
電性部材3が上記絶縁基材の他面から突出してICボンデ
ィングのためのバンプ4を形成するIC搭載用可撓性回路
基板に於いては、先ず、絶縁基材1を貫通する孔5を穿
設し、該孔5に銅メッキ等からなる充填・付着処理を施
して導電性部材3及びバンプ4を形成するという手法が
ある。この場合、絶縁基材1を薄くできればメッキ処理
時間を短縮できるという効果があるが、絶縁基材1を薄
くすると、回路基板全体の取扱い性、ハンドリング性が
低下する問題がある。
「発明の目的及び構成」 そこで、本発明は、絶縁基材の一面に形成した所定の回
路配線パターンの所要部位に上記絶縁基材を貫通して電
気的に接合された導電性部材を設け、この導電性部材が
上記絶縁基材の他面から突出してICボンディングのため
のバンプを形成するIC搭載用可撓性回路基板に於いて、
前記バンプを形成した絶縁基材に、IC搭載域に対応して
IC搭載用陥部を設けたことを特徴とするIC搭載用可撓性
回路基板の為の製造法を提供するものである。
また、その為の製造手段として本発明に於いては、可撓
性絶縁基材の一方面に所要の回路配線パターンを形成す
ると共に該基材の他方面に対して上記回路配線パターン
との関連で露出孔を設けマスクメタルパターンを形成
し、該マスクメタルパターン側にエキシマレーザによる
フォトアブレーション加工を施して上記露出孔の部位の
上記絶縁基材に中間孔を形成し、上記マスクメタルパタ
ーンの表面に搭載すべきICの設置域に対応する部位を除
いてフォトレジスト膜を形成し、次いで上記IC設置域に
位置するマスクメタルパターン部分を除去した後、エキ
シマレーザによるフォトアブレーション処理を加えて上
記中間孔から上記回路配線パターンに達する穿孔と上記
IC設置域に位置する部位に陥部を形成し、最後に上記穿
孔に導電性部材を設けて上記回路配線パターンと接続さ
れて突出形成絶されるバンプを形成する工程を備える手
法が採用される。
「作用」 本発明の製造法により製作されるIC搭載用可撓性回路基
板によれば、バンプを形成した可撓性絶縁基材に、IC搭
載域に対応してIC搭載用陥部を設けることにより、IC搭
載用の可撓性回路基板の全体として厚さを変えないで、
ハンドリング性を損なう虞なく、また、バンプを形成す
るために絶縁基材に穿設した孔の深さを浅く形成できる
のでメッキ処理時間を短縮できると共に、搭載するICを
陥部によって位置決めすることができる作用がある。
「実施例」 以下、図示の実施例により、本発明の製造法により製作
されたIC搭載用可撓性回路基板を詳細に説明すると、第
1図に於いて、11は、ポリイミド、ポリエステル、ガラ
スエポキシ等の絶縁シート材からなる絶縁基材で、その
一面に銅箔、アルミ箔等の金属箔膜からなる回路配線パ
ターン12が設けてある。回路配線パターン12の所要部位
に対応する絶縁基材11の他面には、IC搭載用の陥部10が
設けてあり、該陥部10内の所要位置に絶縁基材11を貫通
する孔15を設け、該孔15に金、銅、錫、鉛、錫合金等か
らなる導電性メッキ部材を充填処理して、回路パターン
12と導通接続する導電性部材13と、上記絶縁基材11の他
面から突出したICボンディングの為のバンプ14とが形成
してある。
上記の構成からなる本発明実施例のIC搭載用可撓性回路
基板の製造工程を、第2図の(1)〜(5)に順次に示
してある。同図(1)に於いて、可撓性絶縁基材11の一
面には回路配線パターン12が、他面には所定の穿孔部位
の露出孔17を有するマスクメタルパターン16が常法のパ
ターンニング処理手段により同時的に構成される。次い
で、同図(2)に於いて、絶縁基材11のマスクメタルパ
ターン16側にエキシマレーザAによるフォトアブレーシ
ョン加工が施され、前記露出孔17部位に中間孔18が穿設
される。ここで、図の(3)において、前記マスクメタ
ルパターン16の表面に、搭載すべきICの設置域に対応す
るIC設置孔20を有するフォトレジスト膜19を被膜処理
し、更に、同図(4)にて、先ず、化学的処理によりIC
設置孔20内のマスクメタルパターン16を除去し、次にエ
キシマレーザBによるフォトアブレーションにより前記
中間孔18の部位に穿孔15と、その周囲に中間孔18の深さ
に相当するIC搭載用陥部10とを穿設する。そして、同図
(5)に於いて、化学的処理によりフォトレジスト膜19
を除去した後、穿孔15へのメッキ充填と付着処理加工に
より、導電性部材13とバンプ14を設けることにより、本
発明に係るIC搭載用可撓性回路基板が完成する。
なお、第2図(1)の回路基板は、例えば、ポリイミド
両面無接着銅張板等からなる両面無接着剤可撓性導電積
層板を素材として構成してあるから、結果として、中央
の絶縁基剤11と回路配線パターン12との間に接着剤層が
存在しないが、回路配線パターン12と絶縁基材11の間に
接着剤層が存在するものを採用しても本発明の構成及び
効果に変わりはなく、この場合も本発明の手法を同様に
適用することが可能である。
「効果」 以上のとおり、本発明の製造法により製作されたIC搭載
用可撓性回路基板によれば、絶縁基材の一面に形成した
所定の回路配線パターンの所要部位に上記絶縁基材を貫
通して電気的に接合された導電性部材を設け、この導電
性部材が上記絶縁基材の他面から突出してICボンディン
グのためのバンプを形成するIC搭載用可撓性回路基板に
於いて、前記バンプを形成した絶縁基材に、IC搭載域に
対応してIC搭載用陥部を設けた構成を有するから、IC搭
載用陥部を設けることによって、バンプを形成するため
に絶縁基材に穿設した孔の深さを浅く形成でき、従って
バンプ形成のためのメッキ処理時間を短縮できる。
また、搭載するICを陥部によって位置決めすることがで
きる効果があると共に、IC搭載用の陥部は、回路基板の
一部に形成するにすぎないから全体の絶縁基材の厚さと
強度には影響はなく、回路基板全体としてのハンドリン
グ性を損なう恐れもない。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の製造法により製作されたIC搭載用可撓
性回路基板の一実施例の要部を概念的に示す断面構成
図、 第2図(1)〜(5)はその実施例の一製造工程図であ
り、そして、 第3図は本発明が解決しようとする問題点を含む技術例
を示す断面構成図である。 10:IC搭載用凹溝 11:絶縁基材 12:回路配線パターン 13:導電性部材 14:バンプ 15:穿孔 16:メタルマスクパターン 17:露出孔 18:中間孔 19:フォトレジスト膜

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】可撓性絶縁基材の一方面に所要の回路配線
    パターンを形成すると共に該基材の他方面に対して上記
    回路配線パターンとの関連で露出孔を設けたマスクメタ
    ルパターンを形成し、該マスクメタルパターン側にエキ
    シマレーザによるフォトアブレーション加工を施して上
    記露出孔の部位の上記絶縁基材に中間孔を形成し、上記
    マスクメタルパターンの表面に搭載すべきICの設置域に
    対応する部位を除いてフォトレジスト膜を形成し、次い
    で上記IC設置域に位置するマスクメタルパターン部分を
    除去した後、エキシマレーザによるフォトアブレーショ
    ン処理を加えて上記中間孔から上記回路配線パターンに
    達する穿孔と上記IC設置域に位置する部位に陥部を形成
    し、最後に上記穿孔に導電性部材を設けて上記回路配線
    パターンと接続されて突出形成されるバンプを形成する
    工程を備えるIC搭載用可撓性回路基板の製造法。
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