JPH07297033A - インダクタンス素子及びその製造方法 - Google Patents
インダクタンス素子及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH07297033A JPH07297033A JP9140094A JP9140094A JPH07297033A JP H07297033 A JPH07297033 A JP H07297033A JP 9140094 A JP9140094 A JP 9140094A JP 9140094 A JP9140094 A JP 9140094A JP H07297033 A JPH07297033 A JP H07297033A
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- Japan
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- inductance element
- conductive film
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- Manufacturing Cores, Coils, And Magnets (AREA)
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 構造が簡単になり、しかもコイル部の緩みな
どが生じないので、生産性が向上ししかも特性のばらつ
きを生じないインダクタンス素子及びその製造方法を提
供する事を目的としている。 【構成】 基体７を基台８の上に導電膜９を設けて形成
し、基体７に溝１０を形成する事によってインダクタン
スを形成する。この溝１０を覆うように保護部材１２を
設ける。
どが生じないので、生産性が向上ししかも特性のばらつ
きを生じないインダクタンス素子及びその製造方法を提
供する事を目的としている。 【構成】 基体７を基台８の上に導電膜９を設けて形成
し、基体７に溝１０を形成する事によってインダクタン
スを形成する。この溝１０を覆うように保護部材１２を
設ける。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、移動体通信機器等の電
子機器等に用いられるインダクタンス素子及びその製造
方法に関するものである。
子機器等に用いられるインダクタンス素子及びその製造
方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図７は従来のインダクタンス素子を示す
断面図である。図７において、１はフェライト等から構
成された磁芯、２は磁芯１に巻かれたコイル、５は端子
台であり、端子台５には一定の金属片３，４が嵌合され
ている。また磁芯１は端子台５の上に固定されており、
更にコイル２の両端は金属片３，４にそれぞれ接続され
ている。６は金属片３，４とコイル２の両端の接合部及
び磁芯１を覆う様に設けられたモールド材である。
断面図である。図７において、１はフェライト等から構
成された磁芯、２は磁芯１に巻かれたコイル、５は端子
台であり、端子台５には一定の金属片３，４が嵌合され
ている。また磁芯１は端子台５の上に固定されており、
更にコイル２の両端は金属片３，４にそれぞれ接続され
ている。６は金属片３，４とコイル２の両端の接合部及
び磁芯１を覆う様に設けられたモールド材である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら前記従来
の構成では、インダクタンス素子自体の構造が非常に複
雑であるために非常に製造工程が複雑になり生産性が向
上しないという問題点があった。更に、ナノヘンリー域
のインダクタンス値を有するインダクタンス素子を作製
しようとすると、導線の巻き具合い等によってインダク
タンス値が変化してしまう事があり特性のばらつきが大
きかった。
の構成では、インダクタンス素子自体の構造が非常に複
雑であるために非常に製造工程が複雑になり生産性が向
上しないという問題点があった。更に、ナノヘンリー域
のインダクタンス値を有するインダクタンス素子を作製
しようとすると、導線の巻き具合い等によってインダク
タンス値が変化してしまう事があり特性のばらつきが大
きかった。
【０００４】本発明は前記従来の課題を解決するもの
で、生産性が向上ししかも特性のばらつきを生じないイ
ンダクタンス素子及びその製造方法を提供する事を目的
としている。
で、生産性が向上ししかも特性のばらつきを生じないイ
ンダクタンス素子及びその製造方法を提供する事を目的
としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するする
ために、基台の上に導電膜を設けた基体と、導電膜を取
り除く様に基体に設けられた溝と、溝を覆うように設け
られた保護部材を備えた構成とした。
ために、基台の上に導電膜を設けた基体と、導電膜を取
り除く様に基体に設けられた溝と、溝を覆うように設け
られた保護部材を備えた構成とした。
【０００６】
【作用】この構成により、構造が簡単になり、しかもコ
イル部の緩みなどが生じない。
イル部の緩みなどが生じない。
【０００７】
【実施例】図１は本発明の一実施例におけるインダクタ
ンス素子を示す斜視図である。図１において、７は基体
で、基体７は図２，図３に示す様に非導電性材料で構成
された基台８と、基台８の上に形成された導電膜９によ
って構成されている。基台８としてはＡｌ2 Ｏ3 ，Ｓｉ
Ｏ2 ，ＴｉＯ2 等の材料を混合して作製されている。基
台８として上記材料を用いると、強度や熱伝導度の点で
優れている。
ンス素子を示す斜視図である。図１において、７は基体
で、基体７は図２，図３に示す様に非導電性材料で構成
された基台８と、基台８の上に形成された導電膜９によ
って構成されている。基台８としてはＡｌ2 Ｏ3 ，Ｓｉ
Ｏ2 ，ＴｉＯ2 等の材料を混合して作製されている。基
台８として上記材料を用いると、強度や熱伝導度の点で
優れている。
【０００８】又基台８の形状として、本実施例では四角
柱（図２のＡ寸法とＢ寸法はほとんど同じ）のものを採
用したが、円柱等の他の形状でもよい。基台８の形状を
四角柱にすると、面実装の際にプリント基板に対するす
わりや位置ずれが生じにくく、更にマンハッタン減少と
呼ばれる素子立ち等が防止できる点で優れている。
柱（図２のＡ寸法とＢ寸法はほとんど同じ）のものを採
用したが、円柱等の他の形状でもよい。基台８の形状を
四角柱にすると、面実装の際にプリント基板に対するす
わりや位置ずれが生じにくく、更にマンハッタン減少と
呼ばれる素子立ち等が防止できる点で優れている。
【０００９】また、基台８の角部は、面取りを施した方
が好ましい。即ち基台８上に導電膜９を形成する際に、
角部が尖っていると角部に形成される導電膜９の膜厚は
薄くなり良好な特性を得ることができない。
が好ましい。即ち基台８上に導電膜９を形成する際に、
角部が尖っていると角部に形成される導電膜９の膜厚は
薄くなり良好な特性を得ることができない。
【００１０】導電膜９としては、金，銀，銅等の導電材
料で構成されるが、これら材料で構成された導電膜は特
性的にもあまり差はないので、コスト的に有利な銅で導
電膜９を形成する事が好ましい。
料で構成されるが、これら材料で構成された導電膜は特
性的にもあまり差はないので、コスト的に有利な銅で導
電膜９を形成する事が好ましい。
【００１１】また導電膜９は単層でなく、複数の導電膜
９を積層して構成してもよい。導電膜９の厚みｔとして
は、１５μｍ〜２０μｍの間が好ましい。即ち図６に示
す様に導電膜９の厚みｔとインダクタンス特性Ｑとの関
係から１５μｍ以下ではＱが低く２０μｍ以上ではＱの
向上が見られないからである。なお、導電膜９を複数の
膜を積層して構成した場合には、複数の膜のトータル厚
みが１５μｍ〜２０μｍとなるように構成する。
９を積層して構成してもよい。導電膜９の厚みｔとして
は、１５μｍ〜２０μｍの間が好ましい。即ち図６に示
す様に導電膜９の厚みｔとインダクタンス特性Ｑとの関
係から１５μｍ以下ではＱが低く２０μｍ以上ではＱの
向上が見られないからである。なお、導電膜９を複数の
膜を積層して構成した場合には、複数の膜のトータル厚
みが１５μｍ〜２０μｍとなるように構成する。
【００１２】導電膜９を基台８上に形成する方法として
は、無電界鍍金法やスパッタリング法等の薄膜形成技術
が用いられる。
は、無電界鍍金法やスパッタリング法等の薄膜形成技術
が用いられる。
【００１３】この様に構成された基体７には図４，図５
に示す様に螺旋状に溝１０が設けられている。この溝１
０は導電膜９を完全に切断する様に形成されているの
で、この溝１０を設けた部分はコイル状に導電膜９が残
る事になる（この様な加工によって導電膜９自体に従来
の巻線のコイルに対応する部分を形成できる）。
に示す様に螺旋状に溝１０が設けられている。この溝１
０は導電膜９を完全に切断する様に形成されているの
で、この溝１０を設けた部分はコイル状に導電膜９が残
る事になる（この様な加工によって導電膜９自体に従来
の巻線のコイルに対応する部分を形成できる）。
【００１４】この溝１０の形成は、レーザー加工や砥石
加工等によって形成される。レーザー加工で溝１０を施
す場合には、出力は１０Ｗ〜５０Ｗ程度に設定する事が
好ましい。更にレーザー加工や砥石加工によって溝１０
を形成する場合には、基体７自体を回転させる事が好ま
しい。従って基体７の両端に窪み部１１を形成し、この
窪み部１１に回転軸などを押し当てる事によって、基体
７を均一にしかも精度良く回転させる事ができるので、
溝１０を精度良く形成する事ができ特性のばらつきを小
さくする事ができる。
加工等によって形成される。レーザー加工で溝１０を施
す場合には、出力は１０Ｗ〜５０Ｗ程度に設定する事が
好ましい。更にレーザー加工や砥石加工によって溝１０
を形成する場合には、基体７自体を回転させる事が好ま
しい。従って基体７の両端に窪み部１１を形成し、この
窪み部１１に回転軸などを押し当てる事によって、基体
７を均一にしかも精度良く回転させる事ができるので、
溝１０を精度良く形成する事ができ特性のばらつきを小
さくする事ができる。
【００１５】又、図５に示す様に溝１０の深さＪは導電
膜９の厚みを１５μｍ〜２０μｍとすると２５μｍ〜３
０μｍとする事が好ましい。深さＪを２５μｍ以下とす
ると、導電膜９を完全に切断する事ができない事があ
り、更に３０μｍ以上とすると基台８の機械的強度が低
下する等の問題点が発生する事がある。
膜９の厚みを１５μｍ〜２０μｍとすると２５μｍ〜３
０μｍとする事が好ましい。深さＪを２５μｍ以下とす
ると、導電膜９を完全に切断する事ができない事があ
り、更に３０μｍ以上とすると基台８の機械的強度が低
下する等の問題点が発生する事がある。
【００１６】更に図５に示す様に、溝１０の幅Ｇと溝１
０の間に残った導電膜９の間隔Ｈの関係はＧ≦１．５×
Ｈを満たす事が好ましい。この関係外の時はインダクタ
ンス特性Ｑが悪くなる。
０の間に残った導電膜９の間隔Ｈの関係はＧ≦１．５×
Ｈを満たす事が好ましい。この関係外の時はインダクタ
ンス特性Ｑが悪くなる。
【００１７】１２は導電膜９の溝１０が形成された部分
に設けられた絶縁性を有する保護部材で、保護部材１２
はレジストインキやエポキシ樹脂等の材料で構成され
る。保護部材１２の構成材料としてレジストインキを用
いると薄く均一な保護部材１２を形成できるので、特性
にばらつきを防止できるとともに実装性をも向上させる
事ができる。この保護部材１２を基体７の両端部を避け
て略中央部に設ける事によって、前記両端部は端子部１
３，１４となる。この端子部１３，１４を基板の所定の
位置に配置して、リフロー等を行うことによってインダ
クタンス素子を基板上に取り付ける事ができる。
に設けられた絶縁性を有する保護部材で、保護部材１２
はレジストインキやエポキシ樹脂等の材料で構成され
る。保護部材１２の構成材料としてレジストインキを用
いると薄く均一な保護部材１２を形成できるので、特性
にばらつきを防止できるとともに実装性をも向上させる
事ができる。この保護部材１２を基体７の両端部を避け
て略中央部に設ける事によって、前記両端部は端子部１
３，１４となる。この端子部１３，１４を基板の所定の
位置に配置して、リフロー等を行うことによってインダ
クタンス素子を基板上に取り付ける事ができる。
【００１８】なお、端子部１３，１４に半田等の接合材
が付着すると、端子部１３，１４上に設けられた導電膜
９が劣化し、所定の特性を得る事ができない場合がある
ので、端子部１３，１４上にニッケル等の接合材と接触
しても特性が劣化しにくい導電膜を積層してもよい。
が付着すると、端子部１３，１４上に設けられた導電膜
９が劣化し、所定の特性を得る事ができない場合がある
ので、端子部１３，１４上にニッケル等の接合材と接触
しても特性が劣化しにくい導電膜を積層してもよい。
【００１９】以上の様に本実施例では、基体７上に溝１
０を形成する事によってインダクタンス特性を出すよう
にしたので、部品点数が減り非常に構成が簡単になるの
で、生産性が向上する。更に本実施例では従来発生して
いたコイルの緩み等は発生しないので、ナノヘンリー域
のインダクタンス値に設定しても特性に変化がなく特性
のばらつきが発生しない。
０を形成する事によってインダクタンス特性を出すよう
にしたので、部品点数が減り非常に構成が簡単になるの
で、生産性が向上する。更に本実施例では従来発生して
いたコイルの緩み等は発生しないので、ナノヘンリー域
のインダクタンス値に設定しても特性に変化がなく特性
のばらつきが発生しない。
【００２０】
【発明の効果】本発明は、基台の上に導電膜を設けた基
体と、導電膜を取り除く様に基体に設けられた溝と、溝
を覆うように設けられた保護部材を備えた事により、構
造が簡単になり、しかもコイル部の緩みなどが生じない
ので、生産性が向上ししかも特性のばらつきを生じな
い。
体と、導電膜を取り除く様に基体に設けられた溝と、溝
を覆うように設けられた保護部材を備えた事により、構
造が簡単になり、しかもコイル部の緩みなどが生じない
ので、生産性が向上ししかも特性のばらつきを生じな
い。
【図１】本発明の一実施例におけるインダクタンス素子
を示す斜視図
を示す斜視図
【図２】本発明の一実施例におけるインダクタンス素子
を示す斜視図
を示す斜視図
【図３】本発明の一実施例におけるインダクタンス素子
を示す断面図
を示す断面図
【図４】本発明の一実施例におけるインダクタンス素子
を示す斜視図
を示す斜視図
【図５】本発明の一実施例におけるインダクタンス素子
を示す断面図
を示す断面図
【図６】本発明の一実施例におけるインダクタンス素子
の導電膜の厚さとインダクタンス特性Ｑの関係を示すグ
ラフ
の導電膜の厚さとインダクタンス特性Ｑの関係を示すグ
ラフ
【図７】従来のインダクタンス素子を示す断面図
７ 基体 ８ 基台 ９ 導電膜 １０ 溝 １１ 窪み部 １２ 保護部材 １３，１４ 端子部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐藤 紀哉 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (15)
- 【請求項１】非導電材料で構成された基台の上に導電膜
を設けた基体と、前記導電膜を取り除く様に前記基体に
設けられた溝と、前記溝を覆うように前記基体上に設け
られた保護部材を備えた事を特徴とするインダクタンス
素子。 - 【請求項２】導電膜の厚さを１５μｍ〜２０μｍとした
事を特徴とする請求項１記載のインダクタンス素子。 - 【請求項３】溝の深さを２５μｍ〜３０μｍとした事を
特徴とする請求項２記載のインダクタンス素子。 - 【請求項４】溝の幅Ｇと前記溝の間に残った導電膜の間
隔Ｈの関係をＧ≦１．５×Ｈとした事を特徴とする請求
項３記載のインダクタンス素子。 - 【請求項５】基台の形状を四角柱とするとともに角部を
面取りした事を特徴とする請求項１記載のインダクタン
ス素子。 - 【請求項６】基台の両端面に窪み部を備えた事を特徴と
する請求項１記載のインダクタンス素子。 - 【請求項７】保護部材を基台の両端部がむき出しになる
ように前記基台上に設け、前記両端部を端子部とした事
を特徴とする請求項１記載のインダクタンス素子。 - 【請求項８】端子部の上に特性の劣化しにくい導電膜を
設けた事を特徴とする請求項７記載のインダクタンス素
子。 - 【請求項９】基体の両端部の導電膜が電気的に接続する
様に溝をスパイラル状に設けた事を特徴とする請求項１
記載のインダクタンス素子。 - 【請求項１０】非導電材料で構成された基台の上に導電
膜を膜付けして基体を形成し、前記基体に溝加工を施
し、前記溝加工を施した部分に保護部材を形成すること
を特徴とするインダクタンス素子の製造方法。 - 【請求項１１】溝加工をレーザーで行った事を特徴とす
る請求項１０記載のインダクタンス素子の製造方法。 - 【請求項１２】レーザーの出力を１０Ｗ〜５０Ｗとした
事を特徴とする請求項１１記載のインダクタンス素子の
製造方法。 - 【請求項１３】溝加工を砥石を用いて行った事を特徴と
する請求項１０記載のインダクタンス素子の製造方法。 - 【請求項１４】導電膜を鍍金法によって形成する事を特
徴とする請求項１０記載のインダクタンス素子の製造方
法。 - 【請求項１５】基体を回転させて溝加工を施した事を特
徴とする請求項１０記載のインダクタンス素子の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06091400A JP3140291B2 (ja) | 1994-04-28 | 1994-04-28 | インダクタンス素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06091400A JP3140291B2 (ja) | 1994-04-28 | 1994-04-28 | インダクタンス素子 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17793799A Division JP3538340B2 (ja) | 1999-06-24 | 1999-06-24 | インダクタンス素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07297033A true JPH07297033A (ja) | 1995-11-10 |
| JP3140291B2 JP3140291B2 (ja) | 2001-03-05 |
Family
ID=14025338
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP06091400A Expired - Fee Related JP3140291B2 (ja) | 1994-04-28 | 1994-04-28 | インダクタンス素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3140291B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5963119A (en) * | 1996-10-11 | 1999-10-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electric component having conductor film formed on insulative base |
| US6609009B1 (en) | 1999-04-26 | 2003-08-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electronic component and radio terminal using the same |
| US6621378B2 (en) | 2000-06-15 | 2003-09-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Filter |
| US6946945B2 (en) | 2001-10-03 | 2005-09-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electronic component and method of manufacturing the same |
-
1994
- 1994-04-28 JP JP06091400A patent/JP3140291B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5963119A (en) * | 1996-10-11 | 1999-10-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electric component having conductor film formed on insulative base |
| US6131041A (en) * | 1996-10-11 | 2000-10-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Wireless terminal equipment including electric component having conductor film formed on insulative base |
| US6609009B1 (en) | 1999-04-26 | 2003-08-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electronic component and radio terminal using the same |
| US6621378B2 (en) | 2000-06-15 | 2003-09-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Filter |
| US6946945B2 (en) | 2001-10-03 | 2005-09-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electronic component and method of manufacturing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3140291B2 (ja) | 2001-03-05 |
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Legal Events
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