JPH07281062A - Semiconductor laser module - Google Patents

Semiconductor laser module

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JPH07281062A
JPH07281062A JP9804994A JP9804994A JPH07281062A JP H07281062 A JPH07281062 A JP H07281062A JP 9804994 A JP9804994 A JP 9804994A JP 9804994 A JP9804994 A JP 9804994A JP H07281062 A JPH07281062 A JP H07281062A
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JP
Japan
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lens
semiconductor laser
laser
holding
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JP9804994A
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Japanese (ja)
Inventor
Takahiro Matsubara
Yasuyuki Watanabe
孝宏 松原
泰之 渡辺
Original Assignee
Nippon Sheet Glass Co Ltd
日本板硝子株式会社
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Abstract

PURPOSE:To restrain the beam size within a standard range to different plural emitting distances regardless of dispersion of an emitting light characteristic of a semiconductor laser by actively controlling the emitting beam size, remove aberration outside of a lens, eliminate an increase in the number of part items, dispense with screw work, and improve reliability. CONSTITUTION:A semiconductor laser module is composed of a semiconductor laser 20, a lens 24 to condense the emitting light and a holder having their holding part and a through hole 25 to pass a light beam. Preferably, the holder is divided into a laser holder 22 to hold the semiconductor laser and a lens holder 26 to hole the lens and is formed as a mutually fitting structure. In the holder holding the lens, a slit 28 to restrict the beam size is arranged on the emitting side end surface. Respective parts are mutually integrally fixed together by a technique such as laser welding, adhesion, soldering or the like.

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【産業上の利用分野】本発明は、半導体レーザからの出射光をレンズで集光して、所望の距離だけ離れた位置で所望のサイズのビームを得ることができる半導体レーザモジュールに関するものである。 BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention is to condensing the light emitted from the semiconductor laser by a lens, to a semiconductor laser module capable of obtaining a beam of a desired size at a position distant by a desired distance . この半導体レーザモジュールは、主にハンドヘルド型のバーコード読み取り装置等の光源として有用である。 The semiconductor laser module is primarily useful as a handheld bar code reader or the like of a light source.

【0002】 [0002]

【従来の技術】バーコード読み取り装置やレーザポインタ等の光源として使用される半導体レーザモジュールは、可視光で発光する半導体レーザ(例えば波長0.6 The semiconductor laser module which is used as the Related Art light source such as a bar code reader or a laser pointer, a semiconductor laser (e.g. wavelengths 0.6 which emits visible light
7μm)の出射光を、レンズを用いて集光し、所望の距離だけ離れた位置で所望のサイズ(ビームサイズが指定値以下)のビームが得られるように設計している。 Light emitted 7 [mu] m), the lens is condensed with a desired size (beam size at the position apart by a desired distance is designed so that the beam follows the specified value) is obtained.

【0003】従来、このような用途の半導体レーザモジュールは、例えば図5に示すような構造であった。 Conventionally, semiconductor laser module such applications was a structure shown in FIG. 5, for example. 半導体レーザ10を円筒状のレーザホルダ12に、レンズ1 The semiconductor laser 10 to the cylindrical laser holder 12, the lens 1
4をレンズホルダ16に、それぞれ接着剤などを用いて固着する。 4 to the lens holder 16, fixed by using a respective adhesive. レーザホルダ12の内周面とレンズホルダ1 The inner peripheral surface of the laser holder 12 and the lens holder 1
6の外周面には、それぞれ雌ねじと雄ねじを設けておいて、互いに螺合させる。 The 6 outer peripheral surface of each leave provided an internal thread and external thread, screwed into one another. 半導体レーザ10の出射光をレンズ14で集光し、前記ねじによる回転で半導体レーザ10とレンズ14との間隔を調整することによって、所望のレーザビームを得ている。 By the emitted light of the semiconductor laser 10 by a lens 14 is condensed, for adjusting the distance between the semiconductor laser 10 and the lens 14 in rotation by the screw, to obtain a desired laser beam.

【0004】 [0004]

【発明が解決しようとする課題】この従来構造では、レーザホルダとレンズホルダにそれぞれ雄ねじと雌ねじを形成しなければならず、しかも調整の精度を上げるためには、非常に精密なねじとすることが必要である。 [Problems that the Invention is to Solve In this conventional structure, it is necessary to form each external thread and the internal thread on the laser holder and the lens holder, yet in order to increase the accuracy of the adjustment, be a very precise screw is necessary. そのため部品のコスト高を招く。 Therefore increases the cost of parts. また、ねじの螺合により半導体レーザとレンズとの間隔調整を行うため、ねじのガタの分はどうしても調整が狂うことになり調整精度が低い。 Further, in order to perform adjusting the gap between the semiconductor laser and the lens by screwing the screw, the amount of the screw backlash is low adjustment accuracy will be absolutely adjustment mad. 更に、半導体レーザの出射光をレンズで集光しただけであるため、ビームサイズ(形状)が半導体レーザの出射光特性に依存し、ばらつきが大きい。 Furthermore, since it is the outgoing light of the semiconductor laser in the lens just condensed, beam size (shape) depending on the emitted light characteristics of the semiconductor laser, vary widely.

【0005】特にハンドヘルド型のバーコード読み取り装置に適用する場合には、半導体レーザモジュールから一定距離はなれた地点でのビームサイズではなく、異なる複数の出射距離におけるビームサイズの規格値(許容範囲)が仕様によって決められているため、その仕様を満足させるのが困難な場合がしばしば生じる。 In particular when applied to hand-held bar code reader, not the beam size at a point a predetermined distance accustomed from the semiconductor laser module, a standard value of the beam size at different exit distance (tolerance) of because it is determined by the specification, if that satisfies the specifications difficulties often occur. その様子を図6に示す。 This is shown in Figure 6. 例えばビームサイズの規格が、距離d 1 For example standard beam size, the distance d 1
ではS 1 、距離d 2ではS 2 、距離d 3ではS 3であるとする。 In the S 1, the distance d 2 in S 2, the distance d 3 in S 3. 光学系の設計は、半導体レーザからレンズまでの距離X 0の調整、及び使用するレンズの焦点距離fの選択によって行う。 Optical system design is carried out adjustment of the distance X 0 from the semiconductor laser to the lens, and by the choice of the focal length f of the lens used. 同じ半導体レーザとレンズを用いてX 0及びfを変更した時のビームサイズ変化は図6のようになる。 Beam size changes when changing the X 0 and f using the same semiconductor laser and the lens is as shown in FIG. そこで、このような特性曲線の中からビームサイズ仕様に合致するように、即ち図6ではのような特性曲線が得られるように、X 0とfを決定する。 Therefore, to match the beam size specifications from within this characteristic curve, i.e. as a characteristic curve as in FIG. 6 is obtained, to determine the X 0 and f. しかし、実際には半導体レーザの放射角やスポットサイズなどの特性のばらつき、使用するレンズの特性のばらつき(例えば比較的安価な屈折率分布型ロッドレンズを使用する場合には、屈折率分布定数やレンズ長のばらつき)、更には組立調整における調整誤差などのために、 In practice, however, variations in characteristics such as radiation angle and spot size of the semiconductor laser, when using the variations in the characteristics of the lens used (e.g. relatively inexpensive gradient index rod lens, Ya refractive index distribution constant variations in the lens length), even for such adjustment errors in assembling adjustment,
0とfが一定であっても図6のやの特性曲線のように仕様を満足できない不良品が生じる場合がある。 There are cases where defective products X 0 and f can not satisfy the specifications as the characteristic curve of FIG. 6 Noya be constant occurs.

【0006】この問題の解決策としては、使用する半導体レーザを出射光特性に応じて選別することが考えられる。 [0006] As a solution to this problem, it is conceivable to select the semiconductor laser to be used in accordance with the output light characteristics. しかし、半導体レーザは同一製造ロット間でさえもばらつきが大きく、そのため選別作業が煩雑であるばかりでなく、半導体レーザは高価であるためコスト高となり、そのような方法は到底採用できない。 However, the semiconductor laser is also a large variation even between the same production lot, not only therefore sorting work is complicated, the semiconductor laser becomes a high cost is expensive, can not be adopted such a method is hardly. そこで、半導体レーザモジュールからの出射ビームサイズを積極的に且つ安価に制御できる新たな対策が望まれていた。 Therefore, new measures have been desired which can be actively and inexpensively control the emission beam size from the semiconductor laser module. 更に、比較的安価で組み込み易い屈折率分布型ロッドレンズを用いると、高性能の非球面レンズと比較して、開口数(NA)が低く有効径が小さいためレンズの外側ほど収差が大きくなる。 Furthermore, relatively inexpensive With built easily gradient index rod lens, as compared to the performance of the aspherical lens, the more outside for numerical aperture (NA) is small effective diameter lower lens aberration becomes large. その結果、出射ビームサイズが乱される。 As a result, the outgoing beam size is disturbed. このような問題も同時に解決できる対策が必要となる。 Such a problem is also required to take measures that can be resolved at the same time.

【0007】本発明の目的は、半導体レーザの出射光特性のばらつきに関わり無く、従来と同一の半導体レーザやレンズを用いても、一定サイズで且つ安定したビームを得ることができ、部品点数も増加せず、ねじ加工も不要な信頼性の高い半導体レーザモジュールを提供することである。 An object of the present invention, irrespective of the variation of the output light characteristics of the semiconductor laser, even when using the same semiconductor laser and lenses before, can be obtained and stable beam in a predetermined size, number of parts not increased, threading is also possible to provide a highly unnecessary reliable semiconductor laser module.

【0008】 [0008]

【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体レーザモジュールは、半導体レーザと、その出射光を集光するレンズと、それらの保持部と光ビームが通過する貫通穴を有するホルダを具備している。 The semiconductor laser module according to the present invention solving the problem to means for the] is provided with a semiconductor laser, a lens for the emitted light condensed, the holder having a through hole their retention portion and the light beam passes ing. レンズを保持しているホルダは、その出射側端面に、ビームサイズを制限するスリットを有する。 Holder holding the lens is at its end surface on the outputting side has a slit for limiting a beam size. そして、各部品を互いにレーザ溶接、接着、半田付けなどの手法により固着して一体化した構造である。 Then, together laser welding the parts, the adhesion, a structure which is integrally fixed by a technique such as soldering.

【0009】ここでホルダは、半導体レーザとレンズを同時に保持する一体成形品でもよいし、半導体レーザを保持するレーザホルダと、レンズを保持するレンズホルダとに分離して組み合わせる構造でもよい。 [0009] Here the holder may be a single piece simultaneously holding the semiconductor laser and the lens, and a laser holder holding a semiconductor laser, the lens may have a structure combining separated into a lens holder for holding the. 後者の場合には、レーザホルダとレンズホルダとが互いに同軸的にスライド可能となるように嵌め合い構造とする。 In the latter case, a structure fitting to the laser holder and the lens holder is coaxially slidably with each other. 半導体レーザとホルダとはレーザ溶接し、レンズとホルダとは接着又は半田付けする構造が好ましい。 And laser welding the semiconductor laser and the holder, the structure of bonding or soldering the lens and the holder are preferred.

【0010】特にレーザホルダは、円筒状で半導体レーザの保持部として外周薄肉の環状段部を有する構造とし、レンズホルダは、前記レーザホルダの保持部として外周薄肉の円形嵌合部を有する構造として、それらの薄肉部分を使用してレーザホルダと半導体レーザとの間、 [0010] Particularly laser holder, a structure having an annular stepped portion of the outer peripheral thin as a holding portion of the semiconductor laser in a cylindrical lens holder, as a structure having a circular fitting portion of the outer peripheral thin as a holding portion of the laser holder , between the laser holder and the semiconductor laser using those thin portion,
及びレンズホルダとレーザホルダとの間をそれぞれ重ね合わせ方式でYAGレーザ溶接する構成が最良である。 Configuration for YAG laser welding the respective superposition scheme between and the lens holder and the laser holder is the best.

【0011】 [0011]

【作用】半導体レーザからの出射光はレンズで集光され、貫通穴を通って出射する。 [Action] light emitted from the semiconductor laser is condensed by a lens, to emit through the through hole. その際、ホルダの出射側端面に形成したスリットは、ビームサイズを積極的に制御して、使用する半導体レーザの出射光特性に依らず、 At this time, the slits formed in the end surface on the outputting side of the holder, by actively controlling the beam size, irrespective of the output light characteristics of the semiconductor laser to be used,
異なる複数の出射距離におけるビームサイズが規格値内に収まるようにする機能を果たす。 Beam size at different exit distances serve to fit within the standard value. また安価な屈折率分布型ロッドレンズを用いた場合に、レンズの外側を通る光をカットし、収差の影響などを除去する機能を果たす。 In the case of using an inexpensive gradient index rod lens, and cuts light passing outside of the lens, functions to remove influence of aberrations. 半導体レーザとレンズとの間隔調整に、ねじを使用せずにスライド嵌合を利用し、レーザ溶接や接着、半田付けなどにより固着して一体化したことで、調整精度の向上並びに結合の信頼性の向上を図り、またスリットをホルダ自身に形成することで、部品点数の削減とコストの低減を図っている。 Adjusting the gap between the semiconductor laser and the lens, by using the slide fitting without the use of screws, laser welding or adhesive, that are integrated by fixing by soldering, improves and bond reliability adjustment accuracy aims to improve, also by forming a slit in the holder itself, thereby reducing the reduction and cost of parts.

【0012】 [0012]

【実施例】図1は本発明に係る半導体レーザモジュールの一実施例を示す説明図であり、Aは断面図、Bは出射側の側面図である。 DETAILED DESCRIPTION FIG. 1 is an explanatory view showing one embodiment of a semiconductor laser module according to the present invention, A cross-sectional view, B is a side view of the exit side. 図2はその一部破断斜視図である。 Figure 2 is the is a partially broken perspective view.
この半導体レーザモジュールは、半導体レーザ20と、 The semiconductor laser module, the semiconductor laser 20,
それを保持するレーザホルダ22と、半導体レーザ20 A laser holder 22 that holds the semiconductor laser 20
からの出射光を集光する屈折率分布型のロッドレンズ2 Gradient index for condensing the light emitted from the rod lens 2
4と、該ロッドレンズ24を保持するレンズホルダ26 4, the lens holder 26 for holding the rod lens 24
とからなる。 Consisting of.

【0013】レーザホルダ22は、全体が円筒状で半導体レーザ20の保持部として一端に環状段部22aを有し、その外周壁は薄肉構造である。 [0013] The laser holder 22 is entirely has an annular step portion 22a at one end as a holding portion of the semiconductor laser 20 in a cylindrical shape, and the outer peripheral wall is thin structure. 環状段部22aは、 Annular step portion 22a,
半導体レーザ20の円板状のベース部分が丁度嵌合する寸法に設計されている。 Is designed dimensioned to disc-shaped base portion of the semiconductor laser 20 is just fitted. レンズホルダ26は、前記レーザホルダ22の保持部となる円形嵌合部26aを有し且つその外側も薄肉構造になっていて、該円形嵌合部26 The lens holder 26, said and outside a circular fitting portion 26a serving as a holding portion of the laser holder 22 also has become thin structure, circular fitting portion 26
a内で前記レーザホルダ22が同軸的にスライド可能な嵌め合い構造となっている。 The laser holder 22 is a coaxially slidable mating structure in a. 更に、前記レンズホルダ2 Further, the lens holder 2
6は、ロッドレンズ24を保持する円形凹部26bを備え且つ中心軸に沿って光ビームが通過する円形貫通穴2 6, a circular through hole 2 where the light beam passes along and central axis with a circular recess 26b for holding the rod lens 24
5を有し、その出射側端面にはビームサイズを制限するスリット28を有する構造である。 Having 5, at its end surface on the outputting side is a structure having a slit 28 for limiting beam size. このスリット28 This slit 28
は、集光したレーザビームが所望の距離で所望のサイズとなるように予め幅t(前記貫通穴25の直径よりも小さい)が設定されており、レンズホルダ26の前端面で直径方向に形成されている。 Is formed in the diameter direction at the front end surface of the laser beam has is set (smaller than the diameter of the through-hole 25) the desired size and so as to advance width t at the desired distance, the lens holder 26 condensed It is. スリット28を形成する向きは、その幅方向がビームサイズの制限が必要な方向に一致するようにする。 Orientation to form a slit 28, the width direction thereof so as to match the direction limit required beam size.

【0014】半導体レーザ20は、そのベース部分が円筒状のレーザホルダ22の環状段部22a内に嵌め込まれて、その薄肉外周壁を通して重ね合わせ方式でYAG [0014] The semiconductor laser 20 has a base portion is fitted into the annular step portion 22a of the cylindrical laser holder 22, YAG in superimposed manner through the thin outer peripheral wall
レーザ溶接される。 It is laser welding. その円周状溶接痕を符号W 1で示す。 Shows the circumferential welding mark by reference numeral W 1. 一方、ロッドレンズ24はレンズホルダ26の円形凹部26b内に嵌め込み、接着または半田付けする。 On the other hand, the rod lens 24 is fitted in the circular recess 26b of the lens holder 26 is bonded or soldered. 半田付けの場合は、少なくとも半田付けが必要な箇所に予め金めっきなどを施しておく。 For soldering, previously subjected to such pre-gold plating on at least the soldering part that needs. 半導体レーザ20を固着したレーザホルダ22と、ロッドレンズ24を固着したレンズホルダ26とを、それぞれ専用の保持治具にセットした後、レーザホルダ22の方を光軸方向に微動することによって、半導体レーザモジュールの先端面から所望の距離だけ離れた位置で所望のビームサイズとなるように調整とする。 A laser holder 22 which is fixed to the semiconductor laser 20, a lens holder 26 which is fixed to the rod lens 24, after setting the respective dedicated holding jig, by fine movement toward the laser holder 22 in the optical axis direction, the semiconductor and adjusted to a desired beam size at a desired distance away from the distal end surface of the laser module. そして重ね合わせたレンズホルダ26 The lens holder 26 and superimposed
の外側から、その薄肉外周壁を利用して、レーザホルダ22へ向かってYAGレーザ溶接を行う。 From the outside of, by utilizing the thin outer peripheral wall, performing YAG laser welding towards the laser holder 22. この時の溶接痕を符号W 2で示す。 Shows a welding mark when this code W 2. このようにして各構成部品は互いに固着され、全体が一体構造となる。 Each component in this manner is secured to one another, the whole is an integral structure.

【0015】この半導体レーザモジュールでは、半導体レーザ20からの出射光はロッドレンズ24で集光され、中央の貫通穴25を通り、スリット28から出射する。 [0015] In this semiconductor laser module, light emitted from the semiconductor laser 20 is condensed by the rod lens 24, through the central through-hole 25, is emitted from the slit 28. この際、スリット28よりも拡がっているレーザビームの周辺部分は遮光され、スリット28から出射するビームサイズが規制される。 At this time, the peripheral portion of the laser beam has spread than the slit 28 is blocked, the beam size to be emitted from the slit 28 is restricted. これによって出射ビームサイズを積極的に制御でき、予め設定さている複数の異なる出射距離でのビームサイズを、それぞれ規定範囲内に収めることが可能となる。 This can positively controlling the emission beam size, the beam size of a plurality of different emission distances are set in advance, it is possible to fall within respective specified ranges.

【0016】図3は本発明の他の実施例を示している。 [0016] Figure 3 shows another embodiment of the present invention.
これは前記実施例におけるレーザホルダとレンズホルダとを一体品で構成した例である。 This is an example in which in one piece a laser holder and the lens holder in the embodiment. ロッドレンズ34をホルダ36に嵌め込んで接着又は半田付けする。 Bonding or soldering is fitted a rod lens 34 to the holder 36. そして半導体レーザ30をホルダ36に対して直接嵌め合わせて位置調整し、外周側からYAGレーザ溶接する。 The semiconductor laser 30 and the position adjustment by fitting directly to the holder 36, to YAG laser welding from the outer peripheral side. その溶接痕を符号W 3で示す。 Shows the welding mark by reference numeral W 3. 半導体レーザ30の出射光はロッドレンズ34で集光され、中心貫通穴35を通り、スリット38から出射する。 Emitted light of the semiconductor laser 30 is condensed by the rod lens 34, passes through the central through hole 35, is emitted from the slit 38. この構成は、前記の実施例と同様の機能を持つが、半導体レーザ30を微動調整した後、YAGレーザで溶接する際に、ホルダ36内で該半導体レーザ30が傾き易いため、高精度での組立は面倒である。 While this configuration has the same function as the embodiment of, after finely adjusting the semiconductor laser 30, in welding by YAG laser, liable the semiconductor laser 30 is inclined in the holder 36, with high accuracy assembly is cumbersome.

【0017】図4は本発明の更に他の実施例を示している。 [0017] Figure 4 shows still another embodiment of the present invention. これは、最初の実施例と同様、ホルダをレーザホルダとレンズホルダの二体に分けた構造である。 This is similar to the first embodiment, a structure in which divided the holder to two bodies of the laser holder and the lens holder. 半導体レーザ40をレーザホルダ42にYAGレーザ溶接し(溶接痕を符号W 4で示す)、ロッドレンズ44をレンズホルダ46に接着又は半田付けする。 The semiconductor laser 40 YAG laser welding to the laser holder 42 (the welding mark indicated at W 4), bonding or soldering the rod lenses 44 in the lens holder 46. この実施例では、レンズホルダ46をレーザホルダ42内に嵌入して位置調整を行い固着する。 In this embodiment, fixed checks the alignment and fitting the lens holder 46 in the laser holder 42. ビームサイズを制限するスリット4 Slit 4 for limiting the beam size
8は、レンズホルダ46の出射側端面に形成する。 8 is formed on the emission end surface of the lens holder 46. 半導体レーザ40の出射光はロッドレンズ44で集光され、 Emitted light of the semiconductor laser 40 is condensed by the rod lens 44,
中心貫通穴45を通り、スリット48から出射する。 Through the center through hole 45, it is emitted from the slit 48. この構成は、前記の両実施例と同様の機能を持つ。 This configuration has the same function as both examples above. しかしロッドレンズ44を保持したレンズホルダ46を微動調整する際に、ロッドレンズ44の出射側から治工具などで押し引きしなければならず、出射光を遮ってしまう。 But when the fine motion adjusting a lens holder 46 which holds the rod lens 44, must be pushed and pulled from the exit side of the rod lens 44 tools, etc., will block the emitted light.
そのためビームサイズをモニタしながらの組み立てができず、連続量産にはあまり適していない。 Therefore it can not assemble the while monitoring the beam size, not well suited for continuous mass production. またYAGレーザ溶接を施すための薄肉部分をホルダに形成するのが難しく、YAGレーザ溶接を実施し難い。 Also it is difficult to form a thin portion for applying the YAG laser welding to the holder, it is difficult to implement YAG laser welding.

【0018】以上の通り、機能的には前記各実施例は、 [0018] As described above, each of the embodiments functionally is
ほぼ同様であるが、製作のし易さという観点からは、図1及び図2に示す構成が最良である。 It is substantially similar, from the viewpoint of production easiness, it is best configuration shown in FIGS.

【0019】 [0019]

【発明の効果】本発明は上記のように、ホルダの出射側端面にスリットを設けたので、出射ビームサイズを積極的に制御することができる。 According to the present invention as described above, is provided with the slits on the exit side end surface of the holder, it is possible to actively control the output beam size. つまり使用する半導体レーザの出射光特性に依らず(特に特性の揃ったものを選別しなくても)、異なる複数の出射距離に対してほぼ一定の(規格範囲内の)ビームサイズが得られる。 That regardless of output light characteristics of the semiconductor laser to be used (without particularly selecting those having uniform characteristics), it is substantially constant (within a specified range) beam size obtained for different emission distance. このため特にハンドヘルド型のバーコード読み取り装置などの光源に適用すると、例えば倉庫内など様々な距離離れた位置にある物品のバーコードを正確に読み取ることが可能となる。 This order is particularly applicable to a light source, such as a hand-held bar code reader, it is possible to read for example a bar code of an article located apart different distances, such as in a warehouse precisely. またスリットによって、レンズ外側を通る光ビームをカットし、収差の影響などを取り除けるため、レンズ特性のばらつきに対するビームサイズの依存度を抑制できる。 Further the slits, cuts the light beam passing through the lens outer, for Torinozokeru the influence of aberrations, the beam size of the dependence on the variation of the lens characteristics can be suppressed. そのため高性能の非球面レンズではなく、屈折率分布型ロッドレンズ等が使用でき、組み立て易く且つ安価となる。 Therefore not the performance of the aspherical lens, the gradient index rod lens or the like can be used, the assembled easily and inexpensively. 更に本発明では、このスリットをホルダに直接形成しているため、部品点数は増加しない。 Further, in the present invention, because it directly forming the slit in the holder, the number of parts is not increased. また各部品は溶接や接着、半田付けなどで結合されるため、 Since each component is coupled by welding or bonding, soldering,
ねじなどを形成する必要もなく、信頼性の高いモジュールとなる。 There is no need to form a screw or the like, and high reliability module.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】本発明に係る半導体レーザモジュールの一実施例を示す説明図。 Explanatory view showing an embodiment of a semiconductor laser module according to the present invention; FIG.

【図2】その一部破断斜視図。 [2] As a partially broken perspective view.

【図3】本発明に係る半導体レーザモジュールの他の実施例を示す説明図。 Explanatory view showing another embodiment of a semiconductor laser module according to the present invention; FIG.

【図4】本発明に係る半導体レーザモジュールの更に他の実施例を示す説明図。 Explanatory view showing still another embodiment of a semiconductor laser module according to the present invention; FIG.

【図5】従来技術の一例を示す説明図。 Figure 5 is an explanatory diagram showing an example of the prior art.

【図6】ビームサイズと距離の関係を示す概念図。 Figure 6 is a conceptual diagram showing the relationship between beam size and distance.

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

20,30,40 半導体レーザ 22,42 レーザホルダ 24,34,44 ロッドレンズ 25,35,45 貫通穴 26,46 レンズホルダ 28,38,48 スリット 20, 30, 40 semiconductor laser 22, 42 laser holder 24, 34, 44 rod lenses 25, 35 and 45 through holes 26, 46 the lens holder 28, 38, 48 slit

Claims (3)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】 半導体レーザと、その出射光を集光するレンズと、それらの保持部と光ビームが通過する貫通穴を有するホルダを具備し、レンズを保持しているホルダの出射側端面にビームサイズを制限するスリットを形成し、各部品を互いに固着して一体化した半導体レーザモジュール。 1. A semiconductor laser, the emitted light and a lens for focusing, comprising a holder having a through hole their retention portion and the light beam passes, on the exit side end surface of the holder holding the lens a slit for limiting a beam size, the semiconductor laser module integrated by fixing the parts together.
  2. 【請求項2】 ホルダは、半導体レーザを保持するレーザホルダと、レンズを保持するレンズホルダとの組み合わせからなり、前記レーザホルダとレンズホルダとは嵌め合い構造とし、半導体レーザとレーザホルダとをレーザ溶接し、レンズとレンズホルダとを接着又は半田付けした請求項1記載の半導体レーザモジュール。 2. A holder is made with a laser holder holding a semiconductor laser, a combination of a lens holder for holding a lens, said a mutual structure fitting the laser holder and the lens holder, a laser and a semiconductor laser and a laser holder welded, the semiconductor laser module according to claim 1, wherein the lens and the lens holder adhered or soldered.
  3. 【請求項3】 レーザホルダは、円筒状で半導体レーザの保持部として外周薄肉の環状段部を有し、レンズホルダは、前記レーザホルダの保持部として外周薄肉の円形嵌合部を有し、それらの薄肉部分を使用してレーザホルダと半導体レーザとの間、及びレンズホルダとレーザホルダとの間をそれぞれ重ね合わせ方式でレーザ溶接する請求項2記載の半導体レーザモジュール。 Wherein the laser holder has an annular stepped portion of the outer peripheral thin as a holding portion of the semiconductor laser in a cylindrical lens holder has a circular fitting portion of the outer peripheral thin as a holding portion of the laser holder, the semiconductor laser module according to claim 2, wherein the laser welding at the respective overlapping manner between between using those thin portion the laser holder and the semiconductor laser, and a lens holder and the laser holder.
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