JPH07273960A - 階調画像静電記録装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明は、均一濃度画像を形成できる階調画
像静電記録装置を提供する。 【構成】画像データの階調信号が大きい領域で、イオン
放出孔ｎ−１の対応画素およびイオン放出孔ｎ＋１の対
応画素について、それぞれの階調値が特定の一定値より
大きければ補正回路２０３によりイオン放出孔ｎ対応の
画像データを書き換えて階調信号を一定量増加させ、一
方、画像データの階調信号が小さい領域で、イオン放出
孔ｎ−１の対応画素およびイオン放出孔ｎ＋１の対応画
素について、それぞれの階調値は特定の一定値より小さ
ければ、補正回路２０３での補正は行われず、そのまま
の画像データにより潜像を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、イオンフローを形成す
るイオンヘッドを用いたイオンプリンタで代表される画
像記録装置のうち階調画像を記録可能にした階調画像静
電記録装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、イオンフローを形成するイオンヘ
ッドを用いて静電記録により階調画像の記録を行うもの
として、イオンフローの放出量を制御する制御電極の印
加電圧や時間を変えて階調記録を実現する方法が特開昭
５７−１３６６６５号公報および特開昭６１−２２８７
１号公報に開示されている。

【０００３】しかして、これら従来の方法によれば、階
調画像を形成することができるようになるが、このよう
な静電記録の場合、先に形成される潜像電荷により、後
から形成される潜像電荷が影響を受けることが知られて
おり、先に形成された潜像電荷の大きさは、その階調信
号によって変化するが、その階調信号の値が大きくなる
と潜像電荷による電位が上がり、後から形成される潜像
電荷を反発するように作用することで、階調画像におい
て一定濃度を越えると潜像ドットが不均一になり、濃度
むらを生じるという問題点があった。

【０００４】以下に、その詳細を説明する。図８は、こ
のような階調画像を記録可能にした階調画像静電記録装
置として知られているイオンプリンタのイオンヘッドの
一部を切り欠いた概略構成を示している。

【０００５】図において１０は基台でこの基台１０にイ
オン放出孔９を有するスクリーン電極６、イオン放出孔
９に沿って長孔１１を形成した第２の誘電体７を積層
し、この第２の誘電体７の各長孔１１に対応してイオン
発生孔４を有するフィンガ電極３を設け、さらにこれら
フィンガ電極３上にライン電極２を有する第１の誘電体
５を設けるようにしている。

【０００６】図９は、図８のイオンヘッドの電極構成を
示す模式図である。第１の誘電体５上に平行に配置され
た複数本（図示例では＃０〜＃１１の１２本）のライン
電極２に対して複数個（図示例では＃０〜＃２１１の２
１２個）のフィンガ電極３を交差するように配置し、各
ライン電極２との交点にイオン発生孔４が設けられてい
る。

【０００７】図１０はこのイオンヘッドの概略構成を示
すもので、ライン電極２に第１の誘電体５を介して対向
配置されたフィンガ電極３に対してスクリーン電極６が
第２の誘電体７を介して対向配置され、このスクリーン
電極６に記録媒体８が対向配置されている。また、この
スクリーン電極６のイオン放出孔９がフィンガ電極３の
イオン発生孔４に対向している。

【０００８】このように構成したイオンヘッドにおい
て、ライン電極２とフィンガ電極３との間に１ＭＨｚ、
２６００Ｖｐ−ｐの高周波高電圧ＡＣを印加すると、イ
オン発生孔４の内側のフィンガ電極３の周囲に放電が起
こり、正負の電化を持ったイオンや電子などの荷電粒子
が発生する。また、フィンガ電極３とスクリーン電極６
との間に、当該荷電粒子のイオン放出孔９の通過を制御
するための記録信号に対応したパルス電圧信号を印加す
る。なお、記録媒体８は接地している。

【０００９】しかして、フィンガ電極３に−６５０Ｖの
パルス電圧信号が印加され、スクリーン電極６に−６０
０Ｖの電圧が印加されると、負の荷電粒子はフィンガ電
極３の周囲からスクリーン電極６の方向に移動し、スク
リーン電極６近傍に到達した荷電粒子は、零電位の記録
媒体８上に放出され、静電潜像が形成される。一方、ス
クリーン電極６の−６００Ｖの印加電圧に対してフィン
ガ電極３に−４００Ｖの電圧が印加されると、負の荷電
粒子はフィンガ電極３の周囲から移動できないため、記
録媒体８に静電潜像が形成されない。

【００１０】なお、ライン電極２による放電により正の
荷電粒子も発生し、この正の荷電粒子は、スクリーン電
極６の近傍まで移動するが、記録媒体８がスクリーン電
極６に対して正電位なので記録媒体８上に移動できな
い。

【００１１】そして、このようなイオンヘッド１により
記録媒体８上に形成された静電潜像は、図１１に示すよ
うに現像装置１３により可視像化され、転写装置１４に
より記録紙１５上に転写され、目標とするハードコピー
として得られる。

【００１２】ところで、図８、図９で述べたように、イ
オンヘッド１は、複数のライン電極２と複数のフィンガ
電極３とをマトリクス状に構成しているが、このような
イオンヘッド１の駆動制御は、図１２に示すように一定
時間ごとに順次ライン電圧を＃０〜＃１１の各ライン電
極２に印加し、これらライン電極２より荷電粒子を生成
している状態から、入力画像データに応じ＃０〜＃２１
１の各フィンガ電極３に順次パルス電圧信号を印加する
ことにより、それぞれに対応するイオン放出孔９から放
出される負の荷電粒子によって、順次記録媒体８上に潜
像を形成するようになる。そして、この時フィンガ電極
３に印加するパルス電圧信号の電圧値やパルス幅を変
え、荷電粒子のイオン放出量を可変にすることで、ドッ
トの階調潜像を作成するようにしている。

【００１３】図１３は、このような階調記録を実現する
ための階調画像静電記録装置のブロック図である。この
場合、階調情報を持つ画像のラスタデータがラスタデー
タインターフェイス回路１１３を介してＹＭＣ変換回路
１１２に与えられる。そして、ここでイエローＹ、マゼ
ンダＭ、シアンＣの各色に変換された後、γ補正回路１
１０で、γ補正テーブル１１１に基づいて補正が行われ
る。

【００１４】次に、ラスタ画像データは、ディスキュウ
用ラインバッファ１０９ａを介してディスキュウ回路１
０９に与えられ、マトリクス状のイオンヘッド１の構造
に合わせたデータに変換される。ここでは、ラインバッ
ファ１０９ａとしてイオンヘッド１のマトリクス構造の
ためライン電極数分のラスタのバッファが必要となる
が、実際のヘッドライン間は３ドットあるため、その３
倍の４８ラスタライン分のバッファが用意されている。

【００１５】ディスキュウ変換回路１０９で変換された
データは、イオンヘッド１のマトリクス構造に一致する
ように並べ変えられ、階調画像データおよびフィンガタ
イミング信号としてイオンヘッドドライバ１０２のフィ
ンガドライバ１０４のフィンガパルス電圧変調回路１０
６に転送される。フィンガパルス電圧変調回路１０６で
は、画像データの階調信号に応じたフィンガ電圧をイオ
ンヘッド１のフィンガ電極３に出力するようにしてい
る。

【００１６】また、ディスキュウ回路１０９では、ライ
ンタイミング信号が生成され、イオンヘッドドライバ１
０２のラインドライバ１０３に転送され、図１２で述べ
たタイミングのライン電圧をイオンヘッド１のライン電
極２に出力するようにしている。また、ディスキュウ回
路１０９のラインタイミング信号は、ヘッドムラ補正回
路１０７に与えられ、ライン電極２への動作と同期して
個々のイオン放出孔９のばらつきを補正するヘッドムラ
補正データがフィンガパルス幅変調回路１０５に与えら
れ、フィンガ電極印加電圧のパルス幅が変調される。こ
のようにして生成されたフィンガ電圧とライン電圧が印
加されることによりイオンヘッド１より階調のある静電
潜像が形成される。

【００１７】

【発明が解決しようとする課題】ところで、このような
階調のある静電潜像を形成する場合、主走査方向の１ラ
スタラインの高階調の直線が時間的にどのように形成さ
れていくかを図示すると、図１４のようになる。この場
合、初めにライン電極＃１１の潜像＃１が形成され、次
に、記録媒体８が移動し、＃４のライン電極が＃１１の
ライン電極で生成された潜像＃１と副走査方向に同じ位
置に到達すると、＃４のライン電極により潜像＃２が形
成される。以下、同様にしてライン電極０まで繰り返さ
れる。

【００１８】ところが、このように画像が形成される際
に後に生成される潜像が先に生成される潜像の影響をう
け、最終出力としての画像に品質上の不具合を生じる。
図１５は、この様子を示したもので、階調信号が小さい
と、同図（ａ）に示すように先に両側位置に形成された
潜像ａ、ｂに対し、後からこれら潜像ａ、ｂの間に潜像
ｃが形成されるような場合は、潜像ｃは、両側の潜像電
荷に影響を受けず均一な潜像として得られるが、階調信
号が大きな値になってくると、同図（ｂ）に示すように
先に両側位置に形成された潜像ａ、ｂの電荷による電界
が無視できなくなり、後から、これら潜像ａ、ｂの間に
形成する潜像ｃの電荷は、同電位の電荷のため反発をう
け、その潜像電位が十分に記録媒体８上に形成できなく
なる。

【００１９】この結果、最終出力画像に濃度むらや色ず
れなどの欠陥を生じてしまう。また、後から潜像を形成
するライン電極２は、物理的に決まっており、この例で
は＃５、＃４、＃３、＃２、＃１、＃０の各ライン電極
が相当する。

【００２０】このため、従来では、相当するライン電極
の印加電圧を変えたり、ヘッドむら補正回路１０７など
でそのライン電極上の放出孔のフィンガ電位をかえて補
正を行うようにしているが、このようにすると、今度は
画濃度が低い図１５（ａ）のような場合では，逆に補正
によりムラを生じてしまう。

【００２１】また，このような先に形成された潜像によ
り後から形成される潜像が影響を受ける現象は、図１６
（ａ）（ｂ）に示すように、先に形成された潜像が一つ
の場合でも発生する。この場合は図１５に示したものに
比べ、後の潜像形成の際の影響は小さいが、画像濃度の
均一に関してはやはり好ましくない。本発明は、上記事
情に鑑みてなされたもので、均一濃度画像を形成できる
階調画像静電記録装置を提供することを目的とする。

【００２２】

【課題を解決するための手段】本発明によれば、帯電粒
子発生源からの帯電粒子放出量を階調画像信号に応じて
制御し、記録媒体上に静電潜像を形成する静電潜像形成
手段を有する階調画像静電記録装置において、前記静電
潜像形成手段により形成される静電潜像の特定画素の近
傍で前記特定画素より先に静電潜像が形成される画素の
階調値の大きさに応じて前記特定画素の階調値を補正す
る階調補正手段とにより構成されている。

【００２３】また、本発明によれば、前記特定画素とそ
の近傍で前記特定画素より先に静電潜像が形成される画
素は、主走査方向の同一ライン上に位置するように構成
されている。また、本発明によれば、前記特定画素の近
傍の画素は、主走査方向の同一ライン上の前記特定画素
の前後に位置するように構成されている。

【００２４】

【作用】この結果、本発明によれば、特定画素の近傍
で、この特定画素より先に静電潜像が形成される画素の
階調値により、特定画素の階調値を補正するようになる
ので、潜像が形成される時間的差異に関係しない均一画
像が得られる。

【００２５】また、本発明によれば、主走査方向の１ラ
イン上に、特定画素とその近傍の前記特定画素より先に
静電潜像が形成される画素が位置され、これら先に静電
潜像が形成される画素の階調値により、特定画素の階調
値を補正するようになるので、この場合、主走査方向に
潜像が形成される時間的差異に関係することなく均一な
画像が得られる。

【００２６】また、本発明によれば、特定画素の近傍の
画素は、主走査方向の同一ライン上の特定画素の前後に
位置するようになるので、この場合も、主走査方向に潜
像が形成される時間的差異に関係しない均一な画像が得
られる。

【００２７】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面に従い説明す
る。 （第１実施例）図１は、第１実施例の概略構成を示すも
ので、図１３と同一部分には同符号を付している。

【００２８】この場合、イオンヘッド１は、上述した図
８〜図１０で述べたと同様な構成をなすもので、このイ
オンヘッド１はラインドライバ１０３とフィンガドライ
バ１０４によって画像信号に対応したイオンを発生する
ようにしている。

【００２９】また、γ補正回路１１０とディスキュウ回
路１０９のラインバッファ１０９ａの間にイオン干渉補
正回路２００を接続している。つまり、この場合、γ補
正回路１１０の出力である画像データをイオン干渉補正
回路２００を経由してディスキュウ用ラインバッファ１
０９ａに出力するようにしている。

【００３０】階調補正手段であるイオン干渉補正回路２
００は、図２に示すようにイオン干渉補正用１ラインバ
ッファ２００ａとそのバッファの特定のアドレスの画像
データを書き換えるイオン干渉補正演算回路２０１を有
し、さらにイオン補正演算回路２０１は、特定アドレス
の前後のアドレスの画素の階調値を特定の一定値と比較
する比較回路２０２と、その値に基づき特定アドレスの
画素の階調値を補正する補正回路２０３により構成され
ている。

【００３１】その他は、図１３と同様である。次に、以
上のように構成した実施例の動作を説明する。まず、階
調情報を持つ画像のラスタデータがラスタデータインタ
ーフェイス回路１１３を介してＹＭＣ変換回路１１２に
与えられる。そして、ここでイエローＹ、マゼンダＭ、
シアンＣの各色に変換された後、γ補正回路１１０で、
γ補正テーブル１１１に基づいて補正が行われる。

【００３２】γ補正回路１１０を経た画像データは、イ
オン干渉補正回路２００のイオン干渉補正用１ラインバ
ッファ２００ａに取り込まれる。そして、ここで特定ア
ドレスの画素に補正がかけられるわけであるが、本実施
例のイオンヘッド１の場合、上述した図１４に示したよ
うに４番、３番、２番、１番、０番、５番のライン電極
上に位置する１ラインの半分の画像データが時間的に後
から静電潜像として形成されることになる。

【００３３】そこで、これに相当する画素について、そ
の階調値を主走査ライン上で前後の位置にある画素の階
調値の大きさに応じて変えていく。ここでは、図２に示
すように主走査ライン上で前後の画素に対して時間的に
後に潜像形成がなされるイオン放出孔ｎに対応する画素
に対しての補正の場合を示している。すなわち、イオン
放出孔ｎ−１の対応画素およびイオン放出孔ｎ＋１の対
応画素について、それぞれの階調値と特定の一定値を比
較回路２０２で比較する。

【００３４】ここで画像データの階調信号が大きい領域
で、これらの平均が一定値より大きければ補正回路２０
３によりイオン放出孔ｎ対応の画像データを書き換えて
階調信号を一定量増加させるようにする。一方、画像デ
ータの階調信号が小さい領域では、イオン放出孔ｎ−１
の対応画素およびイオン放出孔ｎ＋１の対応画素につい
て、それぞれの階調値は特定の一定値より小さいので、
補正回路２０３での補正は行われない。

【００３５】そして、イオン干渉補正回路２００で補正
されたデータは、ディスキュウ用ラインバッファ１０９
ａを介してディスキュウ回路１０９に与えられ、マトリ
クス状のイオンヘッド１の構造に合わせたデータに変換
される。ここでは、ラインバッファ１０９ａとしてイオ
ンヘッド１のマトリクス構造のためライン電極数分のラ
スタのバッファが必要となるが、実際のヘッドライン間
は３ドットあるため、その３倍の４８ラスタライン分の
バッファが用意されている。

【００３６】ディスキュウ変換回路１０９で変換された
データは、イオンヘッド１のマトリクス構造に一致する
ように並べ変えられ、階調画像データおよびフィンガタ
イミング信号としてイオンヘッドドライバ１０２のフィ
ンガドライバ１０４のフィンガパルス電圧変調回路１０
６に転送される。フィンガパルス電圧変調回路１０６で
は、画像データの階調信号に応じたフィンガ電圧をイオ
ンヘッド１のフィンガ電極３に出力する。

【００３７】また、ディスキュウ回路１０９では、ライ
ンタイミング信号が生成され、イオンヘッドドライバ１
０２のラインドライバ１０３に転送され、所定タイミン
グでライン電圧がイオンヘッド１のライン電極２に出力
される。また、ディスキュウ回路１０９のラインタイミ
ング信号が、ヘッドムラ補正回路１０７に与えられ、ラ
イン電極２の動作と同期して個々のイオン放出孔９のば
らつきを補正するヘッドムラ補正データがフィンガパル
ス幅変調回路１０５に与えられ、フィンガ電極印加電圧
のパルス幅が変調される。

【００３８】このようにして生成されたフィンガ電圧と
ライン電圧がイオンヘッド１に与えられることで、より
階調のある静電潜像が形成される。従って、このような
第１実施例によれば、画像データの階調信号が大きい領
域で、イオン放出孔ｎ−１の対応画素およびイオン放出
孔ｎ＋１の対応画素について、それぞれの階調値が特定
の一定値より大きければ補正回路２０３によりイオン放
出孔ｎ対応の画像データを書き換えて階調信号を一定量
増加させるようにしているので、このようにして補正さ
れた画像信号による静電潜像は、図３に示すようにその
前後の潜像ａ、ｂと対等の電位を維持できるようにな
り、図１５（ｂ）に示したような不均一を生じない。

【００３９】一方、画像データの階調信号が小さい領域
で、イオン放出孔ｎ−１の対応画素およびイオン放出孔
ｎ＋１の対応画素について、それぞれの階調値は特定の
一定値より小さければ、補正回路２０３での補正は行わ
れず、そのままの画像データにより潜像が形成されるよ
うになるので、図１５（ａ）と同様な静電潜像が得ら
れ、均一な画像が得られることになる。

【００４０】なお、第１実施例では、補正する場合に、
階調値を一定量増加したが、より精度をあげるため一定
割合増加することも可能であり、また、比較する前後２
画素の平均が一定値より大きい場合に一定量増加させる
ようにしたが、どちらか一方が一定値より大きい場合に
一定量増加させるようにしてもよい。さらに、第１実施
例では、実際装置の印画速度に鑑み、電気回路によるブ
ロック図で説明してきたが、イオン干渉補正回路は同じ
アルゴリズムによるソフトウエアにより実現することも
可能であり、また、ライン電極とフィンガ電極のマトリ
クス構造のイオンヘッドでの例を示したが、他のマトリ
クス構造を有する静電記録ヘッドにおいても同等な効果
が期待できる。 （第２実施例）図４は、第２実施例の概略構成を示すも
ので、図１と同一部分には同符号を付している。この場
合、γ補正回路１１０とディスキュウ回路１０９のライ
ンバッファ１０９ａの間に主走査方向の２ラインのイオ
ン干渉補正用ラインバッファ２００ｂ１、２００ｂ２を
有するイオン干渉補正回路２００を接続している。

【００４１】イオン干渉補正用ラインバッファ２００ｂ
１、２００ｂ２は、図５に示すように、ｍラインに対応
するイオン干渉補正用２ラインバッファ２００ｂ１に
は、図２で述べた比較回路２０２、補正回路２０３を有
するイオン干渉補正回路２０１を接続し、ｍ−１の前ラ
インに対応するイオン干渉補正用２ラインバッファ２０
０ｂ２には、画像データの階調値を比較する比較回路２
０２ｂ、その出力に基づき補正を行う補正回路２０３ｂ
を有するイオン干渉補正回路２０１ｂを設けている。

【００４２】その他は、図１と同様である。しかして、
γ補正回路１１０を経た１走査ラインの画像データ（ｍ
ライン目）は、イオン干渉補正用ラインバッファ２００
ｂ１に格納され、これより１走査ライン前の画像データ
（ｍ−１ライン目）は先行のイオン干渉補正用ラインバ
ッファ２００ｂ２に格納される。

【００４３】そして、まず、イオン放出孔ｎに対応する
先行のイオン干渉補正用ラインバッファ２００ｂ２の画
素の階調値が比較回路２０２ｂにおいて特定の一定値と
比較され、その一定値より大きいと補正回路２０３ｂに
おいて、後行の対応するイオン放出孔ｎに対応する画像
データが一定量増加された値に書き換えられる。

【００４４】次に、この書き換えられた値に対して、第
１実施例で述べたように対象画素の主走査ライン上で前
後にあるｎ−１番目とｎ＋１番目の画素の階調値によ
り、ｎ番目の画素の階調値がさらに書き換えられる。

【００４５】そして、このようにして補正された１走査
ラインの画像データがディスキュウ回路１０９へ転送さ
れる。また、これと同時に、後行のイオン干渉補正用ラ
インバッファ２００ｂ１の値は、先行のイオン干渉補正
用ラインバッファ２００ｂ２に転送されて、次の１走査
ラインの補正のための履歴データとして保持され、以下
全画像の潜像形成終了まで同様な動作が繰り返される。

【００４６】従って、このようにして補正された画像信
号による静電潜像は、副走査方向において図６に示すよ
うに１走査ライン前に形成された潜像に対して対等の電
荷を維持することができ、上述した図１６（ｂ）のよう
な不均一を生じない。また画像データの階調信号が小さ
い領域では、補正回路２０３ｂにより、補正操作が行わ
れず、そのままの画像データにより、潜像が形成される
ので図１６（ａ）と同様な静電潜像がえられ、均一な画
像が得られる。

【００４７】なお、第２実施例では、補正する階調値を
一定量増加したが、より精度をあげるため一定割合増加
することも同等に可能である。また、第２実施例でも、
実際装置の印画速度に鑑み、電気回路によるハードウエ
アで説明してきたが、イオン干渉補正回路は同じアルゴ
リズムによるソフトウエアにより、実現することも可能
であり、また、ライン電極とフィンガ電極のマトリクス
構造のイオンヘッドにての例を示したが、他のマトリク
ス構造を有する静電記録ヘッドにおいても同等な効果が
えられる。 （第３実施例）図７は、第３実施例の概略構成を示すも
ので、図５と同一部分には同符号を付している。この場
合、全体構成は第２実施例と同様であり、イオン干渉補
正用ラインバッファ２００ｂ１、２００ｂ２は、ｍ−１
の前ラインに対応するイオン干渉補正用ラインバッファ
２００ｂ２の特定のイオン放出孔ｎの対応画素、この画
素の前後のイオン放出孔ｎ−１、イオン放出孔ｎ＋１の
対応画素の３画素と、ｍラインに対応するイオン干渉補
正用ラインバッファ２００ｂ１の前記特定のイオン放出
孔ｎに対応する画素前後に位置する２画素の合計５画素
について、それぞれの階調値と特定の一定値を比較する
比較回路２０２ｃ、その出力に基づき補正を行う補正回
路２０３ｃを有するイオン干渉補正回路２０１ｃを設け
ている。

【００４８】しかして、この場合も、γ補正回路１１０
を経た１走査ラインの画像データ（ｍライン目）は、イ
オン干渉補正用ラインバッファ２００ｂ１に格納され、
これより１走査ライン前の画像データ（ｍ−１ライン
目）は先行のイオン干渉補正用ラインバッファ２００ｂ
２に格納される。

【００４９】そして、先行のイオン干渉補正用ラインバ
ッファ２００ｂ２のイオン放出孔ｎに対応する画素、こ
のイオン放出孔ｎの対応画素の前後の２画素および後行
のイオン干渉補正用ラインバッファ２００ｂ１の前記イ
オン放出孔ｎに対応する画素の前後の２画素のそれぞれ
の階調値が比較回路２０２ｃにおいて特定の一定値と比
較され、５画素の階調値の平均が、その一定値より大き
いと補正回路２０３ｃにおいて、後行の対応するイオン
放出孔ｎに対応する画素の階調値を一定量増加した値に
書き換える。

【００５０】そして、このようにして補正された１走査
ラインの画像データがディスキュウ回路１０９へ転送さ
れる。また、これと同時に、後行のイオン干渉補正用ラ
インバッファ２００ｂ１の値は、先行のイオン干渉補正
用ラインバッファ２００ｂ２に転送されて、次の１走査
ラインの補正のための履歴データとして保持され、以下
全画像の潜像形成終了まで同様な動作が繰り返される。

【００５１】従って、このようにして補正された画像信
号による静電潜像は、副走査方向において図６に示すよ
うに１走査ライン前に形成された潜像に対して対等の電
荷を維持することができ、上述した図１６（ｂ）のよう
な不均一を生じない。また、走査方向に関しても、図３
に示すような補正がなされ、主走査方向前後にある画素
の潜像と対等の電荷を維持することができる。さらに画
像データの階調信号が小さい領域では、補正回路２０３
ｂにより、補正操作が行われず、そのままの画像データ
により、潜像が形成されるので図１６（ａ）と同様な静
電潜像がえられ、均一な画像が得られる。

【００５２】なお、第３実施例では比較する５画素の平
均を特定の一定値と比較したが、平均限定されるもので
はなく、一部の画素の比重を高めた平均をとるなど広く
適用が可能であり、また、補正する階調値を一定量増加
したが、より精度をあげるため一定割合増加することも
同様に可能である。

【００５３】さらに第３実施例でも実際の装置の印画速
度に鑑み、電気回路によるハードウエアで説明してきた
が、イオン干渉補正回路は同じアルゴリズムによるソフ
トウェアにより実現することも可能であり、さらに、ラ
イン電極とフィンガ電極のマトリクス構造のイオンヘッ
ドにての例を示したが、他のマトリクス構造を有する静
電記録ヘッドにおいても同等な効果がえられる。

【００５４】また、本発明は、例えば下記のように構成
することも好ましい。 （１）帯電粒子発生源からの帯電粒子放出量を階調画像
信号に応じて制御し、記録媒体上に静電潜像を形成する
静電潜像形成手段を有する階調画像静電記録装置におい
て、前記静電潜像形成手段により形成される静電潜像の
特定画素の近傍で前記特定画素より先に静電潜像が形成
される画素の階調値の大きさに応じて前記特定画素の階
調値を補正する階調補正手段とを有している。

【００５５】このようにすれば、潜像が形成される時間
的差異に関係しない均一画像が得られる。 （２）上記（１）記載の階調画像静電記録装置におい
て、前記特定画素とその近傍で前記特定画素より先に静
電潜像が形成される画素は、主走査方向の同一ライン上
に位置する。

【００５６】このようにすれば、主走査方向の１ライン
に、特定画素とその近傍の前記特定画素より先に静電潜
像が形成される画素が位置され、これら先に静電潜像が
形成される画素の階調値により、特定画素の階調値を補
正するようになるので、この場合、主走査方向に潜像が
形成される時間的差異に関係することなく均一な画像が
得られる。

【００５７】（３）上記（１）記載の階調画像静電記録
装置において、前記特定画素の近傍の画素は、主走査方
向の同一ライン上の前記特定画素の前後に位置する。こ
のようにすれば、特定画素の近傍の画素は、主走査方向
の同一ライン上の特定画素の前後に位置するようになる
ので、この場合も、主走査方向に潜像が形成される時間
的差異に関係しない均一な画像が得られる。

【００５８】（４）上記（１）記載の階調画像静電記録
装置において、特定画素とその近傍の画素は副走査方向
に同じライン上にあることを特徴としている。このよう
にすれば、特定画素の副走査方向の同一ライン上で、特
定画素より先に静電潜像が形成される画素の階調値を特
定値と比較し、その比較出力に応じて後に静電潜像が形
成される特定画素の階調値を変化させるようになり、副
走査方向に潜像が形成される時間的差異に関係なく、低
濃度から高濃度まで均一な画像が得られる。

【００５９】（５）上記（１）記載の階調画像静電記録
装置において、特定画素の近傍の画素は副走査方向に直
前の１画素である。このようにしても（４）と同様な効
果が期待できる。

【００６０】（６）上記（１）記載の階調画像静電記録
装置において、特定画素に対してその近傍の画素は、主
走査方向の同一ラインと副走査方向に直前の主走査方向
のライン上にある。

【００６１】このように、特定画素の主走査方向の同じ
ライン上の画素と、特定画素の副走査方向に直前の主走
査方向のライン上の画素の階調値を特定値と比較し、そ
の比較出力に応じて特定画素の階調値を補正することに
よって、より精密な補正が可能になる。

【００６２】（７）上記（１）記載の階調画像静電記録
装置において、特定画素に対しその近傍の画素は、特定
画素の主走査方向の同一ライン上の前後の２画素と、特
定画素の副走査方向に直前の１画素とその主走査方向と
同一ラインの前後の２画素とによる、総計５画素であ
る。

【００６３】このようにしても、特定画素の主走査方向
の同じライン上の前後の２画素と、特定画素の副走査方
向に直前の１画素とその直前の主走査方向に同じライン
の前後の２画素による、総計５画素の階調値を特定値と
比較し、その比較出力に応じて特定画素の階調値を補正
することで、（６）と同様な効果が期待できる。

【００６４】（８）上記（１）〜（７）のいずれか１つ
に記載の階調画像静電記録装置において、前記階調補正
手段は、特定画素の近傍で、先に静電潜像が形成される
画素の階調値を所定の値と比較する比較手段と、この比
較手段の出力に応じて、後に静電潜像が形成される特定
画素の階調値を所定の値だけ増加させる補正手段を有し
ている。

【００６５】このようにすれば、特定画素の近傍で、先
に静電潜像が形成される画素の階調値と一定値との比較
結果により、後に静電潜像が形成される特定画素の階調
値を一定量増加することができ、潜像が形成される時間
的差異に関係なく、低濃度から高濃度まで均一な画像が
得られる。

【００６６】（９）上記（１）〜（７）のいずれか１つ
に記載の階調画像静電記録装置において、前記階調補正
手段は、特定画素の近傍で、先に静電潜像が形成される
画素の階調値を所定の値と比較する比較手段と、この比
較手段の比較結果に応じて、後に静電潜像が形成される
特定画素の階調値を一定割合増加させる補正手段を有し
ている。

【００６７】このようにすれば、特定画素の近傍で、先
に静電潜像が形成される画素の階調値と一定値の比較結
果により、後に静電潜像が形成される特定画素の階調値
を一定割合増加させるようにでき、潜像が形成される時
間的差異に関係なく、低濃度から高濃度まで均一な画像
が得られる。

【００６８】

【発明の効果】本発明によれば、特定画素の近傍で、こ
の特定画素より先に静電潜像が形成される画素の階調値
により、特定画素の階調値を補正するようになるので、
潜像が形成される時間的差異に関係なく、低濃度から高
濃度まで均一画像が得られる。

【００６９】また、本発明によれば、主走査方向の１ラ
イン上に、特定画素とその近傍の前記特定画素より先に
静電潜像が形成される画素が位置され、これら先に静電
潜像が形成される画素の階調値により、特定画素の階調
値を補正するようになるので、主走査方向に潜像が形成
される時間的差異に関係することなく、低濃度から高濃
度までも均一な画像が得られる。

【００７０】また、本発明によれば、特定画素の近傍の
画素は、主走査方向の同一ライン上の特定画素の前後に
位置するようになるので、この場合も、主走査方向に潜
像が形成される時間的差異に関係することなく、低濃度
から高濃度まで均一な画像が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例の概略構成を示す図。

【図２】第１実施例に用いられるイオン干渉補正回路の
概略構成を示す図。

【図３】第１実施例による画像潜像の形成を説明するた
めの図。

【図４】本発明の第２実施例の概略構成を示す図。

【図５】第２実施例に用いられるイオン干渉補正回路の
概略構成を示す図。

【図６】第２実施例による画像潜像の形成を説明するた
めの図。

【図７】本発明の第３実施例の概略構成を示す図。

【図８】従来の階調画像静電記録装置に用いられるイオ
ンヘッドの一部を切り欠いた概略構成図。

【図９】従来の階調画像静電記録装置に用いられるイオ
ンヘッドの電極構成を示す模式図。

【図１０】従来の階調画像静電記録装置に用いられるイ
オンヘッドの概略構成図。

【図１１】従来の階調画像静電記録装置を示す概略構成
図。

【図１２】従来の階調画像静電記録装置に用いられるイ
オンヘッドの駆動タイミングチャート。

【図１３】従来の階調画像静電記録装置を示すブロック
図。

【図１４】従来の階調画像静電記録装置に用いられるイ
オンヘッドによる１走査ラインの印画順序を説明するた
めの図。

【図１５】従来の階調画像静電記録装置に用いられるイ
オンヘッドによる画像潜像の形成を説明するための図。

【図１６】従来の階調画像静電記録装置に用いられるイ
オンヘッドによる画像潜像の形成を説明するための図。

【符号の説明】

１…イオンヘッド、１０２…イオンヘッドドライバ、１
０３…ラインドライバ、１０４…フィンガドライバ、１
０５…フィンガパルス幅変調回路、１０６…フィンガパ
ルス電圧変調回路、１０７…ヘッドムラ補正回路、１０
８…ヘッドムラ補正テーブル、１０９…ディスキュウ回
路、１０９ａ…ディスキュウ用ラインバッファ、１１０
…γ補正回路、１１１…γ補正テーブル、１１２…ＹＭ
Ｃ変換回路、１１３…ラスタデータインターフェイス回
路、２００…イオン干渉補正回路、２００ａ…イオン干
渉補正用１ラインバッファ、２０１、２０１ｂ、２０１
ｃ…イオン補正演算回路、２０２、２０２ｂ、２０２ｃ
…比較回路、２０３、２０３ｂ、２０３ｃ…補正回路。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 帯電粒子発生源からの帯電粒子放出量を
   階調画像信号に応じて制御し、記録媒体上に静電潜像を
   形成する静電潜像形成手段を有する階調画像静電記録装
   置において、 前記静電潜像形成手段により形成される静電潜像の特定
   画素の近傍で前記特定画素より先に静電潜像が形成され
   る画素の階調値の大きさに応じて前記特定画素の階調値
   を補正する階調補正手段とを有することを特徴とする階
   調画像静電記録装置。
2. 【請求項２】 前記特定画素とその近傍で前記特定画素
   より先に静電潜像が形成される画素は、主走査方向の同
   一ライン上に位置することを特徴とする請求項１記載の
   階調画像静電記録装置。
3. 【請求項３】 前記特定画素の近傍の画素は、主走査方
   向の同一ライン上の前記特定画素の前後に位置すること
   を特徴とする請求項１記載の階調画像静電記録装置。