JPH07272857A - Electroluminescent element and its manufacture - Google Patents
Electroluminescent element and its manufactureInfo
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- JPH07272857A JPH07272857A JP6087662A JP8766294A JPH07272857A JP H07272857 A JPH07272857 A JP H07272857A JP 6087662 A JP6087662 A JP 6087662A JP 8766294 A JP8766294 A JP 8766294A JP H07272857 A JPH07272857 A JP H07272857A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、例えば計器類の自発光
型のセグメント表示やマトリックス表示、あるいは各種
情報端末計器のディスプレイなどに使用されるエレクト
ロルミネッセンス(Electroluminescence) 素子（以下EL
素子と称する）に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electroluminescence element (hereinafter referred to as EL element) used for, for example, self-luminous segment display or matrix display of instruments, or display of various information terminal instruments.
Element).
【０００２】[0002]
【従来の技術】EL素子はZnS(硫化亜鉛）等の蛍光体に電
界を印加したときに発光する現象を利用したもので、自
発光型の平面ディスプレイを構成するものとして従来よ
り注目されている。図９はEL素子１００の典型的な断面
構造を示した模式図である。EL素子１００は、絶縁性基
板であるガラス基板１０１上に、第一電極１０２、第一
絶縁層１０３、発光層１０４、第二絶縁層１０５及び第
二電極１０６を順次積層してなるEL素子本体と、それを
封入するためのシリコーンオイル等の封入材１０７と保
護層１０８より形成される。EL素子本体において少なく
とも発光層１０４、第二絶縁層１０５、及び第二電極１
０６を光学的に透明な材料にて構成することにより、図
中の矢印方向からの光取り出しが可能になる。光学的に
透明な電極としては、従来よりITO(Indium Tin Oxide）
膜やZnO(硫化亜鉛）膜等が使用されている。発光層１０
４としては、例えばZnS を母体材料とし、発光中心とし
てMn（マンガン）、Tm（ツリウム）、Tb（テルビウム）
を添加したものや、SrS(硫化ストロンチウム）を母体材
料とし、発光中心としてCe（セリウム）を添加したもの
が使用される。2. Description of the Related Art EL elements utilize the phenomenon of emitting light when an electric field is applied to a phosphor such as ZnS (zinc sulfide) and have been attracting attention as a constituent of a self-luminous flat display. . FIG. 9 is a schematic view showing a typical sectional structure of the EL element 100. The EL element 100 is an EL element body formed by sequentially laminating a first electrode 102, a first insulating layer 103, a light emitting layer 104, a second insulating layer 105 and a second electrode 106 on a glass substrate 101 which is an insulating substrate. And a protective layer 108 and an encapsulating material 107 such as silicone oil for encapsulating the same. At least the light emitting layer 104, the second insulating layer 105, and the second electrode 1 in the EL element body.
By configuring 06 with an optically transparent material, it is possible to extract light from the direction of the arrow in the figure. Conventionally, ITO (Indium Tin Oxide) has been used as an optically transparent electrode.
Films and ZnO (zinc sulfide) films are used. Light emitting layer 10
For example, ZnS is used as a base material, and Mn (manganese), Tm (thulium), and Tb (terbium) are used as emission centers.
And those containing SrS (strontium sulfide) as a base material and Ce (cerium) added as an emission center are used.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】ところでITO 膜やZnO
膜の屈折率はほぼ２であり、かなり大きい。一般に屈折
率の大きい媒質から屈折率の小さい媒質へ光が進入する
場合、屈折率の差が大きいほど光の反射率は増大する。
従って発光層１０４より下側では、第一電極１０２に透
明電極を用いた場合、基板１０１と第一電極１０２界面
での反射が、第一電極１０２に金属電極を用いた場合、
第一電極１０２と第一絶縁層１０３界面での反射が支配
的になる。しかしこの反射は光取り出し方向へ光を返す
ことになるので、発光輝度向上の立場からは、大きけれ
ば大きいほど良い。一方、発光層１０４より上側では、
第二電極１０６と封入材１０７界面での反射が支配的に
なる。この反射のために、大部分の波長の光は内部反射
に起因する干渉効果によって減衰してしまい、大きく輝
度を損じる結果となる。[Problems to be Solved by the Invention] By the way, ITO film and ZnO
The refractive index of the film is approximately 2, which is quite large. Generally, when light enters from a medium having a large refractive index to a medium having a small refractive index, the reflectance of light increases as the difference in refractive index increases.
Therefore, below the light emitting layer 104, when a transparent electrode is used as the first electrode 102, reflection at the interface between the substrate 101 and the first electrode 102 occurs, and when a metal electrode is used as the first electrode 102,
The reflection at the interface between the first electrode 102 and the first insulating layer 103 becomes dominant. However, since this reflection returns light in the light extraction direction, the larger the value, the better from the standpoint of improving the emission brightness. On the other hand, above the light emitting layer 104,
The reflection at the interface between the second electrode 106 and the encapsulant 107 becomes dominant. Due to this reflection, most wavelengths of light are attenuated by the interference effect caused by internal reflection, resulting in a large loss of brightness.
【０００４】従ってこの問題の解決には、第二電極１０
６と封入材１０７界面における光の反射を低減すること
が本質であり、本発明はこの反射を低減することを目的
とする。Therefore, in order to solve this problem, the second electrode 10
It is essential to reduce the reflection of light at the interface between 6 and the encapsulant 107, and the present invention aims to reduce this reflection.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
になされた本発明の構成は、支持基板上に第一電極、第
一絶縁層、発光層、第二絶縁層及び第二電極を順次積層
して、少なくとも発光層、第二絶縁層及び第二電極が光
学的に透明なものにて構成されたEL素子において、前記
第二電極上に必要に応じて形成された各層の屈折率が、
表面に向かう順に小さくなり、前記第二電極の直上層の
屈折率が前記第二電極の屈折率よりも小さく、最上層の
屈折率が１より大きいことを特徴とする。関連する発明
の構成は、前記直上層が、同時に最上層の保護層である
こと、あるいは、前記直上層が、封入材もしくはフィル
タ材を含む封入材からなる層であり、その上の層が最上
層の保護層であること、あるいは、前記直上層が補正層
であり、その上の層が封入材からなる層であり、その上
の層が最上層の保護層であること、さらにあるいは、前
記補正層が少なくとも二層からなる複数層となっている
ことを特徴とする。さらに特徴ある構成として、前記補
正層が絶縁性を有する光学的に透明な膜であり、前記絶
縁性を有する光学的に透明な膜もしくは間に挟まれる着
目層の屈折率をｎ、膜厚をｄ、取り出したい光のスペク
トルの中心波長もしくはピーク波長をλ、前記着目層の
下層もしくは第二電極の屈折率をｎ1 、前記着目層の上
層もしくは封入材あるいはフィルタ材の屈折率をｎ2 と
するとき、それらの間に前述の数式(1) 、数式(2) の
内、少なくとも１つの式が満たされることを特徴とす
る。あるいは、前記発光層の呈する発光スペクトルが、
ピーク波長の半値幅で5nm 以上のブロードなスペクトル
を含むことを特徴としたり、前記直上層が色フィルタ材
もしくは色フィルタ層であることを特徴とする構成、あ
るいは前記発光層が、Mnを付活したZnS であるか、もし
くはCe、EuまたはPbを付活したCaS 、SrS 、CaGa2S4 、
または SrGa2S4（いずれの母体材料もCe、EuまたはPbの
いずれかが付活される）のうち少なくとも一つを構成要
素として含むことを特徴とする。[Means for Solving the Problems] The structure of the present invention made in order to solve the above problems comprises a support substrate on which a first electrode, a first insulating layer, a light emitting layer, a second insulating layer and a second electrode are sequentially formed. In an EL element in which at least a light emitting layer, a second insulating layer and a second electrode are laminated and are optically transparent, the refractive index of each layer formed on the second electrode as necessary is ,
It is characterized in that the refractive index of the layer immediately above the second electrode is smaller than the refractive index of the second electrode, and the refractive index of the uppermost layer is larger than 1 in the order toward the surface. According to the structure of the related invention, the immediately upper layer is the uppermost protective layer at the same time, or the immediately upper layer is a layer made of an encapsulating material or an encapsulating material containing a filter material, and the layer above it is the most An upper protective layer, or a layer immediately above is a correction layer, an upper layer is a layer made of an encapsulating material, and an upper layer is an uppermost protective layer; or It is characterized in that the correction layer is a plurality of layers including at least two layers. As a further characteristic configuration, the correction layer is an optically transparent film having an insulating property, and the refractive index of the optically transparent film having an insulating property or a layer of interest sandwiched therebetween is n and the film thickness is d, the center wavelength or the peak wavelength of the spectrum of light desired to be extracted lambda, the refractive index of the lower layer or the second electrode of the noted layers n 1, the upper layer or the refractive index of the encapsulant or filter material of the noted layers and n 2 At this time, at least one of the formulas (1) and (2) is satisfied between them. Alternatively, the emission spectrum exhibited by the light emitting layer is
A full width at half maximum of the peak wavelength is characterized by including a broad spectrum of 5 nm or more, or a structure characterized in that the immediately upper layer is a color filter material or a color filter layer, or the light emitting layer, activated Mn ZnS or CaS, SrS, CaGa 2 S 4 activated with Ce, Eu or Pb,
Alternatively, at least one of SrGa 2 S 4 (any of the base materials is activated with Ce, Eu, or Pb) is contained as a constituent element.
【０００６】また本発明によるEL素子の製造方法の構成
は、支持基板上に第一電極、第一絶縁層、発光層、第二
絶縁層及び第二電極を、少なくとも発光層、第二絶縁層
及び第二電極を光学的に透明なものにて順次積層し、封
入材あるいはフィルタ材にて被覆するエレクトロルミネ
ッセンス素子の製造方法において、絶縁性を有し、光学
的に透明で、その屈折率が前記封入材あるいは前記フィ
ルタ材の屈折率より大きく、なおかつ前記第二電極の屈
折率より小さく、かつ適切な条件のもとで硬化する液状
物質で、前記第二電極を被覆して平坦にし、該液状物質
に硬化処理を施して第一薄膜を形成する工程と、前記第
一薄膜上に、絶縁性を有し、光学的に透明で、その屈折
率が前記封入材あるいは前記封入材もしくは前記フィル
タ材の屈折率より大きく前記第一薄膜の屈折率より小さ
い物質よりなる前記第二薄膜を形成する工程とを有する
ことである。Further, the structure of the method for manufacturing an EL element according to the present invention is such that at least the light emitting layer and the second insulating layer are provided on the supporting substrate, the first electrode, the first insulating layer, the light emitting layer, the second insulating layer and the second electrode. In the method for manufacturing an electroluminescent element in which the second electrode and the second electrode are sequentially laminated with an optically transparent material and are covered with an encapsulating material or a filter material, the material has an insulating property, is optically transparent, and has a refractive index of A liquid substance having a refractive index higher than that of the encapsulating material or the filter material, and lower than the refractive index of the second electrode, and curable under appropriate conditions, coats and flattens the second electrode, A step of forming a first thin film by subjecting a liquid substance to a curing treatment, and having an insulating property on the first thin film, being optically transparent, and having a refractive index of the encapsulating material or the encapsulating material or the filter. From the refractive index of the material Is that a step of forming said second thin film made of less material than the refractive index of the listening the first membrane.
【０００７】[0007]
【作用及び発明の効果】本発明のEL素子においては、EL
素子内の光の出射方向に存在する各界面での屈折率の差
を従来より小さくし、しかも光の出射方向に向かって屈
折率が段階的に単調に減少するように各層を構成してい
る。この構成では光の出射方向に向かって屈折率が従来
より滑らかに変化するため、各界面での光の反射の総量
が低減される。また第二電極上に、上記２式を満たすよ
うに薄膜を形成すると、光学薄膜の理論でいうところの
反射防止膜として薄膜が機能するために、反射が著しく
低減される。その結果、これらのことからEL素子の輝度
を向上することができる。また本発明のEL素子の製造方
法においては、第二電極上に、上面が平坦な第一薄膜を
形成した後に第二薄膜を形成している。それ故、第二薄
膜の均一な成膜が可能になる。In the EL device of the present invention, the EL
The difference in the refractive index at each interface existing in the light emission direction in the device is made smaller than before, and each layer is configured so that the refractive index gradually decreases monotonically in the light emission direction. . In this configuration, the refractive index changes more smoothly in the light emitting direction than in the conventional case, so that the total amount of light reflected at each interface is reduced. Further, when a thin film is formed on the second electrode so as to satisfy the above two expressions, the thin film functions as an antireflection film in the theory of an optical thin film, so that the reflection is significantly reduced. As a result, from these things, the brightness of the EL element can be improved. In the method for manufacturing an EL element of the present invention, the second thin film is formed on the second electrode after forming the first thin film having a flat upper surface. Therefore, it is possible to form the second thin film uniformly.
【０００８】[0008]
（第一実施例）以下、本発明を具体的な実施例に基づい
て説明する。図１は本発明の第一の実施例に係わる薄膜
EL素子２００の断面図である。この薄膜EL素子本体は、
絶縁性基板であるガラス基板１上に順次、以下の薄膜が
積層形成され構成される。尚、以下各層の膜厚はその中
央の部分を基準として述べている。(First Embodiment) The present invention will be described below based on specific embodiments. FIG. 1 is a thin film according to a first embodiment of the present invention.
3 is a sectional view of an EL element 200. FIG. This thin film EL element body is
The following thin films are sequentially laminated and formed on the glass substrate 1 which is an insulating substrate. In the following, the film thickness of each layer is described with reference to the central portion thereof.
【０００９】ガラス基板１上に、ZnO からなる第一電極
２、Ta2O5 からなる第一絶縁層３、発光中心としてCeを
添加したSrS からなる発光層４、Ta2O5 からなる第二絶
縁層５、光学的に透明なZnO からなる第二電極６を積層
してEL素子本体を構成した。[0009] On a glass substrate 1, first made from the first electrode 2, Ta 2 O 5 first insulating layer 3 made of a light-emitting layer 4 made of SrS was doped with Ce as a luminescent center, Ta 2 O 5 formed of ZnO The EL element body was constructed by laminating the two insulating layers 5 and the second electrode 6 made of optically transparent ZnO.
【００１０】このEL素子本体の製造方法を以下に述べ
る。 (a) まず、ガラス基板１上に第一電極２を成膜した。蒸
着材料としては、ZnO 粉末に Ga2O3を加えて混合しペレ
ット状に形成したものを用い、成膜装置としてはイオン
プレーティング装置を用いた。具体的には、上記ガラス
基板１の温度を一定に保持したままイオンプレーティン
グ装置内を真空に排気した後、Arガスを導入して圧力を
一定に保ち、成膜速度が 6〜18nm／min の範囲となるよ
うにビーム電力及び高周波電力を調整し成膜した。 (b) 次に、上記第一電極２上に、Ta2O5 からなる第一絶
縁層３をスパッタ法により形成した。具体的には、上記
ガラス基板１の温度を一定に保持し、スパッタ装置内に
Arと O2 の混合ガスを導入し1kW の高周波電力で成膜し
た。 (c) 上記第一絶縁層３上に、SrS を母体材料としCeを添
加したSrS:Ce発光層４をスパッタ法により形成した。具
体的には、上記ガラス基板１を 500℃の高温に保持し、
スパッタ装置内にArガスに 5% の割合で H2Sを混合した
混合ガスを導入し150Wの高周波電力で成膜した。 (d) 上記発光層４上に、Ta2O5 からなる第二絶縁層５
を、上述の第一絶縁層３と同様の方法で形成した。上記
第二絶縁層５上に、ZnO からなる第二電極６を、上述の
第一電極２と同様の方法で形成した。各層の膜厚は、第
一透明電極２、第二透明電極６がそれぞれ300nm 、第一
絶縁層３、第二絶縁層５がそれぞれ 400nm、発光層４が
1000nmである。A method of manufacturing the EL element body will be described below. (a) First, the first electrode 2 was formed on the glass substrate 1. As the vapor deposition material, ZnO powder to which Ga 2 O 3 was added and mixed to form a pellet was used, and an ion plating apparatus was used as a film forming apparatus. Specifically, while the temperature of the glass substrate 1 is kept constant, the inside of the ion plating apparatus is evacuated to vacuum, then Ar gas is introduced to keep the pressure constant, and the film formation rate is 6 to 18 nm / min. The beam power and the high frequency power were adjusted so as to fall within the range. (b) Next, the first insulating layer 3 made of Ta 2 O 5 was formed on the first electrode 2 by a sputtering method. Specifically, the temperature of the glass substrate 1 is kept constant, and
A mixed gas of Ar and O 2 was introduced to form a film with a high-frequency power of 1 kW. (c) On the first insulating layer 3, the SrS: Ce light emitting layer 4 containing SrS 2 as a base material and Ce added was formed by the sputtering method. Specifically, the glass substrate 1 is kept at a high temperature of 500 ° C.,
A mixed gas prepared by mixing H 2 S with Ar gas at a ratio of 5% was introduced into the sputtering apparatus, and a film was formed with a high-frequency power of 150 W. (d) Second insulating layer 5 made of Ta 2 O 5 on the light emitting layer 4
Was formed in the same manner as the above-mentioned first insulating layer 3. The second electrode 6 made of ZnO was formed on the second insulating layer 5 in the same manner as the above-mentioned first electrode 2. The thickness of each layer is 300 nm for the first transparent electrode 2 and the second transparent electrode 6, 400 nm for the first insulating layer 3 and the second insulating layer 5, and 400 nm for the light emitting layer 4.
It is 1000 nm.
【００１１】次に、このEL素子本体との間に隙間を残し
てガラス板の保護層８を配置し、EL素子本体と保護層８
の間にシリコーンオイル７を注入してEL素子本体を封入
した。この際用いるシリコーンオイル７の屈折率が、ガ
ラス保護層８の屈折率（〜1.5)より大きく、かつZnO 第
二電極６の屈折率（2.0)より小さくなるように、シリコ
ーンオイルを選定した。メチルフェニル系のシリコーン
オイルには屈折率が1.5 以上のものがあり、本発明では
屈折率1.55のシリコーンオイルを用いた。Next, a protective layer 8 made of a glass plate is placed with a gap left between the EL element body and the EL element body to protect the EL element body and the protective layer 8.
Silicone oil 7 was injected between them to encapsulate the EL device body. The silicone oil was selected so that the refractive index of the silicone oil 7 used at this time is higher than that of the glass protective layer 8 (up to 1.5) and lower than that of the ZnO second electrode 6 (2.0). Some methylphenyl-based silicone oils have a refractive index of 1.5 or more. In the present invention, a silicone oil having a refractive index of 1.55 was used.
【００１２】図２は、本発明によるEL素子と従来のEL素
子の印加電圧と発光輝度との関係を示した特性図であ
る。本発明のEL素子の輝度は約30％向上した。従来のシ
リコーンオイルの屈折率は1.4 である。従って第二電極
まで達した光は屈折率2.0 →1.4 →1.5 の媒質を順次透
過してゆくことになる。一方、本発明のEL素子において
は屈折率2.0 →1.55→1.5 の媒質を順次透過してゆくこ
とになるので、媒質間の屈折率の差が従来のものより小
さい。それ故、第二電極と封入材界面、及び封入材と保
護層界面での光の反射を低減することができ、EL素子の
輝度を向上させることができる。FIG. 2 is a characteristic diagram showing the relationship between the applied voltage and the emission luminance of the EL element according to the present invention and the conventional EL element. The brightness of the EL device of the present invention was improved by about 30%. The refractive index of conventional silicone oil is 1.4. Therefore, the light that reaches the second electrode will be transmitted sequentially through the medium with the refractive index of 2.0 → 1.4 → 1.5. On the other hand, in the EL element of the present invention, the medium having a refractive index of 2.0 → 1.55 → 1.5 is sequentially transmitted, so that the difference in the refractive index between the media is smaller than that of the conventional one. Therefore, it is possible to reduce the reflection of light at the interface between the second electrode and the encapsulating material and the interface between the encapsulating material and the protective layer, and improve the brightness of the EL element.
【００１３】第二電極としてITO を用いた場合にも、そ
の屈折率が２であるので同様の効果が得られた。また第
一実施例においては、光取り出し側が第二電極側である
ので、第一電極としては光学的に透明でないAl、Ta、M
o、W 等の金属電極を用いても良い。When ITO was used as the second electrode, the same effect was obtained because the refractive index was 2. Further, in the first embodiment, since the light extraction side is the second electrode side, Al, Ta, M which is not optically transparent as the first electrode.
You may use metal electrodes, such as o and W.
【００１４】（第二実施例）図３は、本発明の第二実施
例に係わるEL素子の断面図である。この薄膜EL素子本体
は、第一実施例と同様の方法で構成されている。このEL
素子本体上に樹脂等の封入材９を塗布し、その上にガラ
ス板の保護層８を配置した。この封入材９には熱硬化性
の樹脂が適している。この際、封入材９の屈折率がガラ
ス保護層８の屈折率（〜1.5)より大きく、かつ第二電極
６の屈折率より小さくなるように、封入材の材質を選定
した。このような構成にすることによって媒質間の屈折
率の差を小さくすることができる。従って第二電極と封
入材界面、及び封入材と保護層界面での光の反射を低減
することができ、EL素子輝度を30％向上させることがで
きた。(Second Embodiment) FIG. 3 is a sectional view of an EL device according to a second embodiment of the present invention. This thin film EL element body is constructed in the same manner as in the first embodiment. This EL
An encapsulating material 9 such as a resin was applied on the element body, and the protective layer 8 made of a glass plate was placed thereon. A thermosetting resin is suitable for the encapsulating material 9. At this time, the material of the encapsulating material was selected such that the encapsulating material 9 had a refractive index higher than that of the glass protective layer 8 (up to 1.5) and lower than that of the second electrode 6. With such a configuration, the difference in refractive index between the media can be reduced. Therefore, reflection of light at the interface between the second electrode and the encapsulating material and the interface between the encapsulating material and the protective layer can be reduced, and the brightness of the EL element can be improved by 30%.
【００１５】（第三実施例）図４は、本発明の第三実施
例に係わるEL素子の断面図である。この薄膜EL素子本体
は、第一実施例と同様の方法で構成されている。このEL
素子本体上にSOG(スピンオングラス）からなる保護材１
０をスピンコータにより形成した。SOG の屈折率は1.45
であり、空気の屈折率（1.0)より大きく、かつZnO 第二
電極６の屈折率（2.0)より小さい。このような構成にす
ることによって媒質間の屈折率の差を小さくすることが
できる。従って第二電極と保護材界面、及び保護材と空
気界面での光の反射を低減することができEL素子の輝度
を向上させることができた。(Third Embodiment) FIG. 4 is a sectional view of an EL device according to a third embodiment of the present invention. This thin film EL element body is constructed in the same manner as in the first embodiment. This EL
Protective material consisting of SOG (spin on glass) on the element body 1
0 was formed by a spin coater. Refractive index of SOG is 1.45
Which is larger than the refractive index of air (1.0) and smaller than the refractive index (2.0) of the ZnO second electrode 6. With such a configuration, the difference in refractive index between the media can be reduced. Therefore, the reflection of light at the interface between the second electrode and the protective material and at the interface between the protective material and the air can be reduced, and the brightness of the EL element can be improved.
【００１６】（第四実施例）図５は、本発明の第四実施
例に係わるEL素子の断面図である。本実施例は、上述し
た第三実施例において、保護材１０が、フィルタ等の機
能を果たすフィルタ材１１にて置き換えられた場合であ
る。この場合にもフィルタ材１１の屈折率を１より大き
く、かつ第二電極６の屈折率より小さくなるように選定
することで、媒質間の屈折率の差を小さくした。これに
より第二電極とフィルタ材界面、及びフィルタ材と空気
界面での光の反射を低減することができ、EL素子の輝度
を向上させることができた。またフィルタ材と保護材が
積層されている場合には、両方の屈折率を１より大きく
かつ第二電極の屈折率より小さくするとともに、第二電
極から上に行くに従って屈折率が段階的に単調に減少す
るように構成することが望ましい。(Fourth Embodiment) FIG. 5 is a sectional view of an EL device according to the fourth embodiment of the present invention. The present embodiment is a case in which the protective material 10 is replaced with a filter material 11 that functions as a filter or the like in the third embodiment described above. Also in this case, the refractive index of the filter material 11 is selected to be larger than 1 and smaller than the refractive index of the second electrode 6 to reduce the difference in refractive index between the media. Thereby, the reflection of light at the interface between the second electrode and the filter material and the interface between the filter material and the air can be reduced, and the brightness of the EL element can be improved. When the filter material and the protective material are laminated, the refractive index of both should be larger than 1 and smaller than the refractive index of the second electrode, and the refractive index should be monotonically stepwise as it goes up from the second electrode. It is desirable to configure so that
【００１７】（第五実施例）図６は、本発明の第五実施
例に係わるEL素子の断面図である。本実施例において
は、薄膜EL素子本体を第一実施例と同様に構成した後、
第二電極６上に、光学的に透明なSiN からなる絶縁膜１
２を形成した。その後、上記絶縁膜１２が堆積されたEL
素子本体との間に隙間を残して、ガラス板の保護層８を
配置し、EL素子本体と保護層８の間にシリコーンオイル
７を注入して、EL素子本体を封入した。シリコーンオイ
ル７は従来から用いられている屈折率〜1.4 のもので
も、本発明の第一の実施例で説明した屈折率＞1.5 のも
のでもよい。また第二電極６はZnOにて形成され、その
屈折率は２である。(Fifth Embodiment) FIG. 6 is a sectional view of an EL device according to a fifth embodiment of the present invention. In this example, after the thin film EL element body was configured in the same manner as in the first example,
An insulating film 1 made of optically transparent SiN on the second electrode 6.
Formed 2. Then, the EL on which the insulating film 12 is deposited
A protective layer 8 made of a glass plate was arranged with a gap left between the EL element body and silicone oil 7 was injected between the EL element body and the protective layer 8 to encapsulate the EL element body. The silicone oil 7 may have a conventionally used refractive index of 1.4 or a refractive index of> 1.5 described in the first embodiment of the present invention. The second electrode 6 is made of ZnO and has a refractive index of 2.
【００１８】上に挙げた絶縁膜１２のSiN の屈折率は1.
7 であり、シリコーンオイル７の屈折率よりも大きく、
第二電極６の屈折率よりも小さい。従って、この絶縁膜
１２を挿入することによって、第二電極６と絶縁膜１２
界面と絶縁膜１２とシリコーンオイル７界面での総反射
量を、絶縁膜１２が無いときの第二電極６とシリコーン
オイル７界面での反射量よりも小さくすることができ
る。これによりEL素子の輝度を向上させることができ
た。本実施例における絶縁膜１２を構成する物質とし
て、SiN の他にMgO 、Al2O3 、NdF3、Y2O3等を用いても
良い。これらの屈折率はそれぞれMgO=1.7 、Al2O3=1.6
、NdF3=1.6、Y2O3=1.9であり、シリコーンオイル７の
屈折率よりも大きく、第二電極６の屈折率よりも小さ
い。またこの実施例におけるシリコーンオイル７は、他
の樹脂等からなる封入材であっても良い。さらに、絶縁
膜１２の上に接触してフィルタ材が形成されていても良
い。この場合には、絶縁膜１２の屈折率をこれら封入材
・フィルタ材の屈折率よりも大きく、第二電極６の屈折
率よりも小さく設定することで所定の効果が得られる。The refractive index of SiN of the above-mentioned insulating film 12 is 1.
7, which is larger than the refractive index of silicone oil 7,
It is smaller than the refractive index of the second electrode 6. Therefore, by inserting this insulating film 12, the second electrode 6 and the insulating film 12
The total amount of reflection at the interface, the insulating film 12 and the interface of the silicone oil 7 can be made smaller than the amount of reflection at the interface of the second electrode 6 and the silicone oil 7 without the insulating film 12. As a result, the brightness of the EL element could be improved. In addition to SiN, MgO, Al 2 O 3 , NdF 3 , Y 2 O 3 or the like may be used as the material forming the insulating film 12 in this embodiment. These refractive indices are MgO = 1.7 and Al 2 O 3 = 1.6, respectively.
, NdF 3 = 1.6, Y 2 O 3 = 1.9, which is higher than the refractive index of the silicone oil 7 and lower than the refractive index of the second electrode 6. Further, the silicone oil 7 in this embodiment may be an encapsulating material made of other resin or the like. Further, a filter material may be formed in contact with the insulating film 12. In this case, a predetermined effect can be obtained by setting the refractive index of the insulating film 12 higher than that of the encapsulating material / filter material and lower than the refractive index of the second electrode 6.
【００１９】（第六実施例）図７は、本発明の第六実施
例に係わるEL素子の断面図である。本実施例において
は、薄膜EL素子本体を第一実施例と同様に構成した後、
第二電極６上に第一の補正層としてSiN からなる絶縁膜
１３を形成し、該絶縁膜１３上に第二の補正層としてAl
2O3 からなる絶縁膜１４を形成した。その後、上記多層
膜１３、１４が堆積されたEL素子本体との間に隙間を残
して、ガラス板の保護層８を配置し、EL素子本体と保護
層８の間にシリコーンオイル７を注入してEL素子本体を
封入した。この構成では、絶縁膜１３の屈折率（1.7)及
び絶縁膜１４の屈折率（1.6)はシリコーンオイル７の屈
折率よりも大きく、第二電極６の屈折率よりも小さい。
しかも、絶縁膜１４の屈折率は絶縁膜１３の屈折率より
も小さい。すなわち、第二電極から光の出射方向に向か
って屈折率が単調に減少している。このような構成にす
ることによって、各界面での屈折率の差はより小さくな
る。その結果、各界面での反射量が小さくなりEL素子の
輝度が向上した。本実施例において、多層膜を三層以上
の光学的に透明な膜にて構成しても良い。そのような構
成により、屈折率を単調になるべく滑らかに減少するよ
うに設定することによって、反射量をより低減すること
が可能である。(Sixth Embodiment) FIG. 7 is a sectional view of an EL device according to a sixth embodiment of the present invention. In this example, after the thin film EL element body was configured in the same manner as in the first example,
An insulating film 13 made of SiN is formed as a first correction layer on the second electrode 6, and Al is formed as a second correction layer on the insulating film 13.
The insulating film 14 made of 2 O 3 was formed. After that, the protective layer 8 made of a glass plate is arranged with a gap left between the EL element body on which the multilayer films 13 and 14 are deposited, and the silicone oil 7 is injected between the EL element body and the protective layer 8. The EL element body is enclosed. In this structure, the refractive index (1.7) of the insulating film 13 and the refractive index (1.6) of the insulating film 14 are larger than the refractive index of the silicone oil 7 and smaller than the refractive index of the second electrode 6.
Moreover, the refractive index of the insulating film 14 is smaller than that of the insulating film 13. That is, the refractive index monotonically decreases from the second electrode in the light emission direction. With such a structure, the difference in refractive index at each interface becomes smaller. As a result, the amount of reflection at each interface was reduced and the brightness of the EL device was improved. In this embodiment, the multilayer film may be composed of three or more optically transparent films. With such a configuration, it is possible to further reduce the reflection amount by setting the refractive index so as to decrease monotonously and smoothly.
【００２０】（第七実施例）この第七実施例において
は、EL素子を第五実施例と同様に構成するが（図６）、
その際、絶縁膜１２の膜厚ｄを、次の数式(1) の条件を
満たすよう値を設定する。(Seventh Embodiment) In this seventh embodiment, the EL element is constructed in the same manner as in the fifth embodiment (FIG. 6).
At that time, the film thickness d of the insulating film 12 is set to a value that satisfies the following expression (1).
【数 １】ｎｄ＝ｍλ／４ ・・・・(1) ここでｎは絶縁膜１２の屈折率、λは考えているEL素子
から取り出したい発光スペクトルの中心波長、ｍは奇数
である。この条件が満たされるとき、第二電極６、絶縁
膜１２、封入材７の部分での反射は極小になることが光
学薄膜の理論から知られている。更にこの条件に加え、
絶縁膜１２の屈折率を封入材７の屈折率ｎ2 よりも大き
く第二電極６の屈折率ｎ1 よりも小さく設定するだけで
なく、## EQU1 ## nd = mλ / 4 (1) where n is the refractive index of the insulating film 12, λ is the center wavelength of the emission spectrum to be extracted from the EL element under consideration, and m is an odd number. It is known from the theory of the optical thin film that when this condition is satisfied, the reflection at the second electrode 6, the insulating film 12, and the encapsulant 7 becomes minimal. In addition to this condition,
In addition to setting the refractive index of the insulating film 12 to be larger than the refractive index n 2 of the encapsulating material 7 and smaller than the refractive index n 1 of the second electrode 6,
【数 ２】ｎ2 ＝ｎ1 ｎ2 ・・・・(2) を満たすように設定することによって反射を最小にする
ことができる。例えば、封入材の屈折率が1.4 の場合に
はｎ＝1.67となり、SiN またはMgO 等を用いれば良いこ
とになる。## EQU2 ## Reflection can be minimized by setting n 2 = n 1 n 2 ... (2). For example, when the refractive index of the encapsulant is 1.4, n = 1.67, and SiN or MgO may be used.
【００２１】ここでは、発光層４をCeを付活したSrS に
て形成したEL素子について具体的に説明する。第二電極
６上に、SiN からなる絶縁膜１２を、蒸着法を用いて膜
厚がほぼ70nmとなるように形成した。シリコーンオイル
７は、通常の屈折率1.4 のシリコーンオイルを用いた。
この場合、上述したように、ｎ2 ＝ｎ1 ｎ2 の条件がほ
ぼ満足される。また膜厚を70nmと設定することによりｎ
ｄ＝ｍλ／４の条件から、波長〜480nm の光に対して非
常に反射が小さくなる。この方法によりEL素子の輝度が
１５％向上した。Here, an EL element in which the light emitting layer 4 is made of Ce-activated SrS will be specifically described. An insulating film 12 made of SiN 2 was formed on the second electrode 6 by an evaporation method so that the film thickness was about 70 nm. As the silicone oil 7, a usual silicone oil having a refractive index of 1.4 was used.
In this case, as described above, the condition of n 2 = n 1 n 2 is almost satisfied. Also, by setting the film thickness to 70 nm, n
From the condition of d = mλ / 4, the reflection is very small for light of wavelength ˜480 nm. By this method, the brightness of the EL device was improved by 15%.
【００２２】上記のデータに見られるように、輝度の向
上が格段に大きくないのは、本実施例の構造による反射
低減の効果が、＜500nm の青色成分の光に対して顕著で
あるからである。この青色成分の光については視感度が
低いため、この部分の光強度が増大しても、緑成分も含
めた全体の輝度の向上にはあまり反映されない。実際、
500nm のシャープカット青色フィルタ透過後の輝度を比
較したところ、本実施例の構造を適用することにより、
輝度が40％向上することが確認された。青色発光ELの輝
度の低さは従来より問題にされているが、本発明により
反射で失われていた光成分の多くを回収することがで
き、青色輝度向上に非常に効果が大きい。本実施例では
屈折率1.4 のシリコーンオイルを用いたが、第一実施例
で述べたように、屈折率が1.5 より大きいシリコーンオ
イルを用いることで、さらに輝度を向上することができ
る。As can be seen from the above data, the improvement in the brightness is not so large because the effect of reducing reflection by the structure of this embodiment is remarkable for the light of the blue component of <500 nm. is there. Since the light of the blue component has low luminosity, even if the light intensity of this portion is increased, it is not reflected so much in the improvement of the whole luminance including the green component. In fact
Comparing the brightness after passing through the 500nm sharp-cut blue filter, by applying the structure of this example,
It was confirmed that the brightness was improved by 40%. Although the low brightness of the blue light emitting EL has been a problem in the past, most of the light components lost by reflection can be recovered by the present invention, which is extremely effective in improving the blue brightness. Although the silicone oil having the refractive index of 1.4 is used in this embodiment, the brightness can be further improved by using the silicone oil having the refractive index of more than 1.5, as described in the first embodiment.
【００２３】（第八実施例）図８は、本発明の製造方法
の実施例に係わるEL素子の断面図である。EL素子本体
は、第一実施例と同様の方法で構成されている。次にパ
ターニングされた第二電極６上に、アクリル系紫外硬化
樹脂をスピンコータにて均一に塗布した後、紫外線を照
射して硬化させ、第一薄膜１５を形成した。次に、上記
第一薄膜１５上に、光学的に透明なSiO2からなる第二薄
膜１６を蒸着法を用いて、膜厚がほぼ83nmとなるように
形成した。その後、上記多層膜１５、１６が堆積された
EL素子本体との間に、隙間を残してガラス板の保護層８
を配置し、EL素子本体と保護層８の間に屈折率1.4 のシ
リコーンオイル７を注入してEL素子本体を封入した。(Eighth Embodiment) FIG. 8 is a sectional view of an EL device according to an embodiment of the manufacturing method of the present invention. The EL element body is constructed in the same manner as in the first embodiment. Next, an acrylic ultraviolet curable resin was uniformly applied on the patterned second electrode 6 with a spin coater, and then irradiated with ultraviolet rays to be cured to form a first thin film 15. Next, a second thin film 16 made of optically transparent SiO 2 was formed on the first thin film 15 by an evaporation method so as to have a thickness of about 83 nm. Then, the multilayer films 15 and 16 were deposited.
Protective layer 8 of glass plate leaving a gap between it and the EL element body
Was placed, and silicone oil 7 having a refractive index of 1.4 was injected between the EL element body and the protective layer 8 to encapsulate the EL element body.
【００２４】この構成では、第一薄膜１５の屈折率が1.
56、第二薄膜１６の屈折率が1.45である。従って屈折率
は、第二電極６からシリコーンオイル７に向かって単調
に減少する。しかも、第二薄膜１６の屈折率は(1.45)2
〜1.56×1.4(数式(2))を満足している。また膜厚を83nm
に設定することにより、ｎｄ＝ｍλ／４の条件から波長
〜480nm の光に対して非常に反射が小さくなる。これら
の効果によりEL素子の輝度を向上させることができた。In this structure, the first thin film 15 has a refractive index of 1.
56, the refractive index of the second thin film 16 is 1.45. Therefore, the refractive index monotonically decreases from the second electrode 6 toward the silicone oil 7. Moreover, the refractive index of the second thin film 16 is (1.45) 2
It satisfies ~ 1.56 × 1.4 (Equation (2)). Also the film thickness is 83 nm
By setting to, the reflection becomes extremely small for the light of wavelength ˜480 nm from the condition of nd = mλ / 4. The brightness of the EL element could be improved by these effects.
【００２５】パターニングされた第二電極上は、当然の
ことながら表面の凹凸が大きく、そのすぐ上に均一な薄
膜を形成することは、しばしば困難を伴う。しかし本実
施例の製造方法においては、第一薄膜１５を容易に上面
を平坦化できる液状物質にて形成した後、その上に膜厚
の均一性が要求される第二薄膜１６を形成している。こ
の方法によれば、平坦な表面に第二薄膜を形成すればよ
いので、従来、レンズ等の表面に反射防止膜を形成する
のに用いられてきた薄膜形成技術を、そのまま応用する
ことができ、膜質の向上、開発コストの低減につなが
る。これから容易に考えられるように、第二薄膜１６
を、従来反射防止膜として用いられている多層膜にて置
き換えてもよい。As a matter of course, the surface of the patterned second electrode has large irregularities, and it is often difficult to form a uniform thin film immediately on the surface. However, in the manufacturing method of the present embodiment, the first thin film 15 is formed of a liquid substance whose upper surface can be easily flattened, and then the second thin film 16 which requires a uniform film thickness is formed thereon. There is. According to this method, since the second thin film may be formed on the flat surface, the thin film forming technique which has been conventionally used for forming the antireflection film on the surface of the lens or the like can be directly applied. This leads to improvement of film quality and reduction of development cost. As will be easily considered from now on, the second thin film 16
May be replaced with a multilayer film that has been conventionally used as an antireflection film.
【００２６】以上の他にも、直上層が、封入材もしくは
フィルタ材であることを特徴とする請求項２記載のエレ
クトロルミネッセンス素子であっても良い。なお本明細
書において用いた表現は、説明の用語として用いたもの
で、この用語に限定されるものではない。また各構成要
素の例として挙げた物質名は、それを形成する物質を限
定するものではない。In addition to the above, the immediately above layer may be an encapsulating material or a filter material, and the electroluminescent element according to claim 2 may be used. It should be noted that the expressions used in this specification are used as terms for explanation and are not limited to these terms. Further, the substance names given as examples of the respective constituent elements do not limit the substances forming them.
【図１】本発明の第一の実施例に係わるEL素子の断面図
である。FIG. 1 is a sectional view of an EL device according to a first embodiment of the present invention.
【図２】本発明の第一の実施例に係わるEL素子の発光輝
度と印加電圧との関係を従来法と比較して示した図であ
る。FIG. 2 is a diagram showing the relationship between the light emission luminance and the applied voltage of the EL element according to the first embodiment of the present invention in comparison with the conventional method.
【図３】本発明の第二の実施例に係わるEL素子の断面図
である。FIG. 3 is a sectional view of an EL device according to a second embodiment of the present invention.
【図４】本発明の第三の実施例に係わるEL素子の断面図
である。FIG. 4 is a sectional view of an EL device according to a third embodiment of the present invention.
【図５】本発明の第四実施例に係わるEL素子の断面図で
ある。FIG. 5 is a sectional view of an EL device according to a fourth embodiment of the present invention.
【図６】本発明の第五、第七の実施例に係わるEL素子の
断面図である。FIG. 6 is a sectional view of an EL device according to fifth and seventh embodiments of the present invention.
【図７】本発明の第六の実施例に係わるEL素子の断面図
である。FIG. 7 is a sectional view of an EL device according to a sixth embodiment of the present invention.
【図８】本発明の製造方法の実施例に係わるEL素子の断
面図である。FIG. 8 is a cross-sectional view of an EL device according to an example of the manufacturing method of the present invention.
【図９】EL素子の縦断面を示す模式図である。FIG. 9 is a schematic view showing a vertical cross section of an EL element.
１００、２００─EL素子（エレクトロルミネッセンス素
子） １、１０１─ガラス基板（絶縁性基板） ２、１０２─第一電極 ３、１０３─第一絶縁層 ４、１０４─発光層 ５、１０５─第二絶縁層 ６、１０６─第二電極（透明電極） ７、１０７─シリコーンオイル等封入材 ８、１０８─保護層 ９─樹脂等封入材 １０─保護材 １１─フィルタ材 １２、１３、１４、１５、１６─絶縁性を有する光学的
に透明な薄膜100, 200-EL element (electroluminescence element) 1, 101-Glass substrate (insulating substrate) 2, 102-First electrode 3, 103-First insulating layer 4, 104-Light emitting layer 5, 105-Second insulation Layer 6, 106-Second electrode (transparent electrode) 7,107-Encapsulating material such as silicone oil 8,108-Protective layer 9-Encapsulating material for resin 10-Protective material 11-Filter material 12, 13, 14, 15, 16 ─ Optically transparent thin film with insulating properties
Claims (10)
層、第二絶縁層及び第二電極を順次積層して、少なくと
も発光層、第二絶縁層及び第二電極が光学的に透明なも
のにて構成されたエレクトロルミネッセンス素子におい
て、 前記第二電極上に必要に応じて形成された各層の屈折率
が、表面に向かう順に小さくなり、 前記第二電極の直上層の屈折率が前記第二電極の屈折率
よりも小さく、最上層の屈折率が１より大きいことを特
徴とするエレクトロルミネッセンス素子。1. A first electrode, a first insulating layer, a light emitting layer, a second insulating layer, and a second electrode are sequentially laminated on a supporting substrate, and at least the light emitting layer, the second insulating layer, and the second electrode are optical. In an electroluminescent element composed of a transparent material, the refractive index of each layer formed as necessary on the second electrode becomes smaller in the order toward the surface, and the refractive index of the layer immediately above the second electrode. Is smaller than the refractive index of the second electrode, and the refractive index of the uppermost layer is larger than 1, the electroluminescent element.
ることを特徴とする請求項１記載のエレクトロルミネッ
センス素子。2. The electroluminescent element according to claim 1, wherein the immediately upper layer is a protective layer which is an uppermost layer at the same time.
くはフィルタ材を含む封入材からなる層であり、その上
の層が最上層の保護層であることを特徴とする請求項１
記載のエレクトロルミネッセンス素子。3. The immediately above layer is a layer composed of a correction layer or an encapsulating material containing an encapsulating material or a filter material, and the layer thereabove is the uppermost protective layer.
The electroluminescent element described.
封入材からなる層であり、その上の層が最上層の保護層
であることを特徴とする請求項１記載のエレクトロルミ
ネッセンス素子。4. The electro device according to claim 1, wherein the immediately upper layer is a correction layer, the layer thereabove is a layer made of an encapsulating material, and the layer thereabove is a protective layer of the uppermost layer. Luminescence element.
層であることを特徴とする請求項１乃至４記載のエレク
トロルミネッセンス素子。5. The electroluminescent element according to claim 1, wherein the correction layer is a plurality of layers including at least two layers.
な膜であり、 前記絶縁性を有する光学的に透明な膜もしくは間に挟ま
れる着目層の屈折率をｎ、膜厚をｄ、取り出したい光の
スペクトルの中心波長もしくはピーク波長をλ、前記着
目層の下層もしくは第二電極の屈折率をｎ1 、前記着目
層の上層もしくは封入材あるいはフィルタ材の屈折率を
ｎ2 とするとき、それらの間に以下の数式(1) 、数式
(2) 【数 １】 ｎｄ＝ｍλ／４ （ｍは奇数）・・・・(1) 【数 ２】 ｎ2 ＝ｎ1 ｎ2 ・・・・(2) の内、少なくとも１つの式が満たされることを特徴とす
る請求項３乃至５記載のエレクトロルミネッセンス素
子。6. The correction layer is an optically transparent film having an insulating property, and the refractive index of the optically transparent film having an insulating property or a target layer sandwiched therebetween is n and the film thickness is d. , Λ is the center wavelength or peak wavelength of the spectrum of the light to be extracted, n 1 is the refractive index of the lower layer of the target layer or the second electrode, and n 2 is the refractive index of the upper layer of the target layer or the encapsulant or filter material. When between them, the following formula (1), the formula
(2) [Equation 1] nd = mλ / 4 (m is an odd number) ... (1) [Equation 2] n 2 = n 1 n 2 ... The electroluminescence element according to claim 3, wherein the electroluminescence element is satisfied.
ーク波長の半値幅で５ｎｍ以上のブロードなスペクトル
を含むことを特徴とする請求項１乃至６記載のエレクト
ロルミネッセンス素子。7. The electroluminescence device according to claim 1, wherein the emission spectrum exhibited by the light emitting layer includes a broad spectrum having a half value width of a peak wavelength of 5 nm or more.
ルタ層であることを特徴とする請求項１乃至７記載のエ
レクトロルミネッセンス素子。8. The electroluminescent element according to claim 1, wherein the immediately upper layer is a color filter material or a color filter layer.
か、もしくはCe、EuまたはPbを付活したCaS 、SrS 、Ca
Ga2S4 、または SrGa2S4のうち少なくとも一つを構成要
素として含むことを特徴とする請求項１乃至８記載のエ
レクトロルミネッセンス素子。9. The light emitting layer is ZnS activated with Mn, or CaS, SrS, Ca activated with Ce, Eu or Pb.
9. The electroluminescent device according to claim 1, comprising at least one of Ga 2 S 4 and SrGa 2 S 4 as a constituent element.
光層、第二絶縁層及び第二電極を、少なくとも発光層、
第二絶縁層及び第二電極を光学的に透明なものにて順次
積層し、封入材あるいはフィルタ材にて被覆するエレク
トロルミネッセンス素子の製造方法において、 絶縁性を有し、光学的に透明で、その屈折率が前記封入
材あるいは前記フィルタ材の屈折率より大きく、なおか
つ前記第二電極の屈折率より小さく、かつ適切な条件の
もとで硬化する液状物質で、前記第二電極を被覆して平
坦にし、該液状物質に硬化処理を施して第一薄膜を形成
する工程と、 前記第一薄膜上に、絶縁性を有し、光学的に透明で、そ
の屈折率が前記封入材あるいは前記封入材もしくは前記
フィルタ材の屈折率より大きく前記第一薄膜の屈折率よ
り小さい物質よりなる前記第二薄膜を形成する工程とを
有することを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子
の製造方法。10. A first electrode, a first insulating layer, a light emitting layer, a second insulating layer and a second electrode on a supporting substrate, at least a light emitting layer,
A method of manufacturing an electroluminescent element, in which a second insulating layer and a second electrode are sequentially laminated with an optically transparent material and are covered with an encapsulating material or a filter material, having an insulating property and being optically transparent, The second electrode is coated with a liquid substance whose refractive index is higher than that of the encapsulating material or the filter material, and is lower than that of the second electrode, and which cures under appropriate conditions. Forming a first thin film by flattening the liquid substance and subjecting the liquid substance to a curing treatment; and having an insulating property and an optical transparency on the first thin film, the refractive index of which is the encapsulating material or the encapsulating material. And a step of forming the second thin film made of a substance having a refractive index higher than that of the filter material and lower than the refractive index of the first thin film, the method for manufacturing an electroluminescent element.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6087662A JPH07272857A (en) | 1994-03-31 | 1994-03-31 | Electroluminescent element and its manufacture |
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| JP (1) | JPH07272857A (en) |
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002017689A1 (en) * | 2000-08-23 | 2002-02-28 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic el display |
| JP2004079422A (en) * | 2002-08-21 | 2004-03-11 | Tdk Corp | Organic el element |
| JP2005242338A (en) * | 2004-01-26 | 2005-09-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Light emitting device |
| JP2005276620A (en) * | 2004-03-25 | 2005-10-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Light emitting device, electronic equipment, and television receiver |
| JP2005339927A (en) * | 2004-05-26 | 2005-12-08 | Pentax Corp | Organic electroluminescent element |
| JP2009211877A (en) * | 2008-03-03 | 2009-09-17 | Sony Corp | Display device and electronic apparatus |
| US7696524B2 (en) | 2004-05-20 | 2010-04-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element and display device |
| KR100976457B1 (en) * | 2008-10-22 | 2010-08-17 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | Organic Electroluminescence Device And Method For Fabricating Of The Same |
| WO2010134620A1 (en) * | 2009-05-22 | 2010-11-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical structure to reduce internal reflections and method thereof |
| JP2011034711A (en) * | 2009-07-30 | 2011-02-17 | Sumitomo Chemical Co Ltd | Organic electroluminescence element |
| JP2011171287A (en) * | 2010-01-20 | 2011-09-01 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Flexible light-emitting device, electronic equipment, and manufacturing method for flexible light-emitting device |
| WO2011161998A1 (en) * | 2010-06-25 | 2011-12-29 | パナソニック電工株式会社 | Organic el element |
| JP2012089313A (en) * | 2010-10-18 | 2012-05-10 | Fujifilm Corp | Light-extracting sheet, organic electroluminescent device, and method for manufacturing the same |
| JP2013008704A (en) * | 2012-10-11 | 2013-01-10 | Sony Corp | Display device, method for manufacturing display device, and electronic apparatus |
| JP2016106244A (en) * | 1999-01-28 | 2016-06-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Display device and electronic apparatus |
| WO2017159503A1 (en) * | 2016-03-15 | 2017-09-21 | シャープ株式会社 | Organic el display device |
| EP1763095B1 (en) * | 2005-09-08 | 2017-11-22 | OSRAM OLED GmbH | Efficiency enhancement methods for OLED light source through index bridging |
-
1994
- 1994-03-31 JP JP6087662A patent/JPH07272857A/en active Pending
Cited By (42)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017033003A (en) * | 1999-01-28 | 2017-02-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Display device and electronic apparatus |
| JP2016106244A (en) * | 1999-01-28 | 2016-06-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Display device and electronic apparatus |
| WO2002017689A1 (en) * | 2000-08-23 | 2002-02-28 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic el display |
| US6963168B2 (en) | 2000-08-23 | 2005-11-08 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic EL display device having certain relationships among constituent element refractive indices |
| KR100748818B1 (en) * | 2000-08-23 | 2007-08-13 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | Organic el display device |
| KR100773674B1 (en) * | 2000-08-23 | 2007-11-05 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | Organic el display device |
| US7548020B2 (en) | 2000-08-23 | 2009-06-16 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic EL display device having certain relationships among constituent element refractive indices |
| JP2004079422A (en) * | 2002-08-21 | 2004-03-11 | Tdk Corp | Organic el element |
| JP2005242338A (en) * | 2004-01-26 | 2005-09-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Light emitting device |
| JP2005276620A (en) * | 2004-03-25 | 2005-10-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Light emitting device, electronic equipment, and television receiver |
| US8212280B2 (en) | 2004-05-20 | 2012-07-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element and display device |
| US9614012B2 (en) | 2004-05-20 | 2017-04-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element and display device |
| US11683952B2 (en) | 2004-05-20 | 2023-06-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element and display device |
| US11063236B2 (en) | 2004-05-20 | 2021-07-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element and display device |
| US10784465B2 (en) | 2004-05-20 | 2020-09-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device having white light emission |
| CN102244202A (en) * | 2004-05-20 | 2011-11-16 | 株式会社半导体能源研究所 | Light-emitting element and display device |
| US8809891B2 (en) | 2004-05-20 | 2014-08-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. | Light-emitting element and display device |
| US8669579B2 (en) | 2004-05-20 | 2014-03-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element and display device |
| US9105855B2 (en) | 2004-05-20 | 2015-08-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element and display device |
| US9349775B2 (en) | 2004-05-20 | 2016-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element and display device |
| US7696524B2 (en) | 2004-05-20 | 2010-04-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element and display device |
| JP2005339927A (en) * | 2004-05-26 | 2005-12-08 | Pentax Corp | Organic electroluminescent element |
| EP1763095B1 (en) * | 2005-09-08 | 2017-11-22 | OSRAM OLED GmbH | Efficiency enhancement methods for OLED light source through index bridging |
| JP2009211877A (en) * | 2008-03-03 | 2009-09-17 | Sony Corp | Display device and electronic apparatus |
| TWI498039B (en) * | 2008-03-03 | 2015-08-21 | Joled Inc | Display device and electronic equipment |
| US8629615B2 (en) | 2008-10-22 | 2014-01-14 | Samsung Display Co., Ltd. | Method of fabricating an organic light emitting diode (OLED) display |
| US8310153B2 (en) | 2008-10-22 | 2012-11-13 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display device and method of fabricating the same |
| KR100976457B1 (en) * | 2008-10-22 | 2010-08-17 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | Organic Electroluminescence Device And Method For Fabricating Of The Same |
| CN102439650A (en) * | 2009-05-22 | 2012-05-02 | 夏普株式会社 | Optical structure to reduce internal reflections and method thereof |
| JP2012527636A (en) * | 2009-05-22 | 2012-11-08 | シャープ株式会社 | Optical structure and method for reducing internal reflection |
| US8252390B2 (en) | 2009-05-22 | 2012-08-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical structure to reduce internal reflections |
| WO2010134620A1 (en) * | 2009-05-22 | 2010-11-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical structure to reduce internal reflections and method thereof |
| CN102484925A (en) * | 2009-07-30 | 2012-05-30 | 住友化学株式会社 | Organic electroluminescence element |
| JP2011034711A (en) * | 2009-07-30 | 2011-02-17 | Sumitomo Chemical Co Ltd | Organic electroluminescence element |
| JP2011171287A (en) * | 2010-01-20 | 2011-09-01 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Flexible light-emitting device, electronic equipment, and manufacturing method for flexible light-emitting device |
| US9000442B2 (en) | 2010-01-20 | 2015-04-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, flexible light-emitting device, electronic device, and method for manufacturing light-emitting device and flexible-light emitting device |
| WO2011161998A1 (en) * | 2010-06-25 | 2011-12-29 | パナソニック電工株式会社 | Organic el element |
| JP2012089313A (en) * | 2010-10-18 | 2012-05-10 | Fujifilm Corp | Light-extracting sheet, organic electroluminescent device, and method for manufacturing the same |
| JP2013008704A (en) * | 2012-10-11 | 2013-01-10 | Sony Corp | Display device, method for manufacturing display device, and electronic apparatus |
| WO2017159503A1 (en) * | 2016-03-15 | 2017-09-21 | シャープ株式会社 | Organic el display device |
| US10468467B2 (en) | 2016-03-15 | 2019-11-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | Organic electroluminescence display device |
| US20190081110A1 (en) * | 2016-03-15 | 2019-03-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Organic el display device |
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