JPH07268603A - 導電膜の成膜方法 - Google Patents
導電膜の成膜方法Info
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- JPH07268603A JPH07268603A JP5652194A JP5652194A JPH07268603A JP H07268603 A JPH07268603 A JP H07268603A JP 5652194 A JP5652194 A JP 5652194A JP 5652194 A JP5652194 A JP 5652194A JP H07268603 A JPH07268603 A JP H07268603A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】マスキングスパッタ法によって基板上の所定の
領域に導電膜を成膜するものでありながら、基板上に導
電体が設けられておりこの導電体が導電膜の成膜面に露
出していても、マスク板と基板上の導電体との間に異常
放電を発生させることなく均一な膜質の導電膜を成膜す
る。 【構成】金属膜からなる遮光膜（導電体）２が導電膜の
成膜面に露出している基板１の導電膜成膜領域を除く部
分を、表面全体を絶縁膜２２で被覆したマスク板でマス
クして、前記基板１上にスパッタ粒子を堆積させる。
領域に導電膜を成膜するものでありながら、基板上に導
電体が設けられておりこの導電体が導電膜の成膜面に露
出していても、マスク板と基板上の導電体との間に異常
放電を発生させることなく均一な膜質の導電膜を成膜す
る。 【構成】金属膜からなる遮光膜（導電体）２が導電膜の
成膜面に露出している基板１の導電膜成膜領域を除く部
分を、表面全体を絶縁膜２２で被覆したマスク板でマス
クして、前記基板１上にスパッタ粒子を堆積させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、基板上の所定領域にス
パッタ装置によって導電膜を成膜する導電膜の成膜方法
に関するものである。
パッタ装置によって導電膜を成膜する導電膜の成膜方法
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】基板上への導電膜の成膜は、一般に、マ
グネトロン型のスパッタ装置によって行なわれている。
上記マグネトロン型のスパッタ装置は、放電により発生
するプラズマを磁界中に封じ込め、このプラズマにより
ターゲットから粒子をスパッタさせて、このスパッタ粒
子を基板上に堆積させるものであり、このスパッタ装置
は、図示しないが、チャンバ内に、プラズマを封じ込め
るための磁界を発生する磁石部を設け、この磁石部に対
向させてアノード電極を配置した構成となっている。
グネトロン型のスパッタ装置によって行なわれている。
上記マグネトロン型のスパッタ装置は、放電により発生
するプラズマを磁界中に封じ込め、このプラズマにより
ターゲットから粒子をスパッタさせて、このスパッタ粒
子を基板上に堆積させるものであり、このスパッタ装置
は、図示しないが、チャンバ内に、プラズマを封じ込め
るための磁界を発生する磁石部を設け、この磁石部に対
向させてアノード電極を配置した構成となっている。
【０００３】このスパッタ装置は、前記磁石部にターゲ
ットを設置し、導電膜を成膜する基板をアノード電極を
はさんで前記ターゲットと対向するように配置してスパ
ッタリングを行なうものであり、このスパッタリング
は、チャンバ内にＡr （アルゴン）ガス等の雰囲気ガス
を導入し、前記ターゲット側をカソード電極として、こ
のカソード電極と前記アノード電極との間に高圧電圧
（直流電圧）を印加して行なわれている。
ットを設置し、導電膜を成膜する基板をアノード電極を
はさんで前記ターゲットと対向するように配置してスパ
ッタリングを行なうものであり、このスパッタリング
は、チャンバ内にＡr （アルゴン）ガス等の雰囲気ガス
を導入し、前記ターゲット側をカソード電極として、こ
のカソード電極と前記アノード電極との間に高圧電圧
（直流電圧）を印加して行なわれている。
【０００４】このように、Ａr ガス等の雰囲気ガス中に
おいてターゲット側のカソード電極とアノード電極との
間に高圧電圧を供給すると、これらの間に放電電流が流
れて、この放電によりプラズマが発生する。そして、こ
の発生したプラズマは磁石部の磁界中に封じ込められ、
この磁界中に封じ込められたプラズマにより、ターゲッ
トから粒子がスパッタされる。そして、ターゲットから
スパッタされたスパッタ粒子は、上記基板の方向へ飛
び、この基板上に付着し堆積する。
おいてターゲット側のカソード電極とアノード電極との
間に高圧電圧を供給すると、これらの間に放電電流が流
れて、この放電によりプラズマが発生する。そして、こ
の発生したプラズマは磁石部の磁界中に封じ込められ、
この磁界中に封じ込められたプラズマにより、ターゲッ
トから粒子がスパッタされる。そして、ターゲットから
スパッタされたスパッタ粒子は、上記基板の方向へ飛
び、この基板上に付着し堆積する。
【０００５】ところで、上記スパッタ装置による導電膜
の成膜方法として、マスキングスパッタ法と呼ばれる方
法がある。このマスキングスパッタ法は、導電膜を成膜
する基板の導電膜成膜領域を除く部分を、この基板に近
接させて配置したマスク板でマスクして、前記基板上に
スパッタ粒子を堆積させる方法であり、この方法によれ
ば、基板上の所定領域だけにスパッタ粒子を堆積させ
て、この領域に導電膜を成膜することができる。
の成膜方法として、マスキングスパッタ法と呼ばれる方
法がある。このマスキングスパッタ法は、導電膜を成膜
する基板の導電膜成膜領域を除く部分を、この基板に近
接させて配置したマスク板でマスクして、前記基板上に
スパッタ粒子を堆積させる方法であり、この方法によれ
ば、基板上の所定領域だけにスパッタ粒子を堆積させ
て、この領域に導電膜を成膜することができる。
【０００６】上記マスキングスパッタ法は、例えば、ア
クティブマトリックス液晶素子に用いる対向電極基板の
上にＩＴＯ（酸化インジウム・スズ）膜等の透明導電膜
からなる対向電極を形成するのに利用されており、この
マスキングスパッタ法によれば、基板上に透明導電膜を
成膜するだけで対向電極を形成することができる。
クティブマトリックス液晶素子に用いる対向電極基板の
上にＩＴＯ（酸化インジウム・スズ）膜等の透明導電膜
からなる対向電極を形成するのに利用されており、この
マスキングスパッタ法によれば、基板上に透明導電膜を
成膜するだけで対向電極を形成することができる。
【０００７】すなわち、アクティブマトリックス液晶素
子は、画素電極と薄膜トランジスタ等のアクティブ素子
とをマトリックス状に配列形成した画素電極基板と、前
記画素電極基板の各画素電極に対向する対向電極を形成
した対向電極基板との間に液晶層を設けたものであり、
前記対向電極は、液晶素子の表示領域、つまり前記画素
電極の配列領域全体にわたって一枚膜状に形成されるた
め、上記マスキングスパッタ法によって基板上の対向電
極形成領域に透明導電膜を成膜すれば、成膜した透明導
電膜をそのまま対向電極とすることができる。
子は、画素電極と薄膜トランジスタ等のアクティブ素子
とをマトリックス状に配列形成した画素電極基板と、前
記画素電極基板の各画素電極に対向する対向電極を形成
した対向電極基板との間に液晶層を設けたものであり、
前記対向電極は、液晶素子の表示領域、つまり前記画素
電極の配列領域全体にわたって一枚膜状に形成されるた
め、上記マスキングスパッタ法によって基板上の対向電
極形成領域に透明導電膜を成膜すれば、成膜した透明導
電膜をそのまま対向電極とすることができる。
【０００８】図３は、上記マスキングスパッタ法による
従来の成膜方法を示しており、ここでは、上述した対向
電極基板の上に対向電極となる導電膜（ＩＴＯ膜等の透
明導電膜）を成膜する例を示している。
従来の成膜方法を示しており、ここでは、上述した対向
電極基板の上に対向電極となる導電膜（ＩＴＯ膜等の透
明導電膜）を成膜する例を示している。
【０００９】まず、対向電極基板１について説明する
と、この基板１は、ガラス等からなる透明基板であり、
この基板１の導電膜４を成膜する面、つまり対向電極を
形成する面には、上記アクティブマトリックス液晶素子
の各画素部（画素電極と対向電極とが対向している部
分）の周囲に対応する格子状パターンの遮光膜２が設け
られるともに、その上に、前記各画素部に対応する複数
の色のカラーフィルタ３Ｒ，３Ｇ，３Ｂが設けられてい
る。
と、この基板１は、ガラス等からなる透明基板であり、
この基板１の導電膜４を成膜する面、つまり対向電極を
形成する面には、上記アクティブマトリックス液晶素子
の各画素部（画素電極と対向電極とが対向している部
分）の周囲に対応する格子状パターンの遮光膜２が設け
られるともに、その上に、前記各画素部に対応する複数
の色のカラーフィルタ３Ｒ，３Ｇ，３Ｂが設けられてい
る。
【００１０】上記遮光膜２は、一般にブラックマスクと
呼ばれており、この遮光膜２は、基板１上にＣr （クロ
ム）等の金属膜をスパッタ装置または蒸着装置等によっ
て成膜し、この金属膜をフォトリソグラフィ法によりパ
ターニングして形成されている。
呼ばれており、この遮光膜２は、基板１上にＣr （クロ
ム）等の金属膜をスパッタ装置または蒸着装置等によっ
て成膜し、この金属膜をフォトリソグラフィ法によりパ
ターニングして形成されている。
【００１１】また、上記カラーフィルタ３Ｒ，３Ｇ，３
Ｂは例えば赤，緑，青のフィルタであり、３Ｒは赤色フ
ィルタ、３Ｇは緑色フィルタ、３Ｂは青色フィルタであ
る。これらカラーフィルタ３Ｒ，３Ｇ，３Ｂはそれぞ
れ、その色の顔料を添加した感光性樹脂を基板１上に塗
布し、その膜を露光・現像処理により所定のフィルタ形
状にパターニングする方法で形成されている。
Ｂは例えば赤，緑，青のフィルタであり、３Ｒは赤色フ
ィルタ、３Ｇは緑色フィルタ、３Ｂは青色フィルタであ
る。これらカラーフィルタ３Ｒ，３Ｇ，３Ｂはそれぞ
れ、その色の顔料を添加した感光性樹脂を基板１上に塗
布し、その膜を露光・現像処理により所定のフィルタ形
状にパターニングする方法で形成されている。
【００１２】この方法で形成されたカラーフィルタ３
Ｒ，３Ｇ，３Ｂは、その変質等に対する耐性が十分高
く、その上を保護膜で覆う必要はないため、このカラー
フィルタ３Ｒ，３Ｇ，３Ｂはそのまま露出されており、
したがって、上記遮光膜２のカラーフィルタ３Ｒ，３
Ｇ，３Ｂで覆われていない部分も露出している。
Ｒ，３Ｇ，３Ｂは、その変質等に対する耐性が十分高
く、その上を保護膜で覆う必要はないため、このカラー
フィルタ３Ｒ，３Ｇ，３Ｂはそのまま露出されており、
したがって、上記遮光膜２のカラーフィルタ３Ｒ，３
Ｇ，３Ｂで覆われていない部分も露出している。
【００１３】そして、上記基板１上への対向電極となる
導電膜４のマスキングスパッタ法による成膜は、図３に
示すように、前記基板１の導電膜成膜領域を除く部分
を、この基板に近接させて配置したマスク板１０でマス
クして行なわれている。
導電膜４のマスキングスパッタ法による成膜は、図３に
示すように、前記基板１の導電膜成膜領域を除く部分
を、この基板に近接させて配置したマスク板１０でマス
クして行なわれている。
【００１４】上記マスク板１０は、上記基板１の面積よ
りある程度大きい面積をもつ板状体に、前記基板１の導
電膜成膜領域、つまり対向電極の形成領域に対応する形
状の開口１０ａを設けたものであり、このマスク板１０
としては、薄鉄板等の金属板を打抜き加工したものが使
用されている。
りある程度大きい面積をもつ板状体に、前記基板１の導
電膜成膜領域、つまり対向電極の形成領域に対応する形
状の開口１０ａを設けたものであり、このマスク板１０
としては、薄鉄板等の金属板を打抜き加工したものが使
用されている。
【００１５】このように、基板１の導電膜成膜領域を除
く部分を上記マスク板１０でマスクしておいて基板１上
にスパッタ粒子を堆積させると、ターゲットからスパッ
タされて図に矢印で示すように基板方向へ飛んでくるス
パッタ粒子のうち、基板１の導電膜成膜領域を除く部分
に向かうスパッタ粒子がマスク板１０で遮られ、基板１
上の前記領域だけにスパッタ粒子が堆積する。
く部分を上記マスク板１０でマスクしておいて基板１上
にスパッタ粒子を堆積させると、ターゲットからスパッ
タされて図に矢印で示すように基板方向へ飛んでくるス
パッタ粒子のうち、基板１の導電膜成膜領域を除く部分
に向かうスパッタ粒子がマスク板１０で遮られ、基板１
上の前記領域だけにスパッタ粒子が堆積する。
【００１６】そして、この領域に成膜された導電膜４の
形状は、基板１上に形成する対向電極と同じ形状であ
り、したがって、この導電膜４をパターニングすること
なくそのまま対向電極とすることができる。
形状は、基板１上に形成する対向電極と同じ形状であ
り、したがって、この導電膜４をパターニングすること
なくそのまま対向電極とすることができる。
【００１７】なお、上記基板１の上にはＣr 等の金属膜
からなる遮光膜２が設けられており、この遮光膜２のカ
ラーフィルタ３Ｒ，３Ｇ，３Ｂで覆われていない部分が
導電膜４の成膜面に露出しているため、基板１上に導電
膜４を成膜して形成された対向電極が前記遮光膜２と短
絡するが、この対向電極は、液晶素子の表示領域全体に
わたる一枚膜状の電極であるため、対向電極と遮光膜２
とが短絡しても何等問題はない。
からなる遮光膜２が設けられており、この遮光膜２のカ
ラーフィルタ３Ｒ，３Ｇ，３Ｂで覆われていない部分が
導電膜４の成膜面に露出しているため、基板１上に導電
膜４を成膜して形成された対向電極が前記遮光膜２と短
絡するが、この対向電極は、液晶素子の表示領域全体に
わたる一枚膜状の電極であるため、対向電極と遮光膜２
とが短絡しても何等問題はない。
【００１８】また、上記マスク板１０の上には、このマ
スク板１０で遮られたスパッタ粒子が堆積するが、この
マスク板１０は、その上に堆積した導電膜４がある程度
の厚さになったときに交換される。
スク板１０で遮られたスパッタ粒子が堆積するが、この
マスク板１０は、その上に堆積した導電膜４がある程度
の厚さになったときに交換される。
【００１９】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述したマス
キングスパッタ法によって基板上に導電膜を成膜する場
合、従来の成膜方法では、基板上に導電体が設けられて
おり、しかもこの導電体が導電膜の成膜面に露出してい
ると、基板とマスク板との位置合わせ精度の誤差により
前記マスク板の一部が基板上の導電体と向き合った状態
となったときに、導電膜の成膜中にマスク板と基板上の
導電体との間に異常放電が発生し、その影響で、成膜さ
れた導電膜の膜質が不均一になってしまうという問題が
あった。
キングスパッタ法によって基板上に導電膜を成膜する場
合、従来の成膜方法では、基板上に導電体が設けられて
おり、しかもこの導電体が導電膜の成膜面に露出してい
ると、基板とマスク板との位置合わせ精度の誤差により
前記マスク板の一部が基板上の導電体と向き合った状態
となったときに、導電膜の成膜中にマスク板と基板上の
導電体との間に異常放電が発生し、その影響で、成膜さ
れた導電膜の膜質が不均一になってしまうという問題が
あった。
【００２０】これを、上述した対向電極基板１上に対向
電極となる導電膜４を成膜する場合について説明する
と、図４は、基板１とマスク板１０との間に位置ずれが
あるときの導電膜の成膜状態を示しており、ここでは、
マスク板１０が基板１に対して図上左方向にずれている
状態を示している。
電極となる導電膜４を成膜する場合について説明する
と、図４は、基板１とマスク板１０との間に位置ずれが
あるときの導電膜の成膜状態を示しており、ここでは、
マスク板１０が基板１に対して図上左方向にずれている
状態を示している。
【００２１】このように、基板１とマスク板１０との間
に位置ずれがある状態で導電膜４の成膜を行なうと、基
板１上に、所定の位置からずれて導電膜４が成膜される
が、基板１とマスク板１０との位置ずれ量が許容誤差内
であれば、導電膜４の成膜位置のずれは特に問題にはな
らない。
に位置ずれがある状態で導電膜４の成膜を行なうと、基
板１上に、所定の位置からずれて導電膜４が成膜される
が、基板１とマスク板１０との位置ずれ量が許容誤差内
であれば、導電膜４の成膜位置のずれは特に問題にはな
らない。
【００２２】しかしながら、上記基板１の上には、上述
したように、遮光膜２が液晶素子の各画素部の周囲に対
応する格子状パターンに設けられており、そのため、基
板１とマスク板１０との位置ずれがあると、図４のよう
に、マスク板１０の一部（図４ではマスク板１０の右側
の内縁部）が基板１上の遮光膜２の縁部に向き合う状態
になる。
したように、遮光膜２が液晶素子の各画素部の周囲に対
応する格子状パターンに設けられており、そのため、基
板１とマスク板１０との位置ずれがあると、図４のよう
に、マスク板１０の一部（図４ではマスク板１０の右側
の内縁部）が基板１上の遮光膜２の縁部に向き合う状態
になる。
【００２３】そして、上記マスク板１０は導電性をもつ
金属板からなっており、また基板１上の遮光膜２もＣr
等の金属膜からなる導電体であるし、さらにマスク板１
０が前記遮光膜２に近接しているため、マスク板１０の
一部が遮光膜２の縁部と向き合っている状態で導電膜４
の成膜を行なうと、その成膜中に、マスク板１０と遮光
膜２との互いに向き合っている部分の間に異常放電が発
生し、その影響により、基板１上へのスパッタ粒子の堆
積状態が異常放電発生部ａの付近で乱れて、基板１上
に、前記異常放電発生部ａの付近の膜質が劣る不均一な
膜質の導電膜４が成膜されてしまう。
金属板からなっており、また基板１上の遮光膜２もＣr
等の金属膜からなる導電体であるし、さらにマスク板１
０が前記遮光膜２に近接しているため、マスク板１０の
一部が遮光膜２の縁部と向き合っている状態で導電膜４
の成膜を行なうと、その成膜中に、マスク板１０と遮光
膜２との互いに向き合っている部分の間に異常放電が発
生し、その影響により、基板１上へのスパッタ粒子の堆
積状態が異常放電発生部ａの付近で乱れて、基板１上
に、前記異常放電発生部ａの付近の膜質が劣る不均一な
膜質の導電膜４が成膜されてしまう。
【００２４】なお、上記対向電極基板１の上に成膜され
た導電膜４はそのまま対向電極とされるため、前記導電
膜４の膜質が不均一であれば、前記対向電極の抵抗率お
よび透明度も不均一になり、したがって、この対向電極
基板１を用いて製造された液晶素子が、各画素部の液晶
に印加される電界の強さや光の透過率が不均一な、表示
むらのある素子となってしまう。
た導電膜４はそのまま対向電極とされるため、前記導電
膜４の膜質が不均一であれば、前記対向電極の抵抗率お
よび透明度も不均一になり、したがって、この対向電極
基板１を用いて製造された液晶素子が、各画素部の液晶
に印加される電界の強さや光の透過率が不均一な、表示
むらのある素子となってしまう。
【００２５】本発明は、マスキングスパッタ法によって
基板上の所定の領域に導電膜を成膜するものでありなが
ら、基板上に導電体が設けられておりこの導電体が導電
膜の成膜面に露出していても、マスク板と基板上の導電
体との間に異常放電を発生させることなく均一な膜質の
導電膜を成膜することができる導電膜の成膜方法を提供
することを目的としたものである。
基板上の所定の領域に導電膜を成膜するものでありなが
ら、基板上に導電体が設けられておりこの導電体が導電
膜の成膜面に露出していても、マスク板と基板上の導電
体との間に異常放電を発生させることなく均一な膜質の
導電膜を成膜することができる導電膜の成膜方法を提供
することを目的としたものである。
【００２６】
【課題を解決するための手段】本発明は、基板上の所定
の領域にスパッタ装置によって導電膜を成膜する方法で
あって、前記基板の導電膜成膜領域を除く部分を、この
基板に近接させて配置した少なくとも前記基板に対向す
る面が絶縁性をもっているマスク板でマスクして、前記
基板上にスパッタ粒子を堆積させることを特徴とするも
のである。
の領域にスパッタ装置によって導電膜を成膜する方法で
あって、前記基板の導電膜成膜領域を除く部分を、この
基板に近接させて配置した少なくとも前記基板に対向す
る面が絶縁性をもっているマスク板でマスクして、前記
基板上にスパッタ粒子を堆積させることを特徴とするも
のである。
【００２７】本発明の成膜方法は、特に、導電膜を成膜
する基板上に導電体が設けられており、この導電体が導
電膜の成膜面に露出している場合に有効である。その例
としては、基板がアクティブマトリックス液晶素子に用
いる対向電極基板であり、成膜する導電膜は対向電極と
なる透明導電膜であって、前記基板上には、前記液晶素
子の各画素部の周囲に対応させて金属膜からなる遮光膜
が設けられるとともに、その上に、前記各画素部に対応
するカラーフィルタが設けられており、前記遮光膜の前
記カラーフィルタで覆われていない部分が導電膜の成膜
面に露出している場合がある。また、上記マスク板とし
ては、金属板からなるマスク板本体の少なくとも上記基
板に対向する面を耐熱性の絶縁膜で被覆したものを使用
するのが望ましい。
する基板上に導電体が設けられており、この導電体が導
電膜の成膜面に露出している場合に有効である。その例
としては、基板がアクティブマトリックス液晶素子に用
いる対向電極基板であり、成膜する導電膜は対向電極と
なる透明導電膜であって、前記基板上には、前記液晶素
子の各画素部の周囲に対応させて金属膜からなる遮光膜
が設けられるとともに、その上に、前記各画素部に対応
するカラーフィルタが設けられており、前記遮光膜の前
記カラーフィルタで覆われていない部分が導電膜の成膜
面に露出している場合がある。また、上記マスク板とし
ては、金属板からなるマスク板本体の少なくとも上記基
板に対向する面を耐熱性の絶縁膜で被覆したものを使用
するのが望ましい。
【００２８】
【作用】本発明の成膜方法は、基板の導電膜成膜領域を
除く部分をこの基板に近接させて配置したマスク板でマ
スクしてマスキングスパッタ法による成膜を行なうもの
であるが、前記マスク板として、少なくとも前記基板に
対向する面が絶縁性をもっているものを用いているた
め、基板上に導電体が設けられており、この導電体が導
電膜の成膜面に露出している場合でも、マスク板と基板
上の導電体との間に異常放電を発生させることなく均一
な膜質の導電膜を成膜することができる。
除く部分をこの基板に近接させて配置したマスク板でマ
スクしてマスキングスパッタ法による成膜を行なうもの
であるが、前記マスク板として、少なくとも前記基板に
対向する面が絶縁性をもっているものを用いているた
め、基板上に導電体が設けられており、この導電体が導
電膜の成膜面に露出している場合でも、マスク板と基板
上の導電体との間に異常放電を発生させることなく均一
な膜質の導電膜を成膜することができる。
【００２９】すなわち、例えば基板がアクティブマトリ
ックス液晶素子に用いる対向電極基板であり、成膜する
導電膜が対向電極となる透明導電膜であって、前記基板
上に、前記液晶素子の各画素部の周囲に対応させて金属
膜からなる遮光膜が設けられるとともにその上に前記各
画素部に対応するカラーフィルタが設けられており、前
記遮光膜のカラーフィルタで覆われていない部分が導電
膜の成膜面に露出している場合、基板とマスク板との位
置合わせ精度の誤差によってマスク板の一部と基板上の
遮光膜の縁部とが近接した状態となっても、マスク板の
前記基板に対向する面が絶縁性であるので、前記遮光膜
が金属膜からなる導電体であっても、マスク板と遮光膜
との互いに向き合っている部分の間に異常放電が発生す
ることはなく、したがって、均一な膜質の導電膜を成膜
することができる。
ックス液晶素子に用いる対向電極基板であり、成膜する
導電膜が対向電極となる透明導電膜であって、前記基板
上に、前記液晶素子の各画素部の周囲に対応させて金属
膜からなる遮光膜が設けられるとともにその上に前記各
画素部に対応するカラーフィルタが設けられており、前
記遮光膜のカラーフィルタで覆われていない部分が導電
膜の成膜面に露出している場合、基板とマスク板との位
置合わせ精度の誤差によってマスク板の一部と基板上の
遮光膜の縁部とが近接した状態となっても、マスク板の
前記基板に対向する面が絶縁性であるので、前記遮光膜
が金属膜からなる導電体であっても、マスク板と遮光膜
との互いに向き合っている部分の間に異常放電が発生す
ることはなく、したがって、均一な膜質の導電膜を成膜
することができる。
【００３０】また、上記マスク板としては、金属板から
なるマスク板本体の少なくとも上記基板に対向する面を
耐熱性の絶縁膜で被覆したものを用いるのが望ましく、
このマスク板は、その強度が十分であるし、また、金属
板を打抜き加工してマスク板本体を製作しその少なくと
も上記基板に対向する面を耐熱性の絶縁膜で被覆するだ
けで安価に製造することができる。
なるマスク板本体の少なくとも上記基板に対向する面を
耐熱性の絶縁膜で被覆したものを用いるのが望ましく、
このマスク板は、その強度が十分であるし、また、金属
板を打抜き加工してマスク板本体を製作しその少なくと
も上記基板に対向する面を耐熱性の絶縁膜で被覆するだ
けで安価に製造することができる。
【００３１】
【実施例】以下、本発明の一実施例を、アクティブマト
リックス液晶素子に用いる対向電極基板の上に対向電極
となる導電膜（ＩＴＯ膜等の透明導電膜）を成膜する場
合について説明する。
リックス液晶素子に用いる対向電極基板の上に対向電極
となる導電膜（ＩＴＯ膜等の透明導電膜）を成膜する場
合について説明する。
【００３２】図１および図２はこの実施例の成膜方法を
示す図であり、図１は基板１とマスク板２０との間に位
置ずれないときの導電膜の成膜状態を示している。な
お、図１に示した対向電極基板１は、図３に示したもの
と同じものであるから、その説明は図に同符号を付して
省略する。
示す図であり、図１は基板１とマスク板２０との間に位
置ずれないときの導電膜の成膜状態を示している。な
お、図１に示した対向電極基板１は、図３に示したもの
と同じものであるから、その説明は図に同符号を付して
省略する。
【００３３】この実施例の成膜方法は、上記対向基板１
の導電膜成膜領域を除く部分をこの基板１に近接させて
配置したマスク板２０でマスクしてマスキングスパッタ
法による成膜を行なうものである。
の導電膜成膜領域を除く部分をこの基板１に近接させて
配置したマスク板２０でマスクしてマスキングスパッタ
法による成膜を行なうものである。
【００３４】上記マスク板２０は、上記基板１の面積よ
りある程度大きい面積をもつ板状体に、上記基板１の導
電膜成膜領域、つまり対向電極の形成領域に対応する形
状の開口２０ａを設けらたものであり、この実施例で
は、マスク板２０として、鉄，ステンレス鋼，アルミニ
ウム合金等からなる薄い金属板を打抜き加工して製作し
たマスク板本体２１の表面全体を耐熱性の絶縁膜２２で
被覆したものを用いている。なお、前記絶縁膜２２は、
例えばＳi Ｏ2 （酸化シリコン）膜であり、このＳi Ｏ
2 膜は、マスク板本体２１の表面にシラン系の化合物の
溶剤を塗布して焼成して形成されている。
りある程度大きい面積をもつ板状体に、上記基板１の導
電膜成膜領域、つまり対向電極の形成領域に対応する形
状の開口２０ａを設けらたものであり、この実施例で
は、マスク板２０として、鉄，ステンレス鋼，アルミニ
ウム合金等からなる薄い金属板を打抜き加工して製作し
たマスク板本体２１の表面全体を耐熱性の絶縁膜２２で
被覆したものを用いている。なお、前記絶縁膜２２は、
例えばＳi Ｏ2 （酸化シリコン）膜であり、このＳi Ｏ
2 膜は、マスク板本体２１の表面にシラン系の化合物の
溶剤を塗布して焼成して形成されている。
【００３５】このように、上記基板１の導電膜成膜領域
を除く部分を上記マスク板１０でマスクしておいて基板
１上にスパッタ粒子を堆積させると、ターゲットからス
パッタされて図に矢印で示すように基板方向へ飛んでく
るスパッタ粒子のうち、基板１の導電膜成膜領域を除く
部分に向かうスパッタ粒子がマスク板２０で遮られ、基
板１上の前記領域だけにスパッタ粒子が堆積する。
を除く部分を上記マスク板１０でマスクしておいて基板
１上にスパッタ粒子を堆積させると、ターゲットからス
パッタされて図に矢印で示すように基板方向へ飛んでく
るスパッタ粒子のうち、基板１の導電膜成膜領域を除く
部分に向かうスパッタ粒子がマスク板２０で遮られ、基
板１上の前記領域だけにスパッタ粒子が堆積する。
【００３６】この領域に成膜された導電膜４の形状は、
基板１上に形成する対向電極と同じ形状であり、したが
って、この導電膜４をパターニングすることなくそのま
ま対向電極とすることができる。
基板１上に形成する対向電極と同じ形状であり、したが
って、この導電膜４をパターニングすることなくそのま
ま対向電極とすることができる。
【００３７】なお、上記基板１の上にはＣr 等の金属膜
からなる遮光膜２が設けられており、この遮光膜２のカ
ラーフィルタ３Ｒ，３Ｇ，３Ｂで覆われていない部分が
導電膜４の成膜面に露出しているため、基板１上に導電
膜４を成膜して形成された対向電極が前記遮光膜２と短
絡するが、この対向電極は、液晶素子の表示領域全体に
わたる一枚膜状の電極であるため、対向電極と遮光膜２
とが短絡しても何等問題はない。
からなる遮光膜２が設けられており、この遮光膜２のカ
ラーフィルタ３Ｒ，３Ｇ，３Ｂで覆われていない部分が
導電膜４の成膜面に露出しているため、基板１上に導電
膜４を成膜して形成された対向電極が前記遮光膜２と短
絡するが、この対向電極は、液晶素子の表示領域全体に
わたる一枚膜状の電極であるため、対向電極と遮光膜２
とが短絡しても何等問題はない。
【００３８】また、上記マスク板２０は、スパッタ装置
のチャンバ内に、基板１の配置位置に近接させて設置さ
れており、このマスク板２０は、その上に堆積した導電
膜４がある程度の厚さになったときに交換される。
のチャンバ内に、基板１の配置位置に近接させて設置さ
れており、このマスク板２０は、その上に堆積した導電
膜４がある程度の厚さになったときに交換される。
【００３９】この成膜方法は、基板１の導電膜成膜領域
を除く部分をこの基板１に近接させて配置したマスク板
２０でマスクしてマスキングスパッタ法による成膜を行
なうものであるが、前記マスク板２０として、その表面
が絶縁性をもっているものを用いているため、基板１上
に導電体である遮光膜（Ｃr 等の金属膜）２が設けられ
ており、この遮光膜２が導電膜４の成膜面に露出してい
ても、マスク板２０と基板１上の遮光膜２との間に異常
放電を発生させることなく均一な膜質の導電膜４を成膜
することができる。
を除く部分をこの基板１に近接させて配置したマスク板
２０でマスクしてマスキングスパッタ法による成膜を行
なうものであるが、前記マスク板２０として、その表面
が絶縁性をもっているものを用いているため、基板１上
に導電体である遮光膜（Ｃr 等の金属膜）２が設けられ
ており、この遮光膜２が導電膜４の成膜面に露出してい
ても、マスク板２０と基板１上の遮光膜２との間に異常
放電を発生させることなく均一な膜質の導電膜４を成膜
することができる。
【００４０】すなわち、上記対向電極基板１の上には、
遮光膜２が液晶素子の各画素部の周囲に対応する格子状
パターンに設けられるとともに、その上に、前記各画素
部に対応する赤，緑，青のカラーフィルタ３Ｒ，３Ｇ，
３Ｂが設けられており、前記遮光膜２の前記カラーフィ
ルタ３Ｒ，３Ｇ，３Ｂで覆われていない部分は導電膜４
の成膜面に露出しているが、この基板１上に対向電極と
なる透明導電膜４を成膜する場合、図１に示したよう
に、基板１とマスク板２０との間に位置ずれがなけれ
ば、マスク板２０は基板１上の遮光膜２に対して十分に
ずれている。
遮光膜２が液晶素子の各画素部の周囲に対応する格子状
パターンに設けられるとともに、その上に、前記各画素
部に対応する赤，緑，青のカラーフィルタ３Ｒ，３Ｇ，
３Ｂが設けられており、前記遮光膜２の前記カラーフィ
ルタ３Ｒ，３Ｇ，３Ｂで覆われていない部分は導電膜４
の成膜面に露出しているが、この基板１上に対向電極と
なる透明導電膜４を成膜する場合、図１に示したよう
に、基板１とマスク板２０との間に位置ずれがなけれ
ば、マスク板２０は基板１上の遮光膜２に対して十分に
ずれている。
【００４１】しかし、基板１とマスク板２０との位置合
わせ精度にはある程度の誤差があり、その誤差によって
は、マスク板２０の一部が基板１上の遮光膜２の縁部に
向き合う状態になることがある。
わせ精度にはある程度の誤差があり、その誤差によって
は、マスク板２０の一部が基板１上の遮光膜２の縁部に
向き合う状態になることがある。
【００４２】図２は、基板１とマスク板２０との間に位
置ずれがあるときの導電膜４の成膜状態を示しており、
ここでは、マスク板２０が基板１に対して図上左方向に
ずれている状態を示している。
置ずれがあるときの導電膜４の成膜状態を示しており、
ここでは、マスク板２０が基板１に対して図上左方向に
ずれている状態を示している。
【００４３】このように、基板１とマスク板２０との間
に位置ずれがある場合、その位置ずれ量が許容誤差内で
あれば、導電膜４の成膜位置のずれは特に問題にはなら
ないが、前記位置ずれ量が許容誤差内であっても、その
ずれ量によっては、図２のように、マスク板２０の一部
（図２ではマスク板１０の右側の内縁部）が基板１上の
遮光膜２の縁部に向き合う状態になることがある。
に位置ずれがある場合、その位置ずれ量が許容誤差内で
あれば、導電膜４の成膜位置のずれは特に問題にはなら
ないが、前記位置ずれ量が許容誤差内であっても、その
ずれ量によっては、図２のように、マスク板２０の一部
（図２ではマスク板１０の右側の内縁部）が基板１上の
遮光膜２の縁部に向き合う状態になることがある。
【００４４】そして、従来の成膜方法では、図３および
図４に示したように、金属板からなるマスク板１０を用
いているため、このマスク板１０が導電性をもってお
り、また基板１上の遮光膜２もＣr 等の金属膜からなる
導電体であるし、さらにマスク板が前記遮光膜２に近接
しているため、図４のようにマスク板１０の一部が遮光
膜２の縁部と向き合っている状態で導電膜４の成膜を行
なうと、その成膜中に、マスク板１０と遮光膜２との互
いに向き合っている部分の間に異常放電が発生し、その
影響により、基板１上へのスパッタ粒子の堆積状態が異
常放電発生部ａの付近で乱れて、基板１上に、前記異常
放電発生部ａの付近の膜質が劣る不均一な膜質の導電膜
４が成膜されてしまう。
図４に示したように、金属板からなるマスク板１０を用
いているため、このマスク板１０が導電性をもってお
り、また基板１上の遮光膜２もＣr 等の金属膜からなる
導電体であるし、さらにマスク板が前記遮光膜２に近接
しているため、図４のようにマスク板１０の一部が遮光
膜２の縁部と向き合っている状態で導電膜４の成膜を行
なうと、その成膜中に、マスク板１０と遮光膜２との互
いに向き合っている部分の間に異常放電が発生し、その
影響により、基板１上へのスパッタ粒子の堆積状態が異
常放電発生部ａの付近で乱れて、基板１上に、前記異常
放電発生部ａの付近の膜質が劣る不均一な膜質の導電膜
４が成膜されてしまう。
【００４５】この点、上記実施例の成膜方法では、マス
ク板２０として、金属板からなるマスク板本体２１の表
面全体を耐熱性の絶縁膜２２で被覆したものを用いてい
るため、基板１とマスク板２０との位置合わせ精度の誤
差によりマスク板２０の一部が図２のように基板１上の
遮光膜２の縁部と向き合った状態となっても、マスク板
２０と遮光膜２との互いに向き合っている部分の間に異
常放電が発生することはなく、したがって、基板１上へ
のスパッタ粒子の堆積状態が異常放電によって乱れるこ
とはないから、基板１上に均一な膜質の導電膜４を成膜
することができる。
ク板２０として、金属板からなるマスク板本体２１の表
面全体を耐熱性の絶縁膜２２で被覆したものを用いてい
るため、基板１とマスク板２０との位置合わせ精度の誤
差によりマスク板２０の一部が図２のように基板１上の
遮光膜２の縁部と向き合った状態となっても、マスク板
２０と遮光膜２との互いに向き合っている部分の間に異
常放電が発生することはなく、したがって、基板１上へ
のスパッタ粒子の堆積状態が異常放電によって乱れるこ
とはないから、基板１上に均一な膜質の導電膜４を成膜
することができる。
【００４６】なお、上記対向電極基板１の上に成膜され
た導電膜４はそのまま対向電極とされるが、前記導電膜
４の膜質が均一であれば、前記対向電極の抵抗率および
透明度も均一であり、したがって、この対向電極基板１
を用いて製造された液晶素子は、各画素部の液晶に印加
される電界の強さや光の透過率が均一で、表示むらのな
い良好な表示品質をもっている。
た導電膜４はそのまま対向電極とされるが、前記導電膜
４の膜質が均一であれば、前記対向電極の抵抗率および
透明度も均一であり、したがって、この対向電極基板１
を用いて製造された液晶素子は、各画素部の液晶に印加
される電界の強さや光の透過率が均一で、表示むらのな
い良好な表示品質をもっている。
【００４７】また、上記成膜方法においては、マスク板
２０として、金属板からなるマスク板本体２１の表面全
体を耐熱性の絶縁膜２２で被覆したものを用いているた
め、このマスク板２０の強度は十分であるし、また、こ
のマスク板２０は、金属板を打抜き加工してマスク板本
体２１を製作しその表面を耐熱性の絶縁膜２２で被覆す
るだけで安価に製造することができる。
２０として、金属板からなるマスク板本体２１の表面全
体を耐熱性の絶縁膜２２で被覆したものを用いているた
め、このマスク板２０の強度は十分であるし、また、こ
のマスク板２０は、金属板を打抜き加工してマスク板本
体２１を製作しその表面を耐熱性の絶縁膜２２で被覆す
るだけで安価に製造することができる。
【００４８】なお、上記マスク板２０は、上記実施例の
ものに限らず、マスク板本体２１の基板１に対向する面
だけを絶縁膜２２で被覆したものであってもよく、マス
ク板２０の少なくとも基板１に対向する面が絶縁性であ
れば、マスク板２０と基板１上の遮光膜２との間に異常
放電が発生することはない。
ものに限らず、マスク板本体２１の基板１に対向する面
だけを絶縁膜２２で被覆したものであってもよく、マス
ク板２０の少なくとも基板１に対向する面が絶縁性であ
れば、マスク板２０と基板１上の遮光膜２との間に異常
放電が発生することはない。
【００４９】ただし、上記異常放電の発生をより確実に
防ぐには、少なくとも、マスク板２０の基板１に対向す
る面と内周側の側面（開口２０ａの周壁面）とに、その
全域にわたって絶縁性をもたせるのが望ましい。
防ぐには、少なくとも、マスク板２０の基板１に対向す
る面と内周側の側面（開口２０ａの周壁面）とに、その
全域にわたって絶縁性をもたせるのが望ましい。
【００５０】また、上記実施例では、マスク板２０の表
面の絶縁膜（Ｓi Ｏ2 膜）２２を、マスク板本体２１の
表面にシラン系誘起化合物の溶剤を塗布して焼成するこ
とによって形成しているが、この絶縁膜２２は、Ｓi Ｏ
2 等をスパッタ装置によりマスク板本体２１の表面に堆
積させて形成してもよいし、またマスク板本体２１の表
面を陽極酸化し、その表面に生成した酸化膜を被覆絶縁
膜としてもよい。
面の絶縁膜（Ｓi Ｏ2 膜）２２を、マスク板本体２１の
表面にシラン系誘起化合物の溶剤を塗布して焼成するこ
とによって形成しているが、この絶縁膜２２は、Ｓi Ｏ
2 等をスパッタ装置によりマスク板本体２１の表面に堆
積させて形成してもよいし、またマスク板本体２１の表
面を陽極酸化し、その表面に生成した酸化膜を被覆絶縁
膜としてもよい。
【００５１】さらに、上記実施例の成膜方法は、アクテ
ィブマトリックス液晶素子に用いる対向電極基板１の上
に対向電極となる透明導電膜を成膜する方法であるが、
本発明は、種々の基板の所定領域の上に金属膜または透
明導電膜等の導電膜をマスキングスパッタ法によって成
膜するのに適用できるものであり、特に、導電膜を成膜
する基板上に導電体が設けられており、この導電体が導
電膜の成膜面に露出している場合に有効である。
ィブマトリックス液晶素子に用いる対向電極基板１の上
に対向電極となる透明導電膜を成膜する方法であるが、
本発明は、種々の基板の所定領域の上に金属膜または透
明導電膜等の導電膜をマスキングスパッタ法によって成
膜するのに適用できるものであり、特に、導電膜を成膜
する基板上に導電体が設けられており、この導電体が導
電膜の成膜面に露出している場合に有効である。
【００５２】
【発明の効果】本発明の成膜方法は、基板の導電膜成膜
領域を除く部分をこの基板に近接させて配置したマスク
板でマスクしてマスキングスパッタ法による成膜を行な
うものであるが、前記マスク板として、少なくとも前記
基板に対向する面が絶縁性をもっているものを用いてい
るため、基板上に導電体が設けられており、この導電体
が導電膜の成膜面に露出している場合でも、マスク板と
基板上の導電体との間に異常放電を発生させることなく
均一な膜質の導電膜を成膜することができる。
領域を除く部分をこの基板に近接させて配置したマスク
板でマスクしてマスキングスパッタ法による成膜を行な
うものであるが、前記マスク板として、少なくとも前記
基板に対向する面が絶縁性をもっているものを用いてい
るため、基板上に導電体が設けられており、この導電体
が導電膜の成膜面に露出している場合でも、マスク板と
基板上の導電体との間に異常放電を発生させることなく
均一な膜質の導電膜を成膜することができる。
【００５３】また、上記マスク板としては、金属板から
なるマスク板本体の少なくとも上記基板に対向する面を
耐熱性の絶縁膜で被覆したものを用いるのが望ましく、
このマスク板は、その強度が十分であるし、また、金属
板を打抜き加工してマスク板本体を製作しその少なくと
も上記基板に対向する面を耐熱性の絶縁膜で被覆するだ
けで安価に製造することができる。
なるマスク板本体の少なくとも上記基板に対向する面を
耐熱性の絶縁膜で被覆したものを用いるのが望ましく、
このマスク板は、その強度が十分であるし、また、金属
板を打抜き加工してマスク板本体を製作しその少なくと
も上記基板に対向する面を耐熱性の絶縁膜で被覆するだ
けで安価に製造することができる。
【図１】本発明の一実施例による成膜方法を示す、基板
とマスク板との間に位置ずれないときの導電膜の成膜状
態図。
とマスク板との間に位置ずれないときの導電膜の成膜状
態図。
【図２】同じく基板とマスク板との間に位置ずれがある
ときの導電膜の成膜状態図。
ときの導電膜の成膜状態図。
【図３】従来の成膜方法を示す、基板とマスク板との間
に位置ずれないときの導電膜の成膜状態図。
に位置ずれないときの導電膜の成膜状態図。
【図４】同じく基板とマスク板との間に位置ずれがある
ときの導電膜の成膜状態図。
ときの導電膜の成膜状態図。
１…基板 ２…遮光膜（導電体） ３Ｒ，３Ｇ，３Ｂ…カラーフィルタ ４…導電膜 ２０…マスク板 ２１…マスク板本体 ２２…絶縁膜
Claims (4)
- 【請求項１】基板上の所定の領域にスパッタ装置によっ
て導電膜を成膜する方法であって、前記基板の導電膜成
膜領域を除く部分を、この基板に近接させて配置した少
なくとも前記基板に対向する面が絶縁性をもっているマ
スク板でマスクして、前記基板上にスパッタ粒子を堆積
させることを特徴とする導電膜の成膜方法。 - 【請求項２】基板上には導電体が設けられており、この
導電体が導電膜の成膜面に露出していることを特徴とす
る請求項１に記載の導電膜の成膜方法。 - 【請求項３】基板はアクティブマトリックス液晶素子に
用いる対向電極基板であり、成膜する導電膜は対向電極
となる透明導電膜であって、前記基板上には、前記液晶
素子の各画素部の周囲に対応させて金属膜からなる遮光
膜が設けられるとともに、その上に、前記各画素部に対
応するカラーフィルタが設けられており、前記遮光膜の
前記カラーフィルタで覆われていない部分が導電膜の成
膜面に露出していることを特徴とする請求項１に記載の
導電膜の成膜方法。 - 【請求項４】マスク板は、金属板からなるマスク板本体
の少なくとも基板に対向する面を耐熱性の絶縁膜で被覆
したものであることを特徴とする請求項１〜３のいずれ
か１つに記載の導電膜の成膜方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05652194A JP3536339B2 (ja) | 1994-03-28 | 1994-03-28 | 導電膜の成膜方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05652194A JP3536339B2 (ja) | 1994-03-28 | 1994-03-28 | 導電膜の成膜方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07268603A true JPH07268603A (ja) | 1995-10-17 |
| JP3536339B2 JP3536339B2 (ja) | 2004-06-07 |
Family
ID=13029424
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05652194A Expired - Lifetime JP3536339B2 (ja) | 1994-03-28 | 1994-03-28 | 導電膜の成膜方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3536339B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100977982B1 (ko) * | 2003-09-17 | 2010-08-24 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치용 어레이기판 제조장치 및 그 제조방법 |
| JP2014019891A (ja) * | 2012-07-17 | 2014-02-03 | Ulvac Japan Ltd | 誘電体膜の形成方法、薄膜二次電池の製造方法、及び、誘電体膜の形成装置 |
| JP2014214367A (ja) * | 2013-04-26 | 2014-11-17 | コニカミノルタ株式会社 | プラズマｃｖｄ成膜用マスク、プラズマｃｖｄ成膜方法、及び有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP2014214366A (ja) * | 2013-04-26 | 2014-11-17 | コニカミノルタ株式会社 | プラズマｃｖｄ成膜用マスク、プラズマｃｖｄ成膜方法、及び有機エレクトロルミネッセンス素子 |
-
1994
- 1994-03-28 JP JP05652194A patent/JP3536339B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100977982B1 (ko) * | 2003-09-17 | 2010-08-24 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치용 어레이기판 제조장치 및 그 제조방법 |
| JP2014019891A (ja) * | 2012-07-17 | 2014-02-03 | Ulvac Japan Ltd | 誘電体膜の形成方法、薄膜二次電池の製造方法、及び、誘電体膜の形成装置 |
| JP2014214367A (ja) * | 2013-04-26 | 2014-11-17 | コニカミノルタ株式会社 | プラズマｃｖｄ成膜用マスク、プラズマｃｖｄ成膜方法、及び有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP2014214366A (ja) * | 2013-04-26 | 2014-11-17 | コニカミノルタ株式会社 | プラズマｃｖｄ成膜用マスク、プラズマｃｖｄ成膜方法、及び有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3536339B2 (ja) | 2004-06-07 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20031202 |
|
| A521 | Written amendment |
Effective date: 20040129 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040224 |
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040308 |
|
| R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 5 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090326 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090326 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100326 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 7 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110326 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110326 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120326 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130326 Year of fee payment: 9 |