JPH07257989A - 半導体結晶作製用部材及びその製造方法 - Google Patents
半導体結晶作製用部材及びその製造方法Info
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- JPH07257989A JPH07257989A JP7034188A JP3418895A JPH07257989A JP H07257989 A JPH07257989 A JP H07257989A JP 7034188 A JP7034188 A JP 7034188A JP 3418895 A JP3418895 A JP 3418895A JP H07257989 A JPH07257989 A JP H07257989A
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- Japan
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- semiconductor crystal
- producing
- polycarbodiimide resin
- crystal production
- semiconductor
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 従来技術における問題点を解決し、表面から
の炭素粉末の離脱がみられることのない半導体結晶作製
用部材を提供する。 【構成】 本発明の半導体結晶作製用部材は、ポリカル
ボジイミド樹脂に由来するガラス状炭素よりなることを
特徴とするものであり、又、本発明の半導体結晶作製用
部材の製造方法は、ポリカルボジイミド樹脂或いは主と
してポリカルボジイミド樹脂よりなる組成物を半導体結
晶作製用部材の形状に成形し、次いで該成形物を炭素化
することを特徴とする。
の炭素粉末の離脱がみられることのない半導体結晶作製
用部材を提供する。 【構成】 本発明の半導体結晶作製用部材は、ポリカル
ボジイミド樹脂に由来するガラス状炭素よりなることを
特徴とするものであり、又、本発明の半導体結晶作製用
部材の製造方法は、ポリカルボジイミド樹脂或いは主と
してポリカルボジイミド樹脂よりなる組成物を半導体結
晶作製用部材の形状に成形し、次いで該成形物を炭素化
することを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体結晶作製用部材
及びその製造方法に関するものであり、更に詳しくは、
半導体の単結晶化、精製等の半導体を作製する場合に用
いて好適な半導体結晶作製用部材及びその製造方法に関
するものである。
及びその製造方法に関するものであり、更に詳しくは、
半導体の単結晶化、精製等の半導体を作製する場合に用
いて好適な半導体結晶作製用部材及びその製造方法に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子の製造工程では、半導体単結
晶の引き上げ、溶解法による単結晶の製造或いはゾーン
精製のように、半導体を溶解して種々の処理を行う必要
があり、従来はこれらの工程で使用される部材には、黒
鉛材料が用いられていた。
晶の引き上げ、溶解法による単結晶の製造或いはゾーン
精製のように、半導体を溶解して種々の処理を行う必要
があり、従来はこれらの工程で使用される部材には、黒
鉛材料が用いられていた。
【０００３】例えば、上記半導体単結晶の引き上げ法で
あるチョコラルスキー法（ＣＺ法）による単結晶の引き
上げ装置、フローティングゾーン法（ＦＺ法）による単
結晶作製装置、ゾーンメルティング法による単結晶作製
装置やブリッジマン法による単結晶作製装置等では、ル
ツボ支持容器、支持台、断熱筒や引き上げ回転軸先端部
等が黒鉛により製造されていたのである。
あるチョコラルスキー法（ＣＺ法）による単結晶の引き
上げ装置、フローティングゾーン法（ＦＺ法）による単
結晶作製装置、ゾーンメルティング法による単結晶作製
装置やブリッジマン法による単結晶作製装置等では、ル
ツボ支持容器、支持台、断熱筒や引き上げ回転軸先端部
等が黒鉛により製造されていたのである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記黒
鉛は、熱伝導率が高く、高純度であり、熱衝撃性が強
く、更に金属との反応性が低いという特徴を有するもの
の、表面から黒鉛粉末が離脱しやすいため、この離脱し
た黒鉛粉末が上記各工程における装置中に舞ってしま
い、処理中の結晶内に混入し、得られた半導体にしばし
ば不具合を生じさせていた。
鉛は、熱伝導率が高く、高純度であり、熱衝撃性が強
く、更に金属との反応性が低いという特徴を有するもの
の、表面から黒鉛粉末が離脱しやすいため、この離脱し
た黒鉛粉末が上記各工程における装置中に舞ってしま
い、処理中の結晶内に混入し、得られた半導体にしばし
ば不具合を生じさせていた。
【０００５】このような難点を解消することを目的とし
て、使用する黒鉛材料を緻密化したり、有機重合体（塩
化ビニール）を不完全に熱分解することにより得たピッ
チを芳香族系溶剤と共に混合してスラリーとし、このス
ラリーを黒鉛材料による適宜の成型品に塗布した後、焼
成する方法（特公昭５２−３９６８４号公報参照）等に
より、前記成型品をガラス状炭素で被覆し、黒鉛粉末の
発生を防止しようとする試みもなされているが、この方
法では、厚い被覆が形成できなかったり、クラックに伴
って発生する細かい粉末が処理中の結晶内に混入したり
して、十分な効果を得ることはできなかった。
て、使用する黒鉛材料を緻密化したり、有機重合体（塩
化ビニール）を不完全に熱分解することにより得たピッ
チを芳香族系溶剤と共に混合してスラリーとし、このス
ラリーを黒鉛材料による適宜の成型品に塗布した後、焼
成する方法（特公昭５２−３９６８４号公報参照）等に
より、前記成型品をガラス状炭素で被覆し、黒鉛粉末の
発生を防止しようとする試みもなされているが、この方
法では、厚い被覆が形成できなかったり、クラックに伴
って発生する細かい粉末が処理中の結晶内に混入したり
して、十分な効果を得ることはできなかった。
【０００６】本発明は、上述した従来技術における問題
点を解決し、表面からの粉末の離脱がみられたり、クラ
ックが発生することのない半導体結晶作製用部材を提供
することを目的としてなされたものである。
点を解決し、表面からの粉末の離脱がみられたり、クラ
ックが発生することのない半導体結晶作製用部材を提供
することを目的としてなされたものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明が採用した半導体結晶作製用部材の構成は、ポ
リカルボジイミド樹脂に由来するガラス状炭素よりなる
ことを特徴とするものであり、又、上記目的を達成する
ために本発明が採用した半導体結晶作製用部材の製造方
法の構成は、ポリカルボジイミド樹脂或いは主としてポ
リカルボジイミド樹脂よりなる組成物を半導体結晶作製
用部材の形状に成形し、次いで該成形物を炭素化するこ
とを特徴とするものである。
に本発明が採用した半導体結晶作製用部材の構成は、ポ
リカルボジイミド樹脂に由来するガラス状炭素よりなる
ことを特徴とするものであり、又、上記目的を達成する
ために本発明が採用した半導体結晶作製用部材の製造方
法の構成は、ポリカルボジイミド樹脂或いは主としてポ
リカルボジイミド樹脂よりなる組成物を半導体結晶作製
用部材の形状に成形し、次いで該成形物を炭素化するこ
とを特徴とするものである。
【０００８】即ち、本発明の発明者らは、焼成炭化後の
炭素含有量が高く、旦つ、収率も高い樹脂であるポリカ
ルボジイミド樹脂に注目し、この樹脂を炭素化して半導
体結晶作製用部材とすれば、表面に開気孔がないと同時
に、高温下での繰り返し使用によってもクラックが発生
せず、従って粉末の離脱がみられない半導体結晶作製用
部材が得られるのではないかという発想を得、更に研究
を続けた結果、本発明を完成した。
炭素含有量が高く、旦つ、収率も高い樹脂であるポリカ
ルボジイミド樹脂に注目し、この樹脂を炭素化して半導
体結晶作製用部材とすれば、表面に開気孔がないと同時
に、高温下での繰り返し使用によってもクラックが発生
せず、従って粉末の離脱がみられない半導体結晶作製用
部材が得られるのではないかという発想を得、更に研究
を続けた結果、本発明を完成した。
【０００９】以下、本発明について詳細に説明する。
【００１０】本発明において対象となる半導体結晶作製
用部材は、すでに説明した各種単結晶作製装置で使用さ
れているもので、例えばルツボ支持容器、支持台、断熱
筒や引き上げ回転軸先端部等が挙げられ、従来、これら
の部材は黒鉛を加工することにより製造されていたもの
である。
用部材は、すでに説明した各種単結晶作製装置で使用さ
れているもので、例えばルツボ支持容器、支持台、断熱
筒や引き上げ回転軸先端部等が挙げられ、従来、これら
の部材は黒鉛を加工することにより製造されていたもの
である。
【００１１】本発明では、上記半導体結晶作製用部材を
ポリカルボジイミド樹脂に由来するガラス状炭素により
形成する。
ポリカルボジイミド樹脂に由来するガラス状炭素により
形成する。
【００１２】上記ポリカルボジイミド樹脂それ自体は周
知ものか、或いは、周知のものと同様にして製造するこ
とができるものであって｛米国特許第２，９４ｌ，９５
６号明細書；特公昭４７−３３２７９号公報；Ｊ．Ｏｒ
ｇ．Ｃｈｅｍ．，２８，２０６９〜２０７５（１９６
３）Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｒｅｖｉｅｗ ｌ９８ｌ，ｖｏ
ｌ．８ｌ．Ｎｏ．４，６ｌ９〜６２ｌ等参照｝、例え
ば、カルボジイミド化触媒の存在下、有機ジイソシアネ
ートの脱二酸化炭素を伴う縮合反応により容易に製造す
ることができる。
知ものか、或いは、周知のものと同様にして製造するこ
とができるものであって｛米国特許第２，９４ｌ，９５
６号明細書；特公昭４７−３３２７９号公報；Ｊ．Ｏｒ
ｇ．Ｃｈｅｍ．，２８，２０６９〜２０７５（１９６
３）Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｒｅｖｉｅｗ ｌ９８ｌ，ｖｏ
ｌ．８ｌ．Ｎｏ．４，６ｌ９〜６２ｌ等参照｝、例え
ば、カルボジイミド化触媒の存在下、有機ジイソシアネ
ートの脱二酸化炭素を伴う縮合反応により容易に製造す
ることができる。
【００１３】上記ポリカルボジイミド樹脂の製造に使用
される有機ジイソシアネートとしては、脂肪族系、脂環
式系、芳香族系、芳香−脂肪族系等のいずれのタイプも
のであってもよく、これらは単独で用いても、或いは、
２種以上を組み合わせて使用してもよい。
される有機ジイソシアネートとしては、脂肪族系、脂環
式系、芳香族系、芳香−脂肪族系等のいずれのタイプも
のであってもよく、これらは単独で用いても、或いは、
２種以上を組み合わせて使用してもよい。
【００１４】而して、本発明において使用されるポリカ
ルボジイミド樹脂には、下記式 −Ｒ−Ｎ＝Ｃ＝Ｎ− （但し、式中のＲは有機ジイソシアネート残基を表す）
で示される少なくともｌ種の繰り返し単位からなる単独
重合体または共重合体が包含される。
ルボジイミド樹脂には、下記式 −Ｒ−Ｎ＝Ｃ＝Ｎ− （但し、式中のＲは有機ジイソシアネート残基を表す）
で示される少なくともｌ種の繰り返し単位からなる単独
重合体または共重合体が包含される。
【００１５】有機ジイソシアネート残基である上記式に
おけるＲとしては、中でも芳香族ジイソシアネート残基
が好適である（ここで、有機ジイソシアネート残基と
は、有機ジイソシアネート分子から２つのイソシアネー
ト基（ＮＣＯ）を除いた残りの部分をいう）。このよう
なポリカルボジイミド樹脂の具体例としては、以下のも
のを挙げることができる。
おけるＲとしては、中でも芳香族ジイソシアネート残基
が好適である（ここで、有機ジイソシアネート残基と
は、有機ジイソシアネート分子から２つのイソシアネー
ト基（ＮＣＯ）を除いた残りの部分をいう）。このよう
なポリカルボジイミド樹脂の具体例としては、以下のも
のを挙げることができる。
【化１】
【００１６】上記各式中において、ｎはｌ０〜ｌ０，０
００の範囲内、好ましくは５０〜５，０００の範囲内で
あり、又、ポリカルボジイミド樹脂の末端は、モノイソ
シアネート等により封止されていてもよい。
００の範囲内、好ましくは５０〜５，０００の範囲内で
あり、又、ポリカルボジイミド樹脂の末端は、モノイソ
シアネート等により封止されていてもよい。
【００１７】上記ポリカルボジイミド樹脂は、溶液のま
ま或いは溶液から沈殿させた粉末として得ることがで
き、このようにして得られたポリカルボジイミド樹脂
は、液状で得られるポリカルボジイミド樹脂の場合は、
そのまま或いは溶媒を留去して、又、粉末として得られ
るポリカルボジイミド樹脂の場合は、そのまま或いは溶
媒に溶解して液状とした後に使用すればよい。
ま或いは溶液から沈殿させた粉末として得ることがで
き、このようにして得られたポリカルボジイミド樹脂
は、液状で得られるポリカルボジイミド樹脂の場合は、
そのまま或いは溶媒を留去して、又、粉末として得られ
るポリカルボジイミド樹脂の場合は、そのまま或いは溶
媒に溶解して液状とした後に使用すればよい。
【００１８】本発明では、上記のポリカルボジイミド樹
脂或いはポリカルボジイミド樹脂溶液により、まず、ル
ツボ支持容器、支持台、断熱筒や引き上げ回転軸先端部
に代表される半導体結晶作製用部材の形状の成形物を成
形する。成形物を成形する方法は、一般にこのような工
程で使用される方法を利用することができ、特に制限は
ないが、例えば射出成形、圧縮成形、注型成形、真空成
形等を挙げることができる。
脂或いはポリカルボジイミド樹脂溶液により、まず、ル
ツボ支持容器、支持台、断熱筒や引き上げ回転軸先端部
に代表される半導体結晶作製用部材の形状の成形物を成
形する。成形物を成形する方法は、一般にこのような工
程で使用される方法を利用することができ、特に制限は
ないが、例えば射出成形、圧縮成形、注型成形、真空成
形等を挙げることができる。
【００１９】次いで、上記のようにして半導体結晶作製
用部材の形状に成形された成形物を加熱し、前記ポリカ
ルボジイミド樹脂を炭素化してガラス状炭素にすること
により、目的とする本発明の半導体結晶作製用部材を得
ることができる。この炭素化工程は、真空中や窒素ガス
中等の不活性雰囲気下において行うことができ、その際
の最終焼成温度は、好ましくは１０００℃〜３０００℃
である。
用部材の形状に成形された成形物を加熱し、前記ポリカ
ルボジイミド樹脂を炭素化してガラス状炭素にすること
により、目的とする本発明の半導体結晶作製用部材を得
ることができる。この炭素化工程は、真空中や窒素ガス
中等の不活性雰囲気下において行うことができ、その際
の最終焼成温度は、好ましくは１０００℃〜３０００℃
である。
【００２０】尚、上記炭素化工程における最終焼成温度
までの昇温速度は２℃／時間以下であることが好まし
く、あまりに早く最終焼成温度に達すると、ガラス状炭
素に開気孔が生じてしまうので好ましくない。
までの昇温速度は２℃／時間以下であることが好まし
く、あまりに早く最終焼成温度に達すると、ガラス状炭
素に開気孔が生じてしまうので好ましくない。
【００２１】このようにして得られた本発明の半導体結
晶作製用部材は、ポリカルボジイミド樹脂に由来するガ
ラス状炭素よりなるため、通常の黒鉛材料に比べてかさ
密度が１．５１〜１．８ｋｇ／ｃｍ2と小さいにもかか
わらず、曲げ強度が１８００〜４０００ｋｇ／ｃｍ2、
ショアー硬度が１２１〜１４０、かつ、開気孔のような
欠損部分がない、という緻密さ（均質さ）を有している
ので、クラックを生じることがなく、従って粉末の離脱
も全くないという良好なものである。
晶作製用部材は、ポリカルボジイミド樹脂に由来するガ
ラス状炭素よりなるため、通常の黒鉛材料に比べてかさ
密度が１．５１〜１．８ｋｇ／ｃｍ2と小さいにもかか
わらず、曲げ強度が１８００〜４０００ｋｇ／ｃｍ2、
ショアー硬度が１２１〜１４０、かつ、開気孔のような
欠損部分がない、という緻密さ（均質さ）を有している
ので、クラックを生じることがなく、従って粉末の離脱
も全くないという良好なものである。
【００２２】次に本発明を実施例により更に詳細に説明
する。
する。
【００２３】
実施例１ ２，４−トリレンジイソシアネート／２，６−トリレン
ジイソシアネートの混合物（８０：２０）〔ＴＤＩ〕５
４ｇをテトラクロロエチレン５００ｍｌ中で、カルボジ
イミド化触媒（１−フェニル−３−メチルフォスフォレ
ンオキサイド）０．１２ｇと共に、１２０℃で４時間反
応させ、ポリカルボジイミド樹脂溶液を得た。
ジイソシアネートの混合物（８０：２０）〔ＴＤＩ〕５
４ｇをテトラクロロエチレン５００ｍｌ中で、カルボジ
イミド化触媒（１−フェニル−３−メチルフォスフォレ
ンオキサイド）０．１２ｇと共に、１２０℃で４時間反
応させ、ポリカルボジイミド樹脂溶液を得た。
【００２４】半導体作製装置として、ＣＺ法（チョコラ
ルスキー法）単結晶引き上げ装置を用いて、ルツボ支持
容器、支持台、断熱筒及び引き上げ回転軸先端部を以下
のようにして作製した。
ルスキー法）単結晶引き上げ装置を用いて、ルツボ支持
容器、支持台、断熱筒及び引き上げ回転軸先端部を以下
のようにして作製した。
【００２５】まず、上記樹脂をルツボ支持容器、支持
台、断熱筒及び引き上げ回転軸先端部の形状に対応する
金属型に注入し、６０℃で２０時間、１２０℃で１０時
間かけて成形し、型から取り出した。その後、２００℃
で１０時間熱処理し、これをアルゴン雰囲気下にて昇降
温速度２℃／時間で１５００℃まで昇温し、それぞれの
炭素部材の一例を得た。これらのものの表面に気孔は観
察、測定されなかった。又、それぞれのかさ密度は１．
５５、曲げ強度は２７００ｋｇ／ｃｍ2、ショアー硬度
は１３０であった。
台、断熱筒及び引き上げ回転軸先端部の形状に対応する
金属型に注入し、６０℃で２０時間、１２０℃で１０時
間かけて成形し、型から取り出した。その後、２００℃
で１０時間熱処理し、これをアルゴン雰囲気下にて昇降
温速度２℃／時間で１５００℃まで昇温し、それぞれの
炭素部材の一例を得た。これらのものの表面に気孔は観
察、測定されなかった。又、それぞれのかさ密度は１．
５５、曲げ強度は２７００ｋｇ／ｃｍ2、ショアー硬度
は１３０であった。
【００２６】このようにして得られた黒鉛部材をＣＺ法
単結晶引き上げ装置に組み込み、石英ルツボで金属シリ
コンを融解し、シリコン単結晶の引き上げを６回行っ
た。種結晶として〈１００〉方位のシリコンを用いた。
シリコンの温度を１４４４℃、引き上げ速度を６．２ｃ
ｍ／ｈｒ、引き上げ回転数を１５ＲＰＭ、ルツボ回転数
を５ＲＰＭとし、直径２０ｃｍ、長さ約１５ｃｍのシリ
コン単結晶引き上げを６回行った。得られた単結晶の比
抵抗及び純度を測定した。結果を表１に示す。
単結晶引き上げ装置に組み込み、石英ルツボで金属シリ
コンを融解し、シリコン単結晶の引き上げを６回行っ
た。種結晶として〈１００〉方位のシリコンを用いた。
シリコンの温度を１４４４℃、引き上げ速度を６．２ｃ
ｍ／ｈｒ、引き上げ回転数を１５ＲＰＭ、ルツボ回転数
を５ＲＰＭとし、直径２０ｃｍ、長さ約１５ｃｍのシリ
コン単結晶引き上げを６回行った。得られた単結晶の比
抵抗及び純度を測定した。結果を表１に示す。
【００２７】実施例２ 実施例１において昇温速度を１℃／時間にした以外は同
様にして、それぞれの炭素部材を作製した。これらのも
のの表面に気孔は観察、測定されず、それぞれのかさ密
度は１．５６、曲げ強度は２７００ｋｇ／ｃｍ2、ショ
アー硬度は１３０であった。実施例１と同様にしてシリ
コン単結晶を製造した。得られた単結晶を同様に評価し
た結果を表１に示す。
様にして、それぞれの炭素部材を作製した。これらのも
のの表面に気孔は観察、測定されず、それぞれのかさ密
度は１．５６、曲げ強度は２７００ｋｇ／ｃｍ2、ショ
アー硬度は１３０であった。実施例１と同様にしてシリ
コン単結晶を製造した。得られた単結晶を同様に評価し
た結果を表１に示す。
【表１】
【００２８】比較例 上記実施例と同様のルツボ支持容器、支持台、断熱筒、
引き上げ回転先端部を黒鉛（東洋炭素製、比重１．８
５）を用いて作製し、これらの黒鉛部材を使用して、実
施例と同様に炭結晶作製を行ない、得られた単結晶の比
抵抗及び純度を測定した。結果を表２に示す。
引き上げ回転先端部を黒鉛（東洋炭素製、比重１．８
５）を用いて作製し、これらの黒鉛部材を使用して、実
施例と同様に炭結晶作製を行ない、得られた単結晶の比
抵抗及び純度を測定した。結果を表２に示す。
【表２】
【００２９】
【発明の効果】上記表１及び表２から明らかなように、
実施例の半導体結晶作製用部材を使用した場合は、粉末
が脱離しないので、得られる単結晶の比抵抗が２回目か
ら安定し、純度も高く良好な半導体結晶が得られた。一
方の比較例を使用した場合は、使用していくにつれて得
られる単結晶中の炭素含有量が減少していくものの、比
抵抗及び純度が安定せず、半導体の原料としては不適当
な半導体結晶であった。
実施例の半導体結晶作製用部材を使用した場合は、粉末
が脱離しないので、得られる単結晶の比抵抗が２回目か
ら安定し、純度も高く良好な半導体結晶が得られた。一
方の比較例を使用した場合は、使用していくにつれて得
られる単結晶中の炭素含有量が減少していくものの、比
抵抗及び純度が安定せず、半導体の原料としては不適当
な半導体結晶であった。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ３０Ｂ 15/14 Ｈ０１Ｌ 21/208 Ｔ // Ｃ３０Ｂ 29/06 ５０２ Ｂ 8216−4Ｇ Ｃ 8216−4Ｇ
Claims (9)
- 【請求項１】 ポリカルボジイミド樹脂に由来するガラ
ス状炭素よりなることを特徴とする半導体結晶作製用部
材。 - 【請求項２】 ガラス状炭素は、真空中又は不活性雰囲
気中でポリカルボジイミド樹脂を炭素化したものである
請求項１に記載の半導体結晶作製用部材。 - 【請求項３】 半導体結晶作製装置におけるルツボ支持
容器、支持台、断熱筒や引き上げ回転軸先端部である請
求項１に記載の半導体結晶作製用部材。 - 【請求項４】 表面に開気孔が存在しない請求項１に記
載の半導体結晶作製用部材。 - 【請求項５】 ポリカルボジイミド樹脂或いは主として
ポリカルボジイミド樹脂よりなる組成物を半導体結晶作
製用部材の形状に成形し、次いで該成形物を炭素化する
ことを特徴とする半導体結晶作製用部材の製造方法。 - 【請求項６】 半導体結晶作製用部材は、結晶作製装置
におけるルツボ支持容器、支持台、断熱筒や引き上げ回
転軸先端部である請求項５に記載の半導体結晶作製用部
材の製造方法。 - 【請求項７】 成形物の炭素化は、真空中又は不活性雰
囲気中で行う請求項５に記載の半導体結晶作製用部材の
製造方法。 - 【請求項８】 不活性雰囲気中での炭素化は、１０００
℃〜３０００℃の温度範囲で行う請求項７に記載の半導
体結晶作製用部材の製造方法。 - 【請求項９】 炭素化温度までの昇温速度を２℃／時間
以下とする請求項８に記載の半導体結晶作製用部材の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7034188A JPH07257989A (ja) | 1994-02-03 | 1995-01-31 | 半導体結晶作製用部材及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6-33126 | 1994-02-03 | ||
| JP3312694 | 1994-02-03 | ||
| JP7034188A JPH07257989A (ja) | 1994-02-03 | 1995-01-31 | 半導体結晶作製用部材及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07257989A true JPH07257989A (ja) | 1995-10-09 |
Family
ID=26371768
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7034188A Pending JPH07257989A (ja) | 1994-02-03 | 1995-01-31 | 半導体結晶作製用部材及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07257989A (ja) |
-
1995
- 1995-01-31 JP JP7034188A patent/JPH07257989A/ja active Pending
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