JPH07251286A - レーザ加工装置 - Google Patents
レーザ加工装置Info
- Publication number
- JPH07251286A JPH07251286A JP6069913A JP6991394A JPH07251286A JP H07251286 A JPH07251286 A JP H07251286A JP 6069913 A JP6069913 A JP 6069913A JP 6991394 A JP6991394 A JP 6991394A JP H07251286 A JPH07251286 A JP H07251286A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser beam
- point
- semiconductor wafer
- laser
- protective film
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- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体ウエハ表面の状態に左右されずに加工
点の位置を正確に測定でき、良好なレーザ加工を行うこ
とができるレーザ加工装置を提供する。 【構成】 半導体ウエハ１１の表面に複数の測定点１７
を設定し、各測定点１７にフォーカス用光源９の光Ｌ4
を照射し、その反射光をフォーカスセンサ１０で受光し
て各測定点１７の位置（レーザ光Ｌ1 の光軸方向位置）
を測定し、各測定点１７における位置の平均値から加工
点であるヒューズ１８の位置を求めるレーザ加工装置に
おいて、複数の測定点１７を、半導体ウエハ１１の表面
であって、且つ保護膜１９が被覆されていない部分に設
定した。これにより測定点１７の位置を測定するときの
光Ｌ4 が保護膜１９の表面で反射せず、加工点（ヒュー
ズ１８）の位置（レーザ光Ｌ1 の光軸方向位置）を正確
に測定することができる。
点の位置を正確に測定でき、良好なレーザ加工を行うこ
とができるレーザ加工装置を提供する。 【構成】 半導体ウエハ１１の表面に複数の測定点１７
を設定し、各測定点１７にフォーカス用光源９の光Ｌ4
を照射し、その反射光をフォーカスセンサ１０で受光し
て各測定点１７の位置（レーザ光Ｌ1 の光軸方向位置）
を測定し、各測定点１７における位置の平均値から加工
点であるヒューズ１８の位置を求めるレーザ加工装置に
おいて、複数の測定点１７を、半導体ウエハ１１の表面
であって、且つ保護膜１９が被覆されていない部分に設
定した。これにより測定点１７の位置を測定するときの
光Ｌ4 が保護膜１９の表面で反射せず、加工点（ヒュー
ズ１８）の位置（レーザ光Ｌ1 の光軸方向位置）を正確
に測定することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、レーザ光を用いて半
導体ウエハ等の被加工物の表面に加工を施すレーザ加工
装置に関する。
導体ウエハ等の被加工物の表面に加工を施すレーザ加工
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】照明光源からの照明光は反射ミラー、ダ
イクロイックミラー及び対物レンズを介して半導体ウエ
ハに照射され、半導体ウエハの表面で反射した反射光は
ＣＣＤカメラに入射し、半導体ウエハの像はテレビモニ
タに表示される。
イクロイックミラー及び対物レンズを介して半導体ウエ
ハに照射され、半導体ウエハの表面で反射した反射光は
ＣＣＤカメラに入射し、半導体ウエハの像はテレビモニ
タに表示される。
【０００３】また、フォーカス用光源からの光は、半導
体ウエハの表面で反射し、フォーカスセンサに入射す
る。フォーカスセンサで半導体ウエハの位置（レーザ光
の光軸方向位置）が計測され、制御部がステージを駆動
して予め決められたレーザ光のフォーカス位置に合わせ
る。
体ウエハの表面で反射し、フォーカスセンサに入射す
る。フォーカスセンサで半導体ウエハの位置（レーザ光
の光軸方向位置）が計測され、制御部がステージを駆動
して予め決められたレーザ光のフォーカス位置に合わせ
る。
【０００４】そして、レーザ光源から出射されたレーザ
光は、適正な加工形状を得るためにビームエキスパンダ
で調整され、ダイクロイックミラー及び対物レンズを介
してステージ上の半導体ウエハのチップ内の加工点に照
射される。
光は、適正な加工形状を得るためにビームエキスパンダ
で調整され、ダイクロイックミラー及び対物レンズを介
してステージ上の半導体ウエハのチップ内の加工点に照
射される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、前述のレー
ザ加工装置では、半導体ウエハの各加工点ごとにレーザ
光の光軸方向の位置を測定してレーザ加工を行ってい
た。具体的には、半導体ウエハの表面の加工点を測定点
とし、各測定点にフォーカス用光源の光を照射し、その
反射光をフォーカスセンサで受光して各測定点の位置
（レーザ光の光軸方向位置）を測定していた。また、加
工点を含むチップ内の複数の位置を測定点とし、それら
の各測定点における位置の平均値から加工点の位置を求
めている。
ザ加工装置では、半導体ウエハの各加工点ごとにレーザ
光の光軸方向の位置を測定してレーザ加工を行ってい
た。具体的には、半導体ウエハの表面の加工点を測定点
とし、各測定点にフォーカス用光源の光を照射し、その
反射光をフォーカスセンサで受光して各測定点の位置
（レーザ光の光軸方向位置）を測定していた。また、加
工点を含むチップ内の複数の位置を測定点とし、それら
の各測定点における位置の平均値から加工点の位置を求
めている。
【０００６】ところが、半導体ウエハ表面の状態によっ
ては正確な加工点の位置を求めることができず、良好な
レーザ加工が行えないという問題があった。すなわち、
例えば半導体ウエハのチップの表面に透明な保護膜がの
っている場合、その保護膜の影響（保護膜表面でフォー
カス用光源の光が反射すること）を受けて加工点の位置
を正確に測定できず、加工点の位置をレーザ光のフォー
カス位置に合わせることがきない。
ては正確な加工点の位置を求めることができず、良好な
レーザ加工が行えないという問題があった。すなわち、
例えば半導体ウエハのチップの表面に透明な保護膜がの
っている場合、その保護膜の影響（保護膜表面でフォー
カス用光源の光が反射すること）を受けて加工点の位置
を正確に測定できず、加工点の位置をレーザ光のフォー
カス位置に合わせることがきない。
【０００７】この発明はこのような事情に鑑みてなされ
たもので、その課題は被加工物表面の状態に左右されず
に正確な加工点の位置を求めることができ、良好なレー
ザ加工を行うことができるレーザ加工装置を提供するこ
とである。
たもので、その課題は被加工物表面の状態に左右されず
に正確な加工点の位置を求めることができ、良好なレー
ザ加工を行うことができるレーザ加工装置を提供するこ
とである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前述の課題を解決するた
め請求項１記載の発明のレーザ加工装置は、選択的に保
護膜で被覆された被加工物表面の加工点にレーザ光を照
射するレーザ光照射手段と、前記被加工物の表面で、且
つ前記保護膜が被覆されていない複数の部分を測定点と
し、前記複数の測定点のそれぞれの前記レーザ光の光軸
方向に関する位置を測定し、求めた前記各測定点の位置
の平均値を前記加工点の位置として求める測定手段と、
求めた前記加工点の位置に基づいて前記加工点を前記光
軸方向に位置決めする位置決め手段とを備えている。
め請求項１記載の発明のレーザ加工装置は、選択的に保
護膜で被覆された被加工物表面の加工点にレーザ光を照
射するレーザ光照射手段と、前記被加工物の表面で、且
つ前記保護膜が被覆されていない複数の部分を測定点と
し、前記複数の測定点のそれぞれの前記レーザ光の光軸
方向に関する位置を測定し、求めた前記各測定点の位置
の平均値を前記加工点の位置として求める測定手段と、
求めた前記加工点の位置に基づいて前記加工点を前記光
軸方向に位置決めする位置決め手段とを備えている。
【０００９】また、請求項２記載の発明のレーザ加工装
置は、前記被加工物が半導体ウエハであり、前記各測定
点が、前記半導体ウエハ表面のスクライブライン上に位
置する。
置は、前記被加工物が半導体ウエハであり、前記各測定
点が、前記半導体ウエハ表面のスクライブライン上に位
置する。
【００１０】
【作用】前述のように複数の測定点を、被加工物の表面
であって、且つ保護膜が被覆されていない部分に設定し
たので、各測定点の位置を測定するときの光が保護膜の
表面で反射せず、各測定点の高さを正確に測定でき、そ
の結果加工点の位置を正確に測定でき、加工点の位置を
レーザ光のフォーカス位置に合わせることができる。
であって、且つ保護膜が被覆されていない部分に設定し
たので、各測定点の位置を測定するときの光が保護膜の
表面で反射せず、各測定点の高さを正確に測定でき、そ
の結果加工点の位置を正確に測定でき、加工点の位置を
レーザ光のフォーカス位置に合わせることができる。
【００１１】
【実施例】以下この発明の実施例を図面に基づいて説明
する。
する。
【００１２】図１はこの発明の一実施例に係るレーザ加
工装置の全体構成図である。
工装置の全体構成図である。
【００１３】３次元方向に移動可能なステージ（位置決
め手段）１２上には、半導体ウエハ（被加工物）１１が
載置されている。半導体ウエハ１１の上方には、対物レ
ンズ８、ダイクロイックミラー７及びハーフミラー４が
配置されている。照明光源３からの照明光Ｌ2 は、ハー
フミラー４、ダイクロイックミラー７及び対物レンズ８
を介して半導体ウエハ１１に照射される。
め手段）１２上には、半導体ウエハ（被加工物）１１が
載置されている。半導体ウエハ１１の上方には、対物レ
ンズ８、ダイクロイックミラー７及びハーフミラー４が
配置されている。照明光源３からの照明光Ｌ2 は、ハー
フミラー４、ダイクロイックミラー７及び対物レンズ８
を介して半導体ウエハ１１に照射される。
【００１４】ハーフミラー４の上方にはＣＣＤカメラ１
が配置され、ＣＣＤカメラ１にはテレビモニタ２が接続
されている。半導体ウエハ１１の表面で反射した反射光
Ｌ3はＣＣＤカメラ１に入射し、半導体ウエハ１１の像
がテレビモニタ２に表示される。
が配置され、ＣＣＤカメラ１にはテレビモニタ２が接続
されている。半導体ウエハ１１の表面で反射した反射光
Ｌ3はＣＣＤカメラ１に入射し、半導体ウエハ１１の像
がテレビモニタ２に表示される。
【００１５】また、ステージ１２の上方にはフォーカス
用光源９が配置され、フォーカス用光源９からの光Ｌ4
は半導体ウエハ１１で反射し、フォーカスセンサ１０に
入射する。
用光源９が配置され、フォーカス用光源９からの光Ｌ4
は半導体ウエハ１１で反射し、フォーカスセンサ１０に
入射する。
【００１６】レーザ光源（レーザ光照射手段）５から出
射されたレーザ光Ｌ1 は、適正な加工形状を得るために
ビームエキスパンダ６で調整され、ダイクロイックミラ
ー７及び対物レンズ８を介して半導体ウエハ１１に照射
される。
射されたレーザ光Ｌ1 は、適正な加工形状を得るために
ビームエキスパンダ６で調整され、ダイクロイックミラ
ー７及び対物レンズ８を介して半導体ウエハ１１に照射
される。
【００１７】前記レーザ光源５、フォーカスセンサ１０
及びステージ１２は、装置制御部１３に接続されてい
る。装置制御部１３は、後述するヒューズ（加工点）１
８の位置（レーザ光Ｌ1 の光軸方向位置）を求めたり、
レーザ光源５及びテージ１２を駆動制御したりする。フ
ォーカス用光源９、フォーカスセンサ１０及び装置制御
部１３で測定手段を構成する。
及びステージ１２は、装置制御部１３に接続されてい
る。装置制御部１３は、後述するヒューズ（加工点）１
８の位置（レーザ光Ｌ1 の光軸方向位置）を求めたり、
レーザ光源５及びテージ１２を駆動制御したりする。フ
ォーカス用光源９、フォーカスセンサ１０及び装置制御
部１３で測定手段を構成する。
【００１８】図２は半導体ウエハ１１の平面図、図３は
図２は半導体ウエハ１１の部分拡大図、図４は図３のＡ
−Ａ線に沿う断面図である。
図２は半導体ウエハ１１の部分拡大図、図４は図３のＡ
−Ａ線に沿う断面図である。
【００１９】半導体ウエハ１１の表面には複数のチップ
１５が焼き付けられ、チップ１５内には加工対象のヒュ
ーズ（加工点）１８がある。各チップ１５はスクライブ
ライン２０によって区画され、各チップ１５の表面には
透明な保護膜１９が形成されている。
１５が焼き付けられ、チップ１５内には加工対象のヒュ
ーズ（加工点）１８がある。各チップ１５はスクライブ
ライン２０によって区画され、各チップ１５の表面には
透明な保護膜１９が形成されている。
【００２０】次に、この実施例のレーザ加工装置の動作
を説明する。
を説明する。
【００２１】例えば図３に示す半導体ウエハ１１のチッ
プ１５内のヒューズ１８をレーザ光Ｌ1 で切断する場
合、フォーカス用光源９の光Ｌ4 を、チップ１５を包囲
するスクライブライン２０上の４つの測定点１７にそれ
ぞれ照射させる。具体的には、装置制御部１３からのス
テージ制御信号に基づいてステージ１２が２次元方向に
移動し、各測定点１７にフォーカス用光源９の光Ｌ4 が
照射される。
プ１５内のヒューズ１８をレーザ光Ｌ1 で切断する場
合、フォーカス用光源９の光Ｌ4 を、チップ１５を包囲
するスクライブライン２０上の４つの測定点１７にそれ
ぞれ照射させる。具体的には、装置制御部１３からのス
テージ制御信号に基づいてステージ１２が２次元方向に
移動し、各測定点１７にフォーカス用光源９の光Ｌ4 が
照射される。
【００２２】各測定点１７で反射した光は、フォーカス
センサ１０に順次入射し、各測定点１７の位置（レーザ
光Ｌ1 の光軸方向位置）が計測される。装置制御部１３
は各測定点１７の位置の平均値からヒューズ１８の位置
を求め、求めたヒューズ１８の位置に基づいてステージ
１２を上下させ、ヒューズ１８の位置をレーザ光Ｌ1の
フォーカス位置に合わせる。
センサ１０に順次入射し、各測定点１７の位置（レーザ
光Ｌ1 の光軸方向位置）が計測される。装置制御部１３
は各測定点１７の位置の平均値からヒューズ１８の位置
を求め、求めたヒューズ１８の位置に基づいてステージ
１２を上下させ、ヒューズ１８の位置をレーザ光Ｌ1の
フォーカス位置に合わせる。
【００２３】その後、ステージ１２の上下方向位置を固
定した状態で、チップ１５内のヒューズ１８をレーザ光
Ｌ1 で切断する。
定した状態で、チップ１５内のヒューズ１８をレーザ光
Ｌ1 で切断する。
【００２４】上述の動作を各チップ１５毎に繰り返して
半導体ウエハ１１全体のレーザ加工を行う。
半導体ウエハ１１全体のレーザ加工を行う。
【００２５】この実施例のレーザ加工装置によれば、ヒ
ューズ１８の位置を求める場合、４つの測定点１７を、
保護膜１９がのっておらず、しかもヒューズ１８と同じ
高さのスクライブライン２０上の特定の位置（互いに直
交するスクライブラインの交差位置）に設定し、各測定
点１７の位置を計測するようにしたので、フォーカス用
光源９の光Ｌ4 は保護膜１９の表面で反射せず、加工点
であるヒューズ１８の位置が正確に測定でき、ヒューズ
１８の位置をレーザ光Ｌ1 のフォーカス位置に合わせる
ことができる。
ューズ１８の位置を求める場合、４つの測定点１７を、
保護膜１９がのっておらず、しかもヒューズ１８と同じ
高さのスクライブライン２０上の特定の位置（互いに直
交するスクライブラインの交差位置）に設定し、各測定
点１７の位置を計測するようにしたので、フォーカス用
光源９の光Ｌ4 は保護膜１９の表面で反射せず、加工点
であるヒューズ１８の位置が正確に測定でき、ヒューズ
１８の位置をレーザ光Ｌ1 のフォーカス位置に合わせる
ことができる。
【００２６】なお、前述の実施例では、スクライブライ
ン２０上の各測定点１７をチップ１５の四隅の近傍に設
定し、各チップ１５毎に加工点の位置を求めるようにし
た場合について述べたが、これに代え、半導体ウエハ１
１表面の他の位置（但し保護膜がのっておらず、しかも
加工点とほぼ同一平面内の位置）に複数の測定点を設定
してもよいし、更には一度求めた加工点の位置をレーザ
光Ｌ1 のフォーカス位置に合わせた後は、半導体ウエハ
１１の残りのチップについては加工点の位置を求めずに
直ちにレーザ光Ｌ1 による切断作業を実行するようにし
てもよい。この変形例によれば、前述の実施例に較べ加
工点の位置測定が１回であるので、全体としてレーザ加
工時間が短縮される。
ン２０上の各測定点１７をチップ１５の四隅の近傍に設
定し、各チップ１５毎に加工点の位置を求めるようにし
た場合について述べたが、これに代え、半導体ウエハ１
１表面の他の位置（但し保護膜がのっておらず、しかも
加工点とほぼ同一平面内の位置）に複数の測定点を設定
してもよいし、更には一度求めた加工点の位置をレーザ
光Ｌ1 のフォーカス位置に合わせた後は、半導体ウエハ
１１の残りのチップについては加工点の位置を求めずに
直ちにレーザ光Ｌ1 による切断作業を実行するようにし
てもよい。この変形例によれば、前述の実施例に較べ加
工点の位置測定が１回であるので、全体としてレーザ加
工時間が短縮される。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したようにこの発明のレーザ加
工装置によれば、被加工物の表面の加工点の位置を測定
する場合、保護膜の影響を受けずに加工点の位置を正確
に測定でき、加工点の位置をレーザ光のフォーカス位置
に合わせることができるので、良好なレーザ加工を行う
ことができる。
工装置によれば、被加工物の表面の加工点の位置を測定
する場合、保護膜の影響を受けずに加工点の位置を正確
に測定でき、加工点の位置をレーザ光のフォーカス位置
に合わせることができるので、良好なレーザ加工を行う
ことができる。
【図１】図１はこの発明の一実施例に係るレーザ加工装
置の全体構成図である。
置の全体構成図である。
【図２】図２は半導体ウエハの平面図である。
【図３】図３は図２は半導体ウエハの部分拡大図であ
る。
る。
【図４】図４は図４は図３のＡ−Ａ線に沿う断面図であ
る。
る。
５ レーザ光源 ９ フォーカス用光源 １０ フォーカスセンサ １１ 半導体ウエハ １２ ステージ １３ 装置制御部 １５ チップ １７ 測定点 １８ ヒューズ １９ 保護膜 ２０ スクライブライン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｓ 3/101 // Ｂ２３Ｋ 101:40
Claims (2)
- 【請求項１】 選択的に保護膜で被覆された被加工物表
面の加工点にレーザ光を照射するレーザ光照射手段と、 前記被加工物の表面で、且つ前記保護膜が被覆されてい
ない複数の部分を測定点とし、前記複数の測定点のそれ
ぞれの前記レーザ光の光軸方向に関する位置を測定し、
求めた前記各測定点の位置の平均値を前記加工点の位置
として求める測定手段と、 求めた前記加工点の位置に基づいて前記加工点を前記光
軸方向に位置決めする位置決め手段とを備えていること
を特徴とするレーザ加工装置。 - 【請求項２】 前記被加工物が半導体ウエハであり、 前記各測定点が、前記半導体ウエハ表面のスクライブラ
イン上に位置することを特徴とする請求項１記載のレー
ザ加工装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6069913A JPH07251286A (ja) | 1994-03-15 | 1994-03-15 | レーザ加工装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6069913A JPH07251286A (ja) | 1994-03-15 | 1994-03-15 | レーザ加工装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07251286A true JPH07251286A (ja) | 1995-10-03 |
Family
ID=13416413
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6069913A Withdrawn JPH07251286A (ja) | 1994-03-15 | 1994-03-15 | レーザ加工装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07251286A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003533876A (ja) * | 2000-05-16 | 2003-11-11 | ジェネラル スキャニング インコーポレイテッド | レーザ処理サイト内のミクロ構造を処理するために材料処理用レーザビームのウェストを精密に位置決めする方法及びシステム |
| JP2009016376A (ja) * | 2007-06-29 | 2009-01-22 | Hitachi Computer Peripherals Co Ltd | フォーカス制御方法及び該フォーカス制御方法を用いたレーザ照射装置 |
-
1994
- 1994-03-15 JP JP6069913A patent/JPH07251286A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003533876A (ja) * | 2000-05-16 | 2003-11-11 | ジェネラル スキャニング インコーポレイテッド | レーザ処理サイト内のミクロ構造を処理するために材料処理用レーザビームのウェストを精密に位置決めする方法及びシステム |
| JP2009016376A (ja) * | 2007-06-29 | 2009-01-22 | Hitachi Computer Peripherals Co Ltd | フォーカス制御方法及び該フォーカス制御方法を用いたレーザ照射装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20010605 |