JPH0722851Y2 - Ion processing device - Google Patents

Ion processing device

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JPH0722851Y2
JPH0722851Y2 JP1986047042U JP4704286U JPH0722851Y2 JP H0722851 Y2 JPH0722851 Y2 JP H0722851Y2 JP 1986047042 U JP1986047042 U JP 1986047042U JP 4704286 U JP4704286 U JP 4704286U JP H0722851 Y2 JPH0722851 Y2 JP H0722851Y2
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JP
Japan
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disk
ball
ion
rotating shaft
housed
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JPS62158756U (en
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司 野上
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Nissin Electric Co Ltd
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Nissin Electric Co Ltd
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【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この考案は、真空容器内で少なくとも回転させられるデ
ィスクに装着されたウエハにイオンビームを照射して当
該ウエハを処理するイオン処理装置に関し、特にディス
ク用回転軸からのイオンビーム電流の導出手段の改良に
関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial application] The present invention relates to an ion processing apparatus for irradiating an ion beam onto a wafer mounted on a disk that is rotated at least in a vacuum container to process the wafer, The present invention relates to improvement of means for deriving an ion beam current from a rotary shaft for a disk.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

イオン処理装置には、例えば、イオン注入装置、イオン
注入と真空蒸着とを併用するイオン蒸着薄膜形成装置、
イオンビームエッチング装置等がある。以下においては
イオン注入装置を例に説明する。
The ion treatment device includes, for example, an ion implantation device, an ion deposition thin film forming device that uses both ion implantation and vacuum deposition,
There is an ion beam etching device and the like. In the following, an ion implanter will be described as an example.

第2図は従来のイオン注入装置のディスク回りの一例を
部分的に示す概略断面図であり、第3図は第2図のディ
スクを示す概略平面図である。このイオン注入装置は、
例えば特開昭58−198843号公報に開示されているよう
に、イオンビーム2を走査する代わりにディスク6を回
転および並進させるいわゆるメカニカルスキャン方式の
ものである。
FIG. 2 is a schematic sectional view partially showing an example of a disk around a conventional ion implantation apparatus, and FIG. 3 is a schematic plan view showing the disk of FIG. This ion implanter
For example, as disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 58-198843, a so-called mechanical scan system is used in which the disk 6 is rotated and translated instead of being scanned by the ion beam 2.

即ち、真空容器(図示省略)内に、表面の同一半径上に
複数枚のウエハ4が装着されるディスク6が収納されて
おり、当該ディスク6は、ディスク回転・並進機構10に
よって、例えば矢印Bのように例えば高速回転させられ
ると共に、矢印C(第2図では紙面の表裏方向)のよう
にイオンビーム2に対して垂直に並進させられ、これに
よって各ウエハ4に均一にイオン注入が行われるように
している。
That is, a disk 6 in which a plurality of wafers 4 are mounted on the same radius of the surface is housed in a vacuum container (not shown), and the disk 6 is moved by the disk rotation / translation mechanism 10 to, for example, an arrow B. For example, while being rotated at a high speed, the wafer 4 is translated perpendicularly to the ion beam 2 as indicated by an arrow C (in the front and back direction of the paper in FIG. 2), whereby the ions are uniformly implanted in each wafer 4. I am trying.

ディスク回転・並進機構10は、ガイドレール14a、14bに
直線移動可能に支えられた移動体12を備えており、ディ
スク6に結合された回転軸8は、ボールベアリング24、
25を介して当該移動体12に回転自在に支持されている。
移動体12内には、駆動軸18と回転軸8にそれぞれ取り付
けられかつ互いに噛合している歯車20、22が設けられて
おり、図示しないモータによって駆動軸18を回転させる
ことによってディスク6の前述したような回転が行われ
る。また、移動体12にはボールねじ16が噛合されてお
り、図示しないモータによってボールねじ16を回転させ
ることによって移動体12の直線移動、即ちディスク6の
前述したような並進が行われる。
The disc rotating / translating mechanism 10 includes a moving body 12 supported by guide rails 14a and 14b so as to be linearly movable. The rotating shaft 8 coupled to the disc 6 has a ball bearing 24,
It is rotatably supported by the moving body 12 via 25.
Gears 20 and 22 which are attached to the drive shaft 18 and the rotary shaft 8 and mesh with each other are provided in the moving body 12, and the drive shaft 18 is rotated by a motor (not shown) so that the disk 6 described above is rotated. The rotation is performed as if it was done. A ball screw 16 is meshed with the moving body 12, and the ball screw 16 is rotated by a motor (not shown) so that the moving body 12 is linearly moved, that is, the disk 6 is translated as described above.

ディスク6はこの例では、例えばフレオン、冷却水等の
冷媒Wによって冷却されるように構成されており、当該
冷媒Wの供給・回収のためのロータリジョイント28が移
動体12に取り付けられている。即ち、ロータリジョイン
ト28は円筒状のステータ30を有しており、上記回転軸8
がステータ30内にまで延長されてボールベアリング26で
回転自在に支持されている。そして回転軸8内からディ
スク6内にかけて、冷媒Wの往路42および復路44が設け
られており、ステータ30に接続された冷媒Wの往管36お
よび復管38がそれらにそれぞれ連通している。尚、34は
可動部等のシール用のパッキンであり、32は蓋である。
In this example, the disk 6 is configured to be cooled by a refrigerant W such as freon or cooling water, and a rotary joint 28 for supplying / recovering the refrigerant W is attached to the moving body 12. That is, the rotary joint 28 has a cylindrical stator 30, and the rotary shaft 8
Are extended into the stator 30 and are rotatably supported by ball bearings 26. A forward path 42 and a return path 44 for the refrigerant W are provided from the inside of the rotary shaft 8 to the inside of the disk 6, and a forward tube 36 and a return tube 38 of the refrigerant W connected to the stator 30 communicate with them. Incidentally, 34 is a packing for sealing movable parts and the like, and 32 is a lid.

上記のような装置においては、各種制御のために、ディ
スク6およびその上のウエハ4に照射されるイオンビー
ム2のビーム電流Iの計測が行われる。例えば、ディス
ク6の並進速度vは、各ウエハ4に均一にイオン注入す
るために、ビーム電流Iに基づて v∝I/R となるように制御される。Rは、ディスク6の中心とイ
オンビーム2の中心間の距離である(第3図参照)。ま
た、ウエハ4に注入するイオンのドーズ量もイオンビー
ムIに基づいて制御される。
In the apparatus as described above, the beam current I of the ion beam 2 with which the disk 6 and the wafer 4 on the disk 6 are irradiated is measured for various controls. For example, the translational speed v of the disk 6 is controlled so as to be v∝I / R based on the beam current I in order to uniformly ion-implant each wafer 4. R is the distance between the center of the disk 6 and the center of the ion beam 2 (see FIG. 3). Further, the dose amount of the ions implanted into the wafer 4 is also controlled based on the ion beam I.

上記イオンビームIは、具体的には、回転軸8およびボ
ールベアリング24〜26を介して、非回転部、例えば移動
体12あるいはロータリジョイント28のステータ30に導出
され、そこから更に、例えば蓋32に接続されたリード線
46を経由する等して電流計測器48に導かれ、そこで計測
される。
Specifically, the ion beam I is led to a non-rotating portion, for example, the moving body 12 or the stator 30 of the rotary joint 28 via the rotary shaft 8 and the ball bearings 24 to 26, and further from there, for example, the lid 32. Lead wire connected to
It is guided to the current measuring device 48 via 46, etc., and is measured there.

〔考案が解決しようとする問題点〕[Problems to be solved by the invention]

所が、ボールベアリング24〜26には、僅かではあるが潤
滑油が塗布されており、それが絶縁被膜となってディス
ク6が電気的に浮いた状態となる場合がある。そのよう
になると、イオンビーム2の照射に伴ってディスク6が
高電圧に充電(帯電)され、それがある限度を越えると
上記絶縁被膜が破壊されて瞬時に放電され、このような
充放電が繰り返されるようになる。その結果、電流計測
器48によって計測されるビーム電流Iの波形は大きく乱
れ、そのためビーム電流Iに基づく各種制御が不能に陥
る場合もある。
However, a small amount of lubricating oil is applied to the ball bearings 24 to 26, which may serve as an insulating coating and cause the disk 6 to float electrically. In such a case, the disk 6 is charged (charged) to a high voltage with the irradiation of the ion beam 2, and when it exceeds a certain limit, the insulating coating is destroyed and instantly discharged. It will be repeated. As a result, the waveform of the beam current I measured by the current measuring device 48 is significantly disturbed, and various controls based on the beam current I may be disabled.

そこでこの考案は、上記のような問題点を解決すること
ができるイオン処理装置を提供することを主たる目的と
する。
Therefore, the main object of the present invention is to provide an ion processing apparatus capable of solving the above problems.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

この考案のイオン処理装置は、真空容器内で少なくとも
回転させられるディスクに装着されたウエハにイオンビ
ームを照射して当該ウエハを処理する装置において、デ
ィスクに結合された回転軸のディスクとは反対側の端部
の中心部内に導電性のボールケースを収納固定し、この
ボールケース内に導電性のコイルばねを収納し、かつ同
ボールケース内に導電性のボールを収納してそれをコイ
ルばねによって、回転軸の端部に対向する非回転部に弾
性的に押し付け、それによって回転軸と非回転部との導
電を図っていることを特徴とする。
The ion processing apparatus of the present invention is an apparatus for irradiating a wafer mounted on a disk that can be rotated at least in a vacuum container with an ion beam to process the wafer. A conductive ball case is housed and fixed in the center of the end of the, and a conductive coil spring is housed in this ball case, and a conductive ball is housed in the ball case, which is then fixed by the coil spring. The elastic member is elastically pressed against the non-rotating portion facing the end portion of the rotating shaft, thereby electrically conducting the rotating shaft and the non-rotating portion.

〔作用〕[Action]

ディスクの回転軸に流れるビーム電流は、いずれも導電
性のボールケース、コイルばねおよびボールを経由して
非回転部に導出される。従って、従来のようにベアリン
グ部における潤滑油による絶縁被膜の影響は受けない。
しかもボールは、回転軸端部に対向する非回転部に点接
触し、しかもボールに大きな力を加える必要はないの
で、接触点における摩擦、摩耗は非常に小さく、従って
機械的な面での支障もない。
The beam current flowing through the rotating shaft of the disk is led to the non-rotating portion via the conductive ball case, coil spring and ball. Therefore, unlike the conventional case, the insulating film is not affected by the lubricating oil in the bearing portion.
Moreover, the ball is in point contact with the non-rotating part facing the end of the rotating shaft, and since it is not necessary to apply a large force to the ball, friction and wear at the contact point are very small, and therefore, there is no mechanical obstacle. Nor.

〔実施例〕〔Example〕

第1図は、この考案の一実施例に係るイオン注入装置の
ディスク用回転軸の端部を部分的に示す拡大断面図であ
る。第2図および第3図と同一または同等部分には同一
符号を付してその説明を省略する。
FIG. 1 is an enlarged sectional view partially showing an end portion of a rotary shaft for a disk of an ion implantation device according to an embodiment of the present invention. The same or equivalent parts as those in FIGS. 2 and 3 are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.

この実施例においては、回転軸8のディスク6とは反対
側の端部8aの中心部の穴8bに、ボールケース50を挿入固
定し、その中にコイルばね(より具体的には圧縮コイル
ばね)52およびボール54を装着しており、これによって
ボール54を、対向する非回転部、例えば蓋32に弾性的に
押しつけるようにしている。
In this embodiment, a ball case 50 is inserted and fixed in a hole 8b at the center of an end 8a of the rotary shaft 8 on the side opposite to the disk 6, and a coil spring (more specifically, a compression coil spring) is inserted therein. ) 52 and a ball 54 are mounted so that the ball 54 is elastically pressed against the opposed non-rotating portion, for example, the lid 32.

この場合、ボールケース50、コイルばね52およびボール
54は、回転軸8と蓋32との導電を図るためのものである
から、いずれも導電性のもの、例えば金属製のものを用
いる。また、穴8bは、例えば回転軸8に前述した冷媒W
の往路42を設ける場合に通常形成される穴をそのまま利
用すれば簡単で良い。そのような穴がなければ端部8bに
新たに穴を設けても良い。
In this case, the ball case 50, the coil spring 52 and the ball
Since 54 is for electrically conducting the rotary shaft 8 and the lid 32, both are electrically conductive, for example, made of metal. In addition, the hole 8b is provided, for example, in the above-described refrigerant W on the rotating shaft 8.
It is easy to use the holes that are normally formed when the forward path 42 is provided. If there is no such hole, a new hole may be provided in the end portion 8b.

上記構成によれば、回転軸8、ボールケース50、コイル
ばね52、ボール54および蓋32の各部分はそれぞれ導電接
触するので、回転軸8に流れるビーム電流Iは、ボール
ケース50、コイルばね52およびボール54を経由して非回
転部である蓋32に安定して導出される。つまり、回転軸
8に流れるビーム電流Iの非回転部への導出には従来の
ようにボールベアリング24〜26を経由しないので、ボー
ルベアリング24〜26における潤滑油による絶縁被膜の影
響を受けることはなくなる。その結果、ビーム電流Iの
計測、更にはそれに基づく各種制御も安定して支障なく
行えるようになる。
According to the above configuration, since the rotating shaft 8, the ball case 50, the coil spring 52, the ball 54 and the lid 32 are in conductive contact with each other, the beam current I flowing through the rotating shaft 8 is the ball case 50 and the coil spring 52. And, it is stably led out to the lid 32 which is a non-rotating portion via the ball 54. In other words, since the beam current I flowing through the rotating shaft 8 is not led to the non-rotating portion via the ball bearings 24 to 26 as in the conventional case, it is not affected by the insulating film of the lubricating oil in the ball bearings 24 to 26. Disappear. As a result, the beam current I can be measured and various controls based on it can be stably performed without any trouble.

ちなみに、蓋32に導出されたビーム電流Iを例えば前述
したような電流計測器48等へ導く手段としては種々のも
の、例えば、図示例のように蓋32と電流計測器48をリ
ード線46で接続する。ステータ30、往管36、復管38等
を経由して電流計測器48に導く、あるいはステータ3
0、第2図に示した移動体12、ガイドレール14a、14b等
を経由して電流計測器48に導く、あるいは上記〜の
幾つかを併用する等の手段が採り得る。
Incidentally, there are various means for guiding the beam current I led to the lid 32 to, for example, the above-described current measuring device 48 or the like, for example, the lid 32 and the current measuring device 48 are connected by the lead wire 46 as illustrated. Connecting. Lead to the current measuring device 48 via the stator 30, the forward pipe 36, the return pipe 38, or the like, or the stator 3
It is possible to employ means such as guiding to the current measuring device 48 via the moving body 12, the guide rails 14a, 14b, etc. shown in FIG.

上記の場合、ボール54は、回転軸8と共に回転するけれ
ども、回転軸8の回転中心の一点で蓋32に接触し、しか
も導電だけのためであるからボール54に大きな力を加え
る必要はないので、ボール54と蓋32との接触点における
摩擦、摩耗は非常に小さく、従って機械的な面での支障
もない。
In the above case, although the ball 54 rotates with the rotating shaft 8, it does not need to exert a large force on the ball 54 because it contacts the lid 32 at one point of the center of rotation of the rotating shaft 8 and is only for conduction. The friction and wear at the contact points between the balls 54 and the lid 32 are very small, and therefore there is no mechanical problem.

なお、以上においてはディスクを回転および並進させる
イオン注入装置を例に説明したけれども、この考案はそ
れに限定されるものではなく、例えばイオンビームを直
線走査してディスクは回転させるだけのイオン注入装置
や、更にはイオン注入装置以外の一番初めに例示したよ
うなイオン処理装置にも適用することができる。
In the above description, the ion implantation apparatus that rotates and translates the disk has been described as an example, but the present invention is not limited thereto. For example, an ion implantation apparatus that linearly scans an ion beam to rotate the disk, Further, the present invention can be applied to the ion treatment apparatus other than the ion implantation apparatus as exemplified at the very beginning.

〔考案の効果〕[Effect of device]

以上のようにこの考案によれば、ディスクの回転軸に流
れるビーム電流を、いずれも導電性のボールケース、コ
イルばねおよびボールを経由して非回転部へ安定して導
出することができ、その結果、当該ビーム電流の計測、
更にはそれに基づく各種制御を安定して支障なく行える
ようになる。
As described above, according to the present invention, the beam current flowing in the rotating shaft of the disk can be stably led to the non-rotating portion via the conductive ball case, the coil spring, and the ball. As a result, measurement of the beam current,
Further, various controls based on it can be stably performed without any trouble.

しかも、上記ボールケース、コイルばねおよびボールの
殆ど全てが、回転軸の端部内に納まった構造であるの
で、これらの部品を設けても回転軸の端部周りに特別な
スペースが必要で無く、従って回転軸の後部周りが大型
化するのを防止することができるという効果も得られ
る。
Moreover, since the ball case, the coil spring, and the ball are all housed inside the end of the rotary shaft, even if these parts are provided, no special space is required around the end of the rotary shaft. Therefore, there is an effect that it is possible to prevent the size around the rear portion of the rotary shaft from increasing.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は、この考案の一実施例に係るイオン注入装置の
ディスク用回転軸の端部を部分的に示す拡大断面図であ
る。第2図は、従来のイオン注入装置のディスク回りの
一例を部分的に示す概略断面図である。第3図は、第2
図のディスクを示す概略平面図である。 2……イオンビーム、4……ウエハ、6……ディスク、
8……回転軸、24〜26……ボールベアリング、28……ロ
ータリジョイント、32……蓋、50……ボールケース、52
……コイルばね、54……ボール、I……ビーム電流。
FIG. 1 is an enlarged sectional view partially showing an end portion of a rotary shaft for a disk of an ion implantation device according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a schematic cross-sectional view partially showing an example around a disk of a conventional ion implantation apparatus. Figure 3 shows the second
It is a schematic plan view which shows the disk of a figure. 2 ... Ion beam, 4 ... Wafer, 6 ... Disk,
8 …… Rotary shaft, 24-26 …… Ball bearing, 28 …… Rotary joint, 32 …… Lid, 50 …… Ball case, 52
…… Coil spring, 54 …… Ball, I …… Beam current.

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】[Scope of utility model registration request] 【請求項1】真空容器内で少なくとも回転させられるデ
ィスクに装着されたウエハにイオンビームを照射して当
該ウエハを処理する装置において、ディスクに結合され
た回転軸のディスクとは反対側の端部の中心部内に導電
性のボールケースを収納固定し、このボールケース内に
導電性のコイルばねを収納し、かつ同ボールケース内に
導電性のボールを収納してそれをコイルばねによって、
回転軸の端部に対向する非回転部に弾性的に押し付け、
それによって回転軸と非回転部との導電を図っているこ
とを特徴とするイオン処理装置。
1. An apparatus for irradiating a wafer mounted on a disk, which is rotated at least in a vacuum container, with an ion beam to process the wafer, the end of a rotating shaft connected to the disk opposite to the disk. A conductive ball case is housed and fixed in the center of the, a conductive coil spring is housed in the ball case, and a conductive ball is housed in the ball case, which is then
Elastically pressed against the non-rotating part facing the end of the rotating shaft,
The ion treatment device is characterized in that the rotation shaft and the non-rotating portion are thereby electrically conductive.
JP1986047042U 1986-03-29 1986-03-29 Ion processing device Expired - Lifetime JPH0722851Y2 (en)

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JP1986047042U JPH0722851Y2 (en) 1986-03-29 1986-03-29 Ion processing device

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JPS62158756U JPS62158756U (en) 1987-10-08
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5932198U (en) * 1982-08-23 1984-02-28 石川島播磨重工業株式会社 Pump rotation speed control device
JPS5986143A (en) * 1982-11-09 1984-05-18 Ulvac Corp Automatic wafer exchange device

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JPS5986143A (en) * 1982-11-09 1984-05-18 Ulvac Corp Automatic wafer exchange device

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JPS62158756U (en) 1987-10-08

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