JPH0722672A - 固体レーザ装置 - Google Patents
固体レーザ装置Info
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- JPH0722672A JPH0722672A JP5160918A JP16091893A JPH0722672A JP H0722672 A JPH0722672 A JP H0722672A JP 5160918 A JP5160918 A JP 5160918A JP 16091893 A JP16091893 A JP 16091893A JP H0722672 A JPH0722672 A JP H0722672A
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- light
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Abstract
(57)【要約】
【目的】固体レーザ，内部共振器型ＳＨＧレーザの縦単
一モード発振とレーザノイズ低減。 【構成】１軸性あるいは２軸性のレーザ結晶１を使用す
る固体レーザ共振器内部に４分の１波長板２を挿入しそ
のfast軸2aをレーザ結晶軸と４５°の角度にする。さら
にこの共振器内部に非線形光学結晶５を配置する。
一モード発振とレーザノイズ低減。 【構成】１軸性あるいは２軸性のレーザ結晶１を使用す
る固体レーザ共振器内部に４分の１波長板２を挿入しそ
のfast軸2aをレーザ結晶軸と４５°の角度にする。さら
にこの共振器内部に非線形光学結晶５を配置する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は固体レーザ装置のシング
ルモード発振あるいは固体レーザの光高調波を発生させ
るレーザ装置に係り、特に、レーザノイズの低減に関す
る。
ルモード発振あるいは固体レーザの光高調波を発生させ
るレーザ装置に係り、特に、レーザノイズの低減に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】定在波型の固体レーザは特別な手段を設
けなければ、一般的に縦マルチモード発振する。しか
し、レーザ光を縦シングルモードで応用したい場合が少
なくない。そこで、Ｎｄ：ＹＡＧなどの等方性結晶の場
合には、Ｎｄ：ＹＡＧを２枚の４分の１波長（ＱＷＰ，
Quarter Wave Plate）ではさむツイストモード構造の共
振器にすることでレーザ結晶の位置に円偏光を作り、利
得の空間ホールバーニングを解消し、シングルモード発
振させることができる（アプライド オプティクス（Ap
pl.Opt.）vol.4,No.1(1965)142）。
けなければ、一般的に縦マルチモード発振する。しか
し、レーザ光を縦シングルモードで応用したい場合が少
なくない。そこで、Ｎｄ：ＹＡＧなどの等方性結晶の場
合には、Ｎｄ：ＹＡＧを２枚の４分の１波長（ＱＷＰ，
Quarter Wave Plate）ではさむツイストモード構造の共
振器にすることでレーザ結晶の位置に円偏光を作り、利
得の空間ホールバーニングを解消し、シングルモード発
振させることができる（アプライド オプティクス（Ap
pl.Opt.）vol.4,No.1(1965)142）。
【０００３】また、このレーザ共振器内にＫＴＰなどの
非線形光学結晶を挿入するとモード競合によるＳＨＧノ
イズ(green problem）が低減でき、安定なＳＨＧレーザ
光を得ることができる（アイイーイーイー ジャーナル
オブ カンタム エレクトロン（IEEE J.Quantum Ele
ctron.）,vol.28, No.4 (1992)1148）。
非線形光学結晶を挿入するとモード競合によるＳＨＧノ
イズ(green problem）が低減でき、安定なＳＨＧレーザ
光を得ることができる（アイイーイーイー ジャーナル
オブ カンタム エレクトロン（IEEE J.Quantum Ele
ctron.）,vol.28, No.4 (1992)1148）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上に挙げたツイストモ
ード構造は等方性のレーザ結晶の場合に適用でき、１軸
あるいは２軸結晶の場合には有効ではない。
ード構造は等方性のレーザ結晶の場合に適用でき、１軸
あるいは２軸結晶の場合には有効ではない。
【０００５】本発明はこの点を考慮したもので、１軸あ
るいは２軸結晶の場合でも利得の空間ホールバーニング
を低減でき、縦シングルモード発振する固体レーザ装置
を提供することにある。また、この固体レーザ装置を光
高調波発生に利用し、モード競合による出力不安定のな
いレーザ装置を提供することにある。
るいは２軸結晶の場合でも利得の空間ホールバーニング
を低減でき、縦シングルモード発振する固体レーザ装置
を提供することにある。また、この固体レーザ装置を光
高調波発生に利用し、モード競合による出力不安定のな
いレーザ装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】レーザ共振器中に、基本
波に対する４分の１波長板あるいは４分の１波長板の性
質を持つ光学部品を、そのfast軸がレーザ結晶の結晶軸
から４５°の角度になるように挿入する。
波に対する４分の１波長板あるいは４分の１波長板の性
質を持つ光学部品を、そのfast軸がレーザ結晶の結晶軸
から４５°の角度になるように挿入する。
【０００７】
【作用】図１のレーザ結晶１と出力ミラー３の表面に施
したコーティング１ａと３ａからなるレーザ共振器にお
いて、１を励起していくと、はじめは、レーザ結晶軸の
うち１ｂか１ｃの結晶軸どちらかの方向に偏光した光を
発生する。１ｂに対して、基本波に対する４分の１波長
板３をfast軸２ａが４５°になるように挿入し、このレ
ーザ光が３ａで反射され再び１に戻ってきたときに偏光
方向が９０°回転するようにする。すると、１の内部で
は１ｂと１ｃで屈折率が違うため、行きと帰りで光の電
場が０になる位置がずれる。これにより基本波強度が０
になる間隔が広がり、利得の空間ホールバーニングが低
減する。空間ホールバーニングの減少によりレーザはシ
ングルモード４を発振する。
したコーティング１ａと３ａからなるレーザ共振器にお
いて、１を励起していくと、はじめは、レーザ結晶軸の
うち１ｂか１ｃの結晶軸どちらかの方向に偏光した光を
発生する。１ｂに対して、基本波に対する４分の１波長
板３をfast軸２ａが４５°になるように挿入し、このレ
ーザ光が３ａで反射され再び１に戻ってきたときに偏光
方向が９０°回転するようにする。すると、１の内部で
は１ｂと１ｃで屈折率が違うため、行きと帰りで光の電
場が０になる位置がずれる。これにより基本波強度が０
になる間隔が広がり、利得の空間ホールバーニングが低
減する。空間ホールバーニングの減少によりレーザはシ
ングルモード４を発振する。
【０００８】また、図２のように、図１のレーザ共振器
内部に、基本波レーザ光の偏光方向を変化させないよう
な方向に非線形光学結晶５を配置すると、モード競合が
起こらないため、安定した出力の光高長波を発生するこ
とができる。
内部に、基本波レーザ光の偏光方向を変化させないよう
な方向に非線形光学結晶５を配置すると、モード競合が
起こらないため、安定した出力の光高長波を発生するこ
とができる。
【０００９】
【実施例】（実施例１）図３のように、半導体レーザ６
のレーザ光７（波長約８０９ｎｍ）を集光レンズ７でＮ
ｄ：ＹＶＯ4９ に集光し９を励起する。９の左面９ａに
は波長８０９ｎｍに対して無反射、１０６４ｎｍに対し
て高反射のコーティングをしてある。また出力ミラー１
１の左面１１ａには、１０６４ｎｍに対し反射率約９５
％のコーティングをしてある。９ａと１１ａがレーザ共
振器を作っていて、その内部に１０６４ｎｍに対する４
分の１波長板１０を配置する。９はレーザ光７の進行方
向に対して垂直な面がａ軸とｃ軸になるようにカットさ
れている。９のｃ軸の方向は１１のfast軸と４５°の角
度をなしている。
のレーザ光７（波長約８０９ｎｍ）を集光レンズ７でＮ
ｄ：ＹＶＯ4９ に集光し９を励起する。９の左面９ａに
は波長８０９ｎｍに対して無反射、１０６４ｎｍに対し
て高反射のコーティングをしてある。また出力ミラー１
１の左面１１ａには、１０６４ｎｍに対し反射率約９５
％のコーティングをしてある。９ａと１１ａがレーザ共
振器を作っていて、その内部に１０６４ｎｍに対する４
分の１波長板１０を配置する。９はレーザ光７の進行方
向に対して垂直な面がａ軸とｃ軸になるようにカットさ
れている。９のｃ軸の方向は１１のfast軸と４５°の角
度をなしている。
【００１０】励起されたＮｄ：ＹＶＯ4９ により基本波
（１０６４ｎｍ）レーザが発振する。１０６４ｎｍの光
は初めは９のｃ軸方向に偏光した光が出るが、１０を通
過し、１１ａで反射され再び９に戻ってきたときには９
０°偏光方向が回転している。９の内部では、ａ軸方向
とｃ軸方向では屈折率が異なるため、１０６４ｎｍの光
強度が０になる場所の間隔が１偏光方向の場合より広く
なる。これにより利得の空間ホールバーニングは減少
し、１０６４ｎｍのシングルモードレーザ光１２が得ら
れ、１１を透過して共振器外部に取り出される。
（１０６４ｎｍ）レーザが発振する。１０６４ｎｍの光
は初めは９のｃ軸方向に偏光した光が出るが、１０を通
過し、１１ａで反射され再び９に戻ってきたときには９
０°偏光方向が回転している。９の内部では、ａ軸方向
とｃ軸方向では屈折率が異なるため、１０６４ｎｍの光
強度が０になる場所の間隔が１偏光方向の場合より広く
なる。これにより利得の空間ホールバーニングは減少
し、１０６４ｎｍのシングルモードレーザ光１２が得ら
れ、１１を透過して共振器外部に取り出される。
【００１１】（実施例２）図４のように、半導体レーザ
６のレーザ光７（波長約８０９ｎｍ）を集光レンズ７で
Ｎｄ：ＹＶＯ4９ に集光し９を励起する。９の左面９ａ
には波長８０９ｎｍに対して無反射、１０６４ｎｍに対
して高反射のコーティングをしてある。また出力ミラー
１１の左面１１ｂには１０６４ｎｍに対する高反射、５
３２ｎｍに対して無反射のコーティングをしてある。９
ａと１１ｂがレーザ共振器を作っていて、その内部に非
線形光学結晶ＫＴＰ１４と１０６４ｎｍに対する４分の
１波長板１０を配置する。９はレーザ光７の進行方向に
対して垂直な面がａ軸とｃ軸になるようにカットされて
いる。１４と９のそれぞれのｃ軸の方向は平行で、さら
に１０のfast軸と４５°の角度をなしている。
６のレーザ光７（波長約８０９ｎｍ）を集光レンズ７で
Ｎｄ：ＹＶＯ4９ に集光し９を励起する。９の左面９ａ
には波長８０９ｎｍに対して無反射、１０６４ｎｍに対
して高反射のコーティングをしてある。また出力ミラー
１１の左面１１ｂには１０６４ｎｍに対する高反射、５
３２ｎｍに対して無反射のコーティングをしてある。９
ａと１１ｂがレーザ共振器を作っていて、その内部に非
線形光学結晶ＫＴＰ１４と１０６４ｎｍに対する４分の
１波長板１０を配置する。９はレーザ光７の進行方向に
対して垂直な面がａ軸とｃ軸になるようにカットされて
いる。１４と９のそれぞれのｃ軸の方向は平行で、さら
に１０のfast軸と４５°の角度をなしている。
【００１２】励起されたＮｄ：ＹＶＯ4９ により基本波
（１０６４ｎｍ）レーザが発振する。１０６４ｎｍのレ
ーザは初めは９のｃ軸方向に偏光した光が出るが、１０
を通過し１１ｂで反射され再び９に戻ってきたときには
９０°偏光方向が回転している。９の内部では、ａ軸方
向とｃ軸方向では屈折率が異なるため、１０６４ｎｍの
光強度が０になる場所の間隔が１偏光方向の場合より広
くなる。これにより利得の空間ホールバーニングは減少
し、１０６４ｎｍのシングルモードレーザの発振が起こ
る。このシングルモードレーザを基本波とし、１４によ
り第二高調波１３が発生し、このレーザ光が１１を通し
て共振器外部に取り出される。基本波がシングルモード
であるためモード競合は起こらず、この第二高調波は安
定な出力となる。
（１０６４ｎｍ）レーザが発振する。１０６４ｎｍのレ
ーザは初めは９のｃ軸方向に偏光した光が出るが、１０
を通過し１１ｂで反射され再び９に戻ってきたときには
９０°偏光方向が回転している。９の内部では、ａ軸方
向とｃ軸方向では屈折率が異なるため、１０６４ｎｍの
光強度が０になる場所の間隔が１偏光方向の場合より広
くなる。これにより利得の空間ホールバーニングは減少
し、１０６４ｎｍのシングルモードレーザの発振が起こ
る。このシングルモードレーザを基本波とし、１４によ
り第二高調波１３が発生し、このレーザ光が１１を通し
て共振器外部に取り出される。基本波がシングルモード
であるためモード競合は起こらず、この第二高調波は安
定な出力となる。
【００１３】（実施例３）図５のように、半導体レーザ
６のレーザ光７（波長約８０９ｎｍ）を集光レンズ７で
Ｎｄ：ＹＶＯ4９ に集光し９を励起する。９の左面９ａ
には波長８０９ｎｍに対して無反射、１０６４ｎｍに対
して高反射のコーティングをしてある。また出力ミラー
１１の左面１１ｂには１０６４ｎｍに対する高反射、５
３２ｎｍに対して無反射のコーティングをしてある。９
ａと１１ｂがレーザ共振器を作っていて、その内部に非
線形光学結晶ＫＴＰ１４を配置する。９はレーザ光７の
進行方向に対して垂直な面がａ軸とｃ軸になるようにカ
ットされている。１４は温度コントロール用のホルダ１
３に収められ、１０６４ｎｍの光がｃ軸に平行な偏光と
それと直交する偏光が入射したときπ／２の位相ずれが
起こるような温度に保たれている。１４と９のそれぞれ
のｃ軸の方向は４５°の角度をなしている。
６のレーザ光７（波長約８０９ｎｍ）を集光レンズ７で
Ｎｄ：ＹＶＯ4９ に集光し９を励起する。９の左面９ａ
には波長８０９ｎｍに対して無反射、１０６４ｎｍに対
して高反射のコーティングをしてある。また出力ミラー
１１の左面１１ｂには１０６４ｎｍに対する高反射、５
３２ｎｍに対して無反射のコーティングをしてある。９
ａと１１ｂがレーザ共振器を作っていて、その内部に非
線形光学結晶ＫＴＰ１４を配置する。９はレーザ光７の
進行方向に対して垂直な面がａ軸とｃ軸になるようにカ
ットされている。１４は温度コントロール用のホルダ１
３に収められ、１０６４ｎｍの光がｃ軸に平行な偏光と
それと直交する偏光が入射したときπ／２の位相ずれが
起こるような温度に保たれている。１４と９のそれぞれ
のｃ軸の方向は４５°の角度をなしている。
【００１４】励起されたＮｄ：ＹＶＯ4９ により基本波
（１０６４ｎｍ）レーザが発振する。１０６４ｎｍのレ
ーザは初めは９のｃ軸方向に偏光した光が出るが、１４
を通過し１１ｂで反射され再び９に戻ってきたときには
９０°偏光方向が回転している。９の内部では、ａ軸方
向とｃ軸方向では屈折率が異なるため、１０６４ｎｍの
光強度が０になる場所の間隔が１偏光方向の場合より広
くなる。これにより利得の空間ホールバーニングは減少
し、１０６４ｎｍのシングルモードレーザの発振が起こ
る。このシングルモードレーザを基本波とし、１４によ
り第二高調波１３が発生し、このレーザ光が１１を通し
て共振器外部に取り出される。基本波がシングルモード
であるためモード競合は起こらず、この第二高調波は安
定な出力となる。
（１０６４ｎｍ）レーザが発振する。１０６４ｎｍのレ
ーザは初めは９のｃ軸方向に偏光した光が出るが、１４
を通過し１１ｂで反射され再び９に戻ってきたときには
９０°偏光方向が回転している。９の内部では、ａ軸方
向とｃ軸方向では屈折率が異なるため、１０６４ｎｍの
光強度が０になる場所の間隔が１偏光方向の場合より広
くなる。これにより利得の空間ホールバーニングは減少
し、１０６４ｎｍのシングルモードレーザの発振が起こ
る。このシングルモードレーザを基本波とし、１４によ
り第二高調波１３が発生し、このレーザ光が１１を通し
て共振器外部に取り出される。基本波がシングルモード
であるためモード競合は起こらず、この第二高調波は安
定な出力となる。
【００１５】（実施例４）図６のように、半導体レーザ
６のレーザ光７（波長約８０９ｎｍ）を集光レンズ７で
Ｎｄ：ＹＶＯ4９ に集光し９を励起する。９の左面９ａ
には波長８０９ｎｍに対して無反射、１０６４ｎｍに対
して高反射のコーティングをしてある。また出力ミラー
１１の左面１１ｂには１０６４ｎｍに対する高反射、５
３２ｎｍに対して無反射のコーティングをしてある。９
ａと１１ｂがレーザ共振器を作っていて、その内部に非
線形光学結晶ＫＴＰ１４を配置する。９はレーザ光７の
進行方向に対して垂直な面がａ軸とｃ軸になるようにカ
ットされている。１４はレーザ光の進行方向に対して直
交する２つの面の一方に、１０６４ｎｍの光がｃ軸に平
行な偏光とそれと直交する偏光が入射したときπ／２の
位相ずれが起こるようなのウエッジが付けられている。
１４と９のそれぞれのｃ軸の方向は４５°の角度をなし
ている。
６のレーザ光７（波長約８０９ｎｍ）を集光レンズ７で
Ｎｄ：ＹＶＯ4９ に集光し９を励起する。９の左面９ａ
には波長８０９ｎｍに対して無反射、１０６４ｎｍに対
して高反射のコーティングをしてある。また出力ミラー
１１の左面１１ｂには１０６４ｎｍに対する高反射、５
３２ｎｍに対して無反射のコーティングをしてある。９
ａと１１ｂがレーザ共振器を作っていて、その内部に非
線形光学結晶ＫＴＰ１４を配置する。９はレーザ光７の
進行方向に対して垂直な面がａ軸とｃ軸になるようにカ
ットされている。１４はレーザ光の進行方向に対して直
交する２つの面の一方に、１０６４ｎｍの光がｃ軸に平
行な偏光とそれと直交する偏光が入射したときπ／２の
位相ずれが起こるようなのウエッジが付けられている。
１４と９のそれぞれのｃ軸の方向は４５°の角度をなし
ている。
【００１６】励起されたＮｄ：ＹＶＯ4９ により基本波
（１０６４ｎｍ）レーザが発振する。１０６４ｎｍのレ
ーザは初めは９のｃ軸方向に偏光した光が出るが、１４
を通過し１１ｂで反射され再び９に戻ってきたときには
９０°偏光方向が回転している。９の内部では、ａ軸方
向とｃ軸方向では屈折率が異なるため、１０６４ｎｍの
光強度が０になる場所の間隔が１偏光方向の場合より広
くなる。これにより利得の空間ホールバーニングは減少
し、１０６４ｎｍのシングルモードレーザの発振が起こ
る。このシングルモードレーザを基本波とし、１４によ
り第二高調波１３が発生し、このレーザ光が１１を通し
て共振器外部に取り出される。基本波がシングルモード
であるためモード競合は起こらず、この第二高調波は安
定な出力となる。
（１０６４ｎｍ）レーザが発振する。１０６４ｎｍのレ
ーザは初めは９のｃ軸方向に偏光した光が出るが、１４
を通過し１１ｂで反射され再び９に戻ってきたときには
９０°偏光方向が回転している。９の内部では、ａ軸方
向とｃ軸方向では屈折率が異なるため、１０６４ｎｍの
光強度が０になる場所の間隔が１偏光方向の場合より広
くなる。これにより利得の空間ホールバーニングは減少
し、１０６４ｎｍのシングルモードレーザの発振が起こ
る。このシングルモードレーザを基本波とし、１４によ
り第二高調波１３が発生し、このレーザ光が１１を通し
て共振器外部に取り出される。基本波がシングルモード
であるためモード競合は起こらず、この第二高調波は安
定な出力となる。
【００１７】（実施例５）図７のように、半導体レーザ
６のレーザ光７（波長約８０９ｎｍ）を集光レンズ７で
Ｎｄ：ＹＶＯ4９ に集光し９を励起する。９の左面９ａ
には波長８０９ｎｍに対して無反射、１０６４ｎｍに対
して高反射のコーティングをしてある。また出力ミラー
１１の左面１１ｂには１０６４ｎｍに対する高反射、５
３２ｎｍに対して無反射のコーティングをしてある。９
ａと１１ｂがレーザ共振器を作っていて、その内部に非
線形光学結晶ＫＴＰ１４を配置する。９はレーザ光７の
進行方向に対して垂直な面がａ軸とｃ軸になるようにカ
ットされている。１４はレーザ光の進行方向に対して平
行な向かい合う二つの面に、電気光学効果により１０６
４ｎｍの光がｃ軸に平行な偏光とそれと直交する偏光が
入射したときπ／２の位相ずれが起こるように、電場が
かけられている。１４と９のそれぞれのｃ軸の方向は４
５°の角度をなしている。
６のレーザ光７（波長約８０９ｎｍ）を集光レンズ７で
Ｎｄ：ＹＶＯ4９ に集光し９を励起する。９の左面９ａ
には波長８０９ｎｍに対して無反射、１０６４ｎｍに対
して高反射のコーティングをしてある。また出力ミラー
１１の左面１１ｂには１０６４ｎｍに対する高反射、５
３２ｎｍに対して無反射のコーティングをしてある。９
ａと１１ｂがレーザ共振器を作っていて、その内部に非
線形光学結晶ＫＴＰ１４を配置する。９はレーザ光７の
進行方向に対して垂直な面がａ軸とｃ軸になるようにカ
ットされている。１４はレーザ光の進行方向に対して平
行な向かい合う二つの面に、電気光学効果により１０６
４ｎｍの光がｃ軸に平行な偏光とそれと直交する偏光が
入射したときπ／２の位相ずれが起こるように、電場が
かけられている。１４と９のそれぞれのｃ軸の方向は４
５°の角度をなしている。
【００１８】励起されたＮｄ：ＹＶＯ4９ により基本波
（１０６４ｎｍ）レーザが発振する。１０６４ｎｍのレ
ーザは初めは９のｃ軸方向に偏光した光が出るが、１４
を通過し１１ｂで反射され再び９に戻ってきたときには
９０°偏光方向が回転している。９の内部では、ａ軸方
向とｃ軸方向では屈折率が異なるため、１０６４ｎｍの
光強度が０になる場所の間隔が１偏光方向の場合より広
くなる。これにより利得の空間ホールバーニングは減少
し、１０６４ｎｍのシングルモードレーザの発振が起こ
る。このシングルモードレーザを基本波とし、１４によ
り第二高調波１３が発生し、このレーザ光が１１を通し
て共振器外部に取り出される。基本波がシングルモード
であるためモード競合は起こらず、この第二高調波は安
定な出力となる。
（１０６４ｎｍ）レーザが発振する。１０６４ｎｍのレ
ーザは初めは９のｃ軸方向に偏光した光が出るが、１４
を通過し１１ｂで反射され再び９に戻ってきたときには
９０°偏光方向が回転している。９の内部では、ａ軸方
向とｃ軸方向では屈折率が異なるため、１０６４ｎｍの
光強度が０になる場所の間隔が１偏光方向の場合より広
くなる。これにより利得の空間ホールバーニングは減少
し、１０６４ｎｍのシングルモードレーザの発振が起こ
る。このシングルモードレーザを基本波とし、１４によ
り第二高調波１３が発生し、このレーザ光が１１を通し
て共振器外部に取り出される。基本波がシングルモード
であるためモード競合は起こらず、この第二高調波は安
定な出力となる。
【００１９】
【発明の効果】本発明によれば、一軸性あるいは二軸性
のレーザ結晶で固体レーザを縦シングルモード発振させ
ることができる。またこの固体レーザを応用した内部共
振器型ＳＨＧレーザで、ノイズの低い安定したレーザ出
力を得ることができる。このレーザ光は出力が安定であ
るため、光ディスクシステム，光通信，レーザビームプ
リンタなどの分野において有効に利用できる。
のレーザ結晶で固体レーザを縦シングルモード発振させ
ることができる。またこの固体レーザを応用した内部共
振器型ＳＨＧレーザで、ノイズの低い安定したレーザ出
力を得ることができる。このレーザ光は出力が安定であ
るため、光ディスクシステム，光通信，レーザビームプ
リンタなどの分野において有効に利用できる。
【図１】固体レーザの構造と、レーザ発振の過程を示す
説明図。
説明図。
【図２】固体レーザの構造と、光高調波発生の過程を示
す説明図。
す説明図。
【図３】本発明の実施例１を示した説明図。
【図４】本発明の実施例２を示した説明図。
【図５】本発明の実施例３を示した説明図。
【図６】本発明の実施例４を示した説明図。
【図７】本発明の実施例５を示した説明図。
１…１軸性あるいは２軸性レーザ結晶、１ａ…固体レー
ザ光に対する高反射コーティング、１ｂ…レーザ結晶の
結晶軸、１ｃ…レーザ結晶の結晶軸、２…４分の１波長
板、３…出力ミラー、３ａ…固体レーザ反射コーティン
グ、４…シングルモードレーザ光、５…非線形光学結
晶。
ザ光に対する高反射コーティング、１ｂ…レーザ結晶の
結晶軸、１ｃ…レーザ結晶の結晶軸、２…４分の１波長
板、３…出力ミラー、３ａ…固体レーザ反射コーティン
グ、４…シングルモードレーザ光、５…非線形光学結
晶。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 牧尾 諭 埼玉県熊谷市三ケ尻5200番地 日立金属株 式会社磁性材料研究所内 (72)発明者 川本 和民 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 伊藤 顕知 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内
Claims (2)
- 【請求項１】１軸性あるいは２軸性のレーザ結晶を使用
する固体レーザにおいて、レーザ共振器内に利得の空間
ホールバーニングを低減する手段を設けたことを特徴と
する固体レーザ装置。 - 【請求項２】請求項１において、前記固体レーザ光と非
線形光学物質により、安定な出力の光高調波を発生する
固体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5160918A JPH0722672A (ja) | 1993-06-30 | 1993-06-30 | 固体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5160918A JPH0722672A (ja) | 1993-06-30 | 1993-06-30 | 固体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0722672A true JPH0722672A (ja) | 1995-01-24 |
Family
ID=15725125
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5160918A Pending JPH0722672A (ja) | 1993-06-30 | 1993-06-30 | 固体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0722672A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101976794A (zh) * | 2010-09-10 | 2011-02-16 | 山东大学 | 通过驱动固体激光器增益介质消除空间烧孔效应的方法 |
| WO2014091540A1 (ja) * | 2012-12-10 | 2014-06-19 | 三菱電機株式会社 | 平面導波路型レーザ装置 |
-
1993
- 1993-06-30 JP JP5160918A patent/JPH0722672A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101976794A (zh) * | 2010-09-10 | 2011-02-16 | 山东大学 | 通过驱动固体激光器增益介质消除空间烧孔效应的方法 |
| WO2014091540A1 (ja) * | 2012-12-10 | 2014-06-19 | 三菱電機株式会社 | 平面導波路型レーザ装置 |
| CN104838549A (zh) * | 2012-12-10 | 2015-08-12 | 三菱电机株式会社 | 平面波导型激光装置 |
| JP5933754B2 (ja) * | 2012-12-10 | 2016-06-15 | 三菱電機株式会社 | 平面導波路型レーザ装置 |
| US9450370B2 (en) | 2012-12-10 | 2016-09-20 | Mitsubishi Electric Corporation | Planar waveguide laser device |
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