JPH07215704A - Production of ib-iiib-vib group compound thin film - Google Patents
Production of ib-iiib-vib group compound thin filmInfo
- Publication number
- JPH07215704A JPH07215704A JP6011248A JP1124894A JPH07215704A JP H07215704 A JPH07215704 A JP H07215704A JP 6011248 A JP6011248 A JP 6011248A JP 1124894 A JP1124894 A JP 1124894A JP H07215704 A JPH07215704 A JP H07215704A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group compound
- powder
- compound
- thin film
- group
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/541—CuInSe2 material PV cells
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は太陽電池等の光吸収層と
しての使用が期待されている高配向性の１Ｂ−３Ｂ−６
Ｂ族カルコパイライト膜を低コストで製造することがで
きる１Ｂ−３Ｂ−６Ｂ族化合物薄膜の製造方法に関す
る。The present invention relates to highly oriented 1B-3B-6 which is expected to be used as a light absorbing layer for solar cells and the like.
The present invention relates to a method for producing a 1B-3B-6B group compound thin film capable of producing a group B chalcopyrite film at low cost.
【０００２】[0002]
【従来の技術】１Ｂ−３Ｂ−６Ｂ族化合物半導体は、カ
ルコパイライト構造を示し、（１Ｂ）（３Ｂ）（６Ｂ）
2の組成を有し、太陽電池の光吸収層としての利用が有
望視されている。この１Ｂ−３Ｂ−６Ｂ族化合物のなか
でも、特に、ＣｕＩｎＳｅ2及びＣｕＩｎＳ2が注目され
ている。2. Description of the Related Art 1B-3B-6B group compound semiconductors show a chalcopyrite structure and are (1B) (3B) (6B).
It has a composition of 2 and is expected to be used as a light absorption layer of a solar cell. Among these 1B-3B-6B group compounds, CuInSe 2 and CuInS 2 are particularly attracting attention.
【０００３】従来の１Ｂ−３Ｂ−６Ｂ族化合物膜を低コ
ストで製造する方法として、スクリーン印刷等を利用し
たものがあり、更にこの中で、各元素の高純度単体を原
料とするもの（例えば、特開昭６３−２４２９０７号公
報）と、単結晶三元化合物を原料とするもの（例えば、
特開昭６３−２８５９７４号公報）とがある。As a conventional method for producing a 1B-3B-6B group compound film at low cost, there is a method using screen printing or the like, and among these, a method using a high-purity simple substance of each element as a raw material (for example, , JP-A-63-242907), and those using a single crystal ternary compound as a raw material (for example,
JP-A-63-285974).
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
の従来の１Ｂ−３Ｂ−６Ｂ族化合物の製造方法において
は、以下に示す欠点がある。即ち、前者のように高純度
単体を原料とする場合には、構成元素のＳ（イオウ）の
融点が低いため、高温で焼成することができない。この
ため、この従来方法においては、混合粉末を比較的低い
温度で焼成しているだけであるので、高い結晶配向性を
有する１Ｂ−３Ｂ−６Ｂ族化合物膜を製造することはで
きない。However, these conventional methods for producing a 1B-3B-6B group compound have the following drawbacks. That is, when a high-purity simple substance is used as a raw material like the former, it cannot be fired at a high temperature because the melting point of S (sulfur) as a constituent element is low. Therefore, in this conventional method, since the mixed powder is only fired at a relatively low temperature, it is not possible to produce a 1B-3B-6B group compound film having high crystal orientation.
【０００５】また、後者の場合には、上述の欠点は生じ
ないものの、２元系化合物に比して、３元系化合物は大
型で良質の単結晶を得ることが困難であるという難点が
ある。In the latter case, the above-mentioned drawbacks do not occur, but the ternary compound is larger than the binary compound and it is difficult to obtain a good single crystal. .
【０００６】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
のであって、高い配向性を有し、良質で大型の単結晶を
低コストで製造することができる１Ｂ−３Ｂ−６Ｂ族化
合物薄膜の製造方法を提供することを目的とする。The present invention has been made in view of the above problems, and provides a 1B-3B-6B group compound thin film having a high orientation and capable of producing a large single crystal of good quality at low cost. It is intended to provide a manufacturing method.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】本願第１発明に係る１Ｂ
−３Ｂ−６Ｂ族化合物薄膜の製造方法は、カルコゲナイ
ド二元化合物である１Ｂ−６Ｂ族化合物粉末と、３Ｂ−
６Ｂ族化合物粉末との混合粉末を圧粉成形する工程と、
この成形体を焼成して１Ｂ−３Ｂ−６Ｂ族化合物を得る
工程と、この焼成体を粉砕したものをペースト状にして
基板上に塗布し、その後、焼結する工程とを有すること
を特徴とする。1B according to the first invention of the present application
A method for producing a 3B-6B group compound thin film includes a chalcogenide binary compound, a 1B-6B group compound powder, and a 3B-
A step of compacting a mixed powder with a 6B group compound powder;
And a step of firing the molded body to obtain a 1B-3B-6B group compound and a step of applying a crushed body of the fired body to a substrate and then sintering the paste. To do.
【０００８】本願第２発明に係る１Ｂ−３Ｂ−６Ｂ族化
合物薄膜の製造方法は、カルコゲナイド二元化合物であ
る１Ｂ−６Ｂ族化合物粉末と、３Ｂ−６Ｂ族化合物粉末
との混合粉末をペースト状にして基板上に塗布し、その
後、焼結することを特徴とする。In the method for producing a 1B-3B-6B group compound thin film according to the second invention of the present application, a mixed powder of a chalcogenide binary compound 1B-6B group compound powder and a 3B-6B group compound powder is made into a paste. Coating on a substrate and then sintering.
【０００９】[0009]
【作用】本発明においては、出発原料として１Ｂ−６Ｂ
族化合物粉末と、３Ｂ−６Ｂ族化合物粉末とを使用す
る。これらの２元系化合物は、３元系化合物に比して良
質なものを容易に入手できる。また、２元系化合物は高
い融点を有するので、高温で長時間の焼成が可能であ
り、この高温焼鈍により、高い結晶配向性を得ることが
できる。この場合に、この１Ｂ−６Ｂ族化合物粉末と、
３Ｂ−６Ｂ族化合物粉末との混合の割合を制御すること
により、１Ｂ−３Ｂ−６Ｂ族化合物半導体の電導型を制
御することができる。In the present invention, 1B-6B is used as the starting material.
Group compound powder and 3B-6B group compound powder are used. These binary compounds are easily available in good quality as compared with the ternary compounds. Further, since the binary compound has a high melting point, it can be fired at a high temperature for a long time, and by this high temperature annealing, a high crystal orientation can be obtained. In this case, the 1B-6B group compound powder,
By controlling the mixing ratio with the 3B-6B group compound powder, the conductivity type of the 1B-3B-6B group compound semiconductor can be controlled.
【００１０】なお、本願第１発明のように、１Ｂ−６Ｂ
族化合物粉末と、３Ｂ−６Ｂ族化合物粉末との混合粉末
を圧粉成形した後、この成形体を焼成して１Ｂ−３Ｂ−
６Ｂ族化合物を得、この焼成体を粉砕して再度粉末にし
たものをペースト状にして基板上に塗布し、焼結する際
に、この３元系化合物は容易に成長主面を伴うへき開破
壊するため、最初の焼成工程で得られた配向性をあまり
崩さずに、高配向性膜を得ることができる。As in the first invention of the present application, 1B-6B
A powder mixture of a group 3 compound powder and a group 3B-6B compound powder is compacted, and the compact is fired to form 1B-3B-
When a Group 6B compound is obtained, and the fired product is crushed and re-powdered to form a paste, which is applied on a substrate and sintered, the ternary compound easily breaks cleavage along with the growth main surface. Therefore, it is possible to obtain a highly oriented film without significantly deteriorating the orientation obtained in the first baking step.
【００１１】本発明は、例えば、ＭＯＣＶＤ（有機金属
ＣＶＤ）法等の他の高配向性膜を得る方法に比して、低
コストで、大面積の３元系化合物膜を製造することがで
きる。According to the present invention, a large area ternary compound film can be produced at a low cost as compared with, for example, a method of obtaining a highly oriented film such as MOCVD (Metal Organic CVD). .
【００１２】なお、１Ｂ，３Ｂ，６Ｂ族とは、元素周期
律表における亜族方式による族番号表示である。１Ｂ族
に属する元素としては、Ｃｕ，Ａｇを使用可能である。
３Ｂ族に属する元素としては、Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎを使用
可能である。更に、６Ｂ族に属する元素としては、Ｓ，
Ｓｅ，Ｔｅを使用可能である。The groups 1B, 3B and 6B are group numbers represented by a subgroup system in the periodic table of the elements. Cu and Ag can be used as the elements belonging to the 1B group.
As the element belonging to the 3B group, Al, Ga, In can be used. Further, as elements belonging to the 6B group, S,
Se and Te can be used.
【００１３】そして、原料の１Ｂ−６Ｂ族２元化合物を
原子数比で表すと、（１Ｂ）2（６Ｂ）となる。また、
３Ｂ−６Ｂ族２元化合物を原子数比で表すと、（３Ｂ）
2（６Ｂ）3となる。更に、製造される１Ｂ−３Ｂ−６Ｂ
族化合物は原子数比で（１Ｂ）（３Ｂ）（６Ｂ）2と表
される。When the raw material 1B-6B group binary compound is represented by the atomic number ratio, it becomes (1B) 2 (6B). Also,
A 3B-6B group binary compound is represented by an atomic ratio (3B).
2 (6B) 3 Furthermore, 1B-3B-6B manufactured
The group compound is represented by the atomic ratio (1B) (3B) (6B) 2 .
【００１４】また、カルコゲナイド化合物とは、周期律
表の６Ｂ族元素のうち、イオウ（Ｓ），セレン（Ｓ
ｅ）、テルル（Ｔｅ）の３元素の総称がカルコゲンであ
るため、これらの３元素の化合物をカルコゲナイド化合
物という。このカルコゲナイド化合物としては、Ｃｕ2
Ｓ，Ｃｕ2Ｓｅ，Ｉｎ2Ｓ3，Ｉｎ2Ｓｅ3を使用すること
が好ましい。例えば、銅の硫化物としては、Ｃｕ2Ｓの
他に、ＣｕＳ，Ｃｕ1.96Ｓ，Ｃｕ9Ｓ5，等も存在する
が、これらは融点が低く、最も融点が高く安定なＣｕ2
Ｓを使用することが好ましい。仮に、ＣｕＳを使用する
と、焼結過程で、種々のＣｕxＳ不純物が生じる可能性
がある。The chalcogenide compound means sulfur (S) or selenium (S) among the 6B group elements of the periodic table.
Since e) and tellurium (Te) are collectively called chalcogen, compounds of these three elements are called chalcogenide compounds. As this chalcogenide compound, Cu 2
It is preferable to use S, Cu 2 Se, In 2 S 3 , In 2 Se 3 . For example, copper sulfides include CuS, Cu 1.96 S, and Cu 9 S 5 in addition to Cu 2 S, but these have a low melting point and the highest melting point and stable Cu 2
Preference is given to using S. If CuS is used, various Cu x S impurities may be generated during the sintering process.
【００１５】[0015]
【実施例】以下、本発明の実施例について、具体的に説
明する。太陽電池の光吸収層として、１Ｂ−３Ｂ−６Ｂ
族化合物半導体、特に、ＣｕＩｎＳｅ2又はＣｕＩｎＳ2
等が有望である。そこで、一例として、本発明をＣｕＩ
ｎＳｅ2の製造に適用した実施例方法について説明す
る。EXAMPLES Examples of the present invention will be specifically described below. 1B-3B-6B as a light absorption layer for solar cells
Group compound semiconductors, in particular CuInSe 2 or CuInS 2
Etc. are promising. Therefore, as an example, the present invention is applied to CuI.
An example method applied to the manufacture of nSe 2 will be described.
【００１６】原料粉砕 先ず、原料として、Ｃｕ2Ｓｅ合金と、Ｉｎ2Ｓｅ3合金
の塊を使用し、これらの原料塊をめのう乳鉢で粉砕し、
粒径が約５μｍ以下、好ましくは約１乃至２μｍの粉末
を得る。これは原料粉末が微粒子の方が、後工程の焼結
工程での反応性が良いためである。 Crushing of Raw Materials First, lumps of Cu 2 Se alloy and In 2 Se 3 alloy are used as raw materials, and these raw material lumps are crushed in an agate mortar,
A powder with a particle size of less than about 5 μm, preferably about 1 to 2 μm is obtained. This is because the fine particles of the raw material powder have a better reactivity in the sintering process as a post process.
【００１７】混合 次に、これらの粉末を所定の割合で混合する。例えば、
ｐ型半導体を得る場合には、Ｃｕ2Ｓｅ合金と、Ｉｎ2Ｓ
ｅ3合金とを５２：４８の比率で混合する。一方、ｎ型
半導体を得る場合には、Ｃｕ2Ｓｅ合金と、Ｉｎ2Ｓｅ3
合金とを４８：５２の比率で混合する。ｐ型半導体の場
合の混合比率は、５０．１：４９．９〜５５：４５にす
るのが好ましく、ｎ型半導体の場合の混合比率は、４
５：５５〜４９．９：５０．１にするのが好ましい。 Mixing Next, these powders are mixed in a predetermined ratio. For example,
In order to obtain a p-type semiconductor, Cu 2 Se alloy and In 2 S
and e 3 alloys are mixed in a ratio of 52:48. On the other hand, when an n-type semiconductor is obtained, Cu 2 Se alloy and In 2 Se 3 are used.
The alloy is mixed with a ratio of 48:52. The mixing ratio in the case of a p-type semiconductor is preferably 50.1: 49.9 to 55:45, and the mixing ratio in the case of an n-type semiconductor is 4
It is preferably 5:55 to 49.9: 50.1.
【００１８】成形 その後、この混合粉末を円筒形プレスダイに装入し、約
６トンの荷重を印加してプレスし、直径が１０ｍｍ、厚
さが焼く１ｍｍのディスクを成形する。After the molding , the mixed powder is put into a cylindrical press die and pressed by applying a load of about 6 tons to form a disk having a diameter of 10 mm and a thickness of 1 mm.
【００１９】焼結 次いで、得られたディスクプレス品を石英管に真空封入
し、図１に示すパターンで熱処理し、プレス品を焼結す
る。図１に示すように、横軸は時間、縦軸は温度であ
り、この熱処理パターンは、最初の８時間は加熱過程
（）、その後の５０時間は９００℃の一定温度で加熱
することにより、固相成長が起きる期間（）、更にそ
の後は冷却期間（）である。このように、高温で長時
間加熱して焼結することにより、結晶配向度が高いＣｕ
ＩｎＳｅ2ディスクが得られる。 Sintering Next, the obtained disk pressed product is vacuum-sealed in a quartz tube and heat-treated in the pattern shown in FIG. 1 to sinter the pressed product. As shown in FIG. 1, the horizontal axis is time, and the vertical axis is temperature. This heat treatment pattern is obtained by heating at a constant temperature of 900 ° C. for the first 8 hours and for the subsequent 50 hours. It is a period () during which solid phase growth occurs, and then a cooling period (). As described above, Cu having a high degree of crystal orientation is obtained by heating and sintering at a high temperature for a long time.
An InSe 2 disc is obtained.
【００２０】粉砕 その後、焼結後のディスクを石英管から取り出し、再度
粉砕する。これにより得る粉末の粒径は５μｍ以上にす
ることが好ましい。この再粉砕工程においては、前段の
焼結工程で作成した高配向性のディスクの成長主面を伴
うへき開破壊をするので、後段の塗布工程及び焼結工程
で、配向性が劣化しない薄膜を得ることができる。 Crushing After that, the sintered disk is taken out from the quartz tube and crushed again. The particle size of the powder thus obtained is preferably 5 μm or more. In this re-grinding step, cleavage destruction accompanied by the growth main surface of the highly oriented disc prepared in the previous sintering step is performed, so that a thin film whose orientation does not deteriorate in the subsequent coating step and sintering step is obtained. be able to.
【００２１】ペースト作成 得られた粉末に例えばエチレングリコールを加えて混練
し、ＣｕＩｎＳｅ2の粉末を含むペーストを作成する。
エチレングリコールは粘度調整のために添加されるが、
この粘度調整のための有機物としては、エチレングリコ
ール及びプロピレングリコールのようなアルコール系の
ものが好ましい。また、この場合に、ＣｕＩｎＳｅ2粉
末に対して、ＣｕＣｌ2又はＩｎＣｌ3を２乃至２０重量
％添加してもよい。Preparation of paste For example, ethylene glycol is added to the obtained powder and kneaded to prepare a paste containing the powder of CuInSe 2 .
Ethylene glycol is added to adjust the viscosity,
As the organic substance for adjusting the viscosity, alcohol-based substances such as ethylene glycol and propylene glycol are preferable. Further, in this case, CuCl 2 or InCl 3 may be added in an amount of 2 to 20% by weight with respect to the CuInSe 2 powder.
【００２２】塗布 次いで、得られたペースト状のＣｕＩｎＳｅ2粉末を、
ガラス基板上にスクリーン印刷する。The coating was then pasty CuInSe 2 powder obtained,
Screen print on a glass substrate.
【００２３】例えば、上記工程でディスクを製造した場
合、ディスクはその主面に（１１２）面がそろい、ディ
スクを粉砕してもその割った表面には（１１２）面が出
る。そこで、これらのりん片状の結晶を基板上に塗布す
れば、その塗布表面には、多結晶よりも（１１２）面を
向いた結晶が多く配置される。従って、この塗膜とし
て、（１１２）面配向が強い多結晶薄膜が得られる。For example, when a disk is manufactured in the above process, the disk has a (112) surface aligned with its main surface, and even if the disk is crushed, the (112) surface appears on the divided surface. Therefore, when these scaly crystals are coated on the substrate, more crystals oriented toward the (112) plane are arranged on the coated surface than the polycrystals. Therefore, as this coating film, a polycrystalline thin film having a strong (112) plane orientation can be obtained.
【００２４】焼結 その後、窒素雰囲気中で、例えば、４００℃に１時間加
熱して焼結し、ＣｕＩｎＳｅ2薄膜を得る。基板上に塗
布されたＣｕＩｎＳｅ2粒子は前述の如く配向性を崩す
ことなく配列しているので、この焼結工程においては、
４００℃という比較的低温で焼結することができる。 Sintering After that, for example, by heating at 400 ° C. for 1 hour in a nitrogen atmosphere and sintering, a CuInSe 2 thin film is obtained. Since the CuInSe 2 particles coated on the substrate are arranged without breaking the orientation as described above, in this sintering step,
It can be sintered at a relatively low temperature of 400 ° C.
【００２５】実際に、上記方法でＣｕＩｎＳｅ2薄膜を
形成した結果、得られた薄膜の導電型は、混合粉末を焼
結して得られるバルク材の導電型と同一であった。ま
た、ｎ型の場合、４探針法により求めた抵抗率は５Ω・
ｃｍ、交流測定法により求めたキャリア密度は４×１０
16ｃｍ-3であった。そして、これらの測定値から求めた
移動度は、３１ｃｍ2・Ｖ-1・Ｓ-1であった。Actually, as a result of forming the CuInSe 2 thin film by the above method, the conductivity type of the thin film obtained was the same as the conductivity type of the bulk material obtained by sintering the mixed powder. In the case of n-type, the resistivity obtained by the 4-probe method is 5Ω ・
cm, carrier density obtained by AC measurement method is 4 × 10
It was 16 cm -3 . The mobility obtained from these measured values was 31 cm 2 · V −1 · S −1 .
【００２６】一方、ｐ型の場合には、同様にして求めた
抵抗率は４Ω・ｃｍ、キャリア密度は３．１×１０18ｃ
ｍ-3、移動度は０．５ｃｍ2・Ｖ-1・Ｓ-1であった。こ
れらの特性は、いずれもＣｕＩｎＳｅ2薄膜として極め
て優れたものである。On the other hand, in the case of p-type, similarly obtained resistivity is 4 Ω · cm and carrier density is 3.1 × 10 18 c.
m -3 , the mobility was 0.5 cm 2 · V -1 · S -1 . All of these characteristics are excellent as a CuInSe 2 thin film.
【００２７】なお、上記実施例は本願第１発明の実施例
である。一方、本願第２発明は、第１発明における混合
粉末を圧粉成形し、焼成した後粉砕する工程を省略した
ものである。この第２発明においては、上記実施例の原
料粉砕工程、混合工程の後に、成形工程、焼結工程及び
粉砕工程を省略して、直接混合粉末からペーストを作成
するペースト作成工程に移ればよい。但し、このペース
トを塗布する基板は、耐熱性を有するアルミナ（Ａｌ2
Ｏ3）基板等を使用することが好ましい。また、この塗
布工程の後の焼結工程においては、図１に示す熱処理パ
ターンに従って加熱する。即ち、上記実施例のように、
４００℃のような比較的低温ではなく、約９００℃の高
温に加熱する必要がある。また、焼結はペースト面に１
乃至２トンの圧力を印加した状態で行うことが好まし
い。これにより、高い配向性を得ることができる。The above embodiment is an embodiment of the first invention of the present application. On the other hand, the second invention of the present application omits the step of compacting the mixed powder in the first invention, firing and crushing. In the second invention, after the raw material crushing step and the mixing step of the above-described embodiment, the molding step, the sintering step and the crushing step may be omitted, and the paste creation step of directly creating a paste from the mixed powder may be performed. However, the substrate to which this paste is applied is heat-resistant alumina (Al 2
It is preferable to use an O 3 ) substrate or the like. Further, in the sintering step after this coating step, heating is performed according to the heat treatment pattern shown in FIG. That is, as in the above embodiment,
It is necessary to heat to a high temperature of about 900 ° C. rather than a relatively low temperature of 400 ° C. Also, the sintering is 1 on the paste surface.
It is preferable to carry out the treatment while applying a pressure of 2 tons. Thereby, high orientation can be obtained.
【００２８】上記各実施例によれば、原料粉末を混合
し、焼結するだけで、高配向性の単結晶と同等の電気的
性質を有する多結晶薄膜を得ることができるので、製造
が容易で、高品質の３元化合物薄膜を製造することがで
きる。According to each of the above-mentioned embodiments, a polycrystalline thin film having electrical properties equivalent to those of a highly oriented single crystal can be obtained simply by mixing the raw material powders and sintering, so that the production is easy. Thus, a high quality ternary compound thin film can be manufactured.
【００２９】なお、上記実施例は本発明をＣｕＩｎＳｅ
2化合物薄膜の製造に適用したものである。しかし、太
陽電池に使用できる（１Ｂ）（３Ｂ）（６Ｂ）2族化合
物としては、これに限らず、ＣｕＩｎＳ2もＣｕＩｎＳ
ｅ2と同様の優れた特性を有する。また、太陽電池に使
用できる可能性がある（１Ｂ）（３Ｂ）（６Ｂ）2族化
合物としては、そのほかに、ＣｕＡｌＳ2、ＣｕＡｌＳ
ｅ2，ＣｕＡｌＴｅ2，ＣｕＣａＳ2，ＣｕＣａＳｅ2，Ｃ
ｕＣａＴｅ2，ＣｕＩｎＴｅ2，ＡｇＡｌＳ2，ＡｇＡｌ
Ｓｅ2，ＡｇＡｌＴｅ2，ＡｇＣａＳ2，ＡｇＣａＳｅ2，
ＡｇＣａＴｅ2，ＡｇＩｎＳ2，ＡｇＩｎＳｅ2，ＡｇＩ
ｎＴｅ2がある。しかしながら、これらの（１Ｂ）（３
Ｂ）（６Ｂ）2族化合物の中で、キャリア移動度が高
く、太陽光スペクトルとの整合の関係から好ましい禁制
帯幅を有しているＣｕＩｎＳｅ2族化合物及びＣｕＩｎ
Ｓ2族化合物が太陽電池に使用される化合物半導体薄膜
として最も有望なものである。Incidentally, the above-mentioned embodiments apply the present invention to CuInSe.
2 Applied to the production of compound thin films. However, the (1B) (3B) (6B) 2 group compound that can be used for the solar cell is not limited to this, and CuInS 2 and CuInS are also included.
It has the same excellent properties as e 2 . In addition, as (1B) (3B) (6B) 2 group compounds that may be used for solar cells, CuAlS 2 , CuAlS
e 2 , CuAlTe 2 , CuCaS 2 , CuCaSe 2 , C
uCaTe 2 , CuInTe 2 , AgAlS 2 , AgAl
Se 2 , AgAlTe 2 , AgCaS 2 , AgCaSe 2 ,
AgCaTe 2 , AgInS 2 , AgInSe 2 , AgI
There is nTe 2 . However, these (1B) (3
B) Among the (6B) 2 group compounds, CuInSe 2 group compounds and CuIn which have high carrier mobility and have a preferable band gap in terms of matching with the sunlight spectrum.
S 2 group compounds are the most promising compound semiconductor thin films used in solar cells.
【００３０】[0030]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
出発原料として、良質なものを容易に入手でき、融点が
高い２元化合物である１Ｂ−６Ｂ族化合物と、３Ｂ−６
Ｂ族化合物とを使用し、その混合粉末を焼結することに
より、１Ｂ−３Ｂ−６Ｂ族化合物薄膜を製造するから、
高温で焼結することができるため、得られる１Ｂ−３Ｂ
−６Ｂ族化合物薄膜の結晶配向性を高めることができ
る。As described above, according to the present invention,
As a starting material, a good quality product can be easily obtained and a binary compound having a high melting point, that is, a 1B-6B group compound and 3B-6.
Since a group 1B-3B-6B group compound thin film is manufactured by using a group B compound and sintering the mixed powder,
1B-3B obtained because it can be sintered at high temperature
The crystal orientation of the -6B group compound thin film can be enhanced.
【図１】本発明の実施例における熱処理パターンを示す
グラフ図である。FIG. 1 is a graph showing a heat treatment pattern in an example of the present invention.
Claims (4)
６Ｂ族化合物粉末と、３Ｂ−６Ｂ族化合物粉末との混合
粉末を圧粉成形する工程と、この成形体を焼成して１−
３−６2族化合物を得る工程と、この焼成体を粉砕した
ものをペースト状にして基板上に塗布し、その後、焼結
する工程とを有することを特徴とする１Ｂ−３Ｂ−６Ｂ
族化合物薄膜の製造方法。1. A chalcogenide binary compound, 1B-
A step of compacting a mixed powder of a 6B group compound powder and a 3B-6B group compound powder;
1B-3B-6B, which comprises a step of obtaining a 3-6 group 2 compound and a step of applying a crushed product of the fired body to a substrate and then sintering the paste.
Method of manufacturing group compound thin film.
６Ｂ族化合物粉末と、３Ｂ−６Ｂ族化合物粉末との混合
粉末をペースト状にして基板上に塗布し、その後、焼結
することを特徴とする１Ｂ−３Ｂ−６Ｂ族化合物薄膜の
製造方法。2. A chalcogenide binary compound, 1B-
A method for producing a 1B-3B-6B group compound thin film, which comprises applying a mixed powder of a 6B group compound powder and a 3B-6B group compound powder in the form of a paste to a substrate and then sintering the mixture.
ｎＳｅ2又はＣｕＩｎＳ2であることを特徴とする請求項
１又は２に記載の１Ｂ−３Ｂ−６Ｂ族化合物薄膜の製造
方法。3. The 1B-3B-6B group compound is CuI.
1B-3B-6B compound method of manufacturing a thin film according to claim 1 or 2, characterized in that a nSe 2 or CuInS 2.
を印加することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか
１項に記載の１Ｂ−３Ｂ−６Ｂ族化合物薄膜の製造方
法。4. The method for producing a 1B-3B-6B group compound thin film according to claim 1, wherein a pressure is applied in a plate thickness direction after coating on the substrate. .
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6011248A JPH07215704A (en) | 1994-02-02 | 1994-02-02 | Production of ib-iiib-vib group compound thin film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6011248A JPH07215704A (en) | 1994-02-02 | 1994-02-02 | Production of ib-iiib-vib group compound thin film |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07215704A true JPH07215704A (en) | 1995-08-15 |
Family
ID=11772645
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6011248A Pending JPH07215704A (en) | 1994-02-02 | 1994-02-02 | Production of ib-iiib-vib group compound thin film |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07215704A (en) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007189128A (en) * | 2006-01-16 | 2007-07-26 | Sharp Corp | N-type semiconductor, semiconductor junction element, pn-junction element, and photoelectric conversion device |
| JP2009507369A (en) * | 2005-09-06 | 2009-02-19 | エルジー・ケム・リミテッド | Manufacturing method of solar cell absorption layer |
| WO2010087484A1 (en) * | 2009-02-02 | 2010-08-05 | 学校法人龍谷大学 | Process for producing compound semiconductor thin film, solar cell, and coating agent for use in production of compound semiconductor thin film |
| WO2011045989A1 (en) * | 2009-10-12 | 2011-04-21 | 学校法人龍谷大学 | Method for producing compound semiconductor thin film, solar cell, and device for producing compound semiconductor thin film |
| US8093684B2 (en) | 2006-01-16 | 2012-01-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Iron sulfide semiconductor doped with Mg or Zn, junction devices and photoelectric converter comprising same |
| JP2015193513A (en) * | 2014-03-31 | 2015-11-05 | 旭化成株式会社 | Crystal growth promoter and method of producing metallic chalcogenide compound using the same |
| JP2016044217A (en) * | 2014-08-21 | 2016-04-04 | 東京応化工業株式会社 | Application liquid, light-absorbing layer for solar cell and solar cell, and production method thereof |
-
1994
- 1994-02-02 JP JP6011248A patent/JPH07215704A/en active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009507369A (en) * | 2005-09-06 | 2009-02-19 | エルジー・ケム・リミテッド | Manufacturing method of solar cell absorption layer |
| JP2007189128A (en) * | 2006-01-16 | 2007-07-26 | Sharp Corp | N-type semiconductor, semiconductor junction element, pn-junction element, and photoelectric conversion device |
| US8093684B2 (en) | 2006-01-16 | 2012-01-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Iron sulfide semiconductor doped with Mg or Zn, junction devices and photoelectric converter comprising same |
| WO2010087484A1 (en) * | 2009-02-02 | 2010-08-05 | 学校法人龍谷大学 | Process for producing compound semiconductor thin film, solar cell, and coating agent for use in production of compound semiconductor thin film |
| WO2011045989A1 (en) * | 2009-10-12 | 2011-04-21 | 学校法人龍谷大学 | Method for producing compound semiconductor thin film, solar cell, and device for producing compound semiconductor thin film |
| JP2015193513A (en) * | 2014-03-31 | 2015-11-05 | 旭化成株式会社 | Crystal growth promoter and method of producing metallic chalcogenide compound using the same |
| JP2016044217A (en) * | 2014-08-21 | 2016-04-04 | 東京応化工業株式会社 | Application liquid, light-absorbing layer for solar cell and solar cell, and production method thereof |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4940604A (en) | Method for production of copper indium diselenide | |
| US5318743A (en) | Processes for producing a thermoelectric material and a thermoelectric element | |
| CN102203954A (en) | Chalcogenide alloy sputter targets for photovoltaic applications and methods of manufacturing the same | |
| EP1672709B1 (en) | Conductive paste for connecting thermoelectric conversion material | |
| EP0369340A1 (en) | Thermoelectric material and process for production thereof | |
| CN107445621B (en) | Cu-Te nanocrystalline/Cu2SnSe3Thermoelectric composite material and preparation method thereof | |
| CN108238796A (en) | Copper seleno solid solution thermoelectric material and preparation method thereof | |
| US20030168094A1 (en) | Thermoelectric material and process for manufacturing the same | |
| Ibrahim et al. | Electrical and thermoelectric properties of PbSe doped with Sm | |
| JPH07215704A (en) | Production of ib-iiib-vib group compound thin film | |
| US20040217333A1 (en) | N-type thermoelectric material and method of preparing thereof | |
| JPH0789719A (en) | Production of copper indium sulfide or selenide | |
| JP3091599B2 (en) | Method for producing chalcopyrite type compound | |
| EP3575452B1 (en) | Chalcogen compound, method for preparing same, and thermoelectric element comprising the compound | |
| CN109415208B (en) | Chalcogen-containing compound, method for producing the same, and thermoelectric element comprising the same | |
| JPS63285974A (en) | Formation of cuinse2 thin film | |
| CN109275341B (en) | Compound semiconductor and use thereof | |
| JP3523600B2 (en) | Thermoelectric element manufacturing method | |
| JP2003243733A (en) | METHOD FOR MANUFACTURING p-TYPE THERMOELECTRIC CONVERSION MATERIAL | |
| Rao et al. | Characterization of Cu0. 5Ag0. 5InSe2 thin films | |
| JPH01160060A (en) | Manufacture of indium copper diselenide | |
| Yamamoto et al. | Solid State Growth of CuInSe2 and CuInTe2 | |
| EP3416204B1 (en) | Novel compound semiconductor and use thereof | |
| JPH06169110A (en) | Manufacture of thermoelectric conversion material | |
| US11127891B2 (en) | Compound semiconductor and use thereof |