JPH07193432A - 電圧生成回路 - Google Patents

電圧生成回路

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JPH07193432A
JPH07193432A JP5330083A JP33008393A JPH07193432A JP H07193432 A JPH07193432 A JP H07193432A JP 5330083 A JP5330083 A JP 5330083A JP 33008393 A JP33008393 A JP 33008393A JP H07193432 A JPH07193432 A JP H07193432A
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JP
Japan
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transistor
base
resistor
collector
output signal
Prior art date
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Withdrawn
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JP5330083A
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English (en)
Inventor
Kouki Aoki
考樹 青木
Shinji Saito
伸二 斎藤
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Fujitsu VLSI Ltd
Fujitsu Ltd
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Fujitsu VLSI Ltd
Fujitsu Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】本発明は温度特性の調整が容易な電圧生成回路
を提供することを目的とする。 【構成】一対のトランジスタTr14 , Tr15 のエミッタ
が抵抗R15を介して接続されるとともに電源GNDに
接続され、トランジスタTr14 のコレクタが電源Vccに
接続され、第二のトランジスタTr15 のコレクタが抵抗
R13を介して電源Vccに接続されて差動増幅回路が構
成される。第一のトランジスタTr14 のベースには、温
度特性を備えた第一のベース電圧V1を出力する第一の
ベース電圧生成回路5が接続され、第二のトランジスタ
Tr15 のベースには、温度特性を持たない第二のベース
電圧V2を出力する第二のベース電圧生成回路6が接続
され、第二のトランジスタTr15 のコレクタに接続され
た出力端子To から出力信号Vout が出力される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、出力電位の温度特性
を調整可能とした電圧生成回路に関するものである。
【0002】近年、半導体集積回路の温度特性を安定化
させることが益々要請されている。そこで、このような
半導体集積回路で内部回路に基準電圧を供給する基準電
圧生成回路では、内部回路の温度特性を補正するような
基準電圧を供給することが必要となっている。
【0003】
【従来の技術】温度特性を調整可能とした従来の基準電
圧生成回路を図15に従って説明する。NPNトランジ
スタTr1〜Tr3のベースは抵抗R1を介して電源Vccに
接続され、抵抗R2を介してNPNトランジスタTr4の
コレクタに接続されている。
【0004】前記トランジスタTr4のエミッタはグラン
ドGNDに接続され、ベースはNPNトランジスタTr5
のコレクタに接続されるとともに、抵抗R3を介してグ
ランドGNDに接続されている。
【0005】前記トランジスタTr1のコレクタは電源V
ccに接続されるとともに、エミッタは補正回路1aを介
して前記トランジスタTr5のコレクタに接続されてい
る。また、前記トランジスタTr5のエミッタは抵抗R4
を介してグランドGNDに接続されている。
【0006】前記トランジスタTr2のコレクタは電源V
ccに接続され、エミッタは補正回路1bを介してNPN
トランジスタTr6のコレクタ及びベースに接続され、か
つ抵抗R5を介して前記トランジスタTr5のベースに接
続されている。
【0007】前記トランジスタTr3のコレクタは出力端
子To に接続されるとともに、抵抗R6を介して電源V
ccに接続されている。前記トランジスタTr3のエミッタ
は、補正回路1cを介してNPNトランジスタTr7のコ
レクタ及びベースに接続され、同トランジスタTr7のエ
ミッタは抵抗R7を介してグランドGNDに接続されて
いる。
【0008】前記補正回路1a〜1cは抵抗、ダイオー
ド、あるいは抵抗とダイオードとの直列回路で構成され
る。このように構成された基準電圧生成回路では、電源
Vccが供給されると、トランジスタTr1〜Tr3にベース
電流が供給されて、同トランジスタTr1〜Tr3がオンさ
れる。
【0009】トランジスタTr1のオン動作に基づいて、
トランジスタTr4がオンされる。また、トランジスタT
r2のオン動作に基づいて、トランジスタTr5,Tr6がオ
ンされ、同トランジスタTr5のオン動作に基づいて、ト
ランジスタTr4のベース電位が設定される。
【0010】従って、トランジスタTr4のベース電位が
定電位に設定され、そのトランジスタTr4のコレクタ電
流に基づいて、トランジスタTr1〜Tr3のベース電位が
一定に設定され、そのベース電位に基づいてトランジス
タTr3がオンされて、出力端子To から一定の出力電圧
Vout が基準電圧として出力される。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】上記のような基準電圧
生成回路は、例えば図16に示すように、周囲温度Ta
の上昇にともなって出力電圧Vout の電圧レベルが上昇
するような温度特性を有する。
【0012】この基準電圧生成回路の温度特性は、内部
回路の温度特性を補正するように設定することが望まし
い。ところが、上記基準電圧生成回路では、補正回路1
a〜1cの素子を適宜に調整することにより、出力電圧
Vout の電圧変化の傾きを調整することはできるが、そ
の傾きを途中で変化させるような変曲点を設定すること
はできない。
【0013】従って、出力電圧Vout の電圧変化に前記
変曲点を有する基準電圧生成回路を設計することは困難
であった。この発明の目的は、温度特性の調整が容易な
電圧生成回路を提供することにある。
【0014】
【課題を解決するための手段】図1は本発明の原理説明
図である。すなわち、一対の第一及び第二のバイポーラ
トランジスタTr14 , Tr15 のエミッタが抵抗R15を
介して接続されるとともに第一の電源GNDに接続さ
れ、前記第一のトランジスタTr14 のコレクタが第二の
電源Vccに接続され、前記第二のトランジスタTr15 の
コレクタが抵抗R13を介して第二の電源Vccに接続さ
れて差動増幅回路が構成される。前記第一のトランジス
タTr14 のベースには、温度特性を備えた第一のベース
電圧V1を出力する第一のベース電圧生成回路5が接続
され、前記第二のトランジスタTr15 のベースには、温
度特性を持たない第二のベース電圧V2を出力する第二
のベース電圧生成回路6が接続され、前記第二のトラン
ジスタTr15 のコレクタに接続された出力端子To から
出力信号Vout が出力される。
【0015】また、図2に示すように前記第二のベース
電圧生成回路は第二の電源Vccと第一の電源GNDとの
間に直列に接続される複数の抵抗R16,R17で構成
され、前記抵抗R16,R17及び前記抵抗R15は外
付け素子で構成される。
【0016】また、図6に示すように前記抵抗R15の
抵抗値及び前記第二のベース電圧V2が異なる複数の差
動増幅回路が出力端子To に並列に接続される。
【0017】
【作用】温度特性を備えた第一のベース電圧V1と、温
度特性を持たない第二のベース電圧V2を差動増幅回路
を構成する第一及び第二のバイポーラトランジスタTr1
4 , Tr15 に供給することにより、周囲温度の変化に基
づいて出力信号Vout の電圧変化に変曲点が生ずる。
【0018】また、周囲温度の変化による出力信号Vou
t の電圧変化の傾きは抵抗R15の抵抗値を調整するこ
とにより調整可能であり、変曲点に対応する周囲温度
は、第二のベース電圧V2を調整することにより調整可
能である。
【0019】そして、前記抵抗R15と、第二のベース
電圧生成回路を構成する抵抗R16,R17を外付け素
子とすれば、その抵抗値の調整は容易である。また、前
記抵抗R15の抵抗値及び前記第二のベース電圧V2が
異なる複数の差動増幅回路を並列に接続すれば、変曲点
の数を増加させて、出力信号Vout の温度特性を細かく
調整することが可能となる。
【0020】
【実施例】図2は本発明を具体化した基準電圧生成回路
の第一の実施例を示す。NPNトランジスタTr11 のコ
レクタ及びベースは抵抗R11を介して電源Vccに接続
される。
【0021】前記トランジスタTr11 のエミッタはNP
NトランジスタTr12 のコレクタ及びベースに接続さ
れ、同トランジスタTr12 のエミッタはNPNトランジ
スタTr13 のコレクタ及びベースに接続されている。ま
た、前記トランジスタTr13 のエミッタはグランドGN
Dに接続されている。
【0022】従って、前記各トランジスタTr11 〜Tr1
3 は、そのコレクタとベースとが接続されているので、
それぞれダイオードとして動作する。前記トランジスタ
Tr11 のコレクタはNPNトランジスタTr14 のベース
に接続され、同トランジスタTr14 のコレクタは電源V
ccに接続されている。前記トランジスタTr14 のエミッ
タは抵抗R12を介してグランドGNDに接続されてい
る。
【0023】NPNトランジスタTr15 のコレクタは、
出力端子To に接続されるとともに、抵抗R13を介し
て電源Vccに接続され、エミッタは抵抗R14を介して
グランドGNDに接続されている。
【0024】前記トランジスタTr14 ,Tr15 のエミッ
タは抵抗R15を介して互いに接続されている。従っ
て、前記トランジスタTr14 ,Tr15 により差動増幅回
路が構成される。
【0025】前記トランジスタTr15 のベースは、抵抗
R16を介して電源Vccに接続され、抵抗R17を介し
てグランドGNDに接続されている。このように構成さ
れた基準電圧生成回路では、トランジスタTr14 のベー
スに入力される電位V1はトランジスタTr11 〜Tr13
のベース・エミッタ間電圧降下により設定され、この電
位V1は図3に示すように周囲温度Taが上昇するにつ
れて低下する負の温度特性を有する。
【0026】トランジスタTr15 のベースに入力される
電位V2は、抵抗R16と抵抗R17の抵抗値の比によ
って設定されるため、周囲温度Taの変化に関わらず、
一定となる。
【0027】このような電位V1,V2に基づいて出力
端子To から出力される出力信号Vout は、図3に示す
特性となる。すなわち、抵抗R16と抵抗R17の抵抗
値を同一として電位V2を電源VccとグランドGNDと
の中間レベルに設定すると、電位V1と電位V2とは周
囲温度T1で同一レベルとなり、このとき、出力信号V
out の電圧レベルは電位V1,V2と同レベルとなる。
【0028】周囲温度Taが前記T1より上昇すると、
電位V1の低下にともなって出力信号Vout の電圧レベ
ルが低下する。このときの出力信号Vout の傾きは抵抗
R15により設定され、抵抗R15の抵抗値を小さくす
ると、その傾きが急峻となる。そして、トランジスタT
r15 が飽和して出力信号Vout がVoLレベルとなると、
周囲温度Taがそれ以上に上昇しても、出力信号Vout
はVoLレベルで一定となる。
【0029】また、周囲温度Taが前記T1より低下す
ると、電位V1の上昇にともなって出力信号Vout の電
圧レベルが上昇する。そして、トランジスタTr14 が飽
和して出力信号Vout がVoHレベルとなると、周囲温度
Taがそれ以上に低下しても、出力信号Vout はVoHレ
ベルで一定となる。
【0030】従って、周囲温度Ta の変化にともなっ
て、変曲点D1,D2を有する出力信号Vout が出力さ
れ、このような出力信号Vout を、周囲温度Ta の変化
によって変曲点を有する温度特性を備えた基準電圧とし
て使用することができる。
【0031】また、抵抗R16と抵抗R17の抵抗値を
変更して、電位V2を引き上げると、図4に示すように
前記周囲温度T1より低い周囲温度T2で電位V1と電
位V2とが一致する状態となる。
【0032】この結果、図3に示す出力信号Vout より
低い周囲温度Taで変曲点D3,D4を有する出力信号
Vout が出力される。また、抵抗R16と抵抗R17の
抵抗値を変更して、電位V2を引き下げると、図5に示
すように前記周囲温度T1より高い周囲温度T3で電位
V1と電位V2とが一致する状態となる。
【0033】この結果、図3に示す出力信号Vout より
高い周囲温度Taで変曲点D5,D6を有する出力信号
Vout が出力される。また、抵抗R16,R17を外付
け素子として、その抵抗値を適宜に調整可能とすれば、
図3〜図5に示す特性を任意に選択することが可能とな
る。また、抵抗R15を外付け素子として、その抵抗値
を適宜に調整可能とすれば、出力信号Vout の傾きを調
整することができる。
【0034】次に、この発明を具体化した第二の実施例
を図6〜図14に従って説明する。図6に示すように、
この実施例は前記第一の実施例と同一の第一の差動回路
1に対し、第二及び第三の差動回路2,3を並列に接続
した構成である。
【0035】第二の差動回路2の構成を説明すると、電
位V1はNPNトランジスタTr16のベースに入力さ
れ、同トランジスタTr16 のコレクタは電源Vccに接続
されている。前記トランジスタTr16 のエミッタは抵抗
R18を介してグランドGNDに接続されている。
【0036】NPNトランジスタTr17 のコレクタは、
出力端子To に接続されるとともに、前記抵抗R13を
介して電源Vccに接続され、エミッタは抵抗R19を介
してグランドGNDに接続されている。
【0037】前記トランジスタTr16 ,Tr17 のエミッ
タは抵抗R20を介して互いに接続されている。この抵
抗R20は第一の差動回路1の抵抗R15と同一抵抗値
に設定される。
【0038】前記トランジスタTr17 のベースは、抵抗
R21を介して電源Vccに接続され、抵抗R22を介し
てグランドGNDに接続されている。従って、トランジ
スタTr17 のベース電位V3は抵抗R21,R22によ
り設定され、前記電位V2より低いレベルに設定されて
いる。
【0039】第三の差動回路3の構成を説明すると、電
位V1はNPNトランジスタTr18のベースに入力さ
れ、同トランジスタTr18 のコレクタは電源Vccに接続
されている。前記トランジスタTr18 のエミッタは抵抗
R23を介してグランドGNDに接続されている。
【0040】NPNトランジスタTr19 のコレクタは、
出力端子To に接続されるとともに、前記抵抗R13を
介して電源Vccに接続され、エミッタは抵抗R24を介
してグランドGNDに接続されている。
【0041】前記トランジスタTr18 ,Tr19 のエミッ
タは抵抗R25を介して互いに接続されている。この抵
抗R25は第一の差動回路1の抵抗R15より大きい抵
抗値に設定される。
【0042】前記トランジスタTr19 のベースは、抵抗
R26を介して電源Vccに接続され、抵抗R27を介し
てグランドGNDに接続されている。従って、トランジ
スタTr19 のベース電位V4は抵抗R26,R27によ
り設定され、前記電位V2と同一レベルに設定されてい
る。
【0043】このように構成された基準電圧生成回路の
動作を説明する。図7に示すように、第一の差動回路1
の電位V1,V2と、同第一の差動回路1を単独で動作
させた場合の出力信号Vout1は、図3に示す第一の実施
例の温度特性と同一である。
【0044】そして、周囲温度Taが低下して、出力信
号Vout1が電位VoHに達したときの周囲温度をT4とす
ると、図8に示すようにトランジスタTr15 に流れるコ
レクタ電流I1は、周囲温度TaがT4を越えると徐々
に増加し、出力信号Vout1が電位VoLに達したとき、周
囲温度Taの上昇に関わらず一定となる。
【0045】図9に示すように、第二の差動回路2に供
給される電位V1,V3及び同第二の差動回路2を単独
で動作させた場合の出力信号Vout2は、図5に示す第一
の実施例の温度特性と同一である。
【0046】そして、周囲温度Taが低下して、出力信
号Vout2が電位VoHに達したときの周囲温度をT5とす
ると、トランジスタTr17 に流れるコレクタ電流I2
は、図10に示すように周囲温度TaがT5を越えると
徐々に増加し、出力信号Vout2が電位VoLに達したと
き、周囲温度Taの上昇に関わらず一定となる。なお、
周囲温度T5は前記周囲温度T4より高い温度に設定さ
れる。
【0047】図11に示すように、第三の差動回路3に
供給される電位V1,V4は、第一の差動回路1に供給
される電位V1,V2と同一の温度特性を有する。周囲
温度Taが低下して、第三の差動回路3を単独で動作さ
せた場合の出力信号Vout3が電位VoHに達したときの周
囲温度をT6とすると、トランジスタTr19 に流れるコ
レクタ電流I3は、図12に示すように周囲温度Taが
T6を越えると徐々に増加し、出力信号Vout3が電位V
oLに達したとき、周囲温度Taの上昇に関わらず一定と
なる。なお、周囲温度T6は前記周囲温度T4より低い
値に設定される。
【0048】このような第一〜第三の差動回路1,2,
3が図6に示す状態で同時に動作したとき、抵抗R13
に流れる電流IsはトランジスタTr15 ,Tr17 ,Tr1
9 のコレクタ電流の総和となり、図14に示す特性とな
る。
【0049】すなわち、電流Isは周囲温度Taが上昇
して周囲温度T6を越えると、図12に示す電流I3の
傾きで増加する。次いで、周囲温度T4を越えると、さ
らに図8に示す電流I1の傾きを加えた傾きで増加す
る。次いで、周囲温度T5を越えると、さらに図10に
示す電流I2の傾きを加えた傾きで増加する。
【0050】この結果、出力信号Vout の電圧レベル
は、図14に示すように周囲温度Taが上昇して周囲温
度T6を越えると、図11に示す出力信号Vout3の傾き
で低下する。次いで、周囲温度T4を越えると、さらに
図7に示す出力信号Vout1の傾きを加えた傾きで低下す
る。次いで、周囲温度T5を越えると、さらに図9に示
す出力信号Vout2の傾きを加えた傾きで低下する。
【0051】従って、この基準電圧生成回路では、周囲
温度Taの変化により3つの変曲点D7〜D9で出力信
号Vout の傾きを徐々に変化させることができるので、
この出力信号Vout が基準電圧として入力される内部回
路の温度特性に適合した傾きを備えた基準電圧を容易に
生成することができる。
【0052】また、抵抗R15〜R17、抵抗R20〜
R22、抵抗R25〜R27を外付け素子として、その
抵抗値を任意に調整可能とすれば、前記変曲点及び各変
曲点間の傾きを調整することも容易である。
【0053】
【発明の効果】以上詳述したように、この発明は温度特
性の調整が容易な電圧生成回路を提供することができる
優れた効果を発揮する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の原理説明図である。
【図2】第一の実施例を示す回路図である。
【図3】第一の実施例の動作を示す波形図である。
【図4】第一の実施例で電位V2を変更した場合の動作
を示す波形図である。
【図5】第一の実施例で電位V2を変更した場合の動作
を示す波形図である。
【図6】第二の実施例を示す回路図である。
【図7】第二の実施例の第一の差動回路の動作を示す電
圧波形図である。
【図8】第二の実施例の第一の差動回路の動作を示す電
流波形図である。
【図9】第二の実施例の第二の差動回路の動作を示す電
圧波形図である。
【図10】第二の実施例の第二の差動回路の動作を示す
電流波形図である。
【図11】第二の実施例の第三の差動回路の動作を示す
電圧波形図である。
【図12】第二の実施例の第三の差動回路の動作を示す
電流波形図である。
【図13】第二の実施例の動作を示す出力電流波形図で
ある。
【図14】第二の実施例の動作を示す出力電圧波形図で
ある。
【図15】従来例を示す回路図である。
【図16】従来例の出力信号の温度特性図である。
【符号の説明】
5 第一のベース電圧生成回路 6 第二のベース電圧生成回路 Tr14 第一のバイポーラトランジスタ Tr15 第二のバイポーラトランジスタ R13,R15 抵抗 GND 第一の電源 Vcc 第二の電源 V1 第一のベース電圧 V2 第二のベース電圧 To 出力端子 Vout 出力信号

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 一対の第一及び第二のバイポーラトラン
    ジスタ(Tr14 , Tr15 )のエミッタを抵抗(R15)
    を介して接続するとともに第一の電源(GND)に接続
    し、前記第一のトランジスタ(Tr14 )のコレクタを第
    二の電源(Vcc)に接続し、前記第二のトランジスタ
    (Tr15 )のコレクタを抵抗(R13)を介して第二の
    電源(Vcc)に接続して差動増幅回路を構成し、前記第
    一のトランジスタ(Tr14 )のベースには、温度特性を
    備えた第一のベース電圧(V1)を出力する第一のベー
    ス電圧生成回路(5)を接続し、前記第二のトランジス
    タ(Tr15 )のベースには、温度特性を持たない第二の
    ベース電圧(V2)を出力する第二のベース電圧生成回
    路(6)を接続し、前記第二のトランジスタ(Tr15 )
    のコレクタに接続した出力端子(To )から出力信号
    (Vout )を出力することを特徴とする電圧生成回路。
  2. 【請求項2】 前記第二のベース電圧生成回路は第二の
    電源(Vcc)と第一の電源(GND)との間に直列に接
    続される複数の抵抗(R16,R17)で構成し、前記
    抵抗(R16,R17)及び前記抵抗(R15)を外付
    け素子としたことを特徴とする請求項1記載の電圧生成
    回路。
  3. 【請求項3】 前記抵抗(R15)の抵抗値及び前記第
    二のベース電圧(V2)が異なる複数の差動増幅回路を
    前記出力端子(To )に並列に接続したことを特徴とす
    る請求項1記載の電圧生成回路。
JP5330083A 1993-12-27 1993-12-27 電圧生成回路 Withdrawn JPH07193432A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0887184A2 (en) 1997-06-26 1998-12-30 Canon Kabushiki Kaisha Ink-jet printing method and apparatus for performing printing by employing ink and processing liquid making ink insoluble
JP2012161090A (ja) * 2006-09-25 2012-08-23 Fujitsu Semiconductor Ltd 温度特性補正回路

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