JPH0719149Y2 - Double fork horizontal carrier - Google Patents

Double fork horizontal carrier

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JPH0719149Y2
JPH0719149Y2 JP4224789U JP4224789U JPH0719149Y2 JP H0719149 Y2 JPH0719149 Y2 JP H0719149Y2 JP 4224789 U JP4224789 U JP 4224789U JP 4224789 U JP4224789 U JP 4224789U JP H0719149 Y2 JPH0719149 Y2 JP H0719149Y2
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wafer
susceptor
pedestal
chamber
wafer mounting
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JP4224789U
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正敏 小野田
潤一 立道
清 久保田
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Nissin Electric Co Ltd
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Nissin Electric Co Ltd
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Description

【考案の詳細な説明】 (ア)技術分野 この考案は、サセプタの上にウエハを水平に置き、気相
成長、エツチング、スパツタリング、蒸着などを行なう
装置における、ウエハの搬送装置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (a) Technical Field The present invention relates to a wafer transfer device in a device in which a wafer is horizontally placed on a susceptor and vapor deposition, etching, sputtering, vapor deposition, and the like are performed.

(イ)従来技術 第4図により、気相成長装置とその搬送装置とを説明す
る。
(B) Prior Art A vapor phase growth apparatus and its carrying apparatus will be described with reference to FIG.

成長室1の中には、サセプタ4に戴置されたウエハ6が
ある。成長室1の下方は、試料交換室7となつている。
試料交換室7の側方にロードロツク室3があり、両者の
間にはゲートバルブ2が開閉自在に設けられる。
Inside the growth chamber 1, there is a wafer 6 mounted on a susceptor 4. Below the growth chamber 1 is a sample exchange chamber 7.
A load lock chamber 3 is provided on the side of the sample exchange chamber 7, and a gate valve 2 is provided between the two to open and close freely.

成長室1の周囲には、サセプタ4、ウエハ6を加熱する
ための高周波コイル8が設置される。
A high frequency coil 8 for heating the susceptor 4 and the wafer 6 is installed around the growth chamber 1.

原料ガスは、成長室1の上頂部の原料ガス導入口9から
導入される。これが加熱されたウエハ6の近傍で気相反
応を起こす。そして、ウエハ6の上に薄膜が形成されて
ゆく。
The source gas is introduced from the source gas inlet 9 at the top of the growth chamber 1. This causes a gas phase reaction in the vicinity of the heated wafer 6. Then, a thin film is formed on the wafer 6.

原料ガスは、薄膜形成に直接使われるガスと、キヤリヤ
ガスとよりなる。
The raw material gas is composed of a gas used directly for forming a thin film and a carrier gas.

排ガスはガス排出口10から排出される。ガス排出口10の
先には真空排気装置21があり、ガスを吸引している。
The exhaust gas is discharged from the gas outlet 10. A vacuum exhaust device 21 is provided at the tip of the gas outlet 10 to suck gas.

サセプタ4は、鉛直の回転軸20によつて、回転、昇降自
在に支持されている。
The susceptor 4 is supported by a vertical rotation shaft 20 so as to be rotatable and vertically movable.

気相成長時に、サセプタ4は上方にあり、ゲートバルブ
2は閉じている。
During vapor phase growth, the susceptor 4 is above and the gate valve 2 is closed.

気相成長が終了すると、ウエハを交換しなければならな
い。成長室1を開いてしまうと、成長室1の内部が大気
にさらされ汚染の原因になるし、再び真空に引くのに時
間がかかる。
When the vapor phase growth is completed, the wafer has to be replaced. If the growth chamber 1 is opened, the inside of the growth chamber 1 will be exposed to the atmosphere, causing pollution, and it will take time to evacuate again.

そこで、成長室1の下方を試料交換室7とし、ゲートバ
ルブ2を介してロードロツク室3と連結しているのであ
る。
Therefore, the sample exchange chamber 7 is located below the growth chamber 1 and is connected to the load lock chamber 3 via the gate valve 2.

ロードロツク室3も真空排気装置22によつて真空に引く
ことができる。
The load lock chamber 3 can also be evacuated by the vacuum exhaust device 22.

ロードロツク室3の方から、試料交換室7へ進入できる
ように、フオーク搬送装置5が水平に設けられる。フオ
ーク搬送装置は横方向に動くので横型という。
A fork transport device 5 is horizontally provided so that the load lock chamber 3 can enter the sample exchange chamber 7. The fork carrier is called horizontal because it moves laterally.

従来例にかかるフオーク搬送装置5の斜視図を第5図に
示す。
FIG. 5 shows a perspective view of the fork carrier device 5 according to the conventional example.

これは、水平方向に長い支持棒11と、支持棒11の前端に
固着された結合板14と、結合板14のさらに前方に形成さ
れた受け台12とよりなつている。
This is composed of a support rod 11 which is long in the horizontal direction, a connecting plate 14 fixed to the front end of the supporting rod 11, and a pedestal 12 formed further forward of the connecting plate 14.

受け台12には、中央にサセプタ4を通すためのサセプタ
通し穴13が開口している。サセプタ通し穴13の前方も切
り欠かれているが、ウエハが落ちないように開口部17が
より狭くなつている。狭くなつた抜け止め15のためウエ
ハが前方に落ちない。
A susceptor through hole 13 for passing the susceptor 4 is opened at the center of the pedestal 12. The front of the susceptor through hole 13 is also cut out, but the opening 17 is narrower so that the wafer does not fall. The narrow stopper 15 prevents the wafer from falling forward.

前方の開口部はサセプタ下方の回転軸を通すものである
から、開口部の間隔は、回転軸の直径より広い。
Since the front opening passes through the rotation shaft below the susceptor, the distance between the openings is wider than the diameter of the rotation shaft.

受け台12の上面には、ウエハ段部16が形成され、ウエハ
の側周がウエハ段部16によつて支持されるようになつて
いる。
A wafer step portion 16 is formed on the upper surface of the pedestal 12, and the side circumference of the wafer is supported by the wafer step portion 16.

ウエハ交換の手順を説明する。The procedure of wafer exchange will be described.

(i)ロードロツク室を真空に引いておき、フオーク搬
送装置の受け台12を空にして待機させる。
(I) The load lock chamber is evacuated, and the cradle 12 of the fork carrier is emptied to stand by.

(ii)回転軸20を下降させる。ゲートバルブ2を開く。(Ii) The rotating shaft 20 is lowered. Open the gate valve 2.

(iii)フオーク搬送装置の支持棒11を前進させる。開
口部17が回転軸20を通り、サセプタ通し穴とサセプタと
が上下で一致するようにする。
(Iii) Advance the support rod 11 of the fork carrier. The opening 17 passes through the rotary shaft 20 so that the susceptor through hole and the susceptor are vertically aligned.

(iv)回転軸をさらに下降させる。サセプタが下降し、
ウエハが受け台12に戴る。これが第6図に示した状態で
ある。
(Iv) The rotary shaft is further lowered. The susceptor descends,
The wafer is placed on the pedestal 12. This is the state shown in FIG.

(V)フオーク搬送装置を後退させて、ロードロツク室
へ戻す。ゲートバルブ2を閉じる。
(V) The fork carrier is retracted and returned to the load lock chamber. Close the gate valve 2.

(VI)ロードロツク室を開く。処理済みウエハを受け台
12から取り出す。
(VI) Open the road lock room. Pedestal for processed wafers
Take out from 12.

以上がウエハの取出し過程である。次に未処理ウエハを
サセプタに戴置する装入過程がある。
The above is the process of taking out the wafer. Next, there is a loading process of placing the unprocessed wafer on the susceptor.

(vii)未処理ウエハを受け台12に置く。(Vii) Place the unprocessed wafer on the pedestal 12.

ロードロツク室3を閉じる。ここを真空に引く。Close the road lock room 3. Vacuum here.

(viii)ゲートバルブ2を開く。フオーク搬送装置5を
試料交換室7の中へ前進させる。第6図のような位置に
静止させる。
(Viii) Open the gate valve 2. The fork carrier device 5 is advanced into the sample exchange chamber 7. It is stopped at the position shown in FIG.

(ix)回転軸20を上昇させる。サセプタ4の上に、未処
理ウエハが戴る。さらに回転軸20を上げてゆき、サセプ
タ4が受け台12より上にあるようにする。受け台12を回
転軸20から抜き取る。フオーク搬送装置5を後退させ
る。
(Ix) Raise the rotary shaft 20. An unprocessed wafer is placed on the susceptor 4. Further, the rotary shaft 20 is further raised so that the susceptor 4 is above the pedestal 12. The pedestal 12 is pulled out from the rotary shaft 20. The fork carrier device 5 is retracted.

(x)ゲートバルブを閉じ、ロードロツク室3を真空に
引く。
(X) The gate valve is closed and the load lock chamber 3 is evacuated.

これでウエハの装入ができる。The wafer can now be loaded.

このように、従来の装置では、処理済みウエハを取出す
のと、未処理ウエハを装着するのとで、2回の操作が必
要である。
As described above, in the conventional apparatus, it is necessary to perform the operation twice for taking out the processed wafer and mounting the unprocessed wafer.

フオーク搬送装置は、2度往復しなければならない。ロ
ードロツク室も2度真空引きをしなければならない。
The fork carrier must reciprocate twice. The load lock chamber must also be evacuated twice.

これでは時間がかかりすぎて、能率が悪い。This takes too much time and is inefficient.

(ウ)特開昭60-186033 特開昭60-186033号(S60.9.21公開)は、受け台を上下
2段にしたウエハ搬送装置を提案している。
(C) JP-A-60-186033 JP-A-60-186033 (published on S60.9.21) proposes a wafer transfer device in which a pedestal has two upper and lower stages.

2段の受け台は上下方向に離れているが、上下方向に重
なつた位置にある。つまり、同一の鉛直線上にある。さ
らにフオーク搬送装置と反対側の壁に、ウエハ交換機構
を伸縮自在に設ける。
The two-stage pedestals are vertically separated from each other, but are in a vertically overlapping position. That is, they are on the same vertical line. Further, a wafer exchange mechanism is provided on the wall opposite to the fork transfer device so as to be expandable and contractible.

ウエハの搬入搬出過程を説明する。A wafer loading / unloading process will be described.

(i)下の受け台は空にし、上の受け台に未処理ウエハ
を戴せ、フオーク搬送装置を試料交換室に入れる。
(I) The lower pedestal is emptied, the untreated wafer is placed on the upper pedestal, and the fork carrier is placed in the sample exchange chamber.

(ii)下の受け台を、サセプタ面と同じ高さになるよう
に、サセプタの横にならべる。
(Ii) Place the lower cradle next to the susceptor so that it is level with the susceptor surface.

(iii)ウエハ移送機構により、サセプタ上の処理済み
ウエハを蹴つて、下の受け台へ移す(第7図)。
(Iii) The wafer transfer mechanism kicks the processed wafer on the susceptor and transfers it to the lower pedestal (FIG. 7).

(iv)サセプタを少し上げ、上の受け台と、サセプタと
が同じ高さになるように並べる。
(Iv) Raise the susceptor slightly and line up so that the upper pedestal and the susceptor are at the same height.

ウエハ移送機構の爪で未処理ウエハの端を引掛けて側方
へ引きずる。そして、未処理ウエハをサセプタの上へ移
す(第8図)。
The claw of the wafer transfer mechanism hooks the edge of the unprocessed wafer and drags it laterally. Then, the unprocessed wafer is transferred onto the susceptor (FIG. 8).

このような装置によれば、ウエハの搬出と搬入とがひき
つづいて行なえる。フオーク搬送装置は1回往復するだ
けである。ロードロツク室の真空引きも1回だけでよ
い。交換に要する時間も短い。
With such an apparatus, the wafer can be continuously carried in and out. The fork carrier only reciprocates once. The load lock chamber only needs to be evacuated once. The time required for replacement is also short.

(エ)考案が解決しようとする問題点 特開昭60-186033号は搬送に要する時間を短くすること
ができるが、次の難点がある。
(D) Problems to be solved by the invention Although Japanese Patent Laid-Open No. 60-186033 can shorten the time required for transportation, it has the following drawbacks.

(i)サセプタと受け台の上を、ウエハが横に滑つてい
る。これは避けなければならないことである。ウエハは
柔らかく、脆い。下面が擦られると、一部が砕け、粉体
が生ずる。これがウエハ面を汚すことがある。また、ウ
エハを蹴るので、ウエハが破損する可能性もある。
(I) The wafer slides sideways on the susceptor and the pedestal. This is something that should be avoided. Wafers are soft and brittle. When the lower surface is rubbed, a part is broken and powder is generated. This can stain the wafer surface. Further, since the wafer is kicked, the wafer may be damaged.

(ii)サセプタの丁度真中にウエハが停止するとは限ら
ない。正しい位置決めが難しい。
(Ii) The wafer does not always stop at the exact center of the susceptor. Correct positioning is difficult.

(iii)搬送装置の他に、爪を有する複雑な運動をする
ためのウエハ移送機構が必要である。
(Iii) In addition to the transfer device, a wafer transfer mechanism having a claw for performing complicated movement is required.

(iv)円形ウエハを横に押すのであるから、正確に案内
するのは難しい。途中で横へずれて落ちる可能性があ
る。動作の信頼性が低い。
(Iv) Since a circular wafer is pushed laterally, it is difficult to accurately guide it. There is a possibility of slipping sideways and falling on the way. Unreliable operation.

(オ)構成 本考案のフオーク搬送装置は、上下2つの受け台を有す
るが、同一鉛直線上にはない。上受け台の方が長く、下
受け台が短い。
(E) Configuration The fork carrier of the present invention has two upper and lower pedestals, but they are not on the same vertical line. The upper cradle is longer and the lower cradle is shorter.

ウエハを戴置する位置が上下方向にくいちがつている。
上受け台のウエハ戴置部はより前方にあり、下受け台の
ウエハ戴置部はより後方にある。
The position where the wafer is placed tends to be difficult in the vertical direction.
The wafer rest of the upper cradle is more forward and the wafer rest of the lower cradle is more rearward.

そして、搬送装置の他に、ウエハを交換するための機構
を必要としない。また、ウエハを滑らせるという動作が
全くないようにしている。
Further, a mechanism for exchanging the wafer is not required other than the transfer device. In addition, there is no action of sliding the wafer.

図面によつて説明する。It will be described with reference to the drawings.

第1図は本考案のフオーク搬送装置の先端部のみの斜視
図である。第2図は底面図である。第3図はウエハ交換
の手順を示す断面図である。
FIG. 1 is a perspective view of only the front end portion of the fork carrier device of the present invention. FIG. 2 is a bottom view. FIG. 3 is a cross-sectional view showing the procedure of wafer exchange.

水平方向に延びる支持棒11の先端に堅方向の結合板14が
固着されている。この結合板14の前に、上下2つの受け
台A、Bが2段に設けられている。上下2段あるところ
が、第5図、第6図に示すものと異なる。
A rigid coupling plate 14 is fixed to the tip of a support rod 11 extending in the horizontal direction. In front of the connecting plate 14, two upper and lower pedestals A and B are provided in two stages. It is different from that shown in FIG. 5 and FIG.

また、上下の受け台A、Bの長さが異なる。上受け台A
がより長い。
Further, the lengths of the upper and lower pedestals A and B are different. Upper cradle A
Is longer.

それは、ウエハを戴置すべき部分が、上下の受け台A、
Bで異なつているからである。
The part where the wafer should be placed is the upper and lower pedestals A,
This is because B is different.

上受け台A、Bは、中間部まで盲板であつて、先端にウ
エハ戴置部Xが形成される。
The upper pedestals A and B are blind plates up to the middle portion, and the wafer mounting portion X is formed at the tip.

ウエハ戴置部Xの形状は任意である。ウエハ戴置部Xの
中央には、サセプタが上下に通りうるサセプタ通し穴13
が穿つてある。
The shape of the wafer mounting portion X is arbitrary. At the center of the wafer mounting portion X, a susceptor through hole 13 through which the susceptor can pass vertically is provided.
Is worn.

サセプタ通し穴13の前方も開口部17になつているが、よ
り狭い開口になつている。両端から内側へ延びる抜け止
め15は、ウエハが前方へ落ちるのを防ぐ。
The front of the susceptor through hole 13 is also an opening 17, but the opening is narrower. The retainers 15 extending inward from both ends prevent the wafer from falling forward.

左右抜け止め15の間の開口部17は、サセプタの回転軸が
通るだけの広さを持つ。
The opening 17 between the left and right retainers 15 is wide enough for the rotation axis of the susceptor to pass through.

また、サセプタ通し穴13の周縁に、ウエハが嵌りこむウ
エハ段部16が形成されている。ウエハ段部16にウエハが
ぴつたりと嵌まりこむと、ウエハは左右前後に動かな
い。
Further, a wafer step portion 16 into which a wafer is fitted is formed on the periphery of the susceptor through hole 13. When the wafer is tightly fitted into the wafer step portion 16, the wafer does not move left and right and front and back.

このように、ウエハ戴置部Xの構造は任意であつて、第
5図に示すものと同様のものとしてもよい。
As described above, the structure of the wafer mounting portion X is arbitrary and may be the same as that shown in FIG.

下受け台Bはより短い。上受け台Aのウエハ戴置部Xに
重ならない。より内側の部分にウエハ戴置部Yがある。
Lower cradle B is shorter. It does not overlap the wafer mounting portion X of the upper cradle A. The wafer mounting portion Y is located on the inner side.

下方のウエハ戴置部Yは、上受け台Aの盲板の部分の直
下である。これは第2図の底面図に明確に示されてい
る。
The lower wafer mounting portion Y is directly below the blind plate portion of the upper pedestal A. This is clearly shown in the bottom view of FIG.

下方のウエハ戴置部Yも同じ構造を持つ。中央にサセプ
タ通し穴13があり、その前方により狭い開口部17があ
る。サセプタ通し穴13の上方周縁に、ウエハ段部16が形
成されている。
The lower wafer placing part Y has the same structure. There is a susceptor through hole 13 in the center, and there is a narrower opening 17 in front of it. A wafer step portion 16 is formed on the upper peripheral edge of the susceptor through hole 13.

ウエハ戴置部X、Yの構造は同じである。寸法の関係を
次に述べる。
The wafer mounting parts X and Y have the same structure. The dimensional relationship will be described below.

サセプタの直径をS、サセプタ回転軸20の直径をT、サ
セプタ通し穴13の直径をU、開口部17の間隔をWとす
る。
The diameter of the susceptor is S, the diameter of the susceptor rotating shaft 20 is T, the diameter of the susceptor through hole 13 is U, and the distance between the openings 17 is W.

S<U (1) T<W (2) という条件が必要である。The condition S <U (1) T <W (2) is required.

ウエハ戴置部X、Yが上下にふたつあり、上のウエハ戴
置部Xの方が結合板14、支持棒11からより遠く、ウエハ
戴置部X、Yが上下で重なつていない、という事が重要
である。
There are two upper and lower wafer mounting portions X and Y. The upper wafer mounting portion X is farther from the connecting plate 14 and the support rod 11, and the wafer mounting portions X and Y are not vertically stacked. Things are important.

また、上下受け台A、Bの間隔をH、サセプタ高さとウ
エハ1枚分の厚みとの合計をKとすると、 H>K (3) でなければならない。これは、ウエハを戴置したサセプ
タが、上下受け台A、Bの間に入りうるためである。
Further, if the distance between the upper and lower pedestals A and B is H and the total of the height of the susceptor and the thickness of one wafer is K, then H> K (3). This is because the susceptor on which the wafer is placed can enter between the upper and lower pedestals A and B.

ここでは、上受け台A、下受け台Bを、長方形状のもの
として図示している。しかし、これらは円形であつても
よいし、六角形状であつてもよい。ウエハ段部16とサセ
プタ通し穴とがウエハ形状、サセプタ形状に合致した形
状であればよい。外形はどうでもよいのである。
Here, the upper pedestal A and the lower pedestal B are illustrated as being rectangular. However, these may be circular or hexagonal. The wafer step portion 16 and the susceptor through hole may have any shape that matches the wafer shape and the susceptor shape. The outer shape doesn't matter.

(カ)作用 (i)第4図のロードロツク室3にフオーク搬送装置5
がある。ゲートバルブ2が閉じてある。上受け台Aのウ
エハ戴置部Xに、未処理ウエハMを置く。
(F) Action (i) Fork transfer device 5 in the load lock chamber 3 of FIG.
There is. The gate valve 2 is closed. An unprocessed wafer M is placed on the wafer mounting portion X of the upper pedestal A.

ロードロツク室を閉じ、真空排気する。Close the load lock chamber and evacuate.

(ii)気相成長室1では、サセプタ4の上のウエハ6が
気相成長処理を受ける。処理済みウエハと未処理ウエハ
が存在するので、区別するため処理済みウエハをNとす
る。
(Ii) In the vapor phase growth chamber 1, the wafer 6 on the susceptor 4 is subjected to the vapor phase growth process. Since there are processed wafers and unprocessed wafers, the processed wafer is set to N for distinction.

サセプタ4を下げて、ウエハNが試料交換室7に来るよ
うにする。
The susceptor 4 is lowered so that the wafer N comes to the sample exchange chamber 7.

(iii)ゲートバルブ2を開く。フオーク搬送装置5を
試料交換室7の中へ前進させる。このとき、サセプタの
高さは、上下受け台A、BにはさまれるH部にK部が入
るような位置にする。
(Iii) Open the gate valve 2. The fork carrier device 5 is advanced into the sample exchange chamber 7. At this time, the height of the susceptor is set such that the K portion is inserted into the H portion sandwiched between the upper and lower pedestals A and B.

下受け台Bのウエハ戴置部Yの開口部17の間へ回転軸20
が通つてゆく。回転軸の中心線と、ウエハ段部16、サセ
プタ通し穴13の中心線とを合致させる。
The rotation shaft 20 is moved between the openings 17 of the wafer mounting portion Y of the lower pedestal B.
Go through. The center line of the rotation axis is aligned with the center lines of the wafer step portion 16 and the susceptor through hole 13.

(iv)回転軸20を下降させる。これが第3図(a)に示
した状態である。処理済みウエハNが、下ウエハ戴置部
Yのウエハ段部16に正しく嵌まり込む。
(Iv) The rotating shaft 20 is lowered. This is the state shown in FIG. The processed wafer N is correctly fitted into the wafer step portion 16 of the lower wafer mounting portion Y.

(V)さらに回転軸20を下げる。これが第3図(b)に
示した状態である。サセプタ4の上面から、処理済みウ
エハNが除かれる。
(V) Lower the rotary shaft 20 further. This is the state shown in FIG. 3 (b). The processed wafer N is removed from the upper surface of the susceptor 4.

(vi)フオーク搬送装置を後退させる。回転軸20の直上
に、上受け台Aのウエハ戴置部Xが来るようにする。こ
れが第3図(c)に示す状態である。
(Vi) Move the fork carrier back. The wafer mounting portion X of the upper pedestal A is placed directly above the rotary shaft 20. This is the state shown in FIG.

(vii)回転軸20を上昇させる。サセプタ4の上に、上
ウエハ戴置部Xにあつた未処理ウエハMが戴ることにな
る。さらに回転軸20を上げ、フオーク搬送装置を後退さ
せる。ウエハ戴置部Xの開口部17が回転軸20より広いか
ら、上受け台を抜きとる事ができる。
(Vii) Raise the rotating shaft 20. On the susceptor 4, the unprocessed wafer M that has been placed in the upper wafer mounting portion X is placed. Further, the rotary shaft 20 is raised and the fork carrier is retracted. Since the opening 17 of the wafer mounting portion X is wider than the rotary shaft 20, the upper pedestal can be removed.

これが第3図(d)に示す状態である。This is the state shown in FIG.

(viii)フオーク搬送装置5をロードロツク室3の中へ
引込めてしまう。ゲートバルブ2を閉じる。
(Viii) The fork carrier device 5 is retracted into the load lock chamber 3. Close the gate valve 2.

(ix)回転軸20を上げ、成長室1へサセプタ4と未処理
ウエハMを持ち上げる。原料ガスを導入し、ウエハM上
へ気相成長を行なわせる。
(Ix) Raise the rotary shaft 20 and lift the susceptor 4 and the unprocessed wafer M into the growth chamber 1. A source gas is introduced to cause vapor phase growth on the wafer M.

以上が、ウエハ交換の1回の動作である。The above is one operation of wafer exchange.

この例では、上ウエハ戴置部Xに未処理ウエハM、下ウ
エハ戴置部Yに処理済みウエハNを置くようにしてい
る。しかし、これは反対にしてもよい。この場合は、第
3図の過程をd→c→b→aというように進むようにす
る。
In this example, the unprocessed wafer M is placed on the upper wafer placing portion X and the processed wafer N is placed on the lower wafer placing portion Y. However, this may be reversed. In this case, the process of FIG. 3 is carried out in the order of d → c → b → a.

(キ)効果 (i)ウエハの交換が、搬出過程、搬入過程というよう
にふたつの分離された過程とはならない。受け板が上下
ふたつあるので、ウエハの搬出搬入が1回の往復動作に
よつて一挙になされる。
(G) Effect (i) The wafer exchange does not become two separate processes such as a carry-out process and a carry-in process. Since there are two upper and lower receiving plates, the wafer can be carried in and out at once by one reciprocating operation.

ロードロツク室をたびたび大気にさらし、真空に引くと
いう必要が少なくなる。
The need to frequently expose the roadlock chamber to the atmosphere and pull a vacuum is reduced.

(ii)交換に要する時間が短い。(Ii) The time required for replacement is short.

(iii)上下受け板を有する特開昭60-186033に比べて、
ウエハを滑らせるという過程がないので、ウエハを磨損
する惧れがない。ウエハにとつて損壊する危険性が減
る。ウエハを滑らせないのでダスト発生の惧れが少な
い。気相成長装置等においては発生ダストが膜成長過程
に悪影響を及ぼす。しかし、本考案の適用によりその惧
れは減少する。
(Iii) Compared to JP-A-60-186033, which has upper and lower receiving plates,
Since there is no process of sliding the wafer, there is no possibility of damaging the wafer. The risk of damage to the wafer is reduced. Since the wafer does not slide, there is little risk of dust generation. In a vapor phase growth apparatus or the like, the generated dust adversely affects the film growth process. However, the application of the present invention reduces the risk.

(iv)また、フオーク搬送装置5の支持棒11を水平に支
持し、真空を保ちながらこれを水平方向に動かす直線導
入機(図示せず)の寿命が長くなる。
(Iv) Further, the life of a straight line introduction machine (not shown) that horizontally supports the support rod 11 of the fork carrier device 5 and moves it horizontally while maintaining a vacuum is extended.

(v)交換動作は、ウエハを、サセプタの上に戴せた
り、ウエハ段部に戴せたりというように、上から下へゆ
つくりと置くだけのものである。このため確実にウエハ
交換を行なうことができる。
(V) The exchange operation is simply to place the wafer loosely from top to bottom, such as placing it on the susceptor or placing it on the wafer step. Therefore, the wafer can be exchanged reliably.

(vi)ここでは、気相成長装置を例にしたが、本考案
は、ウエハを水平にしてサセプタの上に戴置する形式の
装置に対して全て適用可能である。
(Vi) Here, the vapor phase growth apparatus is taken as an example, but the present invention is applicable to all apparatuses of the type in which the wafer is placed horizontally and placed on the susceptor.

エツチング装置、スパツタリング装置、蒸着装置などに
対して適用することができる。
It can be applied to an etching device, a sputtering device, a vapor deposition device and the like.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は本考案のフオーク搬送装置の先端部のみの斜視
図。 第2図は同じものの底面図。 第3図は本考案のフオーク搬送装置においてウエハ交換
を行なう動作を示す断面図。 (a)は下ウエハ戴置部にサセプタを通した状態示す。
(b)は下ウエハ戴置部に処理済みウエハNを置いた状
態を示す。(c)はサセプタを上ウエハ戴置部の未処理
ウエハMの直下に位置させた状態を示す。(d)はサセ
プタ上に未処理ウエハMを戴せ、フオーク搬送装置を後
退させている状態を示す。 第4図は縦型気相成長装置の概略構成図。 第5図は従来例に係る1枚フオークの搬送装置の先端部
斜視図。 第6図は第5図の受け板にウエハを載せた状態を示す断
面図。 第7図は特開昭60-186033の、ウエハをサセプタから受
け台へ移す動作を示す断面図。 第8図は特開昭60-186033のウエハを受け台からサセプ
タへ移す動作を示す断面図。 1……成長室 2……ゲートバルブ 3……ロードロツク室 4……サセプタ 5……フオーク搬送装置 6……ウエハ 7……試料交換室 8……高周波コイル 9……原料ガス導入口 10……ガス排出口 11……支持棒 12……受け台 13……サセプタ通し穴 14……結合板 15……抜け止め 16……ウエハ段部 17……開口部 A……上受け台 B……下受け台 X……ウエハ戴置部 Y……ウエハ戴置部
FIG. 1 is a perspective view of only the tip portion of the fork carrier device of the present invention. FIG. 2 is a bottom view of the same thing. FIG. 3 is a sectional view showing the operation of exchanging a wafer in the fork transfer device of the present invention. (A) shows a state in which the susceptor is passed through the lower wafer mounting portion.
(B) shows a state in which the processed wafer N is placed on the lower wafer placing portion. (C) shows a state in which the susceptor is positioned directly below the unprocessed wafer M in the upper wafer mounting portion. (D) shows a state in which the unprocessed wafer M is placed on the susceptor and the fork transfer device is retracted. FIG. 4 is a schematic configuration diagram of a vertical vapor phase growth apparatus. FIG. 5 is a front perspective view of a single-sheet fork conveying device according to a conventional example. FIG. 6 is a sectional view showing a state where a wafer is placed on the receiving plate of FIG. FIG. 7 is a sectional view showing the operation of transferring a wafer from a susceptor to a cradle according to JP-A-60-186033. FIG. 8 is a sectional view showing the operation of transferring the wafer of JP-A-60-186033 from the pedestal to the susceptor. 1 …… Growth chamber 2 …… Gate valve 3 …… Road lock chamber 4 …… Susceptor 5 …… Fork carrier 6 …… Wafer 7 …… Sample exchange chamber 8 …… High frequency coil 9 …… Raw material gas inlet 10 …… Gas outlet 11 …… Support rod 12 …… Receptor 13 …… Susceptor through hole 14 …… Coupling plate 15 …… Retaining 16 …… Wafer step 17 …… Opening A …… Upper pedestal B …… Lower Cradle X …… Wafer mounting section Y …… Wafer mounting section

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 21/306 H05K 5/04 7362−4E ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification number Office reference number FI technical display location H01L 21/306 H05K 5/04 7362-4E

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】[Scope of utility model registration request] 【請求項1】昇降自在の回転軸20の上に固着されたサセ
プタ4の上にウエハ6を置き反応室内でウエハ6に対し
て処理を行ない、サセプタ4を試料交換室へ下降させて
ウエハを交換するようにした装置のウエハを搬送するた
めのフオーク搬送装置であつて、試料交換室7とゲート
バルブ2を介してつながるロードロツク室3との間を往
復する事ができる支持棒11と、この先端に於て上下に設
けられウエハ戴置部X、Yを有する上受け台Aと下受け
台Bとよりなり、ウエハ戴置部X、Yはサセプタ通し穴
13と、この周縁に形成されたウエハを嵌めこむべきウエ
ハ段部16と、サセプタ回転軸20を通しうる開口部17とを
有し、上下のウエハ戴置部X、Yは上下方向に重なつて
おらず、上受け台Aのウエハ戴置部Xの方が下受け台B
のウエハ戴置部Yより支持棒11から遠い位置にある事を
特徴とする二重フオーク横型搬送装置。
1. A wafer 6 is placed on a susceptor 4 fixed on a rotatable shaft 20 which can be raised and lowered, and the wafer 6 is processed in a reaction chamber, and the susceptor 4 is lowered into a sample exchange chamber to remove the wafer. A fork transfer device for transferring a wafer of a device which is designed to be exchanged, and a support rod 11 capable of reciprocating between a sample exchange chamber 7 and a load lock chamber 3 connected via a gate valve 2; It is composed of an upper pedestal A and a lower pedestal B, which are provided at the top and bottom at the top and bottom and have wafer mounting portions X and Y. The wafer mounting portions X and Y are susceptor through holes.
13 and a wafer step portion 16 on which the wafer is to be fitted, and an opening portion 17 through which the susceptor rotation shaft 20 can pass, and the upper and lower wafer mounting portions X and Y are vertically overlapped. The lower pedestal B is located at the wafer mounting portion X of the upper pedestal A.
The double-fork horizontal transfer device is characterized in that it is located farther from the support rod 11 than the wafer mounting part Y of FIG.
JP4224789U 1989-04-10 1989-04-10 Double fork horizontal carrier Expired - Lifetime JPH0719149Y2 (en)

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