JPH0714143A

JPH0714143A - 磁気記録媒体及びその製造方法

Info

Publication number: JPH0714143A
Application number: JP15753293A
Authority: JP
Inventors: Masaaki Futamoto; 正昭二本; Atsushi Nakamura; 敦中村; Yoshiyuki Hirayama; 義幸平山; Nobuyuki Inaba; 信幸稲葉; Yoshifumi Matsuda; 好文松田; Mikio Suzuki; 幹夫鈴木; Yukio Honda; 幸雄本多
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1993-06-28
Filing date: 1993-06-28
Publication date: 1995-01-17

Abstract

(57)【要約】【目的】高密度磁気記録に適するように改良された面
内磁気記録媒体を提供する。【構成】ベース基板１０１上にミクロな起伏１０２，
１０３を設け、グラフォエピタキシ成長により（１０
０）配向したＮａＣｌ型結晶構造を持つ第１下地膜１０
４を形成し、さらにｂｃｃ構造を持つ第２下地膜１０５
を設けその上にＣｏ基合金からなるｈｃｐ構造を持つ磁
性膜１０６を形成する。又は、第２下地膜を形成しない
で第１下地膜の上に直接Ｃｏ基合金からなるｈｃｐ構造
を持つ磁性膜を形成する。又は、ＮａＣｌ構造を持つ材
料の（１００）単結晶基板を用いてその上にｂｃｃ構造
を持つ下地膜を設け、その上にＣｏ基合金からなるｈｃ
ｐ構造を持つ磁性膜を形成する。又は、ＮａＣｌ構造を
持つ材料の（１００）単結晶基板を用いてその上にＣｏ
基合金からなるｈｃｐ構造を持つ磁性膜を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、磁気記録媒体に関し、
特に磁性膜の結晶粒の結晶学的配向性が高密度磁気記録
に適するように改良された磁気記録媒体及びその製造方
法に関する。

【０００２】

【外１】

【０００３】

【従来の技術】高密度磁気記録を実現するために、連続
磁性膜を磁気記録媒体に用いる研究開発が進められてい
る。これらの磁気記録媒体は、高分子フィルム、ＮｉＰ
膜を被覆したアルミニウム、ガラスなどの非磁性材料よ
りなる基板上に、強磁性金属のＣｏやＣｏ合金からなる
薄膜を、高周波スパッタリング法、イオンビームスパッ
タ法、真空蒸着法、電気メッキ法、あるいは化学メッキ
法などで形成して作製されている。このようにして作製
された磁気記録媒体において、磁性膜の微細構造と磁気
特性との間には密接な関係があり、磁気記録の記録密度
や再生出力を高めるために磁性膜の改良が種々試みられ
ている。

【０００４】面内磁気異方性をもつ磁性膜の微細構造を
改良し記録再生特性を向上させるために、従来から基板
と磁性膜の間に下地層を設ける方法が検討されている。
例えば、特開昭６２−２５７６１７号公報にはＣｏ−Ｐ
ｔ系磁性膜の下地層としてＷ，Ｍｏ，Ｎｂ又はＶの膜を
用いることが、特開昭６２−２５７６１８号公報には下
地層としてＶ−Ｃｒ，Ｆｅ−Ｃｒ合金材料を用いること
が記載され、特開昭６３−１０６９１７号公報にはＣ
ｏ，Ｎｉ，Ｃｒ及びＰｔからなる磁性膜の下地層として
Ｃｒ，Ｈｏ，Ｔｉ，Ｔａ等の非磁性材料の膜を形成する
方法が記載され、特開昭６３−１８７４１４号公報には
Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃｒ磁性膜の下地層としてＣｒ又はＣｒ−
Ｖ合金が有効であることが記載されている。

【０００５】基板上に下地層としてＣｒ又はＣｒ合金を
スパッタ法等で形成すると（１００）又は（１１０）配
向膜が得られ、Ｃｏ合金磁性膜を（１００）配向膜上に
形成すると磁化容易軸は基板と平行になり、一方、（１
１０）配向膜上に形成すると磁化容易軸は基板表面から
約３０度傾いてはいるが基板とほぼ平行になるため、面
内磁気記録媒体として望ましいことが知られている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】高密度磁気記録が可能
で再生出力の大きい面内磁気記録媒体としては、磁性膜
の保磁力（Ｈｃ）、飽和磁化（Ｍｓ）が大きいことに加
えて、残留磁化率（Ｍｒ／Ｍｓ）が大きいこと、磁気異
方性の分散が小さいことが必要である。上記の公知技術
は、ＨｃとＭｓが大きい磁気記録媒体を形成することは
ある程度可能であるが、残留磁化率が大きくてしかも磁
気異方性の分散が小さい磁気記録媒体を形成するには不
十分である。

【０００７】残留磁化率、磁気異方性の分散は磁性薄膜
を構成する結晶粒の粒径分布、磁化容易軸分布と相関が
あり、大きな残留磁化率及び小さな磁気異方性の分散を
実現するためには、結晶粒径が揃っていて、かつ、結晶
粒の磁化容易軸がほぼ面内方向に揃っていることが必要
である。さらに望ましくは磁化容易軸が記録再生の際に
用いられる磁気ヘッドの走行方向に揃っているほうが良
い。

【０００８】本発明は、磁性膜の磁化容易軸が面内を向
き、かつ磁気異方性の分散が小さい、高密度磁気記録に
適した面内磁気記録媒体及びその製造方法を提供するこ
とを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記目的は以下の方法に
より達成できることが、本発明者等の実験の結果明らか
になった。すなわち、基板もしくは下地層としてＮａＣ
ｌ型結晶構造を持つ（１００）単結晶膜もしくは［００
１］方位が基板に対して一定の方向を向くように制御さ
れた（１００）優先配向膜を用いて、その上に体心立方
構造（ｂｃｃ）を持つ下地層を形成すると、（１００）
面が基板と平行な単結晶膜もしくは配向膜が得られる。
この膜上に六方最密構造（ｈｃｐ）を持つＣｏ基合金磁
性膜を形成すると、磁性膜は（１１−２０）面が基板と
平行な単結晶もしくは配向膜が得られる。この場合、磁
性膜の磁化容易軸である［０００１］軸は基板と平行に
なり、ｂｃｃ（１００）配向膜の上に形成すると［００
０１］軸も基板に対して一定の方向を向くように制御で
きる。

【００１０】また、ＮａＣｌ型結晶構造を持つ（１０
０）単結晶もしくは（１００）配向膜の上に直接ｈｃｐ
構造を持つＣｏ基合金磁性膜を形成しても、磁性膜の磁
化容易軸である［０００１］軸は基板と平行になる。ｂ
ｃｃ構造の膜を用いた場合、成膜条件を制御することに
より（１００）配向性を保った状態で結晶粒径や結晶粒
間の距離を調整できるので、磁気記録媒体の微細構造を
調整できるという特徴があるため、磁気記録媒体の使用
目的に応じて利用すれば良い。

【００１１】ベースとなる基板上にＮａＣｌ構造をもつ
材料の（１００）優先配向膜を形成する方法として、例
えば基板上にグレーティングあるいはテクスチャと呼ば
れるミクロな起伏を形成し、この上にグラフォエピタキ
シャル成長を利用して（１００）配向膜を成長させるこ
とが可能である。グラフォエピタキシャル成長に関して
は、例えば、「固体物理」第２０巻、第１０号（１９８
５）、第８１５〜８２０頁に記載されている。グレーテ
ィングやテクスチャを円板状の基板の周方向に沿って同
心円状あるいはスパイラル状に形成しておけば、ＮａＣ
ｌ構造をもつ材料の［０１０］もしくは［００１］方向
も同心円状に分布し、この結果Ｃｏ基合金磁性膜の磁化
容易軸を揃えることが可能となる。

【００１２】ｈｃｐ構造を持つＣｏ基合金の磁化容易軸
［０００１］は、ｂｃｃ（１００）配向膜の［０１１］
もしくは［０１−１］方向と平行になる。（１００）配
向した１個のｂｃｃ構造を持つ材料の結晶上には、磁化
容易軸が互いに直交するｈｃｐ結晶構造を持つＣｏ基合
金結晶が混在して成長するため、円板状の基板に対して
磁化容易軸は円周方向と半径方向の２種類が混在するこ
とになる。ミクロな起伏を円板状のベース基板の半径方
向に沿って２種類の模様が互いに逆向きに円弧を描くよ
うに、かつ互いに綾目状に交叉するように形成すれば、
ＮａＣｌ型結晶構造を持つ材料結晶の［０１１］方向を
ほぼ円板状の基板の周方向に揃えることができるので、
ｈｃｐ構造を持つＣｏ基合金結晶の磁化容易軸の向きを
円周方向から内外周向きに４５度傾いた２つの方向に揃
えることができる。

【００１３】上記の方法を用いれば、磁性膜の磁化容易
軸を基板面と平行に制御でき、さらに円板状の基板では
円周方向に対して磁化容易軸を特定の方向に揃えること
ができるので、磁気記録の際の磁気ヘッドの走行方向と
同一にでき、この結果、面内磁気記録媒体の性能が向上
する。磁性膜の結晶粒の分布を制御することもできるの
で、高密度磁気記録に適した記録媒体を提供することが
できる。

【００１４】さらに磁気ヘッドと組み合わせて磁気記録
媒体を使用する場合、高いトラック密度を実現すること
を考慮して、上記方法で作製した磁気記録媒体に溝や窪
みを設けたり、非磁性領域や光反射率の異なる領域を設
けても良い。ＮａＣｌ型結晶構造を持つ材料としては、
ＭｇＯ，ＣａＯ，ＴｉＯ，ＶＯ，ＭｎＯ，ＣｏＯ，Ｎｉ
Ｏのいずれか又はこれらを主成分とする混晶、あるいは
ＬｉＣｌ，ＮａＣｌ，ＫＣｌのいずれか又はこれらを主
成分とする混晶、あるいはＬｉＦ、あるいはＴｉＣ，Ｚ
ｒＣ，ＨｆＣ，ＮｂＣ，ＴａＣのいずれか又はこれらを
主成分とする混晶が適当である。膜厚は、１０ｎｍ以上
１００μｍ以下が望ましい。１０ｎｍ以下になるとベー
ス基板がｂｃｃ構造を持つ膜の成長に及ぼす影響を遮断
し難くなり、１００μｍ以上になると、膜形成に要する
時間が長くなり、さらに配向膜の結晶粒の粗大化などの
望ましくない現象が生ずる。

【００１５】ｂｃｃ構造を持つ膜としては、Ｃｒ，Ｖ，
Ｎｂ，Ｍｏもしくはこれらの元素を主成分とする合金が
利用可能である。膜厚は１μｍ以下が望ましく、スパッ
タ法などの成膜法で形成することを考慮すると、経済的
かつ実用的には２００ｎｍ以下がさらに望ましい。ｈｃ
ｐ構造を持つＣｏ基合金磁性膜としては、Ｃｏをベース
として、Ｃｒ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｖ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｍ
ｏ，Ｗ，Ｔａ，Ｒｅ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ｐｄ，
Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｂ，Ａｌ，Ｃ，Ｓｉ，Ｐ，Ｎの少な
くとも１元素を含んだ合金膜が利用可能である。例え
ば、Ｃｏ−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｎｉ，Ｃｏ−Ｆｅ，Ｃｏ−Ｖ，
Ｃｏ−Ｍｏ，Ｃｏ−Ｔａ，Ｃｏ−Ｒｅ，Ｃｏ−Ｐｔ，Ｃ
ｏ−Ｐｄ等の２元系合金、あるいはこれらの２元系合金
に第３元素を加えたＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ，Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐ
ｔ，Ｃｏ−Ｃｒ−Ｍｏ，Ｃｏ−Ｃｒ−Ｗ，Ｃｏ−Ｃｒ−
Ｒｅ，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｚｒ，Ｃｏ−Ｐｔ−Ｔａ，Ｃｏ−Ｐ
ｔ−Ｂ等の３元系合金、又は第４元素を加えたＣｏ−Ｃ
ｒ−Ｔａ−Ｂ，Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ−Ｓｉ，Ｃｏ−Ｃｒ−
Ｔａ−Ｃ，Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ−Ｐ，Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ−
Ｎ，Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ等である。Ｃｏの比率が最大
でしかも結晶構造がｈｃｐとなるなら、本発明で対象と
するＣｏ基合金磁性膜となりうる。また、磁性膜は単層
に限らず多層膜あるいは膜厚方向に組成傾斜を持たせた
膜でも利用可能である。膜厚は、２ｎｍ以上１００ｎｍ
以下、望ましくは５ｎｍ以上５０ｎｍ以下が良い。

【００１６】成膜法としては、高周波スパッタ法、高周
波マグネトロンスパッタ法、イオンビームスパッタ法、
イオンビームプレーティング法、真空蒸着法等の物理蒸
着法がいずれも利用可能である。

【００１７】

【作用】図１は、本発明の一実施形態による円板状の磁
気ディスクの一部の断面模式図である。この図を参照し
て説明する。外形が円板状の非磁性基板１０１の表面
に、この断面図に示すような谷部１０２と山部１０３か
ら成る起伏を設ける。山部に比べ谷部の面積が大きくな
るように形成するのが望ましい。この上にＮａＣｌ型結
晶構造を持つ材料をグラフォエピタキシャル成長させる
と、谷部には表面が（１００）を持つ配向膜１０４が得
られる。山部にも（１００）面を持つ結晶が成長する可
能性は高いが、他の面方位を持つ結晶も成長し得る。

【００１８】グレーティングもしくはテクスチャの方向
は、円板の周方向又は半径方向に揃えるのが有効であ
る。この場合、グレーティングもしくはテクスチャは全
周連続している必要性は必ずしもなく、断続していても
良い。ＮａＣｌ型結晶構造を持つ材料は｛１００｝面が
発達する傾向があり、図１に示すような底部が平坦な溝
では、｛１００｝面が底部と平行になり、かつ起伏の山
部の壁と接する面も｛１００｝となりやすく、ＮａＣｌ
型結晶の〈１００〉方位も基板に対して規定される。

【００１９】図２（ａ）に示すように、グレーティング
を同心円状、スパイラル状あるいはこれらと同様にすれ
ば、ＮａＣｌ型結晶構造をもつ結晶の〈１００〉方位は
同心円状に分布する。一方、図２（ｂ）に示すように、
円板状のベース基板の半径方向に沿って２種類の模様が
互いに逆向きに円弧を描くように、かつ綾目状に交叉す
るように形成すれば、ＮａＣｌ型結晶構造をもつ結晶の
〈１１０〉方向をほぼ同心円状に分布させることができ
る。

【００２０】このような構造を持つ膜の上に、ｂｃｃ構
造を持つ膜を形成すると、エピタキシャル現象により、
（１００）面がベース基板と平行な配向膜１０５が成長
する。ついで、ｈｃｐ構造を持つＣｏ基合金磁性膜を形
成すると、エピタキシャル現象により、（１１−２０）
面がベース基板と平行な配向膜１０６が成長する。磁性
膜の磁化容易軸［０００１］は基板と平行になり、ｂｃ
ｃ配向結晶の〈１１０〉方向と平行、ＮａＣｌ型結晶構
造を持つ配向結晶の〈１００〉方向と平行になる。

【００２１】すなわち、グレーティングもしくはテクス
チャの筋の方向の向きによって磁性膜の磁化容易軸の方
向を制御することができ、かつ、図２に示したグレーテ
ィングもしくはテクスチャの筋の方向の向きは、磁気記
録媒体として望ましい磁化容易軸分布を与えるものであ
る。この上に保護膜１０７を形成することにより、磁気
記録媒体が得られる。

【００２２】グレーティングもしくはテクスチャの深さ
は、その上に形成されるＮａＣｌ型結晶構造を持つ配向
膜の個々の結晶粒の大きさと関係があり、成膜条件が同
じ場合、深さが小さくかつ起伏のピッチが小さいほど小
さな結晶粒が形成される。磁性膜を構成するｈｃｐ構造
を持つ材料の結晶粒の望ましい大きさの範囲は、２ｎｍ
以上１００ｎｍ以下である。このような磁性膜を形成す
るためには、グレーティングもしくはテクスチャの深さ
も２ｎｍ以上１μｍ以下、ピッチは１ｎｍ以上５００ｎ
ｍ以下であるのが望ましい。ピッチが１ｎｍ以下になる
とグラフォエピタキシャル成長が起こり難くなり、５０
０ｎｍ以上になると磁性膜の磁化容易軸が円板の周方向
に揃い難くなる。

【００２３】図３に示すように、上記の磁気記録媒体の
構成膜のうちｂｃｃ結晶構造を持つ材料を省いても、Ｃ
ｏ基合金からなるｈｃｐ構造を持つ磁性膜の磁化容易軸
が基板と平行であり、かつその分布が基板に対して上記
と同様に制御された磁気記録媒体を得ることができる。
図４は、（１００）面を基板面に持つＮａＣｌ型結晶構
造をもつ材料の単結晶基板を用いた場合である。ｂｃｃ
構造の膜は（１００）面がエピタキシャル成長し、ｈｃ
ｐ構造の膜は（１１−２０）面がエピタキシャル成長す
るため、磁化容易軸は基板と平行になる。基板とｂｃｃ
結晶構造を持つ材料の間に通常格子定数のミスマッチが
あり、このミスマッチを緩和するためｂｃｃ及びｈｃｐ
結晶構造を持つ材料膜には亜粒界が形成される。膜の形
成条件、例えば基板温度や成膜速度を調整することによ
り、この亜粒界で分割される結晶粒の大きさを磁気記録
に望ましい５〜１００ｎｍに制御することができる。

【００２４】図５は、図４においてｂｃｃ構造からなる
材料膜を省いて、（１００）面からなるＮａＣｌ型結晶
構造を持つ単結晶基板の上に直接ｈｃｐ構造を持つＣｏ
基合金磁性膜を形成した構成からなる磁気記録媒体の断
面構造模式図である。この場合も磁性膜の磁化容易軸は
基板と平行になり、図４の場合と類似の効果が生ずる。

【００２５】図４及び図５に示した単結晶基板を用いた
磁気記録媒体は、円板状の磁気ディスクとして磁気記録
に用いることができる。この場合、磁気記録媒体におけ
る磁化容易軸の磁気ヘッドに対する向きは円板の方向に
よって変化し、例えば再生出力に変化が生ずる。しか
し、この変化は円板の結晶方位に対して周期をもって生
ずる変化であり、記録再生の際に補正することは可能で
ある。また、矩形状の単結晶基板に形成した磁気記録媒
体と基板上で単振動運動をする磁気ヘッドとを組み合わ
せれば新しい磁気記録系として用いることができる。磁
気ヘッドの動きと直交する方向に磁気記録媒体を動かせ
ば、矩形状の磁気記録媒体に記録再生することができ
る。

【００２６】

【実施例】以下、本発明を実施例により詳細に説明す
る。〔実施例１〕直径１．８インチの石英ガラス基板１０１
の表面にフォトレジストを用いたパターンエッチング法
で深さ５０ｎｍ、ピッチ１００ｎｍの同心円状のグレー
ティングを形成した。山部１０３の幅は２０ｎｍ、谷部
１０２の幅は８０ｎｍとした。この基板を用いて、図１
に示す構造を持つ磁気記録媒体を以下の手順で作製し
た。

【００２７】高周波スパッタ法で基板１０１を高温度に
保って、ＮａＣｌ構造を持つＬｉＦ膜１０４を１００ｎ
ｍの厚さに形成した。膜の形成後、不活性ガス雰囲気に
保った電気炉中で熱処理した。Ｘ線回折法でＬｉＦ膜を
調べた結果、ＬｉＦ膜は、（１００）面が基板とほぼ平
行になった配向多結晶膜であり、さらに結晶粒の［００
１］方向はほぼ同心円状に分布していることが分かっ
た。走査型電子顕微鏡でＬｉＦ膜の微細構造を調べたと
ころ、粒子径５０〜１００ｎｍの結晶粒からなってお
り、さらに表面には３０〜１００ｎｍの起伏が存在する
ことが確認された。

【００２８】表面を研磨して平坦化した後、高周波マグ
ネトロンスパッタ法によって、ｂｃｃ結晶構造を持つ厚
さ５０ｎｍのＣｒ膜１０５、厚さ３０ｎｍのｈｃｐ結晶
構造を持つＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ膜１０６を形成した。磁性
膜用にはＣｏ−１８ａｔ％Ｃｒ−６ａｔ％Ｐｔターゲッ
トを用いた。Ｃｒ膜形成時の基板温度は４００゜Ｃ、Ｃ
ｏ−Ｃｒ−Ｐｔ磁性膜形成時の基板温度は１８０゜Ｃと
した。スパッタのＡｒガス圧力は１０ｍＴｏｒｒ、スパ
ッタパワーは６Ｗ／ｃｍ²とした。さらに、保護膜１０
７として膜厚１０ｎｍのカーボン膜を形成し、磁気記録
媒体を作製した。Ｘ線回折で膜構造を調べ、Ｃｒ膜は
（１００）配向を、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ膜は（１１−２
０）配向をした多結晶膜であることを確認した。

【００２９】上記と同様の条件で、Ｃｒの代わりにＶ，
Ｎｂ，Ｍｏ，Ｃｒ−５ａｔ％Ｔｉ，Ｃｒ−２ａｔ％Ｚ
ｒ，Ｃｒ−２０ａｔ％Ｖ，Ｃｒ−１ａｔ％Ｂを用いた磁
気記録媒体をそれぞれ作製した。その結果、ｂｃｃ構造
を持つ下地膜、ｈｃｐ構造をもつ磁性膜ともに上記と類
似の組織が実現されていることをＸ線回折法によって確
認した。

【００３０】比較試料として、グレーティングを形成し
ない石英ガラス基板上に直接Ｃｒ膜、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ
磁性膜、Ｃ保護膜を上記と同様な条件で形成した磁気記
録媒体を作製した。Ｘ線回折による分析の結果、Ｃｒ膜
は（１００）と（１１０）の２種類が混ざった配向を示
し、磁性膜の磁化容易軸は基板と平行な結晶粒と磁化容
易軸が基板から約３０度傾いた結晶粒が混在しており、
磁化容易軸の方向は基板の面内で不規則に分布している
ことが分かった。

【００３１】これらの磁気記録媒体の記録再生特性の評
価を、薄膜磁気ヘッドを用いて行なった。磁気ヘッドト
ラック幅は５μｍ、ギャップ長さは０．２μｍ、測定時
の磁気ヘッドと磁気記録媒体の距離は０．０６μｍ、相
対速度は１０ｍ／ｓとした。評価項目として、記録密度
特性、Ｓ／Ｎ比、オフトラック特性を選んだ。記録密度
特性は低周波の再生出力の半分になる出力半減記録密度
（Ｄ₅₀）、Ｓ／Ｎ比は比較試料のＳ／Ｎ比を基準とした
相対値、オフトラック特性はトラックエッジ部の記録に
じみの距離を比較試料と比べた相対値として測定した。
Ｓ／Ｎ比は値が大きいほど、オフトラック特性は値が小
さいほど高密度磁気記録に適することを示す。

【００３２】

【表１】

【００３３】本実施例の磁気記録媒体は、記録密度特
性、Ｓ／Ｎ比及びオフトラック特性がいずれも比較例に
比べて改善されており、高密度磁気記録媒体として望ま
しい特性をもつことが確認された。また、ＮａＣｌ型結
晶構造を持つ材料としてＬｉＦの代わりにＬｉＣｌ，Ｎ
ａＣｌ，ＫＣｌ，ＭｇＯ，ＣａＯ，ＴｉＯ，ＶＯ，Ｍｎ
Ｏ，ＣｏＯ，ＮｉＯ，ＴｉＣ，ＺｒＣ，ＨｆＣ，Ｎｂ
Ｃ，ＴａＣのいずれかの材料からなる（１００）配向膜
を用いた実験も行なった。材料が異なるとグラフォエピ
タキシ成長の条件が変化し、材料に適した成膜法あるい
は成膜時の基板温度、成膜後の熱処理などの条件を選択
する必要があったが、いずれの（１００）優先配向膜を
用いた場合も、上記と同様に高密度磁気記録媒体として
望ましい特性を持つことがわかった。

【００３４】〔実施例２〕実施例１において、ｂｃｃ結
晶構造からなる材料の膜形成を省いた以外は同様な手順
で、深さ５０ｎｍ、ピッチ１００ｎｍの同心円状のグレ
ーティングを形成した直径１．８インチの石英ガラス基
板３０１の表面上に、ＮａＣｌ構造の配向膜３０２、ｈ
ｃｐ構造の配向膜３０３及び保護膜３０４を順次形成し
て、図３に示す構造を有する磁気記録媒体を作製した。

【００３５】磁性膜としては、Ｃｏ−１８ａｔ％Ｃｒ，
Ｃｏ−１２ａｔ％Ｎｉ，Ｃｏ−１８ａｔ％Ｆｅ，Ｃｏ−
２０ａｔ％Ｖ，Ｃｏ−２０ａｔＭｏ，Ｃｏ−１６ａｔ％
Ｔａ，Ｃｏ−２０ａｔ％Ｒｅ，Ｃｏ−１６ａｔ％Ｐｔ，
Ｃｏ−１５ａｔ％Ｐｄからなる２元合金、Ｃｏ−１８ａ
ｔ％Ｃｒ−２ａｔ％Ｔａ，Ｃｏ−２１ａｔ％Ｃｒ−３ａ
ｔ％Ｍｏ，Ｃｏ−１９ａｔ％Ｃｒ−１．５ａｔ％Ｗ，Ｃ
ｏ−１５ａｔ％Ｃｒ−７ａｔ％Ｒｅ，Ｃｏ−１４ａｔ％
Ｎｉ−１ａｔ％Ｚｒ，Ｃｏ−１６ａｔ％Ｐｔ−２ａｔ％
Ｔａ，Ｃｏ−１８ａｔ％Ｐｔ−０．８ａｔ％Ｂからなる
３元合金、Ｃｏ−１８ａｔ％Ｃｒ−２ａｔ％Ｔａ−２ａ
ｔ％Ｂ，Ｃｏ−２０ａｔ％Ｃｒ−１．５ａｔ％Ｔａ−
０．３ａｔ％Ｓｉ，Ｃｏ−１９ａｔ％Ｃｒ−２．５ａｔ
％Ｔａ−０．８ａｔ％Ｃ，Ｃｏ−２２ａｔ％Ｃｒ−１．
６ａｔ％Ｔａ−０．２ａｔ％Ｐ，Ｃｏ−２１ａｔ％Ｃｒ
−１ａｔ％Ｔａ−０．２ａｔ％Ｎ，Ｃｏ−１２ａｔ％Ｃ
ｒ−８ａｔ％Ｐｔ−０．７ａｔ％Ｂからなる４元合金を
用いた。

【００３６】比較試料として、平坦な石英ガラス基板上
に下地膜として５０ｎｍのＣｒ膜を形成した上に上記の
磁性膜を形成し、次いでＣ保護膜を形成した磁気記録媒
体をそれぞれ準備した。ＮａＣｌ結晶構造をもつ材料と
してＮｉＯの（１００）配向膜を用いて得られた磁気記
録媒体の記録再生特性のうち線記録密度（Ｄ₅₀：ｋＦＣ
Ｉ）は、以下の通りであった。

【００３７】

【表２】

【００３８】線記録密度以外のＳ／Ｎ比、オフトラック
特性においても、本実施例に基づく磁気記録媒体は、従
来のＣｒ下地を用いて形成した同じ組成の磁性膜を持つ
比較試料に比べて１０％以上の性能改善が確認され、高
密度磁気記録媒体として優れていることが分かった。ま
た、ＮｉＯ以外のＮａＣｌ結晶構造をもつ（１００）配
向膜上に磁性膜を形成した場合にも同様の改善効果が認
められた。

【００３９】〔実施例３〕直径１．８インチのガラス基
板表面にフォトリソグラフィ法により山部の幅が３０ｎ
ｍ、谷部の幅が１００ｎｍ深さ２０ｎｍの溝をスパイラ
ル状に形成した。この基板を用いて、磁気記録媒体を以
下の手順で作製した。高周波スパッタ法で基板上にＫＣ
ｌ膜を５０ｎｍの厚さに形成した。膜の形成後、水蒸気
を含むガス雰囲気に保った電気炉中で熱処理した。Ｘ線
回折法でＫＣｌ膜を調べた結果、ＫＣｌ膜は、（１０
０）面が基板とほぼ平行になった配向多結晶膜であるこ
とが確認された。さらに結晶粒は、ほぼ同心円状に分布
していることが分かった。走査型電子顕微鏡でＫＣｌ膜
の微細構造を調べたところ、粒子径３０〜１００ｎｍの
結晶粒からなっており、さらに表面には２０〜５０ｎｍ
の起伏が存在することが確認された。

【００４０】表面を研磨して平坦化した後、高周波マグ
ネトロンスパッタ法によって、ｂｃｃ結晶構造を持つ厚
さ５０ｎｍのＣｒ−２ａｔ％Ｚｒ膜、厚さ２０ｎｍのｈ
ｃｐ結晶構造を持つＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ膜を形成した。磁
性膜用にはＣｏ−１８ａｔ％Ｃｒ−３ａｔ％Ｔａターゲ
ットを用いた。Ｃｒ膜形成時の基板温度は３００゜Ｃ、
Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ磁性膜形成時の基板温度は１５０゜Ｃ
とした。スパッタのＡｒガス圧力は３〜１０ｍＴｏｒ
ｒ、スパッタパワーは６〜１０Ｗ／ｃｍ²とした。さら
に、保護膜としてカーボン膜を１０ｎｍの厚さに形成
し、磁気記録媒体を作製した。Ｘ線回折で膜構造を調
べ、Ｃｒ膜は（２００）回折線の強度が強く（１００）
優先配向膜であることを確認した。Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ膜
は、（１１−２０）優先配向をした多結晶膜であること
を確認した。

【００４１】上記と同様な方法で、ｂｃｃ結晶構造を持
つＣｒ−Ｚｒ膜を形成しないで、直接ＫＣｌ膜上にＣｏ
−Ｃｒ−Ｔａ磁性膜を形成し、さらにＣ保護膜を設けた
磁気記録媒体を作製した。比較試料として、平坦なガラ
ス基板上に直接Ｃｒ−Ｚｒ膜、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ膜及び
Ｃ膜を形成した磁気記録媒体を作製した。

【００４２】実施例１の場合と同様な条件で記録再生特
性を比較した結果、（１００）優先配向を示すＫＣｌ膜
を設けた本発明による磁気記録媒体は、いずれも比較試
料に較べて線記録密度が２５％、Ｓ／Ｎ比が４０％、オ
フトラック特性が３２％以上優れていることがわかっ
た。また、ＫＣｌ膜の代わりに別の材料として、ＬｉＣ
ｌ，ＮａＣｌ又はＬｉＦを用いた場合にも同様の望まし
い効果が確認された。

【００４３】〔実施例４〕一辺が２０ｍｍの矩形状の
（１００）ＭｇＯ単結晶４０１を基板に用いて、図４に
示す構造を有する磁気記録媒体を以下の手順で作製し
た。高周波マグネトロンスパッタ法によって、ｂｃｃ結
晶構造を持つ厚さ３０ｎｍのＶ膜４０２、ｈｃｐ結晶構
造を持つ厚さ１５ｎｍのＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ−Ｓｉ膜４０
３を形成した。磁性膜用にはＣｏ−１９ａｔ％Ｃｒ−２
ａｔ％Ｔａ−２ａｔ％Ｓｉターゲットを用いた。Ｖ膜形
成時の基板温度は４５０゜Ｃ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ−Ｓｉ
磁性膜形成時の基板温度は１５０゜Ｃとした。スパッタ
のＡｒガス圧力は３ｍＴｏｒｒ、スパッタパワーは１０
Ｗ／ｃｍ²とした。さらに、保護膜４０４としてボロン
膜を１０ｎｍの厚さに形成し、磁気記録媒体を作製し
た。

【００４４】Ｘ線回折で膜構造を調べ、Ｖ膜は（１０
０）面を基板と平行にエピタキシャル成長し、Ｃｏ−Ｃ
ｒ−Ｔａ−Ｓｉ膜は（１１−２０）面を基板と平行にエ
ピタキシャル成長していることを確認した。透過電子顕
微鏡で磁気記録媒体の組織を調べたところ、磁性膜には
亜粒界が入っており、この亜粒界で隔てられた結晶粒は
０．３〜１度の傾きを持っていた。結晶粒の平均の大き
さは４８ｎｍであった。また、結晶粒内部の組成を調べ
たところ、Ｃｒ及びＳｉが亜粒界付近に偏析していた。
この磁気記録媒体の磁化容易軸は２種類あって互いに直
交しており、この方向は（１００）ＭｇＯ基板の〈００
１〉に該当した。

【００４５】〔実施例５〕実施例４と同様な方法で、ｂ
ｃｃ結晶構造を持つＶ膜を形成しないで、直接（１０
０）ＭｇＯ基板５０１上にＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ−Ｓｉ磁性
膜５０２を形成し、さらにＣ保護膜５０３を設けた図５
に示す構造を有する磁気記録媒体を作製した。この磁気
記録媒体でも、磁化容易軸は上記と同様に（１００）Ｍ
ｇＯ基板の〈００１〉に揃っていた。

【００４６】〔実施例６〕図６に示すように、実施例４
や実施例５で作製した矩形状の磁気記録媒体６０１と、
磁気ヘッドを直線上に多数並べたマルチヘッド６０２を
組み合わせた磁気記録装置を作製し、磁気記録再生特性
を測定した。図６に示したマルチヘッド６０２は、磁気
記録媒体６０１と約０．０５μｍの間隔を保って高速単
振動運動をしており、磁気記録媒体は、この単振動運動
と直角方向に高速で任意の距離移動できるように構成さ
れている。この装置を用いて測定した磁気記録媒体の線
記録密度特性は、Ｖ膜を設けた磁気記録媒体ではＤ₅₀＝
７５ｋＦＣＩ、設けない磁気記録媒体ではＤ₅₀＝６８ｋ
ＦＣＩであった。

【００４７】〔実施例７〕直径１．８インチの石英ガラ
ス基板表面にフォトリソグラフィ法によって深さ５０ｎ
ｍ、谷部の幅４００ｎｍ、山部の幅１００ｎｍ、ピッチ
５００ｎｍの同心円状のグレーティングを形成した。こ
の基板を用いて、図７に示す構造を有する磁気記録媒体
を以下の手順で作製した。

【００４８】高周波スパッタ法で基板７０１を高温度に
保って、ＮａＣｌ構造を持つＭｇＯ膜７０２を１００ｎ
ｍの厚さに形成した。膜の形成後、不活性ガス雰囲気に
保った電気炉中で熱処理した。Ｘ線回折法でＭｇＯ膜を
調べた結果、ＭｇＯ膜は、（１００）面が基板とほぼ平
行になった配向多結晶膜であり、さらに結晶粒の［００
１］方向はほぼ同心円状に分布していることが分かっ
た。走査型電子顕微鏡でＭｇＯ膜の微細構造を調べたと
ころ、粒子径１００〜３００ｎｍの結晶粒からなってい
た。

【００４９】表面を研磨して平坦化した後、高周波マグ
ネトロンスパッタ法によって、ｂｃｃ結晶構造を持つ厚
さ５０ｎｍのＣｒ膜７０３、ｈｃｐ結晶構造を持つ厚さ
１５ｎｍのＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ膜７０４を形成した。磁性
膜用にはＣｏ−２１ａｔ％Ｃｒ−６ａｔ％Ｐｔターゲッ
トを用いた。Ｃｒ膜形成時の基板温度は４００゜Ｃ、Ｃ
ｏ−Ｃｒ−Ｐｔ磁性膜形成時の基板温度は１８０゜Ｃと
した。スパッタのＡｒガス圧力は１０ｍＴｏｒｒ、スパ
ッタパワーは１０Ｗ／ｃｍ²とした。

【００５０】この磁気記録媒体上に、磁気ヘッドフォロ
ーイング用の凹状のパターン７０５をフォトリソグラフ
ィ法によって形成した。すなわち、フォトレジストを用
いたパターンエッチング法で、１．５μｍ×１．５μｍ
×０．１μｍの窪みを千鳥状に形成した。次いで、保護
膜としてカーボン膜７０６を１０ｎｍの厚さに形成し
た。

【００５１】本実施例による磁気記録媒体は、磁気記録
再生特性が改良されているので原理的に面記録密度を向
上できる。これに加えて、媒体上に形成された一連の窪
みを、磁気ヘッドの一部に搭載された半導体レーザ光の
反射率の変化をモニターするか、あるいは窪み直上に磁
気ヘッドが来た時に磁気ヘッドの出力が変化する現象を
利用して高精度トラッキングを行なうことができるの
で、トラック方向の記録密度を大幅に向上でき、線記録
密度とトラック方向の密度の組合せを広範囲に選べ、こ
の結果、より容易に高密度磁気記録を行なうことができ
る。

【００５２】

【発明の効果】本発明によれば、記録密度、記録再生時
のＳ／Ｎ比及びオフトラック特性の改善された磁気記録
媒体を提供できるので、磁気ディスク装置の高密度化を
実現でき、装置の小型化や大容量化が容易になる効果が
ある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例１による磁気記録媒体の断面構
成模式図。

【図２】本発明の磁気記録媒体の基板表面に形成するグ
レーティングの形態を説明する図。

【図３】本発明の実施例２による磁気記録媒体の断面構
成模式図。

【図４】本発明の実施例４による磁気記録媒体の断面
図。

【図５】本発明の実施例５による磁気記録媒体の断面
図。

【図６】本発明の実施例６による磁気記録装置の構成
図。

【図７】本発明の実施例７による磁気記録媒体の断面構
成模式図。

【符号の説明】

１０１，２０１，７０１…基板１０２…起伏の谷部１０３…起伏の山部１０４，３０２…配向膜（ＮａＣｌ構造）１０５…配向膜（ｂｃｃ構造）１０６，３０３…配向膜（ｈｃｐ構造）１０７，３０４，４０４，７０６…保護膜４０１，５０１…（１００）単結晶基板（ＮａＣｌ構
造）４０２…（１００）単結晶膜（ｂｃｃ構造）４０３…（１１−２０）配向膜（ｈｃｐ構造）５０２…単結晶膜（ｈｃｐ構造）６０１…磁気記録媒体６０２…マルチヘッド７０２…膜（ＮａＣｌ構造）７０３…膜（ｂｃｃ構造）７０４…膜（ｈｃｐ構造）７０５…凹状のパターン

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｈ０１Ｆ 10/30 41/20 (72)発明者稲葉信幸東京都国分寺市東恋ヶ窪一丁目280番地株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者松田好文東京都国分寺市東恋ヶ窪一丁目280番地株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者鈴木幹夫東京都国分寺市東恋ヶ窪一丁目280番地株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者本多幸雄東京都国分寺市東恋ヶ窪一丁目280番地株式会社日立製作所中央研究所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】表面にミクロな起伏を有する基板上にＮ
ａＣｌ型結晶構造を持つ材料の（１００）配向膜からな
る第１の下地層を設け、その上に体心立方構造をもつ材
料からなる第２の下地層を形成し、さらにその上に六方
最密構造を持つＣｏ基合金からなる磁性膜を設けたこと
を特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】体心立方構造を持つ材料からなる第２の
下地層は（１００）配向した非磁性膜であり、磁性膜は
（１１−２０）配向したＣｏ基合金膜であることを特徴
とする請求項１記載の磁気記録媒体。
【請求項３】体心立方構造を持つ材料からなる第２の
下地層は、Ｃｒ，Ｖ，Ｎｂ又はＭｏもしくはこれらの元
素を主成分とする合金であることを特徴とする請求項１
又は２記載の磁気記録媒体。
【請求項４】表面にミクロな起伏を有する基板上にＮ
ａＣｌ型結晶構造を持つ材料の（１００）配向膜からな
る下地層を設け、その上に六方最密構造を持つＣｏ基合
金からなる磁性膜を設けたことを特徴とする磁気記録媒
体。
【請求項５】磁性膜は（１１−２０）配向したＣｏ基
合金膜であることを特徴とする請求項４記載の磁気記録
媒体。
【請求項６】前記ミクロな起伏は、高さが２ｎｍ以上
１μｍ以下、ピッチが１ｎｍ以上５００ｎｍ以下である
ことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項記載の磁
気記録媒体。
【請求項７】前記基板は円板状の外形を有し、前記ミ
クロな起伏は基板の円周方向に沿って形成されているこ
とを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項記載の磁気
記録媒体。
【請求項８】前記基板は円板状の外形を有し、前記ミ
クロな起伏は基板の半径方向に沿って２種類の模様が互
いに逆向きに円弧を描くように、かつ綾目状に交叉する
ように形成されていることを特徴とする請求項１〜６の
いずれか１項記載の磁気記録媒体。
【請求項９】（１００）面を基板面に有するＮａＣｌ
型結晶構造を持つ単結晶基板上に体心立方構造を持つ材
料からなる下地層を設け、その上に六方最密構造を持つ
Ｃｏ基合金からなる磁性膜を設けたことを特徴とする磁
気記録媒体。
【請求項１０】体心立方構造を持つ材料は、Ｃｒ，
Ｖ，Ｎｂ又はＭｏもしくはこれらの元素を主成分とする
合金であることを特徴とする請求項９記載の磁気記録媒
体。
【請求項１１】（１００）面を基板面に有するＮａＣ
ｌ型結晶構造を持つ単結晶基板上に六方最密構造を持つ
Ｃｏ基合金からなる磁性膜を設けたことを特徴とする磁
気記録媒体。
【請求項１２】外形が円板状又は矩形状であることを
特徴とする請求項１〜６、９〜１１のいずれか１項記載
の磁気記録媒体。
【請求項１３】ＮａＣｌ型結晶構造を持つ材料は、Ｍ
ｇＯ，ＣａＯ，ＴｉＯ，ＶＯ，ＭｎＯ，ＣｏＯ，ＮｉＯ
のいずれか又はこれらを主成分とする混晶、あるいはＬ
ｉＣｌ，ＮａＣｌ，ＫＣｌのいずれか又はこれらを主成
分とする混晶、あるいはＬｉＦ、あるいはＴｉＣ，Ｚｒ
Ｃ，ＨｆＣ，ＮｂＣ，ＴａＣのいずれか又はこれらを主
成分とする混晶であることを特徴とする請求項１〜１２
のいずれか１項記載の磁気記録媒体。
【請求項１４】磁性膜は、Ｃｏをベースとして、Ｃ
ｒ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｖ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｍｏ，Ｗ，Ｔ
ａ，Ｒｅ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ａｕ，Ａ
ｇ，Ｃｕ，Ｂ，Ａｌ，Ｃ，Ｓｉ，Ｐ，Ｎからなる元素群
のうち少なくとも１元素を含んだ六方最密構造を持つこ
とを特徴とする請求項１〜１３のいずれか１項記載の磁
気記録媒体。
【請求項１５】上記磁性膜の一部に凹状のパターンを
した非磁性領域又は光反射率の異なる領域を設けたこと
を特徴とする請求項１〜１４のいずれか１項記載の磁気
記録媒体。
【請求項１６】ベースとなる基板表面上に高さが２ｎ
ｍ以上１μｍ以下、ピッチが１ｎｍ以上５００ｎｍ以下
のミクロな起伏を形成する工程と、その上に物理蒸着法
によってＮａＣｌ型結晶構造を持つ材料の（１００）配
向膜を膜厚が１０ｎｍ以上１００μｍ以下となるように
形成する工程と、その上に物理蒸着法によって体心立方
構造をもつ材料からなる層を膜厚が１μｍ以下となるよ
うに形成する工程と、さらにその上に物理蒸着法によっ
て六方最密構造を持つＣｏ基合金からなる磁性膜を膜厚
が２ｎｍ以上１００ｎｍ以下となるように形成する工程
とを含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１７】ベースとなる基板表面に高さが２ｎｍ
以上１μｍ以下、ピッチが１ｎｍ以上５００ｎｍ以下の
ミクロな起伏を形成する工程と、その上に物理蒸着法に
よってＮａＣｌ型結晶構造を持つ材料の（１００）配向
膜を膜厚が１０ｎｍ以上１００μｍ以下となるように形
成する工程と、その上に物理蒸着法によって六方最密構
造を持つＣｏ基合金からなる磁性膜を膜厚が２ｎｍ以上
１００ｎｍ以下となるように形成する工程とを含むこと
を特徴とする磁気記録媒体の製造方法。。
【請求項１８】前記ミクロな起伏を形成する工程はフ
ォトリソグラフィ法によって行われることを特徴とする
請求項１６又は１７記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１９】（１００）面を基板面に有するＮａＣ
ｌ型結晶構造を持つ単結晶基板上に物理蒸着法によって
体心立方構造を持つ材料からなる下地層を膜厚が１μｍ
以下となるように形成する工程と、その上に物理蒸着法
によって六方最密構造を持つＣｏ基合金からなる磁性膜
を膜厚が２ｎｍ以上１００ｎｍ以下となるように形成す
る工程とを含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方
法。
【請求項２０】（１００）面を基板面に有するＮａＣ
ｌ型結晶構造を持つ単結晶基板上に物理蒸着法によって
六方最密構造を持つＣｏ基合金からなる磁性膜を膜厚が
２ｎｍ以上１００ｎｍ以下となるように形成する工程を
含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２１】体心立方構造を持つ材料として、Ｃ
ｒ，Ｖ，Ｎｂ又はＭｏもしくはこれらの元素を主成分と
する合金を用いることを特徴とする請求項１６又は１９
記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２２】ＮａＣｌ型結晶構造を持つ材料とし
て、ＭｇＯ，ＣａＯ，ＴｉＯ，ＶＯ，ＭｎＯ，ＣｏＯ，
ＮｉＯのいずれか又はこれらを主成分とする混晶、ある
いはＬｉＣｌ，ＮａＣｌ，ＫＣｌのいずれか又はこれら
を主成分とする混晶、あるいはＬｉＦ、あるいはＴｉ
Ｃ，ＺｒＣ，ＨｆＣ，ＮｂＣ，ＴａＣのいずれか又はこ
れらを主成分とする混晶を用いることを特徴とする請求
項１６〜２１のいずれか１項記載の磁気記録媒体の製造
方法。
【請求項２３】磁性膜として、Ｃｏをベースとして、
Ｃｒ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｖ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｍｏ，Ｗ，
Ｔａ，Ｒｅ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ａｕ，Ａ
ｇ，Ｃｕ，Ｂ，Ａｌ，Ｃ，Ｓｉ，Ｐ，Ｎからなる元素群
のうち少なくとも１元素を含んだ六方最密構造を持つ材
料を用いることを特徴とする請求項１６〜２２のいずれ
か１項記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２４】物理蒸着法としてスパッタ法を用いる
ことを特徴とする請求項１６〜２４のいずれか１項記載
の磁気録媒体の製造方法。
【請求項２５】磁性膜の一部にトラッキング用の凹状
のパターンを形成する工程を更に含むことを特徴とする
請求項１６〜２４のいずれか１項記載の磁気記録媒体の
製造方法。