JPH07120508A - バッテリアラーム検出回路 - Google Patents
バッテリアラーム検出回路Info
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- JPH07120508A JPH07120508A JP5263484A JP26348493A JPH07120508A JP H07120508 A JPH07120508 A JP H07120508A JP 5263484 A JP5263484 A JP 5263484A JP 26348493 A JP26348493 A JP 26348493A JP H07120508 A JPH07120508 A JP H07120508A
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- power supply
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 電源切断時の不揮発性メモリの電源電圧を監
視することにより、バッテリー電圧の低下をより正確に
検出できるバッテリーアラーム検出回路を提供すること
を目的とする。 【構成】 第１のスイッチ回路１は電源投入時に内部電
源の電源電圧ＶCCを選択し、電源切断時にはバッテリの
電源電圧ＶB を負荷側に供給する。また、第２のスイッ
チ回路２は電源投入時に内部電源の電源電圧ＶCCを選択
し、電源切断時にはバッテリの電源電圧ＶB を電圧低下
検出回路３とアラームラッチ回路４に供給する。電圧低
下検出回路３は電源切断時はバッテリの電源電圧ＶB で
動作する。電圧低下検出回路３は第１のスイッチ回路１
の電源出力ＶBBをうけてバッテリの出力電圧の低下を検
出し、アラーム信号＊ＡＬＭを出力する。そして、アラ
ームラッチ回路はアラーム信号＊ＡＬＭを記憶する。
視することにより、バッテリー電圧の低下をより正確に
検出できるバッテリーアラーム検出回路を提供すること
を目的とする。 【構成】 第１のスイッチ回路１は電源投入時に内部電
源の電源電圧ＶCCを選択し、電源切断時にはバッテリの
電源電圧ＶB を負荷側に供給する。また、第２のスイッ
チ回路２は電源投入時に内部電源の電源電圧ＶCCを選択
し、電源切断時にはバッテリの電源電圧ＶB を電圧低下
検出回路３とアラームラッチ回路４に供給する。電圧低
下検出回路３は電源切断時はバッテリの電源電圧ＶB で
動作する。電圧低下検出回路３は第１のスイッチ回路１
の電源出力ＶBBをうけてバッテリの出力電圧の低下を検
出し、アラーム信号＊ＡＬＭを出力する。そして、アラ
ームラッチ回路はアラーム信号＊ＡＬＭを記憶する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は不揮発性メモリのバック
アップ用のバッテリの電圧低下を検出するバッテリアラ
ーム検出回路に関し、特に数値制御装置及びセルコント
ローラ等のＦＡ制御装置に使用されるバッテリアラーム
検出回路に関する。
アップ用のバッテリの電圧低下を検出するバッテリアラ
ーム検出回路に関し、特に数値制御装置及びセルコント
ローラ等のＦＡ制御装置に使用されるバッテリアラーム
検出回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＦＡ装置の不揮発性メモリは、電源切断
時にはバッテリから電源を供給している。そのため、バ
ッテリの電圧が低下するとメモリに供給される電圧も低
下し、メモリのデータ保持電圧以下に落ちるとメモリの
内容が消去されてしまう。
時にはバッテリから電源を供給している。そのため、バ
ッテリの電圧が低下するとメモリに供給される電圧も低
下し、メモリのデータ保持電圧以下に落ちるとメモリの
内容が消去されてしまう。
【０００３】それを防ぐために、不揮発性メモリを持つ
ＦＡ装置ではメモリバックアップ用バッテリの電圧を監
視し、電圧が下がった場合それを感知してアラームを発
生させるバッテリアラーム検出回路を有する。このバッ
テリアラーム検出回路は電源投入時の、バッテリと不揮
発性メモリが切り離された状態で電圧を監視してアラー
ムを発生させる。
ＦＡ装置ではメモリバックアップ用バッテリの電圧を監
視し、電圧が下がった場合それを感知してアラームを発
生させるバッテリアラーム検出回路を有する。このバッ
テリアラーム検出回路は電源投入時の、バッテリと不揮
発性メモリが切り離された状態で電圧を監視してアラー
ムを発生させる。
【０００４】また、ＦＡ装置では不揮発性メモリの電源
を電源投入時には電源ユニットから供給し、電源切断時
にはバッテリから供給するためのスイッチ回路を有す
る。第４図は従来のバッテリアラーム検出回路の回路図
である。この回路は、電圧低下検出回路５、スイッチ回
路６、バッテリ８、大容量コンデンサＣ３で構成されて
いる。バッテリ８の出力はスイッチ回路６内のダイオー
ドＤ６１及び、電圧低下検出回路５内の抵抗器Ｒ５３、
Ｒ５４に接続される。ダイオードＤ６１は、トランジス
タＱ６１のコレクタに接続される。トランジスタＱ６１
のベースには切換用信号＊ＳＰＥＮが入力され、エミッ
タには電源電圧ＶCCが入力される。Ｑ６１のコレクタの
出力は不揮発性メモリに電源電圧ＶBBとして供給され、
不揮発性メモリの手前にスーパーキャパーシタと呼ばれ
る大容量コンデンサＣ３が接続されている。
を電源投入時には電源ユニットから供給し、電源切断時
にはバッテリから供給するためのスイッチ回路を有す
る。第４図は従来のバッテリアラーム検出回路の回路図
である。この回路は、電圧低下検出回路５、スイッチ回
路６、バッテリ８、大容量コンデンサＣ３で構成されて
いる。バッテリ８の出力はスイッチ回路６内のダイオー
ドＤ６１及び、電圧低下検出回路５内の抵抗器Ｒ５３、
Ｒ５４に接続される。ダイオードＤ６１は、トランジス
タＱ６１のコレクタに接続される。トランジスタＱ６１
のベースには切換用信号＊ＳＰＥＮが入力され、エミッ
タには電源電圧ＶCCが入力される。Ｑ６１のコレクタの
出力は不揮発性メモリに電源電圧ＶBBとして供給され、
不揮発性メモリの手前にスーパーキャパーシタと呼ばれ
る大容量コンデンサＣ３が接続されている。
【０００５】電圧低下検出回路５の、抵抗器Ｒ５４のも
う一方の端子は接地されており、抵抗器Ｒ５３は比較器
ＩＣ５１に接続される。電源電圧ＶCCが抵抗器Ｒ５１を
介し、抵抗器Ｒ５２、比較器ＩＣ５１の基準電圧側に入
力される。比較器ＩＣ５１の出力側は抵抗器Ｒ５５を介
し、電源ＶCCに接続されている。比較器ＩＣ５１の出力
はバッテリアラーム信号＊ＢＡＴＡＬＭである。
う一方の端子は接地されており、抵抗器Ｒ５３は比較器
ＩＣ５１に接続される。電源電圧ＶCCが抵抗器Ｒ５１を
介し、抵抗器Ｒ５２、比較器ＩＣ５１の基準電圧側に入
力される。比較器ＩＣ５１の出力側は抵抗器Ｒ５５を介
し、電源ＶCCに接続されている。比較器ＩＣ５１の出力
はバッテリアラーム信号＊ＢＡＴＡＬＭである。
【０００６】スイッチ回路６では、電源投入時にトラン
ジスタＱ６１に入力された切換用信号＊ＳＰＥＮがロー
レベルになり、トランジスタＱ６１のエミッタに入力さ
れた電源電圧ＶCCが不揮発性メモリの電源電圧ＶBBとし
て出力される。電源切断時には、切換用信号＊ＳＰＥＮ
がハイレベルになり、バッテリ８より入力されたバッテ
リ電源電圧ＶB がダイオードＤ６１を経由し不揮発性メ
モリの電源電圧ＶBBとして出力される。不揮発性メモリ
の電源電圧ＶBBの出力経路に接続されている大容量コン
デンサＣ３は、電源切断時にバッテリ８が一時的に外さ
れた場合の一定時間の不揮発性メモリの電源電圧ＶBBを
保時する。
ジスタＱ６１に入力された切換用信号＊ＳＰＥＮがロー
レベルになり、トランジスタＱ６１のエミッタに入力さ
れた電源電圧ＶCCが不揮発性メモリの電源電圧ＶBBとし
て出力される。電源切断時には、切換用信号＊ＳＰＥＮ
がハイレベルになり、バッテリ８より入力されたバッテ
リ電源電圧ＶB がダイオードＤ６１を経由し不揮発性メ
モリの電源電圧ＶBBとして出力される。不揮発性メモリ
の電源電圧ＶBBの出力経路に接続されている大容量コン
デンサＣ３は、電源切断時にバッテリ８が一時的に外さ
れた場合の一定時間の不揮発性メモリの電源電圧ＶBBを
保時する。
【０００７】バッテリアラーム検出回路は、電源電圧Ｖ
CCで動作する。バッテリ８より入力されたバッテリ電源
電圧ＶB は、抵抗器Ｒ５３を介し、比較器ＩＣ５１に入
力される。比較器ＩＣ５１の基準電圧Ｖraは、電源電圧
ＶCCを抵抗器Ｒ５１と抵抗器Ｒ５２の比により分圧され
た電圧である。この基準電圧Ｖraは、不揮発性メモリの
データ保持電圧よりも高く設定する必要がある。例え
ば、不揮発性メモリのデータ保持電圧が仮に２Ｖであっ
たときは、基準電圧Ｖraは２．５Ｖ近くに設定をする。
CCで動作する。バッテリ８より入力されたバッテリ電源
電圧ＶB は、抵抗器Ｒ５３を介し、比較器ＩＣ５１に入
力される。比較器ＩＣ５１の基準電圧Ｖraは、電源電圧
ＶCCを抵抗器Ｒ５１と抵抗器Ｒ５２の比により分圧され
た電圧である。この基準電圧Ｖraは、不揮発性メモリの
データ保持電圧よりも高く設定する必要がある。例え
ば、不揮発性メモリのデータ保持電圧が仮に２Ｖであっ
たときは、基準電圧Ｖraは２．５Ｖ近くに設定をする。
【０００８】バッテリ電源電圧ＶB を基準電圧Ｖraと比
較して、バッテリ電源電圧ＶB の方が低くなると、比較
器ＩＣ５１の出力はローレベルとなり、バッテリアラー
ム信号＊ＢＡＴＡＬＭを出力する。
較して、バッテリ電源電圧ＶB の方が低くなると、比較
器ＩＣ５１の出力はローレベルとなり、バッテリアラー
ム信号＊ＢＡＴＡＬＭを出力する。
【０００９】電圧低下検出回路５が動作するのは電源投
入時である。そして、電源投入時には不揮発性メモリに
も電源電圧ＶCCが供給されている。そのため、不揮発性
メモリの電源電圧ＶBBを直に電圧低下検出回路５で監視
しても電源電圧ＶCCが検出されてしまう。そのため、電
圧低下検出回路５はバッテリ電源電圧ＶB を監視してい
る。
入時である。そして、電源投入時には不揮発性メモリに
も電源電圧ＶCCが供給されている。そのため、不揮発性
メモリの電源電圧ＶBBを直に電圧低下検出回路５で監視
しても電源電圧ＶCCが検出されてしまう。そのため、電
圧低下検出回路５はバッテリ電源電圧ＶB を監視してい
る。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のバッテ
リアラーム検出回路は、電源電圧ＶCCで動作しているの
で、電源投入時にのみ動作している。このとき、バッテ
リ８は不揮発性メモリから切り離され電流を流していな
いので、電源が切断されバッテリ８から不揮発性メモリ
に電源を供給しているときの状態を監視していない。そ
のため、電源が切断されバッテリ８から不揮発性メモリ
に電流が流れたときは、バッテリの内部抵抗による電圧
降下がおきる。そのため、電圧低下検出回路５が監視す
る電圧は、バッテリの内部抵抗による電圧降下分だけ、
不揮発性メモリへの電源電圧ＶBBより高くなる。
リアラーム検出回路は、電源電圧ＶCCで動作しているの
で、電源投入時にのみ動作している。このとき、バッテ
リ８は不揮発性メモリから切り離され電流を流していな
いので、電源が切断されバッテリ８から不揮発性メモリ
に電源を供給しているときの状態を監視していない。そ
のため、電源が切断されバッテリ８から不揮発性メモリ
に電流が流れたときは、バッテリの内部抵抗による電圧
降下がおきる。そのため、電圧低下検出回路５が監視す
る電圧は、バッテリの内部抵抗による電圧降下分だけ、
不揮発性メモリへの電源電圧ＶBBより高くなる。
【００１１】また、電圧低下検出回路５は、バッテリ電
源電圧ＶB をスイッチ回路６の前で監視している。その
ため、電圧低下検出回路５が監視する電圧は、不揮発性
メモリの電源電圧ＶBBより、スイッチ回路６での電圧降
下分高くなる。
源電圧ＶB をスイッチ回路６の前で監視している。その
ため、電圧低下検出回路５が監視する電圧は、不揮発性
メモリの電源電圧ＶBBより、スイッチ回路６での電圧降
下分高くなる。
【００１２】上記の理由により、電圧低下検出回路５が
監視している電圧と、不揮発性メモリの電源電圧ＶBBで
の電圧の差が大きく、場合によっては、不揮発性メモリ
の電源電圧ＶBBがデータ保持電圧以下になってもバッテ
リアラーム信号＊ＢＡＴＡＬＭが出力されないという問
題がある。
監視している電圧と、不揮発性メモリの電源電圧ＶBBで
の電圧の差が大きく、場合によっては、不揮発性メモリ
の電源電圧ＶBBがデータ保持電圧以下になってもバッテ
リアラーム信号＊ＢＡＴＡＬＭが出力されないという問
題がある。
【００１３】また、この誤差を考慮し、電圧低下検出回
路５の比較器ＩＣ５１に入力する基準電圧Ｖraを高めに
設定すると、まだ十分に使用可能なバッテリであっても
バッテリアラーム信号＊ＢＡＴＡＬＭを出力してしまう
という問題がある。
路５の比較器ＩＣ５１に入力する基準電圧Ｖraを高めに
設定すると、まだ十分に使用可能なバッテリであっても
バッテリアラーム信号＊ＢＡＴＡＬＭを出力してしまう
という問題がある。
【００１４】本発明はこのような点に鑑みてなされたも
のであり、より正確にバッテリの電圧低下を検出できる
バッテリアラーム検出回路を提供することを目的とす
る。
のであり、より正確にバッテリの電圧低下を検出できる
バッテリアラーム検出回路を提供することを目的とす
る。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明では上記課題を解
決するために、不揮発性メモリのバックアップ用のバッ
テリの電圧低下を検出するバッテリアラーム検出回路に
おいて、バッテリと、電源投入時に内部電源の電源電圧
を選択し、電源切断時に前記バッテリの電源電圧を負荷
側に供給する第１のスイッチ回路と、バッテリの電源で
動作し、前記第１のスイッチ回路の電源出力を受けて前
記バッテリの出力電圧の低下を検出し、アラーム信号を
出力する電圧低下検出回路と、バッテリの電源で動作
し、前記アラーム信号を記憶するアラームラッチ回路
と、を有することを特徴とするバッテリアラーム検出回
路が、提供される。
決するために、不揮発性メモリのバックアップ用のバッ
テリの電圧低下を検出するバッテリアラーム検出回路に
おいて、バッテリと、電源投入時に内部電源の電源電圧
を選択し、電源切断時に前記バッテリの電源電圧を負荷
側に供給する第１のスイッチ回路と、バッテリの電源で
動作し、前記第１のスイッチ回路の電源出力を受けて前
記バッテリの出力電圧の低下を検出し、アラーム信号を
出力する電圧低下検出回路と、バッテリの電源で動作
し、前記アラーム信号を記憶するアラームラッチ回路
と、を有することを特徴とするバッテリアラーム検出回
路が、提供される。
【００１６】
【作用】第１のスイッチ回路は電源投入時に内部電源の
電源電圧を選択し、電源切断時にバッテリの電源電圧を
負荷側に供給する。また、電圧低下検出回路はバッテリ
の電源で動作し、前記第１のスイッチ回路電源出力をう
けてバッテリの出力電圧の低下を検出し、アラーム信号
を出力する。そして、アラームラッチ回路はバッテリの
電源で動作し、前記アラーム信号を記憶する。
電源電圧を選択し、電源切断時にバッテリの電源電圧を
負荷側に供給する。また、電圧低下検出回路はバッテリ
の電源で動作し、前記第１のスイッチ回路電源出力をう
けてバッテリの出力電圧の低下を検出し、アラーム信号
を出力する。そして、アラームラッチ回路はバッテリの
電源で動作し、前記アラーム信号を記憶する。
【００１７】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説
明する。図２は本実施例のバッテリアラーム検出回路を
有する数値制御装置の概略構成を示すブロック図であ
る。この数値制御装置は、プロセッサ１１に接続された
バス２１を介し、バッテリアラーム検出回路１０、ＲＯ
Ｍ１２、ＲＡＭ１３、不揮発性メモリ１４、グラフィッ
ク制御回路１５、ソフトウェアキー２３、キーボード１
７、軸制御回路１８、ＰＣＭ２２が接続されている。電
源ユニット９とバッテリ７は、バッテリアラーム検出回
路１０を介し、不揮発性メモリ１４に電源電圧を供給す
る。グラフィック制御回路１５と、表示装置１６と、キ
ーボード１７と、ソフトウェアキー２３でＭＤＩ／ＣＲ
Ｔユニット２５を構成している。グラフィック制御回路
１５には表示装置１６が接続され加工プログラム、アラ
ーム、パラメータを表示する。軸制御回路はサーボアン
プ１９に接続され、図示されていない工作機械のサーボ
モータを駆動する。ＰＭＣ２２は工作機械２０のアクチ
ュエイタ等を制御する。
明する。図２は本実施例のバッテリアラーム検出回路を
有する数値制御装置の概略構成を示すブロック図であ
る。この数値制御装置は、プロセッサ１１に接続された
バス２１を介し、バッテリアラーム検出回路１０、ＲＯ
Ｍ１２、ＲＡＭ１３、不揮発性メモリ１４、グラフィッ
ク制御回路１５、ソフトウェアキー２３、キーボード１
７、軸制御回路１８、ＰＣＭ２２が接続されている。電
源ユニット９とバッテリ７は、バッテリアラーム検出回
路１０を介し、不揮発性メモリ１４に電源電圧を供給す
る。グラフィック制御回路１５と、表示装置１６と、キ
ーボード１７と、ソフトウェアキー２３でＭＤＩ／ＣＲ
Ｔユニット２５を構成している。グラフィック制御回路
１５には表示装置１６が接続され加工プログラム、アラ
ーム、パラメータを表示する。軸制御回路はサーボアン
プ１９に接続され、図示されていない工作機械のサーボ
モータを駆動する。ＰＭＣ２２は工作機械２０のアクチ
ュエイタ等を制御する。
【００１８】電源投入時は電源電圧ＶCCが、電源切断時
はバッテリ電源電圧ＶB がバッテリアラーム検出回路１
０で選択され、不揮発性メモリの電源電圧ＶBBとして出
力される。また、バッテリアラーム検出回路１０は電源
切断時には、バッテリ７より供給されている不揮発性メ
モリ１４の電源電圧ＶBBを監視し、電圧低下時にはバッ
テリアラーム信号＊ＢＡＴＡＬＭを出力する。プロセッ
サ１１は電源投入時にバッテリアラーム信号＊ＢＡＴＡ
ＬＭを受け取ると、表示装置１６に不揮発性メモリ１４
の電源電圧ＶBBが低下しているという警告を表示する。
はバッテリ電源電圧ＶB がバッテリアラーム検出回路１
０で選択され、不揮発性メモリの電源電圧ＶBBとして出
力される。また、バッテリアラーム検出回路１０は電源
切断時には、バッテリ７より供給されている不揮発性メ
モリ１４の電源電圧ＶBBを監視し、電圧低下時にはバッ
テリアラーム信号＊ＢＡＴＡＬＭを出力する。プロセッ
サ１１は電源投入時にバッテリアラーム信号＊ＢＡＴＡ
ＬＭを受け取ると、表示装置１６に不揮発性メモリ１４
の電源電圧ＶBBが低下しているという警告を表示する。
【００１９】図１は本発明のバッテリーアラーム検出回
路の回路図である。バッテリ７の出力は第１のスイッチ
回路１と第２のスイッチ回路２に送られる。第１のスイ
ッチ回路に入力されたバッテリ電源電圧ＶB はダイオー
ドＤ１１を介し、トランジスタＱ１１のコレクタに接続
される。トランジスタＱ１１のベースには切換信号＊Ｓ
ＰＥＮが入力され、エミッタには電源電圧ＶCCが入力さ
れる。トランジスタＱ１１のコレクタは大容量コンデン
サＣ１を介して不揮発性メモリに電源電圧ＶBBを供給す
る。一方、トランジスタＱ１１のコレクタはアラーム検
出回路３の比較器ＩＣ３１に接続される。
路の回路図である。バッテリ７の出力は第１のスイッチ
回路１と第２のスイッチ回路２に送られる。第１のスイ
ッチ回路に入力されたバッテリ電源電圧ＶB はダイオー
ドＤ１１を介し、トランジスタＱ１１のコレクタに接続
される。トランジスタＱ１１のベースには切換信号＊Ｓ
ＰＥＮが入力され、エミッタには電源電圧ＶCCが入力さ
れる。トランジスタＱ１１のコレクタは大容量コンデン
サＣ１を介して不揮発性メモリに電源電圧ＶBBを供給す
る。一方、トランジスタＱ１１のコレクタはアラーム検
出回路３の比較器ＩＣ３１に接続される。
【００２０】第２のスイッチ回路２は、第１のスイッチ
回路１と同じ構成をしており、バッテリ電源電圧ＶB と
電源電圧ＶCCとを切換信号＊ＳＰＥＮで切換えて入力す
る。その入力電圧は分岐され、大容量コンデンサＣ２に
接続され、定電流ダイオードＤ３１、比較器ＩＣ３１、
アラームラッチ回路４、抵抗器Ｒ３２に電源電圧ＶBB 2
を供給する。定電流ダイオードＤ３１の出力は、抵抗器
Ｒ３１を介し接地されるとともに、比較器ＩＣ３１の基
準電圧側に接続される。比較器ＩＣ３１の出力はアラー
ム信号＊ＡＬＭであり、アラームラッチ回路４に接続さ
れる。アラームラッチ回路４はバッテリアラーム信号＊
ＢＡＴＡＬＭを出力する。
回路１と同じ構成をしており、バッテリ電源電圧ＶB と
電源電圧ＶCCとを切換信号＊ＳＰＥＮで切換えて入力す
る。その入力電圧は分岐され、大容量コンデンサＣ２に
接続され、定電流ダイオードＤ３１、比較器ＩＣ３１、
アラームラッチ回路４、抵抗器Ｒ３２に電源電圧ＶBB 2
を供給する。定電流ダイオードＤ３１の出力は、抵抗器
Ｒ３１を介し接地されるとともに、比較器ＩＣ３１の基
準電圧側に接続される。比較器ＩＣ３１の出力はアラー
ム信号＊ＡＬＭであり、アラームラッチ回路４に接続さ
れる。アラームラッチ回路４はバッテリアラーム信号＊
ＢＡＴＡＬＭを出力する。
【００２１】以上の構成において、第１のスイッチ回路
１では電源投入時にトランジスタＱ１１のベースに入力
された切換信号＊ＳＰＥＮがローレベルになり、トラン
ジスタＱ１１のエミッタに入力された電源電圧ＶCCが不
揮発性メモリの電源電圧ＶBBとして出力される。逆に、
電源切断時には切換信号＊ＳＰＥＮがハイレベルにな
り、バッテリ７より入力されたバッテリ電源電圧ＶB が
ダイオードＤ１１を経由し不揮発性メモリの電源電圧Ｖ
BBとして入力される。不揮発性メモリの電源電圧ＶBBの
出力経路に接続されている大容量コンデンサＣ１は、電
源切断時にバッテリ７が一時的に外された場合の一定時
間の不揮発性メモリの電源電圧ＶBBを保時する。
１では電源投入時にトランジスタＱ１１のベースに入力
された切換信号＊ＳＰＥＮがローレベルになり、トラン
ジスタＱ１１のエミッタに入力された電源電圧ＶCCが不
揮発性メモリの電源電圧ＶBBとして出力される。逆に、
電源切断時には切換信号＊ＳＰＥＮがハイレベルにな
り、バッテリ７より入力されたバッテリ電源電圧ＶB が
ダイオードＤ１１を経由し不揮発性メモリの電源電圧Ｖ
BBとして入力される。不揮発性メモリの電源電圧ＶBBの
出力経路に接続されている大容量コンデンサＣ１は、電
源切断時にバッテリ７が一時的に外された場合の一定時
間の不揮発性メモリの電源電圧ＶBBを保時する。
【００２２】第２のスイッチ回路２は、第１のスイッチ
回路１と同様の動作をし、電源投入時に切換信号＊ＳＰ
ＥＮがローレベルになり、電源電圧ＶCCが電圧低下検出
回路３とアラームラッチ回路４の電源電圧ＶBB2 として
出力される。電源切断時には、切換信号＊ＳＰＥＮがハ
イレベルになり、バッテリ７より入力されたバッテリ電
源電圧ＶB が電圧低下検出回路３とアラームラッチ回路
４の電源電圧ＶBB2 として出力される。出力側に接続さ
れている大容量コンデンサＣ２は大容量コンデンサＣ１
よりも容量が大きく、電源切断時にバッテリ７が一時的
に外された場合の一定時間の電圧低下検出回路３とアラ
ームラッチ回路４の電源電圧ＶBB2 を保時する。
回路１と同様の動作をし、電源投入時に切換信号＊ＳＰ
ＥＮがローレベルになり、電源電圧ＶCCが電圧低下検出
回路３とアラームラッチ回路４の電源電圧ＶBB2 として
出力される。電源切断時には、切換信号＊ＳＰＥＮがハ
イレベルになり、バッテリ７より入力されたバッテリ電
源電圧ＶB が電圧低下検出回路３とアラームラッチ回路
４の電源電圧ＶBB2 として出力される。出力側に接続さ
れている大容量コンデンサＣ２は大容量コンデンサＣ１
よりも容量が大きく、電源切断時にバッテリ７が一時的
に外された場合の一定時間の電圧低下検出回路３とアラ
ームラッチ回路４の電源電圧ＶBB2 を保時する。
【００２３】以上の構成において、監視すべき電源電圧
ＶBBと基準電圧Ｖr を比較器ＩＣ３１に入力する。基準
電圧Ｖr は定電流ダイオードＤ３１と抵抗器Ｒ３１によ
って分圧して作られる。このとき、定電流ダイオードＤ
３１は、アラームラッチ電圧低下検出回路３の電源電圧
ＶBB2 の電圧の変動に影響されない電圧を比較器ＩＣ３
１に供給する。比較器ＩＣ３１では、電源電圧ＶBBを基
準電圧Ｖr と比較して、電源電圧ＶBBの方が低くなる
と、比較器ＩＣ３１の出力がローレベルになりアラーム
信号＊ＡＬＭを出力する。
ＶBBと基準電圧Ｖr を比較器ＩＣ３１に入力する。基準
電圧Ｖr は定電流ダイオードＤ３１と抵抗器Ｒ３１によ
って分圧して作られる。このとき、定電流ダイオードＤ
３１は、アラームラッチ電圧低下検出回路３の電源電圧
ＶBB2 の電圧の変動に影響されない電圧を比較器ＩＣ３
１に供給する。比較器ＩＣ３１では、電源電圧ＶBBを基
準電圧Ｖr と比較して、電源電圧ＶBBの方が低くなる
と、比較器ＩＣ３１の出力がローレベルになりアラーム
信号＊ＡＬＭを出力する。
【００２４】アラームラッチ回路４の回路例を図３に示
す。第２のスイッチ回路２より入力された電源電圧Ｖ
BB2 は分岐され、トランジスタＱ４１のエミッタに接続
され、抵抗器Ｒ４３を介しトランジスタＱ４２のコレク
タに接続されるとともに、トランジスタＱ４３のエミッ
タに接続される。トランジスタＱ４１のベースには、ア
ラーム信号＊ＡＬＭが入力される。トランジスタＱ４１
のコレクタは抵抗器Ｒ４２を介してトランジスタＱ４２
のベースに入力されるとともに、抵抗器Ｒ４５を介し接
地される。トランジスタＱ４２のエミッタは接地され
る。抵抗器Ｒ４３とトランジスタＱ４２のコレクタの接
続点は、トランジスタＱ４３のベースに接続されるとと
もに、バッテリアラーム信号＊ＢＡＴＡＭとして出力さ
れる。トランジスタＱ４３のコレクタは抵抗器Ｒ４７を
介し接地されるとともに、抵抗器Ｒ４６を介しリセット
スイッチ４ａに接続される。抵抗器Ｒ４６とリセットス
イッチ４ａの接続点は、抵抗器Ｒ４２、Ｒ４５、トラン
ジスタＱ４２のベースとも接続される。
す。第２のスイッチ回路２より入力された電源電圧Ｖ
BB2 は分岐され、トランジスタＱ４１のエミッタに接続
され、抵抗器Ｒ４３を介しトランジスタＱ４２のコレク
タに接続されるとともに、トランジスタＱ４３のエミッ
タに接続される。トランジスタＱ４１のベースには、ア
ラーム信号＊ＡＬＭが入力される。トランジスタＱ４１
のコレクタは抵抗器Ｒ４２を介してトランジスタＱ４２
のベースに入力されるとともに、抵抗器Ｒ４５を介し接
地される。トランジスタＱ４２のエミッタは接地され
る。抵抗器Ｒ４３とトランジスタＱ４２のコレクタの接
続点は、トランジスタＱ４３のベースに接続されるとと
もに、バッテリアラーム信号＊ＢＡＴＡＭとして出力さ
れる。トランジスタＱ４３のコレクタは抵抗器Ｒ４７を
介し接地されるとともに、抵抗器Ｒ４６を介しリセット
スイッチ４ａに接続される。抵抗器Ｒ４６とリセットス
イッチ４ａの接続点は、抵抗器Ｒ４２、Ｒ４５、トラン
ジスタＱ４２のベースとも接続される。
【００２５】上記のアラームラッチ回路に、アラーム信
号＊ＡＬＭが入力されるとトランジスタＱ４１はオン
し、エミッタに入力された電源電圧ＶBB2 がトランジス
タＱ４２のベースに供給される。そして、トランジスタ
Ｑ４２はオンし、コレクタはローレベルとなり、バッテ
リアラーム信号＊ＢＡＴＡＬＭを出力する。また、バッ
テリアラーム信号＊ＢＡＴＡＬＭが出力されるとトラン
ジスタＱ４３はオンになり、電源電圧ＶBB2 がトランジ
スタＱ４２のベースに供給され、トランジスタＱ４２は
オンになる。この結果、アラーム信号＊ＡＬＭがハイレ
ベルになっても、トランジスタＱ４２はオン状態が保持
され、バッテリアラーム信号＊ＢＡＴＡＬＭが記憶され
る。記憶されたバッテリアラーム信号＊ＢＡＴＡＬＭ
は、リセットスイッチ４ａにリセット信号ＲＥＳＥＴを
入力することにより消去することができる。このリセッ
ト信号ＲＥＳＥＴはバッテリ７を交換するときに入力す
る。このように、監視する電圧を不揮発性メモリの電源
電圧ＶBBとしたので、より正確にバッテリの電圧低下を
検出できる。
号＊ＡＬＭが入力されるとトランジスタＱ４１はオン
し、エミッタに入力された電源電圧ＶBB2 がトランジス
タＱ４２のベースに供給される。そして、トランジスタ
Ｑ４２はオンし、コレクタはローレベルとなり、バッテ
リアラーム信号＊ＢＡＴＡＬＭを出力する。また、バッ
テリアラーム信号＊ＢＡＴＡＬＭが出力されるとトラン
ジスタＱ４３はオンになり、電源電圧ＶBB2 がトランジ
スタＱ４２のベースに供給され、トランジスタＱ４２は
オンになる。この結果、アラーム信号＊ＡＬＭがハイレ
ベルになっても、トランジスタＱ４２はオン状態が保持
され、バッテリアラーム信号＊ＢＡＴＡＬＭが記憶され
る。記憶されたバッテリアラーム信号＊ＢＡＴＡＬＭ
は、リセットスイッチ４ａにリセット信号ＲＥＳＥＴを
入力することにより消去することができる。このリセッ
ト信号ＲＥＳＥＴはバッテリ７を交換するときに入力す
る。このように、監視する電圧を不揮発性メモリの電源
電圧ＶBBとしたので、より正確にバッテリの電圧低下を
検出できる。
【００２６】上記の説明では、電圧低下検出回路３とア
ラームラッチ回路４への電源供給は、切換回路２を使用
して、電源投入時には電源ユニット９から、電源切断時
にはバッテリー７から供給するように構成したが、この
ような切換回路２を使用しないで、直接バッテリ７から
供給するように構成してもよい。
ラームラッチ回路４への電源供給は、切換回路２を使用
して、電源投入時には電源ユニット９から、電源切断時
にはバッテリー７から供給するように構成したが、この
ような切換回路２を使用しないで、直接バッテリ７から
供給するように構成してもよい。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように本発明では、バッテ
リーの電圧低下検出回路をバッテリーからの電源によっ
て動作させるように構成したので、バッテリから不揮発
性メモリに電流が流れている状態で電圧低下を検出で
き、正確にバッテリの電圧低下を検出できる。また、監
視する電圧を不揮発性メモリの電源電圧を直接監視する
ようにしたので、より正確にバッテリーの電圧低下を検
出できる。
リーの電圧低下検出回路をバッテリーからの電源によっ
て動作させるように構成したので、バッテリから不揮発
性メモリに電流が流れている状態で電圧低下を検出で
き、正確にバッテリの電圧低下を検出できる。また、監
視する電圧を不揮発性メモリの電源電圧を直接監視する
ようにしたので、より正確にバッテリーの電圧低下を検
出できる。
【図１】本発明のバッテリアラーム検出回路を示す図で
ある。
ある。
【図２】本実施例のバッテリアラーム検出回路を有する
数値制御装置の概略構成図である。
数値制御装置の概略構成図である。
【図３】本発明のアラームラッチ回路を示す図である。
【図４】従来のバッテリアラーム検出回路を示す図であ
る。
る。
１ 第１のスイッチ回路 ２ 第２のスイッチ回路 ３ 電圧低下検出回路 ４ アラームラッチ回路 ７ バッテリ １０ バッテリアラーム検出回路 ＊ＡＬＭ アラーム信号
Claims (2)
- 【請求項１】 不揮発性メモリのバックアップ用のバッ
テリの電圧低下を検出するバッテリアラーム検出回路に
おいて、 バッテリと、 電源投入時に内部電源の電源電圧を選択し、電源切断時
に前記バッテリの電源電圧を負荷側に供給する第１のス
イッチ回路と、 バッテリの電源で動作し、前記第２のスイッチ回路の電
源出力を受けて前記バッテリの出力電圧の低下を検出
し、アラーム信号を出力する電圧低下検出回路と、 バッテリの電源で動作し、前記アラーム信号を記憶する
アラームラッチ回路と、 を有することを特徴とするバッテリアラーム検出回路。 - 【請求項２】 電源投入時に内部電源の電源電圧を選択
し、電源切断時に前記バッテリ電圧を選択して出力する
第２のスイッチ回路を有し、前記電圧低下検出回路及び
前記アラームラッチ回路を前記第２のスイッチ回路で動
作するように構成したことを特徴とする請求項１記載の
バッテリアラーム検出回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5263484A JPH07120508A (ja) | 1993-10-21 | 1993-10-21 | バッテリアラーム検出回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5263484A JPH07120508A (ja) | 1993-10-21 | 1993-10-21 | バッテリアラーム検出回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07120508A true JPH07120508A (ja) | 1995-05-12 |
Family
ID=17390157
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5263484A Pending JPH07120508A (ja) | 1993-10-21 | 1993-10-21 | バッテリアラーム検出回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07120508A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102023285A (zh) * | 2009-09-16 | 2011-04-20 | 深圳Tcl新技术有限公司 | 一种电源欠电压检测电路 |
| CN104078927A (zh) * | 2013-03-26 | 2014-10-01 | 海洋王（东莞）照明科技有限公司 | 灯具驱动欠压报警电路 |
| CN104076192A (zh) * | 2013-03-26 | 2014-10-01 | 海洋王（东莞）照明科技有限公司 | 灯具驱动欠压报警电路 |
| CN105738683A (zh) * | 2016-03-11 | 2016-07-06 | 苏州农业职业技术学院 | 基于电源适配器的报警电路 |
| JP2018132318A (ja) * | 2017-02-13 | 2018-08-23 | ファナック株式会社 | バッテリ残量アラーム装置、数値制御装置および工作機械システム |
-
1993
- 1993-10-21 JP JP5263484A patent/JPH07120508A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102023285A (zh) * | 2009-09-16 | 2011-04-20 | 深圳Tcl新技术有限公司 | 一种电源欠电压检测电路 |
| CN104078927A (zh) * | 2013-03-26 | 2014-10-01 | 海洋王（东莞）照明科技有限公司 | 灯具驱动欠压报警电路 |
| CN104076192A (zh) * | 2013-03-26 | 2014-10-01 | 海洋王（东莞）照明科技有限公司 | 灯具驱动欠压报警电路 |
| CN105738683A (zh) * | 2016-03-11 | 2016-07-06 | 苏州农业职业技术学院 | 基于电源适配器的报警电路 |
| CN105738683B (zh) * | 2016-03-11 | 2018-05-08 | 苏州农业职业技术学院 | 基于电源适配器的报警电路 |
| JP2018132318A (ja) * | 2017-02-13 | 2018-08-23 | ファナック株式会社 | バッテリ残量アラーム装置、数値制御装置および工作機械システム |
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