JPH07106486A - Lead frame and its manufacture as well as semiconductor device using the lead frame, and mounting board - Google Patents

Lead frame and its manufacture as well as semiconductor device using the lead frame, and mounting board

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JPH07106486A
JPH07106486A JP7369894A JP7369894A JPH07106486A JP H07106486 A JPH07106486 A JP H07106486A JP 7369894 A JP7369894 A JP 7369894A JP 7369894 A JP7369894 A JP 7369894A JP H07106486 A JPH07106486 A JP H07106486A
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semiconductor device
layer
dofure
li
heat
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JP7369894A
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Japanese (ja)
Inventor
Takayuki Masunaga
孝幸 益永
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Toshiba Corp
株式会社東芝
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    • H01L2924/13091Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]

Abstract

PURPOSE:To make a semiconductor device thin by a method wherein a means for heat dissipation is integrated with a means for electric-signal transfer. CONSTITUTION:A recessed part 14 is formed so as to be faced downward in the central part of a lead frame 13, and an IC chip 15 as a semiconductor element is housed in the recessed part 14. In addition, the lead frame 13 is provided with four terminal parts 16, and the terminal parts 16 are extended to four directions at an interval of 90 deg.. Then, the terminal parts 16 protrude to the outside from individual side faces of a package 12, and they are bent and worked to be a gull wing shape. The lead frame 13 has a three-layer structure, and it is constituted of a heat conduction layer 17, an insulating layer 18 and an electric-signal transfer layer 19. In addition, the lead frame 13 uses the heat conduction layer 17 as the uppermost layer and the electric-signal transfer layer 19 as the lowermost layer. Since a means for heat dissipation and a means for electric-signal transfer are integrated, a semiconductor device can be made thin.

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【産業上の利用分野】本発明は、例えば、半導体素子の熱抵抗を低減させるための手段を備えた半導体装置に関する。 The present invention relates to, for example, a semiconductor device having a means for reducing the thermal resistance of the semiconductor element.

【0002】 [0002]

【従来の技術】熱抵抗を考慮した半導体装置として、例えば図22及び図23に示すようなタイプのものがある。 2. Description of the Related Art As a semiconductor device in consideration of heat resistance, there is for example of the type shown in FIGS. 22 and 23. すなわち、図22に示す半導体装置1はフィン付パッケ−ジであり、パッケ−ジ2に金属等からなる放熱フィン3が組込まれている。 That is, the semiconductor device 1 shown in FIG. 22 packages with fin - a di, package - radiation fins 3 made of a metal such as di 2 is incorporated. 放熱フィンは3はパッケ−ジ2の外へ突出しており、外気にさらされている。 Radiating fins 3 package - projects out of the di-2 are exposed to the outside air. このタイプの半導体装置1においては、放熱フィン3が半導体素子4に直接には接触していない。 In the semiconductor device 1 of this type, the heat radiation fins 3 is not in direct contact with the semiconductor device 4. そして、半導体素子4の熱は、パッケ−ジ2から放熱フィン3に伝達され、 Then, heat of the semiconductor element 4, package - is transmitted from the di-2 to the heat radiation fins 3,
放熱フィン3から外気中に放出される。 It is released into the ambient air from the heat radiation fins 3. 放熱フィン3の形状は、空冷効果を高めるため、表面積が大となるように工夫されている。 The shape of the heat radiation fins 3, to enhance the cooling effect, it is devised so the surface area is large.

【0003】一方、図23に示す半導体装置5はヒ−トスプレッダ付パッケ−ジであり、パッケ−ジ2の中にヒ−トスプレッダ6がインサ−トされている。 On the other hand, the semiconductor device 5 shown in FIG. 23 heat - Tosupuredda with package - a di, package - heat in di 2 - Tosupuredda 6 the insert - are bets. ヒ−トスプレッダ6は板状に成形されており、半導体素子4が装着されたアイランド7とパッケ−ジ2から突出した多数のリ−ド8とに接合されている。 Heat - Tosupuredda 6 is formed in a plate shape, island 7 and package the semiconductor element 4 is attached - is bonded to a de 8 - number of Li protruding from di 2. ヒ−トスプレッダ6は、 Heat - Tosupuredda 6,
半導体素子4の熱をアイランド7を介して吸収し、半導体素子4の熱抵抗を低減させる。 The heat of the semiconductor element 4 to absorb through the island 7, to reduce the thermal resistance of the semiconductor element 4. また、図中に示すようにヒ−トスプレッダ6がリ−ド8に接続されている場合には、ヒ−トスプレッダ6の熱がリ−ド8に逃がされる。 Further, heat as shown in FIG - Tosupuredda 6 Galli - if it is connected to a de 8, heat - Tosupuredda 6 of heat re - be released to de 8.

【0004】さらに、図示しないが、冷却器を備えた冷却器付パッケ−ジも在る。 [0004] Furthermore, although not shown, with equipped with a condenser cooler package - di-even there. このタイプの半導体装置においては、所定の経路に冷媒(空気・液体)が流され、パッケ−ジが冷媒によって強制的に冷却される。 In the semiconductor device of this type, the refrigerant (air-liquid) is passed through the predetermined route, package - di is forcibly cooled by the refrigerant.

【0005】また、上述のような半導体装置を実装基板9に装着する際には、放熱のための手段を有していないものと同様に、はんだ付けが広く採用されている。 Further, when mounting the semiconductor device as described above on the mounting substrate 9, similar to those which do not have a means for radiating heat, is employed soldered wide. さらに、実装基板9が柔軟なフレキシブル基板である場合もある。 Furthermore, in some cases the mounting substrate 9 are flexible flexible substrate.

【0006】 [0006]

【発明が解決しようとする課題】ところで、前述のような各種の半導体装置には、それぞれ以下のような不具合がある。 [0007] Incidentally, the various kinds of semiconductor devices as described above, there are the following drawbacks, respectively. まず、図22の放熱フィン3を有するタイプの半導体装置1においては、放熱フィン3がパッケ−ジ2 First, in the semiconductor device 1 of the type having a radiation fin 3 in Figure 22, heat dissipating fins 3 package - di 2
から突出しており、放熱フィン3の表面積が大きいほど放熱効果は高い。 It protrudes from the heat dissipation effect the larger the surface area of ​​the heat radiation fins 3 is high. このため、放熱フィン3を単に小形化すると十分な放熱効果が得難くなる。 Therefore, simply a sufficient heat dissipation effect when miniaturization becomes difficult to obtain a heat radiation fin 3. したがって、このタイプの半導体装置1においては全体の薄形化が困難である。 Accordingly, in the semiconductor device 1 of this type is difficult to overall thinning.

【0007】また、図23のようにヒ−トスプレッダを有する半導体装置5においては、ヒ−トスプレッダの取付けが面倒であるとともに、放熱フィン付パッケ−ジに比べて放熱効果が低い。 Further, heat as in Figure 23 - In the semiconductor device 5 having Tosupuredda, heat - with mounting of Tosupuredda is troublesome, package with radiation fins - Low heat dissipation effect than di. さらに、冷却器付パッケ−ジにおいては、流体の流路を確保する必要があるため、薄形化が困難である。 Additionally, a cooler with package - in di, it is necessary to secure a flow path of the fluid, it is difficult to thinning.

【0008】また、半導体装置を実装基板にはんだ付けした場合には、以下のような不具合がある。 Further, when soldering the semiconductor device on the mounting substrate, there is a problem as follows. すなわち、 That is,
ICカ−ドなどの場合のように実装基板に曲げの力が加わると、実装基板が繰返し曲げられるうちに、はんだ付け部分の強度が低下する。 IC card - the bending force to the mounting board as in the case of such de is added, while the mounting board is bent repeatedly, the strength of soldered portions decreases. そして、実装基板が過度に曲げられた場合には、はんだ付け部分が剥がれる。 When the mounting substrate is bent excessively, the peeling is soldered portions.

【0009】本発明は上述のような不具合を解決するためになされたもので、請求項1及び請求項2の発明の目的とするところは、半導体装置の薄型化を可能にするリ−ドフレ−ム及びその製造方法を提供することにある。 [0009] The present invention has been made to solve the above-described problem, it is an object of the invention of claim 1 and claim 2, Li allows the thickness of the semiconductor device - Dofure - and to provide a beam and a manufacturing method thereof.

【0010】また、請求項3及び請求項13の発明の目的とするところは、薄型化が容易な半導体装置を提供することにある。 Further, it is an object of the invention of claim 3 and claim 13 is that the thinner provide easy semiconductor device. さらに、請求項13の発明の他の目的は、実装基板の曲げに強く、実装の信頼性の高い半導体装置を提供することにある。 Furthermore, another object of the invention of claim 13 is resistant to bending of the mounting board is to provide a highly reliable semiconductor device implementation.

【0011】 [0011]

【課題を解決するための手段および作用】上記目的を達成するために請求項1の発明は、半導体装置に組込まれた半導体素子に通電可能に接続される電気信号伝達層と、半導体素子に熱伝達可能に接続される熱伝導層と、 Means and operation for solving the problems] The invention of claim 1 in order to achieve the above object, an electric signal transmission layer which is conductively connected to the semiconductor element incorporated in the semiconductor device, the heat in the semiconductor element a heat conducting layer that is communicably connected,
電気信号伝達層及び熱伝導層を電気的に絶縁する絶縁層とを具備し、薄板状に成形されたリ−ドフレ−ムにある。 Comprising a electrically insulating insulation layer an electric signal transmission layer and the thermally conductive layer, Li was formed into a thin plate - Dofure - in arm.

【0012】また、請求項2の発明は、絶縁体に導電箔を接合する第1の工程と、導電箔に所定の電気信号伝達層パタ−ンを印刷する第2の工程と、導電箔をエッチングして電気信号伝達層を形成する第3の工程と、絶縁体を熱伝導層に接合する第4の工程とを具備したリ−ドフレ−ムの製造方法にある。 [0012] According to a second aspect of the invention, a first step of bonding the conductive foil to the insulator, the conductive foil into a predetermined electric signal transmission layer patterns - a second step of printing a down, the conductive foil in beam producing method of - the third step and the fourth step and the re equipped with a joining an insulator thermally conductive layer to form an electrical signal transmission layer by etching - Dofure.

【0013】また、請求項3の発明は、半導体素子と、 [0013] The invention of claim 3 is a semiconductor element,
この半導体素子が組込まれたパッケ−ジと、半導体素子を保持しパッケ−ジの外へ導出された薄板状のリ−ドフレ−ムとを具備し、リ−ドフレ−ムが、半導体素子と通電可能に接続された電気信号伝達層と、半導体素子と熱伝達可能に接続された熱伝導層と、電気信号伝達層及び熱伝導層を絶縁する絶縁層とを有する半導体装置にある。 Di, holding the semiconductor device package - - package of the semiconductor device is incorporated outside lamellar derived into di Li - Dofure -; and a beam, Li - Dofure - energizing beam is a semiconductor element and an electric signal transmission layer which is connected, in a semiconductor device having a semiconductor element and the heat transfer coupled thermal conductive layer, an insulating layer for insulating the electrical signal transmission layer and the thermally conductive layer.

【0014】さらに、請求項13の発明は、半導体素子と、この半導体素子が組込まれるとともに半導体素子に熱伝達可能に接触した放熱板を有し、その側面に凹陥部が形成されたパッケ−ジと、このパッケ−ジに形成され凹陥部に露出するととともに半導体素子に電気的に接続された導電性配線とを具備し、凹陥部には可撓性を有する薄板状のリ−ドフレ−ムが着脱自在に差込まれるとともに、リ−ドフレ−ムが導電性配線に電気的に接続される半導体装置にある。 Furthermore, the invention of claim 13, a semiconductor device includes a heat sink thermally transferable contact with the semiconductor device with the semiconductor element is incorporated, recess is formed on the side face package - di If this package - are arm -; and a di- to formed exposed to the electrically connected to the semiconductor element with electrically conductive wiring recess, the recess thin plate of Li having flexibility - Dofure removably with the plugged, Li - Dofure - in a semiconductor device which beam is electrically connected to the conductive wire.

【0015】そして、請求項1及び請求項2の発明は、 [0015] Then, the invention of claim 1 and claim 2,
放熱のため手段を電気信号伝達のための手段と一体化し、半導体装置の薄型化を可能にした。 It means for heat radiation by integrating a means for electrical signal transmission, to allow for thinner semiconductor device. また、請求項3 Further, according to claim 3
及び請求項13の発明は、半導体装置を容易に薄形化できるようにした。 And the invention of claim 13, and to easily thinning the semiconductor device. 加えて、請求項13の発明は、外力を吸収して半導体装置の実装の信頼性を向上できるようにした。 In addition, the invention of claim 13 has to be able to improve the implementation of reliability of the semiconductor device to absorb the external force.

【0016】 [0016]

【実施例】以下、本発明の各実施例を図1〜図21に基づいて説明する。 BRIEF DESCRIPTION based on the embodiments of the present invention in FIGS. 1 to 21. 図1は本発明の第1実施例を示しており、図中の符号11は半導体装置である。 Figure 1 shows a first embodiment of the present invention, reference numeral 11 in the figure is a semiconductor device. この半導体装置11はQFP(Quad Flat Package) タイプのもので、 The semiconductor device 11 is intended a QFP (Quad Flat Package) type,
矩形なパッケ−ジ12の四つの側面からリ−ドフレ−ム13を突出させている。 Rectangular such package - Li from four sides of di 12 - Dofure - is made to protrude arm 13. パッケ−ジ12の材質は合成樹脂であり、パッケ−ジ12の厚さは数mm程度、外形寸法は約20mm程度である。 Package - the material of the di-12 is a synthetic resin, package - several mm thickness di 12, external dimensions are approximately 20 mm. ここで、パッケ−ジ12の作製のために一般的な種々の材質や成型方法を採用することが可能である。 Here, package - it is possible to adopt a common variety of materials and molding method for the production of di-12.

【0017】リ−ドフレ−ム13は一枚の薄板状に加工されており、リ−ドフレ−ム13の中央部はパッケ−ジ12にインサ−トされている。 [0017] Li - Dofure - arm 13 are processed in a single thin plate, Li - Dofure - central portion of the arm 13 package - di 12 the insert - are bets. 図2に示すように、リ− As shown in FIG. 2, Li -
ドフレ−ム13の中央部には凹陥部14が下向きに形成されており、この凹陥部14には半導体素子としてのI Dofure - in the center of the arm 13 and recess 14 is formed downward, I as a semiconductor element in the recess 14
Cチップ15が収容されている。 C chip 15 is housed. さらに、リ−ドフレ− In addition, Li - Dofure -
ム13は四つの端子部16を有しており、これら端子部16は90度間隔で四方向に延びている。 Arm 13 has four terminal portions 16, these terminal portions 16 extend in four directions at 90-degree intervals. そして、端子部16はパッケ−ジ12の各側面から外に突出するとともに、ガルウイング型に折曲加工されている。 Then, the terminal unit 16 package - as well as projecting from each side of the di 12 outside, are machined bent in a gull-wing type.

【0018】また、リ−ドフレ−ム13は三層構造を有しており、熱伝導層17、絶縁層18、及び、電気信号伝達層19によって構成されている。 [0018] Li - Dofure - arm 13 has a three-layer structure, thermally conductive layer 17, insulating layer 18 and, is constituted by an electrical signal transmission layer 19. さらに、リ−ドフレ−ム13は、熱伝導層17を最上層とし、電気信号伝達層19を最下層としている。 Furthermore, Li - Dofure - arm 13, the heat conductive layer 17 and top layer, the electrical signal transmission layer 19 is the lowermost layer.

【0019】上述の三つの層のうち、熱伝導層17は鉄入銅板であり、他の二つの層18、19を支持している。 [0019] Among the three layers described above, the thermally conductive layer 17 is iron input copper plate and supports the other two layers 18,19. また、パッケ−ジ12の中において、熱伝導層17 Further, package - in in the di-12, the heat conducting layer 17
の中央部は凹陥部14から露出しており、ICチップ1 Central portion of is exposed from the recess 14, IC chip 1
5は熱伝導層17に接合されている。 5 is bonded to the thermally conductive layer 17. ICチップ15に発生した熱は熱伝導層17に伝わり、熱伝導層17はこの熱を外気中へ放出する。 Heat generated in the IC chip 15 is transferred to the heat conductive layer 17, thermally conductive layer 17 emits this heat to the outside air in. 熱伝導層17の熱の放出は、 Heat emission of the heat conducting layer 17,
パッケ−ジ12や実装基板を介して間接的に、及び、パッケ−ジ12の外に露出した部分から直接的に行われる。 Package - indirectly via di 12 and the mounting substrate, and package - is directly performed from the outer exposed portion of the di-12.

【0020】ここで、ICチップ15を熱伝導層17に接合する手段として接着剤が用いられている。 [0020] Here, an adhesive is used as means for joining the IC chip 15 to the heat conductive layer 17. そして、 And,
接着剤として、例えば金属粒子を含有したエポキシ樹脂のように、充分な伝熱性を有するものが採用されている。 As an adhesive, for example, as an epoxy resin containing metal particles, those having sufficient heat conductivity is employed.

【0021】絶縁層18は熱伝導層17に接着されている。 The insulating layer 18 is adhered to the heat conductive layer 17. さらに、絶縁層18は凹陥部14中には存在していない。 Furthermore, the insulating layer 18 is not present in the recess 14. そして、絶縁層18は、熱伝導層17と電気信号伝達層19の間に介在しており、両層17、19を電気的に絶縁している。 Then, the insulating layer 18 is interposed between the heat conductive layer 17 and an electric signal transmission layer 19 electrically insulates the two layers 17 and 19.

【0022】電気信号伝達層19は導電性の材質からなるもので、絶縁層18に形成されている。 The electrical signal transmission layer 19 is made of a material of the conductive, it is formed in the insulating layer 18. 電気信号伝達層19は、互いに分離した多数の線として絶縁層18に描かれており、凹陥部14の周囲から外側に向って放射状に延びている。 Electrical signal transmission layer 19 extends radially and drawn to the insulating layer 18 as a number of lines separated from each other, from the periphery of the recessed portion 14 toward the outside. また、各電気信号伝達層19は、ボンディングワイヤ20を介してICチップ15の対応する各電極(図示しない)に接続されている。 Each electrical signal transmission layer 19 is connected to the corresponding electrodes of the IC chip 15 (not shown) via a bonding wire 20.

【0023】本実施例においては、リ−ドフレ−ム13 [0023] In this embodiment, Li - Dofure - No 13
の厚さAは0.15mmに設定されている。 The thickness A of is set to 0.15mm. さらに、各層17 In addition, each of the layers 17
〜19の厚さB〜Dは、B=0.1mm 、C=0.04mm、D= The thickness B~D of to 19 is, B = 0.1mm, C = 0.04mm, D =
0.01mmである。 It is 0.01mm. 熱伝導層17の材質は具体的には 2.3F The material of the heat conducting layer 17 is specifically 2.3F
e−0.12Zn−Cuであり、絶縁層18の材質はテフロン(商品名)である。 An e-0.12Zn-Cu, the material of the insulating layer 18 is Teflon (trade name). また、電気信号伝達層19の材質はCuである。 The material of the electrical signal transmission layer 19 is Cu. さらに、ボンディングワイヤ20の材質はAuである。 Further, the material of the bonding wire 20 is Au.

【0024】つぎに、上述のリ−ドフレ−ム13の製造方法を説明する。 Next, the above-mentioned re - Dofure - describing a method of manufacturing a beam 13. 図5に示すように、まずテフロンシ− As shown in FIG. 5, first Tefuronshi -
ト(絶縁体)に銅箔(導電箔)が接着され(s 1 )、この銅箔に電気信号伝達層パタ−ンが印刷される(s Doo copper foil (insulator) (conductive foil) is bonded (s 1), the electrical signal transmission layer pattern on the foil - down is printed (s
2 )。 2). テフロンシ−トの凹陥部14に相当する部分は矩形に開口している。 Tefuronshi - part corresponding to the recessed portion 14 of the bets is open rectangular. また、電気信号伝達層パタ−ンの印刷は、所望の電気信号伝達層19の配置に合わせて行われる。 The electric signal transmission layer pattern - down of the printing is performed in accordance with the arrangement of the desired electrical signal transmission layer 19. 次に、電気信号伝達層パタ−ンを残して銅箔がエッチングされ(s 3 )、この結果、テフロンシ−トに電気信号伝達層19が形成される。 Then, the electrical signal transmission layer pattern - are leaving down copper foil etching (s 3), as a result, Tefuronshi - electrical signaling layers 19 bets are formed. そして、この後、テフロンシ−トが鉄入銅板に接着される(s 4 )。 After this, Tefuronshi - DOO is bonded to the iron input copper plate (s 4).

【0025】リ−ドフレ−ム13の作製は、多数個分同時に行われる。 [0025] Li - Dofure - Preparation of the arm 13 is carried out a large number at one time. つまり、上述のs 1 〜s 4の工程を経てリ−ドフレ−ム母材が作製された後、この母材が所定寸法で切り出されて(s 5 )、多数のリ−ドフレ−ム13 In other words, Li through the above s 1 ~s 4 steps - Dofure - after beam preform is produced, the preform is cut in a predetermined size (s 5), a number of re - Dofure - arm 13
が得られる。 It is obtained.

【0026】上述のような半導体装置11においては、 [0026] In the semiconductor device 11 as described above,
薄板状のリ−ドフレ−ム13が備えられており、このリ−ドフレ−ム13は熱伝導層17を有している。 Lamellar Li - Dofure - arm 13 is provided, this re - Dofure - arm 13 has a thermally conductive layer 17. ICチップ15に生じた熱は熱伝導層17に伝わり、パッケ− Heat generated in the IC chip 15 is transferred to the heat conductive layer 17, package -
ジ12の外へ導かれて外気中に放出される。 Guided out of the di-12 is released into the ambient air. このため、 For this reason,
パッケ−ジ12に放熱フィンを組合せることなくICチップ15の熱抵抗を低減できる。 Package - can reduce the thermal resistance of the IC chip 15 without combining the heat radiating fins di 12. したがって、半導体装置11の薄形化を放熱フィンによって制限されずに図ることができ、半導体装置11の小型化及び薄形化が容易になる。 Therefore, it is possible to thinning of the semiconductor device 11 without being restricted by the heat radiation fins, miniaturization and thinning of the semiconductor device 11 is facilitated.

【0027】さらに、ICチップ15が熱伝導層17に接合されているので、ICチップ15の熱は熱伝導層1 Furthermore, since the IC chip 15 is bonded to the thermally conductive layer 17, the heat of the IC chip 15 is thermally conductive layer 1
7に直接伝わる。 7 transmitted directly. したがって、放熱効果が高い。 Therefore, there is a high heat dissipation effect. また、 Also,
熱伝導層17がパッケ−ジ12の外に露出しているため、ヒ−トスプレッダ付の半導体装置と比べて、放熱性が高い。 Because exposed to the outside of a di-12, heat - - thermally conductive layer 17 is package in comparison with the semiconductor device with Tosupuredda, high heat dissipation.

【0028】さらに、電気信号伝達層19は板状の熱伝導層17(及び絶縁層18)により保持されているので、電気信号伝達層19の剛性は熱伝導層17によって確保される。 Furthermore, since the electrical signal transmission layer 19 is held by a plate-like thermally conductive layer 17 (and the insulating layer 18), the rigidity of the electrical signal transmission layer 19 is ensured by thermally conductive layer 17. このため、導電性さえ確保できれば、電気信号伝達層19の厚さや幅の設定は自由である。 Therefore, if secured even conductive, setting the thickness and the width of the electric signal transmission layer 19 is free. さらに、電気信号伝達層19は絶縁層18及び熱伝導層17 Furthermore, the electrical signal transmission layer 19 is an insulating layer 18 and the heat conductive layer 17
に一体化されており、安定して保持されるので、電気信号伝達層19の先端のばらつきが生じにくい。 Are integrated into, since it is held stably, the variation of the tip of the electrical signal transmission layer 19 is less likely to occur. したがって、電気信号伝達層19の多ピン・狭ピッチ化が容易である。 Thus, the multi-pin narrow-pitch of the electrical signal transmission layer 19 is easy.

【0029】また、リ−ドフレ−ム13は薄板(厚さA [0029] In addition, Li - Dofure - No 13 is a thin plate (thickness A
=0.15mm)であり、ICチップ15は凹陥部14に収容されるので、パッケ−ジ12の厚さは従来の種々の半導体装置素子と同程度に抑えられる。 = A 0.15 mm), IC chip 15 is so housed in the recess 14, package - the thickness of the di-12 can be suppressed to the same extent as conventional various semiconductor device elements. さらに、従来の半導体装置の構造と比べて、リ−ドフレ−ム13が従来のリ−ドと若干異なるのみであるので、パッケ−ジングの工程には従来と略同様の方法を適用できる。 Furthermore, in contrast to the structure of the conventional semiconductor device, Li - Dofure - because only different de slightly, package - - arm 13 is conventional Li in managing the process can be applied to substantially the same manner as conventional.

【0030】なお、本発明は、上記実施例に限定されるものではなく、要旨を逸脱しない範囲で種々に変形することが可能である。 [0030] The present invention is not limited to the above embodiment and can be modified in various ways without departing from the scope. 例えば、封止材料を本実施例の樹脂からセラミックに変えても、同様の効果が得られる。 For example, changing the ceramic sealing material from the resin of the present embodiment, the same effect can be obtained. そして、セラミックのほうが、高価ではあるが、熱伝導率が高いので放熱には有利である。 Then, towards the ceramic, it is expensive, but it is advantageous to heat radiation because of its high thermal conductivity.

【0031】また、リ−ドフレ−ム13の熱伝導層17 [0031] In addition, Li - Dofure - thermally conductive layer 17 of the arm 13
の材質を、電磁シ−ルドに適するよう変更してもよい。 The material, the electromagnetic sheets - may be changed to suit the field.
また、本発明は、図6(a)〜(c)に示すようなSO Further, the present invention is shown in FIG. 6 (a) ~ (c) SO
P(Small OutlinePackage)型の半導体装置21にも適用可能である。 P in the semiconductor device 21 of the (Small OutlinePackage) type is applicable. ここで、この半導体装置21のパッケ−ジ22の長さE、幅F、及び、高さGはそれぞれ、E=20 Here, the semiconductor device 21 of the package - each length of di- 22 E, the width F, and the height G is, E = 20
mm、F=10mm、G=1mmである。 mm, F = 10mm, a G = 1 mm.

【0032】つぎに、本発明の第2実施例を図7〜図1 Next, FIGS. 7 1 of a second embodiment of the present invention
1に基づいて説明する。 It will be described with reference to the 1. なお、第1実施例と同様の部分については同一番号を付し、その説明は省略する。 Incidentally, denoted by the same numerals for the same parts as the first embodiment, a description thereof will be omitted. 図8 Figure 8
に示すように、本実施例のQFP(半導体装置)71においては、第1実施例と同様に一枚の薄板状に加工された三層構造のリ−ドフレ−ム72が備えられている。 As shown, in QFP (semiconductor device) 71 of this embodiment, the same manner as in the first embodiment a single thin plate into processed three-layer structure Li - Dofure - arm 72 is provided. リ−ドフレ−ム72は熱伝導層17、絶縁層18、及び、 Li - Dofure - arm 72 is thermally conductive layer 17, insulating layer 18 and,
電気信号伝達層19によって構成されている。 It is constituted by an electrical signal transmission layer 19. さらに、 further,
リ−ドフレ−ム72は、熱伝導層17を最上層とし、電気信号伝達層19を最下層としている。 Li - Dofure - arm 72, the heat conductive layer 17 and top layer, the electrical signal transmission layer 19 is the lowermost layer.

【0033】上述の三つの層のうち、熱伝導層17は鉄入銅板であり、第1実施例と同様に他の二つの層18、 [0033] Among the three layers described above, the thermally conductive layer 17 is iron input copper plate, the first embodiment similarly to the other two layers 18,
19を支持している。 Supporting the 19. また、パッケ−ジ12の中において、熱伝導層17の中央部は凹陥部14から露出しており、ICチップ15は熱伝導層17に接合されている。 Further, package - in in the di 12, the central portion of the thermally conductive layer 17 is exposed from the recess 14, IC chip 15 is bonded to the thermally conductive layer 17.
ICチップ15を熱伝導層17に接合する手段として、 The IC chip 15 as a means for bonding the thermally conductive layer 17,
第1実施例と同様に充分な伝熱性を有する接着剤が用いられている。 Adhesive having sufficient heat conductivity similarly to the first embodiment is used.

【0034】また、熱伝導層17は、薄肉な本体17a [0034] In addition, the thermally conductive layer 17, a thin body 17a
と、この本体17aの中央に接合された厚肉部17bとにより構成されている。 When, it is constituted by a thick portion 17b which are joined at the center of the body 17a. 厚肉部17bは略一定の厚さに加工された正方形状の板体であり、本体17aよりも小さい。 The thick portion 17b is a roughly square shaped plate member processed into a predetermined thickness, smaller than the body 17a. 本体17a及び厚肉部17bの材質は共に鉄入銅板である。 The material of the main body 17a and the thick portions 17b are both iron input copper plate. また、厚肉部17bは、ICチップ15の略正反対に配置されている。 Further, the thick portion 17b is substantially diametrically opposed to the IC chip 15. そして、厚肉部17bの一方の板面(放熱面73)はパッケ−ジ12の表面の中央から面一で露出している。 Then, one plate surface (heat radiating surface 73) of the thick portion 17b is package - are exposed flush from the center of the surface of the di-12.

【0035】ここで、厚肉部17bを本体17aへ接合する手段として、接着剤が用いられている。 [0035] Here, the thick portion 17b as a means for joining the body 17a, adhesive is used. そして、接着剤として、例えば金属粒子を含有したエポキシ樹脂のように、充分な伝熱性を有するものが採用されている。 Then, as the adhesive, for example, as an epoxy resin containing metal particles, those having sufficient heat conductivity is employed.

【0036】ICチップ15に発生した熱は熱伝導層1 The heat generated in the IC chip 15 is thermally conductive layer 1
7の本体17aに伝わり、本体17aから厚肉部17b Transmitted to the 7 of the body 17a, the thick portion 17b from the main body 17a
に伝わって、放熱面73から外気中へ放出する。 Transmitted to and emitted from the heat radiating surface 73 into the outside air. 熱伝導層17の熱の放出は、パッケ−ジ12や実装基板を介して間接的に、及び、パッケ−ジ12の外に露出した部分から直接的に行われる。 Heat emission of the heat conducting layer 17, package - indirectly via di 12 and the mounting substrate, and package - is directly performed from the outer exposed portion of the di-12.

【0037】本実施例においては、リ−ドフレ−ム72 [0037] In this embodiment, Li - Dofure - arm 72
の厚さA、各層17〜19の厚さB〜Dの値(熱伝導層17の厚さBは本体17aの厚さ)は第1実施例と同様に設定されている。 Thickness A, thickness values ​​of B~D of each layer 17 to 19 (the thickness of the thickness B of the heat conducting layer 17 is the main body 17a) is set similarly to the first embodiment. さらに、熱伝導層17の厚肉部17 Further, the thick portion 17 of the heat conducting layer 17
bを含む厚さHは 0.3mmに設定されており、リ−ドフレ−ム72の厚肉部17bを含む厚さIは0.25mmに設定されている。 The thickness H including b is set to 0.3 mm, re - Dofure - thickness I including the thick portion 17b of the arm 72 is set to 0.25 mm. また、各層17〜19やボンディングワイヤ20の具体的な材質は第1実施例と同様である。 Further, specific material of the layers 17 to 19 and the bonding wires 20 is the same as in the first embodiment.

【0038】つぎに、上述のリ−ドフレ−ム72の製造方法を説明する。 Next, the above-mentioned re - Dofure - describing a method of manufacturing a beam 72. 図5に示すように、まずテフロンシ− As shown in FIG. 5, first Tefuronshi -
ト(絶縁体)に銅箔(導電箔)が接着され(t 1 )、この銅箔に電気信号伝達層パタ−ンが印刷される(t Doo copper foil (insulator) (conductive foil) is bonded (t 1), the electrical signal transmission layer pattern on the foil - down is printed (t
2 )。 2). テフロンシ−トの凹陥部14に相当する部分は矩形に開口している。 Tefuronshi - part corresponding to the recessed portion 14 of the bets is open rectangular. また、電気信号伝達層パタ−ンの印刷は、所望の電気信号伝達層19の配置に合わせて行われる。 The electric signal transmission layer pattern - down of the printing is performed in accordance with the arrangement of the desired electrical signal transmission layer 19. 次に、電気信号伝達層パタ−ンを残して銅箔がエッチングされ(t 3 )、この結果、テフロンシ−トに電気信号伝達層19が形成される。 Then, the electrical signal transmission layer pattern - are leaving down copper foil etching (t 3), this result, Tefuronshi - electrical signaling layers 19 bets are formed. この後、テフロンシ− After this, Tefuronshi -
トが鉄入銅板(本体17a)に接着される(t 4 )。 Doo is bonded to iron input copper plate (main body 17a) (t 4). さらに、鉄入銅板に厚肉部17bが接着される(t 5 )。 Further, the thick portion 17b is adhered to the iron input copper plate (t 5).

【0039】リ−ドフレ−ム72の作製は、多数個分同時に行われる。 [0039] Li - Dofure - Preparation of the arm 72 is carried out a large number at one time. つまり、上述のt 1 〜t 5の工程を経てリ−ドフレ−ム母材が作製された後、この母材が所定寸法で切り出されて(s 6 )、多数のリ−ドフレ−ム72 In other words, Li through the steps of t 1 ~t 5 above - Dofure - after beam preform is produced, the preform is cut in a predetermined size (s 6), a number of re - Dofure - arm 72
が得られる。 It is obtained.

【0040】上述のような半導体装置71においては、 [0040] In the semiconductor device 71 as described above,
薄板状のリ−ドフレ−ム72が備えられており、このリ−ドフレ−ム72は熱伝導層17を有している。 Lamellar Li - Dofure - arm 72 is provided, this re - Dofure - arm 72 has a thermally conductive layer 17. ICチップ15に生じた熱は熱伝導層17に伝わり、パッケ− Heat generated in the IC chip 15 is transferred to the heat conductive layer 17, package -
ジ12の外へ導かれて外気中に放出される。 Guided out of the di-12 is released into the ambient air. さらに、熱伝導層17に厚肉部17bが取付けられている。 Further, the thick portion 17b is attached to the thermally conductive layer 17. したがって、第1実施例と同様の効果を奏することができるとともに、第1実施例よりもの熱伝導層17の熱容量を高めることができる。 Therefore, it is possible to achieve the same effect as the first embodiment, it is possible to increase the heat capacity of the heat conductive layer 17 than the first embodiment. このため、ICチップ15の熱抵抗を更に低減できる。 Therefore, it is possible to further reduce the thermal resistance of the IC chip 15.

【0041】なお、本発明は、上記実施例に限定されるものではなく、要旨を逸脱しない範囲で種々に変形することが可能である。 [0041] The present invention is not limited to the above embodiment and can be modified in various ways without departing from the scope. 例えば、封止材料を本実施例の樹脂からセラミックに変えても、同様の効果が得られる。 For example, changing the ceramic sealing material from the resin of the present embodiment, the same effect can be obtained. そして、セラミックのほうが、高価ではあるが、熱伝導率が高いので放熱には有利である。 Then, towards the ceramic, it is expensive, but it is advantageous to heat radiation because of its high thermal conductivity.

【0042】また、リ−ドフレ−ム72の熱伝導層17 Further, Li - Dofure - thermally conductive layer 17 of the arm 72
の材質を、電磁シ−ルドに適するよう変更してもよい。 The material, the electromagnetic sheets - may be changed to suit the field.
また、本発明は、図12(a)〜(c)に示すようなS Further, the present invention is shown in FIG. 12 (a) ~ (c) S
OP(Small OutlinePackage)型の半導体装置81にも適用可能である。 OP to a semiconductor device 81 (Small OutlinePackage) type is applicable. ここで、この半導体装置81のパッケ− Here, package of the semiconductor device 81 -
ジ22の長さE、幅F、及び、高さGはそれぞれ、E= The length of the di-22 E, a width F, and the height G respectively, E =
20mm、F=10mm、G=1mmである。 20mm, F = 10mm, which is G = 1mm.

【0043】さらに、本実施例では厚肉部17bが熱伝導層17の本体17aと別体であるが、例えば図13の第3実施例のように、厚肉部17dを本体17cに一体に成形してもよい。 [0043] Further, in this embodiment a main body 17a and another of the thick portion 17b is thermally conductive layer 17, for example, as in the third embodiment of FIG. 13, integrally thick portion 17d to the body 17c it may be molded. この場合は、図14のu 4に示すように、予め厚肉部17dが形成された鉄入銅板がテフロンシ−トに接着される。 In this case, as shown in the u 4 of FIG. 14, the iron input copper plate thick portion 17d is formed in advance Tefuronshi - is bonded to the bets. さらに、厚肉部17dの成形方法として図15(a)及び(b)に示すように金型92 Further, the mold 92 as shown in FIG. 15 (a) and (b) as a method of forming the thick portion 17d
を用いてプレス加工を行うことが考えられる。 It is conceivable to carry out a press processed using. この他に、加圧ロ−ラ(図示しない)を用いても本体17cと厚肉部17dを得ることができる。 In addition, Ka圧Ro - La (not shown) can be obtained body 17c and the thick portion 17d also be used.

【0044】つぎに、本発明の第4実施例を図16〜図21に基づいて説明する。 Next, a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 16 to 21. 図16は本発明の第4実施例の半導体装置31を示している。 Figure 16 shows a semiconductor device 31 of the fourth embodiment of the present invention. この半導体装置31においては、セラミック板32、スペ−サ33、及び、放熱板34が順に重ねられており、これらによってパッケ−ジ35が構成されている。 In this semiconductor device 31, the ceramic plate 32, space - Sa 33, and the heat dissipation plate 34 is stacked in order, these by package - di 35 is constituted. そして、このパッケ−ジ3 Then, this package - di 3
5にはICチップ36が内蔵されている。 IC chip 36 is incorporated in the 5. ここで、パッケ−ジ35の厚さは、一般的な薄形半導体装置のパッケ−ジと同様に、数mm程度に設定されている。 Here, package - the thickness of the di-35 package typical thin semiconductor device - similar to the di is set to about several mm.

【0045】図17に示すように、セラミック板32は矩形状に成形されており、その厚さは全体に亘って略一定である。 [0045] As shown in FIG. 17, the ceramic plate 32 is formed in a rectangular shape, its thickness is substantially constant throughout. セラミック板32の各辺の中央には矩形状の切欠37が形成されている。 Rectangular notch 37 is formed in the center of each side of the ceramic plate 32. さらに、セラミック板32 In addition, the ceramic plate 32
の一方の板面には、多数の導電性配線としてのリ−ド3 On one plate surface of, Li as a number of conductive lines - de 3
8が形成されている。 8 is formed. リ−ド38はセラミック板32の中央部から切欠37に向って放射状に延びており、セラミック板32の各辺毎にリ−ド列を構成している。 Li - de 38 extends radially toward the notch 37 from the central portion of the ceramic plate 32, Li for each side of the ceramic plate 32 - constitutes a de column. そして、各リ−ド列の幅は、切欠37の幅と略同じか、或いは、切欠37の幅よりも幾分小さく設定されている。 Each re - width of de column cutout 37 width or substantially same, or is set slightly smaller than the width of the notch 37. ここで、図16においては、図面が繁雑になることを避けるために、リ−ド38の数が一部省略されている。 Here, in FIG. 16, in order to avoid drawing becomes complicated, Li - number of de 38 is partially omitted.

【0046】スペ−サ33は略一定の厚さの矩形板状に成形されており、スペ−サ33の各辺の中央には矩形状の切欠39が形成されている。 The space - Sa 33 is formed into a substantially constant thickness of the rectangular plate, space - a rectangular notch 39 is formed in the center of each side of the support 33. この切欠39の幅はセラミック板32の切欠37と略同じく設定されており、奥行きはセラミック板32の切欠37よりも深く設定されている。 The width of the notch 39 is substantially same configuration and the notch 37 of the ceramic plate 32, the depth is set deeper than the notch 37 of the ceramic plate 32. スペ−サ33の中央にはICチップ収容用の矩形孔40が開口している。 Space - rectangular hole 40 for IC chip housed in the center of the support 33 is opened. また、スペ−サ33はセラミック板32に四隅を合わせて重ねられている。 Also, space - Sa 33 are stacked together four corners ceramic plate 32. スペ−サ33の切欠39の奥行きがセラミック板32の切欠37 Space - cutout 37 in the depth of the notch 39 is ceramic plate 32 of the support 33
よりも深いので、スペ−サ33の切欠39から各リ−ド38の一部が露出している。 Since deeper than, space - is exposed portion of de 38 - from the notch 39 of the support 33 each re.

【0047】スペ−サ33の矩形孔40にICチップ3 [0047] space - IC chip 3 to the rectangular hole 40 of the support 33
6が挿入されている。 6 is inserted. ICチップ36は素子形成面をセラミック板32に向けており、ICチップ36の各電極(図示しない)は対応するリ−ド38に接続されている。 IC chip 36 is toward the element formation surface in the ceramic plate 32, the electrodes of the IC chip 36 (not shown) corresponding re - connected to de 38. ここで、ICチップ36とリ−ド38との接続の手段として、導電性のバンプを利用することが可能である。 Here, IC chip 36 and the Li - as a means of connection with the de 38, it is possible to use a conductive bump.

【0048】放熱板34は十分な熱伝性を有する材質(例えばAl等)からなるもので、略均一な厚さで矩形に成形されている。 The heat radiating plate 34 is made of a material (e.g., Al, etc.) having sufficient heat transfer properties, and is formed into a rectangular with a substantially uniform thickness. さらに、放熱板34は、スペ−サ3 Further, the heat radiating plate 34, space - Sa 3
3に四隅を合せて重ねられており、ICチップ36を隠している。 And stacked together the four corners 3, hiding the IC chip 36. そして、放熱板34はセラミック板32との間にスペ−サ33を挟持するとともに、ICチップ36 The space between the heat radiating plate 34 is a ceramic plate 32 - as well as clamping the support 33, IC chip 36
に熱伝達可能に接合されている。 It is thermally transferable joined to.

【0049】上述の各板材32〜34により構成されたパッケ−ジ35の四つの側面41には、切欠37、39 The package is configured by the plate members 32 to 34 described above - to the four side surfaces 41 of the di-35, notch 37 and 39
を利用してリ−ド挿入部42が形成されている。 Li utilizing - de insertion portion 42 is formed. スペ− Space -
サ33の切欠39の奥行きがセラミック板32の切欠3 Notch depth of the notch 39 is ceramic plate 32 of the support 33 3
7よりも深いので、リ−ド挿入部42には、セラミック板32の各リ−ド38の一部が上向きに露出している。 Since deeper than 7, Li - the de insertion portion 42, the re-ceramic plate 32 - a part of the de 38 is exposed upward.
また、このリ−ド挿入部42には放熱板34の一部が下向きに露出している。 Moreover, the re - the de insertion portion 42 a part of the heat radiating plate 34 is exposed downward.

【0050】図19は上述の半導体装置31とこれが装着される実装基板51の要部が示されている。 [0050] Figure 19 is a fragmentary portion of the mounting substrate 51 which is mounted the semiconductor device 31 described above is shown. 実装基板51は例えば合成樹脂等の材質からなるもので、この実装基板51の表面には、半導体装置収容用の凹陥部52 The mounting substrate 51 is made of a material such as synthetic resin, the surface of the mounting substrate 51, recess 52 of the semiconductor device housing
が形成されている。 There has been formed. 本実施例においては、凹陥部52は実装基板51を貫通するとともに、矩形に開口している。 In the present embodiment, together with the recess 52 through the mounting board 51, it is open to the rectangular.

【0051】また、実装基板51には、矩形な薄板状に成形された四つのリ−ドフレ−ム53が設けられている。 [0051] Further, the mounting substrate 51, four re formed into a rectangular thin plate shape - Dofure - arm 53 is provided. 図21に示すように、各リ−ドフレ−ム53は三層構造を有しており、熱伝導層54、絶縁層55、及び、 As shown in FIG. 21, the re - Dofure - arm 53 has a three-layer structure, thermally conductive layer 54, insulating layer 55 and,
電気信号伝達層56によって構成されている。 It is constituted by an electrical signal transmission layer 56. リ−ドフレ−ム53は、熱伝導層54を最上層とし、電気信号伝達層56を最下層としている。 Li - Dofure - arm 53, the heat conductive layer 54 and top layer, the electrical signal transmission layer 56 is the lowermost layer. さらに、リ−ドフレ−ム53の厚さは、半導体装置31のスペ−サ33と略同じに設定されている。 Furthermore, Li - Dofure - thickness of the beam 53, the semiconductor device 31 of the space - are substantially the same set as the sub 33.

【0052】本実施例では、熱伝導層54は鉄入銅板であり、絶縁層55の材質はテフロンである。 [0052] In this embodiment, thermally conductive layer 54 is iron input copper plate, the material of the insulating layer 55 is Teflon. 熱伝導層5 Thermally conductive layer 5
4と絶縁層55はシ−ト状に加工されており、互いに四隅を合せて接合されている。 4 and the insulating layer 55 is sheet - are processed into bets shape, are joined together four corners each other. 電気信号伝達層56は、互いに分離した多数の線として絶縁層55に描かれており、互いに絶縁層55(及び絶縁層54)の二片に対して平行に延びている。 Electrical signal transmission layer 56 is depicted in the insulating layer 55 as a number of lines separated from each other, are mutually extend parallel to the two pieces of the insulating layer 55 (and the insulating layer 54).

【0053】本実施例では、電気信号伝達層56の材質はCuである。 [0053] In this embodiment, the material of the electrical signal transmission layer 56 is Cu. また、リ−ドフレ−ム53や各層54〜 In addition, Li - Dofure - No 53 and the layers 54 to
56の厚さは、リ−ドフレ−ム53が適度な可撓性を得られるように薄く設定されている。 The thickness of 56, Li - Dofure - arm 53 is thin and set so as to give an appropriate flexibility. さらに、リ−ドフレ−ム53の厚さは、半導体装置31のスペ−サ33と略同じである。 Furthermore, Li - Dofure - thickness of the beam 53, space of the semiconductor device 31 - which is substantially the same as support 33. そして、リ−ドフレ−ム53の幅は、半導体素子31のリ−ド挿入部42の幅に略一致している。 Then, Li - Dofure - width of beam 53, re semiconductor element 31 - is substantially equal to the width of the de insertion portion 42.

【0054】四つのリ−ドフレ−ム53は略90度間隔で放射状に配置されている。 [0054] Four Li - Dofure - arm 53 are arranged radially at substantially 90 degree intervals. さらに、各リ−ドフレ−ム53の一端は半導体装置収容用の凹陥部52の中心に向かって水平に突出しており、他端は実装基板51の板面に接合されている。 Furthermore, the re - Dofure - one end of the arm 53 protrudes horizontally toward the center of the recess 52 of the semiconductor device housing and the other end is joined to the plate surface of the mounting substrate 51. また、リ−ドフレ−ム53は、凹陥部52の周囲の各辺の中央に位置している。 Also, Li - Dofure - arm 53 is located in the center of each side of the periphery of the recessed portion 52. そして、電気信号伝達層56は、実装基板51に描かれた基板配線57に接続されている。 Then, the electrical signal transmission layer 56 is connected to the board wiring 57 drawn on the mounting substrate 51.

【0055】半導体装置31の実装基板51への装着は、図20(a)及び(b)に示すようにして行われている。 [0055] attachment to the mounting substrate 51 of the semiconductor device 31 is performed as shown in FIG. 20 (a) and (b). まず、図20(a)に示すように、半導体装置3 First, as shown in FIG. 20 (a), the semiconductor device 3
1が実装基板51の凹陥部52の上方に配置される。 1 is disposed above the recess 52 of the mounting substrate 51. さらに、実装器具61が凹陥部52に下方から挿入され、 Moreover, mounting device 61 is inserted from below into the recess 52,
凹陥部52に突出したリ−ドフレ−ム53を弾性的に撓ませながら上方へ持上げる。 Li projecting recess 52 - Dofure - lifted upward while bending the arm 53 elastically. 実装器具61のエッジは、 Edge of the mounting device 61,
リ−ドフレ−ム53に過度な圧力が加わらないように面取りされている。 Li - Dofure - excessive pressure on the arm 53 is chamfered so as not to damage it.

【0056】リ−ドフレ−ム53の先端は半導体装置3 [0056] Li - Dofure - the tip of the arm 53 is a semiconductor device 3
1に達し、セラミック板32の切欠37からリ−ド挿入部42に進入する。 1 reached, the notch 37 KARARI ceramic plate 32 - entering the de insertion portion 42. さらに、半導体装置31と実装基板51とを高さ方向に近付けると、リ−ドフレ−ム53は弾性復元しながらリ−ド挿入部42の奥へ進入する。 Furthermore, the closer to the semiconductor device 31 and the mounting board 51 in the height direction, re - Dofure - arm 53 Li with elastic restoring - entering the back of de insertion portion 42. そして、半導体装置31を実装基板51の凹陥部52へ収容することにより、リ−ドフレ−ム53の形状が水平に戻り、リ−ドフレ−ム53とスペ−サとが略同一の高さに位置する。 By housing the semiconductor device 31 to the recess 52 of the mounting substrate 51, Li - Dofure - returns to the shape of the beam 53 is horizontal, Li - Dofure - arm 53 and space - service and is substantially the same in height To position.

【0057】リ−ドフレ−ム53の先端は、セラミック板32と放熱板34との間に挟み込まれる。 [0057] Li - Dofure - the tip of the arm 53 is sandwiched between the ceramic plate 32 and the heat sink 34. そして、リ−ドフレ−ム53は、熱伝導層54を放熱板34に接触させ、電気信号伝達層56をセラミック板32に接触させる。 Then, Li - Dofure - arm 53 contacting the heat conductive layer 54 to the heat radiating plate 34 is brought into contact with electrical signal transmission layer 56 to the ceramic plate 32. 電気信号伝達層56の一端側とセラミック板32 One end of the electrical signal transmission layer 56 and the ceramic plate 32
のリ−ド38の端部とは互いに対応する位置関係を有しており、リ−ドフレ−ム53がセラミック板32に接すると、電気信号伝達層56が自ずとリ−ド38に接続される。 Of Li - have a corresponding positional relation to each other with the end of the de 38, Li - Dofure - When arm 53 is in contact with the ceramic plate 32, the electrical signal transmission layer 56 is naturally re - connected to de 38 .

【0058】リ−ド挿入部42の奥には隙間が確保されており、リ−ドフレ−ム53の先端はリ−ド挿入部42 [0058] Li - in the depths of the de insertion portion 42 and a gap is secured, Li - Dofure - the tip of the arm 53 is re - de insertion portion 42
の中で前後に自由にスライドできる。 Free to slide back and forth in. また、リ−ドフレ−ム53の幅は、リ−ド挿入部42の開口幅と略一致しているので、左右には動かない。 Also, Li - Dofure - width of beam 53, Li - since the opening width substantially coincides de insertion portion 42, does not move to the left and right. なお、リ−ドフレ−ム53のスライド方向は、セラミック板32のリ−ド38 Incidentally, Li - Dofure - sliding direction of the arm 53, the ceramic plate 32 Li - de 38
に対して略平行である。 It is substantially parallel to the.

【0059】半導体装置31の他の三つのリ−ド挿入部42にも同様にリ−ドフレ−ム53が差込まれる。 [0059] Another three re semiconductor device 31 - similarly to the de insertion portion 42 Li - Dofure - arm 53 is plugged. そして、半導体装置31は四つのリ−ドフレ−ム53によって支持される。 The semiconductor device 31 includes four re - is supported by the arm 53 - Dofure.

【0060】前述のような半導体装置31と実装基板5 [0060] mounting the semiconductor device 31 as described above a substrate 5
1とによれば、リ−ドフレ−ム53が半導体素子31のリ−ド挿入部42に差込まれており、半導体装置31は実装基板51に、リ−ドフレ−ム53に沿ってスライド変位できるように保持されている。 According to 1 and, re - Dofure - arm 53 is re semiconductor element 31 - are inserted into the de-insertion portion 42, the semiconductor device 31 mounting substrate 51, Li - Dofure - slide displaceable along the arm 53 It is held as possible. そして、半導体素子31は実装基板51に接合されていない。 The semiconductor element 31 is not bonded to the mounting substrate 51.

【0061】このため、実装基板51が繰返し曲げ力を受けた場合、半導体装置31は曲げ力に応じて変位できる。 [0061] Therefore, when the mounting substrate 51 is subjected to repeated bending force, the semiconductor device 31 can be displaced according to the bending force. さらに、半導体装置31が変位する際、リ−ドフレ−ム53はセラミック板32に対して滑り、リ−ド38 Further, when the semiconductor device 31 is displaced, re - Dofure - arm 53 slides relative to the ceramic plate 32, re - de 38
と電気信号伝達層56の接続が保たれる。 Connection of the electrical signal transmission layer 56 is maintained as. そして、この半導体装置31の変位によって曲げ力が吸収され、応力の発生が防止される。 The bending force by the displacement of the semiconductor device 31 is absorbed, generation of stress is prevented. したがって、実装基板31に曲げ力が作用しても、半導体装置31は実装基板51から外れにくく、実装不良が生じにくい。 Therefore, even if a bending force to the mounting substrate 31 acts, the semiconductor device 31 is easily disengaged from the mounting board 51, mounting failure is unlikely to occur. この結果、実装の信頼性が向上する。 As a result, to improve the reliability of mounting.

【0062】また、本実施例においては、リ−ドフレ− [0062] In the present embodiment, re - Dofure -
ム53が互いに直角な四方向に延びているので、半導体装置31は水平面内の所定の範囲で任意に変位できる。 Since arm 53 extend in perpendicular four directions to each other, the semiconductor device 31 can be displaced arbitrarily predetermined range in a horizontal plane.
さらに、リ−ドフレ−ム53が三層構造であり、熱伝導層54を有している。 Furthermore, Li - Dofure - arm 53 is a three-layer structure has a thermal conductivity layer 54. そして、熱伝導層54は半導体装置31の放熱板34に接触している。 The thermally conductive layer 54 is in contact with the heat radiating plate 34 of the semiconductor device 31. このため、ICチップ36から放熱板34に伝わった熱を、リ−ドフレ− Therefore, the heat transferred to the heat radiating plate 34 from the IC chip 36, Li - Dofure -
ム53の熱伝導層54を介して実装基板51に逃がすことができる。 It can be released to the mounting substrate 51 via the heat conduction layer 54 of the arm 53.

【0063】なお、本実施例においては、半導体装置3 [0063] In the present embodiment, the semiconductor device 3
1にセラミック板32が用いられているが、本発明はこれに限定されるものではなく、セラミック板32を例えば樹脂板に代えてもよい。 Although the ceramic plate 32 to 1 is used, the present invention is not limited thereto and may be replaced with ceramic plate 32, for example, in a resin plate.

【0064】 [0064]

【発明の効果】以上説明したように請求項1の発明は、 The invention of claim 1 as described above, according to the present invention is,
半導体装置に組込まれた半導体素子に通電可能に接続される電気信号伝達層と、半導体素子に熱伝達可能に接続される熱伝導層と、電気信号伝達層及び熱伝導層を電気的に絶縁する絶縁層とを具備し、薄板状に成形されたリ−ドフレ−ムである。 And an electric signal transmission layer which is conductively connected to the semiconductor element incorporated in the semiconductor device, electrically insulated from the heat conducting layer is thermally transferred connected, the electrical signal transmission layer and the thermally conductive layer on a semiconductor device comprising an insulating layer, formed into a thin plate Li - Dofure - a beam.

【0065】また、請求項2の発明は、絶縁体に導電箔を接合する第1の工程と、導電箔に所定の電気信号伝達層パタ−ンを印刷する第2の工程と、導電箔をエッチングして電気信号伝達層を形成する第3の工程と、絶縁体を熱伝導層に接合する第4の工程とを具備したリ−ドフレ−ムの製造方法である。 [0065] Further, the invention of claim 2, a first step of bonding the conductive foil to the insulator, the conductive foil into a predetermined electric signal transmission layer patterns - a second step of printing a down, the conductive foil etching a third step of forming an electrical signal transmission layer, re insulators were and a fourth step of bonding the heat-conducting layer - Dofure - a beam manufacturing method.

【0066】したがって、請求項1及び請求項2の発明は、放熱のため手段を電気信号伝達のための手段と一体化でき、半導体装置の薄型化が可能になるという効果がある。 [0066] Thus, the invention of claim 1 and claim 2, the means for heat dissipation can be integrated with the means for electrical signal transmission, there is an effect that thickness of the semiconductor device becomes possible.

【0067】また、請求項3の発明は、半導体素子と、 [0067] The invention of claim 3 is a semiconductor element,
この半導体素子が組込まれたパッケ−ジと、半導体素子を保持しパッケ−ジの外へ導出された薄板状のリ−ドフレ−ムとを具備し、リ−ドフレ−ムが、半導体素子と通電可能に接続された電気信号伝達層と、半導体素子と熱伝達可能に接続された熱伝導層と、電気信号伝達層及び熱伝導層を絶縁する絶縁層とを有する半導体装置である。 Di, holding the semiconductor device package - - package of the semiconductor device is incorporated outside lamellar derived into di Li - Dofure -; and a beam, Li - Dofure - energizing beam is a semiconductor element and an electric signal transmission layer which is connected to a semiconductor device having a heat transfer coupled thermal conducting layer semiconductor device, and an insulating layer for insulating the electrical signal transmission layer and the thermally conductive layer.

【0068】さらに、請求項13の発明は、半導体素子と、この半導体素子が組込まれるとともに半導体素子に熱伝達可能に接触した放熱板を有し、その側面に凹陥部が形成されたパッケ−ジと、このパッケ−ジに形成され凹陥部に露出するととともに半導体素子に電気的に接続された導電性配線とを具備し、凹陥部には可撓性を有する薄板状のリ−ドフレ−ムが着脱自在に差込まれるとともに、リ−ドフレ−ムが導電性配線に電気的に接続される半導体装置である。 [0068] Further, the invention of claim 13, a semiconductor device includes a heat sink thermally transferable contact with the semiconductor device with the semiconductor element is incorporated, recess is formed on the side face package - di If this package - are arm -; and a di- to formed exposed to the electrically connected to the semiconductor element with electrically conductive wiring recess, the recess thin plate of Li having flexibility - Dofure removably with the plugged, Li - Dofure - a semiconductor device that beam is electrically connected to the conductive wire.

【0069】したがって、請求項3及び請求項13の発明は、半導体装置を容易に薄形化できるという効果がある。 [0069] Thus, the invention of claim 3 and claim 13 has the effect of easily thinning the semiconductor device. 加えて、請求項13の発明は、外力を吸収して半導体装置の実装の信頼性を向上できるという効果がある。 In addition, the invention of claim 13 has the effect of improving the implementation of the reliability of the semiconductor device to absorb the external force.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】本発明の第1実施例の半導体装置を示す斜視図。 Perspective view of a semiconductor device of the first embodiment of the present invention; FIG.

【図2】図1中のIV−IV線に沿った断面図。 2 is a cross-sectional view taken along the line IV-IV in FIG.

【図3】本発明の第1実施例の半導体装置を示すもので、(a)は側面図、(b)は平面図。 [Figure 3] shows the semiconductor device of the first embodiment of the present invention, (a) is a side view, (b) is a plan view.

【図4】ICチップの周辺を拡大して示す説明図。 FIG. 4 is an explanatory view showing an enlarged view of the periphery of the IC chip.

【図5】リ−ドフレ−ムの製造方法を示す工程図。 [5] Li - Dofure - sectional views illustrating a method of manufacturing a beam.

【図6】変形例のSOPを示すもので、(a)は側面図、(b)は平面図、(c)は正面図。 [6] shows the SOP modification, (a) shows the side view, (b) is a plan view, (c) is a front view.

【図7】本発明の第2実施例の半導体装置を示す斜視図。 Figure 7 is a perspective view showing a semiconductor device according to a second embodiment of the present invention.

【図8】図7中のVI−VI線に沿った断面図。 8 is a cross-sectional view taken along line VI-VI in FIG.

【図9】本発明の第2実施例の半導体装置を示すもので、(a)は側面図、(b)は平面図。 [9] shows a semiconductor device of the second embodiment of the present invention, (a) is a side view, (b) is a plan view.

【図10】ICチップの周辺を拡大して示す説明図。 FIG. 10 is an explanatory view showing an enlarged view of the periphery of the IC chip.

【図11】リ−ドフレ−ムの製造方法を示す工程図。 [11] Li - Dofure - sectional views illustrating a method of manufacturing a beam.

【図12】変形例のSOPを示すもので、(a)は側面図、(b)は平面図、(c)は正面図。 [Figure 12] shows the SOP modification, (a) shows the side view, (b) is a plan view, (c) is a front view.

【図13】本発明の第3実施例の半導体装置を示す斜視図。 Figure 13 is a perspective view showing a semiconductor device according to a third embodiment of the present invention.

【図14】リ−ドフレ−ムの製造方法を示す工程図。 [14] Li - Dofure - sectional views illustrating a method of manufacturing a beam.

【図15】厚肉部の成形方法を説明する図。 Figure 15 illustrates a method of molding a thick portion.

【図16】本発明の第4実施例の半導体装置を示す斜視図。 Figure 16 is a perspective view showing a semiconductor device of the fourth embodiment of the present invention.

【図17】本発明の第4実施例の半導体装置の分解図。 Figure 17 is an exploded view of the semiconductor device of the fourth embodiment of the present invention.

【図18】図16中のV−V線に沿った断面図。 Figure 18 is a sectional view taken along line V-V in FIG. 16.

【図19】本発明の第4実施例の半導体装置と実装基板の要部とを示す斜視図。 [19] Fourth perspective view showing the semiconductor device and the mounting main part of the substrate of the embodiment of the present invention.

【図20】(a)及び(b)は実装方法を示す説明図。 [Figure 20] (a) and (b) are explanatory views showing a mounting method.

【図21】リ−ドフレ−ムを切断して示す拡大図。 [21] Li - Dofure - enlarged view taken a beam.

【図22】従来の放熱板付パッケ−ジを示す断面図。 [22] Conventional radiator fitted with package - sectional view showing a di.

【図23】従来のヒ−トスプレッダ付きパッケ−ジを示す断面図。 [23] Conventional heat - Tosupuredda with package - sectional view showing a di.

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

11…QFP(半導体装置)、12…パッケ−ジ、13 11 ... QFP (semiconductor device), 12 ... package - di, 13
…リ−ドフレ−ム、15…ICチップ(半導体素子)、 ... Li - Dofure - No, 15 ... IC chip (semiconductor element),
17…熱伝導層、18…絶縁層、19…電気信号伝達層、31…半導体装置、34…放熱板、35…パッケ− 17 ... heat conductive layer, 18 ... insulating layer, 19 ... electric signal transmission layer, 31 ... semiconductor device, 34 ... radiator plate, 35 ... package -
ジ、36…ICチップ(半導体素子)、38…リ−ド(導電性配線)、41…パッケ−ジの側面、42…リ− Di, 36 ... IC chip (semiconductor device), 38 ... Li - de (conductive wiring), 41 ... package - di aspect, 42 ... Li -
ド挿入部、51…実装基板、52…凹陥部、53…リ− De insertion portion, 51 ... mounting board, 52 ... recess, 53 ... Li -
ドフレ−ム、71…半導体装置、72…リ−ドフレ− Dofure - No, 71 ... semiconductor device, 72 ... Li - Dofure -
ム、17a…熱伝導層本体、17b…厚肉部、91…半導体装置、92…リ−ドフレ−ム、17c…熱伝導層本体、17d…厚肉部。 Arm, 17a ... thermally conductive layer body, 17b ... thick portion, 91 ... semiconductor device, 92 ... Li - Dofure - arm, 17c ... thermally conductive layer body, 17d ... thick portion.

Claims (15)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】 半導体装置に組込まれた半導体素子に通電可能に接続される電気信号伝達層と、上記半導体素子に熱伝達可能に接続される熱伝導層と、上記電気信号伝達層及び上記熱伝導層を電気的に絶縁する絶縁層とを具備し、薄板状に形成されたリ−ドフレ−ム。 1. A electrical signal transmission layer which is conductively connected to the semiconductor element incorporated in the semiconductor device, the thermally conductive layer is thermally transferred connected to the semiconductor element, the electrical signal transmission layer and said heat comprising an insulating layer for electrically insulating the conductive layer, which is formed of a thin plate Li - Dofure - beam.
  2. 【請求項2】 絶縁体に導電箔を接合する第1の工程と、上記導電箔に所定の電気信号伝達層パタ−ンを印刷する第2の工程と、上記導電箔をエッチングして電気信号伝達層を形成する第3の工程と、上記絶縁体を熱伝導層に接合する第4の工程とを具備したリ−ドフレ−ムの製造方法。 Wherein a first step of bonding the conductive foil to the insulator, the conductive foil into a predetermined electric signal transmission layer patterns - a second step of printing a down, an electric signal by etching the conductive foil third step and said re insulator was and a fourth step of bonding the thermally conductive layer forming the transfer layer - Dofure - beam method for manufacturing.
  3. 【請求項3】 半導体素子と、この半導体素子が組込まれたパッケ−ジと、上記半導体素子を保持し上記パッケ−ジの外へ導出された薄板状のリ−ドフレ−ムとを具備し、上記リ−ドフレ−ムが、上記半導体素子と通電可能に接続された電気信号伝達層と、上記半導体素子と熱伝達可能に接続された熱伝導層と、上記電気信号伝達層及び上記熱伝導層を絶縁する絶縁層とを有する半導体装置。 3. A semiconductor device, package the semiconductor element is incorporated - and di, the holding the semiconductor device package - derived out of the di thin plate-like Li - Dofure -; and a beam, the Li - Dofure - beam is the semiconductor element and conductively connected to the electrical signal transmission layer, the semiconductor element and the heat transfer coupled thermal conductive layer, the electrical signal transmission layer and the heat conducting layer a semiconductor device having an insulating layer for insulating the.
  4. 【請求項4】 熱伝導層に半導体素子が熱伝達可能に接続される厚肉部を設けたことを特徴とする請求項1記載のリ−ドフレ−ム。 4. The method of claim 1, wherein re the semiconductor element to the heat conductive layer is characterized in that a thick portion which is connected in a heat transfer - Dofure - beam.
  5. 【請求項5】 厚肉部が熱伝導層の本体と別体であり、 Wherein the thick portion is a main body and separate thermally conductive layer,
    上記厚肉部が上記本体に熱伝達可能に接合されていることを特徴とする請求項4記載のリ−ドフレ−ム。 Of claim 4 Li which the thick portion is characterized in that it is thermally transferable joined to the body - Dofure - beam.
  6. 【請求項6】 厚肉部が熱伝導層に一体に設けられていることを特徴とする請求項4記載のリ−ドフレ−ム。 6. the thick portion and being provided integrally with the thermally conductive layer according to claim 4, wherein Li - Dofure - beam.
  7. 【請求項7】 絶縁体に導電箔を接合する第1の工程と、上記導電箔に所定の電気信号伝達層パタ−ンを印刷する第2の工程と、上記導電箔をエッチングして電気信号伝達層を形成する第3の工程と、上記絶縁体を熱伝導層に接合する第4の工程と、上記熱伝導層に厚肉部を形成する第5の工程とを具備したリ−ドフレ−ムの製造方法。 7. A first step and a predetermined electric signal transmission layer pattern on the conductive foil for bonding the conductive foil to the insulator - a second step of printing a down, an electric signal by etching the conductive foil third step and said insulator and a fourth step of bonding the heat conducting layer, Li was and a fifth step of forming a thick portion in the heat conducting layer forming the conducting layer - Dofure - method for producing a beam.
  8. 【請求項8】 絶縁体に導電箔を接合する第1の工程と、上記導電箔に所定の電気信号伝達層パタ−ンを印刷する第2の工程と、上記導電箔をエッチングして電気信号伝達層を形成する第3の工程と、厚肉部が形成された熱伝導層に上記絶縁体を接合する第4の工程とを具備したリ−ドフレ−ムの製造方法。 8. A first step and a predetermined electric signal transmission layer pattern on the conductive foil for bonding the conductive foil to the insulator - a second step of printing a down, an electric signal by etching the conductive foil third step and, Li was and a fourth step of joining the insulator to the thermally conductive layer thick portions are formed to form a transfer layer - Dofure - beam method for manufacturing.
  9. 【請求項9】 熱伝導層に、半導体素子が熱伝達可能に接続された厚肉部が形成されていることを特徴とする請求項3記載の半導体装置。 9. A thermally conductive layer, a semiconductor device The semiconductor device according to claim 3, wherein a thick portion which is connected in a heat transfer is formed.
  10. 【請求項10】 厚肉部が熱伝導層の本体と別体であり、上記厚肉部が上記本体に熱伝達可能に接合されていることを特徴とする請求項9記載の半導体装置。 10. A body separately from the thick portion is thermally conductive layer, the semiconductor device according to claim 9, wherein the thick portion is characterized in that it is joined to a heat-transferable to the body.
  11. 【請求項11】 厚肉部が熱伝導層に一体に設けられていることを特徴とする請求項9記載の半導体装置。 11. The semiconductor device according to claim 9, wherein the thick portion is characterized in that is provided integrally with the thermally conductive layer.
  12. 【請求項12】 厚肉部がパッケ−ジから露出していることを特徴とする請求項9記載の半導体装置。 12. thick portion package - a semiconductor device according to claim 9, wherein the exposed di.
  13. 【請求項13】 半導体素子と、この半導体素子が組込まれるとともに上記半導体素子に熱伝達可能に接触した放熱板を有し、その側面に凹陥部が形成されたパッケ− 13. A semiconductor device, this together with the semiconductor device is incorporated have a heat radiating plate in contact to allow heat transfer to said semiconductor element, concave portions are formed on the side surface package -
    ジと、このパッケ−ジに形成され上記凹陥部に露出するととともに上記半導体素子に電気的に接続された導電性配線とを具備し、上記凹陥部には可撓性を有する薄板状のリ−ドフレ−ムが着脱自在に差込まれるとともに、上記リ−ドフレ−ムが上記導電性配線に電気的に接続される半導体装置。 And di, the package - with when exposed to the recess formed in the di equipped with and electrically connected to the conductive wire in the semiconductor device, the said recess thin plate of Li having flexibility - Dofure - with arm is freely difference written detachable, the re - Dofure - semiconductor device arm is electrically connected to the conductive wire.
  14. 【請求項14】 半導体素子と、この半導体素子が組込まれるとともに上記半導体素子に熱伝達可能に接触した放熱板を有し、その側面に凹陥部が形成されたパッケ− 14. A semiconductor device, this together with the semiconductor device is incorporated have a heat radiating plate in contact to allow heat transfer to said semiconductor element, concave portions are formed on the side surface package -
    ジと、このパッケ−ジに形成され上記凹陥部に露出するととともに上記半導体素子に電気的に接続された導電性配線とを具備し、上記凹陥部には可撓性を有する薄板状のリ−ドフレ−ムが着脱自在に差込まれるとともに、上記リ−ドフレ−ムが上記導電性配線に電気的に接続される半導体装置が実装される実装基板において、半導体装置収容用の凹陥部と、可撓性を有するとともに薄板状に成形され、一端が上記凹陥部に突出するとともに他端が固定されたリ−ドフレ−ムと具備し、上記凹陥部に上記半導体装置を収容し、上記リ−ドフレ−ムを上記半導体装置の凹陥部に着脱自在に差込んで上記半導体装置を保持することを特徴とする実装基板。 And di, the package - with when exposed to the recess formed in the di equipped with and electrically connected to the conductive wire in the semiconductor device, the said recess thin plate of Li having flexibility - Dofure - with arm is freely difference written detachable, the re - Dofure - in mounting substrate beam is a semiconductor device that is electrically connected to the conductive wire is mounted, and a recessed portion of the semiconductor device housing, variable is formed into a thin plate and has a FLEXIBLE, Li one end the other end is fixed with projecting the recess - Dofure - beam and equipped, and accommodates the semiconductor device in the recess, the Li - Dofure - mounting board, characterized in that for holding the semiconductor device of arm crowded difference detachably to the concave portion of the semiconductor device.
  15. 【請求項15】 上記リ−ドフレ−ムが、上記半導体装置の上記導電性配線に通電可能に接続される電気信号伝達層と、上記半導体装置の上記放熱板に熱伝達可能に接続される熱伝導層と、上記電気信号伝達層及び上記熱伝導層を絶縁する絶縁層とを有することを特徴とする前記請求項14記載の実装基板。 15. The re - Dofure - thermal beam may be the electrical signal transmission layer which is conductively connected to the conductive wiring in a semiconductor device, connected in a heat transfer to the heat dissipation plate of the semiconductor device mounting board of claim 14, wherein further comprising a conductive layer and an insulating layer that insulates the electrical signal transmission layer and the heat conducting layer.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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