JPH07105333B2 - 露光方法及び露光装置 - Google Patents

露光方法及び露光装置

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JPH07105333B2
JPH07105333B2 JP63070728A JP7072888A JPH07105333B2 JP H07105333 B2 JPH07105333 B2 JP H07105333B2 JP 63070728 A JP63070728 A JP 63070728A JP 7072888 A JP7072888 A JP 7072888A JP H07105333 B2 JPH07105333 B2 JP H07105333B2
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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明は、露光方法及び露光装置に関する。
(従来の技術) 一般に、半導体製造工程においては、半導体ウエハ表面
にフォトレジスト膜を形成し、このフォトレジスト膜に
精密写真転写技術により、マスクの微細な回路パターン
を転写する露光工程がある。
上記半導体ウエハ表面にフォトレジスト膜を形成する場
合、一般に上記半導体ウエハ中央部分にフォトレジスト
液を滴下し、半導体ウエハを高速回転させながら遠心力
により全面に拡散させるスピンナー法によってフォトレ
ジスト液を塗布し、フォトレジスト膜を形成している。
ところで、スピンナー法によってフォトレジスト膜を形
成すると、半導体ウエハの周縁部に膜厚の厚い部分が形
成されてしまう。このような半導体ウエハ周縁部のフォ
トレジスト膜は、例えば半導体ウエハの搬送中に機械的
に破壊されたりしてごみとして飛散する可能性があるの
で、半導体チップの収率に影響を与えない部分を予め除
去しておくことが望ましい。
このような半導体ウエハ周縁部のフォトレジスト膜を除
去する装置としては、例えば特開昭58−159535、特開昭
59−138335、特開昭61−73330号公報等に、半導体ウエ
ハを回転させながら半導体ウエハの周縁部に光源からの
光を照射する装置が開示されている。
(発明が解決しようとする課題) 上述のような従来の半導体ウエハの露光装置において
は、光源として例えば水銀ランプ等を使用するが、この
ような光源の光量は、一般に点灯時間とともに減少す
る。
しかしながら、このような光源の光量の減少は、個々の
光源によってばら付きがあり、例えば点灯時間によって
光源の交換を行うと、光源によっては、光量の減少によ
り露光不足を起こしレジスト膜の残留を招いたり、まだ
充分使用することのできる光源を交換してしまうことに
より、ランニングコストの増大を招くという問題があ
る。
本発明は、かかる従来の事情に対処してなされたもの
で、光源劣化に伴なうレジスト膜の残留を防止し、確実
にレジスト膜の除去を行うことができるとともに、光源
の有効な利用を可能とし、従来に較べてランニングコス
トの低減を図ることのできる露光方法及び露光装置を提
供しようとするものである。
[発明の構成] (課題を解決するための手段) すなわち本発明方法は、被処理体の周縁部に光源からの
光を照射する露光機構を相対的に所定の移動速度で移動
せしめて、前記被処理体の周縁部を露光する工程と、 前記工程の前に前記光源からの光量を検出する工程と、 この検出によって所定値以下の光量が検出されたら前記
移動速度を低下せしめる工程と、 を具備したことを特徴とする。
また、本発明装置は、被処理体の周縁部に光源からの光
を照射し、相対的に所定の移動速度で移動せしめて、前
記被処理体の周縁部を露光する露光機構と、 前記光源からの光量を検出する検出手段と、 この検出手段によって所定値以下の光量が検出されたら
前記移動速度を低下せしめる制御手段と を具備したことを特徴とする。
(作 用) 上記構成の本発明の露光方法及び露光装置では、光源か
らの光量を検出し、光源の劣化が検知されると、露光機
構と被処理体の相対移動速度を低下させ、露光時間を長
くすることによって、確実な露光を行うことができる。
したがって、光源劣化に伴なうレジスト膜の残留を防止
し、確実にレジスト膜の除去を行うことができるととも
に、光源の有効な利用を可能とし、従来に較べてランニ
ングコストの低減を図ることができる。
(実施例) 以下、本発明の露光方法及び露光装置の実施例を図面に
参照して説明する。
基台1には、例えば真空チャック等により半導体ウエハ
2を吸着保持するとともに、例えばモータ等の回転駆動
機構3に接続され、半導体ウエハ2を回転可能に構成さ
れたウエハ載置台4が配置されている。
また、このウエハ載置台4の側方には、第2図に示すよ
うに、例えば熱除去用フィルタ5aを備えた水銀ランプ等
の光源5、光源5からの光を導光する光ファイバ6、光
ファイバ6によって導光された光を所定形状、例えば縦
横がそれぞれ数ミリ程度の矩形形状のビームとして下方
へ向けて照射するレンズユニット7からなる露光機構8
が配置されている。
この露光機構8は、支持板9上にボールスクリュー10を
介して接続されており、このボールスクリュー10に接続
されたモータ11により、ボールスクリュー10を回転させ
ることにより、図示矢印X方向に移動可能とされてい
る。また、支持板9は、両端に配置されたガイドシャフ
ト12およびボールスクリュー13によって支持されてお
り、ボールスクリュー13に接続されたモータ14により、
ボールスクリュー13を回転させることにより、図示矢印
Y方向に移動可能に構成されている。そして、上記回転
駆動機構3、モータ11およびモータ14は、それぞれ制御
装置15に接続されており、半導体ウエハ2を回転させ、
露光機構8をXおよびY方向に移動させることにより、
オリエンテーションフラット2a部分も含めた半導体ウエ
ハ2の周縁部2bに、光源5からの光を照射し、半導体ウ
エハ2表面に形成されたフォトレジスト膜のうち周縁部
2bのみを露光するよう制御される。
さらに、制御装置15によって位置制御される露光機構8
が基本位置(ホームポジション)に位置した時の露光機
構8の光路上には、第2図にも示すように、その受光面
がウエハ載置台4上に配置された半導体ウエハ2とほぼ
同じ高さとなるように、入射光の光量に応じて出力が変
化するよう構成された光検出器16が配置されている。そ
して、この光検出器16は、比較器17に接続されており、
比較器17は、例えば光検出器16の出力が予め設定された
レベル以下に低下すると、例えば図示しない警告ランプ
の点滅あるいは警報ブザー等により、オペレータに光源
5の交換、調整等が必要であることを知らせるよう構成
されている。
上記構成のこの実施例の半導体ウエハの露光装置では、
次のようにしてオリエンテーションフラット2a部分も含
めた半導体ウエハ2の周縁部2bに、光源5からの光を照
射し、フォトレジスト膜を露光する。
すなわち、まず図示しない搬送装置および位置決め装置
等により露光すべき半導体ウエハ2を、その中心がウエ
ハ載置台4の中心と一致するよう、かつ、オリエンテー
ションフラット2aが図示矢印X方向と平行するように配
置し、ウエハ載置台4上に吸着保持する。
この間、露光機構8は、光検出器16上方のホームポジシ
ョンに位置しており、その光量が光検出器16によって測
定されている。この光検出器16は光電変換機能を有すれ
ば良い。できれば、この光検出器16の較正機能を設ける
とさらに良い。この時、光検出器16によって測定された
光量が所定レベル以下である場合は、前述のように警告
ランプの点滅あるいは警報ブザー等により、オペレータ
に警告が発生される。
そして、上記半導体ウエハ2の載置が終了すると、モー
タ11およびモータ14により露光機構8を駆動し、オリエ
ンテーションフラット2aの端部に露光機構8の光路を位
置させ、この後回転駆動機構3によりウエハ載置台4を
所定速度で回転させて、オリエンテーションフラット2a
以外の半導体ウエハ2周縁部2bに光を照射し露光を行
う。なお、この時の半導体ウエハ2の回転は、1回転で
も複数回でもよい。
しかる後、モータ11により露光機構8をX方向に所定速
度で移動させ、オリエンテーションフラット2a部分に光
を照射し露光を行う。なお、上記露光は、先にオリエン
テーションフラット2a部分について行ってもよい。
すなわち、この実施例の半導体ウエハの露光装置では、
露光機構8のホームポジションの下部に、配置された光
検出器16により、露光機構8から照射される光の光量を
測定し、この光量が予め設定されたレベル以下に低下す
ると、例えば警告ランプの点滅あるいは警報ブザー等に
より、オペレータに光源5の交換、調整等が必要である
ことを警告するよう構成されている。なお、この交換を
自動的に実行しても良い。すなわち、光源5を可動可能
な2つのアームにそれぞれ設け、このアームを予め定め
られた位置に移動させることにより交換させても良い。
したがって、光源5の劣化に伴なう露光不足により、レ
ジスト膜が残留することを防止し、確実にレジスト膜の
除去を行うことができるとともに、光源5を有効に利用
することができ、従来に較べてランニングコストの低減
を図ることができる。
なお、上記実施例では、光検出器16による光量の測定結
果からオペレータに警告のみを発するよう構成したが、
例えば第3図に示すように、光検出器16の出力を制御装
置15にフィードバックさせて、回転駆動機構3、モータ
11およびモータ14による駆動速度を変化させるように構
成し、例えば光源5が劣化して光量が低下した際には、
駆動速度を遅くして露光時間を長くするよう構成しても
よい。
また、光検出器16の配置位置は、露光機構8のホームポ
ジションの下部に限定されるものではなく、例えば実際
に半導体ウエハ2に照射される光量との相関がとれれ
ば、どこに配置してもよく、例えば光源5の近傍に配置
して、光源5の光を直接測定するよう構成してもよい。
上記光源5を同時に複数光源発生させ、光量を複数倍化
することにより、短期間露光にさせると良い。
[発明の効果] 以上説明したように、本発明の露光方法及び露光装置に
よれば、光源劣化に伴なうレジスト膜の残留を防止し、
確実にレジスト膜の除去を行うことができるとともに、
光源の有効な利用を可能とし、従来に較べてランニング
コストの低減を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明 一実施例の露光装置を示す構成図、第2図は第1図の露
光装置の要部を拡大して示す構成図、第3図は第1図の
露光装置の変形例を示す構成図である。 2……半導体ウエハ、5……光源、6……光ファイバ、
7……レンズユニット、8……露光機構、16……光検出
器、17……比較器。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】被処理体の周縁部に光源からの光を照射す
    る露光機構を相対的に所定の移動速度で移動せしめて、
    前記被処理体の周縁部を露光する工程と、 前記工程の前に前記光源からの光量を検出する工程と、 この検出によって所定値以下の光量が検出されたら前記
    移動速度を低下せしめる工程と、 を具備したことを特徴とする露光方法。
  2. 【請求項2】被処理体の周縁部に光源からの光を照射
    し、相対的に所定の移動速度で移動せしめて、前記被処
    理体の周縁部を露光する露光機構と、 前記光源からの光量を検出する検出手段と、 この検出手段によって所定値以下の光量が検出されたら
    前記移動速度を低下せしめる制御手段と を具備したことを特徴とする露光装置。
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