JPH07101666B2 - Heat treatment method and heat treatment equipment - Google Patents
Heat treatment method and heat treatment equipmentInfo
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- JPH07101666B2 JPH07101666B2 JP63035638A JP3563888A JPH07101666B2 JP H07101666 B2 JPH07101666 B2 JP H07101666B2 JP 63035638 A JP63035638 A JP 63035638A JP 3563888 A JP3563888 A JP 3563888A JP H07101666 B2 JPH07101666 B2 JP H07101666B2
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、熱処理方法および熱処理装置に関する。TECHNICAL FIELD The present invention relates to a heat treatment method and a heat treatment apparatus.
（従来の技術） 半導体製造工程、例えばフォトリソグラフィー工程にお
いて、被処理体例えば半導体ウエハへのレジスト塗布
後、あるいはレジスト現象処理の前後において、上記レ
ジストの安定化等の目的で上記半導体ウエハを熱処理す
ることが一般に行われている。(Prior Art) In a semiconductor manufacturing process, for example, a photolithography process, the semiconductor wafer is subjected to heat treatment for the purpose of stabilizing the resist after applying a resist to an object to be processed such as a semiconductor wafer or before and after a resist phenomenon process. Is commonly done.
第３図に示すように、熱処理装置（１）の熱板（２）上
に被処理体である半導体ウエハ（３）を載置加熱して所
定時間熱処理を行う。As shown in FIG. 3, the semiconductor wafer (3) which is the object to be processed is placed on the hot plate (2) of the heat treatment apparatus (1) and heated, and heat treatment is performed for a predetermined time.
そして、この熱処理が終了し、半導体ウエハ（３）を次
工程の装置（４）に搬送する際、次工程（４）に半導体
ウエハ（３）がなければ直ちに搬送する。Then, after this heat treatment is completed, when the semiconductor wafer (3) is transferred to the apparatus (4) of the next step, if there is no semiconductor wafer (3) in the next step (4), it is immediately transferred.
しかしながら、例えば次工程（４）の処理時間が上記熱
処理時間より長い場合あるいはトラブル等が発生して上
記熱処理終了後に待ち時間が生じた場合には、半導体ウ
エハ（３）を過大に加熱しないようなオーバーベーク対
策が必要である。その一例として上記熱処理装置（１）
と次工程の装置（４）との中間に、一次的に半導体ウエ
ハ（３）を収納するバッファー装置（５）を設ける手段
が一般的である。However, for example, when the processing time of the next step (4) is longer than the heat treatment time or when a trouble or the like causes a waiting time after the heat treatment ends, the semiconductor wafer (3) is not overheated. Overbaking measures are necessary. As an example, the heat treatment apparatus (1)
Generally, a buffer device (5) for temporarily storing the semiconductor wafer (3) is provided between the device and the device (4) for the next step.
（発明が解決しようとする課題） しかしながら、熱処理装置（１）が複数配置構成され複
数枚の半導体ウエハ（３）が同時に平行処理される場合
には、上述の待ち時間が長くなると複数枚の半導体ウエ
ハ（３）を収納可能なバッファー装置（５）が必要とな
り製作コストが高くなる可能性がある。(Problems to be Solved by the Invention) However, when a plurality of heat treatment apparatuses (1) are arranged and a plurality of semiconductor wafers (3) are processed in parallel at the same time, when the waiting time becomes long, a plurality of semiconductors are obtained. A buffer device (5) capable of accommodating the wafer (3) is required, which may increase the manufacturing cost.
本発明は上述の従来事情に対処してなされたもので、簡
単な構成でオーバーベーク対策が得られ、バッファー装
置（５）を不要とした熱処理方法を提供しようとするも
のである。The present invention has been made in view of the above-mentioned conventional circumstances, and an object of the present invention is to provide a heat treatment method capable of obtaining a countermeasure against overbaking with a simple configuration and eliminating the need for the buffer device (5).
（課題を解決するための手段） 上記目的を達成するために、請求項１記載の熱処理方法
は、処理室内に設けた発熱体上に被加熱体を載置する工
程と、上記被加熱体の周囲を密閉する工程と、 上記被加熱体を所定時間加熱する工程と、上記被加熱体
を上記発熱体から離間させ上記発熱体の上方に支持する
工程と、支持された上記被加熱体に対して被加熱体の温
度を低下させる気体を供給する工程と、上記気体の供給
を所定時間行った後、上記被加熱体を上記処理室内から
搬出する工程と、を有することを特徴とする。(Means for Solving the Problem) In order to achieve the above object, the heat treatment method according to claim 1 includes a step of placing an object to be heated on a heating element provided in a processing chamber, and A step of sealing the periphery, a step of heating the object to be heated for a predetermined time, a step of separating the object to be heated from the heating element and supporting the heating element above the heating element, with respect to the supported object to be heated And a step of supplying a gas for lowering the temperature of the object to be heated, and a step of carrying out the object to be heated from the processing chamber after supplying the gas for a predetermined time.
請求項２記載の熱処理方法は、処理室内に設けた発熱体
上に被加熱体を載置する工程と、上記被加熱体の周囲を
密閉する工程と、上記被加熱体を所定時間熱する工程
と、上記被加熱体の周囲の密閉を解除すると共に、上記
被加熱体を上記発熱体から離間させ上記発熱体の上方に
支持する工程と、支持された上記被加熱体に対して被加
熱体の温度を低下させる気体を供給する工程と、上記気
体の供給を所定時間行った後、上記被加熱体を上記処理
室内から搬出する工程と、を有することを特徴とする。The heat treatment method according to claim 2, wherein the object to be heated is placed on the heating element provided in the processing chamber, the step of sealing the periphery of the object to be heated, and the step of heating the object to be heated for a predetermined time. And a step of releasing the hermetic seal around the heated body and supporting the heated body above the heating body by separating the heated body from the heating body, and the heated body with respect to the supported heated body. And a step of unloading the object to be heated from the processing chamber after the gas is supplied for a predetermined time.
請求項３記載の熱処理方法は、処理室内に設けた発熱体
上に被加熱体を載置する工程と、上記被加熱体の周囲を
密閉する工程と、密閉空間内に所定の処理ガスを導入す
る工程と、上記被加熱体を所定時間加熱する工程と、上
記被加熱体を上記発熱体から離間させ上記発熱体の上方
に支持する工程と、支持された上記被加熱体に対して被
加熱体の温度を低下させる気体を供給する工程と、上記
気体の供給を所定時間行った後、上記被加熱体を上記処
理室内から搬出する工程と、を有することを特徴とす
る。The heat treatment method according to claim 3, wherein the object to be heated is placed on a heating element provided in the processing chamber, the step of sealing the periphery of the object to be heated, and a predetermined processing gas being introduced into the closed space. Heating step, heating the object to be heated for a predetermined time, separating the object to be heated from the heating element and supporting the heating element above the heating element, and heating the supported object to be heated. It is characterized by including a step of supplying a gas for lowering the temperature of the body and a step of carrying out the object to be heated from the processing chamber after supplying the gas for a predetermined time.
請求項４記載の熱処理方法は、処理室内に設けた発熱体
上に被加熱体を載置する工程と、上記被加熱体の周囲を
密閉する工程と、密閉空間内に所定の処理ガスを導入す
る工程と、上記被加熱体を所定時間加熱する工程と、上
記被加熱体の周囲の密閉を解除すると共に、上記被加熱
体を上記発熱体から離間させ上記発熱体の上方に支持す
る工程と、支持された上記被加熱体に対して被加熱体の
温度を低下させる気体を供給する工程と、上記気体の供
給を所定時間行った後、上記被加熱体を上記処理室内か
ら搬出する工程と、を有することを特徴とする。The heat treatment method according to claim 4, wherein a heated body is placed on a heating element provided in the processing chamber, a step of sealing the periphery of the heated body, and a predetermined processing gas is introduced into the sealed space. A step of heating the heated body for a predetermined period of time, a step of releasing the sealing around the heated body, and separating the heated body from the heating body and supporting the heating body above the heating body. A step of supplying a gas for lowering the temperature of the object to be heated to the supported object to be heated, and a step of carrying out the object to be heated from the processing chamber after supplying the gas for a predetermined time. , Are included.
請求項５記載の熱処理方法は、請求項１から４のいずれ
かに記載の熱処理方法において、上記被加熱体の搬入出
側から被加熱体の温度を低下させる気体を導入し、被加
熱体を挟んで反対側から排気させることを特徴とする。The heat treatment method according to claim 5 is the heat treatment method according to any one of claims 1 to 4, wherein a gas for lowering the temperature of the object to be heated is introduced from the loading / unloading side of the object to be heated, It is characterized in that it is sandwiched and exhausted from the opposite side.
また、請求項６記載の熱処理装置は、被加熱体を載置
し、被加熱体を加熱する手段を備えた発熱体と、上記発
熱体側に設けられ、発熱体に対して上記被加熱体を着脱
可能に構成されると共に、所定の加熱時間後に発熱体上
方に支持する支持手段と、上記発熱体に載置された上記
被加熱体の周囲を密閉可能に覆う閉塞手段と、上記支持
手段によって上記発熱体上方に支持された上記被加熱体
に対して冷却用気体を供給する給気手段と、上記被加熱
体を挟んで上記給気手段の反対側に設けられる排気手段
と、を具備することを特徴とする。Further, the heat treatment apparatus according to claim 6 is a heating element having a means for mounting the heating object and heating the heating object, and the heating element provided on the heating element side, the heating object being provided to the heating element. Supporting means configured to be detachable and supporting above the heating element after a predetermined heating time, closing means for sealingly sealing the periphery of the heated object placed on the heating element, and the supporting means. An air supply means for supplying a cooling gas to the heated body supported above the heating element, and an exhaust means provided on the opposite side of the heated body with the heated body interposed therebetween. It is characterized by
（作用） 本発明によれば、発熱体上に載置される被加熱体の周囲
を密閉して、被加熱体を所定時間加熱した後、被加熱体
を発熱体から離間させ発熱体の上方に支持し、支持され
た被加熱体に対して被加熱体の温度を低下させる気体を
所定時間供給することにより、加熱処理時には、処理室
内の気流の乱流から被加熱体を保護して、加熱処理を行
うことができ、また、加熱処理後に被処理体を冷却でき
ると共に、被処理体を一定時間待機させることができ
る。この場合、被加熱体を挟んで給気手段と排気手段と
を設けることにより、冷却用気体を被加熱体に均一に接
触させることができ、被加熱体の冷却効率の向上を図る
ことができる。(Operation) According to the present invention, the periphery of the object to be heated placed on the heating element is hermetically sealed, the object to be heated is heated for a predetermined time, and then the object to be heated is separated from the heating element and above the heating element. By supplying a gas for lowering the temperature of the heated object to the supported heated object for a predetermined time, the heated object is protected from the turbulent flow of the air flow in the processing chamber during the heat treatment, The heat treatment can be performed, the object to be treated can be cooled after the heat treatment, and the object to be treated can be kept on standby for a certain time. In this case, by providing the air supply means and the exhaust means with the heated body sandwiched, the cooling gas can be brought into uniform contact with the heated body, and the cooling efficiency of the heated body can be improved. .
（実施例） 以下、本発明熱処理方法の一実施例を図面を参照して説
明する。(Example) Hereinafter, one example of the heat treatment method of the present invention will be described with reference to the drawings.
チャンバー（11）内には、温度制御機構（図示せず）に
よって制御されるヒータ等を内蔵し、被処理体例えば表
面にレジストが塗布された半導体ウエハ（12）を載置し
て加熱することにより熱処理する発熱体例えば円板状に
形成された熱板（13）が配置されており、この熱板（1
3）はチャンバー（11）に取着された昇降機構（14）に
より上昇下降可能に構成されている。In the chamber (11), a heater or the like controlled by a temperature control mechanism (not shown) is built-in, and an object to be processed, for example, a semiconductor wafer (12) whose surface is coated with a resist is placed and heated. A heating element for heat treatment by, for example, a hot plate (13) formed in a disk shape is arranged.
3) is configured to be able to move up and down by a lifting mechanism (14) attached to the chamber (11).
また、上記熱板（13）には上下に貫通する複数個の穴
（15）が設けられており、後述する棒状体例えばピン
（16）｛支持手段｝が例えば４本貫通して上下動可能に
構成されている。Further, the hot plate (13) is provided with a plurality of holes (15) penetrating up and down, and a rod-like body (for example, a pin (16) {supporting means} described later can be vertically moved by penetrating, for example, four bars. Is configured.
次に、上記熱板（13）の上方には、側面が円筒状に形成
され、熱板（13）が上昇した時、上記側面下端部分と上
記熱板（13）上面周辺部が当接することにより熱板（1
3）の上の半導体ウエハ（12）を密閉する如く構成され
た閉塞手段例えば断熱性のカバー（17）が、チャンバー
（11）に取着されている。Next, the side surface is formed in a cylindrical shape above the heat plate (13), and when the heat plate (13) rises, the lower end portion of the side surface and the peripheral portion of the upper surface of the heat plate (13) contact each other. To heat plate (1
The chamber (11) is fitted with a closing means such as a heat insulating cover (17) configured to seal the semiconductor wafer (12) on the upper side.
熱板（13）の下方には、この熱板（13）に設けられた穴
（15）を貫通した上下動可能な複数の棒状体例えばピン
（16）がチャンバー（11）に取着されており、上記熱板
（13）が最上昇時にはピン（16）の先端部が熱板（13）
上面よりも下にあり、熱板が最下降時にはピン（16）の
先端部が熱板（13）上面より突出し半導体ウエハ（12）
を熱板（13）より持ち上げ支持する如く構成されてい
る。Below the heat plate (13), a plurality of vertically movable rod-shaped members, such as pins (16), which penetrate through holes (15) formed in the heat plate (13), are attached to the chamber (11). When the hot plate (13) rises to the maximum, the tip of the pin (16) is located at the hot plate (13).
Below the upper surface, the tip of the pin (16) protrudes from the upper surface of the hot plate (13) when the hot plate is at the lowest position, and the semiconductor wafer (12)
Is configured to be lifted from and supported by the hot plate (13).
また、チャンバー（11）の半導体ウエハ（12）の搬入出
側の側面には給気手段例えば外気導入口（19）が、半導
体ウエハ（12）を挟んでこの外気搬入口（19）と反対側
のチャンバー（11）の底面の端部側には排気手段例えば
排気口（18）が、それぞれ設けられており、上記排気口
（18）に配管接続された排気機構（図示せず）によりチ
ャンバー（11）内を排気すると共に外気導入口（19）よ
り外気を導入可能に構成されている。また、この外気導
入口（19）を通して搬送機構（図示せず）により半導体
ウエハ（12）を搬入搬出可能に構成されている。Further, on the side surface of the chamber (11) on the loading / unloading side of the semiconductor wafer (12), there is provided an air supply means such as an outside air inlet (19) on the opposite side of the outside of the semiconductor wafer (12) from the outside air inlet (19). An exhaust means, for example, an exhaust port (18) is provided on the end side of the bottom surface of the chamber (11) of the chamber (11), and the chamber ((not shown) is connected to the exhaust port (18) by a chamber (not shown). The inside of 11) is exhausted and outside air can be introduced through the outside air introduction port (19). Further, the semiconductor wafer (12) can be loaded and unloaded through the outside air introduction port (19) by a transport mechanism (not shown).
なお、熱板（13）とカバー（17）とで密閉される空間内
に窒素（N2）ガス等のパージガスを導入すべくカバー
（17）およびチャンバー（１）にはパージガス導入口
（17a）と、パージガス排気口（17b）が設けられてお
り、熱板（13）上面を密閉して半導体ウエハ（12）を熱
処理中に発生するレジスト溶剤等のガスを必要に応じて
排出可能に構成されている。A purge gas inlet (17a) is provided in the cover (17) and the chamber (1) so that a purge gas such as nitrogen (N 2 ) gas is introduced into the space enclosed by the hot plate (13) and the cover (17). And a purge gas exhaust port (17b) are provided so that the upper surface of the heating plate (13) is closed and gas such as resist solvent generated during heat treatment of the semiconductor wafer (12) can be discharged as necessary. ing.
次に、熱処理方法を説明する。Next, the heat treatment method will be described.
先ず、昇降機構（14）により熱板（13）を下降させ、熱
板（13）とカバー（17）下端との間に隙間を設け外気導
入口（19）を通して搬送機構（図示せず）により処理前
の半導体ウエハ（12）をチャンバー（11）内に搬入し、
ピン（16）先端部分に半導体ウエハ（12）を乗せる。First, the heating plate (13) is lowered by the elevating mechanism (14), and a gap is provided between the heating plate (13) and the lower end of the cover (17), and a transfer mechanism (not shown) is passed through the outside air introduction port (19). The unprocessed semiconductor wafer (12) is loaded into the chamber (11),
The semiconductor wafer (12) is placed on the tips of the pins (16).
次に、昇降機構（14）により熱板（13）を上昇させ、ピ
ン（16）先端部分に乗っている半導体ウエハ（12）を熱
板（13）に載置し、熱板（13）とカバー（17）とで半導
体ウエハ（12）を含む熱板（13）の上面部分を密閉状態
に保つ。こうすることによりチャンバー（11）内に気流
があっても半導体ウエハ（12）の処理面の雰囲気温度は
影響を受けにくく一定温度に保つことがより容易にな
る。Next, the elevating mechanism (14) raises the hot plate (13) to place the semiconductor wafer (12) on the tip of the pin (16) on the hot plate (13), The cover (17) and the heating plate (13) including the semiconductor wafer (12) keep the upper surface portion sealed. By doing so, even if there is an air flow in the chamber (11), the ambient temperature of the processing surface of the semiconductor wafer (12) is hardly affected and it is easier to maintain a constant temperature.
そして、熱板（13）により半導体ウエハ（12）を所定温
度で所定時間だけ加熱して熱処理を行う。この時、必要
に応じてパージガスを上記密閉雰囲気中に導入し、ま
た、熱処理により発生したガスを排気する。Then, the semiconductor wafer (12) is heated by the heating plate (13) at a predetermined temperature for a predetermined time to perform heat treatment. At this time, if necessary, a purge gas is introduced into the closed atmosphere, and the gas generated by the heat treatment is exhausted.
上記熱処理が終った後、上記熱板（13）と、カバー（1
7）およびピン（16）とを相対的に移動、例えばカバー
（17）およびピン（16）を固定した熱板（13）を昇降機
構（14）により移動つまり下降させる。After the heat treatment is completed, the hot plate (13) and the cover (1
7) and the pin (16) are relatively moved, for example, the heating plate (13) to which the cover (17) and the pin (16) are fixed is moved or lowered by the elevating mechanism (14).
この時、第２図に示すように、半導体ウエハ（12）は熱
板（13）の載置面より上方に突出して位置したピン（1
6）の先端部分に乗っており、熱板（13）から持ち上げ
られた状態になり、また、カバー（17）と熱板（13）は
分離するため隙間（20）ができる。At this time, as shown in FIG. 2, the semiconductor wafer (12) has pins (1) that are positioned so as to project above the mounting surface of the heat plate (13).
It is on the tip of 6) and is in a state of being lifted from the heating plate (13), and since the cover (17) and the heating plate (13) are separated, a gap (20) is formed.
したがって、半導体ウエハ（12）を熱板（13）およびカ
バー（17）から離間してピン（16）で支持するので熱板
（13）からの熱伝達は減少し、また半導体ウエハ（12）
を熱板（13）から遠去けることにより熱板（13）からの
輻射熱の影響を少くできると共に、さらに、隙間（20）
から外気（21）が導入できるので、半導体ウエハ（12）
を冷却しておくことができる。また、外気（21）は半導
体ウエハ（12）の搬入出側の外気導入口（19）から導入
されて反対側の排気口（18）から排気されるので、冷却
用気体が半導体ウエハ（12）に均一に接触して半導体ウ
エハ（12）は効率良く冷却され、また、チャンバー（1
1）内の雰囲気等が半導体ウエハ（12）の搬送側へ流出
するのを防止することができる。なお、半導体ウエハ
（12）の冷却作用を助長させる手段として、カバー（1
7）と熱板（13）が、分離した状態で半導体ウエハ（1
2）表面に対して気体例えば空気、N2ガス等を噴出させ
強制的に冷却する機構（図示せず）を設けて冷却しても
よい。Therefore, since the semiconductor wafer (12) is supported by the pins (16) apart from the heat plate (13) and the cover (17), heat transfer from the heat plate (13) is reduced, and the semiconductor wafer (12) is also reduced.
The effect of radiant heat from the heat plate (13) can be reduced by moving away the heat plate (13) from the heat plate (13), and further, the gap (20)
External air (21) can be introduced from the semiconductor wafer (12)
Can be cooled. Further, since the outside air (21) is introduced from the outside air introduction port (19) on the loading / unloading side of the semiconductor wafer (12) and exhausted from the exhaust port (18) on the opposite side, the cooling gas is the semiconductor wafer (12). The semiconductor wafer (12) is efficiently cooled by contacting the chamber (1) with the chamber (1
It is possible to prevent the atmosphere in 1) from flowing out to the transfer side of the semiconductor wafer (12). As a means for promoting the cooling action of the semiconductor wafer (12), the cover (1
7) and the hot plate (13) are separated, the semiconductor wafer (1
2) A mechanism (not shown) for ejecting gas such as air or N 2 gas onto the surface to forcibly cool it may be provided for cooling.
すなわち、次工程に半導体ウエハ（12）が残存しており
直ちに上記熱処理後の半導体ウエハ（12）を搬出できな
い場合でも、チャンバー（11）内に半導体ウエハ（12）
を保った状態で、一定時間保持可能なことによりオーバ
ーベーク対策を行い、且つ、バッファー装置として機能
させることが可能となる。That is, even if the semiconductor wafer (12) remains in the next step and the semiconductor wafer (12) after the heat treatment cannot be carried out immediately, the semiconductor wafer (12) remains in the chamber (11).
By maintaining the above condition for a certain period of time, it becomes possible to take measures against overbaking and to function as a buffer device.
そして、次工程が半導体ウエハ（12）受入れ可能状態に
なると、外気導入口（19）を通して搬送機構（図示せ
ず）により熱処理後の半導体ウエハ（12）を搬送する。Then, when the semiconductor wafer (12) is ready to be received in the next step, the heat-treated semiconductor wafer (12) is transferred by the transfer mechanism (not shown) through the outside air inlet (19).
なお、上記実施例では、熱板（13）と、カバー（17）お
よびピン（16）とを相対的に移動する手段として、カバ
ー（17）およびピン（16）を固定とし熱板（13）を移動
するものについて説明したが、本発明は上記実施例に限
定されるものではなく、例えば熱板（13）を固定としカ
バー（17）およびピン（16）を移動するように構成して
もよく同様に効果を得ることができる。また、熱板（1
3）、カバー（17）、ピン（16）をそれぞれ独立して移
動可能に構成して、上記の動作を行うようにしてもよ
い。In the above embodiment, the cover (17) and the pin (16) are fixed and the heat plate (13) is fixed as means for relatively moving the heat plate (13) and the cover (17) and the pin (16). However, the present invention is not limited to the above embodiment. For example, the heating plate (13) may be fixed and the cover (17) and the pin (16) may be moved. The same effect can be obtained. Also, the hot plate (1
3), the cover (17), and the pin (16) may be independently movable to perform the above operation.
さらに、本発明によれば、上記説明から理解されるよう
に、バッファーとしての機能をも持たせることができる
ので、バッファー装置を特に設ける必要がないことは言
うまでもなく、熱処理装置の直列多段配置、並列配置、
また各熱処理装置毎に熱処理プロセスを設定することな
どが容易に可能となる。Further, according to the present invention, as can be understood from the above description, since it can also have a function as a buffer, it goes without saying that it is not necessary to provide a buffer device in particular, and a series multi-stage arrangement of heat treatment devices, Parallel arrangement,
Further, it is possible to easily set a heat treatment process for each heat treatment apparatus.
また、本発明によれば、上記説明の熱処理の他、例えば
疏水熱処理、プリベーク処理、レジストキュア工程など
にも適用して最適である。Further, according to the present invention, in addition to the heat treatment described above, it is most suitable to be applied to, for example, a hydrophobization heat treatment, a prebake treatment, a resist cure step and the like.
（発明の効果） 以上説明したように本発明によれば、簡単な構成でオー
バーベーク対策が可能となり、従来のようなバッファー
装置は不要で装置全体を小さくでき製造コストも下げる
ことができる。また、チャンバー内に気流があっても被
加熱体の処理面温度は影響を受けにくく、一定温度に保
つことができる。また、被加熱体を挟んで給気手段と排
気手段とを設けることにより、被加熱体の冷却効率の向
上を図ることができる。(Effects of the Invention) As described above, according to the present invention, it is possible to take measures against overbaking with a simple configuration, a conventional buffer device is not required, and the entire device can be made smaller and the manufacturing cost can be reduced. Further, even if there is an air flow in the chamber, the temperature of the surface to be heated of the object to be heated is not easily affected and can be maintained at a constant temperature. Further, by providing the air supply means and the exhaust means with the object to be heated interposed, it is possible to improve the cooling efficiency of the object to be heated.
第１図は本発明熱処理装置の一実施例を説明するための
構成図、第２図は第１図の動作説明図、第３図は従来例
の説明図である。 （符号の説明） 11……チャンバー、12……半導体ウエハ（被加熱体）、
13……熱板（発熱体）、14……昇降機構、16……ピン
（支持手段）、17……カバー（閉塞手段）、17a……パ
ージガス導入口、17b……パージガス排気口、18……排
気口（排気手段）、19……空気導入口（給気手段）FIG. 1 is a configuration diagram for explaining one embodiment of the heat treatment apparatus of the present invention, FIG. 2 is an operation explanatory diagram of FIG. 1, and FIG. 3 is an explanatory diagram of a conventional example. (Explanation of symbols) 11 …… Chamber, 12 …… Semiconductor wafer (body to be heated),
13 ... Hot plate (heating element), 14 ... Lifting mechanism, 16 ... Pin (supporting means), 17 ... Cover (closing means), 17a ... Purge gas inlet, 17b ... Purge gas outlet, 18 ... … Exhaust port (exhaust means), 19 …… Air inlet (air supply means)
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 飽本 正己 熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地 テル 九州株式会社内 (72)発明者 牛島 満 東京都新宿区西新宿１丁目26番２号 東京 エレクトロン株式会社内 (56)参考文献 特開 昭63−31118（ＪＰ，Ａ) 実開 平１−78024（ＪＰ，Ｕ) ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued Front Page (72) Inventor Masami Akimoto 2655 Tsukure, Kikuyo-cho, Kikuchi-gun, Kumamoto Ter Kyushu Co., Ltd. Within Electron Co., Ltd. (56) Reference Japanese Unexamined Patent Publication No. 63-31118 (JP, A) Actual Kaihei 1-78024 (JP, U)
Claims (6)
置する工程と、 上記被加熱体の周囲を密閉する工程と、 上記被加熱体を所定時間加熱する工程と、 上記被加熱体を上記発熱体から離間させ上記発熱体の上
方に支持する工程と、 支持された上記被加熱体に対して被加熱体の温度を低下
させる気体を供給する工程と、 上記気体の供給を所定時間行った後、上記被加熱体を上
記処理室内から搬出する工程と、 を有することを特徴とする熱処理方法。1. A step of placing an object to be heated on a heating element provided in a processing chamber, a step of sealing the periphery of the object to be heated, a step of heating the object to be heated for a predetermined time, A step of separating the heating element from the heating element and supporting it above the heating element; a step of supplying a gas for lowering the temperature of the heating object to the supported heating object; and a step of supplying the gas. And a step of unloading the object to be heated from the processing chamber after performing the heating for a predetermined time.
置する工程と、 上記被加熱体の周囲を密閉する工程と、 上記被加熱体を所定時間加熱する工程と、 上記被加熱体の周囲の密閉を解除すると共に、上記被加
熱体を上記発熱体から離間させ上記発熱体の上方に支持
する工程と、 支持された上記被加熱体に対して被加熱体の温度を低下
させる気体を供給する工程と、 上記気体の供給を所定時間行った後、上記被加熱体を上
記処理室内から搬出する工程と、 を有することを特徴とする熱処理方法。2. A step of placing an object to be heated on a heating element provided in a processing chamber, a step of sealing the periphery of the object to be heated, a step of heating the object to be heated for a predetermined time, A step of releasing the hermetic seal around the heating body and supporting the heated body above the heating body by separating it from the heating body; and lowering the temperature of the heated body with respect to the supported heating body. And a step of unloading the object to be heated from the processing chamber after supplying the gas for a predetermined time.
置する工程と、 上記被加熱体の周囲を密閉する工程と、 密閉空間内に所定の処理ガスを導入する工程と、 上記被加熱体を所定時間加熱する工程と、 上記被加熱体を上記発熱体から離間させ上記発熱体の上
方に支持する工程と、 支持された上記被加熱体に対して被加熱体の温度を低下
させる気体を供給する工程と、 上記気体の供給を所定時間行った後、上記被加熱体を上
記処理室内から搬出する工程と、 を有することを特徴とする熱処理方法。3. A step of placing an object to be heated on a heating element provided in a processing chamber, a step of sealing the periphery of the object to be heated, and a step of introducing a predetermined processing gas into the closed space. A step of heating the object to be heated for a predetermined time, a step of separating the object to be heated from the heating element and supporting it above the heating element, and a temperature of the object to be heated with respect to the supported object to be heated. A heat treatment method comprising: a step of supplying a gas to be reduced; and a step of carrying out the object to be heated from the processing chamber after supplying the gas for a predetermined time.
置する工程と、 上記被加熱体の周囲を密閉する工程と、 密閉空間内に所定の処理ガスを導入する工程と、 上記被加熱体を所定時間加熱する工程と、 上記被加熱体の周囲の密閉を解除すると共に、上記被加
熱体を上記発熱体から離間させ上記発熱体の上方に支持
する工程と、 支持された上記被加熱体に対して被加熱体の温度を低下
させる気体を供給する工程と、 上記気体の供給を所定時間行った後、上記被加熱体を上
記処理室内から搬出する工程と、 を有することを特徴とする熱処理方法。4. A step of placing an object to be heated on a heating element provided in a processing chamber, a step of sealing the periphery of the object to be heated, and a step of introducing a predetermined processing gas into the closed space. A step of heating the object to be heated for a predetermined period of time, a step of releasing the sealing around the object to be heated, and a step of separating the object to be heated from the heating element and supporting the heating element above the heating element; A step of supplying a gas for lowering the temperature of the heated body to the heated body, and a step of unloading the heated body from the processing chamber after supplying the gas for a predetermined time. A heat treatment method characterized by:
方法において、 上記被加熱体の搬入出側から被加熱体の温度を低下させ
る気体を導入し、被加熱体を挟んで反対側から排気させ
ることを特徴とする熱処理方法。5. The heat treatment method according to any one of claims 1 to 4, wherein a gas for lowering the temperature of the object to be heated is introduced from the loading / unloading side of the object to be heated, and the opposite side is provided across the object to be heated. A heat treatment method, characterized in that the air is exhausted from the.
段を備えた発熱体と、 上記発熱体側に設けられ、発熱体に対して上記被加熱体
を着脱可能に構成されると共に、所定の加熱時間後に発
熱体上方に支持する支持手段と、 上記発熱体に載置された上記被加熱体の周囲を密閉可能
に覆う閉塞手段と、 上記支持手段によって上記発熱体上方に支持された上記
被加熱体に対して冷却用気体を供給する給気手段と、 上記被加熱体を挟んで上記給気手段の反対側に設けられ
る排気手段と、 を具備することを特徴とする熱処理装置。6. A heating element having a means for mounting a heating object thereon and heating the heating object, and a heating element provided on the heating element side so that the heating object can be attached to and detached from the heating element. At the same time, a supporting means for supporting above the heating element after a predetermined heating time, a closing means for sealingly sealing the periphery of the heated object placed on the heating element, and a supporting means above the heating element by the supporting means. A heat treatment means for supplying a cooling gas to the heated body, and an exhaust means provided on the opposite side of the heated body with the heated body sandwiched therebetween. apparatus.
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Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP63035638A JPH07101666B2 (en) | 1988-02-17 | 1988-02-17 | Heat treatment method and heat treatment equipment |
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|---|---|
| JPH01209722A JPH01209722A (en) | 1989-08-23 |
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Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
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