JPH0697630A - 窒化アルミニウム回路基板及びその製造方法 - Google Patents
窒化アルミニウム回路基板及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH0697630A JPH0697630A JP26673592A JP26673592A JPH0697630A JP H0697630 A JPH0697630 A JP H0697630A JP 26673592 A JP26673592 A JP 26673592A JP 26673592 A JP26673592 A JP 26673592A JP H0697630 A JPH0697630 A JP H0697630A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- aluminum nitride
- circuit board
- green sheet
- conductor
- firing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 回路基板の焼成温度よりも融点の低い銅等の
低抵抗の金属を配線材料に使用して配線パターンの断線
等を生じさせず回路基板の良品を製造する。 【構成】 窒化アルミニウムの焼成温度よりも融点の低
い金属を配線材料として導体部を形成する窒化アルミニ
ウム回路基板の製造方法において、窒化アルミニウムの
グリーンシート11に、前記金属によるメタライズぺー
スト18を用いて配線パターン12、ビア14等の導体
部を形成するとともに、該グリーンシートを焼成する際
に前記導体部の高さ位置よりも上位となる位置のグリー
ンシートに前記導体部に連通させてメタライズぺースト
18のプール部20を設け、前記導体部の導通に不足す
るメタライズぺーストを前記プール部20から補充して
焼成する。
低抵抗の金属を配線材料に使用して配線パターンの断線
等を生じさせず回路基板の良品を製造する。 【構成】 窒化アルミニウムの焼成温度よりも融点の低
い金属を配線材料として導体部を形成する窒化アルミニ
ウム回路基板の製造方法において、窒化アルミニウムの
グリーンシート11に、前記金属によるメタライズぺー
スト18を用いて配線パターン12、ビア14等の導体
部を形成するとともに、該グリーンシートを焼成する際
に前記導体部の高さ位置よりも上位となる位置のグリー
ンシートに前記導体部に連通させてメタライズぺースト
18のプール部20を設け、前記導体部の導通に不足す
るメタライズぺーストを前記プール部20から補充して
焼成する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は窒化アルミニウム回路基
板及びその製造方法に関する。
板及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、半導体素子の高速化、大出力化お
よび高集積化等に伴い、高放熱性及び導体部の低抵抗
化、基体部の低誘電率化が半導体素子を実装するうえで
重要な技術になっている。このような技術課題を満足す
る実装用材料として最近窒化アルミニウムセラミックが
用いられるようになってきた。窒化アルミニウムセラミ
ックは従来多用されているアルミナセラミックに比べて
高い熱伝導率を有し、誘電率も低く、また熱膨張係数が
低いことから大型で高出力のシリコン素子の実装に適し
ている。
よび高集積化等に伴い、高放熱性及び導体部の低抵抗
化、基体部の低誘電率化が半導体素子を実装するうえで
重要な技術になっている。このような技術課題を満足す
る実装用材料として最近窒化アルミニウムセラミックが
用いられるようになってきた。窒化アルミニウムセラミ
ックは従来多用されているアルミナセラミックに比べて
高い熱伝導率を有し、誘電率も低く、また熱膨張係数が
低いことから大型で高出力のシリコン素子の実装に適し
ている。
【0003】セラミック製の回路基板で配線パターンを
形成する場合、基板の外表面に露出する部分については
薄膜法や後焼成のメタライズによって配線パターンを形
成することが可能であるが、回路基板の内部に形成する
導体部については焼成前に内部に導体配線を施し、同時
焼成によってメタライズを施す。同時焼成によるメタラ
イズ材料としては従来タングステンが用いられている
が、タングステンは銅あるいは金等とくらべて比抵抗が
大きく信号伝播時のパワー損失や伝播遅延につながるこ
とから配線材料として適さないという問題点があった。
形成する場合、基板の外表面に露出する部分については
薄膜法や後焼成のメタライズによって配線パターンを形
成することが可能であるが、回路基板の内部に形成する
導体部については焼成前に内部に導体配線を施し、同時
焼成によってメタライズを施す。同時焼成によるメタラ
イズ材料としては従来タングステンが用いられている
が、タングステンは銅あるいは金等とくらべて比抵抗が
大きく信号伝播時のパワー損失や伝播遅延につながるこ
とから配線材料として適さないという問題点があった。
【0004】これらの問題点を解消する方法として、本
出願人はメタライズ材料としてタングステンのかわりに
銅、金、銀等の低抵抗材料を用い、回路基板に窒化アル
ミニウムセラミックを用いた窒化アルミニウム回路基板
の製造方法を提案した(特開平2-197189号) 。この方法
は銅、金、銀等の導体ぺーストを用いて所定の配線パタ
ーンおよびビアを形成したグリーンシートを積層すると
ともに、積層体の外表面にさらに保護用のグリーンシー
トを重ねることにより、配線パターンを保護用のグリー
ンシートで覆って焼成するものである。そして、焼成後
は焼結体の外表面を覆っている層を研削し配線パターン
を露出させて回路基板とする。
出願人はメタライズ材料としてタングステンのかわりに
銅、金、銀等の低抵抗材料を用い、回路基板に窒化アル
ミニウムセラミックを用いた窒化アルミニウム回路基板
の製造方法を提案した(特開平2-197189号) 。この方法
は銅、金、銀等の導体ぺーストを用いて所定の配線パタ
ーンおよびビアを形成したグリーンシートを積層すると
ともに、積層体の外表面にさらに保護用のグリーンシー
トを重ねることにより、配線パターンを保護用のグリー
ンシートで覆って焼成するものである。そして、焼成後
は焼結体の外表面を覆っている層を研削し配線パターン
を露出させて回路基板とする。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上記の製造方法では配
線パターンに使用する銅、金等の導体金属の融点が窒化
アルミニウムセラミックを焼成する温度よりも低いこと
から、グリーンシートを焼成する際に導体ぺーストが溶
融しこれによって導体ぺーストの体積が減少して導体部
中に気孔が発生し、断線が生じるという問題点があっ
た。図4、5は従来の窒化アルミニウム回路基板で配線
材料が溶融して断線が生じる様子を示す。図4は平面パ
ターン部分での断線、図5はビア部とビア部に接続する
平面パターン部分での断線を示す。図で10が窒化アル
ミニウムの回路基板、12が配線パターン、14がビア
で、16が導体部中に生じた気孔である。
線パターンに使用する銅、金等の導体金属の融点が窒化
アルミニウムセラミックを焼成する温度よりも低いこと
から、グリーンシートを焼成する際に導体ぺーストが溶
融しこれによって導体ぺーストの体積が減少して導体部
中に気孔が発生し、断線が生じるという問題点があっ
た。図4、5は従来の窒化アルミニウム回路基板で配線
材料が溶融して断線が生じる様子を示す。図4は平面パ
ターン部分での断線、図5はビア部とビア部に接続する
平面パターン部分での断線を示す。図で10が窒化アル
ミニウムの回路基板、12が配線パターン、14がビア
で、16が導体部中に生じた気孔である。
【0006】グリーンシートを焼成する際にはグリーン
シートも収縮して配線パターン12およびビア14部分
の容積も減少して配線材料の体積減少を補うように作用
するが、一般的には配線材料の体積減少がグリーンシー
トの体積減少よりも大きいため、上記のような気孔16
が生じて断線といった不良が生じる。本発明は上記問題
点を解消すべくなされたもので、その目的とするところ
は、グリーンシートの焼成温度よりも融点の低い銅等の
低抵抗の金属材料を導体ぺーストに使用して回路基板を
形成する際に断線等の不良を生じさせずに容易にかつ確
実に良品を得ることのできる窒化アルミニウム回路基板
及びその製造方法を提供するにある。
シートも収縮して配線パターン12およびビア14部分
の容積も減少して配線材料の体積減少を補うように作用
するが、一般的には配線材料の体積減少がグリーンシー
トの体積減少よりも大きいため、上記のような気孔16
が生じて断線といった不良が生じる。本発明は上記問題
点を解消すべくなされたもので、その目的とするところ
は、グリーンシートの焼成温度よりも融点の低い銅等の
低抵抗の金属材料を導体ぺーストに使用して回路基板を
形成する際に断線等の不良を生じさせずに容易にかつ確
実に良品を得ることのできる窒化アルミニウム回路基板
及びその製造方法を提供するにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため次の構成を備える。すなわち、窒化アルミニウ
ムの焼成温度よりも融点の低い金属を配線材料として導
体部を形成する窒化アルミニウム回路基板の製造方法に
おいて、窒化アルミニウムのグリーンシートに、前記金
属によるメタライズぺーストを用いて配線パターン、ビ
ア等の導体部を形成するとともに、該グリーンシートを
焼成する際に前記導体部の高さ位置よりも上位となる位
置のグリーンシートに前記導体部に連通させてメタライ
ズぺーストのプール部を設け、前記導体部の導通に不足
するメタライズぺーストを前記プール部から補充して焼
成することを特徴とする。また、前記配線材料として
銅、金、銀等の低抵抗金属を用いることを特徴とする。
また、窒化アルミニウムのグリーンシートを焼成する際
に導体部を保護する保護用のグリーンシートを前記グリ
ーンシートの外表面に積層して一体化した後に焼成し、
焼結体の外表面を除去して焼結体内層の導体部を露出さ
せて回路基板とすることを特徴とする。また、上記窒化
アルミニウム回路基板の製造方法によって得られた窒化
アルミニウム回路基板であって、窒化アルミニウムの焼
結体中に周期律表第IIa族元素または第 IIIa族元素の
酸化物、炭化物およびフッ化物のうち少なくとも1種以
上が0.1 〜10重量%含まれていることを特徴とする。
するため次の構成を備える。すなわち、窒化アルミニウ
ムの焼成温度よりも融点の低い金属を配線材料として導
体部を形成する窒化アルミニウム回路基板の製造方法に
おいて、窒化アルミニウムのグリーンシートに、前記金
属によるメタライズぺーストを用いて配線パターン、ビ
ア等の導体部を形成するとともに、該グリーンシートを
焼成する際に前記導体部の高さ位置よりも上位となる位
置のグリーンシートに前記導体部に連通させてメタライ
ズぺーストのプール部を設け、前記導体部の導通に不足
するメタライズぺーストを前記プール部から補充して焼
成することを特徴とする。また、前記配線材料として
銅、金、銀等の低抵抗金属を用いることを特徴とする。
また、窒化アルミニウムのグリーンシートを焼成する際
に導体部を保護する保護用のグリーンシートを前記グリ
ーンシートの外表面に積層して一体化した後に焼成し、
焼結体の外表面を除去して焼結体内層の導体部を露出さ
せて回路基板とすることを特徴とする。また、上記窒化
アルミニウム回路基板の製造方法によって得られた窒化
アルミニウム回路基板であって、窒化アルミニウムの焼
結体中に周期律表第IIa族元素または第 IIIa族元素の
酸化物、炭化物およびフッ化物のうち少なくとも1種以
上が0.1 〜10重量%含まれていることを特徴とする。
【0008】
【発明の概要】本発明に係る窒化アルミニウム回路基板
の製造方法は図1に示すように、グリーンシート11に
配線パターン12、ビア14等のメタライズパターンを
形成する際に、グリーンシートの焼成時においてメタラ
イズパターンの高さ位置よりも上位の位置にメタライズ
パターンに連通させてメタライズぺースト18を充填す
るためのプール部20を設け、焼成時にメタライズぺー
ストが体積減少して導体部分で不足するメタライズぺー
ストをプール部20に充填したメタライズぺースト18
で補充することによって導体部分での断線を防止するも
のである。図1(a) はグリーンシートが平面配置の配線
パターン12のみからなる場合、図1(b) は平面配置の
配線パターン12とビア14からなる場合を示す。図1
(a) では配線パターン12の端部にプール部20を設
け、図1(b) ではビア14の上部にビアを延長させるよ
うにしてプール部20を設けている。
の製造方法は図1に示すように、グリーンシート11に
配線パターン12、ビア14等のメタライズパターンを
形成する際に、グリーンシートの焼成時においてメタラ
イズパターンの高さ位置よりも上位の位置にメタライズ
パターンに連通させてメタライズぺースト18を充填す
るためのプール部20を設け、焼成時にメタライズぺー
ストが体積減少して導体部分で不足するメタライズぺー
ストをプール部20に充填したメタライズぺースト18
で補充することによって導体部分での断線を防止するも
のである。図1(a) はグリーンシートが平面配置の配線
パターン12のみからなる場合、図1(b) は平面配置の
配線パターン12とビア14からなる場合を示す。図1
(a) では配線パターン12の端部にプール部20を設
け、図1(b) ではビア14の上部にビアを延長させるよ
うにしてプール部20を設けている。
【0009】図2は図1(a) 、(b) のグリーンシートを
焼成した後の様子を示す。グリーンシートを焼成した際
にプール部20からメタライズぺーストが補充されて配
線パターン12等に供給され、プール部20に気孔が残
留する。グリーンシートに形成するプール部20の容積
は使用するメタライズぺースト18の組成と窒化アルミ
ニウムのグリーンシートの密度によって適宜設定する必
要がある。一般的な方法で作製した銅ぺーストの場合は
焼成後の体積はおよそ50%以下になる。この銅ぺースト
を窒化アルミニウムのグリーンシートに設けたスルーホ
ールに充填して焼成すると、スルーホール内の体積減少
よりも銅ぺースト中の金属の液化を伴う体積減少の方が
やや大きく7〜10%程度の空間ができる。したがって、
プール部20の容積として導体部分の体積の20%程度
とする必要がある。
焼成した後の様子を示す。グリーンシートを焼成した際
にプール部20からメタライズぺーストが補充されて配
線パターン12等に供給され、プール部20に気孔が残
留する。グリーンシートに形成するプール部20の容積
は使用するメタライズぺースト18の組成と窒化アルミ
ニウムのグリーンシートの密度によって適宜設定する必
要がある。一般的な方法で作製した銅ぺーストの場合は
焼成後の体積はおよそ50%以下になる。この銅ぺースト
を窒化アルミニウムのグリーンシートに設けたスルーホ
ールに充填して焼成すると、スルーホール内の体積減少
よりも銅ぺースト中の金属の液化を伴う体積減少の方が
やや大きく7〜10%程度の空間ができる。したがって、
プール部20の容積として導体部分の体積の20%程度
とする必要がある。
【0010】プール部20は配線パターン12等でメタ
ライズぺースト18が液化した際に不足部分に流れ込ん
で体積減少分を補充するから、液化した際に配線パター
ン12等と連通するように設ける必要があり、配線パタ
ーン12等に流れ込んで補充するため配線パターン12
等の導体部を形成した位置よりも高い位置に配置する。
回路基板は複数枚のグリーンシートを積層して形成する
から、配線パターン12等の位置に合わせて積層する上
層のグリーンシートにスルーホールを設けてメタライズ
ぺースト18を充填するプール部20を形成することが
できる。
ライズぺースト18が液化した際に不足部分に流れ込ん
で体積減少分を補充するから、液化した際に配線パター
ン12等と連通するように設ける必要があり、配線パタ
ーン12等に流れ込んで補充するため配線パターン12
等の導体部を形成した位置よりも高い位置に配置する。
回路基板は複数枚のグリーンシートを積層して形成する
から、配線パターン12等の位置に合わせて積層する上
層のグリーンシートにスルーホールを設けてメタライズ
ぺースト18を充填するプール部20を形成することが
できる。
【0011】図3にグリーンシート11を積層してプー
ル部20を形成する様子を示す。図3(a) は複数枚のグ
リーンシート11で同じ位置にスルーホールを設けて重
ね合わせることによりプール部20を形成してメタライ
ズぺースト18を充填した例である。図3(b) は配線パ
ターン12を形成した層の上層のグリーンシートに比較
的径の大きなスルーホールを設けて内容積を確保するこ
とによりプール部20とした例である。このようにプー
ル部20の形状や形成位置は回路基板内で形成する導体
部の配置等に応じて適宜形状に形成すればよい。
ル部20を形成する様子を示す。図3(a) は複数枚のグ
リーンシート11で同じ位置にスルーホールを設けて重
ね合わせることによりプール部20を形成してメタライ
ズぺースト18を充填した例である。図3(b) は配線パ
ターン12を形成した層の上層のグリーンシートに比較
的径の大きなスルーホールを設けて内容積を確保するこ
とによりプール部20とした例である。このようにプー
ル部20の形状や形成位置は回路基板内で形成する導体
部の配置等に応じて適宜形状に形成すればよい。
【0012】上記のようにして構成したグリーンシート
の積層体を50℃以上で100kgf/cm2以上の圧力で加圧して
一体化する。積層体中のバインダー成分の除去は一般に
窒素ガス等の非酸化性雰囲気下、500 ℃程度で行う。焼
成する場合は大気圧以上の非酸化性雰囲気、一般には窒
素ガス雰囲気中で行い、窒化アルミニウムまたは窒化ホ
ウ素を主成分とする焼成セル中で行うのがよい。昇温速
度は少なくとも900 ℃以上の温度領域においては10℃/m
in以上にする必要がある。これ以下の昇温速度の場合は
良好な結果が得られない。
の積層体を50℃以上で100kgf/cm2以上の圧力で加圧して
一体化する。積層体中のバインダー成分の除去は一般に
窒素ガス等の非酸化性雰囲気下、500 ℃程度で行う。焼
成する場合は大気圧以上の非酸化性雰囲気、一般には窒
素ガス雰囲気中で行い、窒化アルミニウムまたは窒化ホ
ウ素を主成分とする焼成セル中で行うのがよい。昇温速
度は少なくとも900 ℃以上の温度領域においては10℃/m
in以上にする必要がある。これ以下の昇温速度の場合は
良好な結果が得られない。
【0013】最適焼成温度は用いる配線材料と窒化アル
ミニウムのグリーンシート中に含まれる焼結助剤によっ
て異なる。たとえば、第IIa族元素化合物あるいは第 I
IIa族元素化合物としてCaCO3 あるいはY2O3 を焼結助
剤として含むグリーンシートに銅または金を配線材料と
して用いる場合は約1800℃が適当である。銀を配線材料
として用いる場合はグリーンシート中に含まれる焼結助
剤として第IIa族元素化合物と第 IIIa族元素化合物を
混合したものであることが好ましく、焼成温度は1650℃
をこえないことが望ましい。
ミニウムのグリーンシート中に含まれる焼結助剤によっ
て異なる。たとえば、第IIa族元素化合物あるいは第 I
IIa族元素化合物としてCaCO3 あるいはY2O3 を焼結助
剤として含むグリーンシートに銅または金を配線材料と
して用いる場合は約1800℃が適当である。銀を配線材料
として用いる場合はグリーンシート中に含まれる焼結助
剤として第IIa族元素化合物と第 IIIa族元素化合物を
混合したものであることが好ましく、焼成温度は1650℃
をこえないことが望ましい。
【0014】配線材料として銅あるいは金を用いる場合
の焼成条件は概ね同一であるが、銅と金では焼成中の挙
動が異なる。すなわち、配線材料として金を用いた場合
は焼成中にグリーンシートの焼結助剤成分が導体部に多
量に混入し、導体部分の色が金色を示さず、白銀色を呈
する傾向がある。配線材料に銅を用いた場合は焼結助剤
成分が混入することはみられない。したがって、配線材
料として銅を用いる場合は窒化アルミニウムの一般的な
焼成条件で同時焼成が可能であり、かつ導体部中への不
純物の混入も少ないことからパッケージの電気的特性が
良好で、金、銀とくらべて好適な配線材料ということが
できる。
の焼成条件は概ね同一であるが、銅と金では焼成中の挙
動が異なる。すなわち、配線材料として金を用いた場合
は焼成中にグリーンシートの焼結助剤成分が導体部に多
量に混入し、導体部分の色が金色を示さず、白銀色を呈
する傾向がある。配線材料に銅を用いた場合は焼結助剤
成分が混入することはみられない。したがって、配線材
料として銅を用いる場合は窒化アルミニウムの一般的な
焼成条件で同時焼成が可能であり、かつ導体部中への不
純物の混入も少ないことからパッケージの電気的特性が
良好で、金、銀とくらべて好適な配線材料ということが
できる。
【0015】
【実施例】以下、本発明の好適な実施例について説明す
る。平均粒径約1μmの還元窒化法による窒化アルミニ
ウム粉末に、焼結助剤として酸化カルシウム換算で0.5
重量%となる量の炭酸カルシウムと有機バインダー、可
塑剤、有機溶剤を加えてスラリーとし、ドクターブレー
ド法によって厚さ約0.4mmのグリーンシートを形成
した。これを定型に打ち抜いた第1のグリーンシートの
上面に、平均粒径約2μm の銅粉末を用いて作製した銅
ぺーストを使ってスクリーン印刷法により線幅150 μm
、200 μm 、300 μm の3種の配線パターンを形成し
た。
る。平均粒径約1μmの還元窒化法による窒化アルミニ
ウム粉末に、焼結助剤として酸化カルシウム換算で0.5
重量%となる量の炭酸カルシウムと有機バインダー、可
塑剤、有機溶剤を加えてスラリーとし、ドクターブレー
ド法によって厚さ約0.4mmのグリーンシートを形成
した。これを定型に打ち抜いた第1のグリーンシートの
上面に、平均粒径約2μm の銅粉末を用いて作製した銅
ぺーストを使ってスクリーン印刷法により線幅150 μm
、200 μm 、300 μm の3種の配線パターンを形成し
た。
【0016】上記第1のグリーンシート上に設けた配線
パターンの両端位置に合わせて、第2、第3のグリーン
シートのそれぞれに直径360 μm のスルーホールを形成
し、各スルーホール内に前記銅ペーストを充填した。第
4のグリーンシートとして配線パターンを形成していな
い定型に打ち抜いたグリーンシートを用意し、上記第
1、第2、第3、第4のグリーンシートを下層から順に
重ね合わせ、温度60℃、圧力200kgf/cm2で5分間熱圧着
して一体化した。
パターンの両端位置に合わせて、第2、第3のグリーン
シートのそれぞれに直径360 μm のスルーホールを形成
し、各スルーホール内に前記銅ペーストを充填した。第
4のグリーンシートとして配線パターンを形成していな
い定型に打ち抜いたグリーンシートを用意し、上記第
1、第2、第3、第4のグリーンシートを下層から順に
重ね合わせ、温度60℃、圧力200kgf/cm2で5分間熱圧着
して一体化した。
【0017】上記のようにして積層して一体化したグリ
ーンシートを、第1のグリーンシートを下側にして炉内
で水平にセットし、窒素ガス雰囲気中500 ℃で脱バイン
ダーを行った後、雰囲気圧5kgf/cm2の窒素ガス中、昇温
速度25℃/min、最高温度1800℃、保持時間3時間の条件
で焼成した。得られた焼結体に対し平面研磨機を用いて
第4層を研削除去し、第3層に形成された導体部の端面
を露出させ、テスターにより導体部の導通を検査したと
ころ、上記線幅150 μm 、200 μm 、300 μm のいずれ
の配線パターンも導通していることが確かめられた。
ーンシートを、第1のグリーンシートを下側にして炉内
で水平にセットし、窒素ガス雰囲気中500 ℃で脱バイン
ダーを行った後、雰囲気圧5kgf/cm2の窒素ガス中、昇温
速度25℃/min、最高温度1800℃、保持時間3時間の条件
で焼成した。得られた焼結体に対し平面研磨機を用いて
第4層を研削除去し、第3層に形成された導体部の端面
を露出させ、テスターにより導体部の導通を検査したと
ころ、上記線幅150 μm 、200 μm 、300 μm のいずれ
の配線パターンも導通していることが確かめられた。
【0018】本発明方法の窒化アルミニウム回路基板の
製造方法では上記のようにグリーンシートに導体部を形
成する際にメタライズぺーストを補充するためのプール
部を設けることを特徴とする。プール部からはこれに連
絡するすべての導体部に連通してメタライズぺーストが
補充されるから、ビアで連絡される層間の導体部に対し
ても補充作用が働く。したがって、回路基板が複数層か
らなる場合には層間の連通を考慮してプール部を形成す
る必要がある。
製造方法では上記のようにグリーンシートに導体部を形
成する際にメタライズぺーストを補充するためのプール
部を設けることを特徴とする。プール部からはこれに連
絡するすべての導体部に連通してメタライズぺーストが
補充されるから、ビアで連絡される層間の導体部に対し
ても補充作用が働く。したがって、回路基板が複数層か
らなる場合には層間の連通を考慮してプール部を形成す
る必要がある。
【0019】
【発明の効果】本発明に係る窒化アルミニウム回路基板
及びその製造方法によれば、上述したように、回路基板
の導体部となる配線材料が焼成時に溶融することによっ
て体積減少をおこすような場合であっても配線パターン
の断線等を有効に防止して不良発生を抑えて回路基板を
製造することができる等の著効を奏する。
及びその製造方法によれば、上述したように、回路基板
の導体部となる配線材料が焼成時に溶融することによっ
て体積減少をおこすような場合であっても配線パターン
の断線等を有効に防止して不良発生を抑えて回路基板を
製造することができる等の著効を奏する。
【図1】窒化アルミニウム回路基板を形成するグリーン
シートの断面図を示す。
シートの断面図を示す。
【図2】本発明に係る製造方法によって形成した窒化ア
ルミニウム回路基板の断面図を示す。
ルミニウム回路基板の断面図を示す。
【図3】窒化アルミニウム回路基板のグリーンシートに
プール部を形成する方法を示す説明図である。
プール部を形成する方法を示す説明図である。
【図4】窒化アルミニウム回路基板で導体部分の断線の
様子を示す説明図である。
様子を示す説明図である。
【図5】窒化アルミニウム回路基板で導体部分の断線の
様子を示す説明図である。
様子を示す説明図である。
10 回路基板 11 グリーンシート 12 配線パターン 14 ビア 16 気孔 18 メタライズぺースト 20 プール部
Claims (4)
- 【請求項1】 窒化アルミニウムの焼成温度よりも融点
の低い金属を配線材料として導体部を形成する窒化アル
ミニウム回路基板の製造方法において、 窒化アルミニウムのグリーンシートに、前記金属による
メタライズぺーストを用いて配線パターン、ビア等の導
体部を形成するとともに、該グリーンシートを焼成する
際に前記導体部の高さ位置よりも上位となる位置のグリ
ーンシートに前記導体部に連通させてメタライズぺース
トのプール部を設け、前記導体部の導通に不足するメタ
ライズぺーストを前記プール部から補充して焼成するこ
とを特徴とする窒化アルミニウム回路基板の製造方法。 - 【請求項2】 配線材料として銅、金、銀等の低抵抗金
属を用いることを特徴とする請求項1記載の窒化アルミ
ニウム回路基板の製造方法。 - 【請求項3】 窒化アルミニウムのグリーンシートを焼
成する際に導体部を保護する保護用のグリーンシートを
前記グリーンシートの外表面に積層して一体化した後に
焼成し、 焼結体の外表面を除去して焼結体内層の導体部を露出さ
せて回路基板とすることを特徴とする請求項1または2
記載の窒化アルミニウム回路基板の製造方法。 - 【請求項4】 請求項1、2または3記載の窒化アルミ
ニウム回路基板の製造方法によって得られた窒化アルミ
ニウム回路基板であって、 窒化アルミニウムの焼結体中に周期律表第IIa族元素ま
たは第 IIIa族元素の酸化物、炭化物およびフッ化物の
うち少なくとも1種以上が0.1 〜10重量%含まれている
ことを特徴とする窒化アルミニウム回路基板。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26673592A JPH0697630A (ja) | 1992-09-09 | 1992-09-09 | 窒化アルミニウム回路基板及びその製造方法 |
CA002105448A CA2105448A1 (en) | 1992-09-05 | 1993-09-02 | Aluminum nitride circuit board and method of producing same |
DE69317342T DE69317342T2 (de) | 1992-09-05 | 1993-09-03 | Leiterplatte aus Aluminiumnitrid und Verfahren zu ihrer Herstellung |
EP93306988A EP0587382B1 (en) | 1992-09-05 | 1993-09-03 | Aluminum nitride circuit board and method of producing it |
US08/115,767 US5464950A (en) | 1992-09-05 | 1993-09-03 | Aluminum nitride circuit board and method of producing same |
HK98106557A HK1007386A1 (en) | 1992-09-05 | 1998-06-25 | Aluminum nitride circuit board and method of producing it |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26673592A JPH0697630A (ja) | 1992-09-09 | 1992-09-09 | 窒化アルミニウム回路基板及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0697630A true JPH0697630A (ja) | 1994-04-08 |
Family
ID=17434969
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP26673592A Pending JPH0697630A (ja) | 1992-09-05 | 1992-09-09 | 窒化アルミニウム回路基板及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0697630A (ja) |
-
1992
- 1992-09-09 JP JP26673592A patent/JPH0697630A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20030000079A1 (en) | Method for manufacturing multilayer ceramic substrates | |
JP2765885B2 (ja) | 窒化アルミニウム回路基板及びその製造方法 | |
JPH11504159A (ja) | セラミック回路板支持基板用ガラスボンディング層 | |
EP0587382B1 (en) | Aluminum nitride circuit board and method of producing it | |
US20060234021A1 (en) | Multi-layer ceramic substrate, method for manufacturing the same and electronic device using the same | |
CN104589738A (zh) | 多层陶瓷基板及其制造方法 | |
CA1241079A (en) | Laminar electrical component with magnesium orthoborate | |
US4837408A (en) | High density multilayer wiring board and the manufacturing thereof | |
JP2011088756A (ja) | 低温焼結セラミック材料、低温焼結セラミック焼結体および多層セラミック基板 | |
KR100261793B1 (ko) | 고강도 고신뢰성 회로기판 및 그 제조방법 | |
JPH0697630A (ja) | 窒化アルミニウム回路基板及びその製造方法 | |
JP4826253B2 (ja) | セラミック多層基板の製造方法およびセラミック多層基板 | |
JPH09260543A (ja) | 窒化アルミニウム配線基板およびその製造方法 | |
JPH07245482A (ja) | セラミック回路基板及びその製造方法 | |
JP3618422B2 (ja) | 高強度回路基板およびその製造方法 | |
JP3748283B2 (ja) | 積層ガラスセラミック回路基板の製造方法 | |
JPH0795630B2 (ja) | 複合積層セラミック部品 | |
JPH1153940A (ja) | 銅メタライズ組成物及びそれを用いたガラスセラミック配線基板 | |
JP2002171044A (ja) | 配線基板 | |
JP3631590B2 (ja) | 配線基板 | |
JP3628088B2 (ja) | 窒化アルミニウム多層配線基板およびその製造方法 | |
JPS6247198A (ja) | 多層配線基板 | |
JP2004140103A (ja) | 配線基板 | |
JP2004172342A (ja) | セラミック積層基板の製造方法 | |
JP4530525B2 (ja) | 配線基板 |