JPH0696465B2 - Ｂｍｔ焼結体作製用仮焼物の製造方法 およびｂｍｔ焼結体 - Google Patents
Ｂｍｔ焼結体作製用仮焼物の製造方法 およびｂｍｔ焼結体Info
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- JPH0696465B2 JPH0696465B2 JP2404559A JP40455990A JPH0696465B2 JP H0696465 B2 JPH0696465 B2 JP H0696465B2 JP 2404559 A JP2404559 A JP 2404559A JP 40455990 A JP40455990 A JP 40455990A JP H0696465 B2 JPH0696465 B2 JP H0696465B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、ＢＭＴ焼結体作製用
仮焼物の製造方法およびＢＭＴ焼結体に関する。
仮焼物の製造方法およびＢＭＴ焼結体に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、マイクロ波領域において高誘電率
および高Ｑ値をもつ高周波誘電体用焼結体として、Ｂａ
Ｍｇ1/3 Ｔａ2/3 Ｏ3 （＝Ｂａ3 ＭｇＴａ2 Ｏ9 ）であ
らわされるペロブスカイト型高周波誘電体用焼結体があ
り、これが、本願発明で言うＢＭＴ焼結体である。
および高Ｑ値をもつ高周波誘電体用焼結体として、Ｂａ
Ｍｇ1/3 Ｔａ2/3 Ｏ3 （＝Ｂａ3 ＭｇＴａ2 Ｏ9 ）であ
らわされるペロブスカイト型高周波誘電体用焼結体があ
り、これが、本願発明で言うＢＭＴ焼結体である。
【０００３】このＢＭＴ焼結体は、通常、出発原料であ
るＢａＣＯ3 粉末、ＭｇＯ粉末およびＴａ2 Ｏ5 粉末を
混合し仮焼して得た仮焼物の粉末を、さらに、本焼成し
て焼結させることで得られている。しかし、ＢＭＴ焼結
体は、一般に、誘電特性の良い焼結体を歩留まりよく得
ることが困難であるとされている。得られた焼結体の緻
密度が低かったり、焼結体にクラックが入っていたりす
ることが多いからである。
るＢａＣＯ3 粉末、ＭｇＯ粉末およびＴａ2 Ｏ5 粉末を
混合し仮焼して得た仮焼物の粉末を、さらに、本焼成し
て焼結させることで得られている。しかし、ＢＭＴ焼結
体は、一般に、誘電特性の良い焼結体を歩留まりよく得
ることが困難であるとされている。得られた焼結体の緻
密度が低かったり、焼結体にクラックが入っていたりす
ることが多いからである。
【０００４】緻密度を高めるために、本焼成での昇温速
度を１００℃／分と急速に上げる方法が提案されている
が、この急速昇温焼成では、焼成コストが高くて電子デ
バイス（例えば、共振器）の低価格化が困難であるた
め、量産に適さず実用性が低い。
度を１００℃／分と急速に上げる方法が提案されている
が、この急速昇温焼成では、焼成コストが高くて電子デ
バイス（例えば、共振器）の低価格化が困難であるた
め、量産に適さず実用性が低い。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記事情に鑑み、この
発明は、誘電特性に優れた安価なＢＭＴ焼結体を容易に
作製できる仮焼物を得ることのできる方法を提供するこ
とを第１の課題とし、誘電特性に優れた安価なＢＭＴ焼
結体を提供することを第２の課題とする。
発明は、誘電特性に優れた安価なＢＭＴ焼結体を容易に
作製できる仮焼物を得ることのできる方法を提供するこ
とを第１の課題とし、誘電特性に優れた安価なＢＭＴ焼
結体を提供することを第２の課題とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】発明者は、上記課題を解
決するため、ＢＭＴ焼結体について、様々な方向から検
討し、つぎのようなことを見出した。すなわち、出発原
料であるＢａＣＯ3 粉末、ＭｇＯ粉末およびＴａ2 Ｏ5
粉末の混合物を１０００〜１１００℃程度で焼成した仮
焼物の粉末を用いた場合の焼結体には、クラック発生が
あって誘電特性が十分でないが、緻密度は十分である。
クラックの生じる理由は、仮焼物中に未反応で残るＢａ
ＣＯ3 、ＭｇＯおよびＢａＴａ2 Ｏ6 の３者が焼成過程
で再反応するからと考えられる。未反応物の残留を抑え
るには、１３００〜１４００℃程度で焼成して仮焼物を
得るようにすればよい。しかし、この場合にはクラック
の発生はないが緻密度が十分でなく、やはり、誘電特性
は不十分である。
決するため、ＢＭＴ焼結体について、様々な方向から検
討し、つぎのようなことを見出した。すなわち、出発原
料であるＢａＣＯ3 粉末、ＭｇＯ粉末およびＴａ2 Ｏ5
粉末の混合物を１０００〜１１００℃程度で焼成した仮
焼物の粉末を用いた場合の焼結体には、クラック発生が
あって誘電特性が十分でないが、緻密度は十分である。
クラックの生じる理由は、仮焼物中に未反応で残るＢａ
ＣＯ3 、ＭｇＯおよびＢａＴａ2 Ｏ6 の３者が焼成過程
で再反応するからと考えられる。未反応物の残留を抑え
るには、１３００〜１４００℃程度で焼成して仮焼物を
得るようにすればよい。しかし、この場合にはクラック
の発生はないが緻密度が十分でなく、やはり、誘電特性
は不十分である。
【０００７】そこで、緻密度の劣る原因を詳しく検討し
た結果、仮焼温度が１３００〜１４００℃の場合には、
Ｘ線回折法による分析では確りとＢＭＴ組成となってお
り、未反応物は残留していないということになるのであ
るが、実際にはＸ線回折法では測定されないような極く
微量の未反応ＢａＣＯ3 が残留し、これが緻密化を妨げ
ていると推察したのである。というのは、化学量論比で
計量した出発原料混合物におけるＢａＣＯ3 、ＭｇＯ、
Ｔａ2 Ｏ5 の各原料粉末の体積割合は、３ＢａＣＯ3 ＞
Ｔａ2 Ｏ5 ＞ＭｇＯであり、一方、Ｔａ2 Ｏ5やＭｇＯ
は出発原料混合物内で完全に均一に分散しているわけで
はないため、Ｔａ2 Ｏ5 やＭｇＯとの接触が不十分なＢ
ａＣＯ3が存在することになり、僅かのＢａＣＯ3 が未
反応のまま仮焼物中にどうしても残ってしまうと考えた
のである。この推察に基づいて、まず、Ｔａ2 Ｏ5 とＭ
ｇＯとからＭｇＴａ2 Ｏ6 粉末を作り、これにＢａＣＯ
3 粉末を添加混合するようにし、Ｔａ2 Ｏ5 やＭｇＯと
の接触が不十分なＢａＣＯ3 を極力無くすようにしてお
いて、焼成し仮焼物を得て、この仮焼物を用いてＢＭＴ
焼結体を作れば、クラック発生を抑制しつつ、緻密度の
高い焼結体を容易に歩留まりよく作れるのではないかと
推定し、実験によってこの推定の正しいことを確かめた
結果、ここに、この発明を完成させることができたので
ある。なお、推定の正しいことは、正常なＭＢＴ焼結体
が得られる仮焼物に極く微量（例えば、仮焼物１ mol％
に対し０．５mol ％のＢａＣＯ3 を加えて焼成すると著
しく緻密度が低下することで裏付けられた。
た結果、仮焼温度が１３００〜１４００℃の場合には、
Ｘ線回折法による分析では確りとＢＭＴ組成となってお
り、未反応物は残留していないということになるのであ
るが、実際にはＸ線回折法では測定されないような極く
微量の未反応ＢａＣＯ3 が残留し、これが緻密化を妨げ
ていると推察したのである。というのは、化学量論比で
計量した出発原料混合物におけるＢａＣＯ3 、ＭｇＯ、
Ｔａ2 Ｏ5 の各原料粉末の体積割合は、３ＢａＣＯ3 ＞
Ｔａ2 Ｏ5 ＞ＭｇＯであり、一方、Ｔａ2 Ｏ5やＭｇＯ
は出発原料混合物内で完全に均一に分散しているわけで
はないため、Ｔａ2 Ｏ5 やＭｇＯとの接触が不十分なＢ
ａＣＯ3が存在することになり、僅かのＢａＣＯ3 が未
反応のまま仮焼物中にどうしても残ってしまうと考えた
のである。この推察に基づいて、まず、Ｔａ2 Ｏ5 とＭ
ｇＯとからＭｇＴａ2 Ｏ6 粉末を作り、これにＢａＣＯ
3 粉末を添加混合するようにし、Ｔａ2 Ｏ5 やＭｇＯと
の接触が不十分なＢａＣＯ3 を極力無くすようにしてお
いて、焼成し仮焼物を得て、この仮焼物を用いてＢＭＴ
焼結体を作れば、クラック発生を抑制しつつ、緻密度の
高い焼結体を容易に歩留まりよく作れるのではないかと
推定し、実験によってこの推定の正しいことを確かめた
結果、ここに、この発明を完成させることができたので
ある。なお、推定の正しいことは、正常なＭＢＴ焼結体
が得られる仮焼物に極く微量（例えば、仮焼物１ mol％
に対し０．５mol ％のＢａＣＯ3 を加えて焼成すると著
しく緻密度が低下することで裏付けられた。
【０００８】したがって、前記第１の課題を解決するた
め、請求項１または２記載の発明にかかるＢＭＴ焼結体
作製用仮焼物の製造方法は、ＢａＭｇ1/3Ｔａ2/3 Ｏ3
であらわされる仮焼物を得るにあたり、ＭｇＴａ2 Ｏ6
粉末とＢａ含有化合物粉末を混合し焼成するようにして
いる。Ｂａ含有化合物としては、請求項２のように、Ｂ
ａＣＯ3 が挙げられる。この他、ＢａＯやＢａＯ2 も挙
げられる。
め、請求項１または２記載の発明にかかるＢＭＴ焼結体
作製用仮焼物の製造方法は、ＢａＭｇ1/3Ｔａ2/3 Ｏ3
であらわされる仮焼物を得るにあたり、ＭｇＴａ2 Ｏ6
粉末とＢａ含有化合物粉末を混合し焼成するようにして
いる。Ｂａ含有化合物としては、請求項２のように、Ｂ
ａＣＯ3 が挙げられる。この他、ＢａＯやＢａＯ2 も挙
げられる。
【０００９】また、前記第２の課題を解決するため、請
求項３記載の発明にかかるＢＭＴ焼結体は、上記請求項
１または２に記載のＢＭＴ焼結体作製用仮焼物を焼結し
てなる構成をとる。以下、この発明におけるＢＭＴ焼結
体作製用仮焼物の作製およびＢＭＴ焼結体の作製を工程
の順に具体的に説明する。
求項３記載の発明にかかるＢＭＴ焼結体は、上記請求項
１または２に記載のＢＭＴ焼結体作製用仮焼物を焼結し
てなる構成をとる。以下、この発明におけるＢＭＴ焼結
体作製用仮焼物の作製およびＢＭＴ焼結体の作製を工程
の順に具体的に説明する。
【００１０】 まず、ＭｇＴａ2 Ｏ6 粉末およびＢａ
ＣＯ3 粉末を準備する。ＭｇＴａ2 Ｏ6 粉末としては、
たとえば、ＭｇＯ粉末とＴａ2 Ｏ5 粉末を等モル量ずつ
混合し焼成（温度１０５０〜１２５０℃程度、１５〜２
５時間程度）したあと粉砕して得たＭｇＴａ2 Ｏ6 粉末
が挙げられる。このＭｇＴａ2 Ｏ6 粉末は、通常、平均
粒径１〜１５μｍ程度である。粉末中には、未反応のＭ
ｇＯやＴａ2 Ｏ5 が極力残っていないことが望ましい。
このような固相反応によるＭｇＴａ2 Ｏ6 粉末の他、液
相反応による粉末が挙げられる。例えば、塩酸中にＴａ
Ｃｌ5 を溶解した溶液に適当量のＭｇＯ粉末を投入して
反応させて得たＭｇＴａ2 Ｏ6 粉末である。
ＣＯ3 粉末を準備する。ＭｇＴａ2 Ｏ6 粉末としては、
たとえば、ＭｇＯ粉末とＴａ2 Ｏ5 粉末を等モル量ずつ
混合し焼成（温度１０５０〜１２５０℃程度、１５〜２
５時間程度）したあと粉砕して得たＭｇＴａ2 Ｏ6 粉末
が挙げられる。このＭｇＴａ2 Ｏ6 粉末は、通常、平均
粒径１〜１５μｍ程度である。粉末中には、未反応のＭ
ｇＯやＴａ2 Ｏ5 が極力残っていないことが望ましい。
このような固相反応によるＭｇＴａ2 Ｏ6 粉末の他、液
相反応による粉末が挙げられる。例えば、塩酸中にＴａ
Ｃｌ5 を溶解した溶液に適当量のＭｇＯ粉末を投入して
反応させて得たＭｇＴａ2 Ｏ6 粉末である。
【００１１】ＢａＣＯ3 粉末は、通常、平均粒径１〜１
５μｍ程度である。ＢａＣＯ3 粉末の代わりにＢａＯ粉
末を用いてもよいがＢａＣＯ3 粉末は高純度で粒径の揃
ったものが安価に入手できる。 上記ＭｇＴａ2 Ｏ6
粉末にＢａＣＯ3 粉末を１：３のモル割合で計量し混合
する。
５μｍ程度である。ＢａＣＯ3 粉末の代わりにＢａＯ粉
末を用いてもよいがＢａＣＯ3 粉末は高純度で粒径の揃
ったものが安価に入手できる。 上記ＭｇＴａ2 Ｏ6
粉末にＢａＣＯ3 粉末を１：３のモル割合で計量し混合
する。
【００１２】 この混合物を、１３００〜１４００℃
の温度で２〜１０時間仮焼する。この仮焼は、２回以上
行うことが好ましい。仮焼を繰り返すことにより組成の
均一性が高まる。一回の仮焼毎に仮焼物を粉砕し攪拌す
るようにする。この仮焼物は、ＢａＭｇ1/3 Ｔａ2/3 Ｏ
3 であらわされる組成となっている。仮焼工程での反応
は下記の通りである。
の温度で２〜１０時間仮焼する。この仮焼は、２回以上
行うことが好ましい。仮焼を繰り返すことにより組成の
均一性が高まる。一回の仮焼毎に仮焼物を粉砕し攪拌す
るようにする。この仮焼物は、ＢａＭｇ1/3 Ｔａ2/3 Ｏ
3 であらわされる組成となっている。仮焼工程での反応
は下記の通りである。
【００１３】
【化１】 最後の仮焼の後、粉砕し、平均粒径が１〜１５μｍ程度
の粉末にする。仮焼温度は１３００℃以上であることが
望ましい。これは、原料同士の反応が十分に進み、仮焼
物中における未反応のＭｇＯ、ＢａＣＯ3 、Ｔａ2 Ｏ5
の残留を抑えることができるからである。特に、仮焼物
のＸ線回折分析における回折線（１０・２）、（２０・
２）、（２１・２）（２０・４）および（２１・４）の
半値幅が、それぞれ、０．２０°、０．２２°、０．２
９°、０．３３°および０．３６°の以下となるように
仮焼されたものは組成の均一性が高くＱ値が十分なもの
となる傾向にある。
の粉末にする。仮焼温度は１３００℃以上であることが
望ましい。これは、原料同士の反応が十分に進み、仮焼
物中における未反応のＭｇＯ、ＢａＣＯ3 、Ｔａ2 Ｏ5
の残留を抑えることができるからである。特に、仮焼物
のＸ線回折分析における回折線（１０・２）、（２０・
２）、（２１・２）（２０・４）および（２１・４）の
半値幅が、それぞれ、０．２０°、０．２２°、０．２
９°、０．３３°および０．３６°の以下となるように
仮焼されたものは組成の均一性が高くＱ値が十分なもの
となる傾向にある。
【００１４】 このようにして得られた仮焼物の粉末
を加圧成形により所定形状の圧粉体にする。なお、Ｍｇ
ＯやＢａＴａ2 Ｏ6 の微量添加は緻密化の向上作用が発
揮されることもあるから、仮焼物の粉末にＭｇＯやＢａ
Ｔａ2 Ｏ6 を添加して圧粉体を得るようにしてもよい。
勿論、添加しなくてもよいことは言うまでもない。
を加圧成形により所定形状の圧粉体にする。なお、Ｍｇ
ＯやＢａＴａ2 Ｏ6 の微量添加は緻密化の向上作用が発
揮されることもあるから、仮焼物の粉末にＭｇＯやＢａ
Ｔａ2 Ｏ6 を添加して圧粉体を得るようにしてもよい。
勿論、添加しなくてもよいことは言うまでもない。
【００１５】 この後、本焼成を行う。 （１） １５００℃以上の温度で２〜５時間焼成する。
昇温速度には特に制限はない。この（１）の焼成は、緻
密化を進行させるためのものである。ついで、 （２） １２００〜１４５０℃で１０〜１２０時間熱処
理する。この（２）の処理は、ＢＭＴ結晶を理想的な六
方晶とするためになされる。
昇温速度には特に制限はない。この（１）の焼成は、緻
密化を進行させるためのものである。ついで、 （２） １２００〜１４５０℃で１０〜１２０時間熱処
理する。この（２）の処理は、ＢＭＴ結晶を理想的な六
方晶とするためになされる。
【００１６】これにより、優れた誘電特性を有する緻密
なＢＭＴ焼結体が完成する。
なＢＭＴ焼結体が完成する。
【００１７】
【作用】請求項１、２記載の発明では、ＭｇＴａ2 Ｏ6
粉末とＢａ含有化合物粉末を混合し焼成して仮焼物を得
ており、緻密化を阻害する未反応Ｂａ含有化合物の残留
が抑えられるため、クラックのない緻密なＢＭＴ焼結体
が、急速昇温焼成などの特殊な処理を要することなく、
確実に（歩留まりよく）得ることができる。
粉末とＢａ含有化合物粉末を混合し焼成して仮焼物を得
ており、緻密化を阻害する未反応Ｂａ含有化合物の残留
が抑えられるため、クラックのない緻密なＢＭＴ焼結体
が、急速昇温焼成などの特殊な処理を要することなく、
確実に（歩留まりよく）得ることができる。
【００１８】高価な原料や特殊な処理が必要なわけでな
いから、製造コストの大幅な上昇や困難性を招来するこ
となく、安価なＢＭＴ焼結体を容易に得ることができる
ようになる。Ｂａ含有化合物がＢａＣＯ3 の場合は、Ｂ
ａＯ等に比べ反応性に富み、反応進行が速やかで製造し
易いという利点がある。
いから、製造コストの大幅な上昇や困難性を招来するこ
となく、安価なＢＭＴ焼結体を容易に得ることができる
ようになる。Ｂａ含有化合物がＢａＣＯ3 の場合は、Ｂ
ａＯ等に比べ反応性に富み、反応進行が速やかで製造し
易いという利点がある。
【００１９】請求項１、２記載のＢＭＴ焼結体作製用仮
焼物を焼結してなるＢＭＴ焼結体は、緻密でクラックが
無くて優れた誘電特性を有すると同時に安価でもあるた
め、非常に実用性が高い。
焼物を焼結してなるＢＭＴ焼結体は、緻密でクラックが
無くて優れた誘電特性を有すると同時に安価でもあるた
め、非常に実用性が高い。
【００２０】
【実施例】以下、この発明の実施例を説明する。 −実施例１− 上記〜に従って、ＢＭＴ焼結体作製用仮焼物および
ＢＭＴ焼結体を得た。まず、ＭｇＴａ2 Ｏ6 粉末を以下
のようにして得た。
ＢＭＴ焼結体を得た。まず、ＭｇＴａ2 Ｏ6 粉末を以下
のようにして得た。
【００２１】ＭｇＯ粉末（平均粒径約４μｍ）とＴａ2
Ｏ5 粉末（平均粒径約４μｍ）を等モル量ずつ混合し焼
成（温度１２００℃、１８時間）したあと粉砕して、平
均粒径約４μｍのＭｇＴａ2 Ｏ6 粉末を得た。このＭｇ
Ｔａ2 Ｏ6 粉末に平均粒径約４μｍのＢａＣＯ3 粉末を
１：３のモル割合で混合し、この混合物を仮焼（温度１
３００℃、５時間）したあと粉砕し攪拌してから、再
び、同様に仮焼して粉砕することを３回繰り返し、平均
粒径約４μｍのＢＭＴ焼結体作製用仮焼物の粉末を得
た。
Ｏ5 粉末（平均粒径約４μｍ）を等モル量ずつ混合し焼
成（温度１２００℃、１８時間）したあと粉砕して、平
均粒径約４μｍのＭｇＴａ2 Ｏ6 粉末を得た。このＭｇ
Ｔａ2 Ｏ6 粉末に平均粒径約４μｍのＢａＣＯ3 粉末を
１：３のモル割合で混合し、この混合物を仮焼（温度１
３００℃、５時間）したあと粉砕し攪拌してから、再
び、同様に仮焼して粉砕することを３回繰り返し、平均
粒径約４μｍのＢＭＴ焼結体作製用仮焼物の粉末を得
た。
【００２２】続いて、仮焼物の粉末で圧粉体を作り、
本焼成の（１）焼成工程では、１６００℃、２時間の処
理を行い、（２）焼成工程では、１３５０℃、４０時間
の処理を行い、ＢＭＴ焼結体を得た。 −実施例２− 本焼成の（１）焼成工程では、１５００℃、２時間の
処理を行う他は、実施例１と同様にしてＢＭＴ焼結体を
得た。
本焼成の（１）焼成工程では、１６００℃、２時間の処
理を行い、（２）焼成工程では、１３５０℃、４０時間
の処理を行い、ＢＭＴ焼結体を得た。 −実施例２− 本焼成の（１）焼成工程では、１５００℃、２時間の
処理を行う他は、実施例１と同様にしてＢＭＴ焼結体を
得た。
【００２３】−実施例３− 本焼成の（１）焼成工程では、１５５０℃、２時間の
処理を行う他は、実施例１と同様にしてＢＭＴ焼結体を
得た。 −実施例４− 本焼成の（１）焼成工程では、１６００℃、２時間の
処理を行う他は、実施例１と同様にしてＢＭＴ焼結体を
得た。
処理を行う他は、実施例１と同様にしてＢＭＴ焼結体を
得た。 −実施例４− 本焼成の（１）焼成工程では、１６００℃、２時間の
処理を行う他は、実施例１と同様にしてＢＭＴ焼結体を
得た。
【００２４】−実施例５− 本焼成の（１）焼成工程では、１６００℃、０．５時
間の処理を行う他は、実施例１と同様にしてＢＭＴ焼結
体を得た。 −実施例６− 本焼成の（１）焼成工程では、１６００℃、１時間の
処理を行う他は、実施例１と同様にしてＢＭＴ焼結体を
得た。
間の処理を行う他は、実施例１と同様にしてＢＭＴ焼結
体を得た。 −実施例６− 本焼成の（１）焼成工程では、１６００℃、１時間の
処理を行う他は、実施例１と同様にしてＢＭＴ焼結体を
得た。
【００２５】−実施例７− 本焼成の（１）焼成工程では、１６００℃、１．５時
間の処理を行う他は、実施例１と同様にしてＢＭＴ焼結
体を得た。 −比較例１− ＢａＣＯ3 粉末、ＭｇＯ粉末およびＴａ2 Ｏ5 粉末の３
つの原料を化学量論比に従って混合するようにした後、
１１００℃、２時間の焼成で得た予備仮焼物に対し、実
施例１と同様の仮焼以降の処理を行い、ＢＭＴ焼結体作
製用仮焼物を得て、続いて、ＢＭＴ焼結体を得た。
間の処理を行う他は、実施例１と同様にしてＢＭＴ焼結
体を得た。 −比較例１− ＢａＣＯ3 粉末、ＭｇＯ粉末およびＴａ2 Ｏ5 粉末の３
つの原料を化学量論比に従って混合するようにした後、
１１００℃、２時間の焼成で得た予備仮焼物に対し、実
施例１と同様の仮焼以降の処理を行い、ＢＭＴ焼結体作
製用仮焼物を得て、続いて、ＢＭＴ焼結体を得た。
【００２６】−比較例２− 仮焼温度が１１００℃である他は比較例１と同様にし
て、ＢＭＴ焼結体作製用仮焼物を作製し、続いて、ＢＭ
Ｔ焼結体を得た。実施例および比較例について、緻密度
（焼結体の相対密度）を測定するとともに、誘電率とＱ
値を誘電体円柱共振法により測定（測定周波数１０ＧH
z）した。また、クラックの有無についても調べた。測
定結果を表１に示す。
て、ＢＭＴ焼結体作製用仮焼物を作製し、続いて、ＢＭ
Ｔ焼結体を得た。実施例および比較例について、緻密度
（焼結体の相対密度）を測定するとともに、誘電率とＱ
値を誘電体円柱共振法により測定（測定周波数１０ＧH
z）した。また、クラックの有無についても調べた。測
定結果を表１に示す。
【００２７】
【表１】
【００２８】表１にみるように、実施例のＢＭＴ焼結体
は、比較例１、２のものと比べ、緻密であり、クラック
もなく、十分に実用に足る誘電特性をもっていることが
分かる。
は、比較例１、２のものと比べ、緻密であり、クラック
もなく、十分に実用に足る誘電特性をもっていることが
分かる。
【００２９】
【発明の効果】以上に述べたように、請求項１、２記載
の発明にかかるＢＭＴ焼結体作製用仮焼物は、緻密化を
阻害する未反応Ｂａ含有化合物の残留が良く抑えられて
いるため、クラックのない緻密な焼結体を容易かつ安価
に得ることができる。請求項３記載の発明にかかるＢＭ
Ｔ焼結体作製用仮焼物は、十分な誘電特性であって安価
でもあるため、非常に実用性が高い。
の発明にかかるＢＭＴ焼結体作製用仮焼物は、緻密化を
阻害する未反応Ｂａ含有化合物の残留が良く抑えられて
いるため、クラックのない緻密な焼結体を容易かつ安価
に得ることができる。請求項３記載の発明にかかるＢＭ
Ｔ焼結体作製用仮焼物は、十分な誘電特性であって安価
でもあるため、非常に実用性が高い。
Claims (3)
- 【請求項１】 ＢＭＴ焼結体作製用の仮焼物であってＢ
ａＭｇ1/3 Ｔａ2/3 Ｏ3 であらわされる仮焼物を製造す
る方法において、ＭｇＴａ2 Ｏ6 粉末とＢａ含有化合物
粉末を混合し焼成するようにすることを特徴とするＢＭ
Ｔ焼結体作製用仮焼物の製造方法。 - 【請求項２】 Ｂａ含有化合物がＢａＣＯ3 である請求
項１記載のＢＭＴ焼結体作製用仮焼物の製造方法。 - 【請求項３】 請求項１または２に記載のＢＭＴ焼結体
作製用仮焼物を焼結させてなるＢＭＴ焼結体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2404559A JPH0696465B2 (ja) | 1990-12-20 | 1990-12-20 | Ｂｍｔ焼結体作製用仮焼物の製造方法 およびｂｍｔ焼結体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2404559A JPH0696465B2 (ja) | 1990-12-20 | 1990-12-20 | Ｂｍｔ焼結体作製用仮焼物の製造方法 およびｂｍｔ焼結体 |
Publications (2)
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| JPH0696465B2 true JPH0696465B2 (ja) | 1994-11-30 |
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ID=18514220
Family Applications (1)
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-
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- 1990-12-20 JP JP2404559A patent/JPH0696465B2/ja not_active Expired - Fee Related
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