JPH0691137B2 - Semiconductor wafer inspection method - Google Patents

Semiconductor wafer inspection method

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JPH0691137B2
JPH0691137B2 JP1815388A JP1815388A JPH0691137B2 JP H0691137 B2 JPH0691137 B2 JP H0691137B2 JP 1815388 A JP1815388 A JP 1815388A JP 1815388 A JP1815388 A JP 1815388A JP H0691137 B2 JPH0691137 B2 JP H0691137B2
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inspection
probe card
wafer
probe
chip
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JP1815388A
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Inventor
渉 唐沢
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東京エレクトロン株式会社
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【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 (産業上の利用分野) この発明は、半導体ウエハの検査方法に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Object of the Invention] (Field of Industrial Application) The present invention relates to a method for inspecting a semiconductor wafer.
(従来の技術) 一般に、半導体集積回路等の電子部品には多数の電極が
配置されており、その検査にはプローブ装置が利用され
る。このプローブ装置での検査は、プローブカードに装
着されたプローブ針先端配列と被測定体のICチップの電
極パッド配列とを接続し、この接続状態でICチップの検
査測定を実行する。
(Prior Art) Generally, a large number of electrodes are arranged in an electronic component such as a semiconductor integrated circuit, and a probe device is used for the inspection. In the inspection with this probe device, the probe needle tip array mounted on the probe card and the electrode pad array of the IC chip of the object to be measured are connected, and the IC chip inspection measurement is executed in this connection state.
ところで、上記プローブカードは、プローブ針による検
査コンタクトを重ねると、プローブ針先端がこすれて減
短しプローブ針の高さ方向の位置が保てなくなり通常10
万〜100万回のコンタクトで寿命となる。
By the way, in the above probe card, when the inspection contact by the probe needle is piled up, the tip of the probe needle is rubbed and shortened, and the position in the height direction of the probe needle cannot be maintained.
10,000 to 1 million contacts reach the end of life.
又、ICチップは、半導体ウエハに格子状に配列されてい
て、周縁部のICチップを検査する際には、プローブカー
ドに設けられた多数のプローブ針のうち端部に設けられ
たプローブ針がウエハのエッヂをこすってしまい、その
プローブ針のみが片減りしてしまう場合がある。
Further, the IC chips are arranged in a lattice on the semiconductor wafer, and when inspecting the IC chips at the peripheral edge, the probe needles provided at the end of the many probe needles provided on the probe card are In some cases, the edge of the wafer is rubbed and only the probe needle is worn down.
上記のようにプローブカードが寿命を迎えた時や、異常
が生じた時には、オペレータがマニュアルによりプロー
ブカードを交換するか、又はプローブカード自動交換装
置により自動的にプローブカードの交換が行なわれてい
た。
As described above, when the probe card reaches the end of its life or when an abnormality occurs, the operator manually replaces the probe card, or the probe card automatic changing device automatically replaces the probe card. .
(発明が解決しようとする課題) しかしながら、多数のICチップが形成された半導体ウエ
ハの検査途中にプローブカードの寿命を迎えたり、異常
が発生した場合は、プローブカードを交換するか、修繕
行為を行なうが、このような場合上記検査中の半導体ウ
エハに形成されたICチップのうち、どこまで検査したか
認識できないので、そのウエハを再度最初から検査を実
行する必要があり検査時間が長くなり、装置の稼働率の
低下につながるという問題があった。又、再度検査を実
行すると、同一電極パッドに複数回針を接触させること
となり、電極パッドの表面が荒らされ、後に行なうボン
ディング工程で不良を誘発するという問題があった。
(Problems to be Solved by the Invention) However, if the probe card reaches the end of its life or an abnormality occurs during the inspection of the semiconductor wafer on which a large number of IC chips are formed, the probe card should be replaced or repaired. In such a case, since it is not possible to recognize how much of the IC chips formed on the semiconductor wafer under inspection has been inspected, it is necessary to perform the inspection of the wafer again from the beginning, and the inspection time becomes long. There was a problem that it would lead to a decrease in the operating rate of. Further, when the inspection is performed again, the needle is brought into contact with the same electrode pad a plurality of times, the surface of the electrode pad is roughened, and there is a problem that a defect is induced in a bonding step performed later.
さらに、再度の接触検査を回避するために、オペレータ
がマニュアルで検査中のウエハを高倍率の顕微鏡で、プ
ローブ針により付加された針跡の確認を行なうことも可
能であるが、針跡は極小のため確認が困難であり時間の
浪費となる問題があった。
Furthermore, in order to avoid the contact inspection again, the operator can manually check the needle traces added by the probe needle with a high-power microscope for the wafer under inspection, but the needle traces are extremely small. Therefore, there is a problem that confirmation is difficult and time consuming.
この発明は上記点に対処してなされたもので、装置の稼
働率の低下を防止し、同一ICチップを再検査することな
く尚かつ、迅速に検査を続行可能とする効果が得られる
半導体ウエハの検査方法を提供するものである。
The present invention has been made in response to the above-mentioned point, and a semiconductor wafer which has an effect of preventing a decrease in the operating rate of the device and allowing the inspection to be continued rapidly without re-inspecting the same IC chip. The inspection method is provided.
〔発明の構成〕[Structure of Invention]
(課題を解決するための手段) この発明は、半導体ウエハに多数形成されたICチップの
電極部にプローブカードに設けられたプローブを順次接
触しての検査中に上記プローブカードを交換する場合、
検査中のICチップの位置を認識し、この認識したICチッ
プの位置を記憶し、上記プローブカードの交換後上記記
憶した位置に従って検査を行なうことを特徴とする。
(Means for Solving the Problem) The present invention, when the probe card is replaced during the inspection by sequentially contacting the probes provided on the probe card with the electrode portions of the IC chips formed on the semiconductor wafer,
It is characterized in that the position of the IC chip under inspection is recognized, the recognized position of the IC chip is stored, and after the replacement of the probe card, the inspection is performed according to the stored position.
(作用効果) 半導体ウエハに多数形成されたICチップの電極部にプロ
ーブカードに設けられたプローブを順次接触しての検査
中に上記プローブカードを交換する場合、検査中のICチ
ップの位置を認識し、この認識したICチップの位置を記
憶し、上記プローブカードの交換後上記記憶した位置に
従って検査を行なうことにより、1度検査したICチップ
を再度検査することを回避でき、なおかつ、迅速に検査
を続行可能とし装置の稼働率の向上につながる効果が得
られる。
(Effect) When the probe card is replaced during the inspection by sequentially contacting the electrodes of the IC chip formed on the semiconductor wafer with the probes provided on the probe card, the position of the IC chip during the inspection is recognized. However, by storing the recognized position of the IC chip and performing the inspection according to the stored position after replacing the probe card, it is possible to avoid re-inspecting the IC chip that has been inspected once, and to inspect quickly. It is possible to continue the operation and obtain the effect of improving the operation rate of the device.
(実施例) 次に、本発明方法の一実施例をICチップが多数形成され
た半導体ウエハをプローブ装置での検査に適用したもの
を図面を参照して説明する。
(Embodiment) Next, one embodiment of the method of the present invention will be described with reference to the drawings in which a semiconductor wafer on which a large number of IC chips are applied is inspected by a probe apparatus.
このプローブ装置の構成は、主にプローバ部(1)とプ
ローブカード自動交換部(2)で構成されている。プロ
ーバ部(1)は、カセット(3)に板厚方向に所定の間
隔を設けて被検査体例えば半導体ウエハ(4)を例えば
縦列状に25枚設置する。このウエハ(4)を収納したカ
セット(3)をカセット収納部に搬入する。この収納部
からウエハ(4)を一枚づつ取出し、予備位置決めステ
ージ(5)に搬送する。この予備位置決めステージ
(5)を回転させてウエハ(4)のオリエンテーション
フラットを基準に精度±1°位まで予備位置決めした
後、ウエハ(4)を検査ステージ(6)に搬送する。こ
の検査ステージ(6)に搬送されたウエハ(4)を正確
に位置決めするために、CCDカメラを使ったパターン認
識機構又は、レーザを用いた認識機構が設置されてい
る。この認識機構を用いたウエハ(4)のパターンを基
準に正確に位置決めした後、検査ステージ(6)上方に
設けられたインサートリング(7)に装着されているプ
ローブカード(8)によりウエハ(4)上にプローブカ
ード(8)の接触端子であるプローブ例えばプローブ針
(9)をソフトタッチし、テスタ例えばプローブカード
(8)上方に設けられたテストヘッド(10)により自動
的にウエハ(4)の電気特性を検査する。このような連
続自動検査機能をもつプローブ部(1)により、半導体
ウエハ(4)の検査工程を実行するうえにおいては、上
記プローブカード(8)の各プローブ針(9)が減短し
寿命を迎えた時や、ある一定のプローブ針(9)が片減
りしてしまい、全数同時に正確なコンタクトができなく
なった時や、半導体ウエハ(4)の品種毎に電極パッド
模様が異なるため、半導体ウエハ(4)の品種変更があ
った場合などにはプローブカード(8)を交換する必要
がある。次にプローブカード自動交換部(2)について
説明する。
The configuration of this probe device is mainly composed of a prober section (1) and a probe card automatic exchange section (2). The prober unit (1) installs 25 inspection objects, for example, semiconductor wafers (4), for example, in a column shape in the cassette (3) at a predetermined interval in the plate thickness direction. The cassette (3) accommodating the wafer (4) is loaded into the cassette accommodating portion. The wafers (4) are taken out of the storage unit one by one and transferred to the preliminary positioning stage (5). The preliminary positioning stage (5) is rotated to perform preliminary positioning to an accuracy of about ± 1 ° with reference to the orientation flat of the wafer (4), and then the wafer (4) is transferred to the inspection stage (6). In order to accurately position the wafer (4) transferred to the inspection stage (6), a pattern recognition mechanism using a CCD camera or a recognition mechanism using a laser is installed. The wafer (4) is accurately positioned based on the pattern of the wafer (4) using this recognition mechanism, and then the wafer (4) is attached by the probe card (8) mounted on the insert ring (7) provided above the inspection stage (6). ) Is soft-touched with a probe, which is a contact terminal of the probe card (8), for example, a probe needle (9), and a tester (10) provided above the probe card (8) automatically causes the wafer (4) Inspect the electrical characteristics of. When performing the inspection process of the semiconductor wafer (4) by the probe unit (1) having such a continuous automatic inspection function, each probe needle (9) of the probe card (8) is shortened and its life is shortened. When a certain number of probe needles (9) are worn out and accurate contact is not possible at the same time, or because the electrode pad pattern is different for each type of semiconductor wafer (4), the semiconductor wafer The probe card (8) needs to be replaced when the product type (4) is changed. Next, the probe card automatic exchange section (2) will be described.
この交換部(2)は、高周波特性の検査に用いられるテ
ストヘッド(10)の回転基台内に設けられている。プロ
ーブカード(8)を予め位置調整してプローブカードホ
ルダ(8a)にネジ止めする。このプローブカード(8)
と一体のホルダ(8a)を夫々適当な間隔を設けて縦列状
に例えば6機種収容可能な収容ラック(11)に収容す
る。この時、各プローブカード(8)は、夫々の検査対
象品種に対応した夫々異品種のものでも良く、同品種の
プローブカード(8)を2,3機構ずつ設けても良い。こ
のように収容されたプローブカード(8)をホルダ(8
a)ごとラック(11)からプローバ部(1)のプローブ
カード設置位置即ち、インサートリング(7)まで選択
的に、搬送機構(12)で搬送する。この搬送機構(12)
は、例えば多数のリンクをX状に枢着ピンで連結した伸
縮自在のアーム(13)であり、先端には、円盤状のプロ
ーブカード載置板(14)が取付けられている。上記アー
ム(13)は、夫々図示しない伸縮駆動モータ、垂直駆動
モータ、回転駆動モータに係合されていて、アーム(1
3)の伸縮および垂直移動およびθ回転移動が可能とさ
れている。上記のようにプローブカード(8)の収納部
と、この収納部からプローブカード(8)を搬送する搬
送機構(12)からプローブカード自動交換部(2)が構
成されている。
The exchange section (2) is provided in the rotary base of the test head (10) used for the inspection of high frequency characteristics. The position of the probe card (8) is adjusted in advance and screwed to the probe card holder (8a). This probe card (8)
The holders (8a) integrated with the above are housed in a storage rack (11) capable of accommodating, for example, six models, in a column form at appropriate intervals. At this time, each probe card (8) may be of a different product type corresponding to each inspection target product type, or two or three probe card (8) of the same product type may be provided. The probe card (8) housed in this way is attached to the holder (8
Each of a) is selectively transported by the transport mechanism (12) from the rack (11) to the probe card installation position of the prober unit (1), that is, the insert ring (7). This transport mechanism (12)
Is an extendable arm (13) in which a large number of links are connected to each other in an X shape by pivot pins, and a disc-shaped probe card mounting plate (14) is attached to the tip. The arm (13) is engaged with a telescopic drive motor, a vertical drive motor, and a rotary drive motor, which are not shown, respectively.
Expansion and contraction of 3), vertical movement and θ rotation movement are possible. As described above, the probe card automatic exchange unit (2) is configured by the storage unit for the probe card (8) and the transfer mechanism (12) for transferring the probe card (8) from the storage unit.
次にプローブ装置の動作作用を説明する。Next, the operation of the probe device will be described.
プローバ部(1)において、カセット(3)に収納され
ている半導体ウエハ(4)を図示しないハンドリングア
ームで搬出し、予備位置決めステージ(5)に載置す
る。ここで予備位置決めステージ(5)を回転して例え
ば透過型のセンサにより、ウエハ(4)のサイズや中心
およびオリエンテーションフラットを検出する。この検
出後、ウエハ(4)の中心が、検査ステージ(6)の中
心と合致するように図示しない回転搬送アーム等でウエ
ハ(4)を搬送設置する。即ち、検査ステージ(6)を
移動して検査ステージ(6)の中心を予め定められた位
置に設置し、その中心位置にウエハ(4)の中心が合致
する如く回転搬送アームでウエハ(4)を搬送する。次
に、検査ステージ(6)を移動して設置された1枚目の
ウエハ(4)の凹凸をエッヂセンサ(図示せず)で検出
し、この検出結果を記憶する。
In the prober unit (1), the semiconductor wafer (4) stored in the cassette (3) is unloaded by a handling arm (not shown) and placed on the preliminary positioning stage (5). Here, the preliminary positioning stage (5) is rotated to detect the size, center, and orientation flat of the wafer (4) by, for example, a transmissive sensor. After this detection, the wafer (4) is transferred and set by a rotary transfer arm or the like (not shown) so that the center of the wafer (4) coincides with the center of the inspection stage (6). That is, the inspection stage (6) is moved to set the center of the inspection stage (6) at a predetermined position, and the wafer (4) is rotated by the rotary transfer arm so that the center of the wafer (4) coincides with the center position. To transport. Next, the unevenness of the first wafer (4) installed by moving the inspection stage (6) is detected by an edge sensor (not shown), and the detection result is stored.
ここで、2枚目以降のウエハ(4)においては、エッヂ
センサで凹凸を検出することなく1枚目のウエハ(4)
で記憶した値を流用する。もちろん各ウェーハ毎にエッ
ヂセンサにより検出する凹凸の値を使っても良い。その
後、上記記憶したウエハ(4)上の凹凸に従がい検査ス
テージ(6)のZ方向(垂直方向)の移動を調節し、パ
ターン認識機構の例えばCCDカメラとウエハ(4)上に
形成されたパターンを常に一定の高さでフォーカス等を
合わせた状態で撮像し、予め定められた動作に従がいア
ライメントする。ここで、上記ウエハ(4)の中心およ
びサイズや凹凸を容量センサにより検出しても良いが、
容量センサを使用すると容量センサはフナログ信号で処
理を行なうので、検査ステージ(6)を加熱および冷却
すると環境の変化に対応出来ずに検出誤差を生じ、なお
かつ各ウエハ毎に検出動作を行なうことから検出時間も
長くかかるので、高価な容量センサを用いずに、上記の
ように予備位置決めステージ(5)とエッヂセンサで行
なうことが好ましい。
Here, in the second and subsequent wafers (4), the first wafer (4) was detected without detecting irregularities by the edge sensor.
Use the value stored in. Of course, the value of the unevenness detected by the edge sensor may be used for each wafer. After that, the movement of the inspection stage (6) in the Z direction (vertical direction) according to the unevenness on the stored wafer (4) is adjusted to form the pattern recognition mechanism on the wafer (4), for example, a CCD camera. The pattern is always imaged at a constant height with focus and the like, and is aligned according to a predetermined operation. Here, the center and size of the wafer (4) and the unevenness may be detected by a capacitance sensor.
When the capacitance sensor is used, the capacitance sensor performs processing with the Funalog signal. Therefore, when the inspection stage (6) is heated and cooled, it is impossible to cope with changes in the environment and a detection error occurs, and the detection operation is performed for each wafer. Since the detection time also takes a long time, it is preferable to use the preliminary positioning stage (5) and the edge sensor as described above without using an expensive capacitance sensor.
また、エッヂセンサのかわりに前記CCDカメラとウエハ
(4)が載置された検査ステージの上昇又は下降とでオ
ートフォーカスを行ないウエハ上の凹凸を検査しても良
い。
Further, instead of the edge sensor, the CCD camera and the inspection stage on which the wafer (4) is mounted may be raised or lowered to perform autofocus to inspect the unevenness on the wafer.
次に、上記アライメント後検査ステージ(6)を上昇し
てウエハ(4)に形成されたICチップの電極パッドとプ
ローブカード(8)のプローブ針(9)を接続コンタク
トし、この接続状態で図示しないテスタでICチップの電
気特性の検査を行なう。この検査において、ICチップ
は、ウエハ(4)上に規則的に形成されているので、こ
の規則に従って予め検査順序がプローブ装置に内蔵され
ているメモリー機構に記憶されている。この記憶されて
いる検査順序通り順次検査を実行していく。この順序通
り検査を実行していくと、極めてまれにではあるが、ウ
エハ(4)の検査途中で、プローブカード(8)の寿命
を迎えたり、プローブ針(19)の片減りによるプローブ
コンタクトの不良等が発生して、プローブカード(8)
を交換する必要が生じてくる。ここで、ウエハ(4)の
検査の途中でプローブカード(8)を交換する場合、重
複検査を避けるため、検査中のICチップの位置を認識
し、この認識した位置をプローブ装置に内蔵されている
メモリー機構に記憶しておく。例えば、ウエハ(4)上
に形成された各ICチップにアドレスが設けられている場
合、検査中もしくは検査直後のICチップのアドレスを認
識し、記憶しておく。このように記憶するとともに、プ
ローブカード(8)を自動交換部(2)により交換す
る。この交換は、まず、インサートリング(7)に保持
されているプローブカード(8)を、自動交換部(2)
のアーム(13)により搬出し、プローブカード収容ラッ
ク(11)に収容する。次に、予めプローブ装置CPUの記
憶機構にプログラムされたウエハ(4)の品種情報に基
づいて該ウエハ品種に対応するプローブカード(8)を
選択し、即ち、交換したプローブカード(8)と同一品
種のプローブカード(8)を選択し、プローブカード載
置板(14)がカード収容ラック(11)に収容された選択
されたホルダ(8a)と一体のプローブカード(8)の下
面に挿入するようにアーム(13)を伸ばした後、図示し
ない垂直駆動モータを駆動してアーム(13)を上昇さ
せ、プローブカード載置板(14)上にプローブカード
(8)を載置する。そして図示を省略したプローブカー
ド位置合せ機構にプローブカード(8)を一時載置して
位置合せを行う。
Next, the post-alignment inspection stage (6) is raised to make a connection contact between the electrode pad of the IC chip formed on the wafer (4) and the probe needle (9) of the probe card (8). Do not test the electrical characteristics of the IC chip with a tester. In this inspection, since the IC chips are regularly formed on the wafer (4), the inspection order is stored in advance in the memory mechanism built in the probe device according to this rule. The inspections are sequentially executed according to the stored inspection order. When the inspection is performed in this order, although it is extremely rare, during the inspection of the wafer (4), the probe card (8) reaches the end of its life or the probe needle (19) is depleted, and the probe contact Defects occur, probe card (8)
Will need to be replaced. Here, when the probe card (8) is replaced during the inspection of the wafer (4), the position of the IC chip under inspection is recognized and the recognized position is built into the probe device in order to avoid duplicate inspection. It is stored in the existing memory mechanism. For example, when each IC chip formed on the wafer (4) is provided with an address, the address of the IC chip during or immediately after the inspection is recognized and stored. In addition to storing in this way, the probe card (8) is replaced by the automatic replacement unit (2). In this exchange, first, the probe card (8) held by the insert ring (7) is replaced with the automatic exchange section (2).
It is carried out by the arm (13) and stored in the probe card storage rack (11). Next, the probe card (8) corresponding to the wafer type is selected based on the type information of the wafer (4) programmed in advance in the memory of the probe device CPU, that is, the same as the replaced probe card (8). A probe card (8) of a type is selected, and the probe card mounting plate (14) is inserted into the lower surface of the probe card (8) integrated with the selected holder (8a) housed in the card housing rack (11). After extending the arm (13) as described above, the vertical drive motor (not shown) is driven to raise the arm (13), and the probe card (8) is mounted on the probe card mounting plate (14). Then, the probe card (8) is temporarily placed on a probe card alignment mechanism (not shown) to perform alignment.
位置合せ終了後、再びプローブカード(8)を載置し、
図示しない回転モータを駆動して回転基台を90度回転さ
せた後、アーム(13)を伸ばしてプローバのテストヘッ
ド(10)下面に設けられたインサートリング(7)下面
までプローブカード(8)を搬送し、次に図示しない垂
直モータを駆動して上昇させてプローブカード(8)と
インサートリング(7)とを当接させる。この後、プロ
ーブカード固定機構によりプローブカード(8)とイン
サートリング(7)とを固定する。このようにしてプロ
ーブカード(8)の自動交換を行なう。
After completing the alignment, place the probe card (8) again,
After rotating a rotary base by 90 degrees by driving a rotary motor (not shown), the arm (13) is extended to extend the probe card (8) to the lower surface of the insert ring (7) provided on the lower surface of the prober test head (10). Then, a vertical motor (not shown) is driven to move it up to bring the probe card (8) and the insert ring (7) into contact with each other. After that, the probe card (8) and the insert ring (7) are fixed by the probe card fixing mechanism. In this way, the probe card (8) is automatically replaced.
ここで、交換したプローブカード(8)のプローブ針
(9)の位置が、精度よく同じ位置にくるとは限らない
ため、ウエハ(4)の再アライメントを行なう。この再
アライメント後、検査動作を再開する。この検査再開に
あたり、途中のICチップまで検査済のウエハ(4)の場
合、プローブカード(8)を交換する直前に検査を行な
ったICチップの位置例えばアドレスをメモリー機構に記
憶しているので、この記憶内容から同一ICチップの重複
検査をさけて予め定められた検査順序にしたがってウエ
ハ(4)の検査を再開する。
Here, since the position of the probe needle (9) of the replaced probe card (8) does not always come to the same position with high accuracy, the wafer (4) is realigned. After this realignment, the inspection operation is restarted. When the inspection is restarted, in the case of the wafer (4) that has been inspected up to the IC chip on the way, the position of the IC chip inspected immediately before the probe card (8) is replaced, for example, the address is stored in the memory mechanism. The inspection of the wafer (4) is restarted according to a predetermined inspection order, avoiding the duplicate inspection of the same IC chip from the stored contents.
上記のように、ウエハに規則的に形成されたICチップを
予め定められた順序に従って検査している途中に、プロ
ーブカードを交換する場合、プローブカードを交換する
直前に検査したICチップの位置を記憶して、プローブカ
ードを交換後に、上記記憶した位置から上記検査順序通
りに検査を再開することにより同一ICチップの重複検査
を回避し、検査時間の短縮およびICチップの電極パッド
の損傷を押えられる効果がある。
As described above, when exchanging the probe card while inspecting the IC chips regularly formed on the wafer in accordance with the predetermined order, the position of the inspected IC chip immediately before exchanging the probe card is changed. After memorizing and replacing the probe card, the inspection is restarted from the memorized position in the above-mentioned inspection order to avoid duplicate inspection of the same IC chip, shorten the inspection time and suppress damage to the electrode pads of the IC chip. It is effective.
この発明は上記実施例に限定されるものではなく、例え
ばプローブカードの交換は、自動交換でなくともオペレ
ータがマニュアルで行なった場合でも上記実施例と同様
の効果が得られる。
The present invention is not limited to the above-described embodiment. For example, even if the operator replaces the probe card not by automatic replacement but by an operator manually, the same effect as in the above-described embodiment can be obtained.
又、ウエハ検査中に停電が発生しても、検査中のICチッ
プ位置を予備バッテリー付メモリーに記憶しておけば、
停電が回復した後に上記記憶した内容に従って検査を再
開し重複検査を回避することが可能となる。
Even if a power failure occurs during wafer inspection, if the IC chip position under inspection is stored in the memory with a spare battery,
After the power failure is recovered, the inspection can be restarted according to the stored contents to avoid the duplicate inspection.
【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]
第1図は本発明の一実施例を説明するためのプローブ装
置の構成図、第2図は第1図の斜視図、第3図は第1図
のプローブ装置のプローブカード自動交換部の図であ
る。 1……プローバ部 2……プローブカード自動交換部 5……予備位置決めステージ 8……プローブカード、9……プローブ針 11……収容ラック、12……搬送機構 13……アーム
1 is a configuration diagram of a probe device for explaining an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a perspective view of FIG. 1, and FIG. 3 is a diagram of a probe card automatic exchange section of the probe device of FIG. Is. 1 ... Prober 2 ... Probe card automatic exchange 5 ... Preliminary positioning stage 8 ... Probe card, 9 ... Probe needle 11 ... Accommodation rack, 12 ... Transport mechanism 13 ... Arm

Claims (1)

    【特許請求の範囲】[Claims]
  1. 【請求項1】半導体ウエハに多数形成されたICチップの
    電極部にプローブカードに設けられたプローブを順次接
    触しての検査中に上記プローブカードを交換する場合、
    検査中のICチップの位置を認識し、この認識したICチッ
    プの位置を記憶し、上記プローブカードの交換後上記記
    憶した位置に従って検査を行なうことを特徴とする半導
    体ウエハの検査方法。
    1. When replacing the probe card during an inspection in which probes provided on the probe card are sequentially contacted with electrode portions of IC chips formed on a semiconductor wafer,
    A method of inspecting a semiconductor wafer, which comprises recognizing a position of an IC chip under inspection, storing the recognized position of the IC chip, and performing an inspection according to the stored position after replacing the probe card.
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