JPH0685501U - PIN diode mounting part on microstrip substrate - Google Patents
PIN diode mounting part on microstrip substrateInfo
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＰＩＮダイオードの各端子を長くすることな
く各マイクロストリップ線路に接続できるマイクロスト
リップ基板に対するＰＩＮダイオードの取付け部を提供
する。
【構成】 マイクロストリップ基板１のＰＩＮダイオー
ド５の取付け箇所にＰＩＮダイオード収容穴６を設け
る。ＰＩＮダイオード収容穴６にＰＩＮダイオード５の
下部を収容する。ＰＩＮダイオード収容穴６の両側でＰ
ＩＮダイオード５の各端子５ａ，５ｂを各マイクロスト
リップ線路３ａ，３ｂに接続する。
(57) [Summary] [Object] To provide a mounting portion of a PIN diode to a microstrip substrate that can be connected to each microstrip line without lengthening each terminal of the PIN diode. [Structure] A PIN diode accommodation hole 6 is provided at a place where the PIN diode 5 is attached to the microstrip substrate 1. The lower part of the PIN diode 5 is housed in the PIN diode housing hole 6. P on both sides of the PIN diode receiving hole 6
The terminals 5a and 5b of the IN diode 5 are connected to the microstrip lines 3a and 3b.
Description
【０００１】[0001]
本考案は、マイクロ波通信機器やレーダ機器等で、信号系統の切り替えスイッ チ等に用いられるＰＩＮダイオードをマイクロストリップ基板に取付けているマ イクロストリップ基板に対するＰＩＮダイオードの取付け部に関するものである 。 The present invention relates to a mounting portion of a PIN diode for a microstrip substrate in which a PIN diode used for a signal system switching switch or the like is mounted on a microstrip substrate in microwave communication equipment or radar equipment.
【０００２】[0002]
図９は、従来のこの種のマイクロストリップ基板に対するＰＩＮダイオードの 取付け部を示したものである。マイクロストリップ基板１は、誘電体基板２の表 面にマイクロストリップ線路３ａ，３ｂが設けられ、該誘電体基板２の裏面に金 属製のグランド層４が設けられた構造になっている。このようなマイクロストリ ップ基板１の表面には、マイクロストリップ線路３ａ，３ｂ間に位置させてガラ ス封止のＰＩＮダイオード５が配置され、該ＰＩＮダイオード５の両端子５ａ， ５ｂは各側のマイクロストリップ線路３ａ，３ｂに半田付け等により取付けられ ている。 FIG. 9 shows a mounting portion of a PIN diode on a conventional microstrip substrate of this type. The microstrip substrate 1 has a structure in which microstrip lines 3a and 3b are provided on the surface of a dielectric substrate 2, and a metal ground layer 4 is provided on the back surface of the dielectric substrate 2. A glass-sealed PIN diode 5 is arranged between the microstrip lines 3a and 3b on the surface of such a microstrip substrate 1, and both terminals 5a and 5b of the PIN diode 5 are provided on each side. The microstrip lines 3a and 3b are attached by soldering or the like.
【０００３】[0003]
このようなマイクロストリップ基板に対するＰＩＮダイオードの取付け部では 、ある太さを有するＰＩＮダイオード５をマイクロストリップ基板１の表面に載 せてマイクロストリップ線路３ａ，３ｂに接続する関係上、該ＰＩＮダイオード ５の両端子５ａ，５ｂはその先端部が該ＰＩＮダイオード５の下面以下に存在す るようにマイクロストリップ基板１の方向に屈曲されて両マイクロストリップ線 路３ａ，３ｂに接続されることになり、このため該ＰＩＮダイオード５の両端子 ５ａ，５ｂの長さが長くなってインダクタンス分が増え、電気特性が劣化する問 題点があった。 In such a mounting portion of the PIN diode to the microstrip substrate, the PIN diode 5 having a certain thickness is mounted on the surface of the microstrip substrate 1 and connected to the microstrip lines 3a and 3b. Both terminals 5a and 5b are bent in the direction of the microstrip substrate 1 so that their tips are below the lower surface of the PIN diode 5 and are connected to both microstrip lines 3a and 3b. Therefore, there has been a problem that the length of both terminals 5a and 5b of the PIN diode 5 becomes long, the inductance increases, and the electrical characteristics deteriorate.
【０００４】 本考案の目的は、ＰＩＮダイオードの各端子を長くすることなく各マイクロス トリップ線路に接続できるマイクロストリップ基板に対するＰＩＮダイオードの 取付け部を提供することにある。An object of the present invention is to provide a mounting portion of a PIN diode on a microstrip substrate that can be connected to each microstrip line without lengthening each terminal of the PIN diode.
【０００５】[0005]
上記の目的を達成する本考案の構成を説明すると、本考案はマイクロストリッ プ基板のマイクロストリップ線路間にＰＩＮダイオードの各端子が接続されてい るマイクロストリップ基板に対するＰＩＮダイオードの取付け部において、 前記マイクロストリップ基板の前記ＰＩＮダイオードの取付け箇所にＰＩＮダ イオード収容穴が設けられ、該ＰＩＮダイオード収容穴に前記ＰＩＮダイオード が収容され、該ＰＩＮダイオード収容穴の両側で該ＰＩＮダイオードの各端子が 前記各マイクロストリップ線路に接続されていることを特徴とする。 The structure of the present invention for achieving the above object will be described. The present invention relates to a mounting portion of a PIN diode on a microstrip substrate in which each terminal of the PIN diode is connected between the microstrip lines of the microstrip substrate. A PIN diode accommodating hole is provided in the strip substrate at the mounting position of the PIN diode, the PIN diode is accommodated in the PIN diode accommodating hole, and each terminal of the PIN diode is connected to each side of the PIN diode accommodating hole. It is characterized in that it is connected to a strip line.
【０００６】[0006]
このようにマイクロストリップ基板にＰＩＮダイオード収容穴を設け、該ＰＩ Ｎダイオード収容穴にＰＩＮダイオードの一部を収容し、該ＰＩＮダイオード収 容穴の両側で該ＰＩＮダイオードの各端子を各マイクロストリップ線路に接続す ると、ＰＩＮダイオードの各端子をマイクロストリップ基板の方向に曲げること なく、最短長さで各マイクロストリップ線路に接続できる。従って、ＰＩＮダイ オードの各端子の長さの増大によるインダクタンス分の増加を回避でき、電気特 性の劣化を防止できる。また、ＰＩＮダイオードの各端子を最短長さで各マイク ロストリップ線路に接続すると、該ＰＩＮダイオードの放熱性がよくなり、該Ｐ ＩＮダイオードの発熱を抑制できる。 Thus, the PIN diode accommodation hole is provided in the microstrip substrate, a part of the PIN diode is accommodated in the PIN diode accommodation hole, and each terminal of the PIN diode is connected to each microstrip line on both sides of the PIN diode accommodation hole. , The PIN diode terminals can be connected to each microstrip line at the shortest length without bending each terminal of the PIN diode toward the microstrip substrate. Therefore, it is possible to avoid an increase in the inductance component due to an increase in the length of each terminal of the PIN diode, and prevent the deterioration of the electrical characteristics. Further, when each terminal of the PIN diode is connected to each microstrip line with the shortest length, the heat dissipation of the PIN diode is improved, and the heat generation of the PIN diode can be suppressed.
【０００７】[0007]
以下、本考案の各実施例を図を参照して詳細に説明する。なお、前述した図９ と対応する部分には、同一符号を付けて示している。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The parts corresponding to those in FIG. 9 described above are denoted by the same reference numerals.
【０００８】 図１及び図２は、本考案に係るマイクロストリップ基板に対するＰＩＮダイオ ードの取付け部の第１実施例を示したものである。本実施例では、マイクロスト リップ基板１における誘電体基板２のＰＩＮダイオード５の取付け箇所に、該Ｐ ＩＮダイオード５を収容するＰＩＮダイオード収容穴６が設けられている。該Ｐ ＩＮダイオード収容穴６にガラス封止のＰＩＮダイオード５の一部が収容され、 該ＰＩＮダイオード収容穴６の両側で該ＰＩＮダイオード５の各端子５ａ，５ｂ が各マイクロストリップ線路３ａ，３ｂに半田付け等で接続されている。1 and 2 show a first embodiment of a mounting portion of a PIN diode on a microstrip substrate according to the present invention. In the present embodiment, a PIN diode accommodation hole 6 for accommodating the PIN diode 5 is provided at the mounting location of the PIN diode 5 on the dielectric substrate 2 of the microstrip substrate 1. A part of the glass-sealed PIN diode 5 is housed in the PIN diode housing hole 6, and the terminals 5a and 5b of the PIN diode 5 are connected to the microstrip lines 3a and 3b on both sides of the PIN diode housing hole 6. It is connected by soldering, etc.
【０００９】 このようにマイクロストリップ基板１にＰＩＮダイオード収容穴６を設け、該 ＰＩＮダイオード収容穴６にＰＩＮダイオード５の一部を収容し、該ＰＩＮダイ オード収容穴６の両側で該ＰＩＮダイオード５の各端子５ａ，５ｂを各マイクロ ストリップ線路３ａ，３ｂに接続すると、該ＰＩＮダイオード５の各端子５ａ， ５ｂを下向きに曲げることなく、最短長さで各マイクロストリップ線路３ａ，３ ｂに接続できる。従って、ＰＩＮダイオード５の各端子５ａ，５ｂの長さの増大 によるインダクタンス分の増加を回避でき、電気特性の劣化を防止することがで きる。また、ＰＩＮダイオード５の各端子５ａ，５ｂを最短長さで各マイクロス トリップ線路３ａ，３ｂに接続すると、該ＰＩＮダイオード５の放熱性がよくな り、該ＰＩＮダイオード５の発熱を抑制できる。As described above, the PIN diode accommodation hole 6 is provided in the microstrip substrate 1, a part of the PIN diode 5 is accommodated in the PIN diode accommodation hole 6, and the PIN diode 5 is provided on both sides of the PIN diode accommodation hole 6. When each terminal 5a, 5b of is connected to each microstrip line 3a, 3b, each terminal 5a, 5b of the PIN diode 5 can be connected to each microstrip line 3a, 3b with the shortest length without bending downward. . Therefore, it is possible to avoid an increase in the inductance component due to an increase in the length of each terminal 5a, 5b of the PIN diode 5, and it is possible to prevent the deterioration of the electrical characteristics. Further, when the terminals 5a and 5b of the PIN diode 5 are connected to the microstrip lines 3a and 3b with the shortest length, the heat dissipation of the PIN diode 5 is improved and the heat generation of the PIN diode 5 can be suppressed.
【００１０】 図３，図４，図５は、図１及び図２に示す構造の本考案に係るマイクロストリ ップ基板に対するＰＩＮダイオードの取付け部におけるＰＩＮダイオードを用い たた高周波スイッチと、図９に示す従来のマイクロストリップ基板に対するＰＩ Ｎダイオードの取付け部におけるＰＩＮダイオードを用いた高周波スイッチとの 挿入損失特性と、反射減衰量特性と、アイソレーション特性の比較図を示したも のである。各図において、Ａは本考案の実施例による特性、Ｂは従来例による特 性を示す。FIGS. 3, 4 and 5 show a high frequency switch using a PIN diode in the mounting portion of the PIN diode on the microstrip substrate according to the present invention having the structure shown in FIGS. 1 and 2, and FIG. A comparison diagram of insertion loss characteristics, return loss characteristics, and isolation characteristics with a high-frequency switch using a PIN diode at the mounting portion of the PIN diode on the conventional microstrip substrate shown in Fig. 4 is shown. In each figure, A shows the characteristics according to the embodiment of the present invention, and B shows the characteristics according to the conventional example.
【００１１】 本考案によれば、図３から明らかなように通過状態における挿入損失の低減が 図れ、図４から明らかなように反射減衰量の改善が図れ、図４から明らかなよう に遮断状態におけるアイソレーションの改善が図れる。According to the present invention, the insertion loss in the passing state can be reduced as shown in FIG. 3, the return loss can be improved as shown in FIG. 4, and the cutoff state can be obtained as shown in FIG. It is possible to improve the isolation.
【００１２】 従って、ガラス封止のＰＩＮダイオード５でも、２ＧＨｚ以上でも良好な電気 特性（反射減衰量及び挿入損失）が得られると共に、高電力の高周波信号を通過 させたときのＰＩＮダイオード５の発熱も押さえることができる。Therefore, even with the glass-sealed PIN diode 5, good electrical characteristics (reflection attenuation amount and insertion loss) can be obtained even at 2 GHz or more, and heat generation of the PIN diode 5 when a high-power high-frequency signal is passed. You can also hold down.
【００１３】 図６は、図１及び図２に示すようにしてＰＩＮダイオード５1 ，５2 ，５3 ， ５4 を接続した単極双投スイッチ回路の一例を示したものである。図示のように 、ＰＩＮダイオード５1 ，５2 は、そのアノードを向かい合わせにして接続され ている。ＰＩＮダイオード５1 のカソードは、コンデンサ７1 を介して端子Ｔ1 に接続されている。ＰＩＮダイオード５2 のカソードは、コンデンサ７2 を介し て端子Ｔ2 に接続されている。ＰＩＮダイオード５3 は、そのアノードがＰＩＮ ダイオード５1 とコンデンサ７1 との接続点に接続され、そのカソードがグラン ド層４に接続されている。ＰＩＮダイオード５1 とコンデンサ７1 との接続点に はチョークコイル８1 を介してバイアス端子Ｂ1 に接続されている。ＰＩＮダイ オード５4 は、そのアノードがＰＩＮダイオード５2 とコンデンサ７2 との接続 点に接続され、そのカソードがグランド層４に接続されている。ＰＩＮダイオー ド５2 とコンデンサ７2 との接続点にはチョークコイル８2 を介してバイアス端 子Ｂ2 に接続されている。ＰＩＮダイオード５1 ，５2 の接続点は、チョークコ イル８3 を介してグランド層４に接続されている。また、ＰＩＮダイオード５1 ，５2 の接続点は、端子Ａに接続されている。FIG. 6 shows an example of a single-pole double-throw switch circuit in which PIN diodes 5 1 , 5 2 , 5 3 , and 5 4 are connected as shown in FIGS. 1 and 2. As shown, the PIN diodes 5 1 and 5 2 are connected with their anodes facing each other. The cathode of the PIN diode 5 1 is connected to the terminal T 1 via the capacitor 7 1 . The cathode of the PIN diode 5 2 is connected to the terminal T 2 via the capacitor 7 2 . The PIN diode 5 3 has its anode connected to the connection point between the PIN diode 5 1 and the capacitor 7 1, and its cathode connected to the ground layer 4. The connection point between the PIN diode 5 1 and the capacitor 7 1 is connected to the bias terminal B 1 via the choke coil 8 1 . The PIN diode 5 4 has its anode connected to the connection point between the PIN diode 5 2 and the capacitor 7 2 and its cathode connected to the ground layer 4. The connection point between the PIN diode 5 2 and the capacitor 7 2 is connected to the bias terminal B 2 via the choke coil 8 2 . The connection points of the PIN diodes 5 1 and 5 2 are connected to the ground layer 4 via the choke coil 8 3 . The connection point of the PIN diodes 5 1 and 5 2 is connected to the terminal A.
【００１４】 このような単極双投スイッチ回路においては、バイアス端子Ｂ1 に負の直流バ イアス電圧、バイアス端子Ｂ2 に正の直流バイアス電圧をかけることにより、端 子Ｔ1 と端子Ａとの間が通過状態に、端子Ｔ2 と端子Ａとの間が遮断状態になる 。直流バイアス電圧を逆転すると、端子Ｔ2 と端子Ａとの間が通過状態に、端子 Ｔ1 と端子Ａとの間が遮断状態になる。[0014] In such a single-pole double-throw switch circuit, the bias terminal B 1 to the negative DC bias voltage, by applying a positive DC bias voltage to the bias terminal B 2, pin T 1 and the terminal A The gap between the terminals T 2 and A is cut off. When the DC bias voltage is reversed, the terminal T 2 and the terminal A are in the passing state and the terminal T 1 and the terminal A are in the disconnecting state.
【００１５】 このような単極双投スイッチ回路のＰＩＮダイオード５1 ，５2 ，５3 ，５4 に本考案を適用すると、通過状態における挿入損失の低減、反射減衰量の改善、 遮断状態におけるアイソレーションの改善が図れる。When the present invention is applied to the PIN diodes 5 1 , 5 2 , 5 3 , 5 4 of such a single-pole double-throw switch circuit, the insertion loss in the passing state is reduced, the return loss is improved, and the blocking state is reduced. The isolation can be improved.
【００１６】 図７は、本考案に係るマイクロストリップ基板に対するＰＩＮダイオードの取 付け部の第２実施例を示したものである。本実施例では、熱膨張によりＰＩＮダ イオード５の各端子５ａ，５ｂに加わるストレスを吸収する構造の場合に本考案 を適用した例を示したものである。本実施例でも、ＰＩＮダイオード収容穴６に ＰＩＮダイオード５の下部が収容されている。該ＰＩＮダイオード５の各端子５ ａ，５ｂは誘電体基板２に平行な面内で屈曲されて、ＰＩＮダイオード収容穴６ の両側で各マイクロストリップ線路３ａ，３ｂに接続されている。FIG. 7 shows a second embodiment of the mounting portion of the PIN diode on the microstrip substrate according to the present invention. This embodiment shows an example in which the present invention is applied to a structure in which the stress applied to the terminals 5a and 5b of the PIN diode 5 is absorbed by thermal expansion. Also in this embodiment, the lower part of the PIN diode 5 is housed in the PIN diode housing hole 6. The terminals 5a and 5b of the PIN diode 5 are bent in a plane parallel to the dielectric substrate 2 and connected to the microstrip lines 3a and 3b on both sides of the PIN diode receiving hole 6.
【００１７】 この場合も、ＰＩＮダイオード収容穴６が存在するので、ＰＩＮダイオード５ の各端子５ａ，５ｂは図９に示すようには屈曲する必要がないので、その分の各 端子５ａ，５ｂの長さの増加を防止でき、最短長さで熱膨張によるストレスを吸 収する構造にすることができる。Also in this case, since the PIN diode housing hole 6 exists, the terminals 5a and 5b of the PIN diode 5 do not need to be bent as shown in FIG. The length can be prevented from increasing, and the structure can absorb the stress due to thermal expansion in the shortest length.
【００１８】 図８は、本考案に係るマイクロストリップ基板に対するＰＩＮダイオードの取 付け部の第３実施例を示したものである。本実施例では、図１の構造のＰＩＮダ イオードの取付け部におけるＰＩＮダイオード５の上に金属製の放熱板９を被せ た例を示したものである。このようにすると、放熱効果を倍増することができる 。FIG. 8 shows a third embodiment of a PIN diode mounting portion on a microstrip substrate according to the present invention. In the present embodiment, an example is shown in which a metal heat radiating plate 9 is covered on the PIN diode 5 in the PIN diode mounting portion of the structure of FIG. In this way, the heat dissipation effect can be doubled.
【００１９】[0019]
以上説明したように本考案に係るマイクロストリップ基板に対するＰＩＮダイ オードの取付け部では、マイクロストリップ基板にＰＩＮダイオード収容穴を設 け、該ＰＩＮダイオード収容穴にＰＩＮダイオードの一部を収容し、該ＰＩＮダ イオード収容穴の両側で該ＰＩＮダイオードの各端子を各マイクロストリップ線 路に接続しているので、ＰＩＮダイオードの各端子を基板の方向に曲げることな く、最短長さで各マイクロストリップ線路に接続することができる。従って、本 考案によれば、ＰＩＮダイオードの各端子の長さの増大によるインダクタンス分 の増加を回避でき、電気特性の劣化を防止することができる。また、ＰＩＮダイ オードの各端子を最短長さで各マイクロストリップ線路に接続できるので、該Ｐ ＩＮダイオードの放熱性がよくなり、該ＰＩＮダイオードの発熱を抑制すること ができる。 As described above, in the mounting portion of the PIN diode to the microstrip substrate according to the present invention, the PIN diode accommodation hole is provided in the microstrip substrate, and the PIN diode accommodation hole accommodates a part of the PIN diode. Since each terminal of the PIN diode is connected to each microstrip line on both sides of the diode accommodating hole, each pin of the PIN diode can be connected to each microstrip line with the shortest length without bending each terminal of the PIN diode toward the board. Can be connected. Therefore, according to the present invention, it is possible to avoid the increase of the inductance component due to the increase of the length of each terminal of the PIN diode, and prevent the deterioration of the electric characteristics. Further, since each terminal of the PIN diode can be connected to each microstrip line with the shortest length, the heat dissipation of the PIN diode is improved and the heat generation of the PIN diode can be suppressed.
【図１】本考案に係るマイクロストリップ基板に対する
ＰＩＮダイオードの取付け部の第１実施例を示す平面図
である。FIG. 1 is a plan view showing a first embodiment of a mounting portion of a PIN diode on a microstrip substrate according to the present invention.
【図２】図１の縦断面図である。FIG. 2 is a vertical sectional view of FIG.
【図３】本実施例のマイクロストリップ基板に対するＰ
ＩＮダイオードの取付け部におけるＰＩＮダイオードを
用いた高周波スイッチと、従来のマイクロストリップ基
板に対するＰＩＮダイオードの取付け部におけるＰＩＮ
ダイオードを用いた高周波スイッチとの挿入損失特性の
比較図である。FIG. 3 shows P for the microstrip substrate of this embodiment.
A high frequency switch using a PIN diode in the mounting portion of the IN diode, and a PIN in the mounting portion of the PIN diode on the conventional microstrip substrate
It is a comparison diagram of the insertion loss characteristic with the high frequency switch using a diode.
【図４】本実施例のマイクロストリップ基板に対するＰ
ＩＮダイオードの取付け部におけるＰＩＮダイオードを
用いた高周波スイッチと、従来のマイクロストリップ基
板に対するＰＩＮダイオードの取付け部におけるＰＩＮ
ダイオードを用いた高周波スイッチとの反射減衰量特性
の比較図である。FIG. 4 shows P for the microstrip substrate of this embodiment.
A high frequency switch using a PIN diode in the mounting portion of the IN diode, and a PIN in the mounting portion of the PIN diode on the conventional microstrip substrate
It is a comparison diagram of the return loss characteristic with a high-frequency switch using a diode.
【図５】本実施例のマイクロストリップ基板に対するＰ
ＩＮダイオードの取付け部におけるＰＩＮダイオードを
用いた高周波スイッチと、従来のマイクロストリップ基
板に対するＰＩＮダイオードの取付け部におけるＰＩＮ
ダイオードを用いた高周波スイッチとのアイソレーショ
ン特性の比較図である。FIG. 5 shows P for the microstrip substrate of this embodiment.
A high frequency switch using a PIN diode in the mounting portion of the IN diode, and a PIN in the mounting portion of the PIN diode on the conventional microstrip substrate
It is a comparison diagram of the isolation characteristic with the high frequency switch using a diode.
【図６】複数のＰＩＮダイオードを用いた単極双投スイ
ッチ回路の回路図である。FIG. 6 is a circuit diagram of a single-pole double-throw switch circuit using a plurality of PIN diodes.
【図７】本考案に係るマイクロストリップ基板に対する
ＰＩＮダイオードの取付け部の第２実施例を示す平面図
である。FIG. 7 is a plan view showing a second embodiment of a mounting portion of a PIN diode on a microstrip substrate according to the present invention.
【図８】本考案に係るマイクロストリップ基板に対する
ＰＩＮダイオードの取付け部の第３実施例を示す平面図
である。FIG. 8 is a plan view showing a third embodiment of a mounting portion of a PIN diode on a microstrip substrate according to the present invention.
【図９】従来のマイクロストリップ基板に対するＰＩＮ
ダイオードの取付け部を示す平面図である。FIG. 9: PIN for conventional microstrip substrate
It is a top view which shows the mounting part of a diode.
１ マイクロストリップ基板 ２ 誘電体基板 ３ａ，３ｂ マイクロストリップ線路 ４ グランド層 ５ ＰＩＮダイオード ５ａ，５ｂ 端子 ６ ＰＩＮダイオード収容穴 ９ 放熱板 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Microstrip substrate 2 Dielectric substrate 3a, 3b Microstrip line 4 Ground layer 5 PIN diode 5a, 5b terminal 6 PIN diode accommodation hole 9 Heat sink
Claims (1)
リップ線路間にＰＩＮダイオードの端子が接続されてい
るマイクロストリップ基板に対するＰＩＮダイオードの
取付け部において、 前記マイクロストリップ基板の前記ＰＩＮダイオードの
取付け箇所にＰＩＮダイオード収容穴が設けられ、該Ｐ
ＩＮダイオード収容穴に前記ＰＩＮダイオードが収容さ
れ、該ＰＩＮダイオード収容穴の両側で該ＰＩＮダイオ
ードの各端子が前記各マイクロストリップ線路に接続さ
れていることを特徴とするマイクロストリップ基板に対
するＰＩＮダイオードの取付け部。1. A PIN diode mounting portion to a microstrip substrate in which terminals of the PIN diode are connected between microstrip lines of the microstrip substrate. Is provided, and the P
Attachment of the PIN diode to a microstrip substrate, characterized in that the PIN diode is accommodated in an IN diode accommodation hole, and each terminal of the PIN diode is connected to each of the microstrip lines on both sides of the PIN diode accommodation hole. Department.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2362093U JPH0685501U (en) | 1993-05-07 | 1993-05-07 | PIN diode mounting part on microstrip substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2362093U JPH0685501U (en) | 1993-05-07 | 1993-05-07 | PIN diode mounting part on microstrip substrate |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0685501U true JPH0685501U (en) | 1994-12-06 |
Family
ID=12115651
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2362093U Withdrawn JPH0685501U (en) | 1993-05-07 | 1993-05-07 | PIN diode mounting part on microstrip substrate |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0685501U (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012151694A (en) * | 2011-01-19 | 2012-08-09 | Fujitsu Ltd | Electronic circuit and transmission/reception system |
-
1993
- 1993-05-07 JP JP2362093U patent/JPH0685501U/en not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012151694A (en) * | 2011-01-19 | 2012-08-09 | Fujitsu Ltd | Electronic circuit and transmission/reception system |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19971106 |