JPH0685077A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

半導体装置及びその製造方法

Info

Publication number
JPH0685077A
JPH0685077A JP23221692A JP23221692A JPH0685077A JP H0685077 A JPH0685077 A JP H0685077A JP 23221692 A JP23221692 A JP 23221692A JP 23221692 A JP23221692 A JP 23221692A JP H0685077 A JPH0685077 A JP H0685077A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
aluminum
transition metal
wiring
alloy layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP23221692A
Other languages
English (en)
Inventor
Ikuo Miyamoto
郁生 宮本
Original Assignee
Kawasaki Steel Corp
川崎製鉄株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kawasaki Steel Corp, 川崎製鉄株式会社 filed Critical Kawasaki Steel Corp
Priority to JP23221692A priority Critical patent/JPH0685077A/ja
Publication of JPH0685077A publication Critical patent/JPH0685077A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】 【目的】コンタクト孔における段差被覆性の改善、低抵
抗化を達成すると共に、エレクトロマイグレーション耐
性を向上した半導体装置及びその製造方法を提供する。 【構成】アルミニウム層3及び第IV族遷移金属とアルミ
ニウムとの合金層12からなる二層構造を有する下層配
線5を、コンタクト孔11を介して、第IV族遷移金属と
アルミニウムとの合金層13及びアルミニウム層9から
なる二層構造を有する上層配線10に接続し、且つ、コ
ンタクト孔11内に、下層配線側から順に第IV族遷移金
属とアルミニウムとの合金層12、アルミニウム層7、
及び第IV族遷移金属とアルミニウムとの合金層13を埋
め込んだ。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置及びその製
造方法に係り、特に、微細なコンタクト孔における段差
被覆性を改善し、配線の信頼性を向上した半導体装置及
びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、半導体装置の配線を構成する配線
材料としては、電気的特性や加工の容易さ等から、一般
的にアルミニウムが使用されている。このアルミニウム
は、通常、スパッタ等のPVD(Physical Vapor Depos
ition )法により成膜されているが、素子構造の微細化
が進むにつれてPVD法では充分な段差被覆性が得られ
なくなってきている。
【0003】そこで、近年では、前記PVD法に代わる
成膜方法として、段差被覆性の良い気相成長(CVD;
Chemical Vapor Deposition :以下、『CVD』とい
う)法が、コンタクト孔の埋め込み技術として使用され
ている。この例としては、例えば、タングステンを用い
たCVD法により、コンタクト孔内をタングステンで埋
め込む技術等が知られている。このタングステンは、膜
厚によっては、電気抵抗がアルミニウムの3倍以上にな
り、配線全体に使用することが困難である。従って、タ
ングステンは、コンタクト孔の埋め込みにのみ使用さ
れ、当該コンタクト孔を介して接続される上層配線及び
下層配線は、アルミニウム層又はアルミニウム合金層等
で形成されている。このため、タングステンとアルミニ
ウムとの接合部分では、タングステン−アルミニウム間
の熱的不安定性に帰因する電気抵抗の変動、配線信頼性
の低下、接触電位の発生等の問題があった。
【0004】そこで、このような問題を解決するため
に、コンタクト孔の埋め込みに用いる金属として、下層
配線及び上層配線と同じアルミニウムを使用する技術が
検討されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来例のように、下層配線及び上層配線と同じアルミニウ
ムを用いてコンタクト孔の埋め込みを行う場合、アルミ
ニウム層(例えば、下層配線)の上に、アルミニウム
(例えば、埋め込み金属)を成膜するが、アルミニウム
層上にアルミニウムを成膜することは非常に困難であ
る。即ち、アルミニウム層の表面に僅かでも酸化膜層が
形成されている場合には、成膜が行えないという問題が
あった。このため、前記酸化膜層RFプラズマクリーニ
ングで除去した後、同一真空中でアルミニウムを成膜す
る方法が紹介されているが、成膜制御が困難であり、実
用的でないという問題があった。
【0006】本発明は、このような問題を解決すること
を課題とするものであり、コンタクト孔における段差被
覆性の改善、低抵抗化を達成すると共に、エレクトロマ
イグレーション耐性を向上した半導体装置及びその製造
方法を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明は、下層配線上に形成された層間絶縁膜にコ
ンタクト孔を有し、当該コンタクト孔を介して前記下層
配線と接続する上層配線を有する半導体装置において、
前記下層配線は、アルミニウム層又はアルミニウム合金
層上に、第IV族遷移金属とアルミニウムとの合金層を形
成した二層構造からなり、前記コンタクト孔内は、下層
配線側から順に第IV族遷移金属とアルミニウムとの合金
層、アルミニウム層、及び第IV族遷移金属とアルミニウ
ムとの合金層、の三層が埋め込まれ、前記上層配線は、
第IV族遷移金属とアルミニウムとの合金層上に、アルミ
ニウム層又はアルミニウム合金層を形成した二層構造か
らなることを特徴とする半導体装置を提供するものであ
る。
【0008】また、下層配線上に形成された層間絶縁膜
にコンタクト孔を有し、当該コンタクト孔を介して前記
下層配線と接続する上層配線を有する半導体装置におい
て、前記下層配線は、アルミニウム層又はアルミニウム
合金層上に、第IV族遷移金属とアルミニウムとの合金層
を形成した二層構造からなり、前記コンタクト孔内は、
第IV族遷移金属とアルミニウムとの合金層が埋め込ま
れ、前記上層配線は、第IV族遷移金属とアルミニウムと
の合金層上に、アルミニウム層又はアルミニウム合金層
を形成した二層構造からなることを特徴とする半導体装
置を提供するものである。
【0009】さらに、下地上に、アルミニウム層又はア
ルミニウム合金層を形成する第1工程と、前記アルミニ
ウム層又はアルミニウム合金層上に、第IV族遷移金属層
を形成する第2工程と、前記第IV族遷移金属層上に層間
絶縁膜を形成し、当該層間絶縁膜にコンタクト孔を開口
する第3工程と、気相成長法により前記コンタクト孔内
に、アルミニウム層又はアルミニウム合金層を埋め込む
第4工程と、前記埋め込み後の層間絶縁膜上及び埋め込
まれたアルミニウム層又はアルミニウム合金層上に、第
IV族遷移金属層を形成する第5工程と、前記第IV族遷移
金属層上に、アルミニウム層又はアルミニウム合金層を
形成する第6工程と、前記アルミニウム層又はアルミニ
ウム合金層を形成した後、熱処理を行う第7工程と、を
含むことを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する
ものである。
【0010】そしてまた、前記気相成長法は、反応槽内
に、アルミニウムを形成するための原料ガスと、前記第
IV族遷移金属のハロゲン化合物と、を導入して行うこと
を特徴とする半導体装置の製造方法を提供するものであ
る。
【0011】
【作用】請求項1記載の発明によれば、下層配線は、ア
ルミニウム層又はアルミニウム合金層上に、第IV族遷移
金属とアルミニウムとの合金層を形成した二層構造から
なり、上層配線は、第IV族遷移金属とアルミニウムとの
合金層上に、アルミニウム層又はアルミニウム合金層を
形成した二層構造からなり、前記下層配線と上層配線と
を接続するコンタクト孔内は、下層配線側から順に第IV
族遷移金属とアルミニウムとの合金層、アルミニウム
層、第IV族遷移金属とアルミニウムとの合金層、の三層
が埋め込まれてなることで、エレクトロマイグレーショ
ン耐性を向上することができる。従って、局所的に配線
の断線や抵抗の増加が発生することを抑制することがで
きる。
【0012】また、請求項2記載の発明によれば、下層
配線は、アルミニウム層又はアルミニウム合金層上に、
第IV族遷移金属とアルミニウムとの合金層を形成した二
層構造からなり、上層配線は、第IV族遷移金属とアルミ
ニウムとの合金層上に、アルミニウム層又はアルミニウ
ム合金層を形成した二層構造からなり、前記下層配線と
上層配線とを接続するコンタクト孔内は、第IV族遷移金
属とアルミニウムとの合金層が埋め込まれてなること
で、エレクトロマイグレーション耐性を向上することが
できる。従って、局所的に配線の断線や抵抗の増加が発
生することを抑制することができる。
【0013】さらに、請求項3記載の発明によれば、前
記第IV族遷移金属層上に形成した層間絶縁膜にコンタク
ト孔を開口し、CVD法により前記コンタクト孔内に、
アルミニウム層又はアルミニウム合金層を埋め込むた
め、当該アルミニウム又はアルミニウム合金は、前記第
IV族遷移金属層上に堆積する。従って、CVD法により
前記コンタクト孔内を前記アルミニウム層又はアルミニ
ウム合金層で簡単に埋め込むことができ、当該コンタク
ト孔部分における段差被覆性を充分に確保することがで
きる。また、前記コンタクト孔埋め込み後の層間絶縁膜
上及び前記アルミニウム層又はアルミニウム合金層上
に、第IV族遷移金属層を形成し、この上に、アルミニウ
ム層又はアルミニウム合金層を形成した後、熱処理する
ことで、第IV族遷移金属がアルミニウム層又はアルミニ
ウム合金層内に拡散するため、エレクトロマイグレーシ
ョン耐性を向上することができる。
【0014】またさらに、請求項4記載の発明によれ
ば、前記コンタクト孔の埋め込み工程で行うCVD法
を、反応槽内に、アルミニウムを形成するための原料ガ
スと、前記第IV族遷移金属のハロゲン化合物とを導入し
て行うことで、前記作用に加え、前記コンタクト孔内
に、アルミニウム層又はアルミニウム合金層をより効率
良く堆積することができると共に、良好な膜質特性を得
ることができる。ここで、例えば、前記第IV族遷移金属
として、チタン(Ti)を使用した場合、このCVD法
では、以下のような反応経路が起こる。
【0015】 (CH3)2 HAl+TiCl4 →(CH3)2 Al- +TiCl3 + +HCl TiCl3 + →TiCl3 (ad.Ti) TiCl3 (ad)+(CH3)2 Al→TiAlCl3(CH3)2 TiAlCl3(CH3)2 →TiAl+3Cl- +2CH3 + この反応により、Ti上に、Alの核が強制的に形成
し、Alの選択成長が開始する。なお、他の第IV族遷移
金属を使用した場合も同じ原理となる。
【0016】
【実施例】次に、本発明の一実施例について、図面を参
照して説明する。図1ないし図5は、本発明の実施例に
係る半導体装置の製造工程の一部を示す部分断面図であ
る。図1に示す工程では、半導体基板上に、酸化膜2を
形成し、この酸化膜2に選択的にコンタクト孔(図示せ
ず)を開口し、このコンタクト孔を所望の金属で埋め込
んだ後、スパッタ法を行い、前記酸化膜2上に膜厚が6
000Å程度のアルミニウム層3を形成する。次いで、
連続的に、前記アルミニウム層3上に、膜厚が500Å
程度の第IV族遷移金属層4を形成する。この第IV族遷移
金属層4が、後の工程で行うCVD法によるアルミニウ
ムの成長層となると共に、フォト工程における反射防止
膜の役割を果たす。次に、前記アルミニウム層3と第IV
族遷移金属層4をパターニングして、酸化膜2上に、ア
ルミニウム層3及び第IV族遷移金属層4からなる下層配
線5を形成した。尚、本実施例では、第IV族遷移金属と
してチタンを使用した。
【0017】次に、図2に示す工程では、図1に示す工
程で得た下層配線5上に、層間絶縁膜6を形成する。次
いで、当該層間絶縁膜6に、選択的にコンタクト孔11
を開口する。次いで、図3に示す工程では、図2に示す
工程で得た半導体基板1を、室内温度が250〜350
℃のCVD装置に挿入し、当該CDV装置内にソースガ
スとして、DMAH(Dimethyl−Aluminum−Hydride ;
(CH3)2 HAl)、H2 、TiCl4 を導入し、前記
コンタクト孔11内に、膜厚が200Å程度のアルミニ
ウムを堆積する。この時の各ソースガスの分圧は、 DMAH:H2 :TiCl4 =5:100:1 とした。次に、連続して、前記CDV装置内にソースガ
スとして、DMAH及びH2 を挿入し、前記コンタクト
孔11が充分に充填されるまでアルミニウムを堆積し、
コンタクト孔11内をアルミニウム層7で埋め込む。
【0018】次に、図4に示す工程では、図3に示す工
程で得た半導体基板1にスパッタ法を行い、層間絶縁膜
6上及びアルミニウム層7上に、膜厚が500Å程度の
第IV族遷移金属層8を形成する。尚、本実施例では、第
IV族遷移金属としてチタンを使用した。次いで、前記第
IV族遷移金属層8上に、膜厚が8000Å程度のアルミ
ニウム層9を形成する。このようにして、第IV族遷移金
属層8及びアルミニウム層9からなる上層配線10を形
成した。
【0019】次いで、図5に示す工程では、図4に示す
工程で得た半導体基板1を熱処理炉に挿入して、400
℃で60分間の熱処理を行う。この時、前記熱処理は、
3%のH2 を混入したN2 雰囲気で行った。この熱処理
工程により、第IV族遷移金属層4を構成するチタンがア
ルミニウム層3及び7に、第IV族遷移金属層8を構成す
るチタンがアルミニウム層7及び9に拡散し、アルミニ
ウムとチタンとの化合物が形成される。
【0020】このようにして、アルミニウム層3及び第
IV族遷移金属とアルミニウムとの合金層12からなる下
層配線5、第IV族遷移金属とアルミニウムとの合金層1
3及びアルミニウム層9からなる上層配線10を形成
し、コンタクト孔11内には、下層配線5側から順に第
IV族遷移金属とアルミニウムとの合金層12、アルミニ
ウム層7、第IV族遷移金属とアルミニウムとの合金層1
3を埋め込んだ。
【0021】その後、図1以降の工程を繰り返し、多層
配線構造を形成するなど、所望の工程を行い、半導体装
置を完成する。このようにして製造した半導体装置は、
タングステンを埋め込み金属として用いた従来の半導体
装置に比べ、コンタクト抵抗が小さく、配線信頼性が数
倍程度向上していた。また、コンタクト孔11内へのア
ルミニウム堆積も容易に行うことができた。
【0022】なお、本実施例では、図1及び図4に示す
工程で、第IV族遷移金属としてチタンを使用したが、こ
れに限らず、ジルコニウムやハフニウムなど、他の第IV
族遷移金属を使用できることは勿論である。そして、本
実施例では、第IV族遷移金属層4及び8の膜厚を500
Å程度としたが、これに限らず、ストレスマイグレーシ
ョンへの効果を考慮して、膜厚を1000Å程度にする
など、第IV族遷移金属層4及び8の膜厚は、所望により
決定してよい。
【0023】さらに、図1及び図4に示す工程で、アル
ミミウム層3及び9を形成したが、これに限らず、アル
ミニウム合金層を形成してもよい。また、図3に示す工
程では、ソースガスとして、DMAH、H2 、TiCl
4を導入し、アルミニウムを200Å程度堆積したが、
これに限らず、前記ソースガスは、アルミニウムが50
0Å程度堆積するまで導入してもよい。また、この時の
各ソースガスの分圧は、DMAH:H2 :TiCl4
5:100:1〜10:100:1とすることが好適で
ある。さらに、前記TiCl4 に代えて、フッ化物等の
ハロゲン化合物を用いてもよく、ジルコニウムやハフニ
ウムなどの第IV族遷移金属塩化物や他のハロゲン化合物
を用いてもよい。
【0024】さらに、本実施例では、コンタクト孔11
内に、下層配線5側から順に、第IV族遷移金属とアルミ
ニウムとの合金層12、アルミニウム層7、第IV族遷移
金属とアルミニウムとの合金層13を埋め込んだ構造の
半導体装置を製造したが、コンタクト孔11内に、第IV
族遷移金属とアルミニウムとの合金層のみを埋め込んだ
構造の半導体装置を形成しても、同様の効果を得ること
ができる。
【0025】
【発明の効果】以上説明したように請求項1記載の半導
体装置は、下層配線がアルミニウム層又はアルミニウム
合金層上に、第IV族遷移金属とアルミニウムとの合金層
を形成した二層構造を有し、上層配線が、第IV族遷移金
属とアルミニウムとの合金層上に、アルミニウム層又は
アルミニウム合金層を形成した二層構造を有し、且つ、
前記下層配線と上層配線とを接続するコンタクト孔内
は、下層配線側から順に第IV族遷移金属とアルミニウム
との合金層、アルミニウム層、第IV族遷移金属とアルミ
ニウムとの合金層、の三層が埋め込まれた構造を有して
いるため、エレクトロマイグレーション耐性を向上する
ことができる。この結果、局所的に配線の断線や抵抗の
増加が発生することを抑制することができ、半導体装置
の信頼性を向上することができる。
【0026】また、請求項2記載の半導体装置は、下層
配線がアルミニウム層又はアルミニウム合金層上に、第
IV族遷移金属とアルミニウムとの合金層を形成した二層
構造を有し、上層配線が第IV族遷移金属とアルミニウム
との合金層上に、アルミニウム層又はアルミニウム合金
層を形成した二層構造を有し、且つ、前記下層配線と上
層配線とを接続するコンタクト孔内は、第IV族遷移金属
とアルミニウムとの合金層が埋め込まれた構造を有して
いるため、エレクトロマイグレーション耐性を向上する
ことができる。この結果、局所的に配線の断線や抵抗の
増加が発生することを抑制することができ、半導体装置
の信頼性を向上することができる。
【0027】さらに、請求項3記載の発明によれば、コ
ンタクト開口部には、第IV族遷移金属層が露出している
ため、CVD法によりコンタクト孔内を前記アルミニウ
ム層又はアルミニウム合金層で簡単に埋め込むことがで
きる。従って、コンタクト孔部分における段差被覆性を
充分に確保することができる。また、コンタクト孔埋め
込み後、第IV族遷移金属層を形成し、この上に、アルミ
ニウム層又はアルミニウム合金層を形成した後、熱処理
することで、第IV族遷移金属がアルミニウム層又はアル
ミニウム合金層内に拡散することができる。従って、エ
レクトロマイグレーション耐性を向上することができ
る。この結果、局所的に配線の断線や抵抗の増加が発生
することを抑制することができ、半導体装置の信頼性を
向上することができる。
【0028】またさらに、請求項4記載の発明によれ
ば、前記コンタクト孔の埋め込み工程で行うCVD法
を、反応槽内に、アルミニウムを形成するための原料ガ
スと、前記第IV族遷移金属のハロゲン化合物とを導入し
て行うことで、前記効果に加え、前記コンタクト孔内
に、アルミニウム層又はアルミニウム合金層をより効率
良く堆積することができると共に、良好な膜質特性を得
ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例にかかる半導体装置の製造工
程の一部を示す部分断面図である。
【図2】本発明の一実施例にかかる半導体装置の製造工
程の一部を示す部分断面図である。
【図3】本発明の一実施例にかかる半導体装置の製造工
程の一部を示す部分断面図である。
【図4】本発明の一実施例にかかる半導体装置の製造工
程の一部を示す部分断面図である。
【図5】本発明の一実施例にかかる半導体装置の製造工
程の一部を示す部分断面図である。
【符号の説明】
1 半導体基板 2 酸化膜 3 アルミニウム層 4 第IV族遷移金属層 5 下層配線 6 層間絶縁膜 7 アルミニウム層 8 第IV族遷移金属層 9 アルミニウム層 10 上層配線 11 コンタクト孔 12 第IV族遷移金属とアルミニウムとの合金層 13 第IV族遷移金属とアルミニウムとの合金層

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 下層配線上に形成された層間絶縁膜にコ
    ンタクト孔を有し、当該コンタクト孔を介して前記下層
    配線と接続する上層配線を有する半導体装置において、 前記下層配線は、アルミニウム層又はアルミニウム合金
    層上に、第IV族遷移金属とアルミニウムとの合金層を形
    成した二層構造からなり、前記コンタクト孔内は、下層
    配線側から順に第IV族遷移金属とアルミニウムとの合金
    層、アルミニウム層、及び第IV族遷移金属とアルミニウ
    ムとの合金層、の三層が埋め込まれ、前記上層配線は、
    第IV族遷移金属とアルミニウムとの合金層上に、アルミ
    ニウム層又はアルミニウム合金層を形成した二層構造か
    らなることを特徴とする半導体装置。
  2. 【請求項2】 下層配線上に形成された層間絶縁膜にコ
    ンタクト孔を有し、当該コンタクト孔を介して前記下層
    配線と接続する上層配線を有する半導体装置において、 前記下層配線は、アルミニウム層又はアルミニウム合金
    層上に、第IV族遷移金属とアルミニウムとの合金層を形
    成した二層構造からなり、前記コンタクト孔内は、第IV
    族遷移金属とアルミニウムとの合金層が埋め込まれ、前
    記上層配線は、第IV族遷移金属とアルミニウムとの合金
    層上に、アルミニウム層又はアルミニウム合金層を形成
    した二層構造からなることを特徴とする半導体装置。
  3. 【請求項3】 下地上に、アルミニウム層又はアルミニ
    ウム合金層を形成する第1工程と、前記アルミニウム層
    又はアルミニウム合金層上に、第IV族遷移金属層を形成
    する第2工程と、前記第IV族遷移金属層上に層間絶縁膜
    を形成し、当該層間絶縁膜にコンタクト孔を開口する第
    3工程と、気相成長法により前記コンタクト孔内に、ア
    ルミニウム層又はアルミニウム合金層を埋め込む第4工
    程と、前記埋め込み後の層間絶縁膜上及び埋め込まれた
    アルミニウム層又はアルミニウム合金層上に、第IV族遷
    移金属層を形成する第5工程と、前記第IV族遷移金属層
    上に、アルミニウム層又はアルミニウム合金層を形成す
    る第6工程と、前記アルミニウム層又はアルミニウム合
    金層を形成した後、熱処理を行う第7工程と、を含むこ
    とを特徴とする半導体装置の製造方法。
  4. 【請求項4】 前記気相成長法は、反応槽内に、アルミ
    ニウムを形成するための原料ガスと、前記第IV族遷移金
    属のハロゲン化合物と、を導入して行うことを特徴とす
    る請求項3記載の半導体装置の製造方法。
JP23221692A 1992-08-31 1992-08-31 半導体装置及びその製造方法 Pending JPH0685077A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP23221692A JPH0685077A (ja) 1992-08-31 1992-08-31 半導体装置及びその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP23221692A JPH0685077A (ja) 1992-08-31 1992-08-31 半導体装置及びその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0685077A true JPH0685077A (ja) 1994-03-25

Family

ID=16935805

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP23221692A Pending JPH0685077A (ja) 1992-08-31 1992-08-31 半導体装置及びその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0685077A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4860842A (en) * 1987-10-09 1989-08-29 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Steering system in wheeled vehicle

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4860842A (en) * 1987-10-09 1989-08-29 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Steering system in wheeled vehicle

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2002075994A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP3027946B2 (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP3564884B2 (ja) タングステン膜形成法
JP2616402B2 (ja) 半導体装置の製造方法
US20040072417A1 (en) Method of manufacturing a semiconductor element
JPH0685077A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP3099406B2 (ja) 集積回路の多層配線構造
JPH0982798A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JPH0536627A (ja) 配線形成方法
JP2830540B2 (ja) 多層配線の製造方法
JPH06283606A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP3109269B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPH06349833A (ja) 半導体装置におけるアルミニウム系配線
JP2733396B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP3269490B2 (ja) 半導体集積回路装置およびその製造方法
JPH0945770A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JPH1126582A (ja) 金属薄膜の形成方法
JP2002280449A (ja) 半導体装置の製造方法
JP3119198B2 (ja) 半導体装置の製造方法
EP0543254B1 (en) A method of forming high-stability metallic contacts in an integrated circuit with one or more metallized layers
JPH05315334A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH08203899A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH07321108A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JPH06224150A (ja) 多層配線構造の形成方法
JP2943029B2 (ja) 多層配線を形成する半導体装置の製造方法