JPH0681131A - 導体形成方法 - Google Patents
導体形成方法Info
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- JPH0681131A JPH0681131A JP23336792A JP23336792A JPH0681131A JP H0681131 A JPH0681131 A JP H0681131A JP 23336792 A JP23336792 A JP 23336792A JP 23336792 A JP23336792 A JP 23336792A JP H0681131 A JPH0681131 A JP H0681131A
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- Japan
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- conductor
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- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体装置や薄膜回路製造のために用いる導
体形成方法において、高温プロセスを経た後も付着力の
強い導体形成方法を提供することを目的とする。 【構成】 金属膜を同一真空容器中で少なくとも２つの
以上連結してスパッタリング成膜することにより導体形
成する方法において、第１番目の金属膜の成膜時に途中
から固体状の低原子量の非金属物質を同時にスパッタリ
ングすることにより、高温プロセスにおける第１層目の
金属原子が第２層目の金属膜内に拡散することを防止す
ることが可能となる。
体形成方法において、高温プロセスを経た後も付着力の
強い導体形成方法を提供することを目的とする。 【構成】 金属膜を同一真空容器中で少なくとも２つの
以上連結してスパッタリング成膜することにより導体形
成する方法において、第１番目の金属膜の成膜時に途中
から固体状の低原子量の非金属物質を同時にスパッタリ
ングすることにより、高温プロセスにおける第１層目の
金属原子が第２層目の金属膜内に拡散することを防止す
ることが可能となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置や薄膜回路
製造のために用いる導体形成方法に関するものである。
製造のために用いる導体形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年導体形成方法の発展には著しいもの
がある。従来の技術としては、１層目に付着力の強い金
属膜を成膜した後、本来の導体としての役割を果たす２
層目を成膜するという方法であった。以下図面を参照し
ながら、上述した導体形成方法についてＣｒ膜，Ａｕ膜
を用いる場合について説明する。
がある。従来の技術としては、１層目に付着力の強い金
属膜を成膜した後、本来の導体としての役割を果たす２
層目を成膜するという方法であった。以下図面を参照し
ながら、上述した導体形成方法についてＣｒ膜，Ａｕ膜
を用いる場合について説明する。
【０００３】図３は従来のスパッタリング装置の構成断
面図を示すものである。真空槽１９の中には、基板２０
と基板取付治具２１、そして陽極２２とその基板２０を
加熱するためのヒーター２３と、その陽極２２に対向し
てＣｒターゲット２４およびＡｕターゲット２５があ
り、それぞれのターゲットには陰極２６，２７が付加さ
れている。
面図を示すものである。真空槽１９の中には、基板２０
と基板取付治具２１、そして陽極２２とその基板２０を
加熱するためのヒーター２３と、その陽極２２に対向し
てＣｒターゲット２４およびＡｕターゲット２５があ
り、それぞれのターゲットには陰極２６，２７が付加さ
れている。
【０００４】さらにＡｒガス導入口２８およびガス排出
口２９がある。また真空槽の外には各ターゲットに対し
て電力印加を切り換えるための切換えスイッチをもつ電
力印加装置３０を有する。９９．５％アルミナ基板２０
はヒーター２３により３００℃に加熱されており、Ａｒ
ガスを導入し陽極２２とＣｒターゲット２４の下の陰極
２６間で電力印加を行うことにより基板２０上にＣｒ薄
膜が形成される。続いて、スイッチ３０をＡｕターゲッ
トに切換えて、陽極２２とＡｕターゲット２５の下の陰
極２７間で電力印加を行うことにより、Ｃｒ膜上にＡｕ
膜が成膜される。
口２９がある。また真空槽の外には各ターゲットに対し
て電力印加を切り換えるための切換えスイッチをもつ電
力印加装置３０を有する。９９．５％アルミナ基板２０
はヒーター２３により３００℃に加熱されており、Ａｒ
ガスを導入し陽極２２とＣｒターゲット２４の下の陰極
２６間で電力印加を行うことにより基板２０上にＣｒ薄
膜が形成される。続いて、スイッチ３０をＡｕターゲッ
トに切換えて、陽極２２とＡｕターゲット２５の下の陰
極２７間で電力印加を行うことにより、Ｃｒ膜上にＡｕ
膜が成膜される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
方法による導体の場合、後工程で高温プロセスを経る
と、図４に示すように、金属膜界面付近から１層目のＣ
ｒ原子が２層目のＡｕ膜に拡散していくため、付着力が
低下し、膜ハガレが生じるという問題を有していた。
方法による導体の場合、後工程で高温プロセスを経る
と、図４に示すように、金属膜界面付近から１層目のＣ
ｒ原子が２層目のＡｕ膜に拡散していくため、付着力が
低下し、膜ハガレが生じるという問題を有していた。
【０００６】また、一般にこのような問題を解決する方
法としてＰｔ，Ｐｄ膜をＣｒ膜とＡｕ膜の間にはさむ方
法が知られているが、Ｐｔ，Ｐｄともに貴金属であり、
プロセスコストが増大するという問題を有していた。
法としてＰｔ，Ｐｄ膜をＣｒ膜とＡｕ膜の間にはさむ方
法が知られているが、Ｐｔ，Ｐｄともに貴金属であり、
プロセスコストが増大するという問題を有していた。
【０００７】本発明は上記課題に鑑み、高温プロセスに
対しても付着力の強い、また低コストな導体形成方法を
提供するものである。
対しても付着力の強い、また低コストな導体形成方法を
提供するものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の導体形成方法は、第１層目の金属膜の成膜
時に途中から炭素あるいはケイ素を同時にスパッタリン
グすることを特徴とする。
に、本発明の導体形成方法は、第１層目の金属膜の成膜
時に途中から炭素あるいはケイ素を同時にスパッタリン
グすることを特徴とする。
【０００９】
【作用】本発明は上記した構成によって、１層目の金属
原子が２層目の膜に対して拡散できなくなるため、高温
プロセスを経ても付着力の強い導体形成が可能となる。
原子が２層目の膜に対して拡散できなくなるため、高温
プロセスを経ても付着力の強い導体形成が可能となる。
【００１０】
【実施例】以下本発明の一実施例の導体形成方法につい
て、図面を参照しながら説明する。図１は、本発明の実
施例におけるスパッタリング装置の断面図を示すもので
ある。真空槽１の中には基板２と基板取付治具３と、陽
極４と、その基板２を加熱するためのヒーター５と、そ
の陽極に対向してターゲットＡ６およびターゲットＢ７
があり、それぞれのターゲットには陰極８，９が付加さ
れている。ターゲットＢ７の上にはペレット状の固形物
１０が置かれている。さらに、ターゲットをおおうよう
にシャッタ１１がある。そして、Ａｒガス導入口１２お
よびガス排出口１３がある。また真空槽の外には各ター
ゲットに対して電力印加の切り換えを行うための切換ス
イッチ付き電力印加装置１４を有する。
て、図面を参照しながら説明する。図１は、本発明の実
施例におけるスパッタリング装置の断面図を示すもので
ある。真空槽１の中には基板２と基板取付治具３と、陽
極４と、その基板２を加熱するためのヒーター５と、そ
の陽極に対向してターゲットＡ６およびターゲットＢ７
があり、それぞれのターゲットには陰極８，９が付加さ
れている。ターゲットＢ７の上にはペレット状の固形物
１０が置かれている。さらに、ターゲットをおおうよう
にシャッタ１１がある。そして、Ａｒガス導入口１２お
よびガス排出口１３がある。また真空槽の外には各ター
ゲットに対して電力印加の切り換えを行うための切換ス
イッチ付き電力印加装置１４を有する。
【００１１】以上のように構成されたスパッタリング装
置について、基板としてアルミナ基板、ターゲット金属
としてＣｒおよびＡｕ、ペレット状固形物として炭素
（グラファイト）を用いた場合について説明する。
置について、基板としてアルミナ基板、ターゲット金属
としてＣｒおよびＡｕ、ペレット状固形物として炭素
（グラファイト）を用いた場合について説明する。
【００１２】９９．５％アルミナ基板はヒーター５によ
り３００℃に加熱されており、Ａｒガスを１０ＳＣＣＭ
導入し陽極４とＣｒターゲット７の下の陰極８間で１kw
の電力印加を行う。その際、まずＣｒターゲット７のみ
プラズマにさらされるようにシャッタ１１を開ける。成
膜終了１０秒前にシャッタ１１を全て開け、炭素粉の置
かれたＣｒターゲットもプラズマにさらす。以上の操作
により基板上に表面上のみＣの不純物を含んだＣｒ膜が
形成される。次にスイッチを切換えて、陽極４とＡｕタ
ーゲットの下の陰極９間で１kwの電力印加を行うことに
より、Ｃｒ膜上にＡｕ膜が成膜される。
り３００℃に加熱されており、Ａｒガスを１０ＳＣＣＭ
導入し陽極４とＣｒターゲット７の下の陰極８間で１kw
の電力印加を行う。その際、まずＣｒターゲット７のみ
プラズマにさらされるようにシャッタ１１を開ける。成
膜終了１０秒前にシャッタ１１を全て開け、炭素粉の置
かれたＣｒターゲットもプラズマにさらす。以上の操作
により基板上に表面上のみＣの不純物を含んだＣｒ膜が
形成される。次にスイッチを切換えて、陽極４とＡｕタ
ーゲットの下の陰極９間で１kwの電力印加を行うことに
より、Ｃｒ膜上にＡｕ膜が成膜される。
【００１３】このようにして形成されたＡｕ／Ｃｒ導体
膜は図２に示すように、基板１５上のＡｕ膜１６とＣｒ
膜１７との界面にいて微量の炭素を含んだＣｒ膜が存在
するため、高温プロセスを経る場合でも、Ｃｒ原子がＡ
ｕ膜に対して拡散しにくく、付着力の強い導体形成が可
能となる。
膜は図２に示すように、基板１５上のＡｕ膜１６とＣｒ
膜１７との界面にいて微量の炭素を含んだＣｒ膜が存在
するため、高温プロセスを経る場合でも、Ｃｒ原子がＡ
ｕ膜に対して拡散しにくく、付着力の強い導体形成が可
能となる。
【００１４】このような結果は、炭素の代わりにケイ素
を用いた場合でも確認できた。以上のように本実施例に
よれば、１層目の金属膜の成膜終了直前に不純物を混入
することにより、１層目の金属原子が２層目の金属膜に
対して拡散しにくくなるので、付着力の強い導体形成が
可能となる。
を用いた場合でも確認できた。以上のように本実施例に
よれば、１層目の金属膜の成膜終了直前に不純物を混入
することにより、１層目の金属原子が２層目の金属膜に
対して拡散しにくくなるので、付着力の強い導体形成が
可能となる。
【００１５】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、１層目の
金属膜の成膜終了直前に不純物を混入することにより、
１層目の金属原子が２層目の金属膜に対して拡散しにく
くなるので、付着力の強い導体形成が可能となる。
金属膜の成膜終了直前に不純物を混入することにより、
１層目の金属原子が２層目の金属膜に対して拡散しにく
くなるので、付着力の強い導体形成が可能となる。
【図１】本発明のスパッタリング装置構成断面図
【図２】本発明方法によるＡｕ／Ｃｒ金属界面断面図
【図３】従来のスパッタリング装置構成断面図
【図４】従来のＡｕ／Ｃｒ金属界面断面図
２ 基板 ６ Ａｕターゲット ７ Ｃｒターゲット ８，９ 陰極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 // Ｃ２３Ｃ 14/34 9046−4Ｋ 28/02
Claims (1)
- 【請求項１】 金属膜を同一真空容器中で少なくとも２
つ以上連続してスパッタリング成膜することにより導体
形成する方法において、第１番目の金属膜の成膜時に途
中から固体状の低原子量非金属物質を同時にスパッタリ
ングすることを特徴とする導体形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23336792A JP3221081B2 (ja) | 1992-09-01 | 1992-09-01 | 導体形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23336792A JP3221081B2 (ja) | 1992-09-01 | 1992-09-01 | 導体形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0681131A true JPH0681131A (ja) | 1994-03-22 |
| JP3221081B2 JP3221081B2 (ja) | 2001-10-22 |
Family
ID=16954025
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23336792A Expired - Fee Related JP3221081B2 (ja) | 1992-09-01 | 1992-09-01 | 導体形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3221081B2 (ja) |
-
1992
- 1992-09-01 JP JP23336792A patent/JP3221081B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3221081B2 (ja) | 2001-10-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |