JPH0663893B2 - 接触覚センサ - Google Patents

接触覚センサ

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JPH0663893B2
JPH0663893B2 JP62049996A JP4999687A JPH0663893B2 JP H0663893 B2 JPH0663893 B2 JP H0663893B2 JP 62049996 A JP62049996 A JP 62049996A JP 4999687 A JP4999687 A JP 4999687A JP H0663893 B2 JPH0663893 B2 JP H0663893B2
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pressure receiving
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恒樹 篠倉
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工業技術院長
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【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は例えばロボットのハンドに装着して、把握物か
ら受ける力を検出する接触覚センサに関する。
〔従来の技術〕
近年、産業用ロボットの技術進歩にはめざましいものが
ある。特にロボットのハンドに接触覚センサをとりつけ
てロボットを知能化する傾向が益々強まりつつある。
接触覚センサに要求される性能・条件には次のものがあ
る。
高感度:力を検出する感度が高いこと。一つの素子で
数グラムを検出できることが望ましい。
高分解能:センサの素子は小型で、密度の高いものが
望まれる。
広いダナミック・レンジ:できるだけ動作範囲が広く
とれること。
高信頼性・高耐久性:過酷な環境、長時間の使用に耐
えること。
直線性とヒステリシス:圧力と出力が比例し、ヒステ
リシスがないこと。
応答速度:物を把握した時、その信号が制御部へ早く
伝わること。
柔軟性:人間の手の皮膚のように軟かいことが好まし
い。
すべり感覚:圧力だけでなく、すべりも検出するこ
と。
小型・安価:薄くて小型で安価なこと。
これらのいくつかを満足する接触覚センサがいくつか提
案ないし開発されてきた。たとえば第15図は押ボタン方
式のセンサである。1は金属製押ボタン、2は絶縁板、
3はばねコイル、4、5は電極である。金属製押ボタン
1を押していない時には電極4と5の間にばねコイル3
を通して電気的導通があるが、ハンドが物をつかんた
時、押ボタン1がへこむので、導通がなくなり、物をつ
かんだことを検出する方式である。しかし、この方式は
ONとOFFの状態しか分からず、連続的には力を検出でき
ない欠点がある。
第16図は導電ゴムを利用したもので、6は把握物、7は
電極、8は導電ゴムである。把握物6により力が加わっ
た所の導電率(抵抗)が変化するので、この変化から把
握の状態を知ることができる。しかしこの方式には力と
導電率との間に非直線性やヒステリシスの問題がある。
第17図は円錐状の多数の突起があるシリコンゴム9を透
明なアクリル板10にあてがい、アクリル板の横から光を
照射し、アクリル板の下側に受光素子11をマトリックス
状に配列させた基板12を設置する。13は光源である。今
把握物14がシリコンゴム9を押すと突起がへこみ、アク
リル板10内で均一に反射していた光がこのへこみの部分
で乱反射を起し、受光素子11の感度が変化するので、こ
れから接触覚を知る。しかしこの方式には、構造が複雑
であること、非直線性やヒステリシスが生じること、な
どの欠点がある。
これら3例以外に提案されている接触覚センサはそれぞ
れ一長一短があり、十分満足されていないばかりか、圧
力の方向がいずれも一方向すなわち接触面に垂直な方向
の力のみを感ずるものである、面に平行な力をも検出す
るものは皆無に近いのが現状である。
〔発明が解決しようとする問題点〕
最近3分力を検出できる接触覚センサが開発される傾向
にあるが、先に述べた性能・条件をすべて満足するもの
ではなく、特に薄型で、3分力を測れるものは皆無であ
る。面に垂直な方向だけでなく、面に平行な方向の力を
検出できることは、すべりを高感度に検出する上では必
須の要件であり、今後の技術開発に期待が寄せられてい
る。
本発明は上述した従来の欠点を解消し、薄型構造でしか
も3方向の力を検出する接触覚センサを提供することを
目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕
上記の目的を達成するために、本発明によれば、中央に
凹部を有する受圧板と、中央厚肉部と周辺薄肉部とを有
し、力の受圧部である中央厚肉部が前記受圧板の凹部に
嵌め込まれて受圧板と接合され、周辺薄肉部の反受圧板
側の面に3方向の力に対応して3組の歪ゲージが形成さ
れたセンサセルと、このセンサセルを歪ゲージ形成面側
から支持し、端子を介して前記3組の歪ゲージと電気的
に接続される配線基板と、から接触覚センサを構成す
る。
〔作用〕
本発明によれば、接触覚センサセル内に3分力Fx、Fy、
Fzに対応させて歪ゲージを簡単な構造で配置したので、
小型で薄く、さらに安価な構成で3分力を検出できる。
〔実施例〕
以下、実施例によって本発明を詳細に説明する。
第1図(A)、(B)は本発明による接触覚センサの基本構造
を説明する図であり、同図(A)は上面図、(B)は断面図で
ある。シリコンからなるセンサセル21には接続端子(こ
ぶ状のはんだ)22及びシリコンの歪ゲージ23が形成さ
れ、力は受圧部24で受ける。シリコン歪ゲージ23はセン
サセル21の下面に接続端子22とともに半導体ウエハプロ
セスで形成される。セルの歪ゲージを設ける部分は薄肉
部としておく。セラミック製受圧板25の中央凹部は受圧
部24の凸部にはめこまれ、接着剤26で接合される。受圧
部の凸部はそのまわりをエッチングして作る。配線基板
27は強度と耐熱性が要求されるので、セラミック多層配
線基板が望ましい。この配線基板27の上部にも、セルの
端子の位置に合わせて、端子28が設けられ、端子22、28
を介して歪ゲージ23は配線基板27の配線と接続される。
第2図は歪センサの斜視図である。このセンサは歪ゲー
ジが設けられている面と平行で、かつ互いに直交する力
FxとFyおよび面に垂直方向の力Fzを検出する。
第3図に3方向の力Fx、Fy、Fzを検出するための歪ゲー
ジの配列を示す。X1、X2はX方向の力Fxを検出するため
の歪ゲージで、セル薄肉部の同一直径上にあり、それぞ
れ長手方向を半径方向に揃えてある。Y1、Y2は力Fyを検
出するための歪ゲージで、ゲージX1、X2と直交する方向
に配設される。Z1、Z2は垂直方向の力Fzを検出するため
の歪ゲージで、X1、X2、Y1、Y2とそれぞれ45°の方向に
配設される。
第4図(A)、(B)、(C)および第5図によって本発明の基
本的な動作を説明する。
第4図(A)はセンサセル21の上面図、同図(B)は断面図で
ある。歪ゲージ23A、23Bがセンサセル21の薄肉部に長手
方向を半径方向に揃えて設けられている。厚肉部には温
度補償用の歪ゲージ(ダミーゲージ)23C、23Dが、ゲー
ジ23A、23Bの配列の延長上に、長手方向をそれぞれ23
A、23Bと直角方向にして設けられている。第4図(B)に
矢印Lで示す荷重が受圧部24に作用した時、歪ゲージ23
Aには圧縮応力−σ、歪ゲージ23Bに引張り応力+σが働
く。第4図(C)に応力分布を示す。歪ゲージ23C、23Dの
長手方向には応力はほとんど作用しない。従って歪ゲー
ジ23A、23Bの抵抗は変化し、23C、23Dの抵抗はほとんど
変化しない。第5図は、歪ゲージ23A、23B、23C、23Dで
構成したホイートストンブリッジを示し、抵抗R1、R2、
R3、R4はそれぞれ歪ゲージ23A、23B、23C、23Dに対応す
る。第4図(B)、(C)に示したような力が作用すると、R
1、R2が変化するので、電圧Eを入力すると、電圧変化
Vが力に応じて出力されるので、力の大きさを検出する
ことができる。
第6図(A)、(B)、(C)はX方向の力Fxの検出を説明する
図である。同図(A)は第3図に示した歪ゲージのうち、X
1、X2の配線を示し、同図(B)はその等価回路である。図
中31は配線、32は入力端子、33はアース端子、34は出力
端子、Eは入力電圧、Vxは出力電圧、Gはアースであ
り、RX1、RX2は歪ゲージX1、X2の抵抗である。歪ゲージ
X1とX2はハーフブリッジをなしている。第6図(C)は、
同図(A)に示す力Fxが受圧部24に作用した時、各歪ゲー
ジの長手方向に加わる応力を示す。
第7図(A)、(B)、(C)はY方向の力Fyの検出を説明する
図で、同図(A)は歪ゲージY1、Y2の配線、同図(B)はゲー
ジY1、Y2で構成されるハーフブリッジの等価回路を、同
図(C)は力Fyが受圧部24に作用した時に各歪ゲージに作
用する応力を示す。図において、35は出力端子、RY1、R
Y2はそれぞれ歪ゲージY1、Y2の抵抗、Vyは出力電圧であ
る。
第8図(A)、(B)、(C)は受圧部24の表面に垂直(歪ゲー
ジ設置面に垂直)な力Fzの検出を説明する図である。同
図(A)は歪ゲージの配置と結線を示し、第3図で説明し
た歪ゲージZ1、Z2の他に、円周方向に長手方向をもつダ
ミーゲージZ3、Z4が配設され、各ゲージZ1〜Z4で同図
(B)に示すようにブリッジを構成している。36は出力端
子、RZ1ないしRZ4はそれぞれ歪ゲージZ1ないしZ4の抵
抗、Vzは出力電圧である。同図(C)は力Fzが受圧部24に
作用した時に、各ゲージ(X1,X2,Y1,Y2,Z1,Z2)に作用す
る応力を示す。
第6図にもどり、受圧部24にFxの力が加わると、歪ゲー
ジX1は圧縮力(−σ)を受け、その抵抗値は小さくな
る。一方歪ゲージX2は引張力(+σ)を受け、その抵抗
値は大きくなる。他の4つの歪ゲージY1、Y2、Z1、Z2に
も第6図(C)に示すように少し応力を生ずる。当然なが
ら、ブリッジの出力Vxは大で、Vzは小さく、Vyは無視で
きる。出力Vzは、Fxの力によって生じたものであるか
ら、これは補正されねばならない。このみかけの出力Vz
はFxにすなわち、Vxに近似的に比例するからVzの補正式
は Vz=a・Vx (1) となる。ここにaは比例定数である。
第7図において、Fyが矢印の方向に加わると、歪ゲージ
Y1には圧縮力(−σ)が、歪ゲージY2には引張力(+
σ)が働らく。そしてハーフブリッジにはVyが出力され
る。歪ゲージの応力は第7図(C)に示すとおりで、各ブ
リッジの出力はVyが最大、Vzは小さく、Vxは無視でき
る。みかけの出力Vzは近似的にVyに比例するから、Vzは
次式で補正する。ただしbは比例定数である。
Vz=b・Vy (2) 第8図(A)に示すように力Fzが垂直方向に加わった場
合、歪ゲージZ1とZ2には引張応力(+σ)が働らくか
ら、同図(B)に示すブリッジにはVzが出力される。歪ゲ
ージZ3とZ4での応力は小さいから、Vzに寄与しない。歪
ゲージX1とX2およびY1とY2の抵抗変化量は同符号でそれ
ぞれ等しいので、出力VxおよびVyは発生しない。したが
ってFzによる影響はVxとVyでは考慮する必要がない。
第9図に力FxとFyとが同時に加わった時の、各ゲージの
長手方向に作用する応力を示す。歪ゲージX1およびY1に
はそれぞれ力FxおよびFyによる圧縮応力が、歪ゲージX2
およびY2にはそれぞれ力FxおよびFyによる引張応力が作
用する。歪ゲージX1、X2は力Fyにはほとんど影響され
ず、また歪ゲージY1、Y2は力Fxにはほとんど影響されな
い。力FxおよびFyによって歪ゲージZ1は圧縮応力を受
け、歪ゲージZ2は引張応力を受ける。その結果各ブリッ
ジには出力が生ずる。出力Vz′は力FxとFyとによる見か
けの出力であり、真の出力Vzは次式で補正して得られ
る。
Vz=Vz′−a・Vx−b・Vy (3) 第10図に力FyとFzとが同時に加った時の、各歪ゲージの
長手方向に作用する応力を示す。力Fyにより歪ゲージY1
とZ1に圧縮応力が、歪ゲージY2とZ2に引張応力が作用す
る。歪ゲージX1、X2はほとんど影響を受けない。一方力
Fzにより全歪ゲージに引張応力が作用する。力Fzによる
歪ゲージX1とX2およびY1とY2の抵抗変化量は等しいの
で、力Fzによって出力VxおよびVyは生じない。従って力
FyとFzとが同時に作用した時に各ブリッジに生ずる電圧
は、力Fyによる出力Vyと、力FyおよびFzによる出力Vz′
である。真の出力Vzはみかけの出力Vz′を次式によって
補正して得られる。
Vz=Vz′−b・Vy (4) 第11図に力FzとFxとが同時に加った時の各歪ゲージに作
用する応力を示す。事情は力FyとFzとが同時に作用した
場合と全く同様で、各ブリッジには、力Fxによる出力Vz
と、力FxとFzとによる出力Vz′とが生ずる。この場合、
真の出力Vzは見かけの出力Vz′を次式によって補正して
得られる。
Vz=Vz′−a・Vx (5) 第12図に力Fx、FyおよびFzが同時に加わった時の各歪ゲ
ージに作用する応力を示す。2方向の力が同時に働いた
時の説明から明らかなように、各ブリッジには力Fxによ
る出力Vx、力Fyによる出力Vyおよび力Fx、FyおよびFzに
よる見かけの出力Vz′が発生する。真の出力Vzは次式に
よって補正して得られる。
Vz=Vz′−a・Vx−b・Vy (6) 定められた方向に既知の力を加えて、各ブリッジの出力
と力の大きさとの関係を求めておくことは容易である。
また上述した補正係数aおよびbを求めるのも容易であ
る。従ってあらかじめこれらの関係および係数を求めて
おけば、任意の力、Fx、FyおよびFzが加わった時、その
大きさは、セルのブリッジの出力Vx、Vy、Vzを読みとれ
ば、VxとVはそのままの値から、Vzは(6)式から補正演
算して求めることができる。また任意の方向の力が加わ
った時も、その3方向の分力を知ることができる。
第13図は、1つのセンサセル内に、3方向の力Fx、Fy、
Fzに対応する歪ゲージと配線及び端子の構成を表わした
ものである。各端子の信号は、図示しない下部の配線基
板に内蔵された多層配線に伝えられることはいうまでも
なく、この製作は公知の方法で容易に達成できる。第14
図は第13図の構成の等価回路である。第13図、第14図に
おける各参照番号は既出の例と同一なので説明を省略し
た。また第13図の構成例の動作も先に説明したとおりで
ある。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明によれば、接触覚センサセル
内に3分力Fx、Fy、Fzに対応させて歪ゲージを簡単な構
造で配置したので、小型で薄く、高密度化でき、安価な
構成で3分力を検出できる。このためにこの接触覚セン
サをロボットのハンドにとりつければ、ロボットの知能
化を図る上で極めて有効である。
【図面の簡単な説明】
第1図(A)および(B)はそれぞれ本発明の接触覚センサの
基本構造を示す上面図および断面図、 第2図はセンサの斜視図、 第3図は歪ゲージの配置図、 第4図(A)、(B)、(C)は本発明の動作の基本を説明する
ための図で、同図(A)および(B)はそれぞれ歪ゲージの配
置を示す上面図および断面図、同図(C)は歪ゲージの応
力分布を示す図、 第5図は歪ゲージで構成したホイートストンブリッジ回
路図、 第6図(A)、(B)、(C)はX方向の力の検出、第7図(A)、
(B)、(C)はY方向の力の検出、第8図(A)、(B)、(C)は
Z方向の力の検出を説明する図であり、第6図(A)、第
7図(A)および第8図(A)は歪ゲージの配置と結線を示す
図、第6図(B)、第7図(B)および第8図(B)は歪ゲージ
で構成したホイートストンブリッジ回路図、第6図
(C)、第7図(C)および第8図(C)は各歪ゲージの応力を
示す図、 第9図、第10図、第11図および第12図はそれぞれX方向
とY方向、Y方向とZ方向、Z方向とX方向およびX方
向、Y方向およびZ方向の力が加わった時の各歪ゲージ
の応力を示す図、 第13図はセル内における歪ゲージの配置と結線を示す
図、 第14図は第13図の構成の等価回路図、 第15図ないし第17はそれぞれ従来の接触覚センサの構造
を示す断面図である。 1……金属押ボタン、 2……絶縁板、 3……ばねコイル、 4,5……電極、 6……把握物、 7……電極、 8……導電ゴム、 9……シリコンゴム、 10……アクリル板、 11……受光素子、 12……基板、 13……光源、 14……把握物、 21……センサセル、 22……接続端子、 23……歪ゲージ、 24……受圧部、 25……受圧板、 26……接着剤、 27……配線基板、 28……端子、 31……配線、 32……入力電圧端子、 33……アース端子、 34、35、36……出力端子、 X1、X2……X方向の力用歪ゲージ、 Y1、Y2……Y方向の力用歪ゲージ、 Z1、Z2……Z方向の力用歪ゲージ、 Z3、Z4……ダミーゲージ、 E……入力電圧、 Vx、Vy、Vz……出力電圧。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】中央に凹部を有する受圧板と、 中央厚肉部と周辺薄肉部とを有し、力の受圧部である中
    央厚肉部が前記受圧板の凹部に嵌め込まれて受圧板と接
    合され、周辺薄肉部の反受圧板側の面に3方向の力に対
    応して3組の歪ゲージが形成されたセンサセルと、 このセンサセルを歪ゲージ形成面側から支持し、端子を
    介して前記3組の歪ゲージと電気的に接続される配線基
    板と、 からなることを特徴とする接触覚センサ。
  2. 【請求項2】センサセルがシリコンからなり、3組の歪
    ゲージがそれぞれ高抵抗シリコン層からなることを特徴
    とする特許請求の範囲第1項記載の接触覚センサ。
  3. 【請求項3】3方向の力のうちの少なくとも一つは他の
    方向の力の一次式によって補正されることを特徴とする
    特許請求の範囲第1項または第2項記載の接触覚セン
    サ。
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