JPH0660999B2 - Photomask blank manufacturing method - Google Patents

Photomask blank manufacturing method

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JPH0660999B2
JPH0660999B2 JP4470887A JP4470887A JPH0660999B2 JP H0660999 B2 JPH0660999 B2 JP H0660999B2 JP 4470887 A JP4470887 A JP 4470887A JP 4470887 A JP4470887 A JP 4470887A JP H0660999 B2 JPH0660999 B2 JP H0660999B2
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JP
Japan
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light
gas
shielding film
photomask blank
etching
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憲道 安中
正男 牛田
治 流川
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ホ−ヤ株式会社
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    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/80—Etching

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ＩＣやＬＳＩ等の半導体集積回路の製造工程
等で用いられるフォトマスクを製造するための材料であ
るフォトマスクブランクを製造する方法に関する。The present invention relates to a method for producing a photomask blank, which is a material for producing a photomask used in the manufacturing process of semiconductor integrated circuits such as IC and LSI. Regarding

〔従来の技術〕 従来、フォトマスクブランクは、例えば特開昭57-14763
4号によって提案されたように、窒素を含む雰囲気中
で、真空蒸着、スパッタリング、及びイオンプレーティ
ングのいずれかにより透明基板上に、クロム窒化物から
なる遮光性膜を成膜して製造していた。なお、前記した
遮光性膜は、紫外光等の露光光に対しては遮光性を有す
るが、可視光に対して透過性を有する。[Prior Art] Conventionally, for example, a photomask blank is disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 57-14763.
As proposed by No. 4, it is manufactured by forming a light-shielding film made of chromium nitride on a transparent substrate by vacuum deposition, sputtering, or ion plating in an atmosphere containing nitrogen. It was The light-shielding film has a light-shielding property with respect to exposure light such as ultraviolet light, but has a light-transmitting property with respect to visible light.

そして、上記したフォトマスクブランクからフォトマス
クを製造する場合には、先ず、クロム窒化物からなる遮
光性膜上にフォトレジストを塗布する。次に、所定の遮
光パターンを有する露光マスクを通して、フォトレジス
トを紫外光により露光し、次にフォトレジストを現像し
てクロム窒化物からなる遮光性膜上にレジストパターン
を形成する。次に、そのレジストパターンをマスクとし
て、エッチング液によってクロム窒化物からなる遮光性
膜を選択的にエッチングし、続いてレジストパターンを
剥離して、クロム窒化物からなる遮光性膜パターンを透
明基板上に形成してフォトマスクを製造している。When manufacturing a photomask from the above-mentioned photomask blank, first, a photoresist is applied on the light-shielding film made of chromium nitride. Next, the photoresist is exposed to ultraviolet light through an exposure mask having a predetermined light-shielding pattern, and then the photoresist is developed to form a resist pattern on the light-shielding film made of chromium nitride. Next, using the resist pattern as a mask, the light-shielding film made of chromium nitride is selectively etched by an etching solution, and then the resist pattern is peeled off to form a light-shielding film pattern made of chromium nitride on the transparent substrate. To form a photo mask.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problems to be solved by the invention]

しかしながら、上記したようにクロム窒化物からなる遮
光性膜を選択的にエッチングする工程を経てフォトマス
クを製造する場合、クロム窒化物からなる遮光性膜のエ
ッチング速度が非常に速いため、所望線幅を有するクロ
ム窒化物からなる遮光性膜パターンを透明基板上に形成
することが難しいという問題点が生じる。何故ならば、
クロム窒化物からなる遮光性膜のエッチング速度が速い
と、そのエッチングを終了するまでの時間（いわゆる、
ジャストエッチング時間）が短くなるため、エッチング
液の温度・濃度・液量等のエッチング条件の微小な変
動，及びエッチング処理作業時にエッチングを終了すべ
き時間以上に誤ってエッチングしてしまうこと等に起因
して、形成する遮光性膜パターンの線幅のコントロール
が難しくなるからである。However, when the photomask is manufactured through the step of selectively etching the light-shielding film made of chromium nitride as described above, the etching speed of the light-shielding film made of chromium nitride is very high, and thus the desired line width is required. There is a problem that it is difficult to form a light-shielding film pattern made of a chromium nitride having the above structure on a transparent substrate. because,
When the etching rate of the light-shielding film made of chromium nitride is high, the time required to complete the etching (so-called,
Just etching time) is shortened, resulting in minute fluctuations in etching conditions such as temperature, concentration, and amount of etching solution, and accidental etching beyond the time when etching should be finished during etching processing work. Then, it becomes difficult to control the line width of the light-shielding film pattern to be formed.

本発明は、上のような事情を鑑みてなされたものであ
り、所望線幅のパターンを確実に形成してフォトマスク
を製造することができるフォトマスクブランクの製造方
法を提供することを目的とする。The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object thereof is to provide a method for manufacturing a photomask blank capable of manufacturing a photomask by reliably forming a pattern having a desired line width. To do.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

本発明は、上記した目的を達成すためになされたもので
あり、不活性ガスと、窒素原子を含有してなるガスと、
アルコール，カルボン酸及びアルデヒドのうちの何れか
少なくとも１つを含有してなるガスとの混合ガス雰囲気
中で、透光性基板の一主表面上に露光光に対して遮光性
を有する遮光性膜を成膜することを特徴とするフォトマ
スクブランクの製造方法である。なお、前記した混合ガ
ス雰囲気中で遮光性膜を成膜する方法としては、スパッ
タリング法，真空蒸着法，ＣＶＤ法及びイオンプレーテ
ィング法等の成膜方法が採用されうる。さらに、本発明
において、遮光性膜は透光性基板の一主表面上に直接成
膜されるとは限らず、遮光性膜と透光性基板の一主表面
との間に薄膜を介在させてもよい。The present invention has been made to achieve the above object, an inert gas, and a gas containing a nitrogen atom,
A light-shielding film having a light-shielding property against exposure light on one main surface of a light-transmitting substrate in a mixed gas atmosphere with a gas containing at least one of alcohol, carboxylic acid, and aldehyde. Is a method of manufacturing a photomask blank. As the method of forming the light-shielding film in the mixed gas atmosphere described above, a film forming method such as a sputtering method, a vacuum vapor deposition method, a CVD method, an ion plating method, or the like can be adopted. Furthermore, in the present invention, the light-shielding film is not necessarily formed directly on the one main surface of the light-transmitting substrate, and a thin film is interposed between the light-shielding film and the one main surface of the light-transmitting substrate. May be.

〔作 用〕[Work]

本発明にアルコール、カルボン酸及びアルデヒドの少な
くとも１つを含有してなるガスは周知の通り、何れも炭
素と酸素との結合を有している。酸素は反応性が高いの
で単独のガスとして導入すると、炭素又は窒素等の他の
成分が膜中に入りにくくなるが、レジストの上述したガ
スは、酸素が炭素と結合しているので、遮光性膜材料に
対して、酸化が炭化より優先されることを防止できる。
この結果、窒素だけでは不十分な透過率向上効果を、酸
素によって補って透過率（可視光）を一層向上させるこ
とができると共に、炭化してエッチング速度を遅延させ
ることができる。As is well known, the gas containing at least one of alcohol, carboxylic acid and aldehyde in the present invention has a bond of carbon and oxygen. Since oxygen is highly reactive, if it is introduced as a single gas, other components such as carbon and nitrogen are less likely to enter the film, but the above-mentioned gas of the resist has a light-shielding property because oxygen is bonded to carbon. Oxidation can be prevented from prevailing over carbonization for the membrane material.
As a result, it is possible to supplement the transmittance improvement effect, which is not sufficient with nitrogen alone, with oxygen to further improve the transmittance (visible light), and to carbonize and delay the etching rate.

〔実施例〕〔Example〕

以下、本発明の実施例によるフォトマスクブランクの製
造方法について詳細に説明する。Hereinafter, a method for manufacturing a photomask blank according to an exemplary embodiment of the present invention will be described in detail.

先ず、石英ガラス板を所定の寸法に研削加工し、次に研
削加工された石英ガラス板の両主表面を研磨して、石英
ガラスからなる透光性基板（寸法：５×５×0.09イン
チ）を用意する。First, a quartz glass plate is ground to a predetermined size, then both main surfaces of the ground quartz glass plate are polished, and a transparent substrate made of quartz glass (size: 5 × 5 × 0.09 inches) To prepare.

次に、直流マグネトロンスパッタ装置を用い、第１にア
ルゴン(Ar)ガスと窒素(N2)ガスとメチルアルコール(CH3
OH)のガスとの混合ガス雰囲気中で、第２にアルゴン(A
r)ガスと窒素(N2)ガスとエチルアルコール(C2H5OH)のガ
スとの混合ガス雰囲気中で、スパッタリング法により、
遮光性膜材料を窒化（窒素ガス）、及び酸化（エチルア
ルコール中の酸素）しながら波長450ｎｍの紫外光の透
過率が3.5％となるように遮光性膜を前記した透光性基
板の一主表面上にそれぞれ成膜して、フォトマスクブラ
ンクを製造した。Next, using a DC magnetron sputtering device, firstly, argon (Ar) gas, nitrogen (N 2 ) gas and methyl alcohol (CH 3
In a mixed gas atmosphere with a gas of (OH), secondly, argon (A
r) gas, nitrogen (N 2 ) gas, and ethyl alcohol (C 2 H 5 OH) gas in a mixed gas atmosphere by a sputtering method,
One of the main components of the light-transmissive substrate, which has a light-shielding film so that the transmittance of ultraviolet light with a wavelength of 450 nm is 3.5% while nitriding (nitrogen gas) and oxidizing (oxygen in ethyl alcohol) the light-shielding film material. A photomask blank was manufactured by forming a film on each surface.

ここで、上記したように波長450nmの紫外光の透過率が
3.5％となるように遮光性膜を成膜してフォトマスクブ
ランクを製造した各場合において、導入ガス，前記した
各混合ガスのガス混合比（モル比），ガス圧力，遮光性
膜の膜厚，ジャストエッチング時間及びエッチング速度
を下表に示す。Here, as described above, the transmittance of ultraviolet light having a wavelength of 450 nm is
In each case where a photomask blank was manufactured by forming a light-shielding film so as to be 3.5%, the introduction gas, the gas mixing ratio (molar ratio) of each of the mixed gases described above, the gas pressure, the thickness of the light-shielding film , Just etching time and etching rate are shown in the table below.

また、比較例として、メチルアルコールおよびエチルア
ルコールのガスの何れも導入せず、アルコンガスと窒素
ガスとの混ガス雰囲気下で、スパッタリング法により、
波長450nmの紫外光の透過率が3.5％となるように遮光性
膜を透光性基板の一主面上に成膜して、フォトマスクブ
ランクを製造した。この場合におけるアルゴンガスと窒
素ガスとの混合比（モル比）等も下表に示す。In addition, as a comparative example, neither gas of methyl alcohol nor gas of ethyl alcohol was introduced, under a mixed gas atmosphere of alcon gas and nitrogen gas, by a sputtering method,
A photomask blank was manufactured by forming a light-shielding film on one main surface of a transparent substrate so that the transmittance of ultraviolet light having a wavelength of 450 nm was 3.5%. The mixing ratio (molar ratio) of argon gas and nitrogen gas in this case is also shown in the table below.

なお、上記した各遮光性膜をエッチングする際、エッチ
ング液として硝酸第２セリウムアンモニウム165gと過塩
素酸(70％)42mlに純水を加えて1000mlにした溶液（液
温：20℃）を用いた。In addition, when etching each of the above-mentioned light-shielding films, use a solution (liquid temperature: 20 ° C) in which 165 g of ceric ammonium nitrate and 42 ml of perchloric acid (70%) are mixed with pure water to make 1000 ml. I was there.

上記した表において示されたように、実施例１〜４の各
場合と比較例の場合とにおける各エッチング速度を比較
すると、実施例１〜４の各場合に成膜された遮光性膜の
各エッチング速度は何れも、比較例の場合に成膜された
遮光性膜のエッチング速度よりも遅い。この理由は、実
施例１〜４の各場合において成膜された各遮光性膜が、
クロム窒化物のみならずクロム炭化物をも含有してなる
ためである。 As shown in the above table, comparing the etching rates in each of Examples 1 to 4 and Comparative Example, each of the light-shielding films formed in each of Examples 1 to 4 was compared. Both etching rates are slower than the etching rate of the light-shielding film formed in the comparative example. The reason for this is that each light-shielding film formed in each of Examples 1 to 4 is
This is because it contains not only chromium nitride but also chromium carbide.

また、実施例１及び２の各場合に成膜された遮光性膜の
各エッチング速度を比較すると、実施例２の場合におけ
るエッチング速度は実施例１の場合におけるエッチング
速度よりも遅い。この理由は、実施例２の場合には実施
例１の場合と比して、混合ガスにおけるメチルアルコー
ルのガスの比率が高いため、実施例２の場合に成膜され
た遮光性膜中のクロム炭化物の含有率が、実施例１の場
合に成膜された遮光性膜中のクロム炭化物の含有率より
も大きいからである。Further, comparing the etching rates of the light-shielding film formed in each of Examples 1 and 2, the etching rate in Example 2 is slower than the etching rate in Example 1. The reason for this is that, in the case of Example 2, the ratio of the methyl alcohol gas in the mixed gas is higher than that in Example 1, so the chromium in the light-shielding film formed in Example 2 is This is because the carbide content is higher than the chromium carbide content in the light-shielding film formed in the case of Example 1.

また、実施例３及び４の各場合に成膜された遮光性膜の
各エッチング速度を比較すると、実施例４の場合におけ
るエッチング速度は実施例３の場合におけるエッチング
速度よりも遅い。この理由は、実施例４の場合には実施
例３の場合と比して、混合ガスにおけるエチルアルコー
ルのガスの比率が高いため、上記したと同様のことが生
じるからである。Further, comparing the etching rates of the light-shielding film formed in each of Examples 3 and 4, the etching rate in Example 4 is slower than the etching rate in Example 3. The reason for this is that in the case of the fourth embodiment, the ratio of the ethyl alcohol gas in the mixed gas is higher than that in the case of the third embodiment, so that the same thing as described above occurs.

また、実施例１及び３の各場合に成膜された遮光性膜の
各エッチング速度を比較すると、実施例の場合における
エッチング速度は実施例１の場合におけるエッチング速
度よりも遅い。この理由は、実施例３の場合には実施例
１の場合と比して、混合ガス雰囲気中における炭素(C)
原子の濃度が高くなるため、実施例３の場合に成膜され
た遮光性膜中のクロム炭化物の含有率が、実施例１の場
合に成膜された遮光性膜中のクロム炭化物の含有率より
も大きいからである。また、同様の理由により、実施例
４の場合におけるエッチング速度は実施例２の場合にお
けるエッチング速度よりも遅い。Further, comparing the etching rates of the light-shielding film formed in each of Examples 1 and 3, the etching rate in the case of Example is slower than the etching rate in the case of Example 1. The reason for this is that in the case of the third embodiment, carbon (C) in the mixed gas atmosphere is greater than that of the first embodiment.
Since the atomic concentration is high, the content rate of chromium carbide in the light-shielding film formed in the case of Example 3 is higher than the content rate of chromium carbide in the light-shielding film formed in the case of Example 1. Because it is larger than. For the same reason, the etching rate in the case of Example 4 is slower than the etching rate in the case of Example 2.

また、前述したように、実施例２及び比較例の場合にそ
れぞれ成膜された各遮光性膜における波長450ｎｍの紫
外光の透過率は共に3.5％である。しかし、比較例の場
合に成膜された遮光性膜における波長600ｎｍの可視光
の透過率は７％であるのに対し、実施例２の場合に成膜
された遮光性膜における同波長の可視光の透過率は11％
であり、同波長における可視光の透過率特性（いわゆ
る、「シースルー特性」）が向上している。同様に、実
施例１，３及び４の各場合に成膜された各遮光性膜につ
いても、波長600ｎｍの可視光の透過率特性は向上して
いる。これはエチルアルコール中の酸素が炭素と共に遮
光性膜中に混入されたためである。In addition, as described above, the transmittance of ultraviolet light having a wavelength of 450 nm is 3.5% in each of the light-shielding films formed in the case of Example 2 and the comparative example. However, in the case of the comparative example, the transmittance of visible light having a wavelength of 600 nm in the light-shielding film formed is 7%, whereas in the case of Example 2, visible light of the same wavelength in the light-shielding film is formed. Light transmittance is 11%
Therefore, the transmittance characteristic of visible light at the same wavelength (so-called “see-through characteristic”) is improved. Similarly, each of the light-shielding films formed in each of Examples 1, 3 and 4 has improved transmittance characteristics of visible light having a wavelength of 600 nm. This is because oxygen in ethyl alcohol was mixed into the light-shielding film together with carbon.

以上のように、本実施例のフォトマスクブランクの製造
方法によれば、成膜された遮光性膜はクロム炭化物とク
ロム窒化物とを含有してなるので、そのエッチング速度
をクロム窒化物からなる遮光性膜のエッチング速度より
も遅くすることができる。従って、本例によって製造さ
れたフォトマスクブランクを材料とすれば、所望線幅の
パターンを有するフォトマスクを容易に製造できる。さ
らに、混合ガスにおけるメチルアルコールあるいはエチ
ルアルコールのガスの比率を変化させ遮光性膜中のクロ
ム炭化物の含有率を変えることによって、遮光性膜のエ
ッチング速度を制御することもできる。従って、所望線
幅のパターンを有するフォトマスクを製造することは一
層容易になる。As described above, according to the method for manufacturing the photomask blank of the present embodiment, since the formed light-shielding film contains chromium carbide and chromium nitride, its etching rate is composed of chromium nitride. It can be slower than the etching rate of the light-shielding film. Therefore, if the photomask blank manufactured according to this example is used as a material, a photomask having a pattern with a desired line width can be easily manufactured. Further, the etching rate of the light-shielding film can be controlled by changing the ratio of methyl alcohol or ethyl alcohol gas in the mixed gas to change the content of chromium carbide in the light-shielding film. Therefore, it becomes easier to manufacture a photomask having a pattern with a desired line width.

また、クロム炭化物とクロム窒化物とを含有してなる遮
光性膜における可視光に対する透過率特性も向上してい
る。従って、本例によって製造されたフォトマスクブラ
ンクを材料とした場合、位置合わせを容易に行うことの
できるフォトマスク（いわゆる、「シースルーマス
ク」）を製造することができる。In addition, the visible light transmittance characteristics of the light-shielding film containing chromium carbide and chromium nitride are also improved. Therefore, when the photomask blank manufactured in this example is used as a material, a photomask (so-called "see-through mask") that can be easily aligned can be manufactured.

本発明は、上記した実施例に限定されるものではない。The present invention is not limited to the above embodiments.

上記実施例中では、遮光性膜を成膜するときに、メチル
アルコールまたはエチルアルコールのガスを用いたが、
ブチルアルコール等の他のアルコールのガスを用いても
よい。さらに、アルコールのガスの代わりに、ギ酸(HCO
OH)や酢酸(CH3COOH)等のカルボン酸のガス，あるいはホ
ルムアルデヒド(HCHO)等のアルデヒドのガスを用いても
よい。さらに、アルコールのガス，カルボン酸のガス及
びアルデヒドのガスのうちの何れか少なくとも１つを含
有してなるガスと、アルゴンガスと、窒素ガスとの混合
ガス雰囲気中で、遮光性膜を成膜してもよい。In the above examples, when forming the light-shielding film, the gas of methyl alcohol or ethyl alcohol was used,
Other alcohol gases such as butyl alcohol may be used. Furthermore, instead of alcohol gas, formic acid (HCO
A carboxylic acid gas such as OH) or acetic acid (CH 3 COOH) or an aldehyde gas such as formaldehyde (HCHO) may be used. Further, a light-shielding film is formed in a mixed gas atmosphere of a gas containing at least one of an alcohol gas, a carboxylic acid gas, and an aldehyde gas, an argon gas, and a nitrogen gas. You may.

また、アルゴンガスに代えて、ヘリウムやネオンやキセ
ノン等の不活性ガスを用いてもよい。さらに、窒素ガス
に代えて、一酸化窒素や二酸化窒素や一酸化二窒素等の
窒素原子を含有してなるガスを用いてもよい。Further, instead of the argon gas, an inert gas such as helium, neon, or xenon may be used. Further, instead of the nitrogen gas, a gas containing nitrogen atoms such as nitric oxide, nitrogen dioxide, and dinitrogen monoxide may be used.

また、アルゴンガスと、窒素ガスと、メチルアルコール
あるいはエチルアルコールのガスとの混合ガスにおける
ガス混合比は、上記実施例中に記したものに限定され
ず、適宜選定してもよいことは言うまでもない。また、
ガス圧力も適宜選定してよい。さらに、上記実施例中で
は、スパッタリング法により遮光性膜を成膜したが、真
空蒸着法，ＣＶＤ法及びイオンプレーティング法等の成
膜方法によって遮光性膜を成膜してもよい。さらに、成
膜する遮光性膜の膜厚は、所望する遮光性膜の透過率等
に応じて適宜選定することができる。Further, it goes without saying that the gas mixing ratio in the mixed gas of the argon gas, the nitrogen gas and the gas of methyl alcohol or ethyl alcohol is not limited to the one described in the above examples and may be appropriately selected. . Also,
The gas pressure may be appropriately selected. Further, in the above-mentioned embodiment, the light-shielding film is formed by the sputtering method, but the light-shielding film may be formed by a film forming method such as a vacuum vapor deposition method, a CVD method and an ion plating method. Further, the film thickness of the light-shielding film to be formed can be appropriately selected according to the desired transmittance of the light-shielding film and the like.

また、透光性基板は石英ガラス以外に、ソーダライムガ
ラス，アルミノボロシリケートガラス，サファイア，セ
ラミック等の透光性を有する材料からなってもよく、そ
の寸法も必要に応じて適宜決定してよい。Further, the translucent substrate may be made of a translucent material such as soda lime glass, aluminoborosilicate glass, sapphire, or ceramic, in addition to quartz glass, and its size may be appropriately determined as necessary. .

さらに、上記実施例中では透光性基板の一主表面上に直
接遮光性膜を成膜したが、透光性基板の一主表面上に、
酸化インジウムと酸化錫との混合物（いわゆる、「ＩＴ
Ｏ」）や酸化錫等からなる薄膜を成膜し、その後、遮光
性膜を前記した薄膜上に成膜してもよい。Furthermore, in the above examples, the light-shielding film was formed directly on the main surface of the transparent substrate, but on the main surface of the transparent substrate,
A mixture of indium oxide and tin oxide (so-called "IT
It is also possible to form a thin film of O ") or tin oxide, and then form a light-shielding film on the above-mentioned thin film.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

本発明のフォトマスクブランクの製造方法によれば、本
発明は、不活性ガスと窒素原子を含有してなるガスの他
にアルコール、カルボン酸及びアルデヒドのうちの何れ
か少なくとも１つを含してなるガスを用いて遮光性膜を
成膜している。従って、反応性の高い酸素による酸化が
炭化に比べて優先的に行われることが抑制されることか
ら、炭化も十分行うことができる。この結果、窒化だけ
よりも可視光に対する透過を一層向上させることができ
ると共に、酸化及び窒化によって速くなったエッチング
速度を炭化によって遅延させることもできる。According to the method for producing a photomask blank of the present invention, the present invention includes at least one of alcohol, carboxylic acid, and aldehyde, in addition to a gas containing an inert gas and a nitrogen atom. The light-shielding film is formed by using this gas. Therefore, the oxidation by highly reactive oxygen is suppressed from being preferentially performed as compared with the carbonization, and thus the carbonization can be sufficiently performed. As a result, it is possible to further improve the transmission of visible light as compared with nitriding alone, and it is possible to delay the etching rate increased by oxidation and nitriding by carbonization.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】透光性基板の一主表面上に露光光に対して
遮光性を有する遮光性膜を成膜するフォトマスクブラン
クの製造方法において、 不活性ガスと、窒素原子を含有してなるガスと、アルコ
ール、カルボン酸及びアルデヒドのうちの何れか少なく
とも１つを有してなるガスとの混合ガス雰囲気中で、前
記遮光性膜を成膜することを特徴とするフォトマスクブ
ランクの製造方法。1. A method for producing a photomask blank, which comprises forming a light-shielding film having a light-shielding property on exposure light on a main surface of a light-transmitting substrate, the method including an inert gas and a nitrogen atom. Of the above gas and the gas containing at least one of alcohol, carboxylic acid and aldehyde, in the mixed gas atmosphere, the above-mentioned light-shielding film is formed, and a photomask blank is produced. Method.
JP4470887A 1987-02-27 1987-02-27 Photomask blank manufacturing method Expired - Lifetime JPH0660999B2 (en)

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JP4470887A JPH0660999B2 (en) 1987-02-27 1987-02-27 Photomask blank manufacturing method

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JPS63210930A JPS63210930A (en) 1988-09-01
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