JPH0657450A - レジストパターン形成方法 - Google Patents
レジストパターン形成方法Info
- Publication number
- JPH0657450A JPH0657450A JP21777692A JP21777692A JPH0657450A JP H0657450 A JPH0657450 A JP H0657450A JP 21777692 A JP21777692 A JP 21777692A JP 21777692 A JP21777692 A JP 21777692A JP H0657450 A JPH0657450 A JP H0657450A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- water
- pattern
- etching
- photoresist
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】サイドエッチング量を減少させ、被加工物の微
細加工を目的としたポリビニルアルコール−重クロム酸
塩系レジストのパターン形成方法に関する。 【構成】ポリビニルアルコール−重クロム酸塩系レジス
トを用いてパターンを形成する際、現像処理の後で水溶
性アルデヒド水溶液にパターンを浸漬することを特徴と
するレジストパターン形成方法である。
細加工を目的としたポリビニルアルコール−重クロム酸
塩系レジストのパターン形成方法に関する。 【構成】ポリビニルアルコール−重クロム酸塩系レジス
トを用いてパターンを形成する際、現像処理の後で水溶
性アルデヒド水溶液にパターンを浸漬することを特徴と
するレジストパターン形成方法である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、リードフレームやシャ
ドウマスク等の、板厚の厚い金属板をエッチングするた
めに用いられる水溶性フォトレジストの、パターン形成
方法の改良に関する。
ドウマスク等の、板厚の厚い金属板をエッチングするた
めに用いられる水溶性フォトレジストの、パターン形成
方法の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】金属板をエッチングするために用いられ
る水溶性フォトレジストの代表例としては、ポリビニル
アルコール−重クロム酸塩系フォトレジストがある。
る水溶性フォトレジストの代表例としては、ポリビニル
アルコール−重クロム酸塩系フォトレジストがある。
【０００３】ポリビニルアルコール−重クロム酸塩系フ
ォトレジストのパターンを形成する際、最終工程におい
て、硬膜処理と呼ばれる５重量％の無水クロム酸水溶液
にパターンを浸漬したあと、１５０〜２００℃でポスト
ベークを行なう。この工程の目的は、レジストパターン
部分の高分子中の光架橋する反応基のうち架橋せずに余
っている箇所を完全に架橋させ、皮膜を丈夫にすること
である。
ォトレジストのパターンを形成する際、最終工程におい
て、硬膜処理と呼ばれる５重量％の無水クロム酸水溶液
にパターンを浸漬したあと、１５０〜２００℃でポスト
ベークを行なう。この工程の目的は、レジストパターン
部分の高分子中の光架橋する反応基のうち架橋せずに余
っている箇所を完全に架橋させ、皮膜を丈夫にすること
である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】腐食液を用いたエッチ
ングでは、深度方向と共に側面方向にもエッチングが進
行する。リードフレームやシャドウマスク等の板厚の厚
い金属板をエッチングするには、エッチングに要する時
間が長くなり、側面方向のエッチング量（サイドエッチ
ング量）も大きくなる。このサイドエッチング量が大き
くなると、被加工物の微細化が困難になってくる。
ングでは、深度方向と共に側面方向にもエッチングが進
行する。リードフレームやシャドウマスク等の板厚の厚
い金属板をエッチングするには、エッチングに要する時
間が長くなり、側面方向のエッチング量（サイドエッチ
ング量）も大きくなる。このサイドエッチング量が大き
くなると、被加工物の微細化が困難になってくる。
【０００５】前記の従来技術に係る水溶性フォトレジス
トを用いると、架橋はされているが、ポリマー自体が親
水性であるため、金属板とフォトレジストの界面から腐
食液が浸透していきやすくなる。このため、サイドエッ
チング量が大きくなり、被加工物の微細化が困難になる
という問題が生じる。
トを用いると、架橋はされているが、ポリマー自体が親
水性であるため、金属板とフォトレジストの界面から腐
食液が浸透していきやすくなる。このため、サイドエッ
チング量が大きくなり、被加工物の微細化が困難になる
という問題が生じる。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、ポリビニルアルコール−重クロム酸塩系レジストを
用いてパターンを形成する際、現像処理の後で水溶性ア
ルデヒド水溶液にパターンを浸漬した。
に、ポリビニルアルコール−重クロム酸塩系レジストを
用いてパターンを形成する際、現像処理の後で水溶性ア
ルデヒド水溶液にパターンを浸漬した。
【０００７】上記水溶性のアルデヒドには、プロピオン
アルデヒド、ブチルアルデヒド、イソブチルアルデヒ
ド、またはベンズアルデヒドが好適である。
アルデヒド、ブチルアルデヒド、イソブチルアルデヒ
ド、またはベンズアルデヒドが好適である。
【０００８】
【作用】本発明においては、ポリビニルアルコール−重
クロム酸塩系レジストを用いてパターンを形成する際、
現像処理の後で水溶性アルデヒド水溶液にパターンを浸
漬する。この時、ポリビニルアルコール中の水酸基とア
ルデヒドとの間でアセタール化反応が起こる。このアセ
タール化反応は、主としてレジストの表面層で起こり、
分子内の隣接した水酸基間でアセタールを形成すること
により、レジスト表面の疎水性が向上し、さらに他分子
の水酸基間で分子間アセタールを形成する場合には分子
間架橋するため、膜を強くする効果もある。ただし、ア
セタール化反応は酸触媒により起こるため、塩酸あるい
は硫酸などの無機酸を触媒量加えておく必要がある。
クロム酸塩系レジストを用いてパターンを形成する際、
現像処理の後で水溶性アルデヒド水溶液にパターンを浸
漬する。この時、ポリビニルアルコール中の水酸基とア
ルデヒドとの間でアセタール化反応が起こる。このアセ
タール化反応は、主としてレジストの表面層で起こり、
分子内の隣接した水酸基間でアセタールを形成すること
により、レジスト表面の疎水性が向上し、さらに他分子
の水酸基間で分子間アセタールを形成する場合には分子
間架橋するため、膜を強くする効果もある。ただし、ア
セタール化反応は酸触媒により起こるため、塩酸あるい
は硫酸などの無機酸を触媒量加えておく必要がある。
【０００９】以上により、本発明の方法によって形成さ
れたフォトレジストを用いたパターンは、その表面の疎
水性が向上し、エッチング時におけるフォトレジストと
金属基板との界面からの腐食液の浸透が抑えられ、被加
工物の微細化が可能となる。
れたフォトレジストを用いたパターンは、その表面の疎
水性が向上し、エッチング時におけるフォトレジストと
金属基板との界面からの腐食液の浸透が抑えられ、被加
工物の微細化が可能となる。
【００１０】
＜実施例１＞重合度５００、ケン化度８８％のポリビニ
ルアルコール１５０ｇを水１０００ｍｌに溶解して、１
５重量％ポリビニルアルコール水溶液を調整した。１５
重量％ポリビニルアルコール水溶液１００ｇと重クロム
酸アンモニウム０．８ｇを混合したのち攪拌して、本実
施例に用いるフォトレジストを製造した。このフォトレ
ジストを４２アロイ合金（４２重量％ニッケル，残部が
鉄）基板上にスピンコート（２８０ｒｐｍ，３０秒）し
て、膜厚約８μｍのフォトレジスト膜を形成した。
ルアルコール１５０ｇを水１０００ｍｌに溶解して、１
５重量％ポリビニルアルコール水溶液を調整した。１５
重量％ポリビニルアルコール水溶液１００ｇと重クロム
酸アンモニウム０．８ｇを混合したのち攪拌して、本実
施例に用いるフォトレジストを製造した。このフォトレ
ジストを４２アロイ合金（４２重量％ニッケル，残部が
鉄）基板上にスピンコート（２８０ｒｐｍ，３０秒）し
て、膜厚約８μｍのフォトレジスト膜を形成した。
【００１１】フォトマスクを用い、５ｋＷ超高圧水銀灯
を使用して露光を行なった。その後、室温水を１分間ス
プレーして、未露光部を溶解して現像を行なった。次い
で、水６０ｇにベンズアルデヒド１４０ｇと１２Ｎ塩酸
０.5ｇを溶解して、７０重量％ベンズアルデヒド水溶液
を調製し、現像後のレジストパターンをベンズアルデヒ
ド水溶液に３０秒間浸漬し、２００℃にて１０分間ポス
トベークを行なった。
を使用して露光を行なった。その後、室温水を１分間ス
プレーして、未露光部を溶解して現像を行なった。次い
で、水６０ｇにベンズアルデヒド１４０ｇと１２Ｎ塩酸
０.5ｇを溶解して、７０重量％ベンズアルデヒド水溶液
を調製し、現像後のレジストパターンをベンズアルデヒ
ド水溶液に３０秒間浸漬し、２００℃にて１０分間ポス
トベークを行なった。
【００１２】腐食液として４０゜Ｂｅの塩化第２鉄液
（液温５０℃）を用い、スプレー方式でエッチングを行
なった。フォトレジストの開口幅（スペース幅）が２０
０μｍでエッチング深度が９０μｍのとき、サイドエッ
チング量は３３μｍであった。従来技術のフォトレジス
トを用いてエッチングしたときのサイドエッチング量と
比較すると約１２μｍ小さくなった。
（液温５０℃）を用い、スプレー方式でエッチングを行
なった。フォトレジストの開口幅（スペース幅）が２０
０μｍでエッチング深度が９０μｍのとき、サイドエッ
チング量は３３μｍであった。従来技術のフォトレジス
トを用いてエッチングしたときのサイドエッチング量と
比較すると約１２μｍ小さくなった。
【００１３】＜実施例２＞実施例１と同様にしてレジス
ト膜を形成し、露光、現像を行なった。次いで、水６０
ｇにｎ−ブチルアルデヒド１４０ｇと１２Ｎ塩酸０．５
ｇを溶解し、７０重量％ｎ−ブチルアルデヒド水溶液を
調製した。現像後のレジストパターンをｎ−ブチルアル
デヒド水溶液に３０秒間浸漬し、２００℃にて１０分間
ポストベークを行なった。
ト膜を形成し、露光、現像を行なった。次いで、水６０
ｇにｎ−ブチルアルデヒド１４０ｇと１２Ｎ塩酸０．５
ｇを溶解し、７０重量％ｎ−ブチルアルデヒド水溶液を
調製した。現像後のレジストパターンをｎ−ブチルアル
デヒド水溶液に３０秒間浸漬し、２００℃にて１０分間
ポストベークを行なった。
【００１４】実施例１と同様にしてエッチングを行なっ
た結果、フォトレジストの開口幅（スペース幅）が２０
０μｍでエッチング深度が９０μｍのとき、サイドエッ
チング量は３６μｍであった。従来技術のフォトレジス
トを用いてエッチングしたときのサイドエッチング量と
比較すると約９μｍ小さくなった。
た結果、フォトレジストの開口幅（スペース幅）が２０
０μｍでエッチング深度が９０μｍのとき、サイドエッ
チング量は３６μｍであった。従来技術のフォトレジス
トを用いてエッチングしたときのサイドエッチング量と
比較すると約９μｍ小さくなった。
【００１５】＜比較例＞実施例１と全く同様にしてレジ
スト膜を形成し、露光、現像を行なった。次いで、得ら
れたフォトレジストパターンを５重量％無水クロム酸水
溶液中に１５秒間浸漬し、２００℃にて１０分間ポスト
ベークを行なった。
スト膜を形成し、露光、現像を行なった。次いで、得ら
れたフォトレジストパターンを５重量％無水クロム酸水
溶液中に１５秒間浸漬し、２００℃にて１０分間ポスト
ベークを行なった。
【００１６】実施例１と同様にして、腐食液として４０
゜Ｂｅの塩化第２鉄液（液温５０℃）を用い、スプレー
方式でエッチングを行なった。フォトレジストの開口幅
（スペース幅）が２００μｍでエッチング深度が９０μ
ｍのとき、サイドエッチング量は４５μｍであった。
゜Ｂｅの塩化第２鉄液（液温５０℃）を用い、スプレー
方式でエッチングを行なった。フォトレジストの開口幅
（スペース幅）が２００μｍでエッチング深度が９０μ
ｍのとき、サイドエッチング量は４５μｍであった。
【００１７】
【発明の効果】本発明は、ポリビニルアルコール−重ク
ロム酸塩系レジストを用いてパターンを形成する際、現
像処理の後で水溶性アルデヒド水溶液にパターンを浸漬
するもので、ポリビニルアルコール中の水酸基とアルデ
ヒドとの間でアセタール化反応を起こすため、レジスト
膜が疎水性となる。これにより、フォトレジストと基板
との間への腐食液の浸透が起こりにくくなるため、サイ
ドエッチング量が抑えられ、被加工物の微細化が可能と
なる。その他、本発明では、無水クロム酸を用いる硬膜
処理を省くことができ、廃水処理上の問題となりやすい
無水クロム酸の使用を減らすことにも効果がある。
ロム酸塩系レジストを用いてパターンを形成する際、現
像処理の後で水溶性アルデヒド水溶液にパターンを浸漬
するもので、ポリビニルアルコール中の水酸基とアルデ
ヒドとの間でアセタール化反応を起こすため、レジスト
膜が疎水性となる。これにより、フォトレジストと基板
との間への腐食液の浸透が起こりにくくなるため、サイ
ドエッチング量が抑えられ、被加工物の微細化が可能と
なる。その他、本発明では、無水クロム酸を用いる硬膜
処理を省くことができ、廃水処理上の問題となりやすい
無水クロム酸の使用を減らすことにも効果がある。
Claims (2)
- 【請求項１】ポリビニルアルコール−重クロム酸塩系レ
ジストを用いてパターンを形成する際、現像処理の後で
水溶性アルデヒド水溶液にパターンを浸漬することを特
徴とするレジストパターン形成方法。 - 【請求項２】上記水溶性アルデヒドは、プロピオンアル
デヒド、ブチルアルデヒド、イソブチルアルデヒド、ま
たはベンズアルデヒドであることを特徴とする請求項１
記載のレジストパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21777692A JPH0657450A (ja) | 1992-08-17 | 1992-08-17 | レジストパターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21777692A JPH0657450A (ja) | 1992-08-17 | 1992-08-17 | レジストパターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0657450A true JPH0657450A (ja) | 1994-03-01 |
Family
ID=16709556
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21777692A Pending JPH0657450A (ja) | 1992-08-17 | 1992-08-17 | レジストパターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0657450A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0908786A2 (en) * | 1997-10-03 | 1999-04-14 | Eaton Corporation | Process for reducing shrinkage of features formed in a photoresist by treatment with an amine, an amide or an aldehyde |
-
1992
- 1992-08-17 JP JP21777692A patent/JPH0657450A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0908786A2 (en) * | 1997-10-03 | 1999-04-14 | Eaton Corporation | Process for reducing shrinkage of features formed in a photoresist by treatment with an amine, an amide or an aldehyde |
| EP0908786A3 (en) * | 1997-10-03 | 2000-06-28 | Eaton Corporation | Process for reducing shrinkage of features formed in a photoresist by treatment with an amine, an amide or an aldehyde |
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