JPH0654855B2

JPH0654855B2 - 交流増幅回路

Info

Publication number: JPH0654855B2
Application number: JP1160409A
Authority: JP
Inventors: 誠一郎木原; 久夫長尾; 直憲岡林
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1989-06-22
Filing date: 1989-06-22
Publication date: 1994-07-20
Anticipated expiration: 2009-07-20
Also published as: JPH0326007A

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、例えば光リモートコントロール装置、光ファ
イバ装置、または光空間伝送装置等に用いられる交流増
幅回路に関するものである。

〔従来の技術〕

従来の交流増幅回路は、例えば第２図に示すように、差
動増幅器１１が設けられて構成されている。

差動増幅器１１の正相入力端子１２は、交流増幅回路の
入力端子Ｖ_INに接続されている。一方、差動増幅器１１
の逆相入力端子１３は、直列接続された抵抗Ｒ_１および
コンデンサＣ_１を介して接地されている。差動増幅器１
１の逆相入力端子１３は、また、抵抗Ｒ_２を介して差動
増幅器１１の出力端子１４、および交流増幅回路の出力
端子Ｖ_OUT に接続されている。

このような交流増幅回路の入力端子Ｖ_INに周波数ｆの交
流信号が入力されると、倍に増幅されて、出力端子Ｖ_OUT から出力される。

すなわち入力される交流信号の周波数ｆが充分に高いと
きは、ほぼ１＋Ｒ_２／Ｒ_１倍の増幅が行われる。一方、
入力される交流信号の周波数ｆが低くなるほど、増幅率
が低下し、１に近づく。

そこで、抵抗Ｒ_１・Ｒ_２の抵抗値、およびコンデンサＣ
_１の容量を適当に設定することにより、所定の増幅率と
周波数特性とを得ることができる。つまり、不要な周波
数の信号を遮断し、所望の周波数帯域の信号だけを増幅
することができる。

〔発明が解決しようとする課題〕

ところが、差動増幅器１１の出力インピーダンスは一般
に低いため、上記従来の交流増幅回路では、周波数の低
い信号を増幅し得るようにするためには、コンデンサＣ
_１として大型で大容量のものを用いる必要がある。それ
ゆえ、交流増幅回路の小型化や製造コストの低減を図る
ことが困難であるという問題点を有している。

特に、交流増幅回路をＩＣで構成する場合には、容量の
大きいコンデンサを用いると、チップサイズや製造コス
トが大幅に増大しがちである。

〔課題を解決するための手段〕

請求項第１項の発明に係る交流増幅回路は、上記の課題
を解決するために、ベースに入力端子が接続された第１
エミッタフォロワ回路と、ベースとグラウンドとの間に
コンデンサが接続された第２エミッタフォロワ回路と、
２つの出力端子を備え、第１の出力端子が第１エミッタ
フォロワ回路のベースに接続される一方、第２の出力端
子が第２エミッタフォロワ回路のベースに接続され、第
１の出力端子から出力される電流の大きさと、第２の出
力端子から出力される電流の大きさとの合計が、第１エ
ミッタフォロワ回路のベースに流れる電流と同じ大きさ
になるように、それぞれの出力端子から電流を出力する
電流供給回路とが設けられていることを特徴としてい
る。

請求項第２項の発明に係る交流増幅回路は、上記の課題
を解決するために、請求項第１項記載の発明に係る交流
増幅回路であって、上記電流供給回路における第１の出
力端子に接続されるトランジスタ、および第２の出力端
子に接続されるトランジスタと、上記第１のエミッタフ
ォロワ回路を構成するトランジスタ、および第２のエミ
ッタフォロワ回路を構成するトランジスタとが、互いに
逆極性であることを特徴としている。

請求項第３項の発明に係る交流増幅回路は、上記の課題
を解決するために、請求項第１項または第２項記載の発
明に係る交流増幅回路であって、上記第１エミッタフォ
ロワ回路を構成するトランジスタのエミッタ面積と、第
２エミッタフォロワ回路を構成するトランジスタのエミ
ッタ面積との比が、第１エミッタフォロワ回路を構成す
るエミッタ抵抗の抵抗値と、第２エミッタフォロワ回路
を構成するエミッタ抵抗の抵抗値との比の逆比になるよ
うに設定されていることを特徴としている。

〔作用〕

上記の構成により、入力端子から入力される信号の周波
数が充分に高いときには、電流供給回路の第２の出力端
子から出力される電流中の交流成分は、ほとんどコンデ
ンサを介してグラウンドに流れ、第２エミッタフォロワ
回路のベースには流れない。そこで、第２エミッタフォ
ロワ回路では、この第２エミッタフォロワ回路の入力端
子に入力信号中に直流成分だけが入力されたときと同様
の作動が行われる。

また、上記のように電流供給回路の第２の出力端子から
出力される電流がほとんどコンデンサを介してグラウン
ドに流れるときには、電流供給回路の第１の出力端子か
ら出力される電流の大きさはほぼ０になるので、第１エ
ミッタフォロワ回路のベースには、およそ入力端子から
入力される電流だけが流れる。そこで、第１エミッタフ
ォロワ回路では、この第１エミッタフォロワ回路に入力
端子からの信号だけが入力されたときと同様の作動が行
われる。

それゆえ、例えば第１エミッタフォロワ回路から出力さ
れる信号と、第２エミッタフォロワ回路から出力される
信号とを作動増幅器に入力すると、交流増幅回路に入力
された信号の周波数が充分に高いときには、交流増幅回
路に入力された信号を所定の増幅率で増幅したレベルの
信号が得られる。

一方、入力端子から入力される信号の周波数が充分に低
いときには、電流供給回路の第２の出力端子が出力され
る電流は、コンデンサを介しては流れず、ほとんど、第
２エミッタフォロワ回路のベースを通ってグラウンドに
流れる。

ところで、第１エミッタフォロワ回路のベースには、交
流増幅回路の入力端子から入力される電流と、電流供給
回路の第１の出力端子から出力される電流とが流れる。
すなわち、入力端子から入力される電流の大きさと、電
流供給回路の第１の出力端子から出力される電流の大き
さとの合計が、第１エミッタフォロワ回路のベースに流
れる電流の大きさとなる。

また、電流供給回路では、第１の出力端子から出力され
る電流の大きさと、第２の出力端子から出力される電流
の大きさとの合計が、上記第１エミッタフォロワ回路の
ベースに流れる電流の大きさと等しくなる。

そこで、電流供給回路の第２の出力端子から出力される
電流の大きさは、一種の負帰還回路と同様の作用によ
り、交流増幅回路の入力端子から入力される電流の大き
さと等しくなる。

そして、第２エミッタフォロワ回路の入力インピーダン
スが、第１エミッタフォロワ回路の入力インピーダンス
の例えば２倍になるように設定されているとすると、電
流供給回路の第１の出力端子からは、入力端子から入力
される電流と同じ大きさの電流が出力される。すなわ
ち、第１エミッタフォロワ回路のベースには、入力端子
から入力される電流の２倍の大きさの電流、つまり、第
２エミッタフォロワ回路のベースに流れる電流の２倍の
大きさの電流が流れる。

ところが、第１エミッタフォロワ回路を構成するエミッ
タ抵抗の抵抗値は、第２エミッタフォロワ回路を構成す
るエミッタ抵抗の抵抗値の１／２になるように設定され
ているので、結局、第１エミッタフォロワ回路の出力レ
ベルと、第２エミッタフォロワ回路の出力レベルとは、
等しくなる。

それゆえ、例えば第１エミッタフォロワ回路から出力さ
れる信号と、第２エミッタフォロワ回路から出力される
信号とを差動増幅器に入力すると、交流増幅回路に入力
された信号の周波数が充分に低いときには、交流増幅回
路に入力された信号のレベルや差動増幅器の増幅率の大
きさに関係なく、差動増幅器から０レベルの信号が出力
される。

このように、第１エミッタフォロワ回路の出力レベル
と、第２エミッタフォロワ回路の出力レベルとの差を交
流増幅回路の出力とすると、交流増幅回路の増幅率は、
入力される信号の周波数に応じて異なり、特に、低い周
波数成分の信号が遮断される。この遮断される周波数の
大きさは、第２エミッタフォロワ回路のベースに接続さ
れたコンデンサの容量、および第２エミッタフォロワ回
路を構成するエミッタ抵抗の抵抗値とトランジスタの増
幅率とによって定まる。

そして、トランジスタの増幅率は、通常、１よりもはる
かに大きいので、コンデンサの容量を大幅に小さく設定
することができる。

したがって、小型で小容量のコンデンサを用いて周波数
の低い信号を増幅し得る交流増幅回路を構成することが
でき、交流増幅回路の小型化や製造コストの低減を図る
ことが容易にできる。

〔実施例〕

本発明の一実施例を第１図に基づいて説明すれば、以下
の通りである。

交流増幅回路２０は、例えば第１図に示すように、第１
エミッタフォロワ回路２１と、第２エミッタフォロワ回
路２２と、電流供給回路２３と、差動増幅器２４とが設
けられて成っている。

上記第１エミッタフォロワ回路２１には、ベースに入力
端子Ｖ_INが接続されたＮＰＮトランジスタＱ₁₁が設けら
れている。ＮＰＮトランジスタＱ₁₁のエミッタは、エミ
ッタ抵抗Ｒ₁₁を介してグラウンドＧＮＤに接続されてい
る。ＮＰＮトランジスタＱ₁₁のエミッタは、また、第１
エミッタフォロワ回路２１の出力端子２１ａに接続され
ている。

一方、第２エミッタフォロワ回路２２には、ベースとグ
ラウンドＧＮＤとの間にコンデンサＣ_２が接続されたＮ
ＰＮトランジスタＱ₂₁が設けられている。ＮＰＮトラン
ジスタＱ₂₁のエミッタは、エミッタ抵抗Ｒ₂₁を介してグ
ラウンドＧＮＤに接続されている。ＮＰＮトランジスタ
Ｑ₂₁のエミッタは、また、第２エミッタフォロワ回路２
２の出力端子２２ａに接続されている。ＮＰＮトランジ
スタＱ₂₁のコレクタは、電源Ｖ_CCに接続されている。

上記第２エミッタフォロワ回路２２を構成するエミッタ
抵抗Ｒ₂₁の抵抗値は、第１エミッタフォロワ回路２１を
構成するエミッタ抵抗Ｒ₁₁の抵抗値の２倍になるように
設定されている。また、第２エミッタフォロワ回路２２
を構成するＮＰＮトランジスタＱ₂₁のエミッタ面積は、
第１エミッタフォロワ回路２１を構成するＮＰＮトラン
ジスタＱ₁₁のエミッタ面積の１／２になるように設定さ
れている。つまり、ＮＰＮトランジスタＱ₂₁のベース−
エミッタ間抵抗が、ＮＰＮトランジスタＱ₁₁のベース−
エミッタ間抵抗の２倍になり、第２エミッタフォロワ回
路２２の入力インピーダンスが、第１エミッタフォロワ
回路２１の入力インピーダンスの２倍になるようになっ
ている。

電流供給回路２３には、エミッタが、上記第１エミッタ
フォロワ回路２１におけるＮＰＮトランジスタＱ₁₁のコ
レクタに接続される一方、コレクタが電源Ｖ_CCに接続さ
れたＮＰＮトランジスタＱ₃₁が設けられている。ＮＰＮ
トランジスタＱ₃₁のベースは、ＰＮＰトランジスタＱ₃₂
のベースに接続されている。

ＰＮＰトランジスタＱ₃₂のエミッタは、電源Ｖ_CCに接続
されている。また、ＰＮＰトランジスタＱ₃₂のコレクタ
は、ＰＮＰトランジスタＱ₃₃、およびＰＮＰトランジス
タＱ₃₄のエミッタに接続されている。ＰＮＰトランジス
タＱ₃₃、およびＰＮＰトランジスタＱ₃₄のコレクタは、
共に、グラウンドＧＮＤに接続されている。

また、ＰＮＰトランジスタＱ₃₃のベースは、電流供給回
路２３の第１の出力端子２３ａを介して、前記第１エミ
ッタフォロワ回路２１におけるＮＰＮトランジスタＱ₁₁
のベースに接続されている。一方、ＰＮＰトランジスタ
Ｑ₃₄のベースは、電流供給回路２３の第２の出力端子２
３ｂを介して、第２エミッタフォロワ回路２２における
ＮＰＮトランジスタＱ₂₁のベースに接続されている。

第１エミッタフォロワ回路２１の出力端子２１ａ、およ
び第２エミッタフォロワ回路２２の出力端子２２ａは、
それぞれ、差動増幅器２４におけるＮＰＮトランジスタ
Ｑ₄₁、およびＮＰＮトランジスタＱ₄₂のベースに接続さ
れている。

ＮＰＮトランジスタＱ₄₁のコレクタは、電源Ｖ_CCに接続
される一方、ＮＰＮトランジスタＱ₄₂のコレクタは、抵
抗Ｒ₄₁を介して電源Ｖ_CCに接続されている。また、ＮＰ
ＮトランジスタＱ₄₂のコレクタは、交流増幅回路２０の
出力端子Ｖ_OUT にも接続されている。

ＮＰＮトランジスタＱ₄₁、およびＮＰＮトランジスタＱ
₄₂のエミッタは、共に定電流回路３１を介してグラウン
ドＧＮＤに接続されている。

上記の構成において、ＮＰＮトランジスタＱ₁₁・Ｑ₂₁・
Ｑ₃₁およびＰＮＰトランジスタＱ₃₂・Ｑ₃₃・Ｑ₃₄の電流
増幅率を、それぞれ、ｈ_fe11・ｈ_fe21・ｈ_fe31およびｈ
_fe32・ｈ_fe33・ｈ_fe34とし、また、ＮＰＮトランジスタ
Ｑ₁₁・Ｑ₂₁のベース−エミッタ間電圧をＶ_BEとすると、
入力端子Ｖ_INに電圧Ｖ_０＋ｖ_０（Ｖ_０は直流成分、ｖ_０
は交流成分）の信号が入力されたときに、ＮＰＮトラン
ジスタＱ₁₁のベースに流れる電流Ｉ_１の大きさは、になる。そして、ＮＰＮトランジスタＱ₃₁のエミッタ、
およびＮＰＮトランジスタＱ₁₁のコレクタに流れる電流
Ｉ_２の大きさは、になる。

そこで、ＰＮＰトランジスタＱ₃₂のベース、およびＮＰ
ＮトランジスタＱ₃₁のベースに流れる電流Ｉ_３の大きさ
は、になる。

さらにＰＮＰトランジスタＱ₃₂のコレクタに流れる電流
Ｉ_４の大きさは、となる。

ここで、例えば交流増幅回路２０全体を１つのＩＣで構
成するなどして、上記ＮＰＮトランジスタＱ₁₁・Ｑ₂₁・
Ｑ₃₁の電流増幅率ｈ_fe11・ｈ_fe21・ｈ_fe31が、互いに等
しくｈ_feｎになるように設定するとともに、ＰＮＰトラ
ンジスタＱ₃₂・Ｑ₃₃・Ｑ₃₄の電流増幅率ｈ_fe32・ｈ_fe33
・ｈ_fe34が、互いに等しくｈ_feｐになるように設定する
と、これらのｈ_feｎ、およびｈ_feｐは、通常１よりも充
分に大きいので、上記Ｉ_４は、となる。

この電流Ｉ_４は、ＰＮＰトランジスタＱ₃₃のエミッタ
と、ＰＮＰトランジスタＱ₃₄のエミッタとに分流される
ので、ＰＮＰトランジスタＱ₃₃のベースに流れる電流の
大きさと、ＰＮＰトランジスタＱ₃₄のベースに流れる電
流の大きさとの合計、すなわち、電流供給回路２３にお
ける第１の出力端子２３ａから出力される電流Ｉ_５の大
きさと、第２の出力端子２３ｂから出力される電流Ｉ_６
の大きさとの合計は、となり、第１エミッタフォロワ回路２１におけるＮＰＮ
トランジスタＱ₁₁のベースに流れる電流Ｉ_１の大きさと
等しくなる。

ところで、入力端子Ｖ_INから入力される信号の周波数が
充分に高いときには、交流増幅回路２０の第２の出力端
子２３ｂから出力される電流Ｉ_６のうちの交流成分は、
ほとんどコンデンサＣ_２を介してグラウンドＧＮＤに流
れ、第２エミッタフォロワ回路２２のベースには流れな
い。そこで、第２エミッタフォロワ回路２２の出力端子
２２ａの電位Ｖ_２はＶ_０−Ｖ_BEになる。

また、上記のように電流供給回路２３の第２の出力端子
２３ｂから出力される電流Ｉ_６のうちの交流成分がほと
んどコンデンサＣ_２を介してグラウンドＧＮＤに流れる
ときには、第１の出力端子２３ａから出力される電流Ｉ
_５の大きさは、入力端子Ｖ_INから入力される信号に交流
成分がないとき（ｖ_０＝０）と同じになるが、交流成分
による電流は入力端子Ｖ_INから供給され、Ｖ_BEの変化も
無視できるので、出力端子２１ａの電位Ｖ_１は、Ｖ_１＝Ｖ_０＋ｖ_０−Ｖ_BEになる。

そして、差動増幅器２４からは、ボルツマン定数をｋ、
絶対温度をＴ、電子の電荷をｑ、定電流回路３１に流れ
る電流の大きさをＩ_７とすると、上記第１エミッタフォ
ロワ回路２１の出力端子２１ａの電位と、第２エミッタ
フォロワ回路２２の出力端子２２ａの電位との差Ｖ_０＋ｖ_０−Ｖ_BE−Ｖ_０＋Ｖ_BE＝Ｖ_０が、倍に増幅されて、出力端子Ｖ_OUT から出力される。

一方、入力端子Ｖ_INから入力される信号の周波数が充分
に低いときには、電流供給回路２３の第２の出力端子２
３ｂから出力される電流Ｉ_６は、コンデンサＣ_２を介し
ては流れず、ほとんど、第２エミッタフォロワ回路２２
のベースを通ってグラウンドＧＮＤに流れる。

ところで、第１エミッタフォロワ回路２１のベースに
は、交流増幅回路２０の入力端子Ｖ_INから入力される電
流Ｉ_０と、電流供給回路２３の第１の出力端子２３ａか
ら出力される電流Ｉ_５とが流れる。すなわち、入力端子
Ｖ_INから入力される電流Ｉ_０の大きさと、電流供給回路
２３の第１の出力端子２３ａから出力される電流Ｉ_５の
大きさとの合計が、第１エミッタフォロワ回路２１のベ
ースに流れる電流Ｉ_１の大きさとなる（Ｉ_０＋Ｉ_５＝Ｉ
_１）。

また、電流供給回路２３では、電流供給回路における第
１の出力端子２３ａから出力される電流Ｉ_５の大きさ
と、第２の出力端子２３ｂから出力される電流Ｉ_６の大
きさとの合計が、上記第１エミッタフォロワ回路２１の
ベースに流れる電流Ｉ_１の大きさと等しくなる（Ｉ_５＋
Ｉ_６＝Ｉ_１）。

そこで、上記電流供給回路２３の第２の出力端子２３ｂ
から出力される電流Ｉ_６の大きさは、一種の負帰還回路
と同様の作用により、交流増幅回路２０の入力端子Ｖ_IN
から入力される電流Ｉ_０の大きさと等しくなる。

そして、第２エミッタフォロワ回路２２の入力インピー
ダンスは、第１エミッタフォロワ回路２１の入力インピ
ーダンスの２倍になるように設定されているので、電流
供給回路２３の第１の出力端子２３ａからは、入力端子
Ｖ_INから入力される電流Ｉ_０と同じ大きさの電流が出力
される。すなわち、第１エミッタフォロワ回路２１のベ
ースには、入力端子Ｖ_INから入力される電流の２倍の大
きさの電流、つまり、第２エミッタフォロワ回路２２の
ベースに流れる電流Ｉ_６の２倍の大きさの電流が流れ
る。

ところが、第１エミッタフォロワ回路２１を構成するエ
ミッタ抵抗Ｒ₁₁の抵抗値は、第２エミッタフォロワ回路
２２を構成するエミッタ抵抗Ｒ₂₁の抵抗値の１／２にな
るように設定されているので、結局、第１エミッタフォ
ロワ回路２１における出力端子２１ａの電位と、第２エ
ミッタフォロワ回路２２における出力端子２２ａの電位
とは等しくなる。

それゆえ、交流増幅回路２０に入力された信号の周波数
が充分に低いときには、交流増幅回路２０に入力された
信号のレベルや差動増幅器２４の増幅率の大きさに関係
なく、出力端子Ｖ_OUT の電位は０になり、オフセット電
圧が発生することはない。

このように、交流増幅回路２０の増幅率は、入力される
信号の周波数に応じて異なり、特に、低い周波数成分の
信号が遮断される。この遮断される周波数の大きさは、
第２エミッタフォロワ回路２２のベースに接続されたコ
ンデンサＣ_２の容量、および第２エミッタフォロワ回路
２２を構成するエミッタ抵抗Ｒ₂₁の抵抗値とトランジス
タＱ₂₁の増幅率とによって定まる。

例えば、第１エミッタフォロワ回路２１の出力端子２１
ａと、第２エミッタフォロワ回路２２の出力端子２２ａ
とに発生する交流電圧の比が−３ｄＢになる信号の周波
数ｆ_０は、で表される。

そしてトランジスタＱ₂₁の増幅率ｈ_feｎは、通常、１よ
りも充分に大きな値を得ることができ、第２のエミッタ
フォロワ回路を構成するエミッタ抵抗Ｒ₂₁の抵抗値も同
様に充分に大きな値に設定することができる。それゆ
え、コンデンサの容量を小さく設定しても、充分に周波
数の低い信号を増幅することができる。

〔発明の効果〕

請求項第１項の発明に係る交流増幅回路は、以上のよう
に、ベースに入力端子が接続された第１エミッタフォロ
ワ回路と、ベースとグラウンドとの間にコンデンサが接
続された第２エミッタフォロワ回路と、２つの出力端子
を備え、第１の出力端子が第１エミッタフォロワ回路の
ベースに接続される一方、第２の出力端子が第２エミッ
タフォロワ回路のベースに接続され、第１の出力端子か
ら出力される電流の大きさと、第２の出力端子から出力
される電流の大きさとの合計が、第１エミッタフォロワ
回路のベースに流れる電流と同じ大きさになるように、
それぞれの出力端子から電流を出力する電流供給回路と
が設けられた構成である。

請求項第２項の発明に係る交流増幅回路は、以上のよう
に、請求項第１項記載の発明に係る交流増幅回路であっ
て、上記電流供給回路における第１の出力端子に接続さ
れるトランジスタ、および第２の出力端子に接続される
トランジスタと、上記第１のエミッタフォロワ回路を構
成するトランジスタ、および第２のエミッタフォロワ回
路を構成するトランジスタとが、互いに逆極性である構
成である。

請求項第３項の発明に係る交流増幅回路は、以上のよう
に、請求項第１項または第２項記載の発明に係る交流増
幅回路であって、上記第１エミッタフォロワ回路を構成
するトランジスタのエミッタ面積と、第２エミッタフォ
ロワ回路を構成するトランジスタのエミッタ面積との比
が、第１エミッタフォロワ回路を構成するエミッタ抵抗
の抵抗値と、第２エミッタフォロワ回路を構成するエミ
ッタ抵抗の抵抗値との比の逆比になるように設定された
構成である。

これにより、小型で小容量のコンデンサを用いて周波数
の低い信号を増幅し得る交流増幅回路を構成することが
できるので、交流増幅回路の小型化や製造コストの低減
を図ることが容易にできる。また、特に交流増幅回路を
ＩＣで構成する場合には、一層、チップサイズや製造コ
ストの低減を図ることができるという効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示すものであって、交流増
幅回路の構成を示す回路図である。第２図は従来例を示すものであって、交流増幅回路の構
成を示す回路図である。２１は第１エミッタフォロワ回路、２２は第２エミッタ
フォロワ回路、２３は電流供給回路、２３ａは第１の出
力端子、２３ｂは第２の出力端子、Ｃ_２はコンデンサ、
Ｒ₁₁・Ｒ₂₁はエミッタ抵抗である。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ベースに入力端子が接続された第１エミッ
タフォロワ回路と、ベースとグラウンドとの間にコンデンサが接続された第
２エミッタフォロワ回路と、２つの出力端子を備え、第１の出力端子が第１エミッタ
フォロワ回路のベースに接続される一方、第２の出力端
子が第２エミッタフォロワ回路のベースに接続され、第
１の出力端子から出力される電流の大きさと、第２の出
力端子から出力される電流の大きさとの合計が、第１エ
ミッタフォロワ回路のベースに流れる電流と同じ大きさ
になるように、それぞれの出力端子から電流を出力する
電流供給回路とが設けられていることを特徴とする交流
増幅回路。
【請求項２】上記電流供給回路における第１の出力端子
に接続されるトランジスタ、および第２の出力端子に接
続されるトランジスタと、上記第１のエミッタフォロワ
回路を構成するトランジスタ、および第２のエミッタフ
ォロワ回路を構成するトランジスタとが、互いに逆極性
であることを特徴とする請求項第１項記載の交流増幅回
路。
【請求項３】上記第１エミッタフォロワ回路を構成する
トランジスタのエミッタ面積と、第２エミッタフォロワ
回路を構成するトランジスタのエミッタ面積との比が、
第１エミッタフォロワ回路を構成するエミッタ抵抗の抵
抗値と、第２エミッタフォロワ回路を構成するエミッタ
抵抗の抵抗値との比の逆比になるように設定されている
ことを特徴とする請求項第１項または請求項第２項記載
の交流増幅回路。