JPH0653613A - Semiconductor element - Google Patents

Semiconductor element

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JPH0653613A
JPH0653613A JP20208092A JP20208092A JPH0653613A JP H0653613 A JPH0653613 A JP H0653613A JP 20208092 A JP20208092 A JP 20208092A JP 20208092 A JP20208092 A JP 20208092A JP H0653613 A JPH0653613 A JP H0653613A
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JP
Japan
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layer
crystal
type
semiconductor
electrode
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Pending
Application number
JP20208092A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Muneyoshi Fukita
宗義 吹田
Yasuyuki Endo
康行 遠藤
Kenji Yasumura
賢二 安村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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Publication of JPH0653613A publication Critical patent/JPH0653613A/en
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Abstract

PURPOSE:To obtain a semiconductor having a p-type electrode structure wherein contact resistance with a compound semiconductor of a p-type II-VI group can be reduced, and ohmic contact can be obtained. CONSTITUTION:A Hg-compound semiconductor layer which is a HgSe crystal layer 15 is formed between a high-concentration p-SnSe layer 10 which is a compound semiconductor layer of p-type II-VI group and a p-type electrode metal 14. The electrode 14 is formed on the HgSe crystal layer. Therefore, the Hg compound layer having a narrow band gap is formed between the compound semiconductor of p-type II-VI group and the electrode metal, thereby contact resistance can be reduced.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、p型II〜VI族化合物
半導体を有する半導体素子に関するもので、特にp型オ
ーミック電極の形成に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device having a p-type II-VI group compound semiconductor, and more particularly to the formation of a p-type ohmic electrode.

【0002】[0002]

【従来の技術】図2は、例えば文献(Appl.Phy
s.Lett.59(11),1272−1274(1
991))に示された従来の半導体素子を示す断面図で
ある。1はInでなるn型電極、2はn−GaAs結晶
基板、3はn−GaAsバッファー層、4は高濃度n−
ZnSe層、5はn−ZnSSe(S組成7%)層、6
はn−ZnSe障壁層、7はZnCdSe(Cd組成2
0%)井戸層、8はp−ZnSe障壁層、9はp−Zn
SSe(S組成7%)層、10は高濃度p−ZnSe
層、13は電極ストライブ構造形成のためのポリイミド
膜、14はAuでなるp型電極である。
2. Description of the Related Art FIG. 2 shows, for example, a document (Appl. Phy.
s. Lett. 59 (11), 1272-1274 (1
991)) is a cross-sectional view showing a conventional semiconductor device shown in FIG. 1 is an n-type electrode made of In, 2 is an n-GaAs crystal substrate, 3 is an n-GaAs buffer layer, 4 is a high concentration n-
ZnSe layer, 5 is an n-ZnSSe (S composition 7%) layer, 6
Is an n-ZnSe barrier layer, 7 is ZnCdSe (Cd composition 2
0%) well layer, 8 p-ZnSe barrier layer, 9 p-Zn
SSe (S composition 7%) layer, 10 is high concentration p-ZnSe
A layer, 13 is a polyimide film for forming an electrode stripe structure, and 14 is a p-type electrode made of Au.

【0003】ここで、3〜10の各半導体層は基板2上
にエピタキシャル成長させたものであり、障壁層6,8
と井戸層7とが量子井戸構造11を形成し、この量子井
戸構造11とZnSSe層5、9とが導波構造12を形
成している。2〜10からなる半導体多層構造に対して
ポリイミド13を形成したのち、電極1,14を形成し
てこの構造を作製する。
The semiconductor layers 3 to 10 are epitaxially grown on the substrate 2, and the barrier layers 6 and 8 are formed.
And the well layer 7 form a quantum well structure 11, and the quantum well structure 11 and the ZnSSe layers 5 and 9 form a waveguide structure 12. After the polyimide 13 is formed on the semiconductor multilayer structure composed of 2 to 10, the electrodes 1 and 14 are formed to manufacture this structure.

【0004】従来の半導体素子は上記のように構成さ
れ、n型電極1とp型電極14の間に順方向バイアス
(p型電極14側が正)をかけることにより、キャリア
である電子と正孔が井戸層7に注入されて輻射再結合し
発光デバイスとして動作する。導波構造12や図と垂直
方向に形成された共振器における損失よりも利得が大き
くなるように、十分大きな電流を注入することによって
レーザ発振が生じる。
The conventional semiconductor device is constructed as described above, and by applying a forward bias (p-type electrode 14 side is positive) between the n-type electrode 1 and the p-type electrode 14, electrons and holes which are carriers Are injected into the well layer 7 and radiatively recombine to operate as a light emitting device. Laser oscillation occurs by injecting a sufficiently large current so that the gain is larger than the loss in the waveguide structure 12 and the resonator formed in the direction perpendicular to the drawing.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】上記のような従来の半
導体素子においては、p型電極14がp−ZnSe層1
0に付けられているが、p型ZnSe結晶のキャリア密
度は1018/cm3 以下のものしか実現されていないた
め、p型電極14との接触抵抗を小さくすることができ
ず、従って、レーザ発振させるための動作電圧が約20
Vと大きいという問題があり、p型電極とp型結晶との
接触抵抗を小さくすることが課題であった。
In the conventional semiconductor device described above, the p-type electrode 14 is the p-ZnSe layer 1.
However, since the carrier density of the p-type ZnSe crystal is only 10 18 / cm 3 or less, the contact resistance with the p-type electrode 14 cannot be reduced, and thus the laser Operating voltage for oscillation is about 20
There is a problem that V is large, and there has been a problem to reduce the contact resistance between the p-type electrode and the p-type crystal.

【0006】この発明は、かかる課題を解決するために
なされたものであり、p型電極とp型結晶との接触抵抗
を小さくし、動作電圧を十分小さくすることができる半
導体素子を得ることを目的としている。
The present invention has been made to solve the above problems, and it is an object of the present invention to obtain a semiconductor element in which the contact resistance between the p-type electrode and the p-type crystal can be reduced and the operating voltage can be sufficiently reduced. Has an aim.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】この発明の請求項1に係
る半導体素子は、半導体多層構造のp型結晶層と金属電
極との間に、(CdZn)Hg(SSeTe)で表記さ
れるHg化合物結晶を含む半導体層を形成したことを特
徴とするものである。
The semiconductor device according to claim 1 of the present invention is a Hg compound represented by (CdZn) Hg (SSeTe) between a p-type crystal layer of a semiconductor multilayer structure and a metal electrode. It is characterized in that a semiconductor layer containing crystals is formed.

【0008】また、この発明の請求項2に係る半導体素
子は、半導体多層構造のp型結晶層と金属電極との間
に、V族元素を含んだ(CdZn)Hg(SSeTe)
で表記されるHg化合物結晶を含む半導体層を形成した
ことを特徴とするものである。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a semiconductor device including (CdZn) Hg (SSeTe) containing a group V element between the p-type crystal layer of the semiconductor multilayer structure and the metal electrode.
It is characterized in that a semiconductor layer containing a Hg compound crystal represented by is formed.

【0009】[0009]

【作用】この発明の請求項1においては、p型結晶層と
金属電極間に狭い禁制帯域を有するHg化合物結晶を含
む半導体層を形成したことにより、高いショットキー障
壁を低下させて接触抵抗の低い電極を形成させる。
According to the first aspect of the present invention, by forming the semiconductor layer containing the Hg compound crystal having a narrow forbidden band between the p-type crystal layer and the metal electrode, the high Schottky barrier is lowered and the contact resistance is reduced. Form a low electrode.

【0010】また、請求項2においては、上記半導体層
に不純物としてV族元素を用い含ませることにより、V
族元素がHg化合物中でアクセプタになって半導体層の
p型低抵抗層化を得やすくする。
According to a second aspect of the present invention, the semiconductor layer is made to contain a group V element as an impurity.
The group element serves as an acceptor in the Hg compound to facilitate obtaining the p-type low resistance layer of the semiconductor layer.

【0011】[0011]

【実施例】実施例1.以下、この発明の一実施例を図に
ついて説明する。図1はこの発明の一実施例を示す断面
図である。図1において、1〜14は、上記従来素子の
構造と全く同一のものである。15は有機金属気相成長
法によって形成されたHgSe結晶層であり、基板2上
に3〜10の各半導体層をエピタキシャル成長させた
後、高濃度p−ZnSe層10上に別途形成させたもの
である。このようにして作製した半導体多層構造に対し
て、ポリイミド膜13を形成した後、電極1,14を形
成してこの構造を作製する。
EXAMPLES Example 1. An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a sectional view showing an embodiment of the present invention. In FIG. 1, 1 to 14 are exactly the same as the structure of the conventional element. Reference numeral 15 denotes an HgSe crystal layer formed by a metal organic chemical vapor deposition method, which is formed by epitaxially growing semiconductor layers 3 to 10 on the substrate 2 and then separately forming it on the high-concentration p-ZnSe layer 10. is there. After the polyimide film 13 is formed on the semiconductor multi-layer structure thus manufactured, the electrodes 1 and 14 are formed to manufacture this structure.

【0012】上記のようにして構成された半導体素子
は、n型電極1とp型電極14の間に順方向バイアス
(p型電極14側が正)をかけることにより、キャリア
である電子と正孔が井戸層7に注入されて輻射再結合し
発光デバイスとして動作する。導波構造12や図と垂直
方向に形成された共振器における損失よりも利得が大き
くなるように、十分大きな電流を注入することによって
レーザ発振が生じる。
In the semiconductor device constructed as described above, a forward bias (p-type electrode 14 side is positive) is applied between the n-type electrode 1 and the p-type electrode 14, so that electrons and holes which are carriers are Are injected into the well layer 7 and radiatively recombine to operate as a light emitting device. Laser oscillation occurs by injecting a sufficiently large current so that the gain is larger than the loss in the waveguide structure 12 and the resonator formed in the direction perpendicular to the drawing.

【0013】p型電極14がp−ZnSe層10ではな
く、ショットキー障壁の小さいものが実現できるHgS
e結晶層15に付けられているので、十分低い接触抵抗
の電極が実現できる。従って、レーザ発振させるための
動作電圧を数V以下の小さい値にすることができる。
The p-type electrode 14 is not the p-ZnSe layer 10, but HgS having a small Schottky barrier can be realized.
Since it is attached to the e crystal layer 15, an electrode having a sufficiently low contact resistance can be realized. Therefore, the operating voltage for laser oscillation can be set to a small value of several V or less.

【0014】上述した説明では、p型金属14とp−Z
nSe層10との間に、Hgを含むII〜VI族化合物結晶
層としてHgSe結晶層15を形成したものを示した
が、その他の(CdZn)Hg(SSeTe)を含むH
g化合物結晶の半導体層、すなわち(CdZn)Hg
(SSeTe)で表記される、HgSe結晶、HgTe
結晶、HgS結晶、ZnHgSe結晶、ZnHgTe結
晶、ZnHgS結晶、CdHgSe結晶、CdHgTe
結晶、CdHgS結晶の単結晶、多結晶、またはこれら
のうち2つ以上の結晶からなる混晶を半導体層としても
よい。
In the above description, the p-type metal 14 and p-Z
Although the HgSe crystal layer 15 is formed as a II-VI group compound crystal layer containing Hg between the nSe layer 10 and the nSe layer 10, the H containing other (CdZn) Hg (SSeTe) is shown.
Semiconductor layer of g compound crystal, that is, (CdZn) Hg
HgSe crystal and HgTe represented by (SSeTe)
Crystal, HgS crystal, ZnHgSe crystal, ZnHgTe crystal, ZnHgS crystal, CdHgSe crystal, CdHgTe
The semiconductor layer may be a crystal, a single crystal of a CdHgS crystal, a polycrystal, or a mixed crystal composed of two or more of these.

【0015】また、Hgを含むII〜VI族化合物結晶層と
しては、Hg化合物結晶のみが存在する半導体層である
必要がなく、p型低抵抗層が得られれば他の結晶や結晶
構造が混在したものでもよい。さらに、上記p−ZnS
e層10で示されるp型結晶層は、高抵抗結晶層を含み
他のII〜VI族化合物結晶層であってもよい。
Further, the II-VI group compound crystal layer containing Hg does not need to be a semiconductor layer in which only Hg compound crystals exist, and other crystals and crystal structures are mixed if a p-type low resistance layer is obtained. You can also use it. Further, the p-ZnS
The p-type crystal layer represented by the e-layer 10 may be another II-VI group compound crystal layer including a high resistance crystal layer.

【0016】また、上記実施例において、HgSe結晶
層15の作製法は、有機金属気相成長法としたが、これ
以外にもMBE法、真空蒸着法、スパッタ法、スプレイ
塗布、スクリーン印刷、電着などの各種の成膜法を用い
てもよい。
In the above embodiment, the HgSe crystal layer 15 was produced by metalorganic vapor phase epitaxy. However, MBE, vacuum vapor deposition, sputtering, spray coating, screen printing, electroplating, and the like. Various film forming methods such as coating may be used.

【0017】また、上記実施例におけるHgSe結晶層
15形成の後、熱処理によってより低抵抗化を図っても
よい。この熱処理の際、処理雰囲気としては水素、窒
素、不活性ガス、あるいはHgやSe雰囲気中で行って
もよいし、また真空中で行ってもよい。また、p型電極
14形成の後、熱処理によってより低抵抗化あるいはさ
らなる接触抵抗の低減化を図ってもよい。この熱処理の
際、処理雰囲気としては水素、窒素、不活性ガスを用い
てもよいし、真空中で行ってもよい。これらHgSe結
晶層15形成後の熱処理とp型電極14形成後の熱処理
は、少なくともどちらか一方を行うだけでもよい。
Further, after forming the HgSe crystal layer 15 in the above-mentioned embodiment, the resistance may be further reduced by heat treatment. At the time of this heat treatment, the treatment atmosphere may be hydrogen, nitrogen, an inert gas, an atmosphere of Hg or Se, or a vacuum. Further, after forming the p-type electrode 14, heat treatment may be performed to further reduce the resistance or further reduce the contact resistance. At the time of this heat treatment, hydrogen, nitrogen or an inert gas may be used as a treatment atmosphere, or may be performed in vacuum. At least one of the heat treatment after forming the HgSe crystal layer 15 and the heat treatment after forming the p-type electrode 14 may be performed.

【0018】ところで、上記実施例では、p−n接合の
順方向に電流が流れる発光素子としての場合について述
べたが、p−n接合の逆方向に電流が流れる受光素子や
太陽電池などにおいてもp型電極の接触抵抗の低減化に
より素子特性が改善でき、受光素子では発光効率の向上
や応答速度の高速化が、また太陽電池では変換効率の向
上が可能となる。
By the way, in the above-mentioned embodiment, the case where the light emitting element in which the current flows in the forward direction of the pn junction has been described. The device characteristics can be improved by reducing the contact resistance of the p-type electrode, and it is possible to improve the light emitting efficiency and the response speed in the light receiving device and the conversion efficiency in the solar cell.

【0019】実施例2.上記実施例1では、HgSe結
晶層15として、Hgを含んだII〜VI族化合物結晶層を
用いてもよいと記載したが、p型低抵抗層を得やすくす
るためにV族元素(例えばAs、P)を含む結晶を用い
てもよい。Hg化合物結晶を含む半導体層に、不純物と
してV族元素を用いこれを含ませることにより、V族元
素がHg化合物中でアクセプタになって半導体層のp型
低抵抗層化を得やすいものとすることができる。
Example 2. In the above-mentioned Example 1, it was described that a II-VI group compound crystal layer containing Hg may be used as the HgSe crystal layer 15, but in order to easily obtain the p-type low resistance layer, a V group element (for example, As). , P) may be used. By using a group V element as an impurity in a semiconductor layer containing a Hg compound crystal and containing the same, the group V element serves as an acceptor in the Hg compound, thereby making it easy to obtain a p-type low resistance layer of the semiconductor layer. be able to.

【0020】次に、図3はこの発明に係る作用効果を説
明するエネルギー帯構造図である。図3において、16
の領域は金属、17の領域はp型半導体、18の領域は
狭い禁制帯幅を有する半導体層を示しており、19は伝
導帯、20は価電子帯、21はフェルミレベルを表して
いる。
Next, FIG. 3 is an energy band structure diagram for explaining the function and effect of the present invention. In FIG. 3, 16
The region (7) indicates a metal, the region (17) indicates a p-type semiconductor, and the region (18) indicates a semiconductor layer having a narrow band gap, 19 indicates a conduction band, 20 indicates a valence band, and 21 indicates a Fermi level.

【0021】図3(a)は、p型半導体17に例えば蒸
着によって電極金属16を形成した直後の金属/半導体
のエネルギー帯構造を示したものである。ほとんどの場
合、金属16と半導体17とは蒸着中に反応を起こさな
いため、エネルギー帯構造はショットキーコンタクトを
示し、電流ー電圧特性は整流性を示す。この特性を接触
抵抗の低い特性にするために、一般的には金属16と半
導体17界面に高密度キヤリアを有する半導体層を形成
したり、金属16と半導体17界面に狭い禁制帯幅を有
する半導体層を形成する方法がとられる。
FIG. 3A shows the metal / semiconductor energy band structure immediately after the electrode metal 16 is formed on the p-type semiconductor 17 by, for example, vapor deposition. In most cases, the metal 16 and the semiconductor 17 do not react with each other during vapor deposition, so that the energy band structure shows Schottky contact and the current-voltage characteristic shows rectification. In order to make this characteristic a low contact resistance, a semiconductor layer having a high-density carrier is generally formed at the interface between the metal 16 and the semiconductor 17, or a semiconductor having a narrow band gap at the interface between the metal 16 and the semiconductor 17. The method of forming the layers is taken.

【0022】しかし、p型ZnSe結晶のキャリア密度
は1018/cm3 以下のものしか実現されていないとい
う問題があるため、高密度キャリアを有する半導体層を
形成することができない。そこで、上述した各実施例に
おいては、金属16と半導体17界面に狭い禁制帯幅を
有する半導体層を形成する方法をとった。
However, since the p-type ZnSe crystal has a carrier density of 10 18 / cm 3 or less, a semiconductor layer having high-density carriers cannot be formed. Therefore, in each of the above-described embodiments, a method of forming a semiconductor layer having a narrow band gap at the interface between the metal 16 and the semiconductor 17 is adopted.

【0023】図3(b)は、狭い禁制帯幅を有するHg
化合物結晶を含んだ半導体層18、もしくはV族元素を
含むHg化合物結晶を含んだ半導体層をp型半導体層1
7と電極金属16との間に挟んだ場合のエネルギー帯構
造を示したものである。広い禁制帯幅を有するp型半導
体17と電極金属16との間に狭い禁制帯幅を有する半
導体層18を形成したために高いシヨットキー障壁を低
下できる。
FIG. 3B shows Hg having a narrow bandgap.
The semiconductor layer 18 containing a compound crystal or the semiconductor layer containing a Hg compound crystal containing a group V element is a p-type semiconductor layer 1.
7 shows the energy band structure when sandwiched between 7 and the electrode metal 16. Since the semiconductor layer 18 having a narrow bandgap is formed between the p-type semiconductor 17 having a wide bandgap and the electrode metal 16, the high Schottky barrier can be reduced.

【0024】図3(c)は、p型半導体層17と電極金
属16との間に狭い禁制帯幅を有するHg化合物結晶を
含んだ半導体層18、もしくはV族元素を含むHg化合
物結晶を含んだ半導体層を多層に挟んだ場合のエネルギ
ー帯構造を示したものである。
FIG. 3C includes a semiconductor layer 18 containing a Hg compound crystal having a narrow bandgap between the p-type semiconductor layer 17 and the electrode metal 16, or a Hg compound crystal containing a group V element. 2 shows an energy band structure when semiconductor layers are sandwiched between layers.

【0025】すなわち、広い禁制帯幅を有するp型半導
体層17上にはこのp型半導体層17の禁制帯幅よりも
狭い禁制帯幅を有するHg化合物結晶18(a)を形成
し、さらに、このHg化合物結晶18(a)上にはこの
Hg化合物結晶18(a)の禁制帯幅よりも狭い禁制帯
幅を有するHg化合物結晶18(b)を形成するという
ような構成で、段々に禁制帯幅が狭くなるようにHg化
合物結晶18を多層構造にしている。このため、高いシ
ヨットキー障壁が低いシヨットキー障壁に分割され、実
効的に低下できる。
That is, on the p-type semiconductor layer 17 having a wide bandgap, an Hg compound crystal 18 (a) having a bandgap narrower than the bandgap of the p-type semiconductor layer 17 is formed. On the Hg compound crystal 18 (a), a Hg compound crystal 18 (b) having a band gap narrower than the forbidden band width of the Hg compound crystal 18 (a) is formed. The Hg compound crystal 18 has a multilayer structure so that the band width becomes narrow. Therefore, the high sailboat key barrier is divided into the low sailboat key barriers, which can be effectively lowered.

【0026】図3(d)は、アニール等の処理によって
拡散係数が大きいHgをp型半導体層17に拡散させた
場合のエネルギー帯構造を示したものである。p型半導
体層17にHg化合物結晶を含んだ半導体層中18のH
gを拡散させることにより、広い禁制帯幅を有するp型
半導体層17と電極金属16に挟まれたHg化合物結晶
18の禁制帯幅が徐々に広くなり、高いシヨットキー障
壁が分割され実効的に低下できる。このため、正孔が金
属とp型半導体界面を通りやすくなり電流−電圧特性も
オーム性を示し、動作電圧を十分小さくした半導体素子
の提供が可能になる。
FIG. 3D shows an energy band structure when Hg having a large diffusion coefficient is diffused in the p-type semiconductor layer 17 by a treatment such as annealing. H in the semiconductor layer 18 in which the Hg compound crystal is included in the p-type semiconductor layer 17
By diffusing g, the forbidden band width of the Hg compound crystal 18 sandwiched between the p-type semiconductor layer 17 having a wide forbidden band width and the electrode metal 16 is gradually widened, and the high Schottky barrier is divided and effectively lowered. it can. For this reason, holes easily pass through the interface between the metal and the p-type semiconductor, and the current-voltage characteristic also exhibits ohmic characteristics, making it possible to provide a semiconductor element in which the operating voltage is sufficiently small.

【0027】以上の如く、この発明による半導体素子を
要約すると、次の態様に従って実施できる。
As described above, the semiconductor device according to the present invention can be summarized as follows.

【0028】(1)半導体層構造のp型結晶層へのオー
ミック接触を得るために、金属電極とp型結晶層(高抵
抗結晶層を含む)との間に、(CdZn)Hg(SSe
Te)で表記される、HgSe結晶、HgTe結晶、H
gS結晶、ZnHgSe結晶、ZnHgTe結晶、Zn
HgS結晶、CdHgSe結晶、CdHgTe結晶、C
dHgS結晶、もしくはこれらのうち2つ以上の結晶か
らなる混晶を半導体層として形成したことを特徴とする
半導体素子。
(1) In order to obtain ohmic contact with the p-type crystal layer of the semiconductor layer structure, (CdZn) Hg (SSe) is provided between the metal electrode and the p-type crystal layer (including the high resistance crystal layer).
Te), HgSe crystal, HgTe crystal, H
gS crystal, ZnHgSe crystal, ZnHgTe crystal, Zn
HgS crystal, CdHgSe crystal, CdHgTe crystal, C
A semiconductor device comprising a dHgS crystal or a mixed crystal composed of two or more of these crystals as a semiconductor layer.

【0029】(2)半導体層構造のp型結晶層(高抵抗
結晶層を含む)に隣接した上記(1)項に記載されたH
gを含む半導体層にV族元素を含む結晶を有することを
特徴とする半導体素子。
(2) The H described in the above item (1) adjacent to the p-type crystal layer (including the high resistance crystal layer) of the semiconductor layer structure.
A semiconductor element having a crystal containing a Group V element in a semiconductor layer containing g.

【0030】(3)半導体層構造のp型結晶層(高抵抗
結晶層を含む)がII〜VI族化合物であることを特徴とす
る上記(1)または(2)項に記載された半導体素子。
(3) The semiconductor device described in the above item (1) or (2), wherein the p-type crystal layer (including the high resistance crystal layer) of the semiconductor layer structure is a II-VI group compound. .

【0031】(4)半導体層多層構造の上記(1)項に
記載されたHgを含む結晶層または上記(2)項に記載
されたV族元素を含んだHgを含む結晶層が多結晶であ
ることを特徴とする半導体素子。
(4) The crystal layer containing Hg described in the above item (1) or the crystal layer containing Hg containing the group V element described in the above item (2) of the semiconductor layer multi-layer structure is polycrystalline. A semiconductor device characterized by being present.

【0032】[0032]

【発明の効果】以上のように、この発明の請求項1によ
れば、p型電極金属とp型II〜VI族半導体結晶との間
に、Hg化合物結晶を含む半導体層を形成したことによ
り、p型II〜VI族結晶との間に電気的障壁を作らず、従
って接触抵抗の低いp型電極を形成することができ、動
作電圧を十分小さくした半導体素子が得られる。
As described above, according to claim 1 of the present invention, the semiconductor layer containing the Hg compound crystal is formed between the p-type electrode metal and the p-type II-VI semiconductor crystal. , A p-type electrode having a low contact resistance can be formed without forming an electrical barrier between the p-type II-VI crystal and the p-type II-VI crystal, and a semiconductor device having a sufficiently low operating voltage can be obtained.

【0033】また、請求項2によれば、Hg化合物結晶
を含む半導体層に、不純物としてV族元素を用いこれを
含ませることにより、V族元素がHg化合物中でアクセ
プタになって半導体層のp型低抵抗層化を得やすいもの
とすることができ、接触抵抗の低いp型電極を形成でき
るという効果がある。
According to a second aspect of the present invention, the group V element is used as an impurity in the semiconductor layer containing the Hg compound crystal, and the group V element is contained as an impurity, so that the group V element serves as an acceptor in the Hg compound and the semiconductor layer is formed. The p-type low resistance layer can be easily obtained, and a p-type electrode having low contact resistance can be formed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】この発明の実施例1を示す断面図である。FIG. 1 is a sectional view showing a first embodiment of the present invention.

【図2】従来の半導体素子を示す断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view showing a conventional semiconductor device.

【図3】この発明の作用を示す金属/半導体のエネルギ
ー帯構造を示す説明図である。
FIG. 3 is an explanatory view showing a metal / semiconductor energy band structure showing the action of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 n型電極 2 n−GaAs結晶基板 3 n−GaAsバッファー層 4 高濃度n−ZnSe層 5 n−ZnSSe(S組成7%)層 6 n−ZnSe障壁層 7 ZnCdSe(Cd組成20%)井戸層 8 p−ZnSe障壁層 9 p−ZnSSe(S組成7%)層 10 高濃度p−ZnSe層 11 量子井戸構造 12 導波構造 13 電極ストライブ構造形成のためのポリイミド膜 14 p型電極 15 HgSe結晶層 16 金属 17 p型半導体 18 狭い禁制帯幅を有する半導体層 19 伝導帯 20 価電子帯 21 フェルミレベル 1 n-type electrode 2 n-GaAs crystal substrate 3 n-GaAs buffer layer 4 high concentration n-ZnSe layer 5 n-ZnSSe (S composition 7%) layer 6 n-ZnSe barrier layer 7 ZnCdSe (Cd composition 20%) well layer 8 p-ZnSe barrier layer 9 p-ZnSSe (S composition 7%) layer 10 High-concentration p-ZnSe layer 11 Quantum well structure 12 Waveguide structure 13 Polyimide film for forming an electrode stripe structure 14 P-type electrode 15 HgSe crystal Layer 16 metal 17 p-type semiconductor 18 semiconductor layer having a narrow band gap 19 conduction band 20 valence band 21 Fermi level

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 半導体多層構造のp型結晶層と金属電極
との間に、(CdZn)Hg(SSeTe)で表記され
るHg化合物結晶を含む半導体層を形成したことを特徴
とする半導体素子。
1. A semiconductor device comprising a semiconductor layer containing a Hg compound crystal represented by (CdZn) Hg (SSeTe) formed between a p-type crystal layer having a semiconductor multilayer structure and a metal electrode.
【請求項2】 半導体多層構造のp型結晶層と金属電極
との間に、V族元素を含んだ(CdZn)Hg(SSe
Te)で表記されるHg化合物結晶を含む半導体層を形
成したことを特徴とする半導体素子。
2. A (CdZn) Hg (SSe) containing a group V element between a p-type crystal layer of a semiconductor multilayer structure and a metal electrode.
A semiconductor element comprising a semiconductor layer containing a Hg compound crystal represented by Te).
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6206946B1 (en) 1996-08-09 2001-03-27 Kao Corporation Fertilizer absorption accelerator composition and fertilizer composition
WO2006091480A1 (en) * 2005-02-23 2006-08-31 Micron Technology, Inc. Snse-based limited reprogrammable cell

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