JPH06508911A - ソリッドステート電子装置用熱交換器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ソリッドステート電子装置用熱交換器 −＆吸旦立肛一 本発明は一般に、熱交換器の分野・特にソリッドステート電子回路等力１ら熱を 除去することを狙いとした装置と方法に関する。

−尺肌弘Ｒ１− 数十年前になるが、集積回路がはじめて導入されて以来、半導体の処理及び集積 回路の設計の関連分野で、その装置のサイズを小さくする努力力＜継続的：こな されている。勿論、この努力の目的は、回路の全体的密度を増すことであった。

今日、非常に大規模な集積回路（ＶＬＳＩ）の構成要素の密度は非常に太き（て 、回路の構成要素のスケーリングが一部、熱の考慮によって制限されるほどであ る。

換言すれば、今日、熱の消散と除去が重要な物理的問題となっており、これ力く 最新のコンビー−タフステムの性能と設計に影響を与えて１喝。

実例からみて、ジノグル高速エミッター結合ロジックゲート（ＥＣＬ）によって 生じる熱は典型的なものでは、数ミリワットである。例えば相補型金属酸化物半 導体（ＣＭＯ５）ロジックのような他のロジックファミリーは低レベルのエネル ギーしか消費しない。不都合なことに、これらのロジックゲートが単一の集積回 路上に無数、組立られると、その総動力消費量は容易にキロワｙトレベｌし１こ 達し、特に、高性能口′）ｙクゲートを使用する場合はそうである。

たとえ、低動力ロジックファミリーを使用するとしても、完全なデジタルコンピ ューターンステムは多数の個々の半導体チップ上に数百ｎ個のトランジスターが 製造されている。これらのチップは信号伝達の遅れを最小限にするためしばしば 一緒に接近して包装されるので、コンビニ−タンステムが数十キロワット、又は 数キロワットを発生することは珍らしいことではない。これらの動力レベルで、 １１積回路の操作温度はよく、１２０℃以上にもなることがある。そのように温 度が上昇すると、確実性に関して重大な問題を生じさせることがある。その結果 、熱の放散の問題を軽減するために、例えば、ヒートシンク、ファン、特殊材料 などのような種々の装置を使用する必要がある。

この問題に触れているツブカーマン外の米国特許第４，４５０，４７２号及４． ５７３．０６７号及びピース外の第４，５６７．５０５号は各々、半導体基板の 後側に微小なヒートフィンが形成されているようなヒートシンクを記載している 。

この基板の上面は集積回路を内蔵している。ノツカーマンによれば、ヒートフィ ンは、化学的エツチングやレーザースクライビング、反応イオンエツチング、電 気めっき、或いはシリコンダイの後側の超微小ソーイングのような技術を使って 半導体グイそれ自体に一体的に組立てられる。これらのスロットを通って水が吐 出され、それがダイを冷やす層流となる。

理論上、ノツカーマンのアプローチは集積回路から熱を有効に除去する手段を提 供する。しかしながら、実際的観点からは彼の方法はいくつかの非常に重大な欠 点を有する。第１に、半導体材料の後側に微細なチャンネル、又はスロット（ノ ツカーマンが必要とするタイプの）を形成することが非常にむづかしいという事 実がある。シリコンのような弱くて、もろくて、硬い材料に細いスロットをソー イングすると、破壊が生じたり、その他不規則性が生じたりすることが多い。

さらに、一体的に形成されたスロットに依存すると、冷却チャンネルの高さが大 ざっばに言って、／リコンウェファの厚さに制限される。このような制限を克服 するために、十分に高い冷媒の流量比で冷媒を強制的にスロｙ）を通過させ、十 分な熱の除去を行うために高圧が必要となる。

さらに、アスペクト比（深さ列幅）を十分に高くして正確で微小（５０！クロノ 位数以下の幅）なフィンを製造する作業は困難かつ複雑な工程であることに留意 しなければならない。もうひとつの問題は、半導体基板が水か冷媒に接触するこ とにより、シリコンダイが好ましくない汚染物や不純物に必ず接触するという事 実から生じる。基板が汚染すると、結局集積回路の確実性を損う。

従って、ここで必要とされる熱交換器は前述した従来のアプローチより一層実際 的で、費用が安価で、複雑な製造工程を少くしたものである。その熱交換器は熱 発生装置の統合性を危うくすることなしに、簡単で、かつ安価な方法で高速スイ ｌチ回路の熱除去要件を充足することができなければならない。

−３μＬＪ■１一 本発明は微小層流熱交換器及びその製法に関する。本発明の熱交換器は、理想的 には、半導体集積回路のような熱発生装置を冷やすのに適する。

この熱交換器自体は、１つのブロックを形成するため一緒に積層をなした複数の 薄板で成る。１つの実施例において、これらの薄板は、各々がその片面にエツチ ングされた微小窪部分を有する薄い銅ホイルストリップで成る。これらの窪部分 は積層にする前に、５０ミクロンのオーダーの深さの浅い部分となるように化学 的にエツチングされる。

薄板が一緒に積層にされる前か後に、窪部分の両側で薄板に穴が形成されるので 、薄板が積層にされる時、それらの穴が互いに符合して、一対の冷媒分配マニホ ルドを形成する。各マニホルドは基本的にはブロックへ挿入される管である。

これらの管は積層工程中、窪部分から形成される複数の微小チャンネルを介して 接続される。

チャンネルの厚みと冷媒の流量比を最適にすると、そのブロックは非常に有効な 熱交換器として機能する。熱を除去するために、ブロックの表面には、半導体ダ イが単に載置されるか、或いはそこに接着される。

好ましい　施伊の説Ｂ 熱発生装置を冷やす超小型の層流熱交換器を示す。次の説明において、本発明を 完全に理解してもらうために、例丸ば特定の寸法、材料及構造等のように多くの 特定した詳細が示されている。しかしながら、これらの特定した詳細を用いない で本発明を実施することができることはこの技術に熟達した人にとって明らかで あろう。その他、本発明を不必要にぼやけさせないために、周知の要素について は図示せず、また、詳細しないことにする。

図１を参μすれば、板部材１０が斜視図で示されている。好ましい実施例によレ バ、板部材ＩＯは面！ｌに窪部分１２がエツチングされた薄い銅ホイルで成る。

窪部分１２の深さは約５０ミクロンが好ましい。その窪部分１２には、穴１４、 ！５が形成され、これらの穴は窪部分の両端に位置する。窪部分１２と穴１４及 １５の機能上の重要性については後に簡単に説明する。

ここで図２を参照すれば、ブロック１８を形成するため積層をなした複数の同一 の薄板ｌＯが示されている。積層にする時、穴１４．１５が一線に並ぶことによ り、ブロック１８の内部を通って形成される一対の管、又はマニホルドを生じる ように穴１４．１５の位置が薄板ｌＯの中で一貫していることに留意する。

それぞれのマニホルドは窪部分１２により形成される微細なチャンネルによりブ ロック１８の内部で一緒に接続される。これらの接続チャンネルは積層工程で形 成され、それぞれの各薄板ｌＯの面１１はその隣接する薄板の後側に当接する。

マニホルド又は管と微細なチャンネルはともに共働して、ブロック１８の内部を 通る冷媒流体（例えば水）を供給し、分配する手段となる。

それらのマニホルドはブロック１８を貫通しないことに留意する。その代わりに 、ブロック１８の内部に位置する微細なチャンネル内に冷媒流体を含むために特 殊な端板１９が使用される。端板１９もまた、薄板１ｏに形成されたものと同じ 窪部分１２を有するが、そこには穴１４又は１５がない。かくして、穴１５によ って形成される流入マニホルドを通って流入する冷媒流体は、微小チャンネルを 通って流れる時、ブロック１８内に閉じ込められ、最後には、穴１４の符号によ り形成される流出マニホルドを通って流出する。

積層は個々の薄板１０からブロック１８を形成する多くの方法の中の一つの方法 に過ぎない。例えば、薄板ｌＯは製造工程のこの段階で成る他の手段によって互 いに接着、にかわ付け、ろう付け、或いは取付けることもできる。その唯一の厳 守しなければならない要件は、組立時、冷媒の層流を容易にする目的で、ブロッ ク１８を完全にンールしなければならないということである。即ち、流入マニホ ルドを通って流入する冷媒流体は、流出マニホルドまでの途中で細小チャンネル を通って流れるので、ブロック１８の外部へ漏れたり、滲出したりしてはならな い。従って、この目的で種々の周知の接着手段、或いは積層手段が使用される。

薄板１０を製造する材料の選択もまた、任意である。例えば銅のような熱伝導度 の高い材料が好ましいけれども、特定の用途次第で、或いは熱交換器が使用され る熱発生装置の型次第で他の材料が一層ふされしいこともある。例えば、熱発生 装置の熱膨張係数にぴったりと調和する熱膨張係数を有する材料で薄板１０を製 造することが好ましい場合もある。

本発明の好ましい実施例の完全に製造された熱交換器の斜視図が図３に示されて いる。製造工程の一部として、薄板ｌＯが一旦、積層に組立てられてブロック１ ８を形成し、端板１９が取付けられると、蓋板２２がブロック１８の前側に同様 に取付られる。実際に、端板１９と蓋板２２とを含むブロック全体は一つの積層 工程の一部として組立てられる（実際に、ブロック１８と端板１９を組立てた後 に蓋板２２を取付けなければならないということの意味ではない）。

蓋板２２は基本的には端板１９と同一機能を果す。蓋板２２の目的は微小チャン ネル内の冷媒流をブロック１８の内部に閉じ込めることであることは明らかであ る。その蓋板は端板１９と全く同一機能を果す。しかしながら、薄板１０に関連 して示してように、蓋板２２に窪部性１２を形成する必要は特にない。しかし、 蓋板２２は図３に示すように、それぞれの管２５．２４を取付ける穴１４．１５ を有していなければならない。

管２４．２５はブロック１８の内部を通って均等に冷媒を分配する手段となる。

例えば、通常の操作時、水のような冷媒流体が個々の薄板１０の穴１５と一線に 並んだ流入管２４内へ吐出される。冷媒がブロック１８へ流入した後、冷媒は層 流をなして微小チャノネルヘ流れ、熱交換を行う。これらの微小チャンネル内に おける冷媒流の方向が図３に矢印２６で示されている。窪部性１２によって形成 される微小チャンネルの長さを積切った後、冷媒は流出管２５から流出する。

図３の熱交換器が使用されるシステムの型次第で、流出管２５を冷却ユニットに 連結させることもでき、また、冷媒を流入管２４へ戻す前に流体を再度冷やす同 様の手段に連結させることもできる。図３は、更に半導体ダイ２０が通常の使用 中、熱交換器の頂部にどのように取付けられるかを実施例で示す。グイ２０表面 に組立てられた集積回路が図３に点線２１で示されている。

図３の実施例において、管２４．２５は典型的には、蓋板２２の厚みをこえて挿 入されることはないということの理解は重要である。その結果、熱交換器の強度 及び耐久性の要件次第で、蓋板２２は少し肉厚になるように製造することもでき る。もうひとつの選択は、蓋板２２をブロックの残り部分より他のもっと剛直な 材料で製造することである。

さらにもうひとつの変形は、管２４．２５をブロック１８の内部まで挿入させて さらに耐久性と強度を増すように図３の熱交換器を製造することである。しかし ながら、この場合、冷媒チャンネルと符合した１本の長いスロットを管２４及び ２５に備えるか、或いは冷媒がマニホルドから微小チャンネルへ、又はその逆方 向へ流れるようにする一連の微小開口を備えなければならない。勿論、これらの 開口は、冷媒が流れるように微小チャンネルと符合しなければならない。

本発明の１つのキーポイントは薄板】Ｏの面１１に形成される窪部性の深さであ る。理想的なものとしては、窪部性の深さは使用された冷媒に関連する熱境界層 の厚みの約２倍となるように形成される。この状態で、薄板の表面から冷媒流体 への熱移動が最大となり、さらに、ｌ平方インチ当りのチャンネル数が最大とな る。

明らかに、ブロック１８内のチャンネル密度（即ち、１平方インチ当りのチャン ネル数）が増大すると、本発明の熱除去特性が増強される。第１の好ましい実施 例において、個々の薄板ＩＯは約０．１２５−の厚みを有し、窪部性は普通の化 学的エノチノグ剤を使って約５０ミクロンの深さにエツチングされる。穴１４． １５は種々の形や寸法にすることができるが、現在、これらの穴の直径は約８− である。

この技術を実践する者は、そのような化学的エツチング以外の手段によって窪部 性を形成しうろことを認めている。例えば、銅のように比較的軟かい金属を使用 する場合、必要とされる窪部の形を薄板の表面に単にスタンプ加工したり、プレ ス加工することで形成することができる。さらにもうひとつの実施例では、一連 のフレーム部材と共に、もうひとつの位置に一連の平板を使用することもできる 。この場合、フレーム部材それ自体は両手板間に必要なチャンネルスペースとな る。熱伝導ブロック内に微小チャンネルを形成するという同一目的を達成するた めにその他の実施例も可能である。そのような他の実施例は本発明の本旨と範囲 内に含まれると考えられる。

基本特許に基づく多くの変形の一例として図４は熱交換器の内部の冷媒流に乱流 を与える１つの方法を示す。図４は前述した薄板に似た薄板１０の側面図を示す 。前述したような薄板１０は窪部性１２と、面１１と、穴１４．１５とを有する 。しかし、図４の薄板はさらに、窪部性１２内へ延びている指状部材３１を有す る。指状部材３１の面は面１１と同一面となる。例えば、窪部性１２が化学的エ ツチング作用によって形成される場合、指状部材３１はそのエツチング工程以前 に窪部性を適切に型どることにより容易に形成することができる。

指状部材３１の目的は微小チャンネルを通る通常の冷媒層流を遮断することであ る。図４の窪部性Ｉ２を通って流れる曲線矢印で示すように、冷媒は流出マニホ ルド部分に達する前に一層長い距離を流れるように強制される。意図的に起され る乱流効果と共に、冷媒流体が流動しなければならない距離が増大すると成る実 施例では、熱交換器内での熱交換が一層有効となる。

熱移動効果を実際に改善するものは、薄板１０を構成する材料の種類や冷媒流体 の種類、チャンネルの厚み、冷媒速度等のような要素次第で決る。邪魔部材の性 質（例えば、を旨状部材３１の形、スペース、長さなど）もまた、熱除去工程の 効率に影響を与える。従って、これらの要素の各々は、好ましくは、熱移動メカ ニズムを最も効率的に行うように選択される。（図４の邪魔板部材の形は例示の 目的でのみ示したものである。この技術に普通の技量を有する者にとって、多く の他の形や形管が可能であることは認められるであろう。）図５〜７は本発明の もうひとつの実施例を示す。この例では、冷媒は円形コア部材を通って容易に流 れる。プロ・１りを形成するために複数の別個の薄板を一緒に積層するのではな くて、図５〜７のもうひとつの実施例は円形コアを形成するため螺旋状に巻かれ た一本の熱伝導正性リボンで成る。

図５Ａ、５Ｂは２本のリボン３４．３６の横断面図を示す。リボン３４は■型パ ーに似た横断面図であり、リボン３６は３辺の矩形の形を有する。それぞれのリ ボン３４．３６の各側にある部分３５．３７は前述の実施例の窪部性１２に対応 する。これは部分３５．３７が化学的エツチング作用やスタンピング等のような 工程により形成されることを意味する。

一旦、リボン３４（又は３６）がそれ自体、螺旋状に巻かれ、単一のコア４０に 積層されると、部分３５（又は３７）はコア４０の中心を通って連続的に巻いた 蝉旋微小チャンネルを形成する（図６参照）。これらの微小チャンネルの形成状 態が図７に示されるコア４０の放射方向の堝断面切断図によって示される。

図７を見れば、リボン３４を連続的に巻いた結果、微小チャンネル部分３５がど のように形成されるかが容易にわかる。最終的には、一連のＨ２バ一部材を側部 を合わせて互いに積層したかのようである。コア４０内では、リボン３４の側面 ４６は、薄板ＩＯが一緒に接合してブロック１８内に微小チャンネルを形成する のと同じ手法で互いに当接する。ブロック１８を形成するのと同様に、コア４０ はチャ／ネル３５内に冷媒流を閉じ込めるリボン３４のンール工程により形成さ れる。

図６に戻れば、コア４０の平面図にはコアを両側から形成された２個の穴４６． ４７を示す。これらの穴は図６の熱交換器用の冷媒分配マニホルド手段を構成す る。言い換えれば、管４１．４２はそれぞれ穴４６．４７の端部に取付られるの で、冷媒流は矢印４４で示すように、コア４０のまわりを放射方向へ微小チャン ネルを通って送られる。

穴４６．４７はコア４０の中心を通って完全に伸長していないと理解することは 大変重要なことである。その管の侵入は中心点の手前で停止しなければならない 。なぜなら、冷媒流は微小チャンネルを通って容易に流れることを確実にする。

即ち、流入マニホルド管から流出マニホルド管へ直接流れない（即ち、チャンネ いずれの場合も等しい。

図面の簡単な説明 本発明とその目的及び特徴は図面を考慮に入れたとき次の詳細な説明と添付の請 求項とから一層容易に明らかとなるであろう。

図１は本発明に関連して使用される、窪部分を有する薄板の斜視図である。

図２はブロックを形成するため積層にした図１に示す複数に個々の薄板の斜視図 である。

図３は本発明の好ましい実施例の斜視図であって、熱交換器は半導体集積回路か ら熱を除去するために使用されるものとして示されている。

図４は本発明のもうひとつの実施例に使用される個々の薄板の側面図である。

図５Ａ及５Ｂは本発明のもうひとつの実施例に使用される伸長リボンの横断図面 である。

図６は図５Ａ又は図５Ｂのリボンがそれ自体、螺旋状に巻かれてコアを形成する ようにした本発明のもうひとつの実施例の平面図である。

図７は図６に示すコアからとった横断面図である。

ｆｆ１Ｉ［ｌ ７ＩＩＥ　＆ フロントページの続き （８１）指定国　ＥＰ（ＡＴ、ＢＥ、ＣＨ，ＤＥ。

ＤＫ、ＥＳ、ＦＲ，ＧＢ、ＧＲ，ＩＴ、ＬＵ、ＭＣ，ＮＬ、　ＳＥ）、０Ａ（Ｂ Ｆ、ＢＪ、ＣＦ、ＣＧ、ＣＩ、ＣＭ、ＧＡ、ＧＮ、ＭＬ、ＭＲ，ＳＮ、ＴＤ、Ｔ Ｇ）、ＡＴ、　ＡＵ、　ＢＢ、　ＢＧ、　ＢＲ，ＣＡ、　ＣＨ，ＤＥ、　ＤＫ。

ＥＳ、　ＦＩ、　ＧＢ、　ＨＵ、ＪＰ、　ＫＰ、　ＫＲ，ＬＫ、　ＬＵ、　ＭＧ 、　ＭＷ、　ＮＬ、　Ｎｏ、　Ｒ○、　ＲＵ、　ＳＤ、　ＳＥ

Claims (38)

【特許請求の範囲】
1. １．少くとも片方の面に沿って微小の窪部分を有し、複数枚を積層させてプロッ クを形成する複数の板を有し、そのブロック内の前記板の窪部分によって複数の 微小スロットが形成され、 前記スロットを通して冷媒流体を流す冷媒マニホルド手段を備え、前記プロック に熱発生装置を接触させてその熱発生装置を冷却する熱交換器。
2. ２．前記ブロックの端部で窪部分をシールする蓋板をさらに有するようにした、 請求項１に記載の熱交換器。
3. ３．前記板は熱伝導度の高い材料からなる請求項２に記載の熱交換器。
4. ４．前記板は銅である請求項３に記載の熱交換器。
5. ５．前記冷媒マニホルド手取を 前記冷媒を前記微小スロットの第１側へ送る流人ニホルドと、前記冷媒を前記ス ロットの第２側から流出させる流出マニホルドと、前記流入マニホルドから前記 流出マニホルドへ向う方向へ前記スロットを通って前記冷媒を吐出する手段とで 構成させた請求項３に記載の熱交換器。
6. ６．前記流人マニホルドと流出マニホルドは各々、前記ブロックの穴に取付られ た管で、前記穴は前記微小スロットに対する開口となるようにした請求項５に記 載の熱交換器。
7. ７．前記各板の前記窪部分の深さは熱境界層の厚みの約２倍である請求項６に記 載の熱交換器。
8. ８．前記冷媒が前記スロットを通って均等に分配される請求項７に記載の熱交換 器。
9. ９．前記冷媒と前記ブロックとの間で熱交換を一層効率的にするため前記スロッ ト内の前記冷媒の流れを変化させる邪魔板手段をさらに有するようにした請求項 ８に記載の熱交換器。
10. １０．前記窪部分が約５０ミクロンの深さを有する請求項８に記載の熱交換器。
11. １１．前記窪部分が、前記冷媒流が前記ブロックの内部に閉じ込められるように 、前記板の少くとも前記片面に沿って中心に位置づけられる請求項５に記載の熱 交換器。
12. １２．前記熱発生装置が集積回路を上に組込んだ半導体基板である請求項１１に 記載の熱交換器。
13. １３．第１及第２側部を有する長いリボンと、少くとも前記第１側部は微小窪部 分を有し、そのリボンをコア部材に螺旋状に巻き、前記第１及び第２側部が互い に接触して前記コアを通る微小チャンネルを形成し、前記微小チャンネルを通っ て冷媒流体を流動させ石冷媒マニホルド手段を備え、熱発生装置がそのコア部材 と接触きせられて冷却される熱発生装置を冷やす熱交換器。
14. １４．前記ブロックの端部で窪部分をシールする端板をさらに有する請求項１３ に記載の熱交換器。
15. １５．前記板は熱伝導度の高い材料からなる請求項１３に記載の熱交換器。
16. １６．前記板は銅からなる請求項１５に記載の熱交換器。
17. １７．前記冷媒マニホルド手段を 前記冷媒を前記微小スロットの第１側部へ送る流入マニホルドと、前記冷媒を前 記スロットの第２側部から除去する流出マニホルドと、前記流人マニホルドから 前記流出マニホルドへ向う方向へ前記スロットを通って前記冷媒を吐出する手段 とで構成させた請求項１５に熱交換器。
18. １８．前記流人マニホルドと流出マニホルドが各々、前記微小スロットの開口と なる前記ブロック内の穴内に取付られた管で構成されるクレーム１７に記載の熱 交換器。
19. １９．前記各板の前記窪部分の深さは熱境界層の厚みの約２倍である請求項１８ に記載の熱交換器。
20. ２０．前記冷媒は前記スロットを通って均等に分配される請求項１９に記載の熱 交換器。
21. ２１．前記冷媒と前記ブロックとの間の熱移動を一層効率よくするために前記ス ロット内の前記冷媒の流れを変化させる邪魔板手段をさらに有する請求項２０に 記載の熱交換器。
22. ２２．前記窪部分は約５０ミクロンの深さを有する請求項２１に記載の熱交換器 。
23. ２３．前記窪部分は、前記冷媒流が前記ブロックの内部に閉し込められるように 前記板の前記少くとも片面に沿って中心に位置づけられる請求項２２の熱交換器 。
24. ２４．前記熱発生装置がその上に集積回路を組込んだ半導体基板である請求項２ ３に記載の熱交換器。
25. ２５．複数の板に窪部分を形成し、 前記板を積層させてブロックを形成させ、前記窪部で前記ブロック内に複数の微 小スロットを形成させ、 前記ブロックの両側に前記微小スロットを貫通する第１及第２穴を前記プロック 内に形成し、 冷媒流体を前記第１穴から前記微小スロットを横切って前記第２穴へ流れるよう に前記第１及第２穴に対して管を接続する超小型の層流熱交換器の製法。
26. ２６．前記窪部分が化学的エッチングによって形成される請求項２５に記載の製 法。
27. ２７．前記窪部分が５０ミクロンオーダーの深さをである請求項２６に記載の製 法。
28. ２８．前記板を熱伝導度の高い材料とした請求項２７に記載の製法。
29. ２９．前記板を銅からなる請求項２８に記載の製法。
30. ３０．複数の板に窪部分を形成し、 その窪部分の両側に前記板を通る穴を形成させ、前記板を複数枚積層させてブロ ックを形成させ、その前記ブロック内に複数の微小スロットが前記窪部分で形成 され、その際前記板を、前記第１及第２穴が前記ブロック内で対応する第１及第 ２管を形成するように実質的に一線に並べて積層させ、 冷媒流体が前記第１管から前記微小スロットを横切って第２管へ流れるように前 記第１及第２管に対して管を接続をした超小型の層流熱交換器の製法。
31. ３１．前記窪部分は化学的エッチングにより形成される請求項３０に記載の製法 。
32. ３２．前記窪部分が５０ミクロンオーダーの深さを有する請求項３１に記載の製 法。
33. ３３．前記板が熱伝導度の高い材料からなる請求項３２に記載の製法。
34. ３４．前記板が銅ホイルストリップからなる請求項３３に記載の製法。
35. ３５．熱伝導度の高い材料でなる長いリボンの一側面に沿って微小窪部分を形成 し、 前記側面が前記リボンの背面に接触して前記コアを通して微小チャンネルが形成 されるように前記リボンをコアに螺旋状に積層にし、前記コアの両側から前記チ ャンネルを通すため前記第１及第２管状穴を形成し、冷媒流体が前記第１穴から 前記微小チャンネルを横切って前記第２穴へ流動し得るように、前記第１及第２ 穴への管接続を与える工程とで成り、超小型の層流熱交換器の製法。
36. ３６．前記リボンが銅からなる請求項３５に記載の製法。
37. ３７．前記窪部分が化学的エッチング工程によって形成される請求項３６に記載 の製法。
38. ３８．前記窪部分は約５０ミクロンの深さを有する請求項３７に記載の製法。