JPH0638950A - Radiographic apparatus - Google Patents

Radiographic apparatus

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JPH0638950A
JPH0638950A JP4195599A JP19559992A JPH0638950A JP H0638950 A JPH0638950 A JP H0638950A JP 4195599 A JP4195599 A JP 4195599A JP 19559992 A JP19559992 A JP 19559992A JP H0638950 A JPH0638950 A JP H0638950A
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ray
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scintillator
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rays
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Tetsuhiko Muraki
哲彦 村木
Kazuhisa Miyaguchi
和久 宮口
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Hamamatsu Photonics KK
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Hamamatsu Photonics KK
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Abstract

PURPOSE:To enable the monitoring of X rays transmitted from a subject itself accurately and in real time. CONSTITUTION:In a radiographic apparatus 2 which is provided with an X-ray source 1 for projecting X rays to a subject, a scintillator 23 which emits light with the entry of X rays from an X-ray source 1 as transmitted through the subject and a solid image sensor 21 to detect the light from the scintillator 23, the solid image sensor 21 has a second conductive type semiconductor substrate in which a photodetecting area is formed on the surface side thereof to convert the light from the scintillator 23 into electricity and a first conductive type impurities area on the rear side thereof. Moreover, a monitoring means is provided to detect a photocurrent output of a photodiode formed by an PN junction between the semiconductor substrate and the impurities area thereby monitoring an irradiation value of the X rays from the X-ray source. Here, the radiographic apparatus 2 also may be provided with a control means 53 to control an output of the X-ray source by the output of the monitoring means.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は固体撮像素子を用いたX
線撮像装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention relates to an X using a solid-state image sensor.
The present invention relates to a line imaging device.

【0002】[0002]

【従来の技術】CCD(電荷結合素子)などの固体撮像
素子を用いたX線撮像装置が知られ、これは例えば図4
のように構成される。図示の通り、X線源1とX線撮像
装置2の間には被写体3が配設され、X線源1からのX
線は被写体3を透過し、X線撮像装置2に入射される。
X線撮像装置2は固体撮像素子としてCCD素子21を
有し、その前面にはファイバ光学プレート22およびシ
ンチレータ23が配設される。
2. Description of the Related Art An X-ray image pickup device using a solid-state image pickup device such as a CCD (charge coupled device) is known.
It is configured like. As shown in the figure, a subject 3 is arranged between the X-ray source 1 and the X-ray imaging apparatus 2, and the X
The rays pass through the subject 3 and enter the X-ray imaging device 2.
The X-ray image pickup apparatus 2 has a CCD element 21 as a solid-state image pickup element, and a fiber optical plate 22 and a scintillator 23 are arranged on the front surface thereof.

【0003】図5のように、例えばIT(インタライン
・トランスファ)方式のCCD素子21は、フォトダイ
オードからなる受光領域41と、このからの信号電荷を
転送する垂直シフトレジスタ等からなる垂直電荷転送領
域42と、この転送電荷を更に転送する水平シフトレジ
スタ等からなる水平電荷転送領域43とを有している。
As shown in FIG. 5, for example, an IT (interline transfer) type CCD device 21 has a vertical charge transfer device including a light receiving region 41 including a photodiode and a vertical shift register for transferring signal charges from the light receiving region 41. It has a region 42 and a horizontal charge transfer region 43 composed of a horizontal shift register for further transferring this transfer charge.

【0004】そして、転送電荷はFDA(フローティン
グディフィュージョン・アンプ)44から出力される。
Then, the transfer charge is output from an FDA (floating diffusion amplifier) 44.

【0005】この構成によれば、被写体3を透過したこ
とによる透過X線像はシンチレータ23で光学像に変換
され、ファイバ光学プレート22を通ってCCD素子2
1で検出される。したがって、X線像の観察が可能であ
る。すなわち、得られる画像信号は透過X線量にほぼ比
例した大きさとなり、各画素の信号を順次読み出すこと
により、画像をディスプレイなどに表示することができ
る。
According to this structure, the transmitted X-ray image that has been transmitted through the subject 3 is converted into an optical image by the scintillator 23, passes through the fiber optical plate 22, and passes through the CCD element 2.
1 is detected. Therefore, the X-ray image can be observed. That is, the obtained image signal has a magnitude almost proportional to the transmitted X-ray dose, and the image can be displayed on a display or the like by sequentially reading out the signal of each pixel.

【0006】なお、フレームトランスファ(FT)方式
の蓄積領域を有しないものをフルフレームトランスファ
(FFT)方式という。但し、一般の用途でFFT方式
を使用する場合には、信号読み出し期間には閉じるよう
な機械的シャッタ、又は光源の発光を停止するなどの対
策が必要である。X線撮像では、アルミニウム等の遮光
材料でカバーされているため問題ない。使用するCCD
は、IT方式の他にFT方式、FFT方式でもよい。
A frame transfer (FT) system without storage areas is called a full frame transfer (FFT) system. However, when the FFT method is used for general purposes, it is necessary to take measures such as closing the mechanical shutter during the signal reading period or stopping the light emission of the light source. There is no problem in X-ray imaging because it is covered with a light-shielding material such as aluminum. CCD to use
May be an FT method or an FFT method in addition to the IT method.

【0007】前述のように、X線撮像において、得られ
る画像信号は透過X線量にほぼ比例した大きさとなるた
め、撮像すべき物体(被写体)により最適条件が異な
る。したがって、良好な画像を得るためには、X線の照
射条件(X線管電圧、管電流、照射時間)を最適に設定
する必要がある。特に医療の分野においては、再撮影に
よる患者に対するX線被爆量の増大を防ぐ必要があるた
め、この条件が重要になる。
As described above, in X-ray imaging, the image signal obtained has a size substantially proportional to the transmitted X-ray dose, and therefore the optimum conditions differ depending on the object (subject) to be imaged. Therefore, in order to obtain a good image, it is necessary to optimally set the X-ray irradiation conditions (X-ray tube voltage, tube current, irradiation time). In the medical field in particular, this condition is important because it is necessary to prevent an increase in the amount of X-ray exposure to the patient due to reimaging.

【0008】X線照射量をモニタするための従来の方法
として、固体撮像素子21に近接して配置されたフォト
ダイオードなどの光検出素子の出力を用いる技術があ
る。また、例えば特開昭63−143862号公報ある
いは特開昭56−123700号公報の技術に類似する
図6のように、X線撮像装置2に設けられた固体撮像素
子21自身の出力をコンパレータ51と設定値回路52
でモニタし、X線源コントローラ53によりX線源1を
コントロールする技術がある。いずれの方法も、光電流
出力からX線照射量を測定し、コンパレータにより最適
画像が得られるよう設定した基準値と比較を行ない、設
定値に達したらX線照射コントローラに制御信号を送る
というものである。
As a conventional method for monitoring the X-ray irradiation dose, there is a technique of using the output of a photodetector element such as a photodiode arranged in the vicinity of the solid-state image pickup element 21. Further, for example, as shown in FIG. 6 which is similar to the technique of Japanese Patent Laid-Open No. 63-143862 or Japanese Patent Laid-Open No. 56-123700, the output of the solid-state imaging device 21 itself provided in the X-ray imaging apparatus 2 is compared with the comparator 51. And set value circuit 52
There is a technique for monitoring the X-ray source 1 and controlling the X-ray source 1 by the X-ray source controller 53. In either method, the X-ray irradiation dose is measured from the photocurrent output, compared with the reference value set by the comparator to obtain the optimum image, and when the set value is reached, a control signal is sent to the X-ray irradiation controller. Is.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】しかし、撮像素子周辺
に配置された光検出素子を用いてX線量をモニタする方
法では、リアルタイムでモニタできるが、被写体自身か
らの信号(透過X線)をモニタしていないので精密さに
欠ける問題がある。
However, in the method of monitoring the X-ray dose by using the photo-detecting elements arranged around the image pickup element, the X-ray dose can be monitored in real time, but the signal (transmission X-ray) from the subject itself is monitored. There is a problem that it lacks precision because it is not done.

【0010】また、図6のように、撮像素子の出力自体
をモニタする方法では、被写体からの信号をモニタでき
るが、読出時間が必要なため、リアルタイムでのモニタ
は不可能である。ちなみに、医療分野における消化器系
診断の場合のように、低エネルギーのX線照射を随時に
行ない、バリウム等の陽性造影剤の流れをTVモニタで
観察する用途では、リアルタイムのモニタでなくても特
に問題はないが、診断用の高エネルギーX線照射のモニ
タとしては使用不可能である。
In the method of monitoring the output of the image pickup device itself as shown in FIG. 6, the signal from the subject can be monitored, but it takes time to read the signal, so that it cannot be monitored in real time. By the way, as in the case of digestive system diagnosis in the medical field, when low energy X-ray irradiation is performed at any time and the flow of a positive contrast agent such as barium is observed on a TV monitor, it does not have to be a real-time monitor. Although there is no particular problem, it cannot be used as a monitor for high-energy X-ray irradiation for diagnosis.

【0011】そこで本発明は、被写体自身からの透過X
線を正確に、かつリアルタイムでモニタできるX線撮像
装置を提供することを目的とする。
Therefore, the present invention uses the transmission X from the subject itself.
It is an object of the present invention to provide an X-ray imaging device that can monitor a ray accurately and in real time.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】本発明は、被写体にX線
を投射するX線源と、被写体を透過したX線源からのX
線の入射により発光するシンレータと、シンチレータか
らの光を検出する固体撮像素子とを備えるX線撮像装置
において、固体撮像素子は、表面側にシンチレータから
の光を光電変換する受光領域が形成され、裏面側に第1
導電型の不純物領域が形成された第2導電型の半導体基
板を有して構成され、半導体基板と不純物領域とのPN
接合により構成されるフォトダイオードの光電流出力を
検出して前記X線源からのX線の照射量をモニタするモ
ニタ手段を備えることを特徴とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention is an X-ray source for projecting X-rays on an object and an X-ray from the X-ray source transmitted through the object.
In the X-ray imaging device including a scintillator that emits light upon incidence of rays, and a solid-state image sensor that detects light from the scintillator, the solid-state image sensor has a light-receiving region that photoelectrically converts light from the scintillator on the surface side, First on the back side
A semiconductor substrate of a second conductivity type having a conductivity type impurity region is formed, and a PN between the semiconductor substrate and the impurity region is formed.
It is characterized by further comprising monitor means for detecting the photocurrent output of the photodiode constituted by the junction and monitoring the irradiation amount of the X-ray from the X-ray source.

【0013】ここで、モニタ手段の出力によりX線源の
出力をコントロールする制御手段を更に備えるX線撮像
装置としてもよい。
Here, the X-ray imaging apparatus may further include control means for controlling the output of the X-ray source by the output of the monitor means.

【0014】[0014]

【作用】本発明の構成によれば、CCDなどの固体撮像
素子の裏面にフォトダイオードを形成するので、被写体
を透過し、途中で吸収されずにフォトダイオードまで到
達したX線による信号を直接モニタすることができ、か
つ、リアルタイムで監視できる。したがって、このモニ
タ出力を用いて、X線源の出力を正確にコントロールで
きる。
According to the structure of the present invention, since the photodiode is formed on the back surface of the solid-state image pickup device such as CCD, the signal by the X-ray that has passed through the subject and reached the photodiode without being absorbed in the middle is directly monitored. And can be monitored in real time. Therefore, the output of the X-ray source can be accurately controlled using this monitor output.

【0015】[0015]

【実施例】以下、添付図面により、本発明の一実施例を
説明する。なお、同一要素には同一符号を付すこととし
て、重複した説明を省略する。
An embodiment of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. It should be noted that the same elements will be denoted by the same reference symbols, without redundant description.

【0016】図1は実施例の全体構成図であり、図2は
要部の構成図である。図示の通り、固体撮像素子として
のCCD素子21はアースされたP- 型半導体基板6を
有し、この表面側にはN型埋め込みチャンネル61が形
成される。そして、チャンネル61には、N+ 層62を
介して正電位が与えられることにより、半導体基板6と
の間のPN接合は逆バイアスとなっている。このN型埋
め込みチャンネル61上には、絶縁膜(図示せず)を介
して転送電極G1 〜G3 が設けられ、これらには転送ク
ロックφ1 〜φ3 が与えられている。なお、FT方式、
FFT方式の場合は、受光領域もCCDで構成されてい
るため、受光領域には上記と同様の埋め込みチャンネル
によるPN接合が形成されている。この受光領域では、
被写体を透過したX線のうちシンチレータ23で可視光
に変換された光が検出される。
FIG. 1 is an overall configuration diagram of the embodiment, and FIG. 2 is a configuration diagram of essential parts. As shown in the figure, the CCD device 21 as a solid-state image sensor has a P type semiconductor substrate 6 which is grounded, and an N type buried channel 61 is formed on the surface side thereof. Then, a positive potential is applied to the channel 61 via the N + layer 62, so that the PN junction with the semiconductor substrate 6 is reverse biased. Transfer electrodes G 1 to G 3 are provided on the N-type buried channel 61 via an insulating film (not shown), and transfer clocks φ 1 to φ 3 are applied to them. In addition, FT method,
In the case of the FFT method, since the light receiving area is also composed of a CCD, a PN junction is formed in the light receiving area by the buried channel similar to the above. In this light receiving area,
Of the X-rays that have passed through the subject, the light converted into visible light by the scintillator 23 is detected.

【0017】なお、CCD素子21としては、CCD素
子21の分光感度等の目的ごとの諸特性により、P/P
+ /P- 型半導体基板も使用することができる。
It should be noted that the CCD element 21 has a P / P ratio depending on various characteristics such as spectral sensitivity of the CCD element 21 for each purpose.
A + / P type semiconductor substrate can also be used.

【0018】一方、CCD素子21の裏面側にはN+
が形成されており、一種のフォトダイオード(PD)6
3として動作する。ここで、X線源から放出されるX線
には、図3に示すように、ファイバ光学プレート22を
透過する程度の高エネルギのX線も含まれている。すな
わち、X線源であるX線管の動作電圧を高くすると、出
力されるX線のうち相対光子数がピークとなる光子エネ
ルギが高くなるだけでなく、その出力スペクトルも高エ
ネルギ側に広がりを持つことになる。従って、シンチレ
ータ23とファイバ光学プレート22を使用する場合で
あっても、高エネルギのX線はシンチレータ23で可視
光に変換されることなくファイバ光学プレート22を透
過するので、本実施例に係るPD63を使用して高エネ
ルギのX線により発生したキャリアを検出することがで
きる。
On the other hand, an N + layer is formed on the back side of the CCD element 21, which is a kind of photodiode (PD) 6
It operates as 3. Here, as shown in FIG. 3, the X-rays emitted from the X-ray source also include high-energy X-rays that pass through the fiber optic plate 22. That is, when the operating voltage of the X-ray tube that is the X-ray source is increased, not only the photon energy at which the relative number of photons peaks in the output X-rays increases, but also the output spectrum thereof spreads toward the high energy side. I will have. Therefore, even when the scintillator 23 and the fiber optic plate 22 are used, high-energy X-rays pass through the fiber optic plate 22 without being converted into visible light by the scintillator 23, and thus the PD 63 according to the present embodiment. Can be used to detect carriers generated by high energy X-rays.

【0019】すなわち、可視光に変換された光をCCD
素子21の表面側で検出して画像信号とし、ファイバ光
学プレート22を透過した高エネルギのX線により発生
したキャリアをPD63で検出してモニタ信号とする。
このPD63は、半導体基板6の深部で、X線により発
生したキャリアを検出してモニタ信号とするため、半導
体基板6の濃度を低くし、バイアスを印加して空欠層が
広がっている状態で使用するのが望ましい。
That is, the light converted into visible light is transferred to the CCD.
An image signal is detected on the surface side of the element 21, and carriers generated by the high-energy X-rays transmitted through the fiber optical plate 22 are detected by the PD 63 to be used as a monitor signal.
Since the PD 63 detects carriers generated by X-rays in the deep portion of the semiconductor substrate 6 and uses it as a monitor signal, the concentration of the semiconductor substrate 6 is lowered, and a bias is applied to the PD 63 in a state in which the void layer is widened. It is desirable to use.

【0020】また、X線の直接検出においては、比較的
低エネルギのX線の領域の信号をCCD素子21の表面
側で検出して画像信号とし、高エネルギのX線による信
号を裏面のPD63で検出してモニタ信号として使用す
ることが可能である。
Further, in the direct detection of X-rays, a signal in the region of X-rays of relatively low energy is detected on the front surface side of the CCD element 21 to be an image signal, and a signal by the X-rays of high energy is PD63 on the rear surface. It is possible to detect and use as a monitor signal.

【0021】すなわち図1のように、P- 型半導体基板
6の裏面側に形成されたPD63による光電流出力は、
電流計、チャージアンプ(積分器)55により蓄積さ
れ、一定周期でコンパレータ51に与えられている。こ
こで、コンパレータ51には設定値回路52からの設定
電圧が与えられているので、X線照射量の多少によりコ
ンパレータ51出力が反転し、これがX線源コントロー
ラ53に与えられている。
That is, as shown in FIG. 1, the photocurrent output by the PD 63 formed on the back side of the P type semiconductor substrate 6 is
It is accumulated by an ammeter and a charge amplifier (integrator) 55 and given to the comparator 51 at a constant cycle. Here, since the set voltage from the set value circuit 52 is given to the comparator 51, the output of the comparator 51 is inverted depending on the amount of X-ray irradiation, and this is given to the X-ray source controller 53.

【0022】X線源コントローラ53はX線撮像の開始
と終了をコントロールしているが、上記のモニタ結果に
応じて、X線源1の出力を調整することが望ましい。ま
た、この場合、照射時間だけでなく、管電圧、管電流と
もに制御できることが望ましい。このようにすると、被
写体3のX線透過性に応じて、最適な条件で撮像ができ
る。
The X-ray source controller 53 controls the start and end of X-ray imaging, but it is desirable to adjust the output of the X-ray source 1 according to the above-mentioned monitor result. In this case, it is desirable that not only the irradiation time but also the tube voltage and the tube current can be controlled. By doing so, imaging can be performed under optimum conditions according to the X-ray transparency of the subject 3.

【0023】なお、図2においては、CCD素子21の
表面側にN型埋め込みチャネルが形成されているが、N
型ではなくP型であるP型埋め込みチャネルでも上記の
実施例と同様の効果を得ることができる。この場合にお
いては、上記実施例におけるPとNが全て逆の構成にな
る。
Although an N-type buried channel is formed on the surface side of the CCD element 21 in FIG.
Even if a P-type buried channel that is P-type instead of D-type is used, the same effect as that of the above-described embodiment can be obtained. In this case, P and N in the above embodiment are all opposite.

【0024】[0024]

【発明の効果】以上の通り、本発明のX線撮像装置によ
れば、固体撮像素子としてのCCDを構成する半導体基
板の裏面側に形成されたフォトダイオードで、途中で吸
収されることなくフォトダイオードまで到達したX線に
よる信号をモニタすることにより、被写体自身を透過し
たX線を直接に、かつリアルタイムで得ることが可能で
ある。従って精度よく、診断用としての高エネルギーX
線照射における照射量のモニタを行うことが可能とな
る。
As described above, according to the X-ray image pickup apparatus of the present invention, the photodiode formed on the back surface side of the semiconductor substrate constituting the CCD as the solid-state image pickup element does not absorb light in the middle of the photodiode. By monitoring the signal due to the X-ray reaching the diode, it is possible to directly obtain the X-ray transmitted through the subject itself in real time. Therefore, it is accurate and has high energy X for diagnosis.
It is possible to monitor the irradiation amount in the line irradiation.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】実施例の全体構成図である。FIG. 1 is an overall configuration diagram of an embodiment.

【図2】実施例の要部構成図である。FIG. 2 is a main part configuration diagram of an embodiment.

【図3】管電圧とX線スペクトルとの関係を示す図表で
ある。
FIG. 3 is a chart showing the relationship between tube voltage and X-ray spectrum.

【図4】一般的な従来装置の構成図である。FIG. 4 is a configuration diagram of a general conventional device.

【図5】固体撮像素子(CCD)の平面図である。FIG. 5 is a plan view of a solid-state image sensor (CCD).

【図6】従来例の構成図である。FIG. 6 is a configuration diagram of a conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…X線源、2…X線撮像装置、21…CCD素子、2
2…ファイバ光学プレート、23…シンチレータ、3…
被写体、51…コンパレータ、52…設定値回路、53
…X線源コントローラ、55…電流計、チャージアン
プ、6…P型半導体基板、61…N型埋め込みチャンネ
ル、63…フォトダイオード。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... X-ray source, 2 ... X-ray imaging device, 21 ... CCD element, 2
2 ... Fiber optic plate, 23 ... Scintillator, 3 ...
Subject, 51 ... Comparator, 52 ... Setting value circuit, 53
... X-ray source controller, 55 ... Ammeter, charge amplifier, 6 ... P-type semiconductor substrate, 61 ... N-type buried channel, 63 ... Photodiode.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 被写体にX線を投射するX線源と、前記
被写体を透過した前記X線源からのX線の入射により発
光するシンレータと、前記シンチレータからの光を検出
する固体撮像素子とを備えるX線撮像装置において、 前記固体撮像素子は、表面側に前記シンチレータからの
光を光電変換する受光領域が形成され、裏面側に第1導
電型の不純物領域が形成された第2導電型の半導体基板
を有して構成され、 前記半導体基板と前記不純物領域とのPN接合により構
成されるフォトダイオードの光電流出力を検出して前記
X線源からのX線の照射量をモニタするモニタ手段を備
えることを特徴とするX線撮像装置。
1. An X-ray source that projects X-rays onto a subject, a scintillator that emits light when incident from the X-ray source that has passed through the subject, and a solid-state image sensor that detects light from the scintillator. In the X-ray imaging device having the second conductivity type, the solid-state imaging device has a light receiving region for photoelectrically converting light from the scintillator on a front surface side, and a first conductivity type impurity region on a back surface side. A monitor configured to have a semiconductor substrate, and detecting a photocurrent output of a photodiode configured by a PN junction between the semiconductor substrate and the impurity region to monitor an X-ray irradiation amount from the X-ray source. An X-ray imaging apparatus comprising means.
【請求項2】 前記モニタ手段の出力により前記X線源
の出力をコントロールする制御手段を更に備える請求項
1記載のX線撮像装置。
2. The X-ray imaging apparatus according to claim 1, further comprising control means for controlling the output of the X-ray source by the output of the monitor means.
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5664001A (en) * 1995-03-24 1997-09-02 J. Morita Manufacturing Corporation Medical X-ray imaging apparatus
KR20010087543A (en) * 2000-03-07 2001-09-21 이성호 A digital radiation image processing apparatus
JP2001299734A (en) * 2000-04-27 2001-10-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd Radiographic apparatus
JP2002289822A (en) * 2001-03-23 2002-10-04 Hamamatsu Photonics Kk X-ray ccd
WO2004086017A1 (en) * 2003-03-26 2004-10-07 Matsushita Electric Industrial Co. Ltd. X-ray imaging device
US7262399B2 (en) 2004-04-30 2007-08-28 J. Morita Manufacturing Corporation Automatic exposure control method of image and automatic exposure control system using the method
JP2010516318A (en) * 2007-01-19 2010-05-20 イー2ヴイ テクノロジーズ (ユーケイ) リミテッド Image forming apparatus

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5664001A (en) * 1995-03-24 1997-09-02 J. Morita Manufacturing Corporation Medical X-ray imaging apparatus
KR20010087543A (en) * 2000-03-07 2001-09-21 이성호 A digital radiation image processing apparatus
JP2001299734A (en) * 2000-04-27 2001-10-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd Radiographic apparatus
JP2002289822A (en) * 2001-03-23 2002-10-04 Hamamatsu Photonics Kk X-ray ccd
WO2004086017A1 (en) * 2003-03-26 2004-10-07 Matsushita Electric Industrial Co. Ltd. X-ray imaging device
US7262399B2 (en) 2004-04-30 2007-08-28 J. Morita Manufacturing Corporation Automatic exposure control method of image and automatic exposure control system using the method
JP2010516318A (en) * 2007-01-19 2010-05-20 イー2ヴイ テクノロジーズ (ユーケイ) リミテッド Image forming apparatus

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