JPH0638512B2 - Photoelectric conversion semiconductor device - Google Patents

Photoelectric conversion semiconductor device

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JPH0638512B2
JPH0638512B2 JP58204441A JP20444183A JPH0638512B2 JP H0638512 B2 JPH0638512 B2 JP H0638512B2 JP 58204441 A JP58204441 A JP 58204441A JP 20444183 A JP20444183 A JP 20444183A JP H0638512 B2 JPH0638512 B2 JP H0638512B2
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JP
Japan
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electrode
photoelectric conversion
semiconductor
organic resin
conductive film
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舜平 山崎
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Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
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    • H01L31/18Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は複数の光電変換装置を同一基板上に設けた集積
型光電変換半導体装置の構造に関する。
The present invention relates to a structure of an integrated photoelectric conversion semiconductor device in which a plurality of photoelectric conversion devices are provided on the same substrate.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来、非単結晶半導体即ちアモルファスシリコンを含む
非単結晶シリコンを主成分としたPIN 接合により、光起
電力を光照射により発生させんとしていた。
Conventionally, a PIN junction mainly composed of non-single-crystal semiconductor, that is, non-single-crystal silicon including amorphous silicon, has been used to generate photovoltaic power by light irradiation.

しかしかかる接合を有する半導体の上下の電極は直列接
続をするため、1つのセルの下側電極と隣のセルの上側
電極とを電気的に連結を活性領域の「外側」でさせなけ
ればならず、かつ各セル間は互いに電気的にアイソレイ
トされていることを必要な条件としていた。
However, since the upper and lower electrodes of the semiconductor having such a junction are connected in series, it is necessary to electrically connect the lower electrode of one cell and the upper electrode of the adjacent cell “outside” of the active region. In addition, it is necessary to electrically isolate the cells from each other.

第1図は従来構造の代表的な例を示している。FIG. 1 shows a typical example of a conventional structure.

第1図(A)は光電変換装置(1)を透光性のガラス基
板(2)を下側にした背面より見た平面図である。
FIG. 1 (A) is a plan view of the photoelectric conversion device (1) viewed from the back side with the translucent glass substrate (2) facing down.

図面において、光照射により光起電力を発生する活性領
域(14)と、各セル(11)、(13)を連結する連結部
(12)を有する非活性領域(15)とを有する。第1図
(A)のA−A′、B−B′の縦断面図を対応させて
(B)、(C)に示していることより明らかなごとく、
活性領域の各セル(11)、(13)におけるガラス基板
(2)上の第1の電極の透光性導電膜(3)は各セル間
で互いに分離されている。
In the drawing, it has an active region (14) that generates a photoelectromotive force by light irradiation, and an inactive region (15) having a connecting portion (12) that connects the cells (11) and (13). As is clear from the fact that the vertical cross-sectional views of AA 'and BB' of FIG. 1A are shown in correspondence with each other in (B) and (C),
The transparent conductive film (3) of the first electrode on the glass substrate (2) in each cell (11) and (13) in the active region is separated from each other.

また半導体(4)は各セル間にて互いに連結されてい
る。また非活性領域において、セル(13)の上側電極
は、セル(11)の下側電極と連結部(6)、(7)での
コンタクト(18)で連結し、これを繰り返し5つのセル
を外部電極(8)、(9)間にて直列接続をさせてい
る。
The semiconductors (4) are connected to each other between the cells. In the inactive region, the upper electrode of the cell (13) is connected to the lower electrode of the cell (11) by the contact (18) at the connecting portions (6) and (7), and this is repeated to form five cells. The external electrodes (8) and (9) are connected in series.

〔従来技術の問題点〕[Problems of conventional technology]

この従来構造は一見半導体(4)が1枚であるため製造
歩留りが高いように見える。しかし実際には3種類(第
1の導電膜のパターニング用の第1のマスク、非活性領
域形成のための第2のマスク、第2の導電膜のパターニ
ング用の第3のマスク)のマスクを用いるが、そのマス
クにおいて第1のマスクと第3のマスクとがセルファラ
イン方式でないため、マスクずれを起こしやすい。
At first glance, this conventional structure seems to have a high manufacturing yield because there is only one semiconductor (4). However, actually, three types of masks (a first mask for patterning the first conductive film, a second mask for forming the inactive region, and a third mask for patterning the second conductive film) are used. Although the mask is used, since the first mask and the third mask are not the self-alignment method in the mask, a mask shift is likely to occur.

このずれ(即ち金属マスクにおいては0.3 〜1mmのずれ
はごく当然である)により、セルの有効面積が10〜20%
も実質的に減少してしまうことが判明した。
Due to this shift (that is, a shift of 0.3 to 1 mm is quite natural in a metal mask), the effective area of the cell is 10 to 20%.
Was also found to be substantially reduced.

さらにマスクを用いるため、第1図(B)の活性領域で
の電極間の開溝であるアイソレイション領域(22)は、
0.2 〜1mm 例例えば0.5 mmを有するため、セル巾を10mm
とする時、2mm ずれるとするとセル巾(11)は8mm とな
り、アイソレイション巾(22)は2.5mm となってしま
い、20%近くも有効面積が減少してしまう。またセルの
外枠の占める面積も5〜7%もある。
Further, since a mask is used, the isolation region (22), which is a groove between the electrodes in the active region of FIG.
0.2 to 1 mm, for example 0.5 mm, so the cell width is 10 mm
Then, if it is deviated by 2 mm, the cell width (11) becomes 8 mm, the isolation width (22) becomes 2.5 mm, and the effective area decreases by nearly 20%. The area occupied by the outer frame of the cell is also 5 to 7%.

このため上下の電極の組合せをセルフレジストレイショ
ン化することがその効率の向上のために強く求められて
いた。
For this reason, it has been strongly demanded that the combination of the upper and lower electrodes be self-registered in order to improve its efficiency.

また第1図の従来例においては、基板に活性領域の外側
に基板に非活性領域(15)が設けられ、この非活性領域
は基板全体における20〜30%も占めてしまう。このため
プロセス上の効率が低くなり、ひいては製造コストの低
下を図ることができない。
Further, in the conventional example of FIG. 1, the inactive region (15) is provided on the substrate outside the active region, and this inactive region occupies 20 to 30% of the entire substrate. For this reason, the efficiency in the process becomes low, and eventually the manufacturing cost cannot be reduced.

このため非活性領域が存在しない光電変換装置を作るこ
とがきわめて重要であった。
Therefore, it was extremely important to make a photoelectric conversion device having no inactive region.

また基板がガラス基板では、機械ストレスにより破損し
やすいく、また高価であり、量産に向かない。
If the substrate is a glass substrate, it is easily damaged by mechanical stress and is expensive, which is not suitable for mass production.

このため、光電変換装置の耐機械破損防止、安価、多量
生産のための基板として可曲性の透光性有機薄膜の使用
が求められてきた。
For this reason, there has been a demand for the use of a flexible translucent organic thin film as a substrate for preventing mechanical damage of photoelectric conversion devices, inexpensive, and for mass production.

〔発明の目的〕[Object of the Invention]

本発明は有機樹脂薄膜上に形成される集積型光電変換半
導体装置において、視覚的商品価値が高く、高変換効率
を有し、かつ製造工程上の効率のよい光電変換装置の構
造を提供することを目的とする。
The present invention provides a structure of an integrated photoelectric conversion semiconductor device formed on an organic resin thin film, which has high visual commercial value, high conversion efficiency, and good manufacturing process efficiency. With the goal.

〔問題を解決する手段〕[Means for solving problems]

上記の目的を達成する為に本願発明の光電変換半導体装
置は、絶縁表面を有する有機樹脂基板上に導電膜の第1
の電極、該第1の電極上の光照射により光起電力を発生
させる非単結晶半導体、および前記非単結晶半導体上の
第2の電極を有する光電変換素子を複数個集積化して前
記有機樹脂基板上に設けるに際し、隣合う前記光電変換
素子の第1および第2の電極は前記非単結晶半導体の端
部に至らない内部で電気的に直列に連結した連結部を有
することを特徴としている。
In order to achieve the above object, the photoelectric conversion semiconductor device of the present invention has a first conductive film formed on an organic resin substrate having an insulating surface.
Electrode, a non-single crystal semiconductor that generates a photoelectromotive force by light irradiation on the first electrode, and a plurality of photoelectric conversion elements having a second electrode on the non-single crystal semiconductor are integrated to integrate the organic resin. When provided on a substrate, the first and second electrodes of the adjacent photoelectric conversion elements have a connecting portion electrically connected in series inside the end portion of the non-single crystal semiconductor. .

また、本願発明の光電変換半導体装置は、絶縁表面を有
する基板上に配列された透光性導電膜の複数の第1の電
極、該第1の電極および該電極間の開溝を覆って設けら
れた光照射により光起電力を発生させる非単結晶半導
体、および前記第1の電極に対応して前記半導体上に設
けられた透光性導電膜と該膜上のクロムを主成分とする
金属とよりなる複数の第2の電極とを有する複数の光電
変換素子を備え、隣合う前記光電変換素子の第1および
第2の電極は前記非単結晶半導体の端部に至らない内部
に設けられた開孔を介して前記第2の電極と同一材料に
より電気的に連結した連結部を有することを特徴として
いる。
Further, the photoelectric conversion semiconductor device of the present invention is provided so as to cover a plurality of first electrodes of a transparent conductive film arranged on a substrate having an insulating surface, the first electrodes, and open grooves between the electrodes. A non-single-crystal semiconductor that generates a photoelectromotive force by irradiation with light, a light-transmitting conductive film provided on the semiconductor corresponding to the first electrode, and a metal containing chromium as a main component on the film. A plurality of photoelectric conversion elements each having a plurality of second electrodes made of, and the first and second electrodes of the adjacent photoelectric conversion elements are provided inside the end portion of the non-single-crystal semiconductor. The second electrode is characterized in that it has a connecting portion electrically connected to the second electrode by the same material.

また、上記の構成において連結部は非単結晶半導体に設
けられた開孔と概略同一形状の開孔が第1の透光性導電
性酸化膜電極に前記開孔下の有機樹脂表面を露呈して設
けられ、該第1の電極の側部または側部と上部とに第2
の電極を構成する導電性酸化物材料が密接して設けられ
たことを特徴としている。
Further, in the above structure, the connecting portion has an opening having substantially the same shape as the opening provided in the non-single crystal semiconductor, and exposes the organic resin surface under the opening to the first translucent conductive oxide film electrode. Is provided on the side of the first electrode or on the side and the upper side of the second electrode.
It is characterized in that the conductive oxide material forming the electrode of (3) is closely provided.

また、第1の電極または第2の電極のうち少なくともど
ちらか一方の電極の外周部領域のうち電極間連結部分以
外の領域に、前記電極の端部に沿ってリーク防止のため
の分離用開溝を設けたことを特徴としている。
In addition, a separation opening for preventing leakage along the end portion of the electrode is formed in a region other than the inter-electrode connecting portion in the outer peripheral region of at least one of the first electrode and the second electrode. It is characterized by the provision of grooves.

すなわち本発明においては、有機樹脂基板上に、第1の
電極と、この電極上に光照射により光起電力を発生する
非単結晶半導体と、該半導体上の第2の電極とよりなる
複数の光電変換素子を直列接続して配設するに関し、隣
合った素子間の電気的連結を活性領域の非単結晶半導体
の端部に至らない内部に開孔を介してコンタクトを設け
て成就したことがその構成上の最大の特徴である。
That is, in the present invention, on the organic resin substrate, a plurality of first electrodes, a non-single crystal semiconductor that generates a photoelectromotive force by light irradiation on the electrodes, and a second electrode on the semiconductor are provided. Regarding the arrangement of photoelectric conversion elements connected in series, the electrical connection between adjacent elements was achieved by providing a contact through an opening inside the active region that does not reach the end of the non-single-crystal semiconductor. Is the greatest feature of its structure.

また本発明においては、さらに第1図(A)における領
域(15)のごとき非活性領域がまったく存在せず、連結
部が即ち各セルのアイソレイション領域を構成せしめて
いる。
Further, in the present invention, the inactive region such as the region (15) in FIG. 1 (A) does not exist at all, and the connecting portion constitutes the isolation region of each cell.

本発明においては第1のセルの第1の電極と、第2のセ
ルの第2の電極との連結部のコンタクトは、基板上の半
導体の端部に至らない「内部」(この第2図では中央
部)に開孔を設けることにより成就され、従来とそのコ
ンタクトの位置がまったく異なっている。
In the present invention, the contact at the connecting portion between the first electrode of the first cell and the second electrode of the second cell does not reach the end of the semiconductor on the substrate "inside" (see FIG. 2). This is accomplished by providing a hole in the center), and the position of the contact is completely different from the conventional one.

本発明は上記の構成をとることにより、光電変換素子ま
たはセル(以下単にセルという)を絶縁表面を有する有
機樹脂基板上に複合化するに関し、光照射面側からは複
数の第1の電極の分離用の開溝が見られるのみ(コンタ
クト部は微小な開孔であるため、肉眼で見つけることは
極めて困難である)となり、前記開溝(隣合ったセル間
の切断線)を肉眼では十分見分けにくい100 μ以下好ま
しくは5〜70μとすることで、装置全体としての視覚的
商品価値を向上させることを可能とした。
The present invention relates to compounding a photoelectric conversion element or a cell (hereinafter simply referred to as a cell) on an organic resin substrate having an insulating surface by adopting the above-mentioned configuration. Only the separation groove is visible (the contact part is a minute hole, so it is extremely difficult to find it with the naked eye), and the opening groove (cutting line between adjacent cells) is sufficient with the naked eye. It was possible to improve the visual commercial value of the device as a whole by setting it to 100 μ or less, which is difficult to distinguish, and preferably 5 to 70 μ.

すなわちこのコンタクトを形成するに際して、隣合うセ
ル間の半導体をすべて切断する構造で開溝を形成するの
ではなく、その開溝(20〜90μφ)を1つまたは複数個
不連続に設けることにより、この開溝の存在が透光性有
機樹脂薄膜表面側より実質的に肉眼で見い出し得ず、連
結部が目障りにならないようにすることができ、視覚的
商品価値を向上することができた。
That is, when forming this contact, by forming one or a plurality of open grooves (20 to 90 μφ) discontinuously, instead of forming an open groove in a structure that cuts all semiconductors between adjacent cells, The existence of the groove cannot be found with the naked eye from the surface side of the light-transmitting organic resin thin film, and the connecting portion can be prevented from being an eyesore, and the visual commercial value can be improved.

またコンタクトが開孔であるため、その孔の側周辺のす
べての側面が第1の電極と第2の電極との連結部のコン
タクトを構成することができ、この部分での接触抵抗を
1Ω以下に下げることができた。
Further, since the contact is an opening, all the side surfaces around the side of the hole can form a contact at the connecting portion between the first electrode and the second electrode, and the contact resistance at this portion is 1Ω or less. I was able to lower it.

さらにこの内部コンタクトにより、透光性導電膜の光電
変換装置に与える直列抵抗を小さくできる。この結果、
連結部をセルの外側に設けなかったことにより、著しく
その有効面積と変換効率の向上を図ることができた。
Further, this internal contact can reduce the series resistance applied to the photoelectric conversion device of the transparent conductive film. As a result,
Since the connecting portion is not provided outside the cell, the effective area and the conversion efficiency can be remarkably improved.

また、活性領域に設けられたセルにおける透光性基板上
の第1の電極と、この電極上に光照射により光起電力を
発生する非単結晶半導体と、該半導体上の第2の電極と
のそれぞれを、概略同一形状、概略同一位置(セルフレ
ジストレイション)構造とすることにより、複合化の合
わせ精度のズレによる製造上の歩留り向上、製造工程に
おける効率の向上を果たすことができた。
Further, a first electrode on the transparent substrate in the cell provided in the active region, a non-single-crystal semiconductor that generates a photoelectromotive force on the electrode by light irradiation, and a second electrode on the semiconductor. By making each of them have substantially the same shape and substantially the same position (self-registration) structure, it was possible to improve the manufacturing yield and the efficiency in the manufacturing process due to the deviation of the alignment accuracy of the compounding.

本発明はかかる多くの特長を有するものであって、以下
に図面に従ってその詳細を記す。
The present invention has many such features, and the details will be described below with reference to the drawings.

〔実施例〕〔Example〕

本実施例においては、有機樹脂薄膜とこの上面の透光性
導電膜とがレーザスクライブを実施するのに際し、透光
性導電膜をスクライブしつつも有機樹脂薄膜にまったく
損傷を与えることのない条件が実験的に存在することを
見いだし、この事実を利用して本願発明の光電変換半導
体装置を作製した。
In this example, when the organic resin thin film and the transparent conductive film on the upper surface are used to perform laser scribing, a condition that does not damage the organic resin thin film at all while scribing the transparent conductive film Was found experimentally, and the photoelectric conversion semiconductor device of the present invention was produced by utilizing this fact.

本発明者らは基板側よりの光照射を可能とする透光性有
機樹脂薄膜と、その上の酸化インジュームまたは酸化ス
ズを主成分とする導電性酸化膜よりなる透光性導電膜に
対して、レーザ光を照射した時、この透光性有機樹脂薄
膜を損傷せずに透光性導電膜を選択的に除去することが
できる条件を実験的に検討したところ、そのレーザ光を
1つの場所に長時間(数十m秒以上)照射することな
く、また走査(スキャン)スピードを適切化することに
より、透光性導電膜のみを除去することが可能であるこ
とを見いだした。
The present inventors have proposed a translucent organic resin thin film that enables light irradiation from the substrate side, and a translucent conductive film made of a conductive oxide film containing indium oxide or tin oxide as a main component thereon. Then, when the laser light was irradiated, the conditions under which the transparent conductive film could be selectively removed without damaging the transparent organic resin thin film were experimentally examined. It was found that it is possible to remove only the transparent conductive film without irradiating the place for a long time (tens of milliseconds or more) and by optimizing the scanning speed.

即ち、レーザ光の照射により透光性有機樹脂薄膜は熱伝
導率が小さい(一般には1〜7×10-4Cal / sec/cm2
/(℃/cm))ため、同じ位置に繰り返しレーザパルス
を加えると、この有機樹脂内に熱が蓄積され、この熱で
樹脂が炭化され切断されてしまう。しかしその繰り返し
を1回または数回とすると、この透光性有機樹脂薄膜の
熱伝導率が透光性導電膜の1/103 程度であるため、逆
に透光性導電膜のみを選択的にレーザ光の照射された場
所のみ除去することができることを見いだし、この事実
に基づいてレーザスクライブにて本願発明の光電変換半
導体装置を作製した。
That is, the translucent organic resin thin film has a small thermal conductivity due to the irradiation of laser light (generally 1 to 7 × 10 −4 Cal / sec / cm 2).
Therefore, if laser pulses are repeatedly applied to the same position, heat is accumulated in the organic resin, and the heat causes the resin to be carbonized and cut. However, if the repetition is repeated once or several times, the thermal conductivity of this transparent organic resin thin film is about 1/10 3 of that of the transparent conductive film. It was found that it is possible to remove only the portion irradiated with the laser beam, and based on this fact, the photoelectric conversion semiconductor device of the present invention was produced by laser scribing.

本実施例においては、レーザスクライブを用いるマスク
レスプロセスであるため、第1の開溝をテレビモニター
で観察して、その開溝を基準として所定の位置に光学的
にパターニングを行ういわゆるコンピュータ・エイデッ
ド・セルフレジストレイション方式を採用することが可
能になった。
Since the present embodiment is a maskless process using laser scribing, a so-called computer-aided type in which the first open groove is observed on a television monitor and optically patterned at a predetermined position with reference to the open groove.・ It is now possible to use the self-registration method.

第2図は本発明の光電変換装置の製造工程および装置を
示すものである。
FIG. 2 shows a manufacturing process and a device of the photoelectric conversion device of the present invention.

図面において、絶縁表面を有する透光性有機樹脂薄膜基
板例えば住友ベークライト社製スミライト(連続使用温
度 150〜300 ℃、光線透光率 80〜92%(厚さ100
μ)、熱伝導率 3〜7×10-4Cal /sec /cm2/(℃
/cm)を透光性基板(2)(例えば厚さ100 μ、長さ
(図面では左右方向)60cm、巾20cm)として用いた。
In the drawing, a translucent organic resin thin film substrate having an insulating surface such as Sumitomo Bakelite Sumilite (continuous operating temperature 150 to 300 ° C, light transmittance 80 to 92% (thickness 100
μ), thermal conductivity 3 to 7 × 10 -4 Cal / sec / cm 2 / (℃
/ Cm) was used as the translucent substrate (2) (for example, thickness 100 μ, length (horizontal direction in the drawing) 60 cm, width 20 cm).

本実施例ではその代表例として住友ベークライト社製ス
ミライトFS−1300を用いた。この透光性有機樹脂薄膜は
連続使用上限温度180 ℃、熱伝導率4.3 ×10-4Cal /se
c /cm2/(℃/cm)、光線透光率86.3%(100 μ厚さ
とする)、表面抵抗率5.4 ×1014Ω、体積抵抗率1.7 ×
1016Ωcmを有する。
In this example, Sumilite FS-1300 manufactured by Sumitomo Bakelite Co., Ltd. was used as a representative example. This translucent organic resin thin film has a continuous use maximum temperature of 180 ℃, thermal conductivity of 4.3 × 10 -4 Cal / se
c / cm 2 / (℃ / cm), Light transmittance 86.3% (100μ thickness), Surface resistivity 5.4 × 10 14 Ω, Volume resistivity 1.7 ×
It has 10 16 Ωcm.

さらにこの上面に全面にわたって透光性導電膜例えばIT
O (約1500Å)+SnO (200 〜400 Å)またはハロゲン
元素が添加された酸化スズを主成分とする透光性導電膜
(1500〜2000Å)を真空蒸着法、プラズマCVD 法または
スプレー法により形成させた。
Further, a transparent conductive film such as IT
O (about 1500Å) + SnO (200 to 400 Å) or a transparent conductive film (1500 to 2000 Å) mainly composed of tin oxide to which a halogen element is added is formed by a vacuum deposition method, a plasma CVD method or a spray method. It was

この透光性有機樹脂薄膜上にスパッタ法にてITO を700
Åの厚さに形成させた。するとそのシート抵抗は200 Ω
/□を有していた。
700% of ITO was sputtered on this transparent organic resin thin film.
It was formed to a thickness of Å. Then the sheet resistance is 200 Ω
It had / □.

この図面は4つのセルを直列接続せしめた場合である。
即ち本発明の光電変換装置は、活性領域(14)を同一基
板に100 〜2000ケ同時に有するより大きい20cm×60cmの
基体を用いた。
This drawing shows the case where four cells are connected in series.
That is, the photoelectric conversion device of the present invention uses a larger substrate of 20 cm × 60 cm having 100 to 2000 active regions (14) on the same substrate at the same time.

各セルでは、第1の導電膜を基体全面に形成した。さら
にこの導電膜を所定の形状にレーザ(ここでは1.06μま
たは0.53μの波長のYAG レーザ)スクライブをマイクロ
コンピュータにより記憶され制御されたパターンに従っ
て行って第1の開溝(16)を形成した。
In each cell, the first conductive film was formed on the entire surface of the substrate. Further, a laser (here, a YAG laser having a wavelength of 1.06 μ or 0.53 μ) was scribed on the conductive film according to a pattern stored and controlled by a microcomputer to form a first open groove (16).

さらにセルの外側において、作製時の残存物や外部から
の圧力等によるリークを除去するため、分離用開溝(2
6)、(26′)を形成させた。そしてセル領域(11)、
(13)および外部接続用電極部(8)、(9)を形成さ
せた。
Further, on the outside of the cell, in order to remove the residue during manufacturing and the leak due to pressure from the outside, the separation groove (2
6) and (26 ') were formed. And the cell area (11),
(13) and external connection electrode parts (8) and (9) were formed.

即ち、ここにYAG レーザ(発光波長1.06μ、焦点距離50
mm、光径50μ)を照射した。その条件として、繰り返し
同時に6KHz、平均出力1.3W、スキャンスピード(走査速
度)60cm/分とした。
That is, YAG laser (emission wavelength 1.06μ, focal length 50
mm, light diameter 50 μ). The conditions were as follows: 6 KHz repeatedly, average output 1.3 W, scan speed (scan speed) 60 cm / min.

スクライビングにより形成された開溝(16)は巾約70
μ、長さ20cm(図面では1cm)、深さは透光性有機樹脂
薄膜のそれぞれの第1の電極を完全に切断分離した。
The open groove (16) formed by scribing is about 70 in width
μ, length 20 cm (1 cm in the drawing), and depth completely cut and separated the first electrode of each translucent organic resin thin film.

第1の素子(11)および第2の素子(13)を構成する巾
は10mmとした。
The width of the first element (11) and the second element (13) was 10 mm.

この時電子顕微鏡にて調べた範囲では、透光性有機樹脂
薄膜表面には何等の損傷もまた部分的な劣化も見られな
かった。このレーザ光は1600℃以上の温度を有すると推
察されるが、連続使用上限温度が180 ℃程度の低い耐熱
性しか有さない透光性有機樹脂薄膜に何等損傷を与えな
かった。
At this time, no damage or partial deterioration was observed on the surface of the translucent organic resin thin film in the range examined by an electron microscope. It is presumed that this laser light has a temperature of 1600 ° C. or higher, but it did not damage the translucent organic resin thin film, which has only low heat resistance with a maximum continuous use temperature of about 180 ° C.

即ち、透光性有機樹脂薄膜上の透光性導電膜に対し、選
択的に開溝(16)を作製することができることがわかっ
た。その上、2つのプロープ間には1MΩ以上の抵抗
(巾は1cm とする)を得ることができた。
That is, it was found that the open groove (16) can be selectively formed in the transparent conductive film on the transparent organic resin thin film. Moreover, a resistance of 1 MΩ or more (width of 1 cm) could be obtained between the two probes.

第3図はレーザ光の繰り返し周波数を可変にしたもの
で、開溝が形成される場合の電気抵抗を示す。
FIG. 3 shows the electric resistance when the repetitive frequency of the laser beam is made variable and an open groove is formed.

図面において、スキャンスピード60cm/分、平均出力0.
8W,光径50μのYAG レーザを用いた。するとその周波数
を10KHz より下げてゆくと、曲線(45)は7KHz以下で不
連続に1MΩ以上(45′)となって電気的にアイソレイシ
ョンを行うことができるようになったことが判明した。
In the drawing, scan speed 60 cm / min, average output 0.
A YAG laser with 8 W and a light diameter of 50 μ was used. Then, when the frequency was lowered below 10 KHz, it became clear that the curve (45) became discontinuously above 1 MΩ (45 ') below 7 KHz, and electrical isolation could be performed.

しかしこの周波数が4KHz以下ではこの透光性導電膜に加
えて下地の透光性有機樹脂薄膜をもその中心部(ガウス
分布のエネルギ密度の最も高い領域)で損傷してしまっ
た。
However, at frequencies below 4 KHz, in addition to the translucent conductive film, the underlying translucent organic resin thin film was also damaged at its center (the region with the highest Gaussian energy density).

このことにより、透光性有機樹脂薄膜上の透光性導電膜
のレーザスクライブには(44)に示す範囲が適してい
た。
Therefore, the range shown in (44) was suitable for the laser scribing of the transparent conductive film on the transparent organic resin thin film.

さらに、この下地の透光性有機樹脂薄膜に損傷を与える
ことなく透光性導電膜のみを除去する領域を調べたとこ
ろ、第4図を得た。
Further, when a region in which only the transparent conductive film was removed without damaging the transparent organic resin thin film as the underlying layer was examined, FIG. 4 was obtained.

即ち、スキャンスピードを0〜120cm /分、平均出力0
〜3W、繰り返し周波数6KHz、焦点距離50cm、レーザ光
の直径50μのYAG レーザとすると、領域(49)即ち点A,
B,C,D,E,F で囲まれる範囲は透光性有機樹脂薄膜の損傷
がなく透光性導電膜のみで除去することができた。
That is, scan speed is 0 to 120 cm / min, average output is 0
~ 3W, repetition frequency 6KHz, focal length 50cm, laser light diameter of 50μ YAG laser, area (49) or point A,
The area surrounded by B, C, D, E and F was not damaged by the transparent organic resin thin film and could be removed only by the transparent conductive film.

さらに領域(47)は透光性導電膜すらも除去することが
できない領域であり、領域(46)はパルス光が透光性導
電膜上で連続せず、破線のごとく不連続な穴溝を得たの
みであった。領域(48)は透光性導電膜のみならず下地
の透光性有機樹脂薄膜に対しても損傷を与えてしまった
領域である。
Further, the region (47) is a region in which even the transparent conductive film cannot be removed, and the region (46) does not have continuous pulsed light on the transparent conductive film. I only got it. The region (48) is a region that has damaged not only the transparent conductive film but also the underlying transparent organic resin thin film.

このことにより下地の透光性有機樹脂薄膜に対して損傷
を与えることなく、透光性導電膜のみを選択的に開溝と
して除去することのできる領域(19)があることがわか
った。
This revealed that there is a region (19) in which only the transparent conductive film can be selectively removed as an opening without damaging the underlying transparent organic resin thin film.

第2図(A)の平面図またA−A′、F−F′における
縦断面図を(A−1)、(A−2)にそれぞれ示す。
2A is a plan view and FIG. 2A is a vertical sectional view taken along lines AA ′ and FF ′.

次に第2図(B)の平面図に示すごとく、光照射により
光起電力を発生する水素または弗素が添加された非単結
晶半導体を、この電極(3)、開溝(16)のすべての上
面に均質の膜厚に形成させる。また半導体はプラズマCV
D 法、減圧CVD 法、光CVD 法または光プラズマCVD 法を
用いて形成した。
Next, as shown in the plan view of FIG. 2 (B), a non-single crystal semiconductor containing hydrogen or fluorine, which generates a photoelectromotive force by light irradiation, is formed on the electrode (3) and the groove (16). A uniform film thickness on the upper surface of. The semiconductor is plasma CV
It was formed by using the D method, the low pressure CVD method, the photo CVD method or the photo plasma CVD method.

この半導体(4)は例えばSixC1-x(0<x<1一般に
はx=0.7 〜0.8 )のP型を約100 Åの厚さに、さらに
I型の水素またはハロゲン元素が添加された珪素を主成
分とする半導体を0.4 〜0.8 μの厚さに、さらにN型の
微結晶化した珪素またはN型のSixC1-x (0<x<1
x〜0.9 )を主成分とする半導体のPIN 接合構造とし
た。
This semiconductor (4) is, for example, P type of SixC 1-x (0 <x <1 generally x = 0.7 to 0.8) to a thickness of about 100 Å, and silicon of which I type hydrogen or halogen element is added. To a thickness of 0.4 to 0.8 μm, and N-type microcrystallized silicon or N-type SixC 1-x (0 <x <1
x to 0.9) as the main component of the semiconductor PIN junction structure.

もちろんこれをP(SixC1-x x=0.7 〜0.8 )−I(S
i)−N(μCSi)−P(SixC1-x x=0.7 〜0.8 )−I
(SixGe1-x x=0.6 〜0.8 )−N(微結晶化CSi また
はSixC1-x 0<x<1)といったPINPIN構造のタンデム
構造としてもよい。
Of course, P (SixC 1-x x = 0.7-0.8) -I (S
i) -N (μCSi) -P (SixC 1-x x = 0.7 to 0.8) -I
A tandem structure of PINPIN structure such as (SixGe 1-x x = 0.6 to 0.8) -N (microcrystallized CSi or SixC 1-x 0 <x <1) may be used.

さらに第2の開孔(15)をレーザ光により形成させ、第
2図(B)におけるB−B,C−Cの縦断面図を(B−
1)、(B−2)に対応して示している。
Further, the second opening (15) is formed by laser light, and a vertical sectional view of BB and CC in FIG. 2B is shown in FIG.
1) and (B-2).

かくして第2の開孔(15)は透光性有機樹脂薄膜の表面
には損傷を与えずに第1の電極の側面(17)を露出させ
た。
Thus, the second opening (15) exposed the side surface (17) of the first electrode without damaging the surface of the translucent organic resin thin film.

この時、非単結晶半導体は透明同電膜に比べて容易に除
去されるため、透光性導電膜の上端部を0〜5μの巾で
露呈させる結果、連結は透光性導電膜(3)の側面およ
び上面が連結部のコンタクトを構成する。
At this time, since the non-single-crystal semiconductor is more easily removed than the transparent conductive film, exposing the upper end portion of the transparent conductive film with a width of 0 to 5 μ results in the connection of the transparent conductive film (3 The side surface and the upper surface of FIG.

この第2の開孔(15)の形成条件は第1の開溝を形成す
る条件とレーザ光をパルスを不連続に(15)の位置のみ
に加える以外は同一である。
The conditions for forming the second opening (15) are the same as the conditions for forming the first opening except that the pulse of laser light is discontinuously applied only to the position (15).

即ち、半導体の存在は実質的に無視しても差支えなく、
第3図、第4図の特性を用いることができた。
In other words, it is safe to ignore the existence of semiconductors,
The characteristics shown in FIGS. 3 and 4 could be used.

次に第2図(C)のパターンを形成させた。第2図
(C)のD−D′、E−E′、G−G′に対応した縦断
面図を(C−2)、(C−3)、(C−1)に示してい
る。
Next, the pattern of FIG. 2 (C) was formed. Vertical sectional views corresponding to DD ', EE', and GG 'in FIG. 2 (C) are shown in (C-2), (C-3), and (C-1).

即ち、まず半導体(4)上に第2の電極を電子ビーム蒸
着法によりITO を100 〜1600Å例えば1050Åの厚さに設
けた。
That is, first, a second electrode was provided on the semiconductor (4) by electron beam evaporation to a thickness of ITO of 100 to 1600Å, for example 1050Å.

すると、開孔(15)において、第1の透光性導電膜
(3)の側面(17)に対し、ITO の導電性酸化物がコン
タクトし、オーム接触をさせることができた。
Then, in the opening (15), the conductive oxide of ITO was brought into contact with the side surface (17) of the first translucent conductive film (3), and ohmic contact could be made.

さらにクロムを主成分とする金属を 500〜2000Åの厚さ
に形成させた。
Further, a metal containing chromium as a main component was formed to a thickness of 500 to 2000Å.

このクロムは融点1800℃、沸点2660℃、熱伝導度0.2cal
/(cm.sec.deg)を有している。特にこの熱伝導率は他
が金属例えばチタンの0.05に比べて4倍を有し、銀の0.
998 の1/5である。この熱伝導率は0.1 〜0.3 の範囲
がレーザ加工にもっとも好ましいとされている。
This chrome has a melting point of 1800 ℃, a boiling point of 2660 ℃, and a thermal conductivity of 0.2cal.
/(Cm.sec.deg). In particular, this thermal conductivity is 4 times higher than that of other metals such as titanium, which is 0.05, and that of silver is 0.
It is 1/5 of 998. It is said that the thermal conductivity in the range of 0.1 to 0.3 is most preferable for laser processing.

レーザ照射においては、このクロム膜はアルミニューム
等と比較して酸化物を作りにくく、かつ下地と反応しに
くい金属として特にすぐれたものであった。
In laser irradiation, this chromium film was particularly excellent as a metal that was less likely to form an oxide and was less likely to react with the base than aluminum or the like.

またこの下のITO がないとレーザ光は下側の半導体をも
容易にスクライブし、その周辺を多結晶半導体化してし
まった。またITO のみではレーザ光が透過し、半導体の
みを実質的にスクライブしてしまった。これらのことよ
り、裏面電極はITO とクロムとの2層膜が最適であっ
た。
Without the ITO under this, the laser light could easily scribe the semiconductor underneath, turning the periphery into a polycrystalline semiconductor. Moreover, the laser beam was transmitted only by ITO and substantially scribed only the semiconductor. From these, the back electrode was optimally a two-layer film of ITO and chromium.

裏面電極の反射性を利用して特性改良を図るには、前記
したITO (1050Å)+Ti(20Å)またはAg(100 〜200
Å)+Cr(1000〜3000Å)が好ましかった。
In order to improve the characteristics by utilizing the reflectivity of the back electrode, ITO (1050Å) + Ti (20Å) or Ag (100-200
Å) + Cr (1000-3000 Å) was preferred.

この後、第2図(C)においてレーザスクライブ(19)
を行って第3の開溝を形成した。この工程はYAG レーザ
(波長1.06μ,0.53 μ)をテレビモニターにて第1の
開溝をモニターしつつ、それより50〜200 μ第2のセル
側(13)にはいった位置にて開溝を作った。レーザ光の
平均出力0.5 〜1.3Wとし、ビーム径30〜50μφ、ビーム
走査スピード0.1 〜1m/分、一般には0.3m/分として行
った。
After this, laser scribing (19) in FIG. 2 (C)
Was performed to form a third groove. In this process, the YAG laser (wavelength 1.06μ, 0.53μ) is used to monitor the first open groove on the TV monitor, and the open groove is located 50 to 200 μm from that side on the second cell side (13). made. The average output of the laser beam was 0.5 to 1.3 W, the beam diameter was 30 to 50 μφ, and the beam scanning speed was 0.1 to 1 m / min, generally 0.3 m / min.

かくするとITO+Crの組合せにより熱伝導率が他の金属に
比べて適度に小さいため、半導体にその熱を過度に伝え
てしまうことによって生じる半導体の組成を変化等を発
生させることなく、この第2の電極用の導体のみをスク
ライブして除去させることができた。
By doing so, the thermal conductivity due to the combination of ITO + Cr is appropriately smaller than that of other metals, so without changing the composition of the semiconductor caused by excessively transmitting the heat to the semiconductor, this first Only the conductor for the second electrode could be scribed and removed.

さらにこの第3の開溝(20)をアセトン等の洗浄溶液に
て溶去することは残存物を除去するために好ましい。
Further, it is preferable to dissolve away the third open groove (20) with a cleaning solution such as acetone in order to remove the residue.

またこの半導体(3)がP型半導体層、I型半導体層、
N型半導体層と例えば1つのPIN 接合を有し、このN型
半導体層が微結晶または多結晶構造を有してもよい。そ
の電気伝導度が1〜200 (Ωcm)-1と高い伝導度を持つ
場合、本発明においてN型半導体層を室温〜150 ℃の温
度で酸化(10〜200 時間)させ、絶縁物化することによ
りパッシベイションおよびリーク電流発生を防止するこ
とはきわめて重要であった。
The semiconductor (3) is a P-type semiconductor layer, an I-type semiconductor layer,
It may have, for example, one PIN junction with the N-type semiconductor layer, and this N-type semiconductor layer may have a microcrystalline or polycrystalline structure. When the electric conductivity thereof is as high as 1 to 200 (Ωcm) −1 , in the present invention, the N-type semiconductor layer is oxidized at a temperature of room temperature to 150 ° C. (10 to 200 hours) to be an insulator. Preventing passivation and leakage current generation was extremely important.

かくして、連結部(12)において、セル(13)の第1の
電極(23′)と、セル(11)の第2の電極(25)とが酸
化物コンタクトによりオーム接触を第2の開孔(18)を
介してしている。特に連結部(12)におけるコンタクト
(17)は、第2の開孔(15)により作られた第1の電極
の側面または側面と0〜5μの巾の第1の電極の上端面
とで成就され、いわゆるサイドコンタクト構造を有して
いる。即ち2つのセルはわずか10〜70μφの第2の開孔
のサイドコンタクトで十分であり、この部分に第2の電
極を構成する材料を密接させて電気的に直列接続をさせ
ている。
Thus, in the connecting part (12), the first electrode (23 ') of the cell (13) and the second electrode (25) of the cell (11) are made into an ohmic contact by the oxide contact to form the second opening. You are through (18). In particular, the contact (17) in the connecting portion (12) is formed by the side surface or side surface of the first electrode formed by the second opening (15) and the upper end surface of the first electrode having a width of 0 to 5 μ. And has a so-called side contact structure. That is, it is sufficient for the two cells to have the side contact of the second opening of only 10 to 70 μφ, and the material forming the second electrode is brought into close contact with this portion for electrical series connection.

第2図において、第2の開孔(15)は1つのみを半導体
内部の特に中央付近に存在させた。しかしこの開孔は、
複数ケ(2〜4ケ)を破線的にY方向に第1および第3
の開溝の間に作製しても、また櫛目形状に半導体(3)
の内部に第1の開溝(16)にそって形成させてもよい。
In FIG. 2, only one second opening (15) was present inside the semiconductor, especially near the center. But this hole
A plurality of (2 to 4) are first and third in the Y direction in a broken line.
Even if it is made between the open grooves of the semiconductor, it also has a comb-like shape (3)
It may be formed along the first open groove (16) inside.

(C−1)、(C−2)の断面図より明らかなごとく、
半導体(4)上に第2の電極(5)が形成されている。
そしてこの第3の開溝(20)はその下の半導体を多結晶
化することなく、また実質的に半導体をえぐることなく
電極のみを分離して各素子の第2の電極間を電気的にア
イソレイトさせることができた。
As is clear from the sectional views of (C-1) and (C-2),
A second electrode (5) is formed on the semiconductor (4).
The third groove (20) separates only the electrode without polycrystallizing the semiconductor therebelow and substantially without scooping the semiconductor to electrically connect the second electrode of each element. I was able to isolate it.

さらに第2図(C)において、これらの上面に有機樹脂
(28)例えばシリコーン、エポキシまたはポリイミドを
10〜100 μの厚さにコーティングして完成させている。
Further, in FIG. 2C, an organic resin (28) such as silicone, epoxy or polyimide is provided on the upper surface of these.
It is completed by coating to a thickness of 10 to 100 μ.

その結果、この図面より明らかなごとく、この光電変換
装置は、例えば図面に示されているごとく、1cm ×5cm
の光電変換装置を同じ大きさの透光性透光性有機樹脂薄
膜上に1つ作るのではなく、20cm×20cmまたは20cm×60
cmまたは40cm×40cmの大きな同一透光性透光性有機樹脂
薄膜基板上に一度に多数の光電変換装置を作ることが可
能となった。
As a result, as is clear from this drawing, this photoelectric conversion device has, for example, 1 cm x 5 cm as shown in the drawing.
Do not make one photoelectric conversion device on a translucent translucent organic resin thin film of the same size, but 20 cm × 20 cm or 20 cm × 60
It has become possible to fabricate a large number of photoelectric conversion devices at once on a large translucent transparent organic resin thin film substrate of cm or 40 cm × 40 cm.

そして最後にこれらを(70)の境界で裁断法により切断
し、それぞれの光電変換装置にした。このためには、従
来より知られた光電変換装置のごとく活性領域と非活性
領域とを作るのではなく、すべて実質的に活性領域と
し、かつレーザ光による開溝を端から端まで作り、レー
ザ光の走査スピードを大きな透光性有機樹脂薄膜上で常
に一定にさせていることが重要である。さもないと、ス
キャンスピードが遅い部分では透光性有機樹脂薄膜に損
傷がおきてしまうからである。
Finally, these were cut at the boundary of (70) by a cutting method to obtain each photoelectric conversion device. For this purpose, instead of forming an active region and an inactive region as in the conventionally known photoelectric conversion device, all are substantially made into an active region, and an opening groove by laser light is made from end to end, It is important to keep the scanning speed of light constant on a large transparent organic resin thin film. Otherwise, the translucent organic resin thin film will be damaged in the part where the scan speed is slow.

第2図(C)での開溝(20)、(27)、(27′)が端か
ら端まで走査されているのは、量産化を考えた時重要で
ある。もちろんこれらの開溝は入射光側からはまったく
見られないため高商品価値化を下げない。
The fact that the open grooves (20), (27), (27 ') in FIG. 2 (C) are scanned from end to end is important when considering mass production. Of course, these open grooves are not seen from the incident light side at all, so they do not reduce the product value.

以上の説明は本発明の第2図のパターンには限定されな
い。セルの数、大きさはその設計仕様によって定められ
るものである。
The above description is not limited to the pattern of FIG. 2 of the present invention. The number and size of cells are determined by their design specifications.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

本発明は各セルの連結部を開孔を介した内部コンタクト
により成就し、各セル間分離のための第1の開溝幅をレ
ーザ等を用いることにより10〜100 μときわめて小さ
く、かつ第2の開孔も10〜50μφときわめて小さく、ま
た第3の開溝は透光性有機樹脂薄膜面側からはまったく
見えない。その結果肉眼によりハイブリット化がされて
いることを確認され得ず、高付加商品価値を与えること
ができた。
The present invention achieves the connecting portion of each cell by an internal contact through an opening, and the first groove width for separating each cell is 10 to 100 μ, which is extremely small by using a laser and the like. The second opening is also extremely small, 10 to 50 μφ, and the third opening is completely invisible from the transparent organic resin thin film surface side. As a result, it could not be confirmed with the naked eye that it was hybridized, and it was possible to give a high added commercial value.

またセルの有効面積は連結部(12)の10〜300 μ巾のき
わめてわずかな部分を除いて他のすべてが有効であり、
実効面積は90%以上を得ることができ、従来例の80%に
比べ本発明構造は格段に優れたものであった。
In addition, the effective area of the cell is all other than the extremely small part of the connecting part (12) of 10 to 300 μ width,
An effective area of 90% or more can be obtained, and the structure of the present invention is remarkably superior to 80% of the conventional example.

また第1の開溝と第2の開孔、第3の開溝の形成をセル
フレジストレイションで行えるため製造工程を極めて単
純化することができ、かつその同一バッチで作られた各
光電変換装置間のバラツキが少ないため製造歩留りが高
くなった。また有効面積を増加させることができた。
Further, since the first opening, the second opening, and the third opening can be formed by self-registration, the manufacturing process can be extremely simplified and each photoelectric conversion device manufactured in the same batch. The manufacturing yield was high because there was little variation. Moreover, the effective area could be increased.

本発明は透光性有機樹脂膜の大面積基板に同時に多数の
光電変換装置を作り、これを分割して各基板上に1つの
光電変換装置を作る方式を採用することが可能となっ
た。このため、従来の1/3〜1/5の価格での製造が
可能となった。
The present invention makes it possible to adopt a system in which a large number of photoelectric conversion devices are simultaneously formed on a large-area substrate of a transparent organic resin film and the photoelectric conversion devices are divided to form one photoelectric conversion device on each substrate. For this reason, it has become possible to manufacture at a price of 1/3 to 1/5 of the conventional price.

また本発明は、非単結晶シリコンを主成分とするPIN 接
合、ヘテロ接合、タンデム接合のみに限らず多くの構造
への応用が可能である。
Further, the present invention can be applied not only to PIN junctions, hetero junctions, and tandem junctions containing non-single crystal silicon as a main component, but also to many structures.

なお本発明は透光性有機樹脂上に透光性導電膜を密接さ
せた場合を示した。しかし本発明は、有機樹脂上に窒化
珪素または酸化珪素の膜を300 〜3000Åの厚さにバリア
層として形成し、その上に透光性導電膜を形成してもよ
いことはいうまでもない。
The present invention shows the case where the transparent conductive film is brought into close contact with the transparent organic resin. However, it goes without saying that in the present invention, a silicon nitride or silicon oxide film may be formed on an organic resin as a barrier layer with a thickness of 300 to 3000Å, and a translucent conductive film may be formed thereon. .

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は従来の光電変換装置の縦断面図である。 第2図は本発明による光電変換装置の平面図および縦断
面図を製造工程に従って示したものである。 第3図は本発明の有機樹脂上の透明導電膜をレーザスク
ライブした時のレーザスクライブによる電気抵抗の変化
を示す。 第4図は本実施例における有機樹脂上の透明導電膜をレ
ーザスクライブした時のレーザスクライブの可能な領域
を示す。
FIG. 1 is a vertical sectional view of a conventional photoelectric conversion device. FIG. 2 shows a plan view and a vertical sectional view of a photoelectric conversion device according to the present invention in accordance with the manufacturing process. FIG. 3 shows a change in electric resistance due to laser scribing when the transparent conductive film on the organic resin of the present invention is laser scribed. FIG. 4 shows a region where laser scribing is possible when the transparent conductive film on the organic resin in this example is laser scribed.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】絶縁表面を有する基板上に配列された複数
の第1の電極、該第1の電極および該電極間の開溝を覆
って設けられた光照射により光起電力を発生させる非単
結晶半導体、および前記第1の電極に対応して前記半導
体上に設けられた複数の第2の電極とを有する複数の光
電変換素子を備え、隣合う前記光電変換素子の第1およ
び第2の電極は前記非単結晶半導体の端部に至らない内
部で電気的に直列に連結した連結部を有するとともに、
前記第1の電極または第2の電極のうち少なくともどち
らか一方の電極の外周部領域のうち電極間連結部分以外
の領域に、前記電極の端部に沿ってリーク防止のための
分離用開溝を設けたことを特徴とする光電変換半導体装
置。
1. A non-photovoltaic device is generated by light irradiation provided so as to cover a plurality of first electrodes arranged on a substrate having an insulating surface, the first electrodes and an opening between the electrodes. A plurality of photoelectric conversion elements having a single crystal semiconductor and a plurality of second electrodes provided on the semiconductor corresponding to the first electrodes are provided, and first and second photoelectric conversion elements adjacent to each other. The electrode of has a connecting portion electrically connected in series inside the end portion of the non-single crystal semiconductor,
Separation open groove for preventing leakage along the end of the electrode in a region other than the inter-electrode connecting portion in the outer peripheral region of at least one of the first electrode and the second electrode. A photoelectric conversion semiconductor device comprising:
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