JPH063543B2 - 集積回路製造用感紫外線ポシ型レジスト - Google Patents

集積回路製造用感紫外線ポシ型レジスト

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JPH063543B2
JPH063543B2 JP60111686A JP11168685A JPH063543B2 JP H063543 B2 JPH063543 B2 JP H063543B2 JP 60111686 A JP60111686 A JP 60111686A JP 11168685 A JP11168685 A JP 11168685A JP H063543 B2 JPH063543 B2 JP H063543B2
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ultraviolet
naphthoquinonediazide
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洋 吉本
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は集積回路製造用感紫外線ポジ型レジストに関
し、さらに詳しくは反射率の高い基板に被膜画像を形成
する際にも、紫外線照射時のハレーションを防止して解
像度の高い画像を形成する集積回路製造用感紫外線ポジ
型レジストとしてに関する。
〔従来の技術〕
近年、集積回路の製造方法の発展は著しく、そのために
使用する装置や周辺材料への改良の要求も強く、レジス
トの分野においては、取扱い性に優れ、解像度の高いレ
ジストの開発が望まれている。
従来、集積回路製造に際しては、ポジ型レジストとして
キノンジアジド系化合物とノボラック系樹脂との混合物
が用いられている。これらのレジストは、アルミニウム
のような反射率の高い基板上では、紫外線照射時に基板
面で反射された紫外線が紫外線を照射したくない領域へ
まわり込み、その結果、集積回路の製造に必要な微細パ
ターンを正確に再現することができないという欠点を有
する。
従来、この欠点を改良するため、吸光性材料を感光性樹
脂組成物に添加することにより、感光性樹脂組成物の透
光性を減少させて露光時に基板からまわり込んだ少ない
光量では感光性樹脂組成物が反応しないようにすること
が行われている(特公昭51−37562号公報、特開
昭59−142538号公報等)。この際添加される吸
光性材料は、いわゆる染料に属するものであり、染料に
吸収された光エネルギーが、感光性樹脂組成物中の感光
剤および増感剤を励起しない波長の光として再放出さ
れ、感光性樹脂組成部の透光性が減少し、感度が低下す
ることにより、その目的が達成される。
しかしながら、従来使用されている吸光性材料のうち、
例えば特公昭59−142538号公報に示されている
オイルイエローを用いる場合には、感光性樹脂組成物を
基板に塗布後、残留溶剤を除去し同時に基板との接着性
向上を目的として行われるプレベーキングの際に、吸光
性材料の一部が感光性樹脂組成物膜中から昇華するため
に、ハレーション防止効果が著しく低下したり、プレベ
ーキング条件の影響を大きく受け、感度等のレジスト性
能がばらつくという欠点がある。また吸光性材料とし特
開昭59−142538号公報に示されているアゾ化合
物を用いる場合には、吸光性材料による感度のばらつき
およびハレーション防止効果の点では問題はないが、保
存安定性が悪く、時間とともに感度等のレジスト性能が
変化したり、塗布後、プレベークしてから露光するまで
の時間にレジスト性能が変化するという欠点がある。
〔発明が解決しようとする課題〕
本発明の目的は、前記従来の技術が有する欠点を除去
し、反射率の高い基板に被膜画像を形成する際に、露光
時のハレーションを防止して解像度の高い画像を形成す
ることができ、しかも保存安定性に優れた感紫外線樹脂
組成物を用いる集積回路製造用感紫外線ポジ型レジスト
を提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明は、アルカリ可溶性樹脂と、1,2−ナフトキノ
ンジアジド−5−スルホン酸エステルと、下記(1)およ
び(2)の条件を満たすニトリル基を有するメチン系染料
とを含有することを特徴とする集積回路製造用感紫外線
ポジ型レジスト、 (1)赤外線吸収分光光度法により、2160〜2260c
m-1付近にC≡Nの伸縮を示す吸収を有する、(2)質量分
析法により、その分子量を示す親ピークが300〜50
0にある、 を提供するものである。
前記アルカリ可溶性樹脂としては、例えばフェノール、
クレゾール、エチルフェノール、キシレノール、p−フ
ェニルフェノール、レゾルシノール、ピロガロール、フ
ロログリシノール等のフェノール類と、ホルムアルデヒ
ド、アセトアルデヒド、ベンズアルデヒド等のアルデヒ
ド類とを付加重合させて得られるアルカリ可溶性ノボラ
ック樹脂、ヒドロキシスチレンおよび/またはα−メチ
ルヒドロキシスチレン等のヒドロキシスチレン誘導体の
重合体等を挙げることができる。
前記アルカリ可溶性のノボラック樹脂の中でも、m−ク
レゾール55〜97重量%、3p−クレゾールを3〜4
5重量%含むクレゾール異性体混合物とホルムアルデヒ
ドとを縮合させて得られるアルカリ可溶性ノボラック樹
脂、特にo−クレゾールを含まず、m−クレゾールとp
−クレゾールのみのクレゾール異性体混合物とホルムア
ルデヒドとを縮合させて得られるアルカリ可溶性ノボラ
ック樹脂が好ましく、その中でm−クレゾールとp−ク
レゾールとを重量比で97/3〜80/20の割合で縮
合させて得られるものが特に好ましい。またアルカリ可
溶性ノボラック樹脂の数平均分子量は400〜900が
好ましく、特に500〜900が好ましい。
前記ヒドロキシスチレンおよび/またはヒドロキシスチ
レン誘導体の重合体は、ヒドロキシスチレン、ヒドロキ
シスチレン誘導体等を、例えばアゾビスイソブチロニト
リル等のアゾ系化合物や、過酸化ベンゾイル、過酸化ラ
ウロイル等の過酸化物からなるラジカル発生剤の存在下
にラジカル重合する方法、ヒドロキシスチレンまたはヒ
ドロキシスチレン誘導体に含まれる水酸基をシリル化ま
たはアセチル化し、このものを前記ラジカル発性剤の存
在下に、またはn−ブチルリチウム、sec−ブチルリ
チウム、ナトリウムナフタレン等のアニオン重合開始剤
の存在下に重合し、次いで脱シリル化または脱アセチル
化する方法等により製造される。
これらヒドロキシスチレンおよび/まははヒドロキシス
チレン誘導体の重合体は、他の重合性モノマーとの共重
合体であってもよい。この際共重合することのできるモ
ノマーとしては、例えばスチレン、アミノスチレン等の
スチレン系モノマー、メタクリル酸、メタクリル酸メチ
ル、メタクリル酸エチル、メタクリル酸ヒドロキシエチ
ル、アクリル酸、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル
等の(メタ)アクリル酸系モノマー、ブタジエン、イソ
プレン等のジエン系モノマーが挙げられ、これらのモノ
マーは2種以上組合わせて共重合してもよい。ヒドロキ
シスチレンおよび/またはヒドロキシスチレン誘導体の
重合体中のヒドロキシスチレンおよび/またはヒドロキ
シスチレン誘導体の好ましい(共)重合割合は、30〜
100モル%である。またヒドロキシスチレンおよび/
またはヒドロキシスチレン誘導体の重合体のポリスチレ
ン換算重量平均分子量は、3000〜30,000が好
ましい。
アルカリ可溶性樹脂に混合される1,2−ナフトキノン
ジアジド−5−スルホン酸エステルとしては、例えばヒ
ドロイシベンゼン、またはこれらの化合物の誘導体の
1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステ
ルが挙げられる。なおヒドロキシベンゼンの具体例とし
ては、p−クレゾール、レゾルシン、ピロガロール、フ
ロログリシノール等が挙げられる。
さらに、1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン
酸エステルとしては、例えば下記一般式(I) (式中nは1〜3の整数、Rはアルキル基、アリール基
またはアラルキル基を意味する)で表わされる化合物の
ヒドロキシル基の全部または一部に、1,2−ナフトキ
ノンジアジド−5−スルホニルクロリドを縮合反応させ
て得られる化合物を用いることもできる。一般式(I)
で表わされる化合物としては、例えば2,3,4−トリ
ヒドロキシフェニルメチルケトン、2,3,4−トリヒ
ドロキシフェニルエチルケトン、3,4,5−トリヒド
ロキシフェニルメチルケトン、3,4,5−トリヒドロ
キシフェニルエチルケトン、2,4,6−トリヒドロキ
シフェニルメチルケトン、2,4,6−トリヒドロキシ
フェニルエチルケトン、2,3,4−トリヒドロキシフ
ェニルドデシルケトン、2,3,4−トリヒドロキシベ
ンゾフェノン、2,4,6−トリヒドロキベンゾフェノ
ン、2,3,4−トリヒドロキシフェニルベンジルケト
ン、3,4,5−トリヒドロキシベンジルケトン、2,
4,6−トリヒドロキシフエィニルベンジルケトン等
(米国特許第3046118号および特公昭37−18
015号公報)、さらに2,4−ジヒドロキシベンゾフ
ェノン等が挙げられる。
また1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エ
ステルとしては、例えば2,4,2′,4′−テトラヒ
ドロキシ−6,6′−ジメチル−ジフェニルメタン、
2,2′−ジヒドロキシ−4,4′−ジメチル−ジフェ
ニルメタン−(1,1)、2,4,2′,4′−テトラ
ヒドロキシ−ジフェニルエタン−(1,1)、2,2′
−ジヒドロキシ−ジナフチルメタン、2,4,2′,
4′−テトラヒドロキシ−ジフェニルスルフィド、2,
4,2′,4′−テトラヒドロキシ−ジフェニルスルホ
キシド、2,4,2′,4′−テトラヒドロキシ−6,
6′−ジメチル−ジフェニルエタン−(1,1)、2,
2′−ジヒドロキシ−4,4′−ジメトキシ−ジフェニ
ルメタン、2,4,2′,4′−テトラヒドロキシ−ジ
フェニルプロパン−(2,2)、2,4,2′,4′−
テトラヒドロキシ−トリフェニルメタン等を、1,2−
ナフトキノンジアジド−5−スルホニルクロリドと縮合
反応させて得られる1,2−キノンジアジド化合物(特
公昭37−1953号公報)を用いることもできる。
1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステ
ルの添加量は、得られる集積回路製造用感紫外線ポジ型
レジストの耐熱性、耐プラズマ性、未露光部分の溶解
性、紫外線に対する感度幅等の点から、アルカリ可溶性
樹脂100重量部当たり、好ましくは10〜40重量
部、特に好ましくは15〜35重量部である。
なお、一般に感紫外線樹脂用のキノンジアジド化合物と
して、上記の1,2−ナフトキノンジアジド−5−スル
ホン酸エステルの他に、1,2−ナフトキノンジアジド
−4−スルホン酸エステル、1,2−ベンゾキノンジア
ジド−4−スルホン酸エステル、1,2−ベンゾキノン
アジド−5−スルホン酸エステル等が知られているが、
本発明にこれらの化合物を用いた場合には、所望の感
度、解像度、パターン形状、保存安定性が得られず、目
的を達成できない。
前記感紫外線ポジ型レジストには、必要に応じて増感
剤、界面活性剤等が配合されていてもよい。
本発明に用いられるニトリル基を有するメチレン系染料
は、(1)赤外線吸収分光光度法により、2160〜22
60cm-1付近にC≡Nの伸縮を示す吸収を有し、かつ
(2)質量分析法により、その分子量を示す親ピークが3
00〜500にあるものであり、好ましくはこれらの条
件に加え(3)0.01g/アセトン溶液の436nmの光
に対する吸光度が1以上である条件を満足するものであ
る。これらの具体例として、例えばC.I.Dispe
rse Yellow31、C.I.Disperse
Yellow49、C.I.Disperse Ye
llow61、C.I.Disperse Yello
w201、C.I.Disperse Yellow2
31等さらに下記一般式 (III) (式中、R1はC2〜8のアルキレン基またはC5〜8のシ
クロアルキレン基、R2は3個以下のメチル基により置
換されていてもよいC5〜8のシクロアルキル基、置換さ
れていてもよいC1〜4のアルコキシ基、C1〜4のアルキ
ルチオ基、C1〜4のアルキルカルボニルオキシ基、C
1〜4のアルコキシカルボニルオキシ基もしくはC1〜4
アルコキシルカルボニル基により置換されたC1〜10
アルキル基またはC3〜10のアルケニル基、R3は水素原
子、ハロゲン原子、C1〜4のアルキル基、C1〜4のアル
コキシ基もしくはC1〜4のアルコキシカルボニル基、R
4は水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、トリフルオロ
メチル基、C5〜8のシクロアルキル基、C1〜4のアルコ
キシ基、C5〜8のシクロアルコキシ基、C1〜4のアルキ
ルチオ基、C5〜8のシクロアルキルチオ基、フェニル
基、フェノキシ基、フェニルチオ基、フェニルチオ−C
1〜4アルキル基、フェニル−C1〜4アルキル基、フェノ
キ−C1〜4アルキル基、フェニルアゾ基、C1〜4のアル
コキシカルボニル基、C5〜8のシクロアルコキシカルボ
ニル基、フェノキシカルボニル基、ベンゾイル基、ベン
ゾイルオキシ基、フェノキシカルボニルオキシ基、フェ
ニルスルホニルオキシ基もしくはフェニル−C1〜4アル
キルチオ基を意味し、またR3およびR4は相隣る炭素原
子にあって、これらの炭素原子とともに5もしくは6員
の、飽和もしくは不飽和の炭素環または複素環を形成し
ていてもよく、R5は水素原子、塩素原子、臭素原子、
メチル基またはメトキシ基を意味し、R3またはR4とし
てのいかなるアルキル基またはアルコキシ基もC1〜4
アルコキシ基、フェニル基またはC1〜4のアルコキシカ
ルボニル基により任意に置換されていてもよく、R4
しての、またはR4に含まれるいかなるシクロアルキル
基も、3個以下のメチル基により、またはC1〜4のアル
コキシ基、フェニル基もしくはC1〜4のアルコキシカル
ボニル基により任意に置換されていてもよく、R4とし
ての、またはR4に含まれるいかなるフェニル基も、ハ
ロゲン原子、メチル基、C1〜4のアルコキシ基およびC
1〜4のアルコキシカルボニル基からなる群から選ばれる
2個以下の置換基により任意に置換されていてもよい。
ただし、アルコキシ基により置換されたいかなるアルコ
キシ基も少なくとも2個の炭素原子を有し、またR3
4およびR5が同時に水素原子である場合には、R2
少なくとも6個の炭素原子を有するアルキル基、アルキ
ルチオアルキル基もしくはアルコキシアルキル基または
3〜10のアルケニル基である)(特開昭51−638
24号公報参照)で表わされる化合物、下記一般式(I
V) (式中、R6はハロゲン原子、低級アルコキシ基、低級
アルコキシカルボニル基もしくはニトリル基で置換され
ていてもよい炭素原子数6個までの低級アルキル基、フ
ェニル基、ベンジル基または核ナフタレン環にβ−位に
おいて縮合したエチレン基、R7は水素原子、低級アル
コキシ基、ハロゲン原子、低級アルキルまたは を意味する)(特開昭54−95629号公報参照)で
表わされる化合物などが挙げられる。
本発明において、これらのニトリル基を有するメチン系
染料の配合量は、通常集積回路製造用感紫外線ポジ型レ
ジストの0.05〜20重量%、特に好ましくは0.1〜15重量
%である。配合量が多過ぎると、感度が低下する傾向に
ある。
本発明の集積回路製造用感紫外線ポジ型レジストは、微
細加工すべき基板上に積層され、例えば波長が180〜
450の紫外線をマスクパターンやレチクルを介して部
分的に照射し、現像することによりパターンを形成する
ことができる。
本発明の集積回路製造用感紫外線ポジ型レジストは、例
えば上記成分を含有する樹脂組成物を適当な有機溶媒に
溶解し、これを基板に回転塗布、流し塗布、ロール塗布
等の方法により塗布し、乾燥させて得られる。この際に
用いられる溶剤としては、例えばジエチレングリコール
モノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエ
ーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジ
エチレングリコールジブチルエーテル、メチルセロソル
ブアセテート、エチルセロソルブアセテート、ブチルセ
ロソルブアセテート、メチルエチルケトン、メチルイソ
ブチルケトン、シクロヘキサノン、アセトニルアセト
ン、アセトフェノン、イソホロン、1−オクタノール、
ベンジルアルコール、酢酸エチル、酢酸ブチル、2−エ
チルヘキシルアセテート、酢酸ベンジル、安息香酸ベン
ジル、蓚酸ジエチル、マロン酸ジエチル、マレイン酸ジ
エチル、フタル酸ジメチル、炭酸プロピレン、γ−ブチ
ロラクトン等が挙げられる。これらの有機溶剤は、1種
または2種以上組合せて用いられる。
該有機溶剤の使用量は、感紫外線樹脂組成物溶液を塗布
する際の必要膜厚により異なるが、一般に組成物の固形
分100重量部当たり100〜2000重量部、好まし
くは300〜1500重量部である。
本発明の集積回路製造用感紫外線ポジ型レジストに用い
られる現像液としては、例えばテトラエチルアンモニア
ヒドロキシド等の第4級アンモニウム塩の水溶液が挙げ
られる。
〔実施例〕
以下、実施例により本発明を説明する。
実施例1 (1)500mlの三ツ口セパラブルフラスコに、m−
クレゾール75gおよびp−クレゾール25gを仕込ん
だ後、37重量%ホルマリン水溶液66mlおよび蓚酸
0.04gを添加し、攪拌しながらセパラブルフラスコを油
浴に浸して反応温度を100℃に保持しながら10時間
反応させた。反応終了後、300mmHgに減圧して水を
留去し、さらに内温を130℃に上昇させて未反応物を
除去した。次いで反応生成物である溶融したアルカリ可
溶性ノボラック樹脂(以下、「ノボラック樹脂A」と称
す)を室温に戻して回収した。
ノボラック樹脂A 15g、2,4,6−トリヒドロキ
シベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−5
−スルホン酸トリエステル3.0gおよび下記に示すニト
リル基を有するメチン系分散染料0.30gをエチルセロソ
ルブアセテート75gに溶解した後、孔径0.2μmのメ
ンブランフィルタで濾過し、感紫外線樹脂組成物の溶液
を調製した。
ニトリル基を有するメチン系染料〔C.I.Dispe
rse Yellow49(Sandoz社製)〕 (イ)質量分析法による分子量を示す親ピーク:374 (ロ)0.01g/アセトン溶液の436nmの光に対す
る吸光度:1.4 (ハ)赤外吸収スペクトル:第1図参照 (2)(1)で得られた組成物を、厚さ0.2μmのアル
ミニウム層を蒸着した0.8μmの段差構造を有するシリ
コンウエーハ上に回転塗布した後、90℃に保持したホ
ットプレート上で2分間プレベークして膜厚1.3μmの
本発明の集積回路製造用感紫外線ポジ型レジストを得
た。このポジ型レジストに、ライン幅とスペース幅の等
しい(1L/1Sパターン)テストパターンマスクを用
い、150W超高圧水銀灯を有する436nm用縮小投
影露光装置GCA MAN 4800 DSW(住友G
CA(株)製)で1.3秒間露光した後、現像液としての
テトラメチルアンモニウム2.4重量%水溶液に浸漬し、
25℃で1分間現像し、流水にてリンスした。
得られたレジストパターンはハレーションの影響による
断線や欠けが全くなく、0.8μmのパターンまで精度よ
く解像された。
(3)(1)で得られた組成物およびシリコン酸化膜を
有するシリコンウエーハを用い、露光時間を1.4秒間と
した以外は(2)と同様にしてレジストパターンを形成
した。
このときの残膜率は97.4%であり、後残膜率を有してい
た。また組成物の調製後3ケ月間25℃で保存し、その
後同様の評価を行ったところ、同等のレジスト性能が得
られ、該組成物は安定性に優れていることがわかった。
(4)さらに(1)で得られた組成物を、(2)と同様
にシリコンウエーハに塗布しプレベークした後、25℃
4日間放置し、露光することにより(2)と同様の評価
を行ったところ、同等のレジスト性能が得られ、本発明
のポシ型レジストに用いる感紫外線樹脂組成物は塗布後
の安定性にも優れていることがわかった。
比較例1 吸光性材料として4−ヒドロキシ−4′−ジメチルアミ
ノアゾベンゼン0.30gを用い、その他は実施例1(1)
と同様に処理して感紫外線樹脂組成物の溶液を得た。
この組成物について実施例1(2)と同様にしてハレー
ション防止効果を調べたところ、ハレーション防止効果
は良好であった。しかし、実施例1(3)と同様にして
組成物の溶液を25℃で3カ月間保存した後に評価を行
い、調製直後と比較したところ、残膜率が低下する等、
レジストとしての性能が変化していた。
また、実施例1(4)と同様にして、塗布しプレベーク
した後、25℃で4日間放置し、露光することにより評
価を行ったところ、放置しない場合に比較して残膜率が
低下する等、レジスト性能が著しく変化していた。
比較例2 吸光性材料を添加せず、その他は実施例1と同様にして
感紫外線樹脂組成物の溶液を得た。
この組成物について、露光時間を0.8秒とした以外は実
施例1(2)と同様にしてハレーション防止効果を調べ
たところ、レジストパターンには、段差側面よりのハレ
ーションの影響で、パターン下部の欠けや断線が多く見
られた。
比較例3 2,4,6−トリヒドロキシベンゾフェノン−1,2−
ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸トリエステルの
代わりに、2,4,6−トリビドロキシベンゾフェノン
−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸トリ
エステル3.0gを用いた以外は、実施例1(1)と同様
に処理して感紫外線樹脂組成物の溶液を得た。
この組成物について実施例1(2)と同様にしてレジス
トパターンを得た。ただし、露光時間は2.0秒必要であ
った。また、解像度は1.5μmであり、実施例1に較べ
感度、解像度が著しく低下した。
また、実施例1(4)と同様にして塗膜安定性を調べた
ところ、残膜率が低下する等、レジスト性能が変化して
いた。
比較例4 2,4,6−トリヒドロキシベンゾフェノン−1,2−
ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸トリエステルの
代わりに、2,4,6−トリヒドロキシベンゾフェノン
−1,2−ベンゾキノンジアジド−4−スルホン酸トリ
エステル3.0gを用いた以外は、実施例1(1)と同様
に処理して感紫外線樹脂組成物の溶液を得た。
この組成物について実施例1(2)と同様にしてレジス
トパターンを得た。ただし、露光時間は1.9秒必要であ
った。また、解像度は1.6μmであり、実施例1に較べ
感度、解像度が著しく低下した。
また、実施例1(3)と同様にして保存安定性を調べた
ところ、残膜率が低下する等、レジスト性能が変化して
いた。
さらに、実施例1(4)と同様にして塗膜安定性を調べ
たところ、残膜率が低下する等、レジスト性能が変化し
ていた。
実施例2 (1)ノボラック樹脂A 15g、1,3,5−トリ
(1′,2′−ナフトキノンジアジド−5′−スルホキ
シ)ベンゼン1.5gおよびメチン系分散染料(G.I.
Disperse Yellow49)0.31gを、エチ
ルセロソルブアセテート70gに溶解した後、孔径0.2
μmのメンブランフィルタで濾過し、本発明の感紫外線
樹脂組成物の溶液を得た。
(2)(1)で得られた組成物を用い、実施例1(2)
と同様に本発明のポジ型レジストを形成し、同様に処理
してレジストパターンを形成した。ただし、露光時間は
0.9秒とした。
得られたレジストパターンには、ハレーションの影響は
全く見られず、0.7μmのパターンまで精度よく解像さ
れた。
(3)(1)で得られた組成物を用い、実施例1
(3)、(4)と同様にして調べた安定性も全く問題が
なかった。
実施例3 (1)500mlの三ツ口セパラブルフラスコに、m−
クレゾール117gおよびp−クレゾール13g、37
重量%ホルムアルデヒド水溶液92mlおよび蓚酸0.04
gを仕込み、攪拌しながらセパラブルフラスコを油浴に
浸して反応温度を100℃に保持しながら3時間30分
間反応させた。反応終了後、油浴温度を180℃まで上
昇させ、同時にセパラブルフラスコ内を減圧にして、
水、未反応のクレゾールおよびホルムアルデヒドならび
に蓚酸を除去した。次いで反応生成物である溶融したア
ルカリ可溶性ノボラック樹脂(以下、「ノボラック樹脂
B」と称す)を室温に戻して回収した。
ノボラック樹脂B 15g、2,4,6−トリヒドロキ
シベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−5
−スルホン酸トリエステル1.6gおよびメチン系分散染
料(C.I.Disperse Yellow49)0.
42gを、エチルセロソルブアセテート65gに溶解した
後、孔径0.2μmのメンブランフィルタで濾過し、感紫
外線樹脂組成物の溶液を得た。
(2)(1)で得られた組成物を用い、実施例1(2)
と同様にして本発明のポジ型レジストを形成し、同様に
処理してレジストパターンを形成した。ただし、露光時
間は0.5秒とした。得られたレジストパターンには、ハ
レーションの影響は全く見られず、0.7μmのパターン
まで精度よく解像された。
(3)(1)で得られた組成物を用い、実施例1(3)
と同様にして調べた安定性も全く問題がなかった。
実施例4 (1)ノボラック樹脂A 15g、2,4,6−トリヒ
ドロキシベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジ
ド−5−スルホン酸トリエステル3.0gおよび下記に示
すニトリル基を有するメチン系分散染料0.23gをエチル
セロソルブアセテート75gに溶解した後、孔径0.2μ
mのメンブランフィルタで濾過し、感紫外線樹脂組成物
の溶液を調製した。
ニトリル基を有するメチン系染料〔C.I.Dispe
rse Yellow201(バイエル社製)〕 (イ)質量分析法による分子量を示す親ピーク:443 (ロ)0.01g/lアセトン溶液の436nmの光に対す
る吸光度:1.3 (ハ)赤外吸収スペクトル:第2図参照 (2)(1)で得られた組成物を、厚さ0.2μmのアル
ミニウム層を蒸着した0.8μmの段差構造を有するシリ
コンウエーハ上に回転塗布した後、90℃に保持したホ
ットプレート上で2分間プレベークした膜厚1.3μmの
本発明の集積回路製造用感紫外線ポジ型レジストを得
た。このポジ型レジストに、ライン幅とスペース幅の等
しい(1L/1Sパターン)テストパターンマスクを用
い、150W超高圧水銀灯を有する436nm用縮小投
影露光装置GCA MANN 4800 DSW(住友
GCA(株)製)で0.7秒間露光した後、現像液として
のテトラメチルアンモニウム2.4重量%水溶液に浸漬
し、25℃で1分間現像し、流水にてリンスした。
得られたレジストパターンはハレーションの影響による
断線や欠けが全くなく、0.8μmのパターンまで精度よ
く解像された。
(3)(1)で得られた組成物およびシリコン酸化膜を
有するシリコンウエーハを用い、露光時間を0.8秒間と
した以外は(2)と同様にしてレジストパターンを形成
した。
このときの残膜率は92.0%であり、高残膜率を有してい
た。また組成物の調製後3カ月間25℃で保存し、その
後同様の評価を行ったところ、同等のレジスト性能が得
られ、該組成物は安定性に優れていることがわかった。
(4)さらに(1)で得られた組成物を、(2)と同様
にシリコンウエーハに塗布しプレベークした後、25℃
で4日間放置し、露光することにより(2)と同様の評
価を行ったところ、同等のレジスト性能が得られ、本発
明のポジ型レジストい用いる感紫外線樹脂組成物は塗布
後の安定性にも優れていることがわかった。
実施例5 (1)ノボラック樹脂A 15g、1,3,5−トリ
(1′,2′−ナフトキノンジアジド−5′−スルホキ
シ)ベンゼン1.5gおよびメチン系分散染料(C.I.
Disperse Yellow201)0.45gを、エ
チルセロソルブアセテート70gに溶解した後、孔径0.
2μmのメンブランフィルタで濾過し、感紫外線樹脂組
成物の溶液を得た。
(2)(1)で得られた組成物を用い、実施例4(2)
と同様に処理してレジストパターンを形成した。ただ
し、露光時間は0.9秒とした。
得られたレジストパターンには、ハレーションの影響は
全く見られず、0.7μmのパターンまで精度よく解像さ
れる。
(3)(1)で得られた組成物を用い、実施例4
(3)、(4)と同様にして調べた安定性も全く問題が
なかった。
〔発明の効果〕
本発明の集積回路製造用感紫外線ポジ型レジストは、反
射率の高い基板に被膜画像を形成する際にも、露光時の
ハレーションを防止して解像度の高い画像を形成するこ
とができ、かつ現像後の残膜率が高く、しかも本発明の
ポジ型レジストに用いる感紫外線樹脂組成物は、塗膜の
均一性および保存安定性に優れたものであり、集積回路
の製造に必要な微細パターンを正確に再現することがで
きる。
【図面の簡単な説明】
第1図および第2図は、本発明の感紫外線樹脂組成物に
用いられるニトリル基を有するメチン系分散染料の一例
である化合物の赤外線吸収スペクトルを示す図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 榛田 善行 東京都中央区築地2丁目11番24号 日本合 成ゴム株式会社内 (56)参考文献 特開 昭52−49029(JP,A) 特開 昭51−63824(JP,A) 特開 昭58−224351(JP,A) 特開 昭61−13245(JP,A) 特開 昭61−93445(JP,A) 特開 昭61−20024(JP,A) 特公 昭47−13424(JP,B1)

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】アルカリ可溶性樹脂と、1,2−ナフトキ
    ノンジアジド−5−スルホン酸エステルと、下記(1)お
    よび(2)の条件を満たすニトリル基を有するメチン系染
    料とを含有することを特徴とする集積回路製造用感紫外
    線ポジ型レジスト、 (1)赤外線吸収分光光度法により、2160〜2260c
    m-1付近にC≡Nの伸縮を示す吸収を有する、 (2)質量分析法により、その分子量を示す親ピークが3
    00〜500にある。
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